JPH04264305A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH04264305A JPH04264305A JP3024549A JP2454991A JPH04264305A JP H04264305 A JPH04264305 A JP H04264305A JP 3024549 A JP3024549 A JP 3024549A JP 2454991 A JP2454991 A JP 2454991A JP H04264305 A JPH04264305 A JP H04264305A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- dielectric constant
- weight
- ceramic composition
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MOWNZPNSYMGTMD-UHFFFAOYSA-N boron monoxide Inorganic materials O=[B] MOWNZPNSYMGTMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010953 base metal Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 5
- 229910002971 CaTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002976 CaZrO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000643895 Homo sapiens Ubiquitin carboxyl-terminal hydrolase 6 Proteins 0.000 description 1
- 229910011763 Li2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 LiO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100021015 Ubiquitin carboxyl-terminal hydrolase 6 Human genes 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁器コンデンサ、特に
ニッケル等の卑金属から成る内部電極を有する積層型磁
器コンデンサに用いられる非還元性誘電体磁器組成物に
関するものである。
ニッケル等の卑金属から成る内部電極を有する積層型磁
器コンデンサに用いられる非還元性誘電体磁器組成物に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、積層コンデンサ等の積層型電子部
品を得るにあたっては、内部電極を構成する電極材料と
誘電体セラミックスとを一体焼成して得られた焼結体が
用いられている。ところで積層コンデンサを製作する場
合、従来のＢａＴｉＯ３ を主成分とする誘電体材料で
は、１３００〜１５００℃で焼成するため、内部電極材
料としては、このような温度で溶融しないＰｔ，Ｐｄ等
の貴金属が使用されていた。しかしながら、これらの貴
金属は高価であるという問題があり、高容量化を図るた
めに、内部電極数を増加させた場合にはコストが著しく
高くなる。そこで安価なニッケル等の卑金属を内部電極
材料として用いることが試みられている。しかしながら
ニッケル等の卑金属から成る内部電極を用いた場合には
、融点が１４５０℃程度と低いため、比較的低温で焼成
しなければならなかった。しかも、内部電極材料が酸化
しやすいため還元雰囲気中で焼成しなければならず、そ
のような雰囲気下で焼成するとセラミックスが還元され
絶縁性を失ってしまうという問題があった。このような
問題を解決するものとして、例えばＢａＴｉＯ３ にＭ
ｇＯやＭｎＯを添加したり（特開昭５７−７１８６６号
）、さらにこの系にＣａＺｒＯ３ を添加した物（特開
昭６２−１５７６０３号）が提案されている。
品を得るにあたっては、内部電極を構成する電極材料と
誘電体セラミックスとを一体焼成して得られた焼結体が
用いられている。ところで積層コンデンサを製作する場
合、従来のＢａＴｉＯ３ を主成分とする誘電体材料で
は、１３００〜１５００℃で焼成するため、内部電極材
料としては、このような温度で溶融しないＰｔ，Ｐｄ等
の貴金属が使用されていた。しかしながら、これらの貴
金属は高価であるという問題があり、高容量化を図るた
めに、内部電極数を増加させた場合にはコストが著しく
高くなる。そこで安価なニッケル等の卑金属を内部電極
材料として用いることが試みられている。しかしながら
ニッケル等の卑金属から成る内部電極を用いた場合には
、融点が１４５０℃程度と低いため、比較的低温で焼成
しなければならなかった。しかも、内部電極材料が酸化
しやすいため還元雰囲気中で焼成しなければならず、そ
のような雰囲気下で焼成するとセラミックスが還元され
絶縁性を失ってしまうという問題があった。このような
問題を解決するものとして、例えばＢａＴｉＯ３ にＭ
ｇＯやＭｎＯを添加したり（特開昭５７−７１８６６号
）、さらにこの系にＣａＺｒＯ３ を添加した物（特開
昭６２−１５７６０３号）が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記先
行技術に示されている誘電体では、比誘電率が経時的に
低下し、初期の特性が維持できないという問題があった
。また、ＣＲ積を大きくすると誘電率の温度変化率（但
し、−５５℃〜＋１２５℃の範囲で＋２５℃を基準とす
る。）が、Ｅ．Ｉ．Ａ．規格（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ＩｎｄｕｓｔｒｙＡｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ Ｓｔａ
ｎｄａｒｄ）の値の±１５％を外れやすくなるという問
題もあった。本発明の目的は、高い比誘電率及び小さい
誘電正接を維持しつつ、比誘電率のエージング特性に優
れＣＲ積が大きくかつ静電容量の温度変化の小さい非還
元性誘電体磁器組成物を提供することにある。
行技術に示されている誘電体では、比誘電率が経時的に
低下し、初期の特性が維持できないという問題があった
。また、ＣＲ積を大きくすると誘電率の温度変化率（但
し、−５５℃〜＋１２５℃の範囲で＋２５℃を基準とす
る。）が、Ｅ．Ｉ．Ａ．規格（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ＩｎｄｕｓｔｒｙＡｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ Ｓｔａ
ｎｄａｒｄ）の値の±１５％を外れやすくなるという問
題もあった。本発明の目的は、高い比誘電率及び小さい
誘電正接を維持しつつ、比誘電率のエージング特性に優
れＣＲ積が大きくかつ静電容量の温度変化の小さい非還
元性誘電体磁器組成物を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、下記の組成式で表される成分を主成分として含有
する。 （１−ｘ−ｙ−ｚ）ＢａＴｉＯ３ ＋ｘＣａＴｉＯ３
＋ｙＭｇＯ＋ｚＭｎＯ＋ｔＲｅ２ Ｏ３ 但し、式中ＲｅはＹ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，ＥｒまたはＹ
ｂの少なくとも１種を示す。また、本発明の非還元性誘
電体磁器組成物は、上記主成分１００重量部に対しＳｉ
Ｏ２ ，Ｌｉ２ ＯまたはＢ２ Ｏ３ の少なくとも１
種からなる添加剤を０．１〜５．０重量部含有する。
物は、下記の組成式で表される成分を主成分として含有
する。 （１−ｘ−ｙ−ｚ）ＢａＴｉＯ３ ＋ｘＣａＴｉＯ３
＋ｙＭｇＯ＋ｚＭｎＯ＋ｔＲｅ２ Ｏ３ 但し、式中ＲｅはＹ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，ＥｒまたはＹ
ｂの少なくとも１種を示す。また、本発明の非還元性誘
電体磁器組成物は、上記主成分１００重量部に対しＳｉ
Ｏ２ ，Ｌｉ２ ＯまたはＢ２ Ｏ３ の少なくとも１
種からなる添加剤を０．１〜５．０重量部含有する。
【０００５】
【作用】上記組成式において、ｘが０．０５以下とされ
ているのはＣａＴｉＯ３ が５モル％を超えて配合され
ると、−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲で誘電率の温度
による変化率（以下、誘電率の温度変化率）が±１５％
を超えてしまうからである。また、ｙが０．００５〜０
．０８の間とされているのは、ＭｇＯの配合比がこの範
囲外であると、ＣＲ積が１０００以下に低下し、絶縁抵
抗が不十分となるからである。また、ｚが０．００５〜
０．０２の範囲とされているのは、ＭｎＯの配合比が０
．５モル％未満では、−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲
での誘電率の温度変化率が±１５％を超えるからであり
、他方２．０モル％を超えるとＣＲ積が低下するからで
ある。さらに、ｔが０．００５〜０．０２の範囲とされ
ているのは、Ｒｅ２ Ｏ３ の配合比が０．５モル％よ
り少ない場合には−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲にお
ける誘電率の温度変化率が±１５％を超えるからであり
、２．０モル％を超えると焼結性が低下し、１２５０℃
以下の温度で焼結し難くなるからである。本発明におい
て、ＳｉＯ２ ，ＬｉＯ２ またはＢ２ Ｏ３ の少な
くとも１種からなる添加剤を配合しているのは焼結性を
高めるためである。もっとも、主成分１００重量部に対
して添加剤の配合比が０．１重量部未満では、１３００
℃の温度でも焼結しなくなり、また主成分１００重量部
に対し添加剤が５．０重量部を超えて添加された場合に
は、誘電率が大幅に低下する。従って、主成分１００重
量部に対する添加剤の含有量は５．０重量部が上限とな
る。本発明では、特にＣａＴｉＯ３ を添加することで
誘電率の経時変化が少なく、かつ上記特定の添加剤を配
合することで１２５０℃以下の温度で焼成することが可
能とされており、後述の実施例から明らかなように誘電
率の温度変化率が小さく、十分な大きさのＣＲ積を示す
非還元性誘電体磁器組成物が得られる。
ているのはＣａＴｉＯ３ が５モル％を超えて配合され
ると、−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲で誘電率の温度
による変化率（以下、誘電率の温度変化率）が±１５％
を超えてしまうからである。また、ｙが０．００５〜０
．０８の間とされているのは、ＭｇＯの配合比がこの範
囲外であると、ＣＲ積が１０００以下に低下し、絶縁抵
抗が不十分となるからである。また、ｚが０．００５〜
０．０２の範囲とされているのは、ＭｎＯの配合比が０
．５モル％未満では、−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲
での誘電率の温度変化率が±１５％を超えるからであり
、他方２．０モル％を超えるとＣＲ積が低下するからで
ある。さらに、ｔが０．００５〜０．０２の範囲とされ
ているのは、Ｒｅ２ Ｏ３ の配合比が０．５モル％よ
り少ない場合には−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲にお
ける誘電率の温度変化率が±１５％を超えるからであり
、２．０モル％を超えると焼結性が低下し、１２５０℃
以下の温度で焼結し難くなるからである。本発明におい
て、ＳｉＯ２ ，ＬｉＯ２ またはＢ２ Ｏ３ の少な
くとも１種からなる添加剤を配合しているのは焼結性を
高めるためである。もっとも、主成分１００重量部に対
して添加剤の配合比が０．１重量部未満では、１３００
℃の温度でも焼結しなくなり、また主成分１００重量部
に対し添加剤が５．０重量部を超えて添加された場合に
は、誘電率が大幅に低下する。従って、主成分１００重
量部に対する添加剤の含有量は５．０重量部が上限とな
る。本発明では、特にＣａＴｉＯ３ を添加することで
誘電率の経時変化が少なく、かつ上記特定の添加剤を配
合することで１２５０℃以下の温度で焼成することが可
能とされており、後述の実施例から明らかなように誘電
率の温度変化率が小さく、十分な大きさのＣＲ積を示す
非還元性誘電体磁器組成物が得られる。
【０００６】
【実施例の説明】次に本発明を実施例に基づき、詳細に
説明する。まず、表１〜４に示した出発原料を表中の割
合となるように秤量し、さらに有機バインダを添加しボ
ールミルにて２４時間湿式混合することによってスラリ
ーを作製した。このスラリーを用いてドクターブレード
法などのシート成形法によって厚み３０〜４０μｍのグ
リーンシートを作製した。また、ニッケル粉末と有機ビ
ヒクルとからなる内部電極ペーストを準備した。このペ
ーストをグリーンシート上にスクリーン印刷し、積層し
たのち熱圧着して積層体を作製した。得られた積層体を
適当な大きさに切断し、３００℃で２時間空気雰囲気中
にて仮焼してバインダを除去した後、Ｎ２ ／Ｈ２ ／
Ｈ２ Ｏ 雰囲気中で表３〜４に示す各焼成温度で２時
間焼成した。焼成されたチップの端面に銀とパラジウム
の合金の粉末からなるペーストを塗布し、７００℃〜９
００℃で焼き付けることによって端面電極を成形し、積
層セラミックコンデンサを得た。上記セラミックコンデ
ンサについて、誘電率ε，ｔａｎδ，誘電率の温度変化
率ＴＣ、絶縁抵抗ＩＲ及び静電容量のエージング率を測
定した。測定条件は以下の通りである。 誘電率ε … ２５℃、交流１ｋＨｚ，１．０Ｖｒ
ｍ ｓ の電流を通電して行った。 ｔａｎδ … ２５℃、交流１ｋＨｚ，１．０Ｖｒ
ｍ ｓ の電流を通電して行った。 誘電率の温度変化率ＴＣ …−５５℃〜＋１２５℃の
範囲で測定。交流１ｋＨｚ，１．０Ｖｒ ｍ ｓ の電
流を通電して行った。 絶縁抵抗ＩＲ … ５０Ｖの電圧を印加し、２分経
過した後の値、またＣＲ積は、そのＩＲと静電容量とを
掛け合わせた値である。 静電容量のエージング率 … １５０℃，１時間の
熱もどし後、２４時間と２４０時間後の静電容量を測定
し、その変化率を計算した。 測定結果を、表５，６に示す。またＣＲ積についても表
５，６に併せて示す。
説明する。まず、表１〜４に示した出発原料を表中の割
合となるように秤量し、さらに有機バインダを添加しボ
ールミルにて２４時間湿式混合することによってスラリ
ーを作製した。このスラリーを用いてドクターブレード
法などのシート成形法によって厚み３０〜４０μｍのグ
リーンシートを作製した。また、ニッケル粉末と有機ビ
ヒクルとからなる内部電極ペーストを準備した。このペ
ーストをグリーンシート上にスクリーン印刷し、積層し
たのち熱圧着して積層体を作製した。得られた積層体を
適当な大きさに切断し、３００℃で２時間空気雰囲気中
にて仮焼してバインダを除去した後、Ｎ２ ／Ｈ２ ／
Ｈ２ Ｏ 雰囲気中で表３〜４に示す各焼成温度で２時
間焼成した。焼成されたチップの端面に銀とパラジウム
の合金の粉末からなるペーストを塗布し、７００℃〜９
００℃で焼き付けることによって端面電極を成形し、積
層セラミックコンデンサを得た。上記セラミックコンデ
ンサについて、誘電率ε，ｔａｎδ，誘電率の温度変化
率ＴＣ、絶縁抵抗ＩＲ及び静電容量のエージング率を測
定した。測定条件は以下の通りである。 誘電率ε … ２５℃、交流１ｋＨｚ，１．０Ｖｒ
ｍ ｓ の電流を通電して行った。 ｔａｎδ … ２５℃、交流１ｋＨｚ，１．０Ｖｒ
ｍ ｓ の電流を通電して行った。 誘電率の温度変化率ＴＣ …−５５℃〜＋１２５℃の
範囲で測定。交流１ｋＨｚ，１．０Ｖｒ ｍ ｓ の電
流を通電して行った。 絶縁抵抗ＩＲ … ５０Ｖの電圧を印加し、２分経
過した後の値、またＣＲ積は、そのＩＲと静電容量とを
掛け合わせた値である。 静電容量のエージング率 … １５０℃，１時間の
熱もどし後、２４時間と２４０時間後の静電容量を測定
し、その変化率を計算した。 測定結果を、表５，６に示す。またＣＲ積についても表
５，６に併せて示す。
【０００７】
【表１】
【０００８】
【表２】
【０００９】
【表３】
【００１０】
【表４】
【００１１】但し、表３及び表４における添加剤の組成
Ａ及びＢは、以下の通りである。 組成Ａ：ＳｉＯ２ …５０重量部，Ｌｉ２ Ｏ…２０重
量部，ＢａＯ…１０重量部，ＣａＯ…１０重量部，Ｓｒ
Ｏ…１０重量部。 組成Ｂ：Ｂ２ Ｏ３ …２０重量部，ＢａＯ…４０重量
部，ＳｉＯ２ …３０重量部，Ｌｉ２ Ｏ…１０重量部
。
Ａ及びＢは、以下の通りである。 組成Ａ：ＳｉＯ２ …５０重量部，Ｌｉ２ Ｏ…２０重
量部，ＢａＯ…１０重量部，ＣａＯ…１０重量部，Ｓｒ
Ｏ…１０重量部。 組成Ｂ：Ｂ２ Ｏ３ …２０重量部，ＢａＯ…４０重量
部，ＳｉＯ２ …３０重量部，Ｌｉ２ Ｏ…１０重量部
。
【００１２】
【表５】
【００１３】
【表６】
【００１４】表５，６から明らかなように、ＣａＴｉＯ
３ の配合比を増量する（試料番号１〜３）と、エージ
ング率が小さくなる。また、試料番号４の焼結体では主
成分中の配合比が本発明の範囲外であるため、誘電率の
温度変化率ＴＣが大きい。また、試料番号６の焼結体で
は添加剤が添加されてないため、１３００℃でも焼結が
不十分であり上記各測定を行い得なかった。試料番号９
の焼結体では、添加剤の含有量が６．０重量％と高いた
め誘電率が２２００と低い。試料番号１５の焼結体では
、主成分中のＭｇＯの配合比が９．０モル％と高く、本
発明の範囲外であるため、ＣＲ積が９００以下と低い。 試料番号１６の焼結体では、ＭｎＯが含有されていない
ためＣＲ積が７００ΩＦとさらに低下している。試料番
号２０の焼結体では、希土類酸化物が含まれていないた
め誘電率の温度変化率ＴＣが、＋１２５℃で−１６．２
％ΔＣとかなり大きかった。また、試料番号２３の焼結
体は、主成分中のＭｎＯの含有比が２．５モル％と高く
、そのため＋１２５℃での誘電率の温度変化率が−１５
．５％ΔＣと大きく、ＣＲ積も１６００と低下している
。 試料番号２５の焼結体ではＭｎＯが含有されていないた
め、−５５℃における誘電率の温度変化率が−１６．０
％ΔＣと大きい。試料番号２６，２７の焼結体では、希
土類酸化物がＣｅＯ３ 及びＳｍ２ Ｏ３ であるため
、いずれも誘電率の温度変化率が非常に大きい。これら
に対して、本発明の範囲内に入る残りの試料番号の焼結
体はいずれも誘電率が比較的高く、ｔａｎδも１．７％
以下と低く、絶縁抵抗を示すＣＲ積も２２００以上と高
く、かつ−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲で誘電率の温
度変化率も±１５％未満でありエージング率も−２．４
％未満となっていることが分かる。すなわち、本発明の
範囲内の焼結体では、優れた誘電特性を示している。上
記組成のうちＭｇＯやＭｎＯ等の酸化物はこれに限るも
のでなく、例えば炭酸物やシュウ酸物等を使用しても差
し支えない。
３ の配合比を増量する（試料番号１〜３）と、エージ
ング率が小さくなる。また、試料番号４の焼結体では主
成分中の配合比が本発明の範囲外であるため、誘電率の
温度変化率ＴＣが大きい。また、試料番号６の焼結体で
は添加剤が添加されてないため、１３００℃でも焼結が
不十分であり上記各測定を行い得なかった。試料番号９
の焼結体では、添加剤の含有量が６．０重量％と高いた
め誘電率が２２００と低い。試料番号１５の焼結体では
、主成分中のＭｇＯの配合比が９．０モル％と高く、本
発明の範囲外であるため、ＣＲ積が９００以下と低い。 試料番号１６の焼結体では、ＭｎＯが含有されていない
ためＣＲ積が７００ΩＦとさらに低下している。試料番
号２０の焼結体では、希土類酸化物が含まれていないた
め誘電率の温度変化率ＴＣが、＋１２５℃で−１６．２
％ΔＣとかなり大きかった。また、試料番号２３の焼結
体は、主成分中のＭｎＯの含有比が２．５モル％と高く
、そのため＋１２５℃での誘電率の温度変化率が−１５
．５％ΔＣと大きく、ＣＲ積も１６００と低下している
。 試料番号２５の焼結体ではＭｎＯが含有されていないた
め、−５５℃における誘電率の温度変化率が−１６．０
％ΔＣと大きい。試料番号２６，２７の焼結体では、希
土類酸化物がＣｅＯ３ 及びＳｍ２ Ｏ３ であるため
、いずれも誘電率の温度変化率が非常に大きい。これら
に対して、本発明の範囲内に入る残りの試料番号の焼結
体はいずれも誘電率が比較的高く、ｔａｎδも１．７％
以下と低く、絶縁抵抗を示すＣＲ積も２２００以上と高
く、かつ−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲で誘電率の温
度変化率も±１５％未満でありエージング率も−２．４
％未満となっていることが分かる。すなわち、本発明の
範囲内の焼結体では、優れた誘電特性を示している。上
記組成のうちＭｇＯやＭｎＯ等の酸化物はこれに限るも
のでなく、例えば炭酸物やシュウ酸物等を使用しても差
し支えない。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、上記特
定の組成の主成分１００重量部に対し、上記特定の添加
剤が０．１〜５．０重量部含有されているため、１２５
０〜１３００℃の温度で焼成することができ、かつ十分
な誘電特性を示す誘電体磁器を提供することが可能とな
る。従って、本発明の誘電体磁器組成物を用いれば、Ｎ
ｉのような卑金属を内部電極材料として用いることがで
き、それによって安価な積層セラミック電子部品を提供
することが可能となる。
定の組成の主成分１００重量部に対し、上記特定の添加
剤が０．１〜５．０重量部含有されているため、１２５
０〜１３００℃の温度で焼成することができ、かつ十分
な誘電特性を示す誘電体磁器を提供することが可能とな
る。従って、本発明の誘電体磁器組成物を用いれば、Ｎ
ｉのような卑金属を内部電極材料として用いることがで
き、それによって安価な積層セラミック電子部品を提供
することが可能となる。
Claims (1)
- 【請求項１】 組成式が、 （１−ｘ−ｙ−ｚ）ＢａＴｉＯ３ ＋ｘＣａＴｉＯ３
＋ｙＭｇＯ＋ｚＭｎＯ＋ｔＲｅ２ Ｏ３ （式中、ＲｅはＹ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒまたは
Ｙｂの少なくとも１種を示す）で示される主成分１００
重量部に対して、ＳｉＯ２ ，Ｌｉ２ＯまたはＢ２ Ｏ
３ の少なくとも１種類からなる添加剤を０．１〜５．
０重量部含むことを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3024549A JP2605986B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3024549A JP2605986B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04264305A true JPH04264305A (ja) | 1992-09-21 |
| JP2605986B2 JP2605986B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=12141236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3024549A Expired - Lifetime JP2605986B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2605986B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2679227A1 (fr) * | 1991-06-27 | 1993-01-22 | Murata Manufacturing Co | Composition ceramique dielectrique non-reductrice. |
| WO2001025164A1 (fr) * | 1999-10-05 | 2001-04-12 | Tdk Corporation | Procede de production de composition ceramique dielectrique |
| JP2004292186A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2005314224A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-11-10 | Nippon Chemicon Corp | 誘電体磁器組成物及び電子部品 |
| CN112142465A (zh) * | 2020-09-25 | 2020-12-29 | 西华大学 | 稀土离子改性的5g基站用滤波器陶瓷及其制备方法 |
-
1991
- 1991-02-19 JP JP3024549A patent/JP2605986B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2679227A1 (fr) * | 1991-06-27 | 1993-01-22 | Murata Manufacturing Co | Composition ceramique dielectrique non-reductrice. |
| WO2001025164A1 (fr) * | 1999-10-05 | 2001-04-12 | Tdk Corporation | Procede de production de composition ceramique dielectrique |
| US6544916B1 (en) | 1999-10-05 | 2003-04-08 | Tdk Corporation | Manufacture method of dielectric ceramic composition |
| JP2004292186A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2005314224A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-11-10 | Nippon Chemicon Corp | 誘電体磁器組成物及び電子部品 |
| CN112142465A (zh) * | 2020-09-25 | 2020-12-29 | 西华大学 | 稀土离子改性的5g基站用滤波器陶瓷及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2605986B2 (ja) | 1997-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0977217B1 (en) | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic capacitor | |
| US6853536B2 (en) | Dielectric ceramic, method of producing the same, and monolithic ceramic capacitor | |
| KR100374470B1 (ko) | 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 | |
| JP3024536B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| KR100264646B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 적층 세라믹 커패시터 | |
| KR100259321B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 적층 세라믹 커패시터 | |
| EP0893419B1 (en) | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor using same | |
| JP3039397B2 (ja) | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| KR100256199B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
| JPH04218207A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| KR100326950B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 적층 세라믹 부품 | |
| JP3346293B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物およびそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| KR100201201B1 (ko) | 모놀리딕 세라믹 커패시터 | |
| EP0605904A2 (en) | Nonreducible dielectric ceramic composition | |
| KR20010030242A (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 모놀리식 세라믹 커패시터 | |
| KR980009197A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
| KR19980070404A (ko) | 모놀리식 세라믹 커패시터 | |
| JP3334606B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ | |
| JPH04264306A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04264305A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH1192222A (ja) | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ | |
| JP2001114559A (ja) | 誘電体組成物 | |
| JP2001080959A (ja) | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミック部品 | |
| JP2002087879A (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JP3134430B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100213 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120213 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120213 Year of fee payment: 15 |