JP4300786B2 - ガラスおよびこれを用いた導体ペースト - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品の電極や厚膜回路の導体の形成に使用される導体ペースト、およびそれに用いられるガラスに関する。特に、内部電極にニッケルや銅のような卑金属を用いた積層セラミック部品の端子電極を形成するのに適した、非酸化性雰囲気中おいても焼成可能な導体ペーストおよびそれに用いられるガラスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
積層コンデンサや積層インダクタ等の積層セラミック部品は、一般に次のようにして製造される。誘電体、磁性体等の未焼成セラミックシートと内部電極ペースト層とを、交互に複数層積み重ねて未焼成の積層体を得、この積層体を切断した後、高温で焼成してセラミック素体（以下「素体」という。）を得る。次いで、該素体の内部電極の露出する端面に、導電性粉末とガラス等の無機結合剤粉末を、必要に応じてその他の添加剤と共にビヒクルに分散させた導体ペーストをディッピング、刷毛塗り、スクリーン印刷等種々の方法により塗布し、乾燥後、高温で焼成して、内部電極と電気的に接続した端子電極を形成する。この後、必要に応じて該端子電極上にニッケルめっきや、スズ若しくはその合金からなるめっき層が形成される。
【０００３】
内部電極材料としては、従来パラジウム、銀−パラジウム、白金等の貴金属が用いられていたが、省資源やコストダウンに加え、パラジウムの酸化膨張に起因するデラミネーション、クラックの発生防止などの要求から、近年ニッケルや銅等の卑金属が用いられるようになってきている。このため、端子電極の形成にもこれら内部電極材料と良好な電気的接続を形成しやすいニッケル、コバルト、銅等の卑金属導体ペーストが用いられる。これらの卑金属電極は、焼成時に酸化し易いため、非酸化性雰囲気中、即ち窒素や水素−窒素などの不活性雰囲気中もしくは還元性雰囲気中、最高温度700〜900℃程度で焼成が行われている。
【０００４】
このような非酸化性雰囲気中で焼成される導体ペーストには、無機結合剤として、非酸化性雰囲気中で焼成しても安定な非還元性ガラスを用いる必要がある。従来導体ペーストに多く使用されている鉛含有ガラスフリットは、ＰｂＯ成分が還元されやすい。しかも鉛は人体に有害であり、また環境汚染の問題を引き起こすため、ガラスには鉛を含まないことが要求される。
【０００５】
また端子電極膜に電気めっき処理を行う場合、酸性の電気めっき液によってガラス成分が変質、溶解し、ガラスの構造が破壊されて、素体との接着強度が大きく低下することがあるので、接着強度だけでなく耐酸性も良好で、酸性めっき液に侵されにくいガラスが要求されている。
【０００６】
更に、酸素の少ない雰囲気で焼成されるため、ビヒクルとして用いられるバインダ樹脂や溶剤などの有機成分が酸化分解しにくい問題がある。ビヒクルの燃焼、分解、飛散（以下「脱バインダ」という。）が十分に行われないと、ビヒクル分解物が膜中に閉じ込められたり、一部がカーボンとなって膜中に残ったりする。これらの炭素質残渣は、焼結を阻害したりする他、高温で酸化してガス化し、気泡を生じて焼成膜の緻密性を損なったり、素体のチタン酸バリウム等のセラミックを還元して強度を低下させるなど、様々な問題を引き起こす。このような脱バインダ性の問題を解決するためには、無機結合剤の選択も重要である。
【０００７】
そこで従来より、基板との接着強度が大きく、かつ優れた特性を有する導体が得られる非還元性ガラスとして、バリウム系ガラスや、亜鉛系のガラスが種々検討されてきた。
例えば、硼酸バリウム系ガラス、硼酸亜鉛バリウム系ガラス、硼珪酸亜鉛バリウム系ガラス等の耐還元性ガラスを用いた積層セラミックコンデンサの卑金属端子電極が知られている（特許文献１参照。）。また、硼珪酸バリウム系ガラスを含む端子電極用銅ペーストや、アルカリ金属成分及びアルカリ土類金属成分を含有する特定の組成の硼珪酸亜鉛系ガラスを銅端子電極に使用すること、更に硼珪酸ストロンチウムアルミニウム系ガラスを端子電極に使用することが知られている（特許文献２〜４参照。）。
【０００８】
また亜鉛系のガラスとしては、硼珪酸亜鉛系ガラスを使用した端子電極用銅ペーストや、硼珪酸亜鉛系ガラスを使用した耐めっき液性の優れた端子電極ペーストが知られている（特許文献５、６参照。）。
【０００９】
【特許文献１】
米国特許第３９０２１０２号明細書
【特許文献２】
特開平５−２３４４１５号公報
【特許文献３】
特開昭５９−１８４５１１号公報
【特許文献４】
特開平９−５５１１８号公報
【特許文献５】
特公平１−５１００３号公報
【特許文献６】
特開平５−３４２９０７号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし近年、特性向上の要求が厳しく、これら従来のガラスは、必ずしも端子電極として特性的に充分満足いくものではない。特にバリウム系のガラスは、鉛を含まなくても軟化点が低く、低温焼成ができる利点はあるものの、耐めっき液性が充分でなく、電気めっき処理する際にめっき液の浸入が起こることにより素体との接着強度の低下、素体のクラックや破壊、絶縁抵抗の低下を引き起こし、積層部品の信頼性を低下させる。更に電極表面に局所的にガラスの溜り（以下、「ガラス溜り」という。）が発生し、均一なめっき膜の形成ができなくなったり、半田付け性が阻害されたりするなどの問題があった。
【００１１】
一方、亜鉛系の結晶性ガラスは、一般に素体と反応層を形成して強固に接着することが知られており、強度、耐熱衝撃性、耐めっき液性、耐水性は優れているが、一般に軟化点が高い。軟化点の低い特定の組成の硼酸亜鉛系または硼珪酸亜鉛系のガラスは、ガラス化範囲が狭い上に分相しやすいため、均質なガラス膜が得られにくい問題がある。また結晶性であるため焼成工程における結晶化挙動と流動特性を制御するのが難しい。更にプロセス依存性が大きく、特に焼成雰囲気および焼成温度等による特性の変動が大きいため、焼成可能な温度幅が狭くなる問題がある。
【００１２】
また、素体によって電極強度が弱くなることも知られている。即ち素体が高誘電率系のＪＩＳ規格Ｆ特性チタン酸バリウム系セラミック誘電体である場合、端子の亜鉛系結晶性ガラスは素体と界面部分で反応して均質な反応層を形成して強く接着し、素体中に深く浸透することはほとんどない。しかし、容量温度特性の平坦なＢ特性のチタン酸バリウム系セラミック誘電体に適用した場合、焼成時に溶融した端子電極中のガラス成分が素体中に深く浸透して素体の強度を劣化させ、端子電極のピール強度試験等においてコンデンサに対して電極膜を引き剥がすような応力がかかったとき、素体のクラックや破壊をひきおこすことがある。このため、コンデンサを回路基板等に実装した場合の信頼性に乏しい。これは、セラミックの微細構造の違いによるもので、Ｆ特性セラミックが比較的均一な構造であるのに対して、Ｂ特性セラミックでは粒界部分が結晶部分より反応活性が高い不均一な構造となるためと考えられる。従来、このようなＢ特性チタン酸バリウム系セラミックコンデンサに対して、ピール強度の優れた端子電極は得られていない。
【００１３】
このように、従来開発された種々のガラスは、それぞれ長所は有するもののすべての要求を満足するに足るガラスは得られていないのが実情である。
【００１４】
本発明の目的は、鉛等の有害な成分を含まず、非酸化性雰囲気中700〜900℃程度の温度域で焼成した場合にも、脱バインダ性および焼結性が共に良好であり、緻密で耐めっき液性、接着強度、耐熱衝撃性等の諸特性の優れた導体を形成することができ、かつ焼成プロセス依存性が低く、広い温度域で焼成できるという、要求されるすべての特性を備えた導体ペーストおよびこれに用いるガラスを提供することにある。また本発明の目的は、特に積層セラミックコンデンサ端子電極形成用に適した、優れた導体ペーストを提供することにある。本発明の他の目的は、特に積層セラミックコンデンサの端子電極に用いた場合、あらゆる誘電体素体に対して、素体を劣化させることのない、接着強度の優れた導体ペーストを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、酸化物換算の含有量が、ＺｎＯ ４０〜６０重量％、Ｂ₂Ｏ₃ １５〜３５重量％、ＳｉＯ₂ １〜１６重量％、Ａｌ₂Ｏ₃ １〜１０重量％、ＭｎＯ₂ ２〜１５重量％、Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂ＯおよびＫ₂Ｏから選択された１または２以上の合計量０．５〜１０重量％である成分を含み、かつ鉛を含まないことを特徴とする、非酸化性雰囲気中で焼成される導体ペースト用のガラスを要旨とするものである。本発明はまた、酸化物換算の含有量が、ＺｎＯ ４０〜６０重量％、Ｂ₂Ｏ₃ １５〜３５重量％、ＳｉＯ₂ １〜１６重量％、Ａｌ₂Ｏ₃ １〜１０重量％、ＭｎＯ₂ ２〜１５重量％、Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂ＯおよびＫ₂Ｏから選択された１または２以上の合計量０〜５重量％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＳｎＯ₂、Ｆｅ₂Ｏ₃から選択された１または２以上の合計量０．１〜５重量％である成分を含み、かつ鉛を含まないことを特徴とする、非酸化性雰囲気中で焼成される導体ペースト用のガラス（以下、「本発明の第２のガラス」ということがある。）を要旨とするものである。また本発明は、前記ガラスを含有することを特徴とする導体ペースト、また積層セラミック部品の端子電極形成用導体ペーストを要旨とするものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明のガラスは、500〜700℃の範囲の低い軟化点を有する硼珪酸亜鉛系の結晶性ガラスであり、焼成により分相を起こしにくく均質なガラスを形成すること、ペースト焼成時、適切な結晶化挙動と流動特性を示すことが特徴である。本発明のガラスを導体ペーストの無機結合剤として使用することにより、優れた焼成膜特性が得られるばかりでなく、焼成温度依存性が小さく、広い温度域での焼成が可能になる。
【００１７】
即ち、低軟化点でありながら、導体ペースト焼成時、低温域での脱バインダ性が良く、このため残留カーボン等によるガラスの流動性の阻害、金属粉末の焼結阻害や特性劣化を起こすことなく、強度、耐熱衝撃性、耐めっき液性、耐水性の優れた緻密な導体膜が形成される。また析出する結晶がガラスの粘度の急激な低下を抑制し、高温域においてもガラスが過度に流動して導体膜の表面へ移動してくることがないので、ガラス溜りの発生が防止される。析出する主結晶はＺｎ₃Ｂ₂Ｏ₆と推定され、主として針状に析出し、絡み合って膜中で構造を作り、ガラスの流動を適度に抑制する効果を有すると考えられる。
【００１８】
またこのガラスは、コンデンサ等のセラミック素体との界面において素体成分の一部と反応を起こし、反応生成物を誘電体側に食い込んだ形で形成する。この反応層の存在により、電極の接着強度が向上し、めっき処理時や耐熱衝撃性試験における素体クラックの発生を防止することができる。
【００１９】
また「本発明の第２のガラス」はＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＳｎＯ₂、Ｆｅ₂Ｏ₃から選択された１または２以上を含むものであり、Ｆ特性セラミックに適用した場合には素体と均質な反応相を形成する一方、Ｂ特性セラミックのような部分的に反応性の高い素体に適用した場合にも、素体の強度を劣化させることなく、接着強度の大きい端子電極が形成される。これは、このような成分を特定量含むガラスは、これらを含まないガラスに比べて結晶性が小さく、反応性の低いものであり、素体の粒界部分との反応、およびそれに引き続く素体内部への浸透が適度に抑制されるためと考えられる。従って、誘電体素体の種類によらず、接着強度およびピール強度の大きい端子電極を得ることが可能になる。
【００２０】
次に、本発明のガラスの組成範囲について説明する。以下の記載において、％は特記しない限り重量百分率を表わすものである。
ＺｎＯは、Ｂ₂Ｏ₃と共に網目構造を形成し、また析出する結晶の構成成分になる。また基板との接着強度を向上させる。含有量が40〜60％の範囲外では軟化点が高くなりすぎ、好ましくない。なお非酸化性雰囲気中でペーストを高温焼成すると、通常残留カーボン等によるＺｎＯの還元、昇華が起こり易いが、本発明においては脱バインダ性が非常に良好なため、ＺｎＯが多いにもかかわらず、このような問題がない。
【００２１】
Ｂ₂Ｏ₃は、網目形成酸化物であり、かつ、フラックスとして用いられる。含有量が15％より少ないとガラスが失透してしまい、また35％より多いとガラスの耐候性が著しく低下する。好ましくはＺｎＯとＢ₂Ｏ₃の比率が、モル比で55：45〜65：35の範囲となるように配合される。
【００２２】
ＳｉＯ₂は網目形成酸化物であり、ガラス化範囲を広げる効果と耐候性を向上させる効果がある。16％を超えると軟化点が高くなりすぎるので望ましくない。好ましくは13％以下である。なお、Ｂ₂Ｏ₃とＳｉＯ₂の合計量が40重量％以下であることが望ましい。
【００２３】
上記の組成のＺｎＯ-Ｂ₂Ｏ₃-ＳｉＯ₂系ガラスは分相しやすい欠点があるが、Ａｌ₂Ｏ₃は、分相を防止して均質なガラスを生成させる作用があり、これによりプロセス依存性を低下させることができる。またＳｉＯ₂と同様にガラスの耐候性を良好にする。含有量が10％より多いと軟化点が高くなりすぎ、ガラスが失透してくる。好ましくは8％以下である。
【００２４】
Ｍｎ成分はガラス中で２価もしくは３価で存在し、非酸化性雰囲気中において上記価数が変わることにより酸素を放出し、ペースト中のビヒクル残渣のカーボンと結び付いてＣＯ₂として膜外に飛散させる効果を持つものと考えられる。また、銅金属との反応性を高める作用も有する。配合量がＭｎＯ₂換算で2％未満では効果が小さく、15％より多いとガラスの製造工程において失透してくるため安定なガラスが得られない。その含有量は好ましくは2〜10％である。
【００２５】
Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏから選ばれるアルカリ金属酸化物は網目修飾酸化物であり、ガラスの軟化点を下げる効果がある。含有量が合計で10％を超えるとガラスの耐候性が著しく低下する。また結晶の析出に影響を及ぼし、含有量が少ないと結晶が充分に析出しない。またアルカリ金属酸化物の種類を選択することにより析出する結晶の形を変化させることができる。Ｌｉ₂Ｏは単独では針状結晶を析出させることができないので、Ｎａ₂ＯまたはＫ₂Ｏと併用することが望ましい。なおＮａ₂Ｏは素体の誘電体の組成によってはコンデンサ特性を劣化させるおそれがあり、このような場合には使用を避けるが、Ｋ₂Ｏは単独では耐水性が充分でないので、Ｌｉ₂Ｏ0.1〜3％およびＫ₂Ｏ1〜8％の組合わせで含有させるのが好ましい。またＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＳｎＯ₂、Ｆｅ₂Ｏ₃から選ばれる成分を含有する「本発明の第２のガラス」は、アルカリ金属酸化物を必ずしも配合する必要がなく、配合する場合は合計量で5％までの範囲とすることが望ましい。
【００２６】
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＳｎＯ₂、Ｆｅ₂Ｏ₃から選ばれる成分は、上記成分よりなるガラスに少量含有させることにより、前述のようにガラスの結晶化挙動、反応性を変化させる作用を有し、特にＢ特性セラミック素体に適用する場合に有効である。これらの成分は、合計で0.1〜5％の範囲外では所望の効果は得られない。
本発明のガラスにはこの他、特性に影響のない範囲で少量の他の酸化物を含有させることができる。
【００２７】
本発明のガラスは、各成分の原料化合物を混合、溶融、急冷、粉砕する通常の方法の他、ゾルゲル法、噴霧熱分解法、アトマイズ法等の方法で製造することができる。特に噴霧熱分解法で製造した場合、微細で粒度の揃った球状のガラス粉末を得ることができ、導体ペーストに使用する際粉砕処理を行う必要がないので好ましい。
【００２８】
本発明の導体ペーストに用いる導電性粉末は特に限定されるものではない。非酸化性雰囲気中で焼成する必要のある銅、ニッケル、コバルト、鉄などの卑金属粉末、これらの金属を含む合金粉末や複合粉末のほか、銀、パラジウムやこれらの金属を含む合金など、貴金属系の導電性粉末を用いることもできる。導電性粉末とガラス粉末の配合比率にも特に限定はなく、目的、用途に応じて通常使用される範囲で適宜調整される。
【００２９】
ビヒクルも特に限定されず、アクリル樹脂、セルロ−ス系等通常使用されるような樹脂バインダを水性または有機系の溶剤に溶解または分散させたものを、目的、用途により適宜選定使用すればよい。必要により可塑剤、分散剤、界面活性剤、酸化剤、金属有機化合物等を添加することができる。ビヒクルの配合比率も限定はなく、無機成分をペースト中に保持し得る適切な量で、用途や塗布方法に応じて適宜調整される。
導体ペーストには、このほか必要に応じて、他の無機結合剤や添加剤として通常添加される金属酸化物、セラミックなどを配合してもよい。
【００３０】
なお、本発明の導体ペーストは、積層コンデンサ、積層インダクタ等の積層セラミック部品の端子電極形成用に特に適しているが、その他の電子部品の電極形成や、セラミック多層基板の導体層形成に、またアルミナ等のセラミック基板上に厚膜導体を形成するためにも使用することができる。
【００３１】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
実施例１
表１に示す酸化物組成になるように原料を調合し、白金ルツボを用いて約1150℃で溶融し、次いでグラファイト上に流出させて空冷して得たガラスをアルミナボ−ルで微粉砕して、ガラス粉末Ａ〜Ｋ、Ｘ、Ｙを得た。Ｘ、Ｙは本発明の範囲外のものである。それぞれのガラス粉末につき、熱分析によりガラス転移点（Ｔｇ）、軟化点（Ｔｓ）および結晶化温度（Ｔｃ）を測定し、表１に示した。
各ガラス粉末について、耐水性の評価を次のようにして行った。ガラス粉末にアクリル樹脂をテルピネオールに溶解したビヒクルを混合してガラスペーストを作成し、アルミナ基板上に塗布し、酸素濃度が５ppm以下の窒素雰囲気中850℃で焼成してガラス膜を形成した。得られた試料を100℃の沸騰した純水中に２時間浸漬した後取出し、ブラシでこすりながら十分水洗し、乾燥後の膜の重量を測定した。表１に膜の残存率を示した。
【００３２】
【表１】

【００３３】
実施例２
実施例１で製造したガラス粉末を使用し、次の要領で導体ペーストを作製した。銅粉末100重量部に対してガラス粉末12重量部、アクリル樹脂をテルピネオールに溶解したビヒクル40重量部の割合で配合し、三本ロールミルで混合して導体ペーストを製造した。次いでこのペーストを、誘電体としてチタン酸バリウムを主成分とするＦ特性セラミック、内部電極としてニッケルを使用した、平面寸法が3.2mm×1.6mmの焼成済み積層セラミックコンデンサ素体の内部電極の露出端面に、焼成後の膜厚が約120μmとなるようにディッピング法により塗布した。熱風式乾燥機中150℃で10分間乾燥させた後、ベルト式マッフル炉を用いて、酸素濃度が5ppm以下の窒素雰囲気中、表２に示すピーク温度で、ピーク温度保持時間10分間、トータル１時間で焼成し、試料番号１〜12の積層セラミックコンデンサを製造した。試料番号11、12は本発明の範囲外のものである。
【００３４】
得られた各試料について、端子電極の研磨断面を走査型電子顕微鏡で観察することにより膜密度を調べて、結果を表２に示した。評価は、焼成膜中に気孔がなく緻密なものを○、少量の気孔がみられたものを△、それ以外を×とした。
【００３５】
また端子電極表面に電気メッキによりニッケルメッキ膜およびスズメッキ膜を順次形成し、下記の要領で耐熱衝撃性試験、接着強度、ピール強度の測定を行い、結果を表２に示した。
耐熱衝撃性試験：メッキ後の各試料を300℃の半田槽に急激に浸漬し、７秒間保持した後取出し、自然空冷する。試料30個中、セラミック表面にクラックが発生しているものが1個までなら○、2個以上の場合は×とした。
接着強度：対向する２つの端子電極に、リード線を電極表面に対して垂直になるようそれぞれ半田付けし、強度測定器を用いて両リード線を反対方向に引張り、電極部が破壊した時の値を求めた。
ピール強度：対向する２つの端子電極に、リード線を電極表面に対して平行になるようそれぞれ半田付けし、強度測定器を用いて電極表面に対して垂直方向の力を加えて両リード線を左右に引張り、電極部が破壊した時の値を求めた。
【００３６】
【表２】

【００３７】
表２から明らかなように、本発明のガラスを用いた導体ペーストは、膜の緻密性、耐熱衝撃性、接着強度がすべて優れており、また焼成温度による特性変動がほとんどないものであった。
【００３８】
実施例３
実施例１で製造したガラス粉末Ｅ〜Ｋ、Ａ、Ｘを使用し、実施例２と同様にして導体ペーストを作製した。このペーストを、誘電体としてチタン酸バリウムを主成分とするＪＩＳ規格Ｂ特性セラミックを使用し、内部電極としてニッケルを使用した、平面寸法2.0mm×1.25mmの焼成済み積層セラミックコンデンサ素体の内部電極の露出端面に、焼成後の膜厚が約120μmとなるようにディッピング法により塗布した。熱風式乾燥機中150℃で10分間乾燥させた後、ベルト式マッフル炉で、酸素濃度が5ppm以下の窒素雰囲気中、ピーク温度800℃、ピーク温度保持時間10分間、トータル１時間で焼成し、試料番号13〜21の積層セラミックコンデンサを製造した。試料番号21は本発明の範囲外のものである。
得られた各試料について、実施例２と同様にして端子電極の膜密度、耐熱衝撃性、接着強度およびピール強度を調べ、結果を表３に示した。なおいずれの試料についても、破壊モードは素体のクラック又は破壊であった。
【００３９】
【表３】

【００４０】
表３から明らかなように、「本発明の第２のガラス」を用いた導体ペーストは、Ｂ特性セラミックス誘電体素体に対しても改善された接着強度、ピール強度を示すものであった。
【００４１】
【発明の効果】
本発明のガラスは、低軟化点でかつ鉛等の有害な成分を含まず、焼成プロセスにおいて適切な粘度特性、および結晶化挙動を示すものである。このガラスを無機結合剤として用いた導体ペーストは、非酸化性雰囲気中で焼成した場合でも有機成分を完全に除去することができ、緻密で耐めっき液性、接着強度、耐熱衝撃性、信頼性の優れた導体を製造することができる。また焼成プロセス依存性が小さく、幅広い温度範囲で焼成しても、ばらつきのない優れた特性の電極を形成できるものである。更に、積層セラミック部品の端子電極の形成に適用した場合、素体の種類によらず、大きな端子強度、およびピール強度が得られ、信頼性の高いセラミック部品を得ることができる。

Claims (6)

1. 酸化物換算の含有量が下記の通りである成分を含み、かつ鉛を含まないことを特徴とする、非酸化性雰囲気中で焼成される導体ペースト用のガラス。
   ＺｎＯ ４０〜６０重量％、Ｂ₂Ｏ₃ １５〜３５重量％、ＳｉＯ₂ １〜１６重量％、Ａｌ₂Ｏ₃ １〜１０重量％、ＭｎＯ₂ ２〜１５重量％、Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂ＯおよびＫ₂Ｏから選択された１または２以上の合計量０．５〜１０重量％
2. 酸化物換算の含有量が下記の通りである成分を含み、かつ鉛を含まないことを特徴とする、非酸化性雰囲気中で焼成される導体ペースト用のガラス。
   ＺｎＯ ４０〜６０重量％、Ｂ₂Ｏ₃ １５〜３５重量％、ＳｉＯ₂ １〜１６重量％、Ａｌ₂Ｏ₃ １〜１０重量％、ＭｎＯ₂ ２〜１５重量％、Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂ＯおよびＫ₂Ｏから選択された１または２以上の合計量０．５〜１０重量％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＳｎＯ₂、Ｆｅ₂Ｏ₃から選択された１または２以上の合計量０．１〜５重量％
3. 導電性粉末、ビヒクルおよび請求項１または２記載のガラス粉末を含む導体ペースト。
4. 導電性粉末が銅粉末、ニッケル粉末、コバルト粉末およびこれらの金属を含む合金粉末から選ばれた１種または２種以上を含むものである請求項３に記載された導体ペースト。
5. 導電性粉末が銀粉末、パラジウム粉末およびこれらの金属を含む合金粉末から選ばれた１種または２種以上を含むものである請求項３に記載された導体ペースト。
6. 請求項３ないし５のいずれかに記載された積層セラミック部品の端子電極形成用導体ペースト。