JPS5918159A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS5918159A JPS5918159A JP57125137A JP12513782A JPS5918159A JP S5918159 A JPS5918159 A JP S5918159A JP 57125137 A JP57125137 A JP 57125137A JP 12513782 A JP12513782 A JP 12513782A JP S5918159 A JPS5918159 A JP S5918159A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- dielectric constant
- ceramic composition
- composition
- dielectric ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高い誘電率を有し広い温度範囲にわたって誘
電率の変化が小さく且つ誘電正接の値が非常に小さく、
しかも磁器化が容易である誘電体磁器組成物に関する。
電率の変化が小さく且つ誘電正接の値が非常に小さく、
しかも磁器化が容易である誘電体磁器組成物に関する。
従来、高誘電率で温度変化率の小さな組成物としてチタ
ン酸バリウムにスズ酸ビスマス、チタン酸ビスマス、ジ
ルコン酸ビスマスなどのビスマス化合物を添加して温度
特性を平坦にして用いている。しかし、最近のセラミッ
クコンデンサには小型大容量のものが要求され、積層セ
ラミックコンデンサが数多く用いられている。この目的
にビスマス化合物を含む誘電体組成物を使用する場合に
は白金あるいはパラジウムからなる内部電極が著しく腐
食されるという欠点があった。また、組成物中に蒸気圧
の高いビスマス化合物が含まれていると、焼成中にビス
マスが蒸発し、緻密なセラミックを得ることは非常に困
難であった。
ン酸バリウムにスズ酸ビスマス、チタン酸ビスマス、ジ
ルコン酸ビスマスなどのビスマス化合物を添加して温度
特性を平坦にして用いている。しかし、最近のセラミッ
クコンデンサには小型大容量のものが要求され、積層セ
ラミックコンデンサが数多く用いられている。この目的
にビスマス化合物を含む誘電体組成物を使用する場合に
は白金あるいはパラジウムからなる内部電極が著しく腐
食されるという欠点があった。また、組成物中に蒸気圧
の高いビスマス化合物が含まれていると、焼成中にビス
マスが蒸発し、緻密なセラミックを得ることは非常に困
難であった。
さらに、誘電率が２０００以下であり、小型大容量化の
要求を満足するものではなかった。
要求を満足するものではなかった。
本発明者らは、上記欠点を解決した高誘電率磁器組成物
を提供すべく鋭意研死を重ねだ結果、チタン酸バリウム
に五酸化ニオブ、酸化匪鉛を添加することにより広い温
度範囲にわたって誘電率の変化が小さく、誘電正接の値
が非常に小さい高誘電率組成物になることを見い出し、
本発明を完成するに至った。
を提供すべく鋭意研死を重ねだ結果、チタン酸バリウム
に五酸化ニオブ、酸化匪鉛を添加することにより広い温
度範囲にわたって誘電率の変化が小さく、誘電正接の値
が非常に小さい高誘電率組成物になることを見い出し、
本発明を完成するに至った。
本発明の基本的な要旨とするところは、チタン酸バリウ
ム９５．０〜９９．４ ｍａ１％、五酸化ニオブ０５〜
３．０ ｍｏｌ！％、酸化亜鉛０１〜２、０ ｍｏｌ）
から成ることを特徴とする誘電体磁器組成物にある。チ
タン酸バリウムは主成分であり、五酸化ニオブは誘電率
の温度変化率を小さくする効果があシ、酸化亜鉛を添加
することによりさらに変化率を小さくすることができる
。
ム９５．０〜９９．４ ｍａ１％、五酸化ニオブ０５〜
３．０ ｍｏｌ！％、酸化亜鉛０１〜２、０ ｍｏｌ）
から成ることを特徴とする誘電体磁器組成物にある。チ
タン酸バリウムは主成分であり、五酸化ニオブは誘電率
の温度変化率を小さくする効果があシ、酸化亜鉛を添加
することによりさらに変化率を小さくすることができる
。
前記範囲内で組成比を変化させることによって、誘電率
が２０００〜３０００、温度変化率が一５５Ｃ〜＋１２
５Ｃにわたって１１５％以内、誘電圧接が０．８％以下
で絶縁抵抗の大きい誘電体磁器が得られる。特に誘電正
接の直が小さいことから、電界強度の大きい使用条件に
耐えることが可能な誘電体磁器を提供できる。
が２０００〜３０００、温度変化率が一５５Ｃ〜＋１２
５Ｃにわたって１１５％以内、誘電圧接が０．８％以下
で絶縁抵抗の大きい誘電体磁器が得られる。特に誘電正
接の直が小さいことから、電界強度の大きい使用条件に
耐えることが可能な誘電体磁器を提供できる。
次に、本発明の各成分の限定理由を試験結果に基づき説
明する。チタン酸バリウムが９５、０ ｍａｉ１％未満
では誘電率が小さく、その温度変化率が大きくなυ、９
９．４ ｍｏ１％を越えると焼結困難となる。五酸化ニ
オブが０．５ｍａｌ１％未満では誘電正接が大きく、さ
らに焼結困難となり、３．０ ｍｏｌ！％を越えると誘
電率が小さく、その温度変化率が大きくなる。酸化亜鉛
が０．１ ｍｏｂ未満では誘電率の温度変化率を小さく
する効果がなく、２．０ ｍθで％を越えると誘電圧接
の値が大きくなり、さらに絶縁抵抗が劣化する。
明する。チタン酸バリウムが９５、０ ｍａｉ１％未満
では誘電率が小さく、その温度変化率が大きくなυ、９
９．４ ｍｏ１％を越えると焼結困難となる。五酸化ニ
オブが０．５ｍａｌ１％未満では誘電正接が大きく、さ
らに焼結困難となり、３．０ ｍｏｌ！％を越えると誘
電率が小さく、その温度変化率が大きくなる。酸化亜鉛
が０．１ ｍｏｂ未満では誘電率の温度変化率を小さく
する効果がなく、２．０ ｍθで％を越えると誘電圧接
の値が大きくなり、さらに絶縁抵抗が劣化する。
次に、本発明を実施例によってさらに具体的に説明する
が、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限
定されるものではない。
が、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限
定されるものではない。
最初に炭酸バリウムと酸化チタンを１＝１で混合し、１
１００Ｃで葭焼し、チタン酸バリウムの微粉末を得だ。
１００Ｃで葭焼し、チタン酸バリウムの微粉末を得だ。
ここで得だ仮焼粉末が完全にチタン酸バリウムになって
いることを粉末Ｘ線回折法で調べだ。このチタン酸バリ
ウムに五酸化ニオブ、酸化亜鉛を焼成後に下記表に示す
配合比になるように秤取し、不純物の混入を防止するた
め硬質樹脂製のボールミルを用い２０時時間式混合し、
脱水・乾燥後、成形圧力３ ｔｏｎ ／ｃｒｄで直径１
６摩厚さ０６舅に加圧成形し、成形物を下記表に示す焼
成温度で１時間焼成し、試料番号１〜１５を得た。
いることを粉末Ｘ線回折法で調べだ。このチタン酸バリ
ウムに五酸化ニオブ、酸化亜鉛を焼成後に下記表に示す
配合比になるように秤取し、不純物の混入を防止するた
め硬質樹脂製のボールミルを用い２０時時間式混合し、
脱水・乾燥後、成形圧力３ ｔｏｎ ／ｃｒｄで直径１
６摩厚さ０６舅に加圧成形し、成形物を下記表に示す焼
成温度で１時間焼成し、試料番号１〜１５を得た。
これらの試料の両面に銀電極を焼き付け、誘電率、誘電
圧接、誘電率の温度変化率はＹＨＰデジタルＬＯＲメー
ターモデル４２７４Ａを使用し、測定温度２５Ｃ１測定
電圧１．１１ Ｖｒｍｓ 、測定周波数１、ＯＫＨｚに
よる測定により求めた。絶縁抵抗はＹＨＰモデル４３２
９ Ａを使用し、印加電圧１００ｖ、１分値より求めた
。誘電率の温度変化率は一５５Ｃ〜＋１２５Ｃの範囲で
測定し、２５Ｃにおける誘電率を基準とした。試験条件
−および結果を下記表に示す。
圧接、誘電率の温度変化率はＹＨＰデジタルＬＯＲメー
ターモデル４２７４Ａを使用し、測定温度２５Ｃ１測定
電圧１．１１ Ｖｒｍｓ 、測定周波数１、ＯＫＨｚに
よる測定により求めた。絶縁抵抗はＹＨＰモデル４３２
９ Ａを使用し、印加電圧１００ｖ、１分値より求めた
。誘電率の温度変化率は一５５Ｃ〜＋１２５Ｃの範囲で
測定し、２５Ｃにおける誘電率を基準とした。試験条件
−および結果を下記表に示す。
上記表に訃いて試料番号１〜１０が本発明の範囲内の実
施例であり、その曲は範囲外の実姉例である。図面は試
料番号乙の誘電率の温度変化率を示したものである。本
発明の範囲内にある試料番号１〜１０の実施例はいずれ
も誘電率の温度変化率が小さく、誘電率が２０００ 以
上と大きく、さらに誘電圧接の値が小さい極めて優れた
誘電体磁器が得られている。
施例であり、その曲は範囲外の実姉例である。図面は試
料番号乙の誘電率の温度変化率を示したものである。本
発明の範囲内にある試料番号１〜１０の実施例はいずれ
も誘電率の温度変化率が小さく、誘電率が２０００ 以
上と大きく、さらに誘電圧接の値が小さい極めて優れた
誘電体磁器が得られている。
以上のように、本発明の範囲内の誘電体磁器組成物は実
用的な誘電率、誘電正接および誘電率温度特性を有し、
特に誘電圧接の値が小さく、ビスマス化合物を含んでい
ないことから、電界強度の大きい積層セラミックコンデ
ンサに用いる誘電体利料としては最適である。
用的な誘電率、誘電正接および誘電率温度特性を有し、
特に誘電圧接の値が小さく、ビスマス化合物を含んでい
ないことから、電界強度の大きい積層セラミックコンデ
ンサに用いる誘電体利料としては最適である。
図面は本発明による組成物の１試料の誘電率の温度変化
率を示すグラフ図である。 ３０３− 羊続補正舎 昭和５７年 ９月１３日 特許庁長官 若杉和夫殿 ｌ事件の表示昭和５７年 特許 願第 １２５１３７号
２ 発明の名称 誘電体磁器組成物 ３、補正をする者 ４イ（埋入 ５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」
の欄（１）明細書矛６頁矛１行目の 「２．０面Ｉ」を 「２．３ ｍｏ１％」と訂正する。 （２）同上ｙｐＡ頁ｙｐ１１行目の １−１：ＩＪの前（二 「ｍＯ１比」を挿入する。 （３）同上、３１−７頁ｙＰ５行目の 「実施例」を 「比較例」と訂正する。
率を示すグラフ図である。 ３０３− 羊続補正舎 昭和５７年 ９月１３日 特許庁長官 若杉和夫殿 ｌ事件の表示昭和５７年 特許 願第 １２５１３７号
２ 発明の名称 誘電体磁器組成物 ３、補正をする者 ４イ（埋入 ５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」
の欄（１）明細書矛６頁矛１行目の 「２．０面Ｉ」を 「２．３ ｍｏ１％」と訂正する。 （２）同上ｙｐＡ頁ｙｐ１１行目の １−１：ＩＪの前（二 「ｍＯ１比」を挿入する。 （３）同上、３１−７頁ｙＰ５行目の 「実施例」を 「比較例」と訂正する。
Claims (1)
- チタン酸バリウム９５，０〜９９．４ｍｏ１％、五酸化
ニオブ０．５−５．０ ｍｏ１％、酸化亜鉛０．１〜２
、０ ｍｏｌ ％の成分範囲から成ることを特徴とする
誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57125137A JPS5918159A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57125137A JPS5918159A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5918159A true JPS5918159A (ja) | 1984-01-30 |
Family
ID=14902772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57125137A Pending JPS5918159A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918159A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6119005A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-27 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| JPH01130899A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-23 | Riken Seiki Kk | 冷間等方圧加圧成形用減圧装置 |
| JPH0360897A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-15 | Nikkiso Co Ltd | 冷間等方圧成形装置の減圧装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155070A (en) * | 1980-04-26 | 1981-12-01 | Kyoritsu Ceramic Materials | Raw material composition for manufacturing high dielectric constant ceramic |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP57125137A patent/JPS5918159A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155070A (en) * | 1980-04-26 | 1981-12-01 | Kyoritsu Ceramic Materials | Raw material composition for manufacturing high dielectric constant ceramic |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6119005A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-27 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| JPH0457041B2 (ja) * | 1984-07-05 | 1992-09-10 | Murata Manufacturing Co | |
| JPH01130899A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-23 | Riken Seiki Kk | 冷間等方圧加圧成形用減圧装置 |
| JPH0360897A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-15 | Nikkiso Co Ltd | 冷間等方圧成形装置の減圧装置 |
| JPH0367798B2 (ja) * | 1989-07-28 | 1991-10-24 | Nikkiso Co Ltd |
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