JP4805268B2 - コンデンサ用の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含有する銅成端インク - Google Patents

コンデンサ用の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含有する銅成端インク Download PDF

Info

Publication number
JP4805268B2
JP4805268B2 JP2007527225A JP2007527225A JP4805268B2 JP 4805268 B2 JP4805268 B2 JP 4805268B2 JP 2007527225 A JP2007527225 A JP 2007527225A JP 2007527225 A JP2007527225 A JP 2007527225A JP 4805268 B2 JP4805268 B2 JP 4805268B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mol
ink
glass
free
sio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007527225A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008503103A (ja
Inventor
スリダーラン,スリニバサン
クマール,ウメッシュ
カディルカール,チャンドラシェクハール,エス
Original Assignee
フエロ コーポレーション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by フエロ コーポレーション filed Critical フエロ コーポレーション
Publication of JP2008503103A publication Critical patent/JP2008503103A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4805268B2 publication Critical patent/JP4805268B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/228Terminals
    • H01G4/232Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H01G4/2325Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/04Glass compositions containing silica
    • C03C3/062Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
    • C03C3/064Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
    • C03C3/066Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron containing zinc
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/04Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/16Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions with vehicle or suspending agents, e.g. slip
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/18Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals

Description

本発明は、電子コンデンサを製造するために使用される還元抵抗性鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含有する鉛フリー及びカドミウムフリー銅成端インクに関する。
コンデンサは、電気エネルギーを蓄電する能力を有する電気部品である。このエネルギーは、電位を横切るように導電板が設置され、セラミックス、例えば、チタン酸バリウム(BaTiO)、チタン酸マグネシウム(MgTiO)などの誘電体によって引き離された状態にある導電板上に蓄積される電荷によって生成される静電界に蓄電される。これらのセラミックコンデンサは、温度補正、半導体、及び様々な誘電定数を要求する用途、例えば低誘電率(Low K)第一類セラミックスおよび高誘電率(Higher K)第二類セラミックス、などの様々な用途に使用される。
セラミックコンデンサの従来の構造は、セラミック誘電層が導電電極と交互配置された多層構造である。交互の導電電極は電気的に接続されており、その結果、相対的に極めて小さい体積に詰め込まれた、単一誘電体層の何倍もの電気容量を備える2つの有効電極を有するデバイスが形成される。これらの積層セラミックコンデンサ(MLCC)は、高エネルギー密度貯蔵バンク用の最も信頼性の高い部品である。このタイプのコンデンサが、高密度セラミックコンデンサの要求を満たすように開発されてきた。
MLCCは、厚膜ペースト又はインクのデポジション(通常スクリーン印刷などによる)によって形成された電極として公知の導電性フイルムが、交互に及び格子上に並んだ多数の層と、誘電キャスティングテープを重ねることによって、又は乾燥した電極上に誘電性スラリーを成形することによって形成される誘電性セラミック酸化物の電気誘電体層を含む。そのようなコンデンサは、技術的に周知である(例えば、特許文献1を参照)。ここには、誘電性グリーン(非焼成)キャスティングテープを使用して形成されるモノリシック積層セラミックコンデンサの構造、製造及び特性が記載されている。
典型的なMLCCでは、端部成端(end termination)は内部電極とコンデンサの外側の部品との間の不可欠な電気パスを提供する。典型的な端部成端は、予備焼成されたMLCC構造上で端部成端インクを後焼成することによって形成される。典型的な端部成端インクは、有機媒体中に分散された金属粒子とガラス粒子とを含有する。ガラスは、成端インク中に占める割合が比較的小さいにもかかわらず、コンデンサ本体への接着性を付与し、端部成端とコンデンサ本体との間の熱膨張を適合させ、界面での亀裂を回避し、確実に金属緻密化を良好にし、焼成ウィンドウをより広くすることを可能にし、引き続くプロセシングの間にめっき用溶液が成端に浸透することを防ぐのに大きな役割を果たす。
米国特許第2389420号
積層セラミックコンデンサは、電極板とセラミックシートの多重印刷層を内蔵する。これらのコンデンサは、単一層のセラミックコンデンサよりも小型で、より良好な温度特性を備える。しかし、空気焼成された従来の多層化セラミックコンデンサでは、その電極板に銀、金、プラチナ、パラジウムおよびその合金などの貴金属が使用されるので、むしろ高価である。従って、卑金属電極を有するMLCCが開発されてきた。しかし、これらは、酸素が10ppmより少ないN雰囲気などのOをほとんど含まない雰囲気で焼成されなければならない。すなわち、新規な還元抵抗性端部成端インク、特に成端インクに使用するための還元抵抗性の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスの開発が、本発明の課題である。
本発明は、積層コンデンサを製造するために使用される鉛フリー及びカドミウムフリーの銅を含有する成端インクを提供する。インクは、ガラス成分を含む。ガラス成分は少なくとも一つのガラス原料を含む。適切なはんだ濡れ性と接着性を邪魔するガラス化と呼ばれる欠点を防ぐ為に、ガラス原料の少なくとも一つは部分的に結晶化し、高い粘度を維持している。すなわち本発明は、金属成分とガラス成分を含有する成端インクを含むものである。金属成分は銅を含む。ガラス成分は、ZnOを約65モル%以下、SrOを約51モル%以下、Bを約0.1〜約61モル%、Alを約17モル%以下、SiOを約0.1〜約63モル%、BaO+CaOを約40モル%以下、MgOを約20モル%以下含み、BのSiOに対するモル比は約0.7〜約5である。Brookfield HAT型SC4 14/5R粘度計及びスピンドルアセンブリを使用して測定すると、浸漬用の銅成端インクの粘度は約15000〜約35000センチポイズである。
基板への接着性が向上し、めっき用溶液に対する化学的耐性が向上し、より広いプロセシングウィンドウ及びより良好な金属焼結を提供するMLCC産業では、成端インクを含む新規な導体材料が継続的に探求されてきた。本発明の成端インクは、そのような望ましい特性を示すものである。本発明は、さらに本発明の成端インクを使用して製造される新規なコンデンサ及びそのような端部成端インクを固着(fusing)する方法を提供するものである。
焼成後の本発明の銅成端インクはBaTiOへの優れた接着性を示し、卑金属電極との良好な適合性を示す。本発明の前記及びその他の特徴は、以下により十分に記載され、特に、請求項で指摘される。下記に、本発明の実例となる複数の実施態様を詳細に示すが、これらは本発明の原理が使用される様々な方法のいくつかを示しているにすぎない。
本発明は、金属成分、ガラス成分及びバインダ成分を含有する成端インクを提供するものである。本発明は、さらに本明細書で開示される成端インクを使用して製造されるコンデンサを提供するものである。
説明及び添付の請求の範囲において、ガラス成分に関する全ての組成物パーセンテージはモル%であり、比はモル比である。例えば、組成物が「BaO+CaOを約15から約35モル%」含むという記載は、組成物中のBaO及びCaOだけに関して、BaOおよびCaOの合わせた合計が全組成物中のモルを基にし、約15から約35モル%であることを意味する。例えば、CaO10モル%及びBaO25モル%である。成端インクの組成物に関する組成物パーセンテージは、全て重量%である。
本発明にかかるガラス成分は鉛フリー及びカドミウムフリーである。本明細書及び添付の特許請求の範囲全体を通して使用される「鉛フリー」及び「カドミウムフリー」という語句は、組成物中に鉛、PbO、又は鉛含有ガラス、カドミウム、CdO又はカドミウム含有ガラスが意図的に全く添加されていないことを意味する。インクの無機部分全体に関して原料の混入物質から微量元素が存在することはあるが、Pbの含有量は200ppm未満であり、同様にCdの含有量も200ppm未満である。本発明の一つ又は複数のガラス原料は、LiO、NaO、KO、RbO、CsOとFrOなどのアルカリ酸化物と同様にZnO、SrO、SiO、B、Bi、Al、BaO、CaO、MgO、CuO、SnO、CeO、MnO、CO3を含んでもよい。ガラス成分がアルカリ酸化物を含まずに、本発明を実施することも可能であり、好ましい場合もある。
本発明にかかるガラス成分は一つのガラス原料を含むこともあり、又は、非結晶化ガラス原料を含む複数のガラス原料の混合物、又はガラス原料とSiO、ZnO、B、CO3及びその他の無機酸化物の混合物を含むこともあり、それによって、所望のガラス組成物が提供される。ガラス原料又はガラス組成物の原料は、従来のガラス溶融技術を使用して製造される。従来のセラミック耐火材、石英又は白金るつぼを使用してガラス原料を製造することができる。通常、所望のガラス組成物を与えるように設計して選択された原料の混合物は、約1000℃から約1550℃の温度で約60分間溶解される。るつぼで形成された溶融ガラスは、次に水冷却スチールローラ又は水タンク内の急冷によってガラスフレークまたカレットに転化される。冷たいスチールロール上に注ぐことによって、製粉に適した薄いフレークが生成する。続いて、これらのフレーク又はカレットを適切な粒径分布に製粉する(例えば、平均粒径が約1から約6ミクロン)。粒径が40〜50ミクロンより粗いと、浸漬被覆又は吹付け塗りの用途に使用できるであろう。また、ガラス原料の製造はそれ自体重要ではなく、当業者に周知の様々な技術のいずれをも使用することができる。
一般的に、成端インクは予備焼成されたMLCC部品(すなわち、後焼成される前提で使用される)に塗布され、焼成される。本発明のインクとガラスの通常の焼成温度は約750℃から約900℃、好ましくは約780℃から約850℃であり、より好ましくは約800℃から約830℃である。
金属成分は銅金属を含む。銅金属は通常少なくとも一つの粉末又はフレークの形状で提供される。銅粉末の粒径は約0.1ミクロンから約40ミクロンの範囲である。特に一つ以上のサイズ範囲の銅粒子が使用される。例えば、第一に、微細な銅粉末の粒径分布は、d10=0.1〜0.3ミクロン、d50=0.6〜1.1ミクロン、及びd90=1.5〜3.5ミクロンである。第二に、粗い銅粉末の粒径分布は、d10=2〜5ミクロン、d50=3〜8ミクロン、及びd90=15〜25ミクロンである。適した銅粉末のうち市販可能なものとして、オハイオ州クリーブランド(Ohio、Cleveland)のフエロ社製(Ferro Corporation)のCu 10K−1及びCu8ED及び日本、東京の三井金属鉱業株式会社製の(Mitui Mining and Smelting Co,Ltd)のCu MA−CF−Eが含まれる。コバルトなどの焼結補助剤が金属成分に含まれることがある。
有機バインダは、通常適当なビヒクルと混合された有機樹脂である。媒体は、一般的に一つ又は複数の溶媒を含む。ビヒクルは好ましくは溶媒と樹脂を含む。ビヒクルは、また、状況に応じて、コンデンサへのインクの塗布を容易にするためにチキソトロープ剤及び湿潤剤を含むことがある。増粘剤及び/又は分解防止剤及び/又はその他の一般的な添加剤を含むかどうかに関係なく、様々な有機液体を含む本質的に不活性なバインダならどれでも本発明の実施に使用できる。使用できる有機液体の例としては、脂肪族アルコール、そのようなアルコールのエステル、例えば、酢酸エステル及びプロピオン酸エステルがある。松根油、アルファ(α)−テルピネオール及びベータ(β)−テルピネオールなどのテルペンも使用できる。適したテルペンには、ヘラクレス社(Hercules Corporation)からテルピネオールTM(Terpineol)で市販されているものがあり、例えば、テルピネオール プライム(Terpineol Prime)318TMがある。また、低級アルコールのポリメタアクリル酸エステルなどのアクリル樹脂溶液、又は松根油、エチレングリコールモノアセテートのモノブチルエーテル、及びカルビノールケロシンなどの溶媒中のエチルセルロース溶液、フタル酸ジブチル、へキシレングリコール、2,4,4‐トリメチル‐1,3‐モノイソブチル酸ペンタンジオールエステル、N‐メチル‐2‐ピロリドン、エチルヒドロキシエチルセルロース、ウッドロジン、エチルセルロースとフェノール樹脂との混合物及びエチレングリコールモノアセテートのモノブチルエーテル又はその混合物が適している。さらに、ダウ ケミカル社(Dow Chemical Ccmpany)(ミシガン州ミッドランド(Midland Michigan))から市販されているダワノールTM(Dowanol)又はカルビトールTM(Carbitol)で市販されている溶媒も使用できる。本発明の実施に適したそのようなダワノールTM(Dowanol)の溶媒は、プロピレングリコール、メチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール n−プロピルエーテル、ジプロピレングリコール n−プロピルエーテルなどを含む。CarbitolTMで市販されている、本発明に適した溶媒は、ブチルカルビトール(ジエチレングリコールモノブチルエーテル)、ブチルカルビトールアセテート(ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート)などを含む。これら及びその他の溶媒の様々な組み合わせを処方して、用途に合わせて所望の粘度及び揮発性の要件を得ることができる。
可能性のある適切なチオキシトロープ剤の具体例は、有機系のチオキシトロープ、例えば、エチルセルロース、水素添加ヒマシ油、ケイ酸塩及びそれらの誘導体がある。
可能性のある適切な湿潤剤(すなわち、界面活性剤)の具体例としては、脂肪酸エステル、例えば、N‐タロー‐1,3‐ジアミノプロパンジ‐オレエート、N‐タロートリメチレンジアミンジアセテート、N‐ココトリメチレンジアミン、ベータジアミン、N‐オレイルトリメチレンジアミン、N‐タロートリメチレンジアミン、及び/又はN‐タロートリメチレンジアミンジオレエートがある。
本発明のガラス成分は、BaTiOを含む一般的なコンデンサ基板への優れた接着性及び良好な銅緻密化をもたらす。本出願者は、また、本発明のインクがNdTi及びMgTiOで製造される基板のような他のコンデンサ基板でも使用できると考える。さらに、それによって、火ぶくれ又はガラス化の影響を受けずに、焼成ウィンドウをより広くすることができる。ZnOの存在によって、界面でチタン酸亜鉛が生成することによってBaTiO基板への成端インクの接着性が促進されると考えられる。SiOに対するBの比は銅緻密化に役割を果たし、0.7以上、好ましくは、1.0以上の比で適切な又は優れた銅緻密化が起きると考えられる。成端の望ましい特性には、ワイドプロセシングィンドウ(焼成温度)、BaTiO(及び他の一般的な誘電部品)への良好な接着性、めっき用溶液に対する良好な化学的耐性及び良好なはんだ濡れ及び良好な銅緻密化が含まれる。従来技術として公知のように、成端はしばしば外部電極として知られている。
界面での良好な接着性を付与する方法は、反応性結合を含む。反応性結合では、液体ガラスがBaTiO基板上に広がり、反応して、界面で熱力学的に安定した結晶が形成される。これらの結晶は、例えば、チタン酸塩、ケイ酸塩又はアルミン酸塩である。そのような有益な反応相を形成する基板と結晶間の反応は、系の総自由エネルギーを全体的に低下させ、それによって接着性が増大することにつながると考えられる。もちろん、成端ガラスと基板との間の機械的連結も関係があるかもしれない。
ガラス成分、金属成分及びバインダに加えて、インクには、様々な従来の充填剤又は膨張調整剤が含まれることがある。そのような充填剤又は膨張調整剤の例としては、ケイ酸亜鉛、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸バリウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸バリウムアルミニウム、ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸バリウムマグネシウム、ジルコニア、アルミナ、シリカ、チタニア及びそれらの混合物がある。
成端インクを製造するためには、銅粉末(一つ又は複数)及びガラス成分(一つ又は複数のガラス原料及び/又は結晶性添加剤)をバインダ、溶媒及び湿潤剤と一緒にミキサ内で一括処理し、均質化する。通常、ホバート(Hobart)ミキサが使用される。均質化後、インクを3−ロールミルで製粉する。複数のパス後、インクの均質性は分散度測定(Fineness Of Grind測定、FOG測定)によって検査される。
本発明の第一の実施態様は、ガラス成分を含むインクであって、そのガラス成分は、ZnOを約65モル%以下、SrOを約51モル%以下、Bを約0.1〜約61モル%、Alを約17モル%以下、SiOを約0.1〜約63モル%、BaO+CaOを約40モル%以下、MgOを約20モル%以下含み、BのSiOに対するモル比は約0.7〜約5である。
本発明のガラス成分のこの実施態様のバリエーションは、ZnOを約10〜約60モル%の含有量で含むことである。ガラス成分中のBとSiO2の合計は約5〜約60モル%である。他のバリエーションでは、BのSiOに対する比は約0.7〜約3.0である。また別のバリエーションでは、ガラス成分は、LiO、NaO、KO、RbO、CsO及びFrOなどのアルカリ酸化物を含まない。
本発明の別の実施態様では、ガラス成分は、ZnOを約20〜60モル%、SrOを約49モル%以下、Bを約0.1〜約61モル%、Alを約0.1〜約17モル%、SiO2を約0.1〜約63モル%、BaO+CaOを約0.1〜約40モル%、及びMgOを約20モル%以下含み、BのSiOに対するモル比は約0.7〜約3である。ガラス成分のこの実施態様のバリエーションでは、BとSiOの総含有量がガラス成分の約5〜約60モル%であることがある。別のバリエーションでは、BaOとCaOの総含有量が約25〜約35モル%である。この実施態様のまた別のバリエーションでは、さらにCuOが約0.1〜約30モル%含まれる。代わりに、MgOの含有量が約5〜約15モル%になる。別のバリエーションでは、ガラス成分はLiO、NaO、KO、RbO、CsO及びFrOのいずれか又はその組み合わせのいずれかを組成物中の約2〜約15モル%の量で含むことがある。
本発明の別の実施態様では、ガラス成分は、ZnOを約0.1〜約65モル%、SrOを約0.1〜約51モル%、Bを約0.1〜約61モル%、Alを約0.1〜約17モル%、SiOを約0.1〜約63モル%、BaO+CaOを約0.1〜約40モル%、及びMgOを約0.1〜約20モル%含むガラス成分である。BのSiOに対するモル比は約0.7〜約5であり、緑色の非焼成状態の成端インクの粘度は、Brookfield HAT型SC4 14/5R粘度計及びスピンドルアセンブリを使用して測定すると、約15000〜35000センチポイズである。この粘度は、好ましくは約20000〜約30000センチポイズである。より好ましくは、この粘度は約22000〜約28000センチポイズである。
この実施態様のZnO含有量は、約10〜約56モル%又は約40〜約60モル%に代えられる。ガラス成分のSrO含有量は、約0.1〜約49モル%又は約20〜約45モル%に代えられる。SrO含有量はまた0であることもある。ガラス成分のB含有量は、約15〜約35モル%又は約20〜約30モル%に代えられる。この実施態様でのB及びSiOの量に関するさらに可能な制限としては、B+SiOの合計が約30モル%〜約60モル%であることがある。この実施態様のAl含有量は、約0.1〜約15モル%、約0.2〜約5モル%又は約0.3〜約1モル%に代えられる。この実施態様では合わせたCaO及びBaOの総量は、約0.1〜約35モル%又は約25〜約35モル%に代えられる。この実施態様のMgO含有量は、その代わりに約0.1モル%又は約1モル%〜約15モル%、又は約5〜約11モル%になる。この実施態様は、さらにCuOを30モル%以下、又は約0.1〜約25モル%含むことがある。
この実施態様では、BのSiOに対するモル比は約0.7〜約3、約0.7〜約2、約1〜約3、又は約1.3〜約1.8であることがある。
別の実施態様は、ガラス成分を含むインクであって、そのガラス成分は、SrOを約0.1〜約51モル%、Bを約0.1〜約61モル%、SiOを約0.1〜約63モル%、Alを約0.1〜約17モル%及びCuOを約0.1〜約20モル%含む。そのガラス成分は、また、SrOを約20〜約40モル%、Bを約10〜約30モル%、SiOを約10〜約25モル%、Alを約7〜約17モル%及びCuOを約10〜約25モル%含み、BのSiOに対するモル比は約0.7〜約2である。
また別の実施態様は、ガラス成分を含むインクであって、そのガラス成分はCO3+MnOを約0.1〜約20モル%、SrOを約0.1〜約49モル%、Bを約0.1〜約61モル%、La+Y+Gaを約0.1〜約17モル%、SiOを約0.1〜約63モル%、BaO+CaOを約0.1〜約40モル%、MgOを約20モル%以下含む。BのSiOに対するモル比は約0.7〜約5であり、インクは約15000〜約35000センチポイズの粘度を有する。
二つのガラスを使用する場合、第一のガラスはガラス化することの無い接着性のために使用され、第二のガラスはガラス成分の耐久性及び/又は熱膨張適合性を向上させるために使用され、そのような第二のガラスは、好ましくは亜鉛の含有量が低いか、又は好ましくは亜鉛を全く含まない。本発明のインク組成物は、一つ又は複数の銅粉末、少なくとも1つのガラス原料、バインダ、有機添加剤及び溶媒を含む。インクは、銅粉末を約55〜85重量%、一つ又は複数のガラス原料を約1〜22重量%、バインダを約1〜10重量%、有機添加剤を約0.1〜3重量%及び溶媒を約5〜25重量%含む。好ましくは、インクは、一つ又は複数の銅粉末を約70〜約80重量%、一つ又は複数のガラス原料を約2〜約15重量%、バインダを約2〜約6重量%、有機添加剤を約0.5〜約2重量%及び溶媒約5〜約20重量%を含む。
本発明のさらに別の実施態様はコンデンサであり、これは積層セラミックコンデンサ(MLCC)を含み、これは上記に記載した本発明の成端インクを組み入れて製造された成端を含むものである。また、誘電材料と導体電極材料を交互に層を積層させることによってグリーンチップを形成し、そのグリーンチップを焼成して、積層セラミックチップコンデンサを形成し、銅とガラス成分を含むインクとからなる導電性ペースト中にコンデンサの成端を浸漬させ、チップを後焼成して、端部成端を焼結することからなる、端部成端を有する積層セラミックチップコンデンサの製造方法は、本発明の実施の範囲内に想定される。多層チップコンデンサの製造方法では、ここに記載したガラス成分のいずれも使用することができる。
積層セラミックコンデンサの形態は、従来技術として周知である。図1を参照すると、積層セラミックチップコンデンサ1の典型的な構造が図示されている。コンデンサ1の端部成端4は、コンデンサチップ10の側面に配置され、内部電極層3と電気接続されている。コンデンサチップ10は交互に積層された誘電体層2を複数備える。コンデンサチップ10は長方形に成形されることが多いが、その形状は重要ではない。また、サイズも重要ではなく、チップは個々の用途に合わせて適切なサイズを有し、一般的には1.0〜7.0mm×0.5〜5.0mm×0.5〜2.0mmの範囲である。内部電極層3は、反対側の端部でチップ10の反対側の側面で交互に露出するように積層される。すなわち、一つのグループの内部電極層3はチップ10の一方の側面で露出し、もう一つのグループの内部電極層3はチップ10の反対側の側面で露出する。一方の端部成端4をコンデンサチップ10の一方の側面チップに塗布して、一つのグループの内部電極層3と電気接触させ、もう一方の端部成端4をコンデンサチップ10の反対側の側面チップに塗布して、もう一つのグループの内部電極層3と電気接触させる。誘電体層は1つ又は複数の誘電材料から形成され、主成分としてチタン酸バリウム(BaTiO)、チタン酸ネオジム(NdTi)及びチタン酸マグネシウム(MgTiO)などの他の酸化物を含むことがあり、一方、微量成分として、酸化マンガン、酸化イットリウム、酸化ホルミウム、炭酸カルシウム、酸化ケイ素、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム及び酸化カルシウムが存在することがある。その他の化合物は、誘電特性に悪影響を及ぼさないならば、誘電体に含まれていることもある。
各誘電体層の厚さは好ましくは約50μm以下であり、より好ましくは約20μm以下である。厚さの下限は約0.5μmであり、好ましくは約2μmである。そのような薄い誘電体層を備える積層セラミックチップコンデンサの容量の経時変化を最小化するために本発明を適用すると有効である。積層される誘電体層の数は、600以上の層を有する実施態様も可能であるが、一般的には約2〜約600である。
誘電体層2の誘電材料は反還元特性を有するので、卑金属が好ましく使用されるが、内部電極層3を形成する導体には重要ではない。典型的な卑金属はニッケル又はニッケル合金である。内部電極層の厚さは、その上限は通常約5μm、より好ましくは約2.5μmであり、またその下限は通常約0.5μm、より好ましくは約1μmであるが、特定の目的と用途に応じて適宜決定される。
誘電体層を形成するインク又はスラリーは、未加工の誘電材料を有機ビヒクルと混合することによって得ることができる。未加工の誘電材料は、酸化物及び複合酸化物の混合物でよい。有機ビヒクルは、有機溶媒中のバインダである。ここで使用されるバインダは重要ではないが、本発明のインクに関して前記に記載されたもののような従来のバインダから選択するのが適切である。
成端4は、予備焼成されたMLCCの端部全体に本発明の成端インクを塗布することによって形成される。成端インクは、従来技術で知られるように、浸漬又ははけ塗りによって塗布される。成端の厚さは、一般的には約1μm〜約100μmの範囲であるが、特定の目的と用途に応じて適宜決定される。成端インクの厚さが約10μm〜約50μm、又は約20μm〜約40μmであることを要求する用途もある。
本発明にかかる積層セラミックチップコンデンサは、一般的に、従来のテープキャスティングによってグリーンチップを形成し、スラリー又はペーストを使用する方法によって印刷して広げ、チップを焼成し、そこに成端を印刷又は転写し、続いて第二の焼成を行うことによって製造される。成端インクは、通常は、コンデンサを全体として焼結する初期焼成より低い温度で焼成される。コンデンサ本体の初期焼成は一般的に約750℃から約1350℃の温度で実施され、インクを塗布した本体の焼成は一般的に約650℃から900℃の温度で実施される。MLCCを製造するために使用される製造方法のさらなる詳細は、パークら(Park et al.)の米国特許第6185087号に記載されており、その記載は本明細書中でも参照として含まれている。
以下の実施例は、本発明を例示することのみを目的とするものであり、請求の範囲を限定するものとは解釈されるべきではない。
モルパーセントによる下記の組成を有するガラス原料A〜Hは、各々従来のガラス溶融技術を使用して製造された。それらのガラスの組成は表1に示す。ガラス遷移温度(Tg)、熱膨張係数(CTE)及び組成比(Bのモル/SiOのモル)は表2に示す。
表3に記載した成端インクAAからHHは、標準的なインク製造方法によって製造された。インクの粘度は、約15000センチポイズ〜約35000センチポイズである。ここで使用される銅粉末はフエロ社(Ferro Corporation)から市販されているものである。銅粉末Cu IのD50粒径は約0.8ミクロンであり、銅粉末Cu IIのD50粒径は約4〜6ミクロンであり、銅粉末Cu IIIはD50粒径が約4〜6ミクロンのフレーク化した粉末である。ケースサイズ1206のBaTiOコンデンサはこれらのペーストで成端化され、異なる焼成温度で焼成された。
各焼成インクの最適な焼成範囲(すなわち、プロセシングウィンドウ)は、銅緻密化、ニッケルグロスの深さ、接着性、非ガラス化について許容できる特性を有するように決定される。コンデンサの焼成後、端部成端をニッケルでめっきする。ニッケルグロスの量を決定するために、コンデンサを横断面に装着し、磨く。ニッケルグロスの深さを測定し、端部成端の厚さの10%を超えてはいけない。また、1206コンデンサでは、端部成端の剥離強度は1.5ポンドより大きくなければならない。ガラス化に関しては、ガラス玉や火ぶくれが出現してはならない。最適焼成温度は、ガラス玉や火ぶくれ(ガラス化欠陥)が明白である温度より10℃低い温度とされる。ガラス化が820℃で明らかで、810℃では起こらないならば、その時、810℃はプロセシングウィンドウの上限である。このウィンドウの下限は、断面顕微鏡で測定される銅緻密化と、少なくとも1.5ポンドの剥離強度によって測定される接着性が十分に達成される最低温度より10℃高い温度である。銅緻密化は少なくとも90%又はそれ以上でなければならない。ニッケルグロスはまた下限温度で10%より大きくてはならない。このようにして得られた最適焼成温度を表3に一覧にして示したが、それによると、本発明の銅成端インクでは焼成ウィンドウは約10℃から約30℃である。
Figure 0004805268
Figure 0004805268
Figure 0004805268
本発明によって製造されたインクは、また、様々な電子デバイスで導電性パスを形成するために使用され得ることが評価されるであろう。従って、本発明のインクの使用は、コンデンサデバイスのみに限定されるものではない。
補足の利点及び変更は、当業者には容易に理解されるであろう。故に、本発明は、そのより広い観点で、ここに図示し、記載した特定の詳細や例示的な実施例に限定されるものではない。従って、添付の請求の範囲およびそれらと同等のものによって決定される一般的な本発明の精神又は概念から逸脱することなく、様々な変更を実施することができる。
本発明による積層セラミックチップコンデンサの横断立面図である。
符号の説明
1 積層セラミックチップコンデンサ
2 誘電体層
3 内部電極層
4 端部成端
10 コンデンサチップ

Claims (3)

  1. 銅成端を備えるコンデンサであって、該銅成端はガラス成分を含む鉛フリー及びカドミウムフリーインクを焼成することによって形成され、該ガラス成分が
    (a)Bを0.1から61モル%、
    (b)SiOを0.1から63モル%、
    (c)MgOを0.1から20モル%
    含み、さらに、
    (d)ZnOを0.1から65モル%、SrOを0.1から51モル%、及びAlを0.1から17モル%
    含み、及び
    (e)BのSiOに対するモル比は0.7から5であること、
    及び、
    (f)該ガラス組成物の熱膨張係数が66から103.1(×10−7)/℃であること、
    を特徴とするコンデンサ。
  2. 導電性銅パスを形成するための鉛フリー及びカドミウムフリーインクであって、該インクはガラス成分と金属成分を含み、該ガラス成分が
    (a)Bを0.1から61モル%、
    (b)SiOを0.1から63モル%、
    (c)MgOを0.1から20モル%
    含み、さらに、
    (d)ZnOを0.1から65モル%、SrOを0.1から51モル%、及びAlを0.1から17モル%
    含み、及び
    (e)BのSiOに対するモル比は0.7から5であり、
    及び、
    (f)該ガラス組成物の熱膨張係数が66から103.1(×10−7)/℃であり、
    )該インクの粘度が15000から35000センチポイズであり、
    )該インクは前記ガラス成分を1から22重量%
    含むことを特徴とするインク。
  3. 端部成端を有する積層セラミックチップコンデンサの製造方法であって、
    (a)誘電材料と導体電極材料を交互に積層させることによってグリーンチップを形成し、
    (b)該グリーンチップを焼成して、積層セラミックチップコンデンサ本体を形成し、
    (c)該セラミックチップコンデンサ本体に導電性鉛フリー及びカドミウムフリーインクを塗布し、該インクがガラス成分を含み、該ガラス成分が、
    (i)Bを0.1から61モル%、
    (ii)SiOを0.1から63モル%、
    (iii)MgOを0.1から20モル%
    含み、さらに、
    (iv)ZnOを0.1から65モル%、SrOを0.1から51モル%、及びAlを0.1から17モル%
    含み、
    (v)BのSiOに対するモル比は0.7から5であること、
    及び、
    (vi)該ガラス組成物の熱膨張係数が66から103.1(×10−7)/℃であり、
    (vii)インクの粘度が15000から35000センチポイズであり、
    (d)チップを後焼成して、導電性端部成端を形成する、
    ことを含む積層セラミックチップコンデンサの製造方法。
JP2007527225A 2004-06-09 2005-04-08 コンデンサ用の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含有する銅成端インク Active JP4805268B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/864,309 2004-06-09
US10/864,309 US6982864B1 (en) 2004-06-09 2004-06-09 Copper termination inks containing lead free and cadmium free glasses for capacitors
PCT/US2005/011884 WO2006001872A1 (en) 2004-06-09 2005-04-08 Copper termination inks containing lead free and cadmium free glasses for capacitors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008503103A JP2008503103A (ja) 2008-01-31
JP4805268B2 true JP4805268B2 (ja) 2011-11-02

Family

ID=35460285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007527225A Active JP4805268B2 (ja) 2004-06-09 2005-04-08 コンデンサ用の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含有する銅成端インク

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6982864B1 (ja)
EP (1) EP1766643A4 (ja)
JP (1) JP4805268B2 (ja)
CN (1) CN100583326C (ja)
TW (1) TWI382966B (ja)
WO (1) WO2006001872A1 (ja)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7176152B2 (en) * 2004-06-09 2007-02-13 Ferro Corporation Lead-free and cadmium-free conductive copper thick film pastes
US7339780B2 (en) * 2004-06-09 2008-03-04 Ferro Corporation Copper termination inks containing lead free and cadmium free glasses for capacitors
KR100663942B1 (ko) * 2005-03-24 2007-01-02 삼성전기주식회사 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법
US7611645B2 (en) * 2005-04-25 2009-11-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor compositions and the use thereof in LTCC circuits and devices
US20070023388A1 (en) * 2005-07-28 2007-02-01 Nair Kumaran M Conductor composition for use in LTCC photosensitive tape on substrate applications
US7547369B2 (en) * 2006-08-31 2009-06-16 Ferro Corporation Method of making multilayer structures using tapes on non-densifying substrates
US7818855B2 (en) * 2006-11-10 2010-10-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method of making thin-film capacitors on metal foil using thick top electrodes
ES2651625T3 (es) * 2007-04-25 2018-01-29 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Formulaciones para conductores de película gruesa, que comprenden plata y níquel o aleaciones de plata y níquel y celdas solares fabricadas a partir de las mismas
CN101354961B (zh) * 2007-07-25 2011-07-27 上海大洲电子材料有限公司 陶瓷电容器电极用导电铜浆制备方法
US8309844B2 (en) * 2007-08-29 2012-11-13 Ferro Corporation Thick film pastes for fire through applications in solar cells
JP5629210B2 (ja) * 2007-08-31 2014-11-19 ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー 太陽電池用層状コンタクト構造
WO2009040794A1 (en) * 2007-09-24 2009-04-02 Dip Tech. Ltd. Etching compositions, methods and printing components
JP2009283598A (ja) * 2008-05-21 2009-12-03 Murata Mfg Co Ltd 積層電子部品およびその製造方法
KR101609597B1 (ko) * 2009-02-16 2016-04-07 삼성디스플레이 주식회사 회로기판 및 이를 갖는 표시패널 어셈블리
US20140124713A1 (en) 2011-03-29 2014-05-08 Diptarka Majumdar High-aspect ratio screen printable thick film paste compositions containing wax thixotropes
JP5765041B2 (ja) * 2011-04-25 2015-08-19 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
CN102701594B (zh) * 2012-06-11 2016-04-27 广东风华高新科技股份有限公司 用于片式陶瓷电容器b特性材料的玻璃粉及其制备方法和应用
IL227151A0 (en) * 2012-08-13 2016-12-29 Dip-Tech Ltd glass panel
KR101565639B1 (ko) * 2013-02-20 2015-11-03 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
WO2015045722A1 (ja) * 2013-09-27 2015-04-02 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
JP6024830B2 (ja) * 2013-09-27 2016-11-16 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
US10204737B2 (en) 2014-06-11 2019-02-12 Avx Corporation Low noise capacitors
CN104575663B (zh) * 2014-12-19 2018-07-06 广东风华高新科技股份有限公司 电极浆料及其制备方法
JP6879035B2 (ja) * 2017-04-28 2021-06-02 住友金属鉱山株式会社 導電性組成物、導体の製造方法及び電子部品の配線の形成方法
KR101987214B1 (ko) * 2017-10-13 2019-06-10 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
KR102620106B1 (ko) * 2018-07-11 2024-01-02 페로 코포레이션 높은 q 저온 동시-소성 세라믹 (ltcc) 유전성 조성물 및 장치
US20220135484A1 (en) * 2019-02-27 2022-05-05 Ferro Corporation LTCC Dielectric Compositions And Devices Having High Q Factors
JP2020202220A (ja) * 2019-06-07 2020-12-17 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
JP7379899B2 (ja) 2019-07-22 2023-11-15 Tdk株式会社 セラミック電子部品
CN116535097A (zh) * 2023-04-28 2023-08-04 武汉理工大学 用于mlcc的玻璃粉、导电铜浆、多层陶瓷电容器及制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6214412A (ja) * 1985-07-12 1987-01-23 大研化学工業株式会社 チツプ型積層セラミツクコンデンサ、及びその製造法
JPH0239410A (ja) * 1988-07-28 1990-02-08 Shoei Chem Ind Co セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物
JPH0239408A (ja) * 1988-07-28 1990-02-08 Shoei Chem Ind Co セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物
JPH04293214A (ja) * 1991-03-20 1992-10-16 Mitsubishi Materials Corp チップ型電子部品用導電性ペースト
JPH05342907A (ja) * 1992-06-09 1993-12-24 Mitsubishi Materials Corp チップ型電子部品用導電性ペースト
JP2003077336A (ja) * 2001-08-30 2003-03-14 Kyocera Corp 導電性ペースト及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ
JP2004228094A (ja) * 2003-01-24 2004-08-12 E I Du Pont De Nemours & Co 多層セラミックキャパシタ用端子電極組成物

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3615772A (en) * 1969-04-25 1971-10-26 Owens Illinois Inc Fluorine-containing borate glass compositions
FR2388381A1 (fr) * 1976-12-27 1978-11-17 Labo Electronique Physique Composition dielectrique, pate serigraphiable comportant une telle composition et produits obtenus
JPS5485399A (en) * 1977-12-21 1979-07-06 Hitachi Ltd Dielectric paste
FR2451899A1 (fr) * 1979-03-23 1980-10-17 Labo Electronique Physique Composition dielectrique, encre serigraphiable comportant une telle composition, et produits obtenus
US4379319A (en) * 1982-02-18 1983-04-05 Ferro Corporation Monolithic ceramic capacitors and improved ternary ceramic compositions for producing same
US4517155A (en) * 1982-05-18 1985-05-14 Union Carbide Corporation Copper base metal termination for multilayer ceramic capacitors
JPS59184511A (ja) * 1983-04-04 1984-10-19 株式会社村田製作所 セラミツク積層コンデンサ
US4701827A (en) * 1986-02-10 1987-10-20 Kyocera Corporation Multilayer ceramic capacitor
US4880567A (en) * 1987-08-20 1989-11-14 General Electric Company Thick film copper conductor inks
US4906406A (en) * 1988-07-21 1990-03-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thermistor composition
JPH0764588B2 (ja) * 1989-04-28 1995-07-12 日本電気硝子株式会社 被覆用ガラス組成物
US5296426A (en) * 1990-06-15 1994-03-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low-fire X7R compositions
US5165986A (en) * 1991-06-05 1992-11-24 Ferro Corporation Copper conductive composition for use on aluminum nitride substrate
US5572793A (en) * 1993-01-22 1996-11-12 Collins; Walter W. Locking knife and sheath
US5378408A (en) * 1993-07-29 1995-01-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Lead-free thick film paste composition
US5439852A (en) * 1994-08-01 1995-08-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Cadmium-free and lead-free thick film conductor composition
US5491118A (en) * 1994-12-20 1996-02-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Cadmium-free and lead-free thick film paste composition
US5805409A (en) * 1995-08-18 1998-09-08 Tdk Corporation Multi-layer electronic part having external electrodes that have a thermosetting resin and metal particles
US5948536A (en) * 1996-05-10 1999-09-07 Tdk Corporation Glass composition for substrates with a built-in lead base dielectric material, and multilayer substrate with a built-in capacitor
US5753571A (en) * 1997-02-13 1998-05-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Lead and cadmium-free encapsulant composition
US6171987B1 (en) * 1997-12-29 2001-01-09 Ben-Gurion University Of The Negev Cadmium-free and lead-free glass compositions, thick film formulations containing them and uses thereof
US6124224A (en) * 1998-09-02 2000-09-26 Ferro Corporation High temperature sealing glass
US6105394A (en) * 1999-01-12 2000-08-22 Ferro Corporation Glass enamel for automotive applications
US6185087B1 (en) * 1999-04-08 2001-02-06 Kemet Electronics Corp. Multilayer ceramic chip capacitor with high reliability compatible with nickel electrodes
US6572793B2 (en) * 2000-03-30 2003-06-03 Tdk Corporation Method of producing ceramic composition and method of producing electronic device
US6556422B2 (en) * 2000-07-05 2003-04-29 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Dielectric ceramic composition, multi-layer ceramic capacitor using the same, and manufacturing method therefor
JP3534684B2 (ja) * 2000-07-10 2004-06-07 Tdk株式会社 導電ペーストおよび外部電極とその製造方法
US6673274B2 (en) * 2001-04-11 2004-01-06 Cabot Corporation Dielectric compositions and methods to form the same
JP4300786B2 (ja) * 2001-12-21 2009-07-22 昭栄化学工業株式会社 ガラスおよびこれを用いた導体ペースト
KR100466073B1 (ko) * 2002-05-24 2005-01-13 삼성전기주식회사 균일성 및 절연저항성이 증대된 유전체 조성물, 그제조방법 및 이를 이용한 적층 세라믹 콘덴서
JP2004039355A (ja) * 2002-07-02 2004-02-05 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 導電性組成物

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6214412A (ja) * 1985-07-12 1987-01-23 大研化学工業株式会社 チツプ型積層セラミツクコンデンサ、及びその製造法
JPH0239410A (ja) * 1988-07-28 1990-02-08 Shoei Chem Ind Co セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物
JPH0239408A (ja) * 1988-07-28 1990-02-08 Shoei Chem Ind Co セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物
JPH04293214A (ja) * 1991-03-20 1992-10-16 Mitsubishi Materials Corp チップ型電子部品用導電性ペースト
JPH05342907A (ja) * 1992-06-09 1993-12-24 Mitsubishi Materials Corp チップ型電子部品用導電性ペースト
JP2003077336A (ja) * 2001-08-30 2003-03-14 Kyocera Corp 導電性ペースト及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ
JP2004228094A (ja) * 2003-01-24 2004-08-12 E I Du Pont De Nemours & Co 多層セラミックキャパシタ用端子電極組成物

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006001872A1 (en) 2006-01-05
EP1766643A4 (en) 2010-05-05
TWI382966B (zh) 2013-01-21
CN100583326C (zh) 2010-01-20
JP2008503103A (ja) 2008-01-31
US6982864B1 (en) 2006-01-03
TW200607776A (en) 2006-03-01
EP1766643A1 (en) 2007-03-28
US20050276002A1 (en) 2005-12-15
CN1965381A (zh) 2007-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4805268B2 (ja) コンデンサ用の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含有する銅成端インク
JP4958904B2 (ja) コンデンサ用の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含む銅端子インク
US7504349B2 (en) Lead-free and cadmium-free conductive copper thick film pastes
US6841495B2 (en) Glass and conductive paste using the same
JP5303552B2 (ja) セラミック基板用導体ペーストおよび電気回路
JPWO2006003755A1 (ja) 導電性ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品
US20040144962A1 (en) Terminal electrode compositions for multilayer ceramic capacitors
JP3799933B2 (ja) 導電性ペーストおよびセラミック電子部品
JP4561574B2 (ja) 積層セラミック部品端子電極用導体ペースト
JP2003077336A (ja) 導電性ペースト及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ
JP2002163928A (ja) ガラス組成物およびこれを用いた厚膜ペースト
KR100438126B1 (ko) 세라믹 전자부품
JPH06199541A (ja) ガラスセラミックス組成物
WO2021221175A1 (ja) 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品
WO2021221174A1 (ja) 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品
JPH046046B2 (ja)
JPS5946703A (ja) 絶縁性セラミツクペ−スト用無機組成物
JP2005126250A (ja) ガラスセラミックス組成物および電子回路基板
JP2007227081A (ja) 導体ペーストおよびセラミック多層基板製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080214

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100604

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100824

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110322

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110615

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110802

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110810

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4805268

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250