JPS6119005A - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6119005A JPS6119005A JP59140183A JP14018384A JPS6119005A JP S6119005 A JPS6119005 A JP S6119005A JP 59140183 A JP59140183 A JP 59140183A JP 14018384 A JP14018384 A JP 14018384A JP S6119005 A JPS6119005 A JP S6119005A
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- JP
- Japan
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- dielectric
- mol
- insulation resistance
- nonreduced
- less
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
- H01G4/1245—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates containing also titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は非還元性誘電体磁器組成物、すなわち還元性
雰囲気中で焼成しても高い絶縁抵抗と高い誘電率を有し
かつ小さな誘電損失を有する誘電体磁器組成物に関する
。
雰囲気中で焼成しても高い絶縁抵抗と高い誘電率を有し
かつ小さな誘電損失を有する誘電体磁器組成物に関する
。
(従来技術)
従来、チタン酸塩を主体とした高誘電率磁器材料を誘電
体とし、白金、金、パラジウム或いはこれらの合金を内
部電極とした磁器積層コンデンサが、小型大容量でかつ
高信頼性を要求する各種民生用、産業用の電子回路に多
用されてきた。
体とし、白金、金、パラジウム或いはこれらの合金を内
部電極とした磁器積層コンデンサが、小型大容量でかつ
高信頼性を要求する各種民生用、産業用の電子回路に多
用されてきた。
磁器積層コンデンサを製造するには、厚みたとえば50
〜100μmの磁器グリーンシートを印刷、ドクタブレ
ード法或いはスプレー法で作成し、この磁器グリーンシ
ートの上に内部電極となる金属粉末のペーストを印刷、
塗布し、これらを複数枚積層して熱圧着し、一体化した
ものを、自然雰囲気中たとえば1250〜1400℃で
焼成して焼結体を作り、内部電極と導通する外部引出し
用電極を焼結体の端面に焼付けていた。
〜100μmの磁器グリーンシートを印刷、ドクタブレ
ード法或いはスプレー法で作成し、この磁器グリーンシ
ートの上に内部電極となる金属粉末のペーストを印刷、
塗布し、これらを複数枚積層して熱圧着し、一体化した
ものを、自然雰囲気中たとえば1250〜1400℃で
焼成して焼結体を作り、内部電極と導通する外部引出し
用電極を焼結体の端面に焼付けていた。
(発明が解決しようとする問題点)
従来の磁器積層コンデンサにおいては、内部電極の材料
として次のような条件を満足する必要があった。
として次のような条件を満足する必要があった。
(a)誘電体磁器と内部電極とが同時に焼成されるので
、誘電体磁器が焼成される温度以上の融点を有すること
。
、誘電体磁器が焼成される温度以上の融点を有すること
。
(b)酸化性の高温雰囲気中においても酸化されず、し
かも、誘電体と反応しないこと。
かも、誘電体と反応しないこと。
このような条件を満足する電極材料としては、白金、金
、パラジウム或いはそれらの合金のような貴金属があり
、これまでは、磁器積層コンデンサの内部電極としては
、主としてこれらの貴金属が使用されてきた。
、パラジウム或いはそれらの合金のような貴金属があり
、これまでは、磁器積層コンデンサの内部電極としては
、主としてこれらの貴金属が使用されてきた。
しかしながら、この電極材料は優れた特性を有する反面
、高価であった。そのため、磁器積層コンデンサに占め
る電極材料費の割合は30〜70%にも達し、コストを
上昇させる最大の要因になっていた。
、高価であった。そのため、磁器積層コンデンサに占め
る電極材料費の割合は30〜70%にも達し、コストを
上昇させる最大の要因になっていた。
貴金属以外に高融点をもつものとしてNi、Fe、Co
、W、Moなどの卑金属があるが、これら卑金属は高温
の酸化性雰囲気中では容易に酸化されてしまい、電極と
しての役目をしなくなってしまう。そのため、これらの
卑金属を磁器積層コンデンサの内部電極に使用するため
には、誘電体磁器とともに中性または還元性雰囲気中で
焼成される必要がある。しかしながら、従来の誘電体磁
器材料ではこのような還元性雰囲気中で焼成すると著し
く還元されてしまい半導体化してしまうという欠点があ
った。
、W、Moなどの卑金属があるが、これら卑金属は高温
の酸化性雰囲気中では容易に酸化されてしまい、電極と
しての役目をしなくなってしまう。そのため、これらの
卑金属を磁器積層コンデンサの内部電極に使用するため
には、誘電体磁器とともに中性または還元性雰囲気中で
焼成される必要がある。しかしながら、従来の誘電体磁
器材料ではこのような還元性雰囲気中で焼成すると著し
く還元されてしまい半導体化してしまうという欠点があ
った。
誘電体磁器を中性または還元雰囲気中で焼成しても還元
されないようにするためには、1963年発行、[ハイ
・パーミティビイティ・セラミック・ジンタートイン・
ハイドロゲンJ−J、Mバーバート著、或いはアメリカ
合衆国特許第3,920.781号に記載されているよ
うに、遷移金属酸化物の添加が有効であることが知られ
ている。
されないようにするためには、1963年発行、[ハイ
・パーミティビイティ・セラミック・ジンタートイン・
ハイドロゲンJ−J、Mバーバート著、或いはアメリカ
合衆国特許第3,920.781号に記載されているよ
うに、遷移金属酸化物の添加が有効であることが知られ
ている。
しかしながら、従来知られている非還元性誘電体磁器組
成物は、たとえば積層コンデンサの誘電体として利用す
るためには、たとえば絶縁抵抗の経時的劣化が大きいな
どの欠点があった。
成物は、たとえば積層コンデンサの誘電体として利用す
るためには、たとえば絶縁抵抗の経時的劣化が大きいな
どの欠点があった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、還元性雰囲気中
で焼成してもコンデンサ材料として充分に高くかつ経時
的に変化しない絶縁抵抗を有し、優れた誘電特性を持つ
非還元性誘電体磁器組成物を提供することである。
で焼成してもコンデンサ材料として充分に高くかつ経時
的に変化しない絶縁抵抗を有し、優れた誘電特性を持つ
非還元性誘電体磁器組成物を提供することである。
(問題点を解決するための手段)
((Ba、+ xca xMgy)O) m・ (Ti
+ −zZrz)O2 で表される組成式の各X、 y、 2. mが、そ
れぞれ、0.005≦x≦0.22.0.0005≦y
≦0.05.0<z≦0.20.1.002≦m≦1.
03、を満足し、上記主成分100モル%に対して、M
n、Fe、CrおよびCOの各酸化物Mno2.Fe2
03* Cr2O3およびC00の少なくとも1種以上
が0.02〜2.0モル%添加含有されている、非還元
性誘電体磁器組成物である。
+ −zZrz)O2 で表される組成式の各X、 y、 2. mが、そ
れぞれ、0.005≦x≦0.22.0.0005≦y
≦0.05.0<z≦0.20.1.002≦m≦1.
03、を満足し、上記主成分100モル%に対して、M
n、Fe、CrおよびCOの各酸化物Mno2.Fe2
03* Cr2O3およびC00の少なくとも1種以上
が0.02〜2.0モル%添加含有されている、非還元
性誘電体磁器組成物である。
(発明の効果)
この発明によれば、酸素分圧P (O□)がたとえば1
O−8〜10−’MPaのような低酸素分圧下において
たとえば1250〜1350℃で焼成しても、誘電率が
1000以上と高く、誘電正接tanδは3.0%以下
でしかも常温における容量・絶縁抵抗積C−Rが100
0以上でかつたとえば2000時間の高温負荷ライフ試
験後においても著しい劣化を生じない、優れた誘電特性
を有する、非還元性誘電体磁器組成物が得られる。
O−8〜10−’MPaのような低酸素分圧下において
たとえば1250〜1350℃で焼成しても、誘電率が
1000以上と高く、誘電正接tanδは3.0%以下
でしかも常温における容量・絶縁抵抗積C−Rが100
0以上でかつたとえば2000時間の高温負荷ライフ試
験後においても著しい劣化を生じない、優れた誘電特性
を有する、非還元性誘電体磁器組成物が得られる。
したがって、たとえば積層コンデンサの内部電極として
、従来の貴金属より安価な卑金属を使用することができ
、たとえば積層コンデンサの大幅なコストの低減が期待
できる。
、従来の貴金属より安価な卑金属を使用することができ
、たとえば積層コンデンサの大幅なコストの低減が期待
できる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。
は以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。
(実施例)
純度99.8%以上の高純度の素原料BaCO3、Ca
CO3、MgCO3、TiO2、ZrO2、MnO2,
Fe203.CrO2,Coo。
CO3、MgCO3、TiO2、ZrO2、MnO2,
Fe203.CrO2,Coo。
3i02.ZnOおよびAl2O3を、{(Ba1 −
xCa xMgy)O) m・ (Til −zZr2
)O2の組成式において、表1に示した各試料の組成比
となるように配合した。これらをボールミルで湿式混合
、粉砕した後乾燥させ、1100℃で2時間空気中で仮
焼した。仮焼済み原料に有機バインダ、分散剤、消泡剤
よりなる混合水溶液を15重量%添加し、50重量冗の
水とともにボールミルで再び混合、粉砕してスラリを調
製した。
xCa xMgy)O) m・ (Til −zZr2
)O2の組成式において、表1に示した各試料の組成比
となるように配合した。これらをボールミルで湿式混合
、粉砕した後乾燥させ、1100℃で2時間空気中で仮
焼した。仮焼済み原料に有機バインダ、分散剤、消泡剤
よりなる混合水溶液を15重量%添加し、50重量冗の
水とともにボールミルで再び混合、粉砕してスラリを調
製した。
このスラリをドクタブレードに流し、平均厚み50μm
のグリーンシートを成形した。得られたグリーンシート
上に粒径1μmのニッケル粉末55%を含むペーストを
印刷し、乾燥後互いに対向電極となるように積み重ね、
熱圧着により一体化した。この積層ブロックから個々の
コンデンサユニットをブレードで切り出した。
のグリーンシートを成形した。得られたグリーンシート
上に粒径1μmのニッケル粉末55%を含むペーストを
印刷し、乾燥後互いに対向電極となるように積み重ね、
熱圧着により一体化した。この積層ブロックから個々の
コンデンサユニットをブレードで切り出した。
このようにして得られた化ユニットを空気中500℃ま
で加熱して有機バインダを燃焼させた後、N2−N2−
空気ガスで酸素分圧が10−8〜10’MPaにコント
ロールされた還元雰囲気炉に入れ、1250℃〜135
0℃で2時間焼成した。得られた誘電体磁器試料の外部
取出し電極としてその表面に銀ペーストを塗布し、中性
雰囲気中800℃で焼付けし、外部電極を形成した。こ
のようにして評価試料を得た。
で加熱して有機バインダを燃焼させた後、N2−N2−
空気ガスで酸素分圧が10−8〜10’MPaにコント
ロールされた還元雰囲気炉に入れ、1250℃〜135
0℃で2時間焼成した。得られた誘電体磁器試料の外部
取出し電極としてその表面に銀ペーストを塗布し、中性
雰囲気中800℃で焼付けし、外部電極を形成した。こ
のようにして評価試料を得た。
この実施例で作成したチップ型積層コンデンサの寸法は
、それぞれ、次のとおりである。
、それぞれ、次のとおりである。
外観寸法:幅−4,3mm、長さ−5,6mm、厚み−
1,2mm 有効誘電体層厚:t=33μm 有効誘電体層数:N=19 一層当たりの対向電極面積:5=21.5mm2また、
静電容量(C)、誘電正接(tanδ)は自動フ゛リッ
ジで1kHzおよびIV(ボルト)で測定した。絶縁抵
抗(R)は、高絶縁計により、50Vを2分間印加した
後の値を測定し、容量と絶縁抵抗との積(C−R値)を
求めた。誘電率εは静電容量Cをもとに、次式により求
めた。
1,2mm 有効誘電体層厚:t=33μm 有効誘電体層数:N=19 一層当たりの対向電極面積:5=21.5mm2また、
静電容量(C)、誘電正接(tanδ)は自動フ゛リッ
ジで1kHzおよびIV(ボルト)で測定した。絶縁抵
抗(R)は、高絶縁計により、50Vを2分間印加した
後の値を測定し、容量と絶縁抵抗との積(C−R値)を
求めた。誘電率εは静電容量Cをもとに、次式により求
めた。
a= (113xcxt)/ (sxN)−8,3xl
0−3xC 高温負荷加速寿命(ライフ)試験としては、各試料を2
0個ずつ125℃の恒温槽に入れて直流150Vを印加
し、2000時間後の絶縁抵抗を測定した。
0−3xC 高温負荷加速寿命(ライフ)試験としては、各試料を2
0個ずつ125℃の恒温槽に入れて直流150Vを印加
し、2000時間後の絶縁抵抗を測定した。
以上の結果を表2に示した。
カルシウム量(x)が0.005未満であれば磁器の焼
結性が悪く、誘電正接tanδが3.0%をこえ、C−
R値が25℃で1000MΩ・μF以下、85℃で10
0MΩ・μF以下、そして2000時間の高温ライフ試
験後には500MΩ・μF以下のように、低い値を示す
。一方、カルシウム量(x)が0.22をこえると再び
焼結性が極度に悪くなる。
結性が悪く、誘電正接tanδが3.0%をこえ、C−
R値が25℃で1000MΩ・μF以下、85℃で10
0MΩ・μF以下、そして2000時間の高温ライフ試
験後には500MΩ・μF以下のように、低い値を示す
。一方、カルシウム量(x)が0.22をこえると再び
焼結性が極度に悪くなる。
マグネシウム量(y)が0.0005未満では、85℃
でのC−R値が低く、したがってライフ試験によって絶
縁抵抗の劣下を生じる。また、このマグネシウム量(y
)が0.05をこえると、誘電率εが1000以下に低
下するだけでなく、絶縁性も低下する。
でのC−R値が低く、したがってライフ試験によって絶
縁抵抗の劣下を生じる。また、このマグネシウム量(y
)が0.05をこえると、誘電率εが1000以下に低
下するだけでなく、絶縁性も低下する。
ジルコニウム量(Z)が0では誘電率εが1000以下
になり、誘電正接tanδも4.0%と大きくなる。ま
た、ジルコニウム量(z)が0゜20をこえると焼結度
が低下する。
になり、誘電正接tanδも4.0%と大きくなる。ま
た、ジルコニウム量(z)が0゜20をこえると焼結度
が低下する。
さらに、(Ba、−x−yCa xMgy)Oと(Ti
l−zZrz)O2とのモル比(m)が1.002未満
では誘電体磁器が還元され、誘電正接tanδの増加と
絶縁抵抗の低下が生じる。一方、このモル比(n)が1
.03をこえると焼結度が悪くなり、高温(85℃)お
よびライフ試験後のC−R値が悪くなる。
l−zZrz)O2とのモル比(m)が1.002未満
では誘電体磁器が還元され、誘電正接tanδの増加と
絶縁抵抗の低下が生じる。一方、このモル比(n)が1
.03をこえると焼結度が悪くなり、高温(85℃)お
よびライフ試験後のC−R値が悪くなる。
添加物(A)としてのM n O2+ F e203
1Cr20或いはcooのいずれもが0.02モル%未
満の場合には、85℃以上での絶縁抵抗が低くなり、長
時間の高温中での使用における信頼性が低下する。一方
、この添加物(A)のいずれがが2. 0モル%をこえ
て含まれると、誘電正接tanδが3.0%をこえて大
きくなり、同時に絶縁抵抗も劣下する。
1Cr20或いはcooのいずれもが0.02モル%未
満の場合には、85℃以上での絶縁抵抗が低くなり、長
時間の高温中での使用における信頼性が低下する。一方
、この添加物(A)のいずれがが2. 0モル%をこえ
て含まれると、誘電正接tanδが3.0%をこえて大
きくなり、同時に絶縁抵抗も劣下する。
添加物(B)のうち5ho2またはZnO3が0.1モ
ル%未満、もしくはAl2O2が0.02モル%未満の
場合、焼結性が悪くなり、誘電正接tanδが3.0%
をこえる。また、SiO2またはZnO2が2. 0モ
ル%、もしくはAI!203が1.0モル%をこえて添
加されると、絶縁抵抗が低下する。
ル%未満、もしくはAl2O2が0.02モル%未満の
場合、焼結性が悪くなり、誘電正接tanδが3.0%
をこえる。また、SiO2またはZnO2が2. 0モ
ル%、もしくはAI!203が1.0モル%をこえて添
加されると、絶縁抵抗が低下する。
特許出願人 株式会社 村田製作所
代理人 弁理士 岡 1) 全 啓
(ばか1名)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 その主成分がBaO、CaO、MgO、TiO_2
およびZrO_2からなり、これを次の一般式で表した
とき、 {(Ba_1_−_x_−_yCa_xMg_y)O}
m・(Ti_1_−_zZr_z)O_2 となり、この一般式の各x、y、z、mが次の関係を満
足し、 0.005≦x≦0.22 0.0005≦y≦0.05 0<z≦0.20 1.002≦m≦1.03 かつ、上記主成分100モル%に対して、Mn、Fe、
Cr、Coの各酸化物をMnO_2、Fe_2O_3、
Cr_2O_3、CoOと表したとき、各酸化物の少な
くとも1種以上が0.02〜2.0モル%添加含有され
ている、非還元性誘電体磁器組成物。 2 さらに、0.1〜2.0モル%のSiO_2または
ZnOおよび0.02〜1.0モル%のAl_2O_3
を少なくとも1種類含む、特許請求の範囲第1項記載の
非還元性誘電体磁器組成物。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59140183A JPS6119005A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
DE19853524193 DE3524193A1 (de) | 1984-07-05 | 1985-07-05 | Nicht-reduzierende dielektrische keramikzusammensetzungen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59140183A JPS6119005A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6119005A true JPS6119005A (ja) | 1986-01-27 |
JPH0457041B2 JPH0457041B2 (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=15262828
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59140183A Granted JPS6119005A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6119005A (ja) |
DE (1) | DE3524193A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62256422A (ja) * | 1986-04-29 | 1987-11-09 | 京セラ株式会社 | 積層型磁器コンデンサ |
US4988468A (en) * | 1987-01-08 | 1991-01-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing non-reducible dielectric ceramic composition |
JPH03246809A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 高周波用誘電体磁器組成物 |
US7538057B2 (en) | 2004-06-18 | 2009-05-26 | Tdk Corporation | Ceramic electronic device and the production method |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0821266B2 (ja) * | 1987-03-11 | 1996-03-04 | 株式会社村田製作所 | 誘電体ペ−スト |
FR2640963B1 (ja) * | 1988-12-23 | 1991-03-01 | Europ Composants Electron | |
JP2800017B2 (ja) * | 1989-04-05 | 1998-09-21 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックスコンデンサ |
US5089933A (en) * | 1989-12-04 | 1992-02-18 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Solid dielectric capacitor and method of manufacture |
US5103369A (en) * | 1989-12-04 | 1992-04-07 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Solid dielectric capacitor |
US5103370A (en) * | 1989-12-04 | 1992-04-07 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Solid dielectric capacitor and method of manufacture |
JPH0734326B2 (ja) * | 1990-03-13 | 1995-04-12 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
JPH0779004B2 (ja) * | 1990-10-31 | 1995-08-23 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
JP3368602B2 (ja) * | 1992-10-23 | 2003-01-20 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
JP3279856B2 (ja) * | 1995-02-14 | 2002-04-30 | ティーディーケイ株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
TWI648240B (zh) * | 2017-10-27 | 2019-01-21 | 信昌電子陶瓷股份有限公司 | Low dielectric constant dielectric porcelain powder composition which is ultra-low temperature sintered in a reducing atmosphere and Preparation method and temperature-compensated multilayer ceramic capacitor thereof |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5567568A (en) * | 1978-11-10 | 1980-05-21 | Murata Manufacturing Co | Nonreducible dielectric porcelain composition and preparing ceramic laminated capacitor using same |
JPS5918159A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-30 | 三菱鉱業セメント株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
JPS5927518A (ja) * | 1982-08-05 | 1984-02-14 | ニチコン株式会社 | 積層セラミツクコンデンサ |
-
1984
- 1984-07-05 JP JP59140183A patent/JPS6119005A/ja active Granted
-
1985
- 1985-07-05 DE DE19853524193 patent/DE3524193A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5567568A (en) * | 1978-11-10 | 1980-05-21 | Murata Manufacturing Co | Nonreducible dielectric porcelain composition and preparing ceramic laminated capacitor using same |
JPS5918159A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-30 | 三菱鉱業セメント株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
JPS5927518A (ja) * | 1982-08-05 | 1984-02-14 | ニチコン株式会社 | 積層セラミツクコンデンサ |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62256422A (ja) * | 1986-04-29 | 1987-11-09 | 京セラ株式会社 | 積層型磁器コンデンサ |
JPH0785460B2 (ja) * | 1986-04-29 | 1995-09-13 | 京セラ株式会社 | 積層型磁器コンデンサ |
US4988468A (en) * | 1987-01-08 | 1991-01-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing non-reducible dielectric ceramic composition |
JPH03246809A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 高周波用誘電体磁器組成物 |
US7538057B2 (en) | 2004-06-18 | 2009-05-26 | Tdk Corporation | Ceramic electronic device and the production method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0457041B2 (ja) | 1992-09-10 |
DE3524193A1 (de) | 1986-01-16 |
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