JPS62115705A - 半導体磁器コンデンサ用組成物 - Google Patents
半導体磁器コンデンサ用組成物Info
- Publication number
- JPS62115705A JPS62115705A JP60255687A JP25568785A JPS62115705A JP S62115705 A JPS62115705 A JP S62115705A JP 60255687 A JP60255687 A JP 60255687A JP 25568785 A JP25568785 A JP 25568785A JP S62115705 A JPS62115705 A JP S62115705A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitance
- compound
- oxide
- semiconductor porcelain
- weight
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は温度特性にすぐれ、かつ経時変化が少なくバ
ラツキの小さな粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ用組成
物に関するものである。
ラツキの小さな粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ用組成
物に関するものである。
〈従来の技術とその問題点〉
Sr TL 03系からなる粒界絶縁型半導体磁器コン
デンサは、その容量温度特性が+20’Cを基準とした
とき、−25℃〜+85℃の温度範囲で±10〜15%
でおる。
デンサは、その容量温度特性が+20’Cを基準とした
とき、−25℃〜+85℃の温度範囲で±10〜15%
でおる。
この容量温度特性は、半導体磁器の結晶粒界に熱拡散さ
せる金属酸化物の量を多くすれば±5〜10%まで改善
できることが確認されている。
せる金属酸化物の量を多くすれば±5〜10%まで改善
できることが確認されている。
しかしながら、このように金属酸化物の間を増やすと、
熱拡散時に半導体磁器の表面に残留することがあり、容
量温度特性のバラツキの小ざいものが得にくいほか、誘
電損失の値に異常値が発生することがあった。
熱拡散時に半導体磁器の表面に残留することがあり、容
量温度特性のバラツキの小ざいものが得にくいほか、誘
電損失の値に異常値が発生することがあった。
一方、容量温度特性を改善したものとして特開昭58−
21312号公報に示されるように、Sr TLO3の
うちのSrの31〜52モル%をCaで置換したものが
あるが、これは通常容量の経時変化特性が一2%/de
cade程度と良好な値を示さなかった。
21312号公報に示されるように、Sr TLO3の
うちのSrの31〜52モル%をCaで置換したものが
あるが、これは通常容量の経時変化特性が一2%/de
cade程度と良好な値を示さなかった。
なお、ここでdecadeとは10 時間と表わした
ときn=Q、1.2.3・ (整数)トシテ10 時
間から10”時間後の変化率を示したものである。
ときn=Q、1.2.3・ (整数)トシテ10 時
間から10”時間後の変化率を示したものである。
〈問題点を解決するための手段〉
上記に鑑みて、本発明者らは温度特性が±10%以内(
sp特性)の磁器コンデンサとして容量バラツキが小さ
く、かつ経時特性の良好な、即ち容量偏差の小ざなもの
を得るべく検討の結果、この発明に至ったものである。
sp特性)の磁器コンデンサとして容量バラツキが小さ
く、かつ経時特性の良好な、即ち容量偏差の小ざなもの
を得るべく検討の結果、この発明に至ったものである。
即ち、この発明は一般式
%式%
で示される組成物からなる成形体を還元雰囲気下で焼成
して得られる半導体磁器の結晶粒界に酸化ビスマス、酸
化鉛、酸化銅、二酸化マンガンのうち少なくとも1種の
金属酸化物が拡散され、前記結晶粒界が絶縁体化されて
いることを特徴とする粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ
用組成物を提供することを目的とするものである。
して得られる半導体磁器の結晶粒界に酸化ビスマス、酸
化鉛、酸化銅、二酸化マンガンのうち少なくとも1種の
金属酸化物が拡散され、前記結晶粒界が絶縁体化されて
いることを特徴とする粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ
用組成物を提供することを目的とするものである。
〈作用〉
この発明における一般式
%式%
組成物において、MとしてEr、 HOを用いるのはそ
れ以外の元素では経時変化が大きくて好ましくないため
である。また0、25<x≦0.45とするのはx<0
.25では温度特性のよいものが得にくく、X≧0.4
5テは誘電損失(Dissipation Facor
)が悪くなる、即ち半導体化しにくくなるためである。
れ以外の元素では経時変化が大きくて好ましくないため
である。また0、25<x≦0.45とするのはx<0
.25では温度特性のよいものが得にくく、X≧0.4
5テは誘電損失(Dissipation Facor
)が悪くなる、即ち半導体化しにくくなるためである。
ざらにy>0.2、z>0.02では誘電損失が悪くな
って好ましくない。
って好ましくない。
またTi aにおけるα値を0.990≦α≦1.02
とするのは、α< 0.990では焼結しにクク、α〉
1.02では粒成長が進みにくく、誘電率が小ざくなり
すぎるためである。
とするのは、α< 0.990では焼結しにクク、α〉
1.02では粒成長が進みにくく、誘電率が小ざくなり
すぎるためである。
〈実施例〉
以下、実施例によりこの発明を説明する。
原料としてSrCO3、CaCO3、MgCO3、TL
o2、Er2O3、■0203を夫々用意し、下記第1
表に示す組成比の磁器が得られるように各粉末を秤量し
、ボールミルで約10時間湿式混合を行ったのち、11
50’Cで2時間仮焼を行った。なお鉱化剤として5L
O2、JV203を微量含有させた。
o2、Er2O3、■0203を夫々用意し、下記第1
表に示す組成比の磁器が得られるように各粉末を秤量し
、ボールミルで約10時間湿式混合を行ったのち、11
50’Cで2時間仮焼を行った。なお鉱化剤として5L
O2、JV203を微量含有させた。
次いで、これにバインダーとして酢酸ビニル−脂10重
量%を加えて湿式混合粉砕を行った。脱水したのち30
メツシユのサラン篩で整粒し、これを2000ffg、
Jの圧力で直径io、φ、厚ざO,りSのリング状に成
形した。その侵このリング状成形素体からバインダを飛
ばすために1150℃で2時間の熱処理を行い、引続い
て窒素98%、水素2%の還元雰囲気中で1420℃、
3時間の焼成を行った。
量%を加えて湿式混合粉砕を行った。脱水したのち30
メツシユのサラン篩で整粒し、これを2000ffg、
Jの圧力で直径io、φ、厚ざO,りSのリング状に成
形した。その侵このリング状成形素体からバインダを飛
ばすために1150℃で2時間の熱処理を行い、引続い
て窒素98%、水素2%の還元雰囲気中で1420℃、
3時間の焼成を行った。
次いで得られた磁器素体の表面に
(A ) Bt20g 48重量%、CaO2重間%
、樹脂ワニス50重量% (B)Pb3o+ 45重量%、MnO25重量%、
樹脂ワニス50重量% (C)8+、20348重量%、f1n022重量%、
樹脂ワニス50重量% の3種の酸化剤混合樹脂液を塗布し、空気中で1120
’C12時間の焼成で粒界の絶縁体化を行った。
、樹脂ワニス50重量% (B)Pb3o+ 45重量%、MnO25重量%、
樹脂ワニス50重量% (C)8+、20348重量%、f1n022重量%、
樹脂ワニス50重量% の3種の酸化剤混合樹脂液を塗布し、空気中で1120
’C12時間の焼成で粒界の絶縁体化を行った。
かくして(qられた磁器素体の両面に銀ペーストを塗布
し、800 ’C130分間の焼イ」けを行なって電極
を形成し、コンデンサを完成させた。
し、800 ’C130分間の焼イ」けを行なって電極
を形成し、コンデンサを完成させた。
得られたコンデンサの静電容量、誘電損失、容量温度特
性、経時変化等について測定した結果は第1表の通りで
ある。
性、経時変化等について測定した結果は第1表の通りで
ある。
なお、試料番号中*印は本発明の請求範囲外のものであ
る。
る。
また表中容量のバラツキ(c−3cv)は100X 3
Xσ/X(%)(但し、σ:標鴎偏差、K:平均値)
で現わされる値、容量温度特性は+20℃を基準として
一25℃、+85℃のそれぞれにおける容量の変化率を
示す値でおる。
Xσ/X(%)(但し、σ:標鴎偏差、K:平均値)
で現わされる値、容量温度特性は+20℃を基準として
一25℃、+85℃のそれぞれにおける容量の変化率を
示す値でおる。
〈発明の効果〉
以上のように、この発明の半導体磁器コンデンサ用組成
物によれば温度特性が±10%以内の磁器コンデンサと
して容量のバラツキが小ざく、かつ経時変化の良好なも
のが得られるため、容量偏差の小さなIf15コンデン
サを提供することができるのである。
物によれば温度特性が±10%以内の磁器コンデンサと
して容量のバラツキが小ざく、かつ経時変化の良好なも
のが得られるため、容量偏差の小さなIf15コンデン
サを提供することができるのである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式(Sr_1_−_x_−_y_−_zCa_xM
g_yM_z)Ti_αO_3但し、MはEr、Hoの
うち少なくとも1種を用い0.25<x≦0.45、y
≦0.2、z≦0.020.990≦α≦1.02であ
る。 で示される組成物からなる成形体を還元雰囲気下で焼成
して得られる半導体磁器の結晶粒界に酸化ビスマス、酸
化鉛、酸化銅、二酸化マンガンのうち少なくとも1種の
金属酸化物が拡散され、前記結晶粒界が絶縁体化されて
いることを特徴とする粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ
用組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60255687A JPS62115705A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | 半導体磁器コンデンサ用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60255687A JPS62115705A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | 半導体磁器コンデンサ用組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62115705A true JPS62115705A (ja) | 1987-05-27 |
Family
ID=17282228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60255687A Pending JPS62115705A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | 半導体磁器コンデンサ用組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62115705A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6463204A (en) * | 1987-09-01 | 1989-03-09 | Murata Manufacturing Co | Grain boundary insulation type semiconductor porcelain element assembly |
EP1500636A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic component |
-
1985
- 1985-11-14 JP JP60255687A patent/JPS62115705A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6463204A (en) * | 1987-09-01 | 1989-03-09 | Murata Manufacturing Co | Grain boundary insulation type semiconductor porcelain element assembly |
EP1500636A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic component |
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