JP3935089B2 - 複合電子部品の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は複合電子部品に係り、特に積層セラミックコンデンサの素子本体内部に抵抗体を付加した複合電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】
特開平５−２８３２８３号公報
【０００３】
コンデンサ、インダクタ、サーミスタ、バリスタ等の積層セラミック電子部品は、体積が小さいこと、堅牢性および信頼性が高いことなどから、各種の電子機器に使用されており、電子機器の小型化に伴い、さらなる小型化、高性能化が求められている。
【０００４】
このような積層セラミック電子部品のうち、例えば、積層セラミックコンデンサは、通常、誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層体と、この積層体の対向する側面に設けられた一対の外部電極を備えるような構造である。このような積層セラミックコンデンサは、例えば、出力平滑化回路を構成する平滑用コンデンサとして用いられている。
【０００５】
しかし、積層セラミックコンデンサは、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が非常に低く、回路内の信号がループし発振現象が生じ、その結果、ノイズを生じるという問題がある。すなわち、平滑用コンデンサとしてＥＳＲの低い積層セラミックコンデンサを使用した場合、２次側平滑回路が等価的にＬとＣ成分のみで構成されてしまい、回路内に存在する位相成分が±９０°および０°のみとなり、位相の余裕がなくなり容易に発振してしまう。
【０００６】
このため、積層セラミックコンデンサに抵抗成分を付加してＥＳＲを高めた複合電子部品（ＣＲ複合素子）が種々提案されている。例えば、特開平５−２８３２８３号公報（特許文献１）には、内部電極層を有するチップ状セラミック誘電体の両端部に内部電極層に電気的に接続させて抵抗層を設け、この抵抗層の表面に外部電極層を設けたＣＲ複合素子、すなわち、抵抗成分を積層セラミックコンデンサの外部電極内に形成したＣＲ複合素子が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来の複合電子部品（特許文献１）に設けられた抵抗層の構造では、抵抗体の実質的な厚みが５μｍ程度と薄いため、素子に電圧を印加した時に抵抗値の変動がおき、耐電圧性が十分とは言えない。また、仮に、抵抗体の実質的な厚みを増大させたとしても、従来の構造では、局部的に抵抗体厚みの小さいところが存在するおそれがあり、やはり耐電圧性が十分とは言えない。
【０００８】
このような実状の基に、本発明は創案されたものであって、その目的は、素子の外部電極側に抵抗体を有する複合電子部品であって、従来開示のタイプのものに比べて、耐電圧性が格段と向上させることができる複合電子部品を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明は、素子本体と、素子本体の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極および第２外部電極と、抵抗体とを有する複合電子部品の製造方法であって、該方法は、誘電体層を介して第１内部電極層と第２内部電極層とが交互に積層されたキャパシタ構成部分を備える素子本体を作製するための工程であって、積層される前記第１内部電極層は、卑金属からなるとともに、前記第１外部電極側に露出する接続部を有するように形成されており、積層される前記第２内部電極層は、前記第２外部電極側に露出する接続部を有し、当該接続部は、第２外部電極に接続されるように形成されている素子本体形成工程と、前記第１外部電極側に露出する前記第１内部電極層の接続部の一部分を被覆・接続するように貴金属からなる接続電極を形成する接続電極形成工程と、前記接続電極によって被覆・接続されていない前記第１内部電極層の残余の接続部を酸化処理して絶縁膜である第１絶縁体を形成する第１絶縁体形成工程と、実質的に前記第１絶縁体の上に抵抗体を形成するとともに、当該抵抗体の一端は、前記接続電極の一部分と接続されるように形成される抵抗体形成工程と、前記抵抗体の他端の一部分を残して実質的に前記抵抗体を覆うように第２絶縁体を形成する第２絶縁体形成工程と、前記抵抗体の他端の一部分が前記第１外部電極と接続されてなるよう第１外部電極を形成する第１外部電極形成工程と、を有してなるように構成される。
【００１０】
本発明の複合電子部品の製造方法は、前記第１外部電極と接続される抵抗体の一部分から前記抵抗体が前記接続電極に接する部分までの抵抗体の距離仕様を定めることにより、抵抗の調整がなされるように構成される。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
〔第１の実施の形態の説明〕
本発明の第１の実施の形態について、図１〜図７を参照しつつ説明する。
【００１８】
図１は本発明の複合電子部品１の一実施形態を示す斜視図であり、図２は図１に示される素子本体２０（積層体２０）の要部を分解して表した概略斜視図である。図３〜図６はそれぞれ第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造の形成を経時的に説明するための素子本体の概略斜視図である。図７は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面であって、図１のＡ−Ａ方向矢視断面相当図である（図２のＡ−Ａ方向を参照）。
【００１９】
図１に示されるように、本発明の複合電子部品１は、図面上で略直方体形状に示されている素子本体２０と、素子本体２０の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極１１および第２外部電極１５とを有している。素子本体２０の大きさは、例えば、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜２．５ｍｍ）程度とすることができる。
【００２０】
素子本体２０は、図２に示されるように誘電体層７と内部電極層２１、２５とが交互に積層されたキャパシタ構成部分（Ｃ）とを備えている。
【００２１】
本発明における内部電極層２１、２５は、誘電体層７を介して交互に積層された第１内部電極層２１と第２内部電極層２５から構成されている。図２において、誘電体層７と第１内部電極層２１を有するシート体７１と、誘電体層７と第２内部電極層２５を有するシート体７５は、互いに順次繰り返し多層に積層されている。
【００２２】
積層される第１内部電極層２１は、図２に示されるように前記第１外部電極１１側に露出する突出部２１ａを有している。図２に示されるごとく第１内部電極層２１は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は突出部２１ａのみ（より正確には突出部の端部のみ）である。
【００２３】
この一方で、積層される第２内部電極層２５は、図２に示されるように第２外部電極１５側に露出する接続部２５ａを有し、この接続部２５ａは第２外部電極１５に接続されている。図２に示されるごとく第２内部電極層２５は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は接続部２５ａ（より正確には接続部２５ａの端部のみ）である。
【００２４】
このような本発明の第１の実施の形態では、第１外部電極内に抵抗体が形成されている。以下、第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造の形成を図３〜図６に基づき経時的に説明する。
【００２５】
本発明において、図２に示される前記第１内部電極層２１の突出部２１ａは、積層された後、図３に示されるように素子本体の片側端面にその接続端がほぼ同じ縦方向の所定幅域内に出現する。そして、これらの第１内部電極層２１の突出部２１ａは、図４に示されるように、これらの上に形成された接続電極４１によって、一体的に覆われ、接続される。接続電極４１の幅は、第１内部電極層２１の突出部２１ａの幅よりも図面上大きく描かれているが、これらの関係は特に限定されるものではなく、略同程度の幅とすれば十分である。
【００２６】
次いで、図５に示されるように接続電極４１は、さらに抵抗体（膜）５０により被覆される。図面では、接続電極４１の一部を残して抵抗体５０を形成するようにしているが、接続電極４１を完全に覆うようにしてもよい。このような抵抗体５０は、素子本体２０の端面の接続電極４１から広く空いたエリアに向けて（図４の右方向）形成される。
【００２７】
次いで、図６に示されるように抵抗体（膜）５０の上には、絶縁膜６０が形成され、この絶縁膜６０は、前記抵抗体５０の一部分５０ａを残してほぼ全体の抵抗体を覆うと伴に、前記接続電極４１をも完全に覆うように形成されている。抵抗体（膜）５０は、誘電体層７と絶縁膜６０とで挟まれた形態となっている。
次いで、図７に示されるごとくこれらの積層物を完全に覆うように第１外部電極１１が形成される。そして、絶縁膜６０により絶縁がなされていない抵抗体５０の一部分５０ａが第１外部電極１１と接続される。図７に示されるように第１外部電極１１と抵抗体５０との電気的接合は、抵抗体５０の一部分５０ａから開始される。そして、抵抗体５０の抵抗作用は接続電極４１との接合位置にまで至り、この間の距離が抵抗体厚さに相当するために、耐電圧性は格段と向上する。また、抵抗体５０の長さ（図７の横方向）を一定としてこの上に形成される絶縁膜６０の長さを変えることにより、実質的な抵抗作用をする抵抗体５０の長さを変えることができ、抵抗の調整をすることが可能となる。あるいは、抵抗体５０の長さそのものを変えても抵抗の調整をすることが可能となる。
【００２８】
このような構成のもとに、第１外部電極１１と第２外部電極１５との端子間において、第１外部電極１１と前記接続電極４１との間で実質的な抵抗体（層）５０による抵抗体構成部分（Ｒ）が構成され、前記接続電極４１と第２外部電極１５との間で実質的なキャパシタ構成部分（Ｃ）が構成される。
【００２９】
〔第２の実施の形態の説明〕
本発明の第２の実施の形態について、図８〜図１０を参照しつつ説明する。第２の実施の形態が前記第１の実施の形態と異なる点は、両外部電極にそれぞれ抵抗体を備えている点にある。
【００３０】
図８は本発明の複合電子部品２の一実施形態を示す斜視図であり、図９は図８に示される素子本体２０（積層体２０）の要部を分解して表した概略斜視図である。図１０は本発明における第１および第２外部電極側の内部の所定構造をそれぞれ説明するための図面であって、図８のＡ−Ａ方向矢視断面相当図である（図９のＡ−Ａ方向を参照）。さらに、図１０においては、その図面上の上部および下部で積層構成を１層ずらして内部電極２１および２６の双方が表示できるようにしてある。
【００３１】
図８に示されるように、本発明の複合電子部品２は、図面上で略直方体形状に示されている素子本体２０と、素子本体２０の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極１１および第２外部電極１５とを有している。素子本体２０の大きさは、例えば、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜２．５ｍｍ）程度とすることができる。
【００３２】
素子本体２０は、図９に示されるように誘電体層７と内部電極層２１、２６とが交互に積層されたキャパシタ構成部分（Ｃ）とを備えている。
【００３３】
本発明における内部電極層２１、２６は、誘電体層７を介して交互に積層された第１内部電極層２１と第２内部電極層２６から構成されている。図９において、誘電体層７と第１内部電極層２１を有するシート体７１と、誘電体層７と第２内部電極層２６を有するシート体７６は、互いに順次繰り返し多層に積層されている。
【００３４】
積層される第１内部電極層２１は、図９に示されるように前記第１外部電極１１側に露出する第１突出部２１ａを有している。図９に示されるごとく第１内部電極層２１は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は第１突出部２１ａのみ（より正確には突出部の端部のみ）である。
【００３５】
この一方で、積層される第２内部電極層２６は、図９に示されるように第２外部電極１５側に露出する第２突出部２６ａを有し、この第２突出部２６ａは第２外部電極１５に接続されている。図９に示されるごとく第２内部電極層２６は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は第２突出部２６ａのみ（より正確には第２突出部２６ａの端部のみ）である。
【００３６】
このような本発明の第２の実施の形態では、第１外部電極１１内および第２外部電極１５内に、それぞれ第１抵抗体および第２抵抗体が形成されている。第１外部電極１１側の第１抵抗体を含む所定構造の形成、および第２外部電極１５側の第２抵抗体を含む所定構造の形成、はそれぞれ前記第１の実施形態のところでのべた形成方法（図３〜図７参照）と実質的に同じであるのでここでの説明は省略する。
【００３７】
所定の第１および第２抵抗体５０，５０´がそれぞれ各外部電極１１，１５に形成された状態が図１０に示されている。
【００３８】
すなわち、第１外部電極側において、第１接続電極４１は、第１外部電極側に露出する第１内部電極層２１の第１突出部２１ａを被覆・接続するように形成されており、第１抵抗体５０は、第１接続電極４１に接するとともに、素子本体の前記第１外部電極１１側に形成されており、第１絶縁体６０は、第１抵抗体５０の一部分５０ａを残して第１抵抗体５０を覆うと伴に、第１接続電極４１を覆い、第１抵抗体の一部分５０ａが第１外部電極１１と接続されるように構成されている。同様に、第２外部電極側において、第２接続電極４１´は、第２外部電極側に露出する第２内部電極層２６の第１突出部２６ａを被覆・接続するように形成されており、第２抵抗体５０´は、第２接続電極４１´に接するとともに、素子本体の前記第２外部電極１５側に形成されており、第２絶縁体６０´は、第２抵抗体５０´の一部分５０´ａを残して第２抵抗体５０´を覆うと伴に、第２接続電極４１´を覆い、第２抵抗体の一部分５０´ａが第２外部電極１５と接続されるように構成されている。第１抵抗体（膜）５０は、誘電体層７と第１絶縁体６０とで挟まれた形態となっており、第２抵抗体（膜）５０´は、誘電体層７と第２絶縁体６０´とで挟まれた形態となっている。
【００３９】
図１０に示されるように第１外部電極１１と第１抵抗体５０との電気的接合は、第１抵抗体５０の一部分５０ａから開始される。同様に、第２外部電極１５と第２抵抗体５０´との電気的接合も、第２抵抗体５０´の一部分５０´ａから開始される。そして、これら抵抗体５０（５０´）の抵抗作用は接続電極４１（４１´）との接合位置にまで至り、この間の距離が抵抗体厚さに相当するために、耐電圧性は格段と向上する。また、抵抗体５０（５０´）の長さ（図１０の横方向）を一定としてこの上に形成される絶縁膜６０（６０´）の長さを変えることにより、実質的な抵抗作用をする抵抗体５０（５０´）の長さを変えることができ、抵抗の調整をすることが可能となる。あるいは、抵抗体５０（５０´）の長さそのものを変えても抵抗の調整をすることが可能となる。
【００４０】
このような構成のもとに、第１外部電極１１と第２外部電極１５との端子間において、第１外部電極１１と前記第１接続電極４１との間で実質的な抵抗体（層）５０による抵抗体構成部分（Ｒ）が構成され、第１接続電極４１と第２接続電極４１´との間で実質的なキャパシタ構成部分（Ｃ）が構成され、さらに、第２接続電極４１´と第２外部電極１５との間で実質的な抵抗体（層）５０´による抵抗体構成部分（Ｒ´）が構成される。
【００４１】
〔第３の実施の形態の説明〕
本発明の第３の実施の形態について、図１１〜図１３を参照しつつ説明する。
【００４２】
図１１は本発明の複合電子部品３の一実施形態を示す斜視図であり、図１２は図１１に示される素子本体２０（積層体２０）の要部を分解して表した概略斜視図である。図１３は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面であって、図１１のＡ−Ａ方向矢視断面相当図である。
【００４３】
図１１に示されるように、本発明の複合電子部品３は、図面上で略直方体形状に示されている素子本体２０と、素子本体２０の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極１１および第２外部電極１５とを有している。素子本体２０の大きさは、例えば、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜２．５ｍｍ）程度とすることができる。
【００４４】
素子本体２０は、図１２に示されるように誘電体層７と内部電極層２３、２８とが交互に積層されたキャパシタ構成部分（Ｃ）とを備えている。
【００４５】
本発明における内部電極層２３、２８は、誘電体層７を介して交互に積層された第１内部電極層２３と第２内部電極層２８から構成されている。図１２において、誘電体層７と第１内部電極層２３を有するシート体７３と、誘電体層７と第２内部電極層２８を有するシート体７８は、互いに順次繰り返し多層に積層されている。
【００４６】
積層される第１内部電極層２３は、図１２に示されるように前記第１外部電極１１側に露出する接続部２３ａを有している。図１２に示されるごとく第１内部電極層２３は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は接続部２３ａのみ（より正確には接続部の端部のみ）である。
【００４７】
この一方で、積層される第２内部電極層２８は、図１２に示されるように第２外部電極１５側に露出する接続部２８ａを有し、この接続部２８ａは第２外部電極１５に接続されている。図１２に示されるごとく第２内部電極層２８は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は接続部２８ａ（より正確には接続部２８ａの端部のみ）である。
【００４８】
このような本発明の第３の実施の形態では、第１外部電極内に抵抗体が形成されている。以下、第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造について図１３に基づき説明する。
【００４９】
図１３に示される第１内部電極層２３の第１外部電極側の接続部２３ａは、積層された後、図１３の矢印Ｂ方向から見た場合、接続部２３ａの接続端面が図面の横線として現われ、この横線が縦方向に順次並んで出現している。そして、これらの第１内部電極層２３の接続部２３ａの端面を一体的に覆うように接続電極４２が形成される。図示のごとく接続電極４２の幅は、誘電体膜７の幅と同程度とされる。これによって、第１内部電極層２３と接続電極４２の電気的接合がなされる。
【００５０】
ついで、このような接続電極４２の上に第１絶縁体６１が形成される。この第１絶縁体６１は、接続電極４２の一部分４２ａを残して、接続電極４２に被着されている。被着されない接続電極４２の一部分４２ａとは反対側に位置する接続電極４２の端面４２ｂは、第１外部電極１１との導通を避けるために、第１絶縁体６１により絶縁される。接続電極４２の端面４２ｂのみ、第１絶縁体６１とは別の新たな絶縁膜を形成して絶縁することも可能であるが、作業工程等を減らして効率化を図るという観点からすれば、図１３に示されるごとく第１絶縁体６１により一体的に所定範囲の絶縁を図ることが望ましい。この場合、安定かつ信頼性の高い絶縁を得るためには、第１絶縁体６１は、予め所定の形状に成形されたアルミナ基板やガラス基板等のセラミック基板を用いることが好ましい。これらのものは、通常、接着材を介して固着される。このような基板に変えて、低温焼成により絶縁膜（基板）となる焼成タイプの絶縁材料を用いることも好ましい態様である。具体的には、ガラス、低温焼成セラミック等のペーストが用いられる。形成方法は、絶縁部材用ペーストを印刷あるいは転写等の方法で塗設後、焼成して形成すればよい。
【００５１】
このような第１絶縁体６１の上には、さらに抵抗体（膜）５１が形成される。本発明における形態の抵抗体（膜）５１は、前記第１絶縁体６１で絶縁されていない接続電極４２の一部分４２ａと接続されるとともに、大部分が前記第１絶縁体６１の上に被着形成されている。すなわち、抵抗体（膜）５１は、素子本体２０の端面の前記第１絶縁体６１で絶縁されていない接続電極４２の一部分４２ａから、図１３の右方向の広く空いたエリアに向けて第１絶縁体６１の大部分を覆うように形成されている。
【００５２】
このような抵抗体（膜）５０の上には、第２絶縁体６６が形成される。この第２絶縁体６６は、前記抵抗体（膜）５１の一部分５１ａを残してほぼ全体の抵抗体５１を覆うと伴に、前記接続電極４２の一部分４２ａをも完全に覆うように形成され、絶縁機能を発揮している。もちろん、接続電極４２の端部４２ｃも第２絶縁体６６により覆われ絶縁される。第２絶縁体６６は、いわゆるペーストタイプの絶縁材料を塗設後、焼成して形成することが好ましい。塗設対象の複雑な形態に柔軟に対応することができるからである。
【００５３】
この上に図１３に示されるように第１外部電極１１が形成される。そして、第１絶縁体６１および第２絶縁体６６に挟まれるように形成された抵抗体（膜）５１は、その片端５１ａ（第２絶縁体６６により絶縁がなされていない抵抗体５１の一部分５１ａ）が第１外部電極１１と接続される。これにより第１外部電極１１と抵抗体５１との電気的接合は、抵抗体５１の一部分５１ａから開始される。そして、抵抗体５１の抵抗作用は接続電極４２との接合位置（符号４２ａの箇所で電気的に接合）にまで至り、この間の距離が抵抗体厚さに相当するために、耐電圧性は格段と向上する。また、抵抗体５１の長さ（図１３の横方向）を一定としてこの上に形成される第２絶縁体６６の被着長さを変えることにより、実質的な抵抗作用をする抵抗体５１の長さを変えることができ、抵抗の調整をすることが可能となる。あるいは、抵抗体５１の長さそのものを変えても抵抗の調整をすることが可能となる。
【００５４】
このような構成のもとに、第１外部電極１１と第２外部電極１５との端子間において、第１外部電極１１と前記接続電極４２（４２ａ）との間で実質的な抵抗体（層）５１による抵抗体構成部分（Ｒ）が構成され、前記接続電極４２と第２外部電極１５との間で実質的なキャパシタ構成部分（Ｃ）が構成される。
【００５５】
〔第４の実施の形態の説明〕
本発明の第４の実施の形態について、図１４および図１５を参照しつつ説明する。
【００５６】
図１４は本発明の複合電子部品４の一実施形態を示す斜視図であり、図１５は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面であって、図１４のＡ−Ａ方向矢視断面相当図である。
【００５７】
図１４に示されるように、本発明の複合電子部品４は、図面上で略直方体形状に示されている素子本体２０と、素子本体２０の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極１１および第２外部電極１５とを有している。素子本体２０の大きさは、例えば、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜２．５ｍｍ）程度とすることができる。
【００５８】
素子本体２０は、誘電体層７と内部電極層２３、２８とが交互に積層されたキャパシタ構成部分（Ｃ）とを備えおり、その形態は、前記第３の実施の形態の説明で述べた素子本体２０と同じ構造（詳細は図１２）であるため、ここでの説明は省略する。
【００５９】
このような本発明の第４の実施の形態では、第１外部電極内に抵抗体が形成されている。以下、第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造について図１５に基づき説明する。
【００６０】
図１５に示される第１内部電極層２３の第１外部電極側の接続部２３ａは、積層された後、図１４の矢印Ｂ方向から見た場合、接続部２３ａの接続端面が図面の横線として現われ、この横線が縦方向に順次並んで出現している。そして、これらの第１内部電極層２３の接続部２３ａの端面を一体的に覆うように接続電極４２が形成される。図示のごとく接続電極４２の幅は、誘電体膜７の幅と同程度とされる。これによって、第１内部電極層２３と接続電極４２の電気的接合がなされる。
【００６１】
ついで、このような接続電極４２の上に第１絶縁体６２が形成される。この第１絶縁体６２は、接続電極４２の一部分４２ａを残して、接続電極４２に被着されている。本実施の形態において、被着されない接続電極４２の一部分４２ａと反対側に位置する接続電極４２の端面４２ｂは、第１外部電極１１との導通を避けるために、別の新たな絶縁膜６９を形成して絶縁されている。
【００６２】
本実施の形態として、安定かつ信頼性の高い絶縁を得るためには、第１絶縁体６１は、予め所定の形状に成形されたアルミナ基板やガラス基板等のセラミック基板が用いられている。厚さは、通常、１０〜６００μｍ程度である。このものは、通常、接着材を介して固着される。
【００６３】
このような第１絶縁体６２の上には、さらに抵抗体（膜）５２が形成される。本発明における形態の抵抗体（膜）５２は、前記第１絶縁体６２で絶縁されていない接続電極４２の一部分４２ａと接続されるとともに、大部分が前記第１絶縁体６２の上に被着形成されている。すなわち、抵抗体（膜）５２は、素子本体２０の端面の前記第１絶縁体６２で絶縁されていない接続電極４２の一部分４２ａから、図１５の右方向の広く空いたエリアに向けて第１絶縁体６２の大部分を覆うように形成されている。本実施の形態における抵抗体（膜）５２は、接続電極４２の他方の端面４２ｃも覆い、ここでも電気的な接合が図られている。
【００６４】
このような抵抗体（膜）５２の上には、第２絶縁体６７が形成される。この第２絶縁体６７は、前記抵抗体（膜）５２の一部分５２ａのみを残して全体の抵抗体５２を完全に覆うように形成され、絶縁機能を発揮している。第２絶縁体６７は、いわゆるペーストタイプの絶縁材料を塗設後、焼成して形成することが好ましい。塗設対象の複雑な形態に柔軟に対応することができるからである。
【００６５】
この上に図１５に示されるように第１外部電極１１が形成される。そして、第１絶縁体６２および第２絶縁体６７に挟まれるように形成された抵抗体（膜）５２は、その片端５２ａ（第２絶縁体６７により絶縁がなされていない抵抗体５２の一部分５２ａ）が第１外部電極１１と接続される。これにより第１外部電極１１と抵抗体５２との電気的接合は、抵抗体５２の一部分５２ａから開始される。そして、抵抗体５２の抵抗作用は接続電極４２との接合位置（符号４２ａの箇所で電気的に接合）にまで至り、この間の距離が抵抗体厚さに相当するために、耐電圧性は格段と向上する。また、抵抗体５２の長さ（図１５の横方向）を一定としてこの上に形成される第２絶縁体６７の被着長さを変えることにより、実質的な抵抗作用をする抵抗体５２の長さを変えることができ、抵抗の調整をすることが可能となる。あるいは、抵抗体５２の長さそのものを変えても抵抗の調整をすることが可能となる。
【００６６】
このような構成のもとに、第１外部電極１１と第２外部電極１５との端子間において、第１外部電極１１と前記接続電極４２（４２ａ）との間で実質的な抵抗体（層）５２による抵抗体構成部分（Ｒ）が構成され、前記接続電極４２と第２外部電極１５との間で実質的なキャパシタ構成部分（Ｃ）が構成される。
【００６７】
〔第５の実施の形態の説明〕
本発明の第５の実施の形態について、図１６〜図１９を参照しつつ説明する。
【００６８】
図１６は本発明の複合電子部品５の一実施形態を示す斜視図であり、図１７は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面であって、図１６のＡ−Ａ方向矢視断面相当図である。図１８および図１９は、本実施の形態における接続電極および絶縁体の形成を説明するための素子本体の概略斜視図である。
【００６９】
図１６に示されるように、本発明の複合電子部品５は、図面上で略直方体形状に示されている素子本体２０と、素子本体２０の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極１１および第２外部電極１５とを有している。素子本体２０の大きさは、例えば、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜２．５ｍｍ）程度とすることができる。
【００７０】
素子本体２０は、誘電体層７と内部電極層２３、２８とが交互に積層されたキャパシタ構成部分（Ｃ）とを備えおり、その形態は、前記第３の実施の形態の説明で述べた素子本体２０と同じ構造（詳細は図１２）であるため、ここでの説明は省略する。
【００７１】
このような本発明の第５の実施の形態では、第１外部電極内に抵抗体が形成されている。以下、第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造について図１７に基づき説明する。
【００７２】
図１７に示される第１内部電極層２３の第１外部電極側の接続部２３ａは、積層された後、図１７の矢印Ｂ方向から見た場合、接続部２３ａの接続端面が図面の横線として現われ、この横線が縦方向に順次並んで出現している。この状況が図１８に理解し易いように示されている。そして、これらの第１内部電極層２３の接続部２３ａを一体的に接続するように接続電極４３が被着形成される。この状況が図１９に理解し易いように示されている。この場合、接続電極４３は、図１７や図１９に示されるように第１内部電極層２３の接続部２３ａの一部を覆うように形成され、覆われていない残余の接続部２３ａ´は、後工程で酸化処理され第１絶縁体６３を構成する。
【００７３】
すなわち、接続電極４３は、第１外部電極１１側に露出する第１内部電極層２３の接続部２３ａの一部分を被覆・接続するように形成されており、第１絶縁体６３は、前記接続電極４３によって被覆・接続されていない第１内部電極層２３の残余の接続部２３ａ´（図１９）を酸化処理して形成された絶縁膜である。第１絶縁体６３（絶縁膜）の形成方法については、後述する。
【００７４】
このような第１絶縁体６３および接続電極４３の上には、抵抗体（膜）５３が被着形成される。すなわち、本発明の実施形態における抵抗体（膜）５３は、接続電極４３の少なくとも一部分４３ａと接続されるとともに、第１絶縁体６３を完全に覆うように形成されている。
【００７５】
このような抵抗体（膜）５３の上には、第２絶縁体６８が形成される。この第２絶縁体６８は、前記抵抗体（膜）５３の一部分５３ａのみを残して全体の抵抗体５３を完全に覆うように、さらには、接続電極４３をも完全に覆うように形成され、絶縁機能を発揮している。第２絶縁体６８は、いわゆるペーストタイプの絶縁材料を塗設後、焼成して形成することが好ましい。塗設対象の複雑な形態に柔軟に対応することができるからである。
【００７６】
この上に図１７に示されるように第１外部電極１１が形成される。そして、第１絶縁体６３および第２絶縁体６８に挟まれるように形成された抵抗体（膜）５３は、その片端５３ａ（第２絶縁体６８により絶縁がなされていない抵抗体５３の一部分５３ａ）が第１外部電極１１と接続される。これにより第１外部電極１１と抵抗体５３との電気的接合は、抵抗体５３の一部分５３ａから開始される。そして、抵抗体５３の抵抗作用は接続電極４３との接合位置（符号４３ａの箇所で電気的に接合）にまで至り、この間の距離が抵抗体厚さに相当するために、耐電圧性は格段と向上する。また、抵抗体５３の長さ（図１７の横方向）を一定としてこの上に形成される第２絶縁体６８の被着長さを変えることにより、実質的な抵抗作用をする抵抗体５３の長さを変えることができ、抵抗の調整をすることが可能となる。あるいは、抵抗体５３の長さそのものを変えても抵抗の調整をすることが可能となる。
【００７７】
このような構成のもとに、第１外部電極１１と第２外部電極１５との端子間において、第１外部電極１１と前記接続電極４３（４３ａ）との間で実質的な抵抗体（層）５３による抵抗体構成部分（Ｒ）が構成され、前記接続電極４３と第２外部電極１５との間で実質的なキャパシタ構成部分（Ｃ）が構成される。
【００７８】
上記第１絶縁体６３形成のための製法要件は以下のとおりである。すなわち、用いる内部電極層２３は、酸化処理により酸化層の形成が可能なように、Ｎｉ、Ｃｕ等の卑金属を主成分として構成される。接続電極４３は、Ａｇ、Ｐｄ等の貴金属を主成分として構成される。そして、まず最初に、図１９に示されるように接続電極４３形成用のペーストを設けた後に、酸素なしの雰囲気下で、焼き付けが行なわれる。これにより、内部電極２３と接続電極４３の接続が行なわれる。この時点では、接続部２３ａ´を含む内部電極層２３の酸化は行なわれていない。しかる後、例えば、抵抗体５３形成用ペーストを設けた後、酸素雰囲気下（例えば、空気中）で抵抗体５３の焼き付けを行い、残余の接続部２３ａ´部分を酸化させる。この酸化処理により、残余の接続部２３ａ´部分は、第１絶縁体６３を構成することになる。第１絶縁体６３の形成は、抵抗体５３形成用ペースト、第２絶縁体６８形成用ペースト、および外部電極１１形成用ペーストを設けた後に、これらを一括して酸素雰囲気下で焼き付けするようにしてもよい。
【００７９】
次に、上述してきた本発明の各複合電子部品を構成する部材について説明する。
【００８０】
〔外部電極１１，１５〕
本発明の複合電子部品を構成する外部電極１１，１５は、導電材としてＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ等の金属の少なくとも１種、あるいは、これらの合金を使用することができる。外部電極の厚みは特に制限されず、例えば、１〜１００μｍ、特に５〜５０μｍ程度とすることができる。
また、外部電極には、導電材の焼結性を向上させること、積層体との接着性を確保することを目的として、ガラスが含有されてもよい。
【００８１】
〔内部電極層２１，２３，２５，２６，２８〕
本発明の複合電子部品を構成する内部電極層に使用される導電材は、第５の実施の形態を除いて特に制限されないが、誘電体層の構成材料に耐還元性を有するものを使用することで、安価な卑金属を用いることができる。導電材として使用する卑金属は、例えば、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ等の１種以上とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。また、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含有されてもよい。内部電極層の厚みは、複合電子部品の用途等に応じて適宜設定することができ、例えば、０．５〜５μｍ、特に０．５〜２．５μｍ程度とすることができる。
【００８２】
〔抵抗体５０，５１，５２，５３〕
本発明の複合電子部品を構成する抵抗体は、導電性酸化物と絶縁性酸化物とを含有する材料で形成される。導電性酸化物は、特に制限されるものではなく、例えば、酸化ルテニウム、酸化ルテニウム化合物、黒鉛の少なくとも１種を含有することが好ましい。酸化ルテニウムとしては、例えば、ＲｕＯ2、Ｂｉ2Ｒｕ2Ｏ7、ＳｒＲｕＯ3、ＣａＲｕＯ3、Ｐｂ2Ｒｕ2Ｏ6、ＢａＲｕＯ3等が挙げられる。また、黒鉛としては、グラファイト・カーボンを使用することができる。
【００８３】
また、絶縁性酸化物は、特に制限されるものではないが、抵抗値の制御および導電材との焼結性、接続部材との接着性を確保するために、ガラスを選択することが好ましい。ガラスの組成は、特に制限する必要はなく、抵抗値の制御の容易性や、必要とする特性を考慮して適宜設定することができる。
【００８４】
また、抵抗値の調整、あるいは、その他の抵抗体に要求される電気特性等を制御するために、抵抗体に金属酸化物を添加することができる。さらに、０．１Ω以下の抵抗を必要とするような場合には、金属と絶縁性酸化物で抵抗体を構成してもよい。
【００８５】
抵抗体における抵抗値の制御は、導電性酸化物と絶縁性酸化物の混合比の調整で行うことができ、また、抵抗体の厚みによっても抵抗値を制御することができる。
【００８６】
〔誘電体層７〕
本発明の複合電子部品を構成する誘電体層に使用する誘電体材料としては、特に制限はなく、種々の誘電体材料を使用することができる。例えば、酸化チタン系、チタン酸系複合酸化物、あるいは、これらの混合物等を使用することができる。酸化チタンとしては、必要に応じてＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｍｎ3Ｏ4、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＳｉＯ2等を総量で０．００１〜３０重量％程度の範囲で含有するＴｉＯ2等が挙げられる。また、チタン酸系複合酸化物としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）等が挙げられる。Ｂａ／Ｔｉの原子比は、０．９５〜１．２０の範囲が好ましく、チタン酸バリウムには、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｍｎ3Ｏ4、Ｙ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5、ＺｎＯ、ＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｃｒ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5、ＳｒＯ、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ等が総量で０．００１〜３０重量％程度の範囲で含有されてもよい。また、焼成温度、線膨張率の調整等のため、（ＢａＣａ）ＳｉＯ3ガラス等のガラスが含有されていてもよい。
【００８７】
誘電体層の１層当たりの厚みは特に制限されないが、例えば、０．５〜２０μｍ程度に設定することができる。また、誘電体層の積層数は、通常、２〜３００程度とすることができる。
【００８８】
〔接続電極４１，４１´，４２，４３〕
素子の接合の際には、接合の確実性を担保するために、接続電極用部材（接合部材）が用いられる。特に、制約のある第５の実施の形態を除いて、本発明で用いられる接続電極の部材は、導電材としてＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ等の金属の少なくとも１種、あるいは、これらの合金を使用することができる。また、接続部材には、導電材の焼結性を向上させること、積層体や抵抗体との接着性を確保することを目的として、ガラスが含有されてもよい。接続部材の厚みは特に制限されず、例えば、０．５〜３０μｍ、特に５〜２０μｍ程度とすることができる。
【００８９】
〔絶縁体（膜）６０，６０´，６１，６６，６２，６７，６３，６８を構成する絶縁部材〕
第５の実施の形態の酸化膜６３を除いて、本発明における絶縁体（膜）を構成する絶縁部材は、従来から複合電子部品に使用されるような絶縁材料を使用して形成することができる。例えば、外部電極や接続部材の導電材との焼結性、接着性を確保するために、ガラス、樹脂、低温焼成セラミック材料などを選択することができる。使用するガラスの組成は、特に制限する必要はなく、必要とする絶縁特性を考慮して適宜設定することができる。
【００９０】
複合電子部品の製造方法
次に、複合電子部品の一般的製造方法について簡単に説明する。
複合電子部品は、例えば、まず、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法により抵抗体を含むグリーンチップ体を作製して積層体とする（素子本体の形成）。次に、積層体の外部電極側の両端面に、必要に応じて、接続電極、抵抗体、絶縁体、外部電極を印刷、転写、貼り付け等で形成する。しかる後、焼成することにより複合電子部品を製造することができる。
【００９１】
以下、一般に使用されるペーストの組成例について説明しておく。
＜誘電体層用ペースト＞
誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練分散したものを使用することができる。
【００９２】
誘電体原料の組成は、製造する複合電子部品の用途を考慮して適宜選択することができる。例えば、チタン酸系複合酸化物としてチタン酸バリウムを使用する場合、水熱合成法等により合成したＢａＴｉＯ3に、副成分原料を混合する方法を用いることができる。また、ＢａＣＯ3とＴｉＯ2と副成分との混合物を仮焼成して固相反応させる乾式合成法を用いてもよく、水熱合成法を用いてもよい。また、共沈法、ゾル・ゲル法、アルカリ加水分解法、沈殿混合法等により得た沈殿物と副成分原料との混合物を仮焼成して合成してもよい。尚、副成分原料には、酸化物や、焼成により酸化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等の少なくとも１種を用いることができる。
【００９３】
誘電体原料の平均粒径は、目的とする誘電体層の平均結晶粒径に応じて決定することができ、通常、平均粒径０．１〜５μｍ程度の粉末を使用する。また、誘電体層用ペースト中の誘電体原料の含有量は、通常、３０〜８０重量％程度とする。
【００９４】
誘電体層用ペーストに使用する有機ビヒクルは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。バインダとしては、例えば、エチルセルロース、ポリビニルブチラールとメタクリル酸エステルとの共重合体、アクリル酸エステル系共重合体等の公知の樹脂バインダを使用することができる。また、バインダを溶解するための有機溶剤として、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の有機溶剤を使用することができる。このようなバインダや有機溶剤の誘電体層用ペースト中の含有量は特に制限はなく、通常、バインダは１〜５重量％程度、有機溶剤は１０〜５０重量％程度とすることができる。
【００９５】
＜内部電極層用ペースト＞
内部電極層用ペーストは、上述の各種導電性金属や合金、あるいは、焼成後に上述のような導電材となる各種酸化物、有機金属化合物等と、上記のような有機ビヒクルとを混練分散して調製する。
【００９６】
＜外部電極用ペースト＞
外部電極用ペーストは、導電材としてＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ等の金属の少なくとも１種、あるいは、これらの合金を使用し、上記の内部電極層用ペーストと同様にして調製する。
【００９７】
上述の各種ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択された添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。
【００９８】
＜抵抗体用ペースト＞
抵抗体用ペーストは、上述の各種導電性酸化物および絶縁性酸化物と、上記のような有機ビヒクルとを混練分散して調製する。
【００９９】
＜絶縁部材用ペースト＞
絶縁部材用ペーストは、上述の各種絶縁性材料と、上記のような有機ビヒクルとを混練分散して調製する。ペーストの代わりに、絶縁基板をそのまま用いることもできる。
【０１００】
＜接続電極用ペースト＞
接続電極用ペーストは、上記接続電極用部材と、上記のような有機ビヒクルとを混練分散して調製する。
【０１０１】
［グリーンチップ体（素子本体）の作製］
印刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを、ポリエチレンテレフタレート等の支持体上に積層印刷する。このとき、第１および第２の内部電極層は、それぞれ各実施の形態に示されているように、誘電体層用ペーストの外枠に対して所定の形態が得られるように印刷する。順次積層印刷した後、所定形状に切断してチップ化し、支持体から剥離してグリーンチップ体とする。
【０１０２】
また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを用いて上記と同様に印刷したものを積層し、所定形状に切断して、グリーンチップ体とする。
【０１０３】
［脱バインダ処理工程］
上記のようにして作製されたグリーンチップ体は、焼成前に脱バインダ処理が施されることが好ましい。この脱バインダ処理の条件は、使用した材料等を考慮して適宜設定することができ、例えば、内部電極層の導電材にＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、特に下記の条件で行うことが好ましい。
【０１０４】
脱バインダ処理条件
昇温速度 ：５〜３００℃／時間、特に１０〜１００℃／時間
保持温度 ：２００〜４００℃、特に２５０〜３００℃
温度保持時間：０．５〜２４時間、特に５〜２０時間
雰囲気 ：空気中
【０１０５】
[焼成工程]
グリーンチップ体の焼成は、誘電体用ペースト中の誘電体原料、内部電極層用ペースト中の電極材料の種類等を考慮して適宜設定することができ、例えば、内部電極層の導電材にＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気はＮ2を主成分とし、Ｈ2含有量が１〜１０容量％、１０〜３５℃における水蒸気圧によって得られるＨ2Ｏガスを混合したものが好ましい。そして、酸素分圧は、１０-3〜１０-8Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が上記範囲未満であると、内部電極層の導電材が異常焼結を起こし、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧が上記範囲を超えると、内部電極層が酸化することがある。
【０１０６】
焼成時の温度は、１１００〜１４００℃、特に１２００〜１３００℃とすることが好ましい。保持温度が１１００℃未満であると緻密化が不十分であり、１４００℃を超えると内部電極層が途切れ易くなる。また、焼成時の温度保持時間は、０．５〜８時間、特に１〜３時間が好ましい。
【０１０７】
［アニール工程］
還元雰囲気で焼成した場合、積層体にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これにより絶縁抵抗の加速寿命を著しく長くすることができる。
【０１０８】
アニール雰囲気の酸素分圧は、１０-3Ｐａ以上、特に１０-3〜１０-1Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が上記範囲未満であると、誘電体層の再酸化が困難であり、また、酸素分圧が上記範囲を超えると、内部電極層が酸化することがある。
【０１０９】
アニールの保持温度は、１１００℃以下、特に５００〜１０００℃とすることが好ましい。保持温度が５００℃未満であると誘電体層の再酸化が不十分となり、絶縁抵抗の加速寿命が短くなり、１１００℃を超えると内部電極層が酸化し、静電容量が低下するだけでなく、誘電体素地と反応し、加速寿命も短くなる。尚、アニール工程は昇温および降温だけから構成してもよい。この場合、温度保持時間をとる必要はなく、保持温度は最高温度と同義である。また、温度保持時間は、０〜２０時間、特に２〜１０時間が好ましい。雰囲気ガスにはＮ2と加湿したＨ2ガスを用いることが好ましい。
【０１１０】
尚、上述の脱バインダ処理、焼成、および、アニールの各工程において、Ｎ2、Ｈ2や混合ガス等を加湿するには、例えば、ウエッター等を使用することができる。この場合の水温は、５〜７５℃程度が好ましい。
【０１１１】
脱バインダ処理、焼成、および、アニールの各工程は、連続して行っても、独立して行ってもよい。これらの工程を連続して行う場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の保持温度まで昇温して焼成を行い、次いで、冷却し、アニール工程での保持温度に達したときに雰囲気を変更してアニールを行うことが好ましい。
【０１１２】
また、これらの工程を独立して行う場合、脱バインダ処理工程は、所定の保持温度まで昇温し、所定時間保持した後、室温にまで降温する。その際、脱バインダ雰囲気は、連続して行う場合と同様なものとする。さらに、アニール工程は、所定の保持温度にまで昇温し、所定時間保持した後、室温にまで降温する。その際のアニール雰囲気は、連続して行う場合と同様とする。また、脱バインダ工程と、焼成工程とを連続して行い、アニール工程だけを独立して行うようにしてもよく、あるいは、脱バインダ工程だけを独立して行い、焼成工程とアニール工程を連続して行ってもよい。
【０１１３】
[接続電極の形成]
必要に応じて積層体の外部電極側の片側端面に露出している内部電極層の突出部や接続部を接続するように接続電極用ペーストを印刷あるいは転写後、焼成して、接続電極を形成する。
【０１１４】
[抵抗体の形成]
抵抗体用ペーストを印刷あるいは転写後、焼成して、抵抗体（膜）を形成する。
【０１１５】
[絶縁体（膜）の形成]
絶縁部材（絶縁膜）用ペーストを印刷あるいは転写後、焼成して、絶縁膜を形成する。絶縁性を高めるために、必要に応じて絶縁基板をそのまま使用してもよい。
【０１１６】
[外部電極形成]
上記のように作製したチップ体（積層体）の対向する両端面側に外部電極用ペーストを印刷あるいは転写する。その後、焼成して、外部電極電極を形成する。外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、Ｎ2とＨ2の混合ガス等の還元性雰囲気中で６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程度とすることが好ましい。
このように製造される本発明の複合電子部品は、必要に応じてリード線が設けられ、ハンダ付け等によりプリント基板上等に実装され使用される。
【０１１７】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明の複合電子部品は、素子の外部電極側に抵抗体を有する複合電子部品であって、従来開示のタイプのものに比べて、耐電圧性が格段と向上させることができるという優れた効果が発現する。さらに、実質的な抵抗作用をする抵抗体の長さを製造段階で容易に変えることができ、抵抗の調整が容易に行なえるという優れた効果が発現する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の複合電子部品の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図２は図１に示される素子本体の要部を分解して表した概略斜視図である。
【図３】図３は第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造の形成を経時的に説明するための素子本体の概略斜視図である。
【図４】図４は第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造の形成を経時的に説明するための素子本体の概略斜視図である。
【図５】図５は第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造の形成を経時的に説明するための素子本体の概略斜視図である。
【図６】図６は第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造の形成を経時的に説明するための素子本体の概略斜視図である。
【図７】図７は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面（断面図）である。
【図８】図８は本発明の複合電子部品の一実施形態を示す斜視図である。
【図９】図９は図８に示される素子本体の要部を分解して表した概略斜視図である。
【図１０】図１０は本発明における第１および第２外部電極側の内部の所定構造をそれぞれ説明するための図面（断面図）である。
【図１１】図１１は本発明の複合電子部品の一実施形態を示す斜視図である。
【図１２】図１２は図１１に示される素子本体の要部を分解して表した概略斜視図である。
【図１３】図１３は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面（断面図）である。
【図１４】図１４は本発明の複合電子部品の一実施形態を示す斜視図である。
【図１５】図１５は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面（断面図）である。
【図１６】図１６は本発明の複合電子部品の一実施形態を示す斜視図である。
【図１７】図１７は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面（断面図）である。
【図１８】図１８は本実施の形態における接続電極および絶縁体の形成を説明するための素子本体の概略斜視図である。
【図１９】図１９は本実施の形態における接続電極および絶縁体の形成を説明するための素子本体の概略斜視図である。
【符号の説明】
１，２，３，４，５…複合電子部品
７…誘電体層
１１，１５…外部電極
２０…素子本体
２１，２３，２５，２６，２８…内部電極層
４１，４１´，４２，４３…接続電極
５０，５１，５２，５３…抵抗体
６０，６０´，６１，６６，６２，６７，６３，６８…絶縁体（膜）
【発明の属する技術分野】
本発明は複合電子部品に係り、特に積層セラミックコンデンサの素子本体内部に抵抗体を付加した複合電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】
特開平５−２８３２８３号公報
【０００３】
コンデンサ、インダクタ、サーミスタ、バリスタ等の積層セラミック電子部品は、体積が小さいこと、堅牢性および信頼性が高いことなどから、各種の電子機器に使用されており、電子機器の小型化に伴い、さらなる小型化、高性能化が求められている。
【０００４】
このような積層セラミック電子部品のうち、例えば、積層セラミックコンデンサは、通常、誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層体と、この積層体の対向する側面に設けられた一対の外部電極を備えるような構造である。このような積層セラミックコンデンサは、例えば、出力平滑化回路を構成する平滑用コンデンサとして用いられている。
【０００５】
しかし、積層セラミックコンデンサは、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が非常に低く、回路内の信号がループし発振現象が生じ、その結果、ノイズを生じるという問題がある。すなわち、平滑用コンデンサとしてＥＳＲの低い積層セラミックコンデンサを使用した場合、２次側平滑回路が等価的にＬとＣ成分のみで構成されてしまい、回路内に存在する位相成分が±９０°および０°のみとなり、位相の余裕がなくなり容易に発振してしまう。
【０００６】
このため、積層セラミックコンデンサに抵抗成分を付加してＥＳＲを高めた複合電子部品（ＣＲ複合素子）が種々提案されている。例えば、特開平５−２８３２８３号公報（特許文献１）には、内部電極層を有するチップ状セラミック誘電体の両端部に内部電極層に電気的に接続させて抵抗層を設け、この抵抗層の表面に外部電極層を設けたＣＲ複合素子、すなわち、抵抗成分を積層セラミックコンデンサの外部電極内に形成したＣＲ複合素子が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来の複合電子部品（特許文献１）に設けられた抵抗層の構造では、抵抗体の実質的な厚みが５μｍ程度と薄いため、素子に電圧を印加した時に抵抗値の変動がおき、耐電圧性が十分とは言えない。また、仮に、抵抗体の実質的な厚みを増大させたとしても、従来の構造では、局部的に抵抗体厚みの小さいところが存在するおそれがあり、やはり耐電圧性が十分とは言えない。
【０００８】
このような実状の基に、本発明は創案されたものであって、その目的は、素子の外部電極側に抵抗体を有する複合電子部品であって、従来開示のタイプのものに比べて、耐電圧性が格段と向上させることができる複合電子部品を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明は、素子本体と、素子本体の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極および第２外部電極と、抵抗体とを有する複合電子部品の製造方法であって、該方法は、誘電体層を介して第１内部電極層と第２内部電極層とが交互に積層されたキャパシタ構成部分を備える素子本体を作製するための工程であって、積層される前記第１内部電極層は、卑金属からなるとともに、前記第１外部電極側に露出する接続部を有するように形成されており、積層される前記第２内部電極層は、前記第２外部電極側に露出する接続部を有し、当該接続部は、第２外部電極に接続されるように形成されている素子本体形成工程と、前記第１外部電極側に露出する前記第１内部電極層の接続部の一部分を被覆・接続するように貴金属からなる接続電極を形成する接続電極形成工程と、前記接続電極によって被覆・接続されていない前記第１内部電極層の残余の接続部を酸化処理して絶縁膜である第１絶縁体を形成する第１絶縁体形成工程と、実質的に前記第１絶縁体の上に抵抗体を形成するとともに、当該抵抗体の一端は、前記接続電極の一部分と接続されるように形成される抵抗体形成工程と、前記抵抗体の他端の一部分を残して実質的に前記抵抗体を覆うように第２絶縁体を形成する第２絶縁体形成工程と、前記抵抗体の他端の一部分が前記第１外部電極と接続されてなるよう第１外部電極を形成する第１外部電極形成工程と、を有してなるように構成される。
【００１０】
本発明の複合電子部品の製造方法は、前記第１外部電極と接続される抵抗体の一部分から前記抵抗体が前記接続電極に接する部分までの抵抗体の距離仕様を定めることにより、抵抗の調整がなされるように構成される。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
〔第１の実施の形態の説明〕
本発明の第１の実施の形態について、図１〜図７を参照しつつ説明する。
【００１８】
図１は本発明の複合電子部品１の一実施形態を示す斜視図であり、図２は図１に示される素子本体２０（積層体２０）の要部を分解して表した概略斜視図である。図３〜図６はそれぞれ第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造の形成を経時的に説明するための素子本体の概略斜視図である。図７は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面であって、図１のＡ−Ａ方向矢視断面相当図である（図２のＡ−Ａ方向を参照）。
【００１９】
図１に示されるように、本発明の複合電子部品１は、図面上で略直方体形状に示されている素子本体２０と、素子本体２０の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極１１および第２外部電極１５とを有している。素子本体２０の大きさは、例えば、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜２．５ｍｍ）程度とすることができる。
【００２０】
素子本体２０は、図２に示されるように誘電体層７と内部電極層２１、２５とが交互に積層されたキャパシタ構成部分（Ｃ）とを備えている。
【００２１】
本発明における内部電極層２１、２５は、誘電体層７を介して交互に積層された第１内部電極層２１と第２内部電極層２５から構成されている。図２において、誘電体層７と第１内部電極層２１を有するシート体７１と、誘電体層７と第２内部電極層２５を有するシート体７５は、互いに順次繰り返し多層に積層されている。
【００２２】
積層される第１内部電極層２１は、図２に示されるように前記第１外部電極１１側に露出する突出部２１ａを有している。図２に示されるごとく第１内部電極層２１は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は突出部２１ａのみ（より正確には突出部の端部のみ）である。
【００２３】
この一方で、積層される第２内部電極層２５は、図２に示されるように第２外部電極１５側に露出する接続部２５ａを有し、この接続部２５ａは第２外部電極１５に接続されている。図２に示されるごとく第２内部電極層２５は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は接続部２５ａ（より正確には接続部２５ａの端部のみ）である。
【００２４】
このような本発明の第１の実施の形態では、第１外部電極内に抵抗体が形成されている。以下、第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造の形成を図３〜図６に基づき経時的に説明する。
【００２５】
本発明において、図２に示される前記第１内部電極層２１の突出部２１ａは、積層された後、図３に示されるように素子本体の片側端面にその接続端がほぼ同じ縦方向の所定幅域内に出現する。そして、これらの第１内部電極層２１の突出部２１ａは、図４に示されるように、これらの上に形成された接続電極４１によって、一体的に覆われ、接続される。接続電極４１の幅は、第１内部電極層２１の突出部２１ａの幅よりも図面上大きく描かれているが、これらの関係は特に限定されるものではなく、略同程度の幅とすれば十分である。
【００２６】
次いで、図５に示されるように接続電極４１は、さらに抵抗体（膜）５０により被覆される。図面では、接続電極４１の一部を残して抵抗体５０を形成するようにしているが、接続電極４１を完全に覆うようにしてもよい。このような抵抗体５０は、素子本体２０の端面の接続電極４１から広く空いたエリアに向けて（図４の右方向）形成される。
【００２７】
次いで、図６に示されるように抵抗体（膜）５０の上には、絶縁膜６０が形成され、この絶縁膜６０は、前記抵抗体５０の一部分５０ａを残してほぼ全体の抵抗体を覆うと伴に、前記接続電極４１をも完全に覆うように形成されている。抵抗体（膜）５０は、誘電体層７と絶縁膜６０とで挟まれた形態となっている。
次いで、図７に示されるごとくこれらの積層物を完全に覆うように第１外部電極１１が形成される。そして、絶縁膜６０により絶縁がなされていない抵抗体５０の一部分５０ａが第１外部電極１１と接続される。図７に示されるように第１外部電極１１と抵抗体５０との電気的接合は、抵抗体５０の一部分５０ａから開始される。そして、抵抗体５０の抵抗作用は接続電極４１との接合位置にまで至り、この間の距離が抵抗体厚さに相当するために、耐電圧性は格段と向上する。また、抵抗体５０の長さ（図７の横方向）を一定としてこの上に形成される絶縁膜６０の長さを変えることにより、実質的な抵抗作用をする抵抗体５０の長さを変えることができ、抵抗の調整をすることが可能となる。あるいは、抵抗体５０の長さそのものを変えても抵抗の調整をすることが可能となる。
【００２８】
このような構成のもとに、第１外部電極１１と第２外部電極１５との端子間において、第１外部電極１１と前記接続電極４１との間で実質的な抵抗体（層）５０による抵抗体構成部分（Ｒ）が構成され、前記接続電極４１と第２外部電極１５との間で実質的なキャパシタ構成部分（Ｃ）が構成される。
【００２９】
〔第２の実施の形態の説明〕
本発明の第２の実施の形態について、図８〜図１０を参照しつつ説明する。第２の実施の形態が前記第１の実施の形態と異なる点は、両外部電極にそれぞれ抵抗体を備えている点にある。
【００３０】
図８は本発明の複合電子部品２の一実施形態を示す斜視図であり、図９は図８に示される素子本体２０（積層体２０）の要部を分解して表した概略斜視図である。図１０は本発明における第１および第２外部電極側の内部の所定構造をそれぞれ説明するための図面であって、図８のＡ−Ａ方向矢視断面相当図である（図９のＡ−Ａ方向を参照）。さらに、図１０においては、その図面上の上部および下部で積層構成を１層ずらして内部電極２１および２６の双方が表示できるようにしてある。
【００３１】
図８に示されるように、本発明の複合電子部品２は、図面上で略直方体形状に示されている素子本体２０と、素子本体２０の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極１１および第２外部電極１５とを有している。素子本体２０の大きさは、例えば、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜２．５ｍｍ）程度とすることができる。
【００３２】
素子本体２０は、図９に示されるように誘電体層７と内部電極層２１、２６とが交互に積層されたキャパシタ構成部分（Ｃ）とを備えている。
【００３３】
本発明における内部電極層２１、２６は、誘電体層７を介して交互に積層された第１内部電極層２１と第２内部電極層２６から構成されている。図９において、誘電体層７と第１内部電極層２１を有するシート体７１と、誘電体層７と第２内部電極層２６を有するシート体７６は、互いに順次繰り返し多層に積層されている。
【００３４】
積層される第１内部電極層２１は、図９に示されるように前記第１外部電極１１側に露出する第１突出部２１ａを有している。図９に示されるごとく第１内部電極層２１は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は第１突出部２１ａのみ（より正確には突出部の端部のみ）である。
【００３５】
この一方で、積層される第２内部電極層２６は、図９に示されるように第２外部電極１５側に露出する第２突出部２６ａを有し、この第２突出部２６ａは第２外部電極１５に接続されている。図９に示されるごとく第２内部電極層２６は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は第２突出部２６ａのみ（より正確には第２突出部２６ａの端部のみ）である。
【００３６】
このような本発明の第２の実施の形態では、第１外部電極１１内および第２外部電極１５内に、それぞれ第１抵抗体および第２抵抗体が形成されている。第１外部電極１１側の第１抵抗体を含む所定構造の形成、および第２外部電極１５側の第２抵抗体を含む所定構造の形成、はそれぞれ前記第１の実施形態のところでのべた形成方法（図３〜図７参照）と実質的に同じであるのでここでの説明は省略する。
【００３７】
所定の第１および第２抵抗体５０，５０´がそれぞれ各外部電極１１，１５に形成された状態が図１０に示されている。
【００３８】
すなわち、第１外部電極側において、第１接続電極４１は、第１外部電極側に露出する第１内部電極層２１の第１突出部２１ａを被覆・接続するように形成されており、第１抵抗体５０は、第１接続電極４１に接するとともに、素子本体の前記第１外部電極１１側に形成されており、第１絶縁体６０は、第１抵抗体５０の一部分５０ａを残して第１抵抗体５０を覆うと伴に、第１接続電極４１を覆い、第１抵抗体の一部分５０ａが第１外部電極１１と接続されるように構成されている。同様に、第２外部電極側において、第２接続電極４１´は、第２外部電極側に露出する第２内部電極層２６の第１突出部２６ａを被覆・接続するように形成されており、第２抵抗体５０´は、第２接続電極４１´に接するとともに、素子本体の前記第２外部電極１５側に形成されており、第２絶縁体６０´は、第２抵抗体５０´の一部分５０´ａを残して第２抵抗体５０´を覆うと伴に、第２接続電極４１´を覆い、第２抵抗体の一部分５０´ａが第２外部電極１５と接続されるように構成されている。第１抵抗体（膜）５０は、誘電体層７と第１絶縁体６０とで挟まれた形態となっており、第２抵抗体（膜）５０´は、誘電体層７と第２絶縁体６０´とで挟まれた形態となっている。
【００３９】
図１０に示されるように第１外部電極１１と第１抵抗体５０との電気的接合は、第１抵抗体５０の一部分５０ａから開始される。同様に、第２外部電極１５と第２抵抗体５０´との電気的接合も、第２抵抗体５０´の一部分５０´ａから開始される。そして、これら抵抗体５０（５０´）の抵抗作用は接続電極４１（４１´）との接合位置にまで至り、この間の距離が抵抗体厚さに相当するために、耐電圧性は格段と向上する。また、抵抗体５０（５０´）の長さ（図１０の横方向）を一定としてこの上に形成される絶縁膜６０（６０´）の長さを変えることにより、実質的な抵抗作用をする抵抗体５０（５０´）の長さを変えることができ、抵抗の調整をすることが可能となる。あるいは、抵抗体５０（５０´）の長さそのものを変えても抵抗の調整をすることが可能となる。
【００４０】
このような構成のもとに、第１外部電極１１と第２外部電極１５との端子間において、第１外部電極１１と前記第１接続電極４１との間で実質的な抵抗体（層）５０による抵抗体構成部分（Ｒ）が構成され、第１接続電極４１と第２接続電極４１´との間で実質的なキャパシタ構成部分（Ｃ）が構成され、さらに、第２接続電極４１´と第２外部電極１５との間で実質的な抵抗体（層）５０´による抵抗体構成部分（Ｒ´）が構成される。
【００４１】
〔第３の実施の形態の説明〕
本発明の第３の実施の形態について、図１１〜図１３を参照しつつ説明する。
【００４２】
図１１は本発明の複合電子部品３の一実施形態を示す斜視図であり、図１２は図１１に示される素子本体２０（積層体２０）の要部を分解して表した概略斜視図である。図１３は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面であって、図１１のＡ−Ａ方向矢視断面相当図である。
【００４３】
図１１に示されるように、本発明の複合電子部品３は、図面上で略直方体形状に示されている素子本体２０と、素子本体２０の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極１１および第２外部電極１５とを有している。素子本体２０の大きさは、例えば、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜２．５ｍｍ）程度とすることができる。
【００４４】
素子本体２０は、図１２に示されるように誘電体層７と内部電極層２３、２８とが交互に積層されたキャパシタ構成部分（Ｃ）とを備えている。
【００４５】
本発明における内部電極層２３、２８は、誘電体層７を介して交互に積層された第１内部電極層２３と第２内部電極層２８から構成されている。図１２において、誘電体層７と第１内部電極層２３を有するシート体７３と、誘電体層７と第２内部電極層２８を有するシート体７８は、互いに順次繰り返し多層に積層されている。
【００４６】
積層される第１内部電極層２３は、図１２に示されるように前記第１外部電極１１側に露出する接続部２３ａを有している。図１２に示されるごとく第１内部電極層２３は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は接続部２３ａのみ（より正確には接続部の端部のみ）である。
【００４７】
この一方で、積層される第２内部電極層２８は、図１２に示されるように第２外部電極１５側に露出する接続部２８ａを有し、この接続部２８ａは第２外部電極１５に接続されている。図１２に示されるごとく第２内部電極層２８は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は接続部２８ａ（より正確には接続部２８ａの端部のみ）である。
【００４８】
このような本発明の第３の実施の形態では、第１外部電極内に抵抗体が形成されている。以下、第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造について図１３に基づき説明する。
【００４９】
図１３に示される第１内部電極層２３の第１外部電極側の接続部２３ａは、積層された後、図１３の矢印Ｂ方向から見た場合、接続部２３ａの接続端面が図面の横線として現われ、この横線が縦方向に順次並んで出現している。そして、これらの第１内部電極層２３の接続部２３ａの端面を一体的に覆うように接続電極４２が形成される。図示のごとく接続電極４２の幅は、誘電体膜７の幅と同程度とされる。これによって、第１内部電極層２３と接続電極４２の電気的接合がなされる。
【００５０】
ついで、このような接続電極４２の上に第１絶縁体６１が形成される。この第１絶縁体６１は、接続電極４２の一部分４２ａを残して、接続電極４２に被着されている。被着されない接続電極４２の一部分４２ａとは反対側に位置する接続電極４２の端面４２ｂは、第１外部電極１１との導通を避けるために、第１絶縁体６１により絶縁される。接続電極４２の端面４２ｂのみ、第１絶縁体６１とは別の新たな絶縁膜を形成して絶縁することも可能であるが、作業工程等を減らして効率化を図るという観点からすれば、図１３に示されるごとく第１絶縁体６１により一体的に所定範囲の絶縁を図ることが望ましい。この場合、安定かつ信頼性の高い絶縁を得るためには、第１絶縁体６１は、予め所定の形状に成形されたアルミナ基板やガラス基板等のセラミック基板を用いることが好ましい。これらのものは、通常、接着材を介して固着される。このような基板に変えて、低温焼成により絶縁膜（基板）となる焼成タイプの絶縁材料を用いることも好ましい態様である。具体的には、ガラス、低温焼成セラミック等のペーストが用いられる。形成方法は、絶縁部材用ペーストを印刷あるいは転写等の方法で塗設後、焼成して形成すればよい。
【００５１】
このような第１絶縁体６１の上には、さらに抵抗体（膜）５１が形成される。本発明における形態の抵抗体（膜）５１は、前記第１絶縁体６１で絶縁されていない接続電極４２の一部分４２ａと接続されるとともに、大部分が前記第１絶縁体６１の上に被着形成されている。すなわち、抵抗体（膜）５１は、素子本体２０の端面の前記第１絶縁体６１で絶縁されていない接続電極４２の一部分４２ａから、図１３の右方向の広く空いたエリアに向けて第１絶縁体６１の大部分を覆うように形成されている。
【００５２】
このような抵抗体（膜）５０の上には、第２絶縁体６６が形成される。この第２絶縁体６６は、前記抵抗体（膜）５１の一部分５１ａを残してほぼ全体の抵抗体５１を覆うと伴に、前記接続電極４２の一部分４２ａをも完全に覆うように形成され、絶縁機能を発揮している。もちろん、接続電極４２の端部４２ｃも第２絶縁体６６により覆われ絶縁される。第２絶縁体６６は、いわゆるペーストタイプの絶縁材料を塗設後、焼成して形成することが好ましい。塗設対象の複雑な形態に柔軟に対応することができるからである。
【００５３】
この上に図１３に示されるように第１外部電極１１が形成される。そして、第１絶縁体６１および第２絶縁体６６に挟まれるように形成された抵抗体（膜）５１は、その片端５１ａ（第２絶縁体６６により絶縁がなされていない抵抗体５１の一部分５１ａ）が第１外部電極１１と接続される。これにより第１外部電極１１と抵抗体５１との電気的接合は、抵抗体５１の一部分５１ａから開始される。そして、抵抗体５１の抵抗作用は接続電極４２との接合位置（符号４２ａの箇所で電気的に接合）にまで至り、この間の距離が抵抗体厚さに相当するために、耐電圧性は格段と向上する。また、抵抗体５１の長さ（図１３の横方向）を一定としてこの上に形成される第２絶縁体６６の被着長さを変えることにより、実質的な抵抗作用をする抵抗体５１の長さを変えることができ、抵抗の調整をすることが可能となる。あるいは、抵抗体５１の長さそのものを変えても抵抗の調整をすることが可能となる。
【００５４】
このような構成のもとに、第１外部電極１１と第２外部電極１５との端子間において、第１外部電極１１と前記接続電極４２（４２ａ）との間で実質的な抵抗体（層）５１による抵抗体構成部分（Ｒ）が構成され、前記接続電極４２と第２外部電極１５との間で実質的なキャパシタ構成部分（Ｃ）が構成される。
【００５５】
〔第４の実施の形態の説明〕
本発明の第４の実施の形態について、図１４および図１５を参照しつつ説明する。
【００５６】
図１４は本発明の複合電子部品４の一実施形態を示す斜視図であり、図１５は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面であって、図１４のＡ−Ａ方向矢視断面相当図である。
【００５７】
図１４に示されるように、本発明の複合電子部品４は、図面上で略直方体形状に示されている素子本体２０と、素子本体２０の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極１１および第２外部電極１５とを有している。素子本体２０の大きさは、例えば、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜２．５ｍｍ）程度とすることができる。
【００５８】
素子本体２０は、誘電体層７と内部電極層２３、２８とが交互に積層されたキャパシタ構成部分（Ｃ）とを備えおり、その形態は、前記第３の実施の形態の説明で述べた素子本体２０と同じ構造（詳細は図１２）であるため、ここでの説明は省略する。
【００５９】
このような本発明の第４の実施の形態では、第１外部電極内に抵抗体が形成されている。以下、第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造について図１５に基づき説明する。
【００６０】
図１５に示される第１内部電極層２３の第１外部電極側の接続部２３ａは、積層された後、図１４の矢印Ｂ方向から見た場合、接続部２３ａの接続端面が図面の横線として現われ、この横線が縦方向に順次並んで出現している。そして、これらの第１内部電極層２３の接続部２３ａの端面を一体的に覆うように接続電極４２が形成される。図示のごとく接続電極４２の幅は、誘電体膜７の幅と同程度とされる。これによって、第１内部電極層２３と接続電極４２の電気的接合がなされる。
【００６１】
ついで、このような接続電極４２の上に第１絶縁体６２が形成される。この第１絶縁体６２は、接続電極４２の一部分４２ａを残して、接続電極４２に被着されている。本実施の形態において、被着されない接続電極４２の一部分４２ａと反対側に位置する接続電極４２の端面４２ｂは、第１外部電極１１との導通を避けるために、別の新たな絶縁膜６９を形成して絶縁されている。
【００６２】
本実施の形態として、安定かつ信頼性の高い絶縁を得るためには、第１絶縁体６１は、予め所定の形状に成形されたアルミナ基板やガラス基板等のセラミック基板が用いられている。厚さは、通常、１０〜６００μｍ程度である。このものは、通常、接着材を介して固着される。
【００６３】
このような第１絶縁体６２の上には、さらに抵抗体（膜）５２が形成される。本発明における形態の抵抗体（膜）５２は、前記第１絶縁体６２で絶縁されていない接続電極４２の一部分４２ａと接続されるとともに、大部分が前記第１絶縁体６２の上に被着形成されている。すなわち、抵抗体（膜）５２は、素子本体２０の端面の前記第１絶縁体６２で絶縁されていない接続電極４２の一部分４２ａから、図１５の右方向の広く空いたエリアに向けて第１絶縁体６２の大部分を覆うように形成されている。本実施の形態における抵抗体（膜）５２は、接続電極４２の他方の端面４２ｃも覆い、ここでも電気的な接合が図られている。
【００６４】
このような抵抗体（膜）５２の上には、第２絶縁体６７が形成される。この第２絶縁体６７は、前記抵抗体（膜）５２の一部分５２ａのみを残して全体の抵抗体５２を完全に覆うように形成され、絶縁機能を発揮している。第２絶縁体６７は、いわゆるペーストタイプの絶縁材料を塗設後、焼成して形成することが好ましい。塗設対象の複雑な形態に柔軟に対応することができるからである。
【００６５】
この上に図１５に示されるように第１外部電極１１が形成される。そして、第１絶縁体６２および第２絶縁体６７に挟まれるように形成された抵抗体（膜）５２は、その片端５２ａ（第２絶縁体６７により絶縁がなされていない抵抗体５２の一部分５２ａ）が第１外部電極１１と接続される。これにより第１外部電極１１と抵抗体５２との電気的接合は、抵抗体５２の一部分５２ａから開始される。そして、抵抗体５２の抵抗作用は接続電極４２との接合位置（符号４２ａの箇所で電気的に接合）にまで至り、この間の距離が抵抗体厚さに相当するために、耐電圧性は格段と向上する。また、抵抗体５２の長さ（図１５の横方向）を一定としてこの上に形成される第２絶縁体６７の被着長さを変えることにより、実質的な抵抗作用をする抵抗体５２の長さを変えることができ、抵抗の調整をすることが可能となる。あるいは、抵抗体５２の長さそのものを変えても抵抗の調整をすることが可能となる。
【００６６】
このような構成のもとに、第１外部電極１１と第２外部電極１５との端子間において、第１外部電極１１と前記接続電極４２（４２ａ）との間で実質的な抵抗体（層）５２による抵抗体構成部分（Ｒ）が構成され、前記接続電極４２と第２外部電極１５との間で実質的なキャパシタ構成部分（Ｃ）が構成される。
【００６７】
〔第５の実施の形態の説明〕
本発明の第５の実施の形態について、図１６〜図１９を参照しつつ説明する。
【００６８】
図１６は本発明の複合電子部品５の一実施形態を示す斜視図であり、図１７は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面であって、図１６のＡ−Ａ方向矢視断面相当図である。図１８および図１９は、本実施の形態における接続電極および絶縁体の形成を説明するための素子本体の概略斜視図である。
【００６９】
図１６に示されるように、本発明の複合電子部品５は、図面上で略直方体形状に示されている素子本体２０と、素子本体２０の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極１１および第２外部電極１５とを有している。素子本体２０の大きさは、例えば、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜２．５ｍｍ）程度とすることができる。
【００７０】
素子本体２０は、誘電体層７と内部電極層２３、２８とが交互に積層されたキャパシタ構成部分（Ｃ）とを備えおり、その形態は、前記第３の実施の形態の説明で述べた素子本体２０と同じ構造（詳細は図１２）であるため、ここでの説明は省略する。
【００７１】
このような本発明の第５の実施の形態では、第１外部電極内に抵抗体が形成されている。以下、第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造について図１７に基づき説明する。
【００７２】
図１７に示される第１内部電極層２３の第１外部電極側の接続部２３ａは、積層された後、図１７の矢印Ｂ方向から見た場合、接続部２３ａの接続端面が図面の横線として現われ、この横線が縦方向に順次並んで出現している。この状況が図１８に理解し易いように示されている。そして、これらの第１内部電極層２３の接続部２３ａを一体的に接続するように接続電極４３が被着形成される。この状況が図１９に理解し易いように示されている。この場合、接続電極４３は、図１７や図１９に示されるように第１内部電極層２３の接続部２３ａの一部を覆うように形成され、覆われていない残余の接続部２３ａ´は、後工程で酸化処理され第１絶縁体６３を構成する。
【００７３】
すなわち、接続電極４３は、第１外部電極１１側に露出する第１内部電極層２３の接続部２３ａの一部分を被覆・接続するように形成されており、第１絶縁体６３は、前記接続電極４３によって被覆・接続されていない第１内部電極層２３の残余の接続部２３ａ´（図１９）を酸化処理して形成された絶縁膜である。第１絶縁体６３（絶縁膜）の形成方法については、後述する。
【００７４】
このような第１絶縁体６３および接続電極４３の上には、抵抗体（膜）５３が被着形成される。すなわち、本発明の実施形態における抵抗体（膜）５３は、接続電極４３の少なくとも一部分４３ａと接続されるとともに、第１絶縁体６３を完全に覆うように形成されている。
【００７５】
このような抵抗体（膜）５３の上には、第２絶縁体６８が形成される。この第２絶縁体６８は、前記抵抗体（膜）５３の一部分５３ａのみを残して全体の抵抗体５３を完全に覆うように、さらには、接続電極４３をも完全に覆うように形成され、絶縁機能を発揮している。第２絶縁体６８は、いわゆるペーストタイプの絶縁材料を塗設後、焼成して形成することが好ましい。塗設対象の複雑な形態に柔軟に対応することができるからである。
【００７６】
この上に図１７に示されるように第１外部電極１１が形成される。そして、第１絶縁体６３および第２絶縁体６８に挟まれるように形成された抵抗体（膜）５３は、その片端５３ａ（第２絶縁体６８により絶縁がなされていない抵抗体５３の一部分５３ａ）が第１外部電極１１と接続される。これにより第１外部電極１１と抵抗体５３との電気的接合は、抵抗体５３の一部分５３ａから開始される。そして、抵抗体５３の抵抗作用は接続電極４３との接合位置（符号４３ａの箇所で電気的に接合）にまで至り、この間の距離が抵抗体厚さに相当するために、耐電圧性は格段と向上する。また、抵抗体５３の長さ（図１７の横方向）を一定としてこの上に形成される第２絶縁体６８の被着長さを変えることにより、実質的な抵抗作用をする抵抗体５３の長さを変えることができ、抵抗の調整をすることが可能となる。あるいは、抵抗体５３の長さそのものを変えても抵抗の調整をすることが可能となる。
【００７７】
このような構成のもとに、第１外部電極１１と第２外部電極１５との端子間において、第１外部電極１１と前記接続電極４３（４３ａ）との間で実質的な抵抗体（層）５３による抵抗体構成部分（Ｒ）が構成され、前記接続電極４３と第２外部電極１５との間で実質的なキャパシタ構成部分（Ｃ）が構成される。
【００７８】
上記第１絶縁体６３形成のための製法要件は以下のとおりである。すなわち、用いる内部電極層２３は、酸化処理により酸化層の形成が可能なように、Ｎｉ、Ｃｕ等の卑金属を主成分として構成される。接続電極４３は、Ａｇ、Ｐｄ等の貴金属を主成分として構成される。そして、まず最初に、図１９に示されるように接続電極４３形成用のペーストを設けた後に、酸素なしの雰囲気下で、焼き付けが行なわれる。これにより、内部電極２３と接続電極４３の接続が行なわれる。この時点では、接続部２３ａ´を含む内部電極層２３の酸化は行なわれていない。しかる後、例えば、抵抗体５３形成用ペーストを設けた後、酸素雰囲気下（例えば、空気中）で抵抗体５３の焼き付けを行い、残余の接続部２３ａ´部分を酸化させる。この酸化処理により、残余の接続部２３ａ´部分は、第１絶縁体６３を構成することになる。第１絶縁体６３の形成は、抵抗体５３形成用ペースト、第２絶縁体６８形成用ペースト、および外部電極１１形成用ペーストを設けた後に、これらを一括して酸素雰囲気下で焼き付けするようにしてもよい。
【００７９】
次に、上述してきた本発明の各複合電子部品を構成する部材について説明する。
【００８０】
〔外部電極１１，１５〕
本発明の複合電子部品を構成する外部電極１１，１５は、導電材としてＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ等の金属の少なくとも１種、あるいは、これらの合金を使用することができる。外部電極の厚みは特に制限されず、例えば、１〜１００μｍ、特に５〜５０μｍ程度とすることができる。
また、外部電極には、導電材の焼結性を向上させること、積層体との接着性を確保することを目的として、ガラスが含有されてもよい。
【００８１】
〔内部電極層２１，２３，２５，２６，２８〕
本発明の複合電子部品を構成する内部電極層に使用される導電材は、第５の実施の形態を除いて特に制限されないが、誘電体層の構成材料に耐還元性を有するものを使用することで、安価な卑金属を用いることができる。導電材として使用する卑金属は、例えば、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ等の１種以上とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。また、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含有されてもよい。内部電極層の厚みは、複合電子部品の用途等に応じて適宜設定することができ、例えば、０．５〜５μｍ、特に０．５〜２．５μｍ程度とすることができる。
【００８２】
〔抵抗体５０，５１，５２，５３〕
本発明の複合電子部品を構成する抵抗体は、導電性酸化物と絶縁性酸化物とを含有する材料で形成される。導電性酸化物は、特に制限されるものではなく、例えば、酸化ルテニウム、酸化ルテニウム化合物、黒鉛の少なくとも１種を含有することが好ましい。酸化ルテニウムとしては、例えば、ＲｕＯ2、Ｂｉ2Ｒｕ2Ｏ7、ＳｒＲｕＯ3、ＣａＲｕＯ3、Ｐｂ2Ｒｕ2Ｏ6、ＢａＲｕＯ3等が挙げられる。また、黒鉛としては、グラファイト・カーボンを使用することができる。
【００８３】
また、絶縁性酸化物は、特に制限されるものではないが、抵抗値の制御および導電材との焼結性、接続部材との接着性を確保するために、ガラスを選択することが好ましい。ガラスの組成は、特に制限する必要はなく、抵抗値の制御の容易性や、必要とする特性を考慮して適宜設定することができる。
【００８４】
また、抵抗値の調整、あるいは、その他の抵抗体に要求される電気特性等を制御するために、抵抗体に金属酸化物を添加することができる。さらに、０．１Ω以下の抵抗を必要とするような場合には、金属と絶縁性酸化物で抵抗体を構成してもよい。
【００８５】
抵抗体における抵抗値の制御は、導電性酸化物と絶縁性酸化物の混合比の調整で行うことができ、また、抵抗体の厚みによっても抵抗値を制御することができる。
【００８６】
〔誘電体層７〕
本発明の複合電子部品を構成する誘電体層に使用する誘電体材料としては、特に制限はなく、種々の誘電体材料を使用することができる。例えば、酸化チタン系、チタン酸系複合酸化物、あるいは、これらの混合物等を使用することができる。酸化チタンとしては、必要に応じてＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｍｎ3Ｏ4、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＳｉＯ2等を総量で０．００１〜３０重量％程度の範囲で含有するＴｉＯ2等が挙げられる。また、チタン酸系複合酸化物としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）等が挙げられる。Ｂａ／Ｔｉの原子比は、０．９５〜１．２０の範囲が好ましく、チタン酸バリウムには、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｍｎ3Ｏ4、Ｙ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5、ＺｎＯ、ＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｃｒ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5、ＳｒＯ、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ等が総量で０．００１〜３０重量％程度の範囲で含有されてもよい。また、焼成温度、線膨張率の調整等のため、（ＢａＣａ）ＳｉＯ3ガラス等のガラスが含有されていてもよい。
【００８７】
誘電体層の１層当たりの厚みは特に制限されないが、例えば、０．５〜２０μｍ程度に設定することができる。また、誘電体層の積層数は、通常、２〜３００程度とすることができる。
【００８８】
〔接続電極４１，４１´，４２，４３〕
素子の接合の際には、接合の確実性を担保するために、接続電極用部材（接合部材）が用いられる。特に、制約のある第５の実施の形態を除いて、本発明で用いられる接続電極の部材は、導電材としてＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ等の金属の少なくとも１種、あるいは、これらの合金を使用することができる。また、接続部材には、導電材の焼結性を向上させること、積層体や抵抗体との接着性を確保することを目的として、ガラスが含有されてもよい。接続部材の厚みは特に制限されず、例えば、０．５〜３０μｍ、特に５〜２０μｍ程度とすることができる。
【００８９】
〔絶縁体（膜）６０，６０´，６１，６６，６２，６７，６３，６８を構成する絶縁部材〕
第５の実施の形態の酸化膜６３を除いて、本発明における絶縁体（膜）を構成する絶縁部材は、従来から複合電子部品に使用されるような絶縁材料を使用して形成することができる。例えば、外部電極や接続部材の導電材との焼結性、接着性を確保するために、ガラス、樹脂、低温焼成セラミック材料などを選択することができる。使用するガラスの組成は、特に制限する必要はなく、必要とする絶縁特性を考慮して適宜設定することができる。
【００９０】
複合電子部品の製造方法
次に、複合電子部品の一般的製造方法について簡単に説明する。
複合電子部品は、例えば、まず、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法により抵抗体を含むグリーンチップ体を作製して積層体とする（素子本体の形成）。次に、積層体の外部電極側の両端面に、必要に応じて、接続電極、抵抗体、絶縁体、外部電極を印刷、転写、貼り付け等で形成する。しかる後、焼成することにより複合電子部品を製造することができる。
【００９１】
以下、一般に使用されるペーストの組成例について説明しておく。
＜誘電体層用ペースト＞
誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練分散したものを使用することができる。
【００９２】
誘電体原料の組成は、製造する複合電子部品の用途を考慮して適宜選択することができる。例えば、チタン酸系複合酸化物としてチタン酸バリウムを使用する場合、水熱合成法等により合成したＢａＴｉＯ3に、副成分原料を混合する方法を用いることができる。また、ＢａＣＯ3とＴｉＯ2と副成分との混合物を仮焼成して固相反応させる乾式合成法を用いてもよく、水熱合成法を用いてもよい。また、共沈法、ゾル・ゲル法、アルカリ加水分解法、沈殿混合法等により得た沈殿物と副成分原料との混合物を仮焼成して合成してもよい。尚、副成分原料には、酸化物や、焼成により酸化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等の少なくとも１種を用いることができる。
【００９３】
誘電体原料の平均粒径は、目的とする誘電体層の平均結晶粒径に応じて決定することができ、通常、平均粒径０．１〜５μｍ程度の粉末を使用する。また、誘電体層用ペースト中の誘電体原料の含有量は、通常、３０〜８０重量％程度とする。
【００９４】
誘電体層用ペーストに使用する有機ビヒクルは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。バインダとしては、例えば、エチルセルロース、ポリビニルブチラールとメタクリル酸エステルとの共重合体、アクリル酸エステル系共重合体等の公知の樹脂バインダを使用することができる。また、バインダを溶解するための有機溶剤として、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の有機溶剤を使用することができる。このようなバインダや有機溶剤の誘電体層用ペースト中の含有量は特に制限はなく、通常、バインダは１〜５重量％程度、有機溶剤は１０〜５０重量％程度とすることができる。
【００９５】
＜内部電極層用ペースト＞
内部電極層用ペーストは、上述の各種導電性金属や合金、あるいは、焼成後に上述のような導電材となる各種酸化物、有機金属化合物等と、上記のような有機ビヒクルとを混練分散して調製する。
【００９６】
＜外部電極用ペースト＞
外部電極用ペーストは、導電材としてＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ等の金属の少なくとも１種、あるいは、これらの合金を使用し、上記の内部電極層用ペーストと同様にして調製する。
【００９７】
上述の各種ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択された添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。
【００９８】
＜抵抗体用ペースト＞
抵抗体用ペーストは、上述の各種導電性酸化物および絶縁性酸化物と、上記のような有機ビヒクルとを混練分散して調製する。
【００９９】
＜絶縁部材用ペースト＞
絶縁部材用ペーストは、上述の各種絶縁性材料と、上記のような有機ビヒクルとを混練分散して調製する。ペーストの代わりに、絶縁基板をそのまま用いることもできる。
【０１００】
＜接続電極用ペースト＞
接続電極用ペーストは、上記接続電極用部材と、上記のような有機ビヒクルとを混練分散して調製する。
【０１０１】
［グリーンチップ体（素子本体）の作製］
印刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを、ポリエチレンテレフタレート等の支持体上に積層印刷する。このとき、第１および第２の内部電極層は、それぞれ各実施の形態に示されているように、誘電体層用ペーストの外枠に対して所定の形態が得られるように印刷する。順次積層印刷した後、所定形状に切断してチップ化し、支持体から剥離してグリーンチップ体とする。
【０１０２】
また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを用いて上記と同様に印刷したものを積層し、所定形状に切断して、グリーンチップ体とする。
【０１０３】
［脱バインダ処理工程］
上記のようにして作製されたグリーンチップ体は、焼成前に脱バインダ処理が施されることが好ましい。この脱バインダ処理の条件は、使用した材料等を考慮して適宜設定することができ、例えば、内部電極層の導電材にＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、特に下記の条件で行うことが好ましい。
【０１０４】
脱バインダ処理条件
昇温速度 ：５〜３００℃／時間、特に１０〜１００℃／時間
保持温度 ：２００〜４００℃、特に２５０〜３００℃
温度保持時間：０．５〜２４時間、特に５〜２０時間
雰囲気 ：空気中
【０１０５】
[焼成工程]
グリーンチップ体の焼成は、誘電体用ペースト中の誘電体原料、内部電極層用ペースト中の電極材料の種類等を考慮して適宜設定することができ、例えば、内部電極層の導電材にＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気はＮ2を主成分とし、Ｈ2含有量が１〜１０容量％、１０〜３５℃における水蒸気圧によって得られるＨ2Ｏガスを混合したものが好ましい。そして、酸素分圧は、１０-3〜１０-8Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が上記範囲未満であると、内部電極層の導電材が異常焼結を起こし、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧が上記範囲を超えると、内部電極層が酸化することがある。
【０１０６】
焼成時の温度は、１１００〜１４００℃、特に１２００〜１３００℃とすることが好ましい。保持温度が１１００℃未満であると緻密化が不十分であり、１４００℃を超えると内部電極層が途切れ易くなる。また、焼成時の温度保持時間は、０．５〜８時間、特に１〜３時間が好ましい。
【０１０７】
［アニール工程］
還元雰囲気で焼成した場合、積層体にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これにより絶縁抵抗の加速寿命を著しく長くすることができる。
【０１０８】
アニール雰囲気の酸素分圧は、１０-3Ｐａ以上、特に１０-3〜１０-1Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が上記範囲未満であると、誘電体層の再酸化が困難であり、また、酸素分圧が上記範囲を超えると、内部電極層が酸化することがある。
【０１０９】
アニールの保持温度は、１１００℃以下、特に５００〜１０００℃とすることが好ましい。保持温度が５００℃未満であると誘電体層の再酸化が不十分となり、絶縁抵抗の加速寿命が短くなり、１１００℃を超えると内部電極層が酸化し、静電容量が低下するだけでなく、誘電体素地と反応し、加速寿命も短くなる。尚、アニール工程は昇温および降温だけから構成してもよい。この場合、温度保持時間をとる必要はなく、保持温度は最高温度と同義である。また、温度保持時間は、０〜２０時間、特に２〜１０時間が好ましい。雰囲気ガスにはＮ2と加湿したＨ2ガスを用いることが好ましい。
【０１１０】
尚、上述の脱バインダ処理、焼成、および、アニールの各工程において、Ｎ2、Ｈ2や混合ガス等を加湿するには、例えば、ウエッター等を使用することができる。この場合の水温は、５〜７５℃程度が好ましい。
【０１１１】
脱バインダ処理、焼成、および、アニールの各工程は、連続して行っても、独立して行ってもよい。これらの工程を連続して行う場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の保持温度まで昇温して焼成を行い、次いで、冷却し、アニール工程での保持温度に達したときに雰囲気を変更してアニールを行うことが好ましい。
【０１１２】
また、これらの工程を独立して行う場合、脱バインダ処理工程は、所定の保持温度まで昇温し、所定時間保持した後、室温にまで降温する。その際、脱バインダ雰囲気は、連続して行う場合と同様なものとする。さらに、アニール工程は、所定の保持温度にまで昇温し、所定時間保持した後、室温にまで降温する。その際のアニール雰囲気は、連続して行う場合と同様とする。また、脱バインダ工程と、焼成工程とを連続して行い、アニール工程だけを独立して行うようにしてもよく、あるいは、脱バインダ工程だけを独立して行い、焼成工程とアニール工程を連続して行ってもよい。
【０１１３】
[接続電極の形成]
必要に応じて積層体の外部電極側の片側端面に露出している内部電極層の突出部や接続部を接続するように接続電極用ペーストを印刷あるいは転写後、焼成して、接続電極を形成する。
【０１１４】
[抵抗体の形成]
抵抗体用ペーストを印刷あるいは転写後、焼成して、抵抗体（膜）を形成する。
【０１１５】
[絶縁体（膜）の形成]
絶縁部材（絶縁膜）用ペーストを印刷あるいは転写後、焼成して、絶縁膜を形成する。絶縁性を高めるために、必要に応じて絶縁基板をそのまま使用してもよい。
【０１１６】
[外部電極形成]
上記のように作製したチップ体（積層体）の対向する両端面側に外部電極用ペーストを印刷あるいは転写する。その後、焼成して、外部電極電極を形成する。外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、Ｎ2とＨ2の混合ガス等の還元性雰囲気中で６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程度とすることが好ましい。
このように製造される本発明の複合電子部品は、必要に応じてリード線が設けられ、ハンダ付け等によりプリント基板上等に実装され使用される。
【０１１７】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明の複合電子部品は、素子の外部電極側に抵抗体を有する複合電子部品であって、従来開示のタイプのものに比べて、耐電圧性が格段と向上させることができるという優れた効果が発現する。さらに、実質的な抵抗作用をする抵抗体の長さを製造段階で容易に変えることができ、抵抗の調整が容易に行なえるという優れた効果が発現する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の複合電子部品の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図２は図１に示される素子本体の要部を分解して表した概略斜視図である。
【図３】図３は第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造の形成を経時的に説明するための素子本体の概略斜視図である。
【図４】図４は第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造の形成を経時的に説明するための素子本体の概略斜視図である。
【図５】図５は第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造の形成を経時的に説明するための素子本体の概略斜視図である。
【図６】図６は第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造の形成を経時的に説明するための素子本体の概略斜視図である。
【図７】図７は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面（断面図）である。
【図８】図８は本発明の複合電子部品の一実施形態を示す斜視図である。
【図９】図９は図８に示される素子本体の要部を分解して表した概略斜視図である。
【図１０】図１０は本発明における第１および第２外部電極側の内部の所定構造をそれぞれ説明するための図面（断面図）である。
【図１１】図１１は本発明の複合電子部品の一実施形態を示す斜視図である。
【図１２】図１２は図１１に示される素子本体の要部を分解して表した概略斜視図である。
【図１３】図１３は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面（断面図）である。
【図１４】図１４は本発明の複合電子部品の一実施形態を示す斜視図である。
【図１５】図１５は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面（断面図）である。
【図１６】図１６は本発明の複合電子部品の一実施形態を示す斜視図である。
【図１７】図１７は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面（断面図）である。
【図１８】図１８は本実施の形態における接続電極および絶縁体の形成を説明するための素子本体の概略斜視図である。
【図１９】図１９は本実施の形態における接続電極および絶縁体の形成を説明するための素子本体の概略斜視図である。
【符号の説明】
１，２，３，４，５…複合電子部品
７…誘電体層
１１，１５…外部電極
２０…素子本体
２１，２３，２５，２６，２８…内部電極層
４１，４１´，４２，４３…接続電極
５０，５１，５２，５３…抵抗体
６０，６０´，６１，６６，６２，６７，６３，６８…絶縁体（膜）
Claims (2)
- 素子本体と、素子本体の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極および第２外部電極と、抵抗体とを有する複合電子部品の製造方法であって、
該方法は、
誘電体層を介して第１内部電極層と第２内部電極層とが交互に積層されたキャパシタ構成部分を備える素子本体を作製するための工程であって、積層される前記第１内部電極層は、卑金属からなるとともに、前記第１外部電極側に露出する接続部を有するように形成されており、積層される前記第２内部電極層は、前記第２外部電極側に露出する接続部を有し、当該接続部は、第２外部電極に接続されるように形成されている素子本体形成工程と、
前記第１外部電極側に露出する前記第１内部電極層の接続部の一部分を被覆・接続するように貴金属からなる接続電極を形成する接続電極形成工程と、
前記接続電極によって被覆・接続されていない前記第１内部電極層の残余の接続部を酸化処理して絶縁膜である第１絶縁体を形成する第１絶縁体形成工程と、
実質的に前記第１絶縁体の上に抵抗体を形成するとともに、当該抵抗体の一端は、前記接続電極の一部分と接続されるように形成される抵抗体形成工程と、
前記抵抗体の他端の一部分を残して実質的に前記抵抗体を覆うように第２絶縁体を形成する第２絶縁体形成工程と、
前記抵抗体の他端の一部分が前記第１外部電極と接続されてなるよう第１外部電極を形成する第１外部電極形成工程と、
を有してなることを特徴とする複合電子部品の製造方法。 - 前記第１外部電極と接続される抵抗体の一部分から前記抵抗体が前記接続電極に接する部分までの抵抗体の距離仕様を定めることにより、抵抗の調整がなされるようになっている請求項１に記載の複合電子部品の製造方法。
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