JPS6314856B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6314856B2 JPS6314856B2 JP58059852A JP5985283A JPS6314856B2 JP S6314856 B2 JPS6314856 B2 JP S6314856B2 JP 58059852 A JP58059852 A JP 58059852A JP 5985283 A JP5985283 A JP 5985283A JP S6314856 B2 JPS6314856 B2 JP S6314856B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- ceramic
- multilayer capacitor
- electrode
- ceramic multilayer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 70
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 30
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 23
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 16
- ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N zinc;boric acid;dihydroxy(dioxido)silane Chemical compound [Zn+2].OB(O)O.O[Si](O)([O-])[O-] ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 6
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 6
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 6
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 3
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 3
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- -1 but generally Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
この発明はセラミツク積層コンデンサに関し、
特に、内部電極に卑金属を用い、内部電極と接続
する外部電極に銅の焼付け電極を用いたものに関
する。 セラミツク積層コンデンサは、図面に示すよう
に、典型的には、複数個の内部電極１を含み、各
内部電極１間にはセラミツク２が介在し、内部電
極１はいずれかの外部電極３に導通した状態とさ
れる。 このようなセラミツク積層コンデンサを製造す
るには、たとえば次のような方法が採用される。
すなわち、厚さ50〜100μmのセラミツクグリーン
シートを印刷、ドクターブレード法、スプレー法
などにより作成し、このセラミツクグリーンシー
トの上に内部電極１となる金属粉末のペーストを
印刷し、これらを複数枚積み重ねて熱圧着し、一
体化したものを自然雰囲気中1250〜1400℃で焼成
して焼結体を作り、内部電極１と導通する外部電
極３を焼結体の端面に焼付けていた。 この場合、内部電極１の材料としては、次のよ
うな条件を満足する必要があつた。 セラミツクが焼結する温度以上の融点を有す
ること。 自然雰囲気中で1300℃前後の温度に加熱して
も、セラミツクと接触して酸化したり、セラミ
ツクと反応を起こさないこと。 このような各条件を満足する内部電極１の材料
としては、パラジウム、白金、銀―パラジウムな
どの貴金属があり、これまでの多くのセラミツク
積層コンデンサにおいては、内部電極１としてこ
のような貴金属が使用されていた。 しかしながら、上述の貴金属は、内部電極１の
ための材料として優れた特性を有しているが、反
面、高価であるため、セラミツク積層コンデンサ
のコストに占める割合が20〜50％にも達し、コス
トアツプの最大の原因になつていた。 このような問題に対処するため、内部電極１の
材料として、安価な卑金属を用いる試みがなされ
るようになつた。たとえば、卑金属として、ニツ
ケルを用いると、ニツケルは300℃以上の酸化性
雰囲気で加熱すると酸化し、セラミツクと反応す
るため、電極を形成することができなくなる。こ
のニツケルの酸化を防止するためには、中性また
は還元性雰囲気中でセラミツクを内部電極１とと
もに焼成するようにしなければならないが、一般
的に、セラミツクは、強く還元されてしまい、比
抵抗が10〜108Ω・cmと低くなり、コンデンサ用
誘電体として使用できなくなる。 他方、外部電極３としては、前述したように、
焼付けにより形成していた。この外部電極３を形
成するための材料としては、一般に、銀または銀
―パラジウムのペーストを用い、これを焼付けて
いた。これが一般的な方法であるが、ここで高価
な貴金属を用いることから、内部電極１の場合と
同様に、セラミツク積層コンデンサのコストアツ
プの原因となつていた。また、銀、銀―パラジウ
ムによる外部電極３は、このようなセラミツク積
層コンデンサをチツプ型部品としてプリント回路
基板等へはんだ付けする際、はんだ食われという
不都合な現象も生じていた。さらに、前述した内
部電極１に対して、ニツケル、鉄、コバルトなど
の卑金属を用いている場合、このような貴金属に
よる外部電極３とのなじみが悪く、導通不良とい
う問題も生じた。 このような外部電極３に対する問題に対処する
ため、外部電極３の材料として安価な銅を用いる
試みもなされた。しかしながら、銅を用いた外部
電極３の焼付けによる形成には、銅粉末のペース
トを構成するガラスフリツトの開発と重要な関連
を有していた。ガラスフリツトの代表的なものと
して、ホウケイ酸鉛があるが、これを用いて銅の
外部電極３を自然雰囲気中で焼付けにより形成し
た場合、銅が容易に酸化されて、酸化銅となるた
め、電気抵抗が高くなり、電極としては不都合な
ものになる。そこで、銅ペーストの焼付けを中性
または弱還元性雰囲気中で行なうのも１つの方法
であるが、この場合には、セラミツクが還元さ
れ、絶縁抵抗が劣化し、また、誘電損失が増大す
るという不都合が生じるのである。 従来、このような問題に対処するために、誘電
体材料として非還元性のものを用い、未焼成の積
層セラミツク体の端面に、Ni、Cuのペーストを
被覆し中性または弱還元性雰囲気で焼成する技術
が提案されている（U.S.P4353153）。Ni、Cuの
ペーストとしは、これらの粉末にホウケイ酸バリ
ウムまたはアルミノケイ酸バリウムからなるガラ
スフリツト、およびマンガンをワニス、有機ビヒ
クルに混練したものが使用されている。そして誘
電体セラミツクグリーンシートとして、
BaTiO3、CaZrO3、BaCO3およびMnO2からなる
ものを用い、Niからなるペーストを誘電体セラ
ミツクグリーンシート上に印刷し、このシートを
複数枚積み重ね、積層体の端面に上記したNiペ
ーストを付与し、アルゴン雰囲気中1350℃、５時
間の条件で焼成することによつて積層セラミツク
コンデンサを得るとしている。 しかしながら、この方法によれば端面電極とし
てNiペーストを用いる場合は有効な技術である
と言えるかもしれないが、Cuペーストを用いる
場合には有効とはいえない。なぜならば、Niの
融点は1453℃であるのに対し、一方はCuのそれ
は1083℃であり、上記したように未焼成の積層セ
ラミツク体と一諸に端面電極を焼付ける場合に
は、Cuについては溶融してしまい、電極の形成
が不可能である。またNi電極については一応利
用可能であるとしても、半田付けができないため
実際回路基板上に取り付けることができず、Ni
電極上にAgなど半田付け可能な電極を形成しな
ければならないといつた不都合を生じる。 一方すでに焼成した卑金属内部電極を有する非
還元性積層セラミツク体の端面に、外部電極とし
て銅の焼付け電極を形成することも考えられる。
この場合、ガラスフリツトとしてアルミノケイ酸
バリウム系のものが用いられていた。しかしこの
ようなガラスフリツトを用いると、非還元性積層
セラミツク体から十分に満足しうる電気特性を引
き出すことのできる外部電極を構成することがで
きなかつた。 この発明は、内部電極としてニツケル、鉄、コ
バルトなどの卑金属を含む非還元誘電体セラミツ
クの積層体に銅の焼付け電極を形成した積層セラ
ミツクコンデンサを提供するものである。 特にこの発明は銅の焼付け電極中に含まれるガ
ラスとしてホウケイ酸亜鉛系のものを用いたこと
に特徴があり、ホウケイ酸亜鉛系のガラスフリツ
トを用いることによつて、すぐれた電気的特性を
有する積層セラミツクコンデンサを提供すること
ができるのである。 以下、この発明を種々の好ましい実施列に関連
して説明する。 再び図面を参照して、この発明の実施列では、
内部電極１を構成する材料として、ニツケル、
鉄、コバルト等が用いられる。これらはいずれも
安価な卑金属である。 内部電極１の材料の例として掲げられたニツケ
ル、鉄、コバルトなどを用いる場合、これらの金
属粉末のペーストをセラミツクグリーンシート上
に印刷して、中性または還元雰囲気中でセラミツ
クをこれら金属ペーストとともに焼成するのは、
従来例において述べたのと同様である。ここで、
従来において生じたセラミツクの還元という問題
を避けるために、非還元性誘電体セラミツク組成
物が用いられる。このような非還元性誘電体セラ
ミツク組成物としては、次のような組成物が例示
される。 組成式 ｛（Ba1-xCax｝Ｏ｝ｍ ・（Ti1-yZry）O2 で表わされるチタン酸バリウム系誘電体セラミ
ツク組成物において、ｍ、ｘ、ｙが次の範囲に
おることを特徴とする非還元性誘電体セラミツ
ク組成物、 1.005≦ｍ≦1.03 0.02 ≦ｘ≦0.22 ０ ＜ｙ≦0.20 組成式 ｛（Ba1-x-yCaxSry）Ｏ｝ｍ・TiO2で表わさ
れるチタン酸バリウム系誘電体セラミツク組成
物において、ｍ、ｘ、ｙが次の範囲にあること
を特徴とする非還元性誘電体セラミツク組成
物。 1.005≦ｍ≦1.03 0.02 ≦ｘ≦0.22 0.05 ≦ｙ≦0.35 組成式 ｛（Ba1-x-yCaxSry）Ｏ｝ｍ ・（Ti1-zZrz）O2 で表わされるチタン酸バリウム系誘電体セラミ
ツク組成物において、ｍ、ｘ、ｙ、ｚが次の範
囲にあることを特徴とする非還元性誘電体セラ
ミツク組成物。 1.005≦ｍ≦1.03 0.02 ≦ｘ≦0.22 0.05 ≦ｙ≦0.35 0.00 ＜ｚ＜0.20 CaZrO3とMnO2とからなり、一般式CaxZrO3
＋yMnO2 と表わしたとき、CaxZrO3のxが次に示す範囲
にあり、かつCaxZrO3の重量1.00に対しMnO2
（＝ｙ）が次に示す重量比からなることを特徴
とする非還元性誘電体セラミツク組成物。 0.85≦ｘ≦1.30 0.05≦ｙ≦0.08（重量比） （BaCa）ZrO3とMnO2とからなり、 一般式 （BaxCa1-x）yZrO3＋zMnO2 と表わしたとき（BaxCa1-x）yZrO3のｘ、ｙが
次に示す範囲にあり、かつ（BaxCa1-x）yZrO3
の重量1.00に対しMnO2（＝ｚ）が次に示す重量
比からなることを特徴とする非還元性誘電体セ
ラミツク組成物。 ０ ＜ｘ≦0.20 0.85 ≦ｙ≦0.30 0.005≦ｚ≦0.08（重量比） これらの非還元性誘電体セラミツク組成物〜
は、中性または還元性雰囲気中で焼成しても卑
金属が酸化されまたはセラミツクと反応すること
を防止しながら、中性または還元性雰囲気中で焼
成することができる。 この発明の外部電極３である銅の焼付けに関し
て、用いられるガラスフリツトはホウケイ酸亜鉛
である。これらの組成のガラスフリツトによれ
ば、中性または還元雰囲気中での良好な銅の焼付
けが可能となつた。 このホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトの具体的
な組成としては次のようなものがある。 ZnO 30〜55重量％ B2O3 25〜45重量％ SiO2 ５〜15重量％ Li2O、Na2OK2Oのうち少なくとも１種
１〜10重量％ MgO、CaOBaOのうち少なくとも１種
２〜20重量％ また上記したガラスフリツト組成にさらに次の
組成を含有させたものがある。 CdO ２〜８重量％ SnO2 ２〜10重量％ さらにホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトの具体
的な組成としては次のようなものがある。 ZnO 25〜40モル％ B2O3 15〜40モル％ SiO2 15〜40モル％ （CaO＋MgO） ５〜30モル％ （モル比：CaO：MgO＝１：４〜４：１） Al2O3 ０〜５モル％ Li2O ０〜10モル％ ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトを含む銅ペー
ストは次のような調合比で調整される。 銅粉末（粒径0.5〜10μm） 57〜82重量％ ガラスフリツト（粒径0.5〜2μm）
２〜８重量％ 有機ビヒクル 15〜35重量％ 以下具体的な実施列に従つて詳細に説明する。 実施例 １ 組成式｛（Ba0.90 Ca0.10）Ｏ｝1.01（Ti0.84
Zr0.16）O2になるように調合した仮焼済原料に、
有機バインダ、分散剤、消泡剤の混合水溶液を15
重量％添加し、50重量％の水と共にボールミルで
粉砕、混合して原料スラリーを作つた。この原料
スラリーを用いてドクターブレード法により厚み
60μmのセラミツクグリーンシートに加工した。
セラミツクグリーンシート上にニツケルの粒径が
約1μのニツケル粉末ペーストで内部電極を印刷
し、内部電極が互いに対向するように20枚のセラ
ミツクグリーンシートを積み重ね、熱圧着して一
体化した。 一体化したものをまず500℃まで空気中で加熱
して有機バインダを燃焼させ、次にH2／N2＝
２／100の還元性雰囲気中で1340℃まで100℃／hr
の割合で昇温させ、1340℃に２時間保持したのち
800℃まで100℃／hrの割合で冷却し、そののち室
温まで雰囲気を保持したまま自然放冷を行つた。 得られた焼成済みの試料の端面に容量取出し用
の外部電極として次の組成からなる銅ペーストを
塗布した。 銅粉末（１〜5μ） 75重量％ ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツト（0.5〜2μ）
５重量％ 有機ビヒクル 20重量％ なお、ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトには、
ZnO45重量％、B2O330重量％、SiO210重量％、
Li2O6重量％、BaO9重量％のものをもちいた。
また、有機ビヒクルはセルロースをセロソルブで
溶解したものである。 次いで、弱還元雰囲気中、800℃、30分間の条
件で銅ペーストを焼付けて外部電極を形成した。 得られたセラミツク積層コンデンサの特性を測
定したところ次のような結果を示した。 大きさ：幅＝4.8mm、長さ＝5.6mm、厚み＝1.0mm 容 量：0.85μF（測定周波数：1KHz） 誘電損失（tanδ）：2.50％ 絶縁抵抗（IR）：3.0×109Ω・cm 容量×絶縁抵抗：2550MΩ・μF 比較例 1A，1B 上記した実施例１の焼成済みの試料の端面に、
容量取出し用外部電極として次の比較例1A、比
較例1Bからなる銅ペーストを塗布した。 比較例 1A 銅粉末（１〜5μ） 75重量％ ホウケイ酸バリウム系ガラスフリツト（0.5〜
2μ） 重量％ 有機ビヒクル 20重量％ なお、ホウケイ酸バリウム系ガラスフリツトに
は、BaO40重量％、B2O350重量％、SiO210重量
％のものを用いた。また、有機ビヒクルはセルロ
ースをセロソルブで溶解したものを用いた。 比較例 1B 銅粉末（１〜5μ）ホウケイ酸アルミノ系
73重量％ ガラスフリツト（0.5〜2μ） ７重量％ 有機ビヒクル 20重量％ なお、ホウケイ酸アルミノ系ガラスフリツトに
は、Al2O340重量％、B2O350重量％、SiO210重
量％のものを用いた。また、有機ビヒクルはセル
ロースをセロソルブで溶解したものを用いた。 比較例1A、1Bの銅ペーストを端面に塗布した
試料を弱還元性雰囲気中800℃、30分間の条件で
熱処理し、端面に銅の焼付け電極を形成した。 得られた各セラミツク積層コンデンサの特性を
測定したところ次のような結果を示した。
特に、内部電極に卑金属を用い、内部電極と接続
する外部電極に銅の焼付け電極を用いたものに関
する。 セラミツク積層コンデンサは、図面に示すよう
に、典型的には、複数個の内部電極１を含み、各
内部電極１間にはセラミツク２が介在し、内部電
極１はいずれかの外部電極３に導通した状態とさ
れる。 このようなセラミツク積層コンデンサを製造す
るには、たとえば次のような方法が採用される。
すなわち、厚さ50〜100μmのセラミツクグリーン
シートを印刷、ドクターブレード法、スプレー法
などにより作成し、このセラミツクグリーンシー
トの上に内部電極１となる金属粉末のペーストを
印刷し、これらを複数枚積み重ねて熱圧着し、一
体化したものを自然雰囲気中1250〜1400℃で焼成
して焼結体を作り、内部電極１と導通する外部電
極３を焼結体の端面に焼付けていた。 この場合、内部電極１の材料としては、次のよ
うな条件を満足する必要があつた。 セラミツクが焼結する温度以上の融点を有す
ること。 自然雰囲気中で1300℃前後の温度に加熱して
も、セラミツクと接触して酸化したり、セラミ
ツクと反応を起こさないこと。 このような各条件を満足する内部電極１の材料
としては、パラジウム、白金、銀―パラジウムな
どの貴金属があり、これまでの多くのセラミツク
積層コンデンサにおいては、内部電極１としてこ
のような貴金属が使用されていた。 しかしながら、上述の貴金属は、内部電極１の
ための材料として優れた特性を有しているが、反
面、高価であるため、セラミツク積層コンデンサ
のコストに占める割合が20〜50％にも達し、コス
トアツプの最大の原因になつていた。 このような問題に対処するため、内部電極１の
材料として、安価な卑金属を用いる試みがなされ
るようになつた。たとえば、卑金属として、ニツ
ケルを用いると、ニツケルは300℃以上の酸化性
雰囲気で加熱すると酸化し、セラミツクと反応す
るため、電極を形成することができなくなる。こ
のニツケルの酸化を防止するためには、中性また
は還元性雰囲気中でセラミツクを内部電極１とと
もに焼成するようにしなければならないが、一般
的に、セラミツクは、強く還元されてしまい、比
抵抗が10〜108Ω・cmと低くなり、コンデンサ用
誘電体として使用できなくなる。 他方、外部電極３としては、前述したように、
焼付けにより形成していた。この外部電極３を形
成するための材料としては、一般に、銀または銀
―パラジウムのペーストを用い、これを焼付けて
いた。これが一般的な方法であるが、ここで高価
な貴金属を用いることから、内部電極１の場合と
同様に、セラミツク積層コンデンサのコストアツ
プの原因となつていた。また、銀、銀―パラジウ
ムによる外部電極３は、このようなセラミツク積
層コンデンサをチツプ型部品としてプリント回路
基板等へはんだ付けする際、はんだ食われという
不都合な現象も生じていた。さらに、前述した内
部電極１に対して、ニツケル、鉄、コバルトなど
の卑金属を用いている場合、このような貴金属に
よる外部電極３とのなじみが悪く、導通不良とい
う問題も生じた。 このような外部電極３に対する問題に対処する
ため、外部電極３の材料として安価な銅を用いる
試みもなされた。しかしながら、銅を用いた外部
電極３の焼付けによる形成には、銅粉末のペース
トを構成するガラスフリツトの開発と重要な関連
を有していた。ガラスフリツトの代表的なものと
して、ホウケイ酸鉛があるが、これを用いて銅の
外部電極３を自然雰囲気中で焼付けにより形成し
た場合、銅が容易に酸化されて、酸化銅となるた
め、電気抵抗が高くなり、電極としては不都合な
ものになる。そこで、銅ペーストの焼付けを中性
または弱還元性雰囲気中で行なうのも１つの方法
であるが、この場合には、セラミツクが還元さ
れ、絶縁抵抗が劣化し、また、誘電損失が増大す
るという不都合が生じるのである。 従来、このような問題に対処するために、誘電
体材料として非還元性のものを用い、未焼成の積
層セラミツク体の端面に、Ni、Cuのペーストを
被覆し中性または弱還元性雰囲気で焼成する技術
が提案されている（U.S.P4353153）。Ni、Cuの
ペーストとしは、これらの粉末にホウケイ酸バリ
ウムまたはアルミノケイ酸バリウムからなるガラ
スフリツト、およびマンガンをワニス、有機ビヒ
クルに混練したものが使用されている。そして誘
電体セラミツクグリーンシートとして、
BaTiO3、CaZrO3、BaCO3およびMnO2からなる
ものを用い、Niからなるペーストを誘電体セラ
ミツクグリーンシート上に印刷し、このシートを
複数枚積み重ね、積層体の端面に上記したNiペ
ーストを付与し、アルゴン雰囲気中1350℃、５時
間の条件で焼成することによつて積層セラミツク
コンデンサを得るとしている。 しかしながら、この方法によれば端面電極とし
てNiペーストを用いる場合は有効な技術である
と言えるかもしれないが、Cuペーストを用いる
場合には有効とはいえない。なぜならば、Niの
融点は1453℃であるのに対し、一方はCuのそれ
は1083℃であり、上記したように未焼成の積層セ
ラミツク体と一諸に端面電極を焼付ける場合に
は、Cuについては溶融してしまい、電極の形成
が不可能である。またNi電極については一応利
用可能であるとしても、半田付けができないため
実際回路基板上に取り付けることができず、Ni
電極上にAgなど半田付け可能な電極を形成しな
ければならないといつた不都合を生じる。 一方すでに焼成した卑金属内部電極を有する非
還元性積層セラミツク体の端面に、外部電極とし
て銅の焼付け電極を形成することも考えられる。
この場合、ガラスフリツトとしてアルミノケイ酸
バリウム系のものが用いられていた。しかしこの
ようなガラスフリツトを用いると、非還元性積層
セラミツク体から十分に満足しうる電気特性を引
き出すことのできる外部電極を構成することがで
きなかつた。 この発明は、内部電極としてニツケル、鉄、コ
バルトなどの卑金属を含む非還元誘電体セラミツ
クの積層体に銅の焼付け電極を形成した積層セラ
ミツクコンデンサを提供するものである。 特にこの発明は銅の焼付け電極中に含まれるガ
ラスとしてホウケイ酸亜鉛系のものを用いたこと
に特徴があり、ホウケイ酸亜鉛系のガラスフリツ
トを用いることによつて、すぐれた電気的特性を
有する積層セラミツクコンデンサを提供すること
ができるのである。 以下、この発明を種々の好ましい実施列に関連
して説明する。 再び図面を参照して、この発明の実施列では、
内部電極１を構成する材料として、ニツケル、
鉄、コバルト等が用いられる。これらはいずれも
安価な卑金属である。 内部電極１の材料の例として掲げられたニツケ
ル、鉄、コバルトなどを用いる場合、これらの金
属粉末のペーストをセラミツクグリーンシート上
に印刷して、中性または還元雰囲気中でセラミツ
クをこれら金属ペーストとともに焼成するのは、
従来例において述べたのと同様である。ここで、
従来において生じたセラミツクの還元という問題
を避けるために、非還元性誘電体セラミツク組成
物が用いられる。このような非還元性誘電体セラ
ミツク組成物としては、次のような組成物が例示
される。 組成式 ｛（Ba1-xCax｝Ｏ｝ｍ ・（Ti1-yZry）O2 で表わされるチタン酸バリウム系誘電体セラミ
ツク組成物において、ｍ、ｘ、ｙが次の範囲に
おることを特徴とする非還元性誘電体セラミツ
ク組成物、 1.005≦ｍ≦1.03 0.02 ≦ｘ≦0.22 ０ ＜ｙ≦0.20 組成式 ｛（Ba1-x-yCaxSry）Ｏ｝ｍ・TiO2で表わさ
れるチタン酸バリウム系誘電体セラミツク組成
物において、ｍ、ｘ、ｙが次の範囲にあること
を特徴とする非還元性誘電体セラミツク組成
物。 1.005≦ｍ≦1.03 0.02 ≦ｘ≦0.22 0.05 ≦ｙ≦0.35 組成式 ｛（Ba1-x-yCaxSry）Ｏ｝ｍ ・（Ti1-zZrz）O2 で表わされるチタン酸バリウム系誘電体セラミ
ツク組成物において、ｍ、ｘ、ｙ、ｚが次の範
囲にあることを特徴とする非還元性誘電体セラ
ミツク組成物。 1.005≦ｍ≦1.03 0.02 ≦ｘ≦0.22 0.05 ≦ｙ≦0.35 0.00 ＜ｚ＜0.20 CaZrO3とMnO2とからなり、一般式CaxZrO3
＋yMnO2 と表わしたとき、CaxZrO3のxが次に示す範囲
にあり、かつCaxZrO3の重量1.00に対しMnO2
（＝ｙ）が次に示す重量比からなることを特徴
とする非還元性誘電体セラミツク組成物。 0.85≦ｘ≦1.30 0.05≦ｙ≦0.08（重量比） （BaCa）ZrO3とMnO2とからなり、 一般式 （BaxCa1-x）yZrO3＋zMnO2 と表わしたとき（BaxCa1-x）yZrO3のｘ、ｙが
次に示す範囲にあり、かつ（BaxCa1-x）yZrO3
の重量1.00に対しMnO2（＝ｚ）が次に示す重量
比からなることを特徴とする非還元性誘電体セ
ラミツク組成物。 ０ ＜ｘ≦0.20 0.85 ≦ｙ≦0.30 0.005≦ｚ≦0.08（重量比） これらの非還元性誘電体セラミツク組成物〜
は、中性または還元性雰囲気中で焼成しても卑
金属が酸化されまたはセラミツクと反応すること
を防止しながら、中性または還元性雰囲気中で焼
成することができる。 この発明の外部電極３である銅の焼付けに関し
て、用いられるガラスフリツトはホウケイ酸亜鉛
である。これらの組成のガラスフリツトによれ
ば、中性または還元雰囲気中での良好な銅の焼付
けが可能となつた。 このホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトの具体的
な組成としては次のようなものがある。 ZnO 30〜55重量％ B2O3 25〜45重量％ SiO2 ５〜15重量％ Li2O、Na2OK2Oのうち少なくとも１種
１〜10重量％ MgO、CaOBaOのうち少なくとも１種
２〜20重量％ また上記したガラスフリツト組成にさらに次の
組成を含有させたものがある。 CdO ２〜８重量％ SnO2 ２〜10重量％ さらにホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトの具体
的な組成としては次のようなものがある。 ZnO 25〜40モル％ B2O3 15〜40モル％ SiO2 15〜40モル％ （CaO＋MgO） ５〜30モル％ （モル比：CaO：MgO＝１：４〜４：１） Al2O3 ０〜５モル％ Li2O ０〜10モル％ ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトを含む銅ペー
ストは次のような調合比で調整される。 銅粉末（粒径0.5〜10μm） 57〜82重量％ ガラスフリツト（粒径0.5〜2μm）
２〜８重量％ 有機ビヒクル 15〜35重量％ 以下具体的な実施列に従つて詳細に説明する。 実施例 １ 組成式｛（Ba0.90 Ca0.10）Ｏ｝1.01（Ti0.84
Zr0.16）O2になるように調合した仮焼済原料に、
有機バインダ、分散剤、消泡剤の混合水溶液を15
重量％添加し、50重量％の水と共にボールミルで
粉砕、混合して原料スラリーを作つた。この原料
スラリーを用いてドクターブレード法により厚み
60μmのセラミツクグリーンシートに加工した。
セラミツクグリーンシート上にニツケルの粒径が
約1μのニツケル粉末ペーストで内部電極を印刷
し、内部電極が互いに対向するように20枚のセラ
ミツクグリーンシートを積み重ね、熱圧着して一
体化した。 一体化したものをまず500℃まで空気中で加熱
して有機バインダを燃焼させ、次にH2／N2＝
２／100の還元性雰囲気中で1340℃まで100℃／hr
の割合で昇温させ、1340℃に２時間保持したのち
800℃まで100℃／hrの割合で冷却し、そののち室
温まで雰囲気を保持したまま自然放冷を行つた。 得られた焼成済みの試料の端面に容量取出し用
の外部電極として次の組成からなる銅ペーストを
塗布した。 銅粉末（１〜5μ） 75重量％ ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツト（0.5〜2μ）
５重量％ 有機ビヒクル 20重量％ なお、ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトには、
ZnO45重量％、B2O330重量％、SiO210重量％、
Li2O6重量％、BaO9重量％のものをもちいた。
また、有機ビヒクルはセルロースをセロソルブで
溶解したものである。 次いで、弱還元雰囲気中、800℃、30分間の条
件で銅ペーストを焼付けて外部電極を形成した。 得られたセラミツク積層コンデンサの特性を測
定したところ次のような結果を示した。 大きさ：幅＝4.8mm、長さ＝5.6mm、厚み＝1.0mm 容 量：0.85μF（測定周波数：1KHz） 誘電損失（tanδ）：2.50％ 絶縁抵抗（IR）：3.0×109Ω・cm 容量×絶縁抵抗：2550MΩ・μF 比較例 1A，1B 上記した実施例１の焼成済みの試料の端面に、
容量取出し用外部電極として次の比較例1A、比
較例1Bからなる銅ペーストを塗布した。 比較例 1A 銅粉末（１〜5μ） 75重量％ ホウケイ酸バリウム系ガラスフリツト（0.5〜
2μ） 重量％ 有機ビヒクル 20重量％ なお、ホウケイ酸バリウム系ガラスフリツトに
は、BaO40重量％、B2O350重量％、SiO210重量
％のものを用いた。また、有機ビヒクルはセルロ
ースをセロソルブで溶解したものを用いた。 比較例 1B 銅粉末（１〜5μ）ホウケイ酸アルミノ系
73重量％ ガラスフリツト（0.5〜2μ） ７重量％ 有機ビヒクル 20重量％ なお、ホウケイ酸アルミノ系ガラスフリツトに
は、Al2O340重量％、B2O350重量％、SiO210重
量％のものを用いた。また、有機ビヒクルはセル
ロースをセロソルブで溶解したものを用いた。 比較例1A、1Bの銅ペーストを端面に塗布した
試料を弱還元性雰囲気中800℃、30分間の条件で
熱処理し、端面に銅の焼付け電極を形成した。 得られた各セラミツク積層コンデンサの特性を
測定したところ次のような結果を示した。
【表】
実施例 ２
組成式｛Ba0.69 Ca0.02 Sr0.30）Ｏ｝1.01
TiO2からなる原料を用いた。 またホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトとして、
ZnO41重量％、B2O328重量％、SiO28重量％、
Na2O7重量％、CaO4重量％、CdO6重量％、
SnO26重量％からなる組成のものを用いた。 そして実施例１と同様の方法によりセラミツク
積層コンデンサを作成した。 得られたセラミツク積層コンデンサの特性を測
定したところ次のような結果を示した。
TiO2からなる原料を用いた。 またホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトとして、
ZnO41重量％、B2O328重量％、SiO28重量％、
Na2O7重量％、CaO4重量％、CdO6重量％、
SnO26重量％からなる組成のものを用いた。 そして実施例１と同様の方法によりセラミツク
積層コンデンサを作成した。 得られたセラミツク積層コンデンサの特性を測
定したところ次のような結果を示した。
【表】
比較例 2A，2B
実施例２と同じ組成からなる原料を用い、比較
例1A、比較例1Bと同じ条件でセラミツク積層コ
ンデンサをそれぞれ作成した。 得られた各セラミツク積層コンデンサの特性を
測定したところ、次のような結果を示した。
例1A、比較例1Bと同じ条件でセラミツク積層コ
ンデンサをそれぞれ作成した。 得られた各セラミツク積層コンデンサの特性を
測定したところ、次のような結果を示した。
【表】
実施例 ３
組成式｛（Ba0.76 Ca0.05 Sr0.02）Ｏ｝1.01
（Ti0.92 Zr0.08）O2からなる原料を用いた。 またホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトとして、
実施例１に示したものを用いた。 そして実施例１と同様の方法によりセラミツク
積層コンデンサを作成した。 得られたセラミツク積層コンデンサの特性を測
定したところ、次のような結果を示した。
（Ti0.92 Zr0.08）O2からなる原料を用いた。 またホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトとして、
実施例１に示したものを用いた。 そして実施例１と同様の方法によりセラミツク
積層コンデンサを作成した。 得られたセラミツク積層コンデンサの特性を測
定したところ、次のような結果を示した。
【表】
比較例 3A，3B
実施例３と同じ組成からなる原料を用い比較例
1A、比較例1Bと同じ条件でセラミツク積層コン
デンサをそれぞれ作成した。 得られた各セラミツク積層コンデンサの特性を
測定したところ、次のような結果を示した。
1A、比較例1Bと同じ条件でセラミツク積層コン
デンサをそれぞれ作成した。 得られた各セラミツク積層コンデンサの特性を
測定したところ、次のような結果を示した。
【表】
実施例 ４
組成式Ca1.0ZrO3＋MnO22重量％からなる原料
を用いた。 またホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトとして、
実施例２に示したものを用いた。 そして実施例１と同様の方法によりセラミツク
積層コンデンサを作成した。 得られたセラミツク積層コンデンサの特性を測
定したところ、次のような結果を示した。
を用いた。 またホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトとして、
実施例２に示したものを用いた。 そして実施例１と同様の方法によりセラミツク
積層コンデンサを作成した。 得られたセラミツク積層コンデンサの特性を測
定したところ、次のような結果を示した。
【表】
比較例 4A，4B
実施例４と同じ組成からなる原料を用い、比較
例1A、比較例1Bと同じ条件でセラミツク積層コ
ンデンサをそれぞれ作成した。 得られた各セラミツク積層コンデンサの特性を
測定したところ、次のような結果を示した。
例1A、比較例1Bと同じ条件でセラミツク積層コ
ンデンサをそれぞれ作成した。 得られた各セラミツク積層コンデンサの特性を
測定したところ、次のような結果を示した。
【表】
実施例 ５
組成式（Ba0.1 Ca0.9）1.0ZrO3＋MnO23重量
％からなる原料を用いた。 またホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトとして、
実施例１に示したものを用いた。 そして実施例１と同様の方法によりセラミツク
積層コンデンサを作成した。 得られたセラミツク積層コンデンサの特性を測
定したところ、次のような結果を示した。
％からなる原料を用いた。 またホウケイ酸亜鉛系ガラスフリツトとして、
実施例１に示したものを用いた。 そして実施例１と同様の方法によりセラミツク
積層コンデンサを作成した。 得られたセラミツク積層コンデンサの特性を測
定したところ、次のような結果を示した。
【表】
比較例 5A，5B
実施例５と同じ組成からなる原料を用い、比較
例1A、比較例1Bと同じ条件でセラミツク積層コ
ンデンサをそれぞれ作成した。 得られた各セラミツク積層コンデンサの特性を
測定したところ、次のような結果を示した。
例1A、比較例1Bと同じ条件でセラミツク積層コ
ンデンサをそれぞれ作成した。 得られた各セラミツク積層コンデンサの特性を
測定したところ、次のような結果を示した。
【表】
以上この発明によれば、内部電極としてニツケ
ル、鉄、コバルトの卑金属を用いた非還元性セラ
ミツク積層誘電体の外部電極を、ホウケイ酸亜鉛
系ガラスを含む銅焼付け電極で構成したものであ
り、その他の耐還元性ガラスフリツトを用いたも
のにくらべて、非還元性セラミツク積層誘電体が
備えている電気的特性を有効に取り出せるという
特徴を有するものである。
ル、鉄、コバルトの卑金属を用いた非還元性セラ
ミツク積層誘電体の外部電極を、ホウケイ酸亜鉛
系ガラスを含む銅焼付け電極で構成したものであ
り、その他の耐還元性ガラスフリツトを用いたも
のにくらべて、非還元性セラミツク積層誘電体が
備えている電気的特性を有効に取り出せるという
特徴を有するものである。
第１図は典型的な、セラミツク積層コンデンサ
の概略断面図である。 １は内部電極、２はセラミツク、３は外部電
極。
の概略断面図である。 １は内部電極、２はセラミツク、３は外部電
極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 互いにセラミツクを介して積層された状態で
配置され静電容量を形成するための複数個の内部
電極と、内部電極の所定のものに接続される静電
容量取出のための１対の外部電極を備えるセラミ
ツク積層コンデンサにおいて、 前記セラミツクは非還元性のセラミツクであ
り、 前記内部電極は卑金属であり、 前記外部電極は銅の焼付け電極からなり、 この焼付け電極はホウケイ酸亜鉛系ガラスを含
むことからなる セラミツク積層コンデンサ。 ２ 前記内部電極はニツケル、鉄、コバルトの少
なくとも１種の卑金属からなる特許請求の範囲第
１項記載のセラミツク積層コンデンサ。 ３ 前記外部電極に含まれるホウケイ酸亜鉛系ガ
ラスは、次の組成からなる特許請求の範囲第１項
記載のセラミツク積層コンデンサ。 ZnO 30〜55重量％ B2O3 25〜45重量％ SiO2 ５〜15重量％ Li2O、Na2OK2Oのうち少なくとも１種
１〜10重量％ MgO、CaOBaOのうち少なくとも１種
２〜20重量％ ４ 前記外部電極に含まれるホウケイ酸亜鉛系ガ
ラスは次組成からなる特許請求の範囲第１項記載
のセラミツク積層コンデンサ。 ZnO 30〜55重量％ B2O3 25〜45重量％ SiO2 ５〜15重量％ Li2O、Na2OK2Oのうち少なくとも１種
１〜10重量％ MgO、CaO、BaOのうち少なくとも１種
２〜20重量％ CdO ２〜８重量％ SnO2 ２〜10重量％
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059852A JPS59184511A (ja) | 1983-04-04 | 1983-04-04 | セラミツク積層コンデンサ |
| US06/491,887 US4451869A (en) | 1983-04-04 | 1983-05-05 | Laminated ceramic capacitor |
| DE3317963A DE3317963C2 (de) | 1983-04-04 | 1983-05-17 | Keramikkondensator mit Schichtaufbau |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059852A JPS59184511A (ja) | 1983-04-04 | 1983-04-04 | セラミツク積層コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59184511A JPS59184511A (ja) | 1984-10-19 |
| JPS6314856B2 true JPS6314856B2 (ja) | 1988-04-01 |
Family
ID=13125134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58059852A Granted JPS59184511A (ja) | 1983-04-04 | 1983-04-04 | セラミツク積層コンデンサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4451869A (ja) |
| JP (1) | JPS59184511A (ja) |
| DE (1) | DE3317963C2 (ja) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2547113B1 (fr) * | 1983-06-03 | 1986-11-07 | Inf Milit Spatiale Aeronaut | Boitier d'encapsulation de composant electronique, durci vis-a-vis des radiations |
| DE3476993D1 (en) * | 1983-11-30 | 1989-04-13 | Taiyo Yuden Kk | Low temperature sintered ceramic materials for use in soliddielectric capacitors or the like, and method of manufacture |
| DE3476653D1 (en) * | 1983-11-30 | 1989-03-16 | Taiyo Yuden Kk | Low temperature sintered ceramic materials for use in solid dielectric capacitors or the like, and method of manufacture |
| JPS60118666A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-26 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| EP0155366B1 (en) * | 1983-11-30 | 1988-11-09 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Low temperature sinterable ceramic materials for use in solid dielectric capacitors or the like, and method of manufacture |
| US4568999A (en) * | 1984-06-06 | 1986-02-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Multilayer ceramic capacitor on printed circuit |
| FR2585174B1 (fr) * | 1985-07-16 | 1987-11-27 | Eurofarad | Procede de fabrication d'un composant capacitif multicouche a dielectrique ceramique du type cordierite, et composant ainsi obtenu |
| US4695921A (en) * | 1985-11-04 | 1987-09-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Film chip capacitor |
| US4663694A (en) * | 1986-01-13 | 1987-05-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Chip capacitor |
| US4701827A (en) * | 1986-02-10 | 1987-10-20 | Kyocera Corporation | Multilayer ceramic capacitor |
| GB2197540B (en) * | 1986-11-12 | 1991-04-17 | Murata Manufacturing Co | A circuit structure. |
| US4906405A (en) * | 1987-05-19 | 1990-03-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductor composition and method of manufacturing a multilayered ceramic body using the composition |
| JP2666388B2 (ja) * | 1988-07-11 | 1997-10-22 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JPH0236508A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | リードタイプチップコンデンサおよびその製造方法 |
| JP2949714B2 (ja) * | 1989-03-22 | 1999-09-20 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| DE69022668T2 (de) * | 1989-06-16 | 1996-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Elektronische Verbindungen, Verfahren zur Bildung von Endverbindern dafür und Paste zur Ausbildung derselben. |
| US5495386A (en) * | 1993-08-03 | 1996-02-27 | Avx Corporation | Electrical components, such as capacitors, and methods for their manufacture |
| JP3230394B2 (ja) * | 1994-06-01 | 2001-11-19 | 株式会社村田製作所 | 磁器コンデンサ |
| US5879812A (en) * | 1995-06-06 | 1999-03-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic capacitor and method of producing the same |
| JP4136113B2 (ja) * | 1998-09-18 | 2008-08-20 | Ｔｄｋ株式会社 | チップ型積層電子部品 |
| JP2001307947A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Tdk Corp | 積層チップ部品及びその製造方法 |
| JP2002050536A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Murata Mfg Co Ltd | 耐還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| US6417123B1 (en) * | 2000-08-14 | 2002-07-09 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Dielectric composition useful for light transparent layer in PDP |
| JP4300786B2 (ja) | 2001-12-21 | 2009-07-22 | 昭栄化学工業株式会社 | ガラスおよびこれを用いた導体ペースト |
| US7083744B2 (en) * | 2003-01-24 | 2006-08-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Terminal electrode compositions for multilayer ceramic capacitors |
| US7074349B2 (en) * | 2003-01-24 | 2006-07-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Terminal electrode compositions for multilayer ceramic capacitors |
| US7147804B2 (en) * | 2003-01-24 | 2006-12-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Terminal electrode compositions for multilayer ceramic capacitors |
| DE10345500B4 (de) * | 2003-09-30 | 2015-02-12 | Epcos Ag | Keramisches Vielschicht-Bauelement |
| US7285232B2 (en) * | 2004-02-19 | 2007-10-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Conductive paste and ceramic electronic component |
| US6982864B1 (en) * | 2004-06-09 | 2006-01-03 | Ferro Corporation | Copper termination inks containing lead free and cadmium free glasses for capacitors |
| US7339780B2 (en) * | 2004-06-09 | 2008-03-04 | Ferro Corporation | Copper termination inks containing lead free and cadmium free glasses for capacitors |
| JP5780856B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2015-09-16 | 京セラ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| US10636541B2 (en) | 2015-10-01 | 2020-04-28 | Shoei Chemical Inc. | Conductive paste and method for forming terminal electrodes of multilayer ceramic component |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3612963A (en) * | 1970-03-11 | 1971-10-12 | Union Carbide Corp | Multilayer ceramic capacitor and process |
| US3757177A (en) * | 1973-01-15 | 1973-09-04 | Johanson Mfg | Monolithic base metal electrode capacitor |
| US3902102A (en) * | 1974-04-01 | 1975-08-26 | Sprague Electric Co | Ceramic capacitor with base metal electrodes |
| US4101952A (en) * | 1976-08-17 | 1978-07-18 | Sprague Electric Company | Monolithic base-metal glass-ceramic capacitor |
| JPS5324600A (en) * | 1976-08-19 | 1978-03-07 | Murata Manufacturing Co | Nonnreducing dielectric ceramic composition |
| JPS5389962A (en) * | 1977-01-20 | 1978-08-08 | Murata Manufacturing Co | Capacitor employing semiconductor ceramic with insulating grain boundary |
| DE2824870A1 (de) * | 1978-06-07 | 1979-12-20 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung eines dielektrikums mit perowskitstruktur |
| US4246625A (en) * | 1978-11-16 | 1981-01-20 | Union Carbide Corporation | Ceramic capacitor with co-fired end terminations |
| US4353153A (en) * | 1978-11-16 | 1982-10-12 | Union Carbide Corporation | Method of making capacitor with CO-fired end terminations |
| US4308570A (en) * | 1980-02-25 | 1981-12-29 | Sprague Electric Company | High Q monolithic capacitor with glass-magnesium titanate body |
-
1983
- 1983-04-04 JP JP58059852A patent/JPS59184511A/ja active Granted
- 1983-05-05 US US06/491,887 patent/US4451869A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-05-17 DE DE3317963A patent/DE3317963C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3317963C2 (de) | 1987-01-08 |
| JPS59184511A (ja) | 1984-10-19 |
| DE3317963A1 (de) | 1984-10-11 |
| US4451869A (en) | 1984-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6314856B2 (ja) | ||
| KR100376085B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 모놀리식 세라믹 커패시터 | |
| JP3039403B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2998639B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| KR100256199B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
| JP3039397B2 (ja) | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| CA2208698C (en) | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor using same | |
| JP2993425B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3709914B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP4682426B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP3039409B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| KR100271101B1 (ko) | 모놀리식 세라믹 커패시터 | |
| JP2666388B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3935089B2 (ja) | 複合電子部品の製造方法 | |
| JP4496639B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP2001052952A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP3064918B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP4114434B2 (ja) | 誘電体セラミックおよびこれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JPH11102835A (ja) | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP4506090B2 (ja) | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
| JP3675076B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3921177B2 (ja) | 複合電子部品 | |
| JP4291591B2 (ja) | 複合電子部品 | |
| JPH088190B2 (ja) | 積層セラミックスコンデンサ | |
| JPH02206108A (ja) | 積層セラミックコンデンサ |