JPS5848404A - チタン酸バリウム系半導体磁器 - Google Patents
チタン酸バリウム系半導体磁器Info
- Publication number
- JPS5848404A JPS5848404A JP14553081A JP14553081A JPS5848404A JP S5848404 A JPS5848404 A JP S5848404A JP 14553081 A JP14553081 A JP 14553081A JP 14553081 A JP14553081 A JP 14553081A JP S5848404 A JPS5848404 A JP S5848404A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- barium titanate
- semiconductor porcelain
- resistance
- added
- series semiconductor
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は正の抵抗温度係数を有するチタン酸バリウム系
半導体磁器の耐電圧特性改善に関するものである。
半導体磁器の耐電圧特性改善に関するものである。
従来より希土類元素あるいはＢ’ Ｌ Ｎｂ ＊ Ｓｂ
等を含んだチタン酸バリウム磁器はチタン酸バリウ
ム系半導体磁器と総称され、適当な条件で焼成する事に
より正の抵抗温度係数を有し、室温における比抵抗が１
０６０−ｍ以下になる事が知られている。
等を含んだチタン酸バリウム磁器はチタン酸バリウ
ム系半導体磁器と総称され、適当な条件で焼成する事に
より正の抵抗温度係数を有し、室温における比抵抗が１
０６０−ｍ以下になる事が知られている。
このようなチタン酸バリウム系半導体磁器は。
その特異な性質を利用して、モーター起動用電流制御素
子や家庭電化用定温発熱体として用いられている。例え
ばモーター起動用電流制御素子の材料としてはモーター
の起動時には低抵抗であシ且つ印加する高電圧に耐えら
れるべき材料である事が望ましい。このような材料とし
て従来はチタン酸バリウム系半導体磁器にＨｏ ＋ Ｒ
ｈ ＋ Ｃａ等を添加したものが提案されているが、製
造上からも、特性のよい安定した材料が求められていた
。
子や家庭電化用定温発熱体として用いられている。例え
ばモーター起動用電流制御素子の材料としてはモーター
の起動時には低抵抗であシ且つ印加する高電圧に耐えら
れるべき材料である事が望ましい。このような材料とし
て従来はチタン酸バリウム系半導体磁器にＨｏ ＋ Ｒ
ｈ ＋ Ｃａ等を添加したものが提案されているが、製
造上からも、特性のよい安定した材料が求められていた
。
本発明は、かかる要求を満たす材料を提供する事を目的
とする。
とする。
本発明はＢａＹＴｉ（Ｗ−Ｍｇ）０６系半導体磁器を母
体とし、その母体にＳ ｉｏ、２を０．３〜３． Ｏｗ
ｔ％ ＋ Ｃｔｈを０．３〜１．２ｗｔ％含むことを特
徴とする。
体とし、その母体にＳ ｉｏ、２を０．３〜３． Ｏｗ
ｔ％ ＋ Ｃｔｈを０．３〜１．２ｗｔ％含むことを特
徴とする。
又本発明は半導体化元素としてＹの代シに希土類元素、
あるいはＢｉ 、 Ｎｂ ＋ Ｓｂ等を用いても有効で
ある。
あるいはＢｉ 、 Ｎｂ ＋ Ｓｂ等を用いても有効で
ある。
以下本発明を実施例に従って説明する。
予め第１表に示す組成になるようにＢａＣＯ３，’ｒｉ
ｏ２゜Ｙ２Ｏ３，ＷＯ３，ＭｇＯを秤量し、これをポリ
エチレン製ポットに入れてポリエチレンゾールを用いて
２゜時間湿式混合を行い、脱水乾録した後、１１００℃
でで間の仮焼を行う。得られた仮焼粉末にポ、リヒニル
アル＝ｒ −ｈ （ＰＶＡ） ｔ” Ｊ ｉｔ ｍ 加
し−グレス成型した後１３００〜１４００’Ｃ”Ｃ’焼
結する。゛ついで、焼結体の両面に電極としてＩｎ−Ｇ
ａ合金を塗布し比抵抗一温度特性等の電気特性を測定し
た。
ｏ２゜Ｙ２Ｏ３，ＷＯ３，ＭｇＯを秤量し、これをポリ
エチレン製ポットに入れてポリエチレンゾールを用いて
２゜時間湿式混合を行い、脱水乾録した後、１１００℃
でで間の仮焼を行う。得られた仮焼粉末にポ、リヒニル
アル＝ｒ −ｈ （ＰＶＡ） ｔ” Ｊ ｉｔ ｍ 加
し−グレス成型した後１３００〜１４００’Ｃ”Ｃ’焼
結する。゛ついで、焼結体の両面に電極としてＩｎ−Ｇ
ａ合金を塗布し比抵抗一温度特性等の電気特性を測定し
た。
以下余白
第 １ 表
Ｂ、ａｌ −ｘＹｘ ’ Ｔｉｙ−ｚ （Ｗ１／２ ’
Ｍｇ１／２ ）ｚ ” ！糸材料このようにして得ら
れた磁器の室温における比抵抗０２．）は、 ＴｉＴｉ
ｙ置換する（ｔｖ−Ｍｇ）量、２との組合せで゛大きく
変化するが、これ等の組成にＳ ＊ ０２ｆ添加すると
、第１図のよりに、５ｉ０２添加量の、巾広い範囲で安
定した低い比抵抗が得ら′れる。添加する８１０２ ｅ
０．３〜３．、（１ｗｔｊと限定したのは、 Ｑ、３
ｗｔ％から比抵抗が低下する効果が認められ＊ ３．
Ｏｗｔ％以上になると増加するからである。
Ｍｇ１／２ ）ｚ ” ！糸材料このようにして得ら
れた磁器の室温における比抵抗０２．）は、 ＴｉＴｉ
ｙ置換する（ｔｖ−Ｍｇ）量、２との組合せで゛大きく
変化するが、これ等の組成にＳ ＊ ０２ｆ添加すると
、第１図のよりに、５ｉ０２添加量の、巾広い範囲で安
定した低い比抵抗が得ら′れる。添加する８１０２ ｅ
０．３〜３．、（１ｗｔｊと限定したのは、 Ｑ、３
ｗｔ％から比抵抗が低下する効果が認められ＊ ３．
Ｏｗｔ％以上になると増加するからである。
しかし、ＳｉＯ２め添加だけでは実用に供するだけの耐
電圧（ｖｏ）は、持ち合わせていな゛い。
電圧（ｖｏ）は、持ち合わせていな゛い。
次にＳ ｚ Ｏ２を添加した母材に更にＣａを添加した
場合の添加量と得られた結果を第２表に示す。
場合の添加量と得られた結果を第２表に示す。
母材として第１表のｌ６１４を用いたものを代表として
示したが、勿論これ以外の母材であってもその効果は同
様である０ ｖＢＤの測定は、第２図に示すように、試料Ｒｘに交流
を印加し、試料に流れる電流と両端電圧を電流計Ａと電
圧計Ｖで測定する回路を用い室温にて測定した。Ｃａ添
加量を増せばｖＢＤは上昇しておυＣａの耐電圧向上に
対する添加効果は明白である。
示したが、勿論これ以外の母材であってもその効果は同
様である０ ｖＢＤの測定は、第２図に示すように、試料Ｒｘに交流
を印加し、試料に流れる電流と両端電圧を電流計Ａと電
圧計Ｖで測定する回路を用い室温にて測定した。Ｃａ添
加量を増せばｖＢＤは上昇しておυＣａの耐電圧向上に
対する添加効果は明白である。
また、第３図に、第２表中の試料／に２９の印加゛電圧
をノクラメータとした抵抗温度特性（、）を従来のもの
負）と比較して示した。
をノクラメータとした抵抗温度特性（、）を従来のもの
負）と比較して示した。
Ｃａ添加量を０．３〜１．２ ｗｔ ％と限定したのは
、比抵抗を変える事なく、所望の抵抗温度係数が得られ
るか゛らであシ、これ以外の範囲では比抵抗あるｂは、
抵抗温度係数のいずれかの項目が実用に適さないからで
ある。さらにｓ ５ｔ０２の量を０．３〜３．０ｗｔ％
まで変化させＣａを０．３〜ｉ、 ２ ｗｔ９６添加し
た場合にも上記の効果は保たれる事も確認され庭。
、比抵抗を変える事なく、所望の抵抗温度係数が得られ
るか゛らであシ、これ以外の範囲では比抵抗あるｂは、
抵抗温度係数のいずれかの項目が実用に適さないからで
ある。さらにｓ ５ｔ０２の量を０．３〜３．０ｗｔ％
まで変化させＣａを０．３〜ｉ、 ２ ｗｔ９６添加し
た場合にも上記の効果は保たれる事も確認され庭。
このようにｓＴｉ成分の少なくとも一部を（ｗ−Ｍｇ）
の組み合わせによシ置換したチタン酸バリウム系半導体
磁・器でＳ ｓ Ｏ２を０．３〜３． Ｏｗｔ％および
ｓＣａを０．３〜１．２ ｗｔ％含む磁器ｕ 、 耐を
圧（ＶＢＤ） 特性の向上に寄与する効果が大きい事が
ゎかる０以上のように１本発・明は比抵抗が低く、抵抗
温度係数が大きく、かつ耐□電圧特性の改善された安定
な材料を容易に提供することが出来るものである。
の組み合わせによシ置換したチタン酸バリウム系半導体
磁・器でＳ ｓ Ｏ２を０．３〜３． Ｏｗｔ％および
ｓＣａを０．３〜１．２ ｗｔ％含む磁器ｕ 、 耐を
圧（ＶＢＤ） 特性の向上に寄与する効果が大きい事が
ゎかる０以上のように１本発・明は比抵抗が低く、抵抗
温度係数が大きく、かつ耐□電圧特性の改善された安定
な材料を容易に提供することが出来るものである。
第 ２ 表
母材’ ”、９９６Ｙ、００４（Ｔ’１．（Ｎ（Ｗｊ４
”Ｍｇ％）［１０２）０５以下余白
”Ｍｇ％）［１０２）０５以下余白
第１図は、母組成として第１表に示す各番号試料に５ｘ
０２ｅ添加した材料の比抵抗とＳｉＯ２添加量との関係
を示すグラフである。 第２図は耐電圧測定回路を示す図である。 第３図は、従来例と本発明によるチタン酸バリウム系半
導体磁器の印加電圧’ｔＡラメータとした抵抗温度特性
図で、実線ａは本発明のものを示し破線すは従来例のも
のを示す。 Ａ：電流計 ■＝電圧計 Ｒｘ：測定試料
０２ｅ添加した材料の比抵抗とＳｉＯ２添加量との関係
を示すグラフである。 第２図は耐電圧測定回路を示す図である。 第３図は、従来例と本発明によるチタン酸バリウム系半
導体磁器の印加電圧’ｔＡラメータとした抵抗温度特性
図で、実線ａは本発明のものを示し破線すは従来例のも
のを示す。 Ａ：電流計 ■＝電圧計 Ｒｘ：測定試料
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 チタン酸バリウム系半導体磁器のチタン（Ｔｉ）
成分の一部をＷおよびＭｇで置換した母材に。 ５ｉ０２を０．３〜３． Ｏｗｔ％およびＣａを０．３
〜１．２ ｗｔ％同時に添加したことを特徴とするチタ
ン酸バリウム系半導体磁器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14553081A JPS5848404A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | チタン酸バリウム系半導体磁器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14553081A JPS5848404A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | チタン酸バリウム系半導体磁器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848404A true JPS5848404A (ja) | 1983-03-22 |
Family
ID=15387339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14553081A Pending JPS5848404A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | チタン酸バリウム系半導体磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848404A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0228827U (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-23 |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP14553081A patent/JPS5848404A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0228827U (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-23 |
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