JPS6214412A - チツプ型積層セラミツクコンデンサ、及びその製造法 - Google Patents
チツプ型積層セラミツクコンデンサ、及びその製造法Info
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- JPS6214412A JPS6214412A JP15443785A JP15443785A JPS6214412A JP S6214412 A JPS6214412 A JP S6214412A JP 15443785 A JP15443785 A JP 15443785A JP 15443785 A JP15443785 A JP 15443785A JP S6214412 A JPS6214412 A JP S6214412A
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- capacitor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、チップ型積層ｔう三ツクコンデンサ及びその
製造法に関する。
製造法に関する。
チップ型積層セラミックコンデンサは、ハイブリッドＩ
Ｃ用やプリント基板直付は用のチップ部品としてその需
要は急増し、電気製品の小型化に大きく寄与している。
Ｃ用やプリント基板直付は用のチップ部品としてその需
要は急増し、電気製品の小型化に大きく寄与している。
チツづ空積層ｔ５三ツクコンデンサは、通常銀等の貴金
属及びガラスフリットを含む導電性ペーストを該コンデ
ンサの端面に塗布し、焼成して外部電極層を形成し、こ
の外部電極層を回路基板に直接へンダ付けすることによ
って基板に装着されている。しかしながら、このように
チップ型積層ｔう三ツクコンデンサを装着した基板は、
引き続く回路基板製造工程のハンダ浴浸漬処理し〔おい
て、ハンダ浴への浸漬回数が多くなシ、或いはハンダ浴
への浸漬時間が長くなると外部電極中の票がハンダ浴中
へ溶解し、コンデンサと基板との接層強度が低下すると
いう問題がある。
属及びガラスフリットを含む導電性ペーストを該コンデ
ンサの端面に塗布し、焼成して外部電極層を形成し、こ
の外部電極層を回路基板に直接へンダ付けすることによ
って基板に装着されている。しかしながら、このように
チップ型積層ｔう三ツクコンデンサを装着した基板は、
引き続く回路基板製造工程のハンダ浴浸漬処理し〔おい
て、ハンダ浴への浸漬回数が多くなシ、或いはハンダ浴
への浸漬時間が長くなると外部電極中の票がハンダ浴中
へ溶解し、コンデンサと基板との接層強度が低下すると
いう問題がある。
この対策として、コンデンサ端面に銀等の貴金属を含む
導電層を形成させた後、この上にハンダ浴に溶解し難い
ニッケル、銅等の皮膜をメッキによシ形成させ、更にこ
の上にハンダの付漕性を向上させるためにハンダや錫の
メツ＋皮膜を形成させることが試みられている。
導電層を形成させた後、この上にハンダ浴に溶解し難い
ニッケル、銅等の皮膜をメッキによシ形成させ、更にこ
の上にハンダの付漕性を向上させるためにハンダや錫の
メツ＋皮膜を形成させることが試みられている。
しかしながら、この方法では、メツ＋処理を施す九めに
メツ辛液中にコンデンサを浸漬すると、メツ平波が導電
層の空隙部から侵入して、コンデンサ内部まで達するこ
とがあり、コンデンサの特性の低下の原因となっている
。
メツ辛液中にコンデンサを浸漬すると、メツ平波が導電
層の空隙部から侵入して、コンデンサ内部まで達するこ
とがあり、コンデンサの特性の低下の原因となっている
。
問題点を解決するための手段
本発明者は、メツ平波の浸入に伴なうチップ型積層セラ
ミックコンデンサの特性の低下を改善するために鋭意研
究を重ねた結果、セラミックコンデンサの端面と導電層
との間に、ガラス質のメツ辛液侵入防止展を形成させる
ことによって、メツ十処理工程においてメツ平波の侵入
を防止することが可能となり、ｔ５ミックコンデンサの
特性の低下を防止できることを見出し、ここに本発明を
完成した。
ミックコンデンサの特性の低下を改善するために鋭意研
究を重ねた結果、セラミックコンデンサの端面と導電層
との間に、ガラス質のメツ辛液侵入防止展を形成させる
ことによって、メツ十処理工程においてメツ平波の侵入
を防止することが可能となり、ｔ５ミックコンデンサの
特性の低下を防止できることを見出し、ここに本発明を
完成した。
即ち本発明は、以下に示すチッづ蟹積層℃ラミックコン
デンサ及びその製造法を提供するものであ゛る。
デンサ及びその製造法を提供するものであ゛る。
■ｉ）チップ型積層セラミックコンデンサの端面に設け
たガラス質Ｏメツ＋液侵入防止層、ｉ）該侵入防止層上
に設けた貴金属を含む導電層、及び ｉ） 該導電層上に設けたメツ＋層 からなる外部電極を有するチップ型積層セラミックコン
デンサ０ ■ チップ型積層セラミックコンデンサの端面にガラス
フリット、樹脂分及び溶剤からなるペーストを塗布し、
次いで貴金属粉を含む導電性ペーストを塗布した後焼成
し、続いてメッキ処理を行なうことＫより外部電極を形
成させることを特徴とするチップ型積層ｔう三ツクコン
デンサの製造法。
たガラス質Ｏメツ＋液侵入防止層、ｉ）該侵入防止層上
に設けた貴金属を含む導電層、及び ｉ） 該導電層上に設けたメツ＋層 からなる外部電極を有するチップ型積層セラミックコン
デンサ０ ■ チップ型積層セラミックコンデンサの端面にガラス
フリット、樹脂分及び溶剤からなるペーストを塗布し、
次いで貴金属粉を含む導電性ペーストを塗布した後焼成
し、続いてメッキ処理を行なうことＫより外部電極を形
成させることを特徴とするチップ型積層ｔう三ツクコン
デンサの製造法。
■ チップ空積ＮｔラミックコニＪデシ寸の端面に金属
有機化合物、樹脂及び溶剤からなるペーストを塗布し、
次いで貴金属粉を含む導電性ペーストを塗布した後焼成
し、続いてメッキ処理を行なうことによシ外部電極を形
成させることを特徴とするチップ型ｍＮｔラミックコン
デンサの製造法。
有機化合物、樹脂及び溶剤からなるペーストを塗布し、
次いで貴金属粉を含む導電性ペーストを塗布した後焼成
し、続いてメッキ処理を行なうことによシ外部電極を形
成させることを特徴とするチップ型ｍＮｔラミックコン
デンサの製造法。
本発明では、チッづを積層セラミックコンデンサの端面
と銀等の貴金属を含む導電層との間に、メツ平波のコン
デンサ内部への侵入を防止するためのガラス質のメッキ
液侵入防止層を形成させる。
と銀等の貴金属を含む導電層との間に、メツ平波のコン
デンサ内部への侵入を防止するためのガラス質のメッキ
液侵入防止層を形成させる。
ガラス質のメッキ液侵入防止層を形成させる方法として
は、ガラスフリットを混合分散したペーストを塗布焼成
する方法、及び金属有機化合物を混合分散したペースト
を塗布焼成する方法を挙けることができる・ 本発明においてメツ平波侵入防止層の形成に用いるガラ
スフリットは、焼成後にガラス膜に変化することが必要
でＴｏシ、鉛、ホウ素等を主成分として、次の特性を溝
足するものが好ましい。
は、ガラスフリットを混合分散したペーストを塗布焼成
する方法、及び金属有機化合物を混合分散したペースト
を塗布焼成する方法を挙けることができる・ 本発明においてメツ平波侵入防止層の形成に用いるガラ
スフリットは、焼成後にガラス膜に変化することが必要
でＴｏシ、鉛、ホウ素等を主成分として、次の特性を溝
足するものが好ましい。
！ 軟化点が導電層の形成に用いるペーストに含まれる
ガラスフリットの軟化点と同程度か、或いは多少低いも
の。
ガラスフリットの軟化点と同程度か、或いは多少低いも
の。
２ メッキ液中に含まれる酸に侵されないだけの耐酸性
を有するもの。
を有するもの。
３ コンデンサ材料のチタン酸バリウムや導電層に含ま
れる貴金属との親和性が良いもの。
れる貴金属との親和性が良いもの。
上記した条件を満足するガラスフリットとしては、具体
的には、鉛アルミニウム硼硅酸塩ガラス船亜鉛ジルコニ
ウムマンガン硼硅ｆＩｌ塩ガラス等の１ｉＩＩ硅酸塩ガ
ラスを例示できる。また、ガラスフリ・シトは、通常、
粒径０．５〜５μｍ程度の粉体として使用することが好
ましい。
的には、鉛アルミニウム硼硅酸塩ガラス船亜鉛ジルコニ
ウムマンガン硼硅ｆＩｌ塩ガラス等の１ｉＩＩ硅酸塩ガ
ラスを例示できる。また、ガラスフリ・シトは、通常、
粒径０．５〜５μｍ程度の粉体として使用することが好
ましい。
上記したガラスフリットは、樹脂及び溶剤と混合して、
ペースト状として使用する。樹脂としては、例えばエチ
ルセルロース、ニドＯｔルＯ−スアクリル、Ｏジン等を
使用でき、溶剤としては、タピネオール、ブチルカルじ
トール、づチルｔ。
ペースト状として使用する。樹脂としては、例えばエチ
ルセルロース、ニドＯｔルＯ−スアクリル、Ｏジン等を
使用でき、溶剤としては、タピネオール、ブチルカルじ
トール、づチルｔ。
ツルづアセテート、ブチルｔｏソルプ、エチル上０ツル
づ等を使用できる。
づ等を使用できる。
ガラスフリット、樹脂及び溶剤の混合比率社、例えばガ
ラスフリフ１３〜１５重量外、樹脂３〜２０重量％及び
溶剤６５〜９５重量％程度とすればよい。
ラスフリフ１３〜１５重量外、樹脂３〜２０重量％及び
溶剤６５〜９５重量％程度とすればよい。
ガラスフリットを含むペーストは、使用する塗布機に応
じた粘度に調整すればよく、例えば外部、 電極塗布
機（バ０マ社製、端子形成装置Ｍｏｄｅ１３４６）を用
いる場合には、１００００〜４００００ｃｐｓ程度に調
整すればよい。
じた粘度に調整すればよく、例えば外部、 電極塗布
機（バ０マ社製、端子形成装置Ｍｏｄｅ１３４６）を用
いる場合には、１００００〜４００００ｃｐｓ程度に調
整すればよい。
本発明での使用に適する金属有機化合物は、焼成後にガ
ラス質に変化するものであることが必要であり、Ｌｉ、
Ｈａ、Ｋ、 Ｍｙ％ＺｎＳＣｄ、 Ｅ％Ａｌ、 Ｓ ｉ
、ＳｓｌＣｍ、 Ｈｐ％Ｔ１． Ｐｂ 等の典型金属
やＴ ｉ、 Ｖ、 Ｃｒ、 Ｍｎ。
ラス質に変化するものであることが必要であり、Ｌｉ、
Ｈａ、Ｋ、 Ｍｙ％ＺｎＳＣｄ、 Ｅ％Ａｌ、 Ｓ ｉ
、ＳｓｌＣｍ、 Ｈｐ％Ｔ１． Ｐｂ 等の典型金属
やＴ ｉ、 Ｖ、 Ｃｒ、 Ｍｎ。
、Ｆ＃、Ｃσ、Ｎ＋％ＣＭ等の遷移金属とアル辛ル基、
アリール基等の炭化水素基とが化合した有機金属、上記
金属類とブチルアルコール、オクチルアルコール、ペシ
ジルアルコール等のアルコールとが結合した有機アル牛
ルオ牛サイド、上記金属類とアじ背 エチ フテン酸等の酸とが結合し九金属樹脂塩、上記
金ｍｍと三リスチン酸、ステアリン酸、力づリン酸等の
脂肪酸とが結合した金属石鹸等を例示できる。このよう
な金属有機化合物の具体例としては、テトラブチルＴ１
、テトラづチルＳｉ、ベンジルＳｉ、オクチックＺｒ塩
、オクチックＢｉ塩、オクチルビスマスアルコレート、
オクチルススアルコレート、ブチルアルミアルコレート
、ナフテン醗鉛塩、すフテン酸じスマス塩、ナフテン酸
マシガン塩、アじエチン酸亜鉛塩、アじエチン酸じスマ
ス塩、アビエチン酸コバルト塩、ステアリン酸アルミニ
ウム塩、カプリン酸亜鉛危どを例示することができる。
アリール基等の炭化水素基とが化合した有機金属、上記
金属類とブチルアルコール、オクチルアルコール、ペシ
ジルアルコール等のアルコールとが結合した有機アル牛
ルオ牛サイド、上記金属類とアじ背 エチ フテン酸等の酸とが結合し九金属樹脂塩、上記
金ｍｍと三リスチン酸、ステアリン酸、力づリン酸等の
脂肪酸とが結合した金属石鹸等を例示できる。このよう
な金属有機化合物の具体例としては、テトラブチルＴ１
、テトラづチルＳｉ、ベンジルＳｉ、オクチックＺｒ塩
、オクチックＢｉ塩、オクチルビスマスアルコレート、
オクチルススアルコレート、ブチルアルミアルコレート
、ナフテン醗鉛塩、すフテン酸じスマス塩、ナフテン酸
マシガン塩、アじエチン酸亜鉛塩、アじエチン酸じスマ
ス塩、アビエチン酸コバルト塩、ステアリン酸アルミニ
ウム塩、カプリン酸亜鉛危どを例示することができる。
上記した金属有機化合物は、単独又は組み合わせて、樹
脂及び溶剤と混合してペースト状として使用する。樹脂
及び溶剤としては、劇記し九ガラスフリットを含むペー
ストにおいて用いるものと１司様のものでよい。
脂及び溶剤と混合してペースト状として使用する。樹脂
及び溶剤としては、劇記し九ガラスフリットを含むペー
ストにおいて用いるものと１司様のものでよい。
金属有機化合物、樹脂及び溶剤の比率は、例えば金属有
機化合物５〜５０重１１％、樹脂１０〜４０重量％及び
溶剤３０〜８０重ｇｋ算程度となるようにすればよい。
機化合物５〜５０重１１％、樹脂１０〜４０重量％及び
溶剤３０〜８０重ｇｋ算程度となるようにすればよい。
金属有機化合物を含むペーストは使用する塗布機に応じ
た粘度に適宜調整すればよく、例えば外部電極塗布機（
バＯマ社製、端子形成装＠Ｍａｄｔ１３４６）を用いる
場合には１００００〜４００００１戸Ｓ程度に調整すれ
ばよい。
た粘度に適宜調整すればよく、例えば外部電極塗布機（
バＯマ社製、端子形成装＠Ｍａｄｔ１３４６）を用いる
場合には１００００〜４００００１戸Ｓ程度に調整すれ
ばよい。
ガラスフリットを含むペースト又は金属有機化合物を含
むペーストの塗布厚さは、焼成後に形成されるガラス膜
が０．５〜１５．０μｍ程度になるように調整すればよ
い。
むペーストの塗布厚さは、焼成後に形成されるガラス膜
が０．５〜１５．０μｍ程度になるように調整すればよ
い。
チラーづ型ｔラミックコンデンサの端面に、上記ペース
トを塗布し、乾燥させた後は、銀等の貴金属及びガラス
フリットを含む導電性ペーストを塗布し、乾燥させ、次
いで６００〜８５０°Ｃで約１〜２時間焼成する。焼成
によって銀等の貴金属を含む導電層が形成されると共に
、導電層と℃ラミックコンデンサの端面との間に薄いガ
ラス質のメッ平波侵入防止膜が形成される。銀等の貴金
属及びガラスフリットを含む導電性ペーストは、従来用
いられているものと同様のものでよく、−例を挙げると
、Ａｆ粉６０重量％、酸化じスマス４重量襲、エチルセ
ル０−ズ５重量％及びブチルカルじトール２１重量％の
ものを用いることができる。
トを塗布し、乾燥させた後は、銀等の貴金属及びガラス
フリットを含む導電性ペーストを塗布し、乾燥させ、次
いで６００〜８５０°Ｃで約１〜２時間焼成する。焼成
によって銀等の貴金属を含む導電層が形成されると共に
、導電層と℃ラミックコンデンサの端面との間に薄いガ
ラス質のメッ平波侵入防止膜が形成される。銀等の貴金
属及びガラスフリットを含む導電性ペーストは、従来用
いられているものと同様のものでよく、−例を挙げると
、Ａｆ粉６０重量％、酸化じスマス４重量襲、エチルセ
ル０−ズ５重量％及びブチルカルじトール２１重量％の
ものを用いることができる。
メッキ液侵入防止層が厚すぎると、内部電極と導電層と
の電気的な接続が不十分になシ、一方薄すぎるとメツ平
波の侵入を防止できなくなるので通常０．５〜１５μｍ
程度とすることが好ましい。
の電気的な接続が不十分になシ、一方薄すぎるとメツ平
波の侵入を防止できなくなるので通常０．５〜１５μｍ
程度とすることが好ましい。
また導電層の厚さは、通常のものと同様でよく、５〜２
５μｍ程度とすればよい。
５μｍ程度とすればよい。
導電層を形成させた後は従来法と同様に、ハンダ浴中へ
の貴金属分の溶解を防止するためにニッケル、銅等のメ
ッキ皮膜を形成させる。メッキ方法は常法に従えばよく
、例えばパしルメッ＋法等によって０．５〜２０μｍ程
度のメッキ皮膜を形成させればよい。
の貴金属分の溶解を防止するためにニッケル、銅等のメ
ッキ皮膜を形成させる。メッキ方法は常法に従えばよく
、例えばパしルメッ＋法等によって０．５〜２０μｍ程
度のメッキ皮膜を形成させればよい。
次いでハンダの付着性を向上させるために上記メッキ皮
膜上に錫、ハンダ等のメッキ皮膜を形成させる。メッキ
方法は常法に従えばよく、例えばバレルメツ中法で０．
５〜２０μｌＩ４程度のメッキ皮膜を形成させればよい
。
膜上に錫、ハンダ等のメッキ皮膜を形成させる。メッキ
方法は常法に従えばよく、例えばバレルメツ中法で０．
５〜２０μｌＩ４程度のメッキ皮膜を形成させればよい
。
本発明チップ型積層ｔう三ツクコンデンサでは、外部電
極を形成させるための本体となる積層コンダンサ部分は
、通常使用されているものと同様のものをいずれも用い
ることができる。
極を形成させるための本体となる積層コンダンサ部分は
、通常使用されているものと同様のものをいずれも用い
ることができる。
本発明チップ型積層セラミックコンデンサの外部電極部
の一例の断面図を第１図に示す。図中、（１）はハンタ
メッ十層、（２）はニッケルメツ十層、（３）は貴金属
を含む導電層、（４）はメッキ液侵入防止層、（５）は
内Ｆｙ６を極、（６）はセラミック誘電体である。
の一例の断面図を第１図に示す。図中、（１）はハンタ
メッ十層、（２）はニッケルメツ十層、（３）は貴金属
を含む導電層、（４）はメッキ液侵入防止層、（５）は
内Ｆｙ６を極、（６）はセラミック誘電体である。
本発明による外部電極を設けたチップ空積層セラ！ツク
コンデンサでは、メッキ処理時にコンデンサ内部へのメ
ッキ液の侵入がなく、このためメツ中処理によるコンデ
ンサの特性の低下はない。
コンデンサでは、メッキ処理時にコンデンサ内部へのメ
ッキ液の侵入がなく、このためメツ中処理によるコンデ
ンサの特性の低下はない。
また、該コンデンサを装瑞した基板をハンダ浴へ浸漬す
る際に、コンデンサ外部電極の導電層から貴金属が溶出
することがなく、依って基板のハンダ浴への浸漬回数が
多くなり、或いはハンダ浴への浸漬時間が長くなった場
合にも、コンデンサと基板との接着強度の低下は生じな
い。
る際に、コンデンサ外部電極の導電層から貴金属が溶出
することがなく、依って基板のハンダ浴への浸漬回数が
多くなり、或いはハンダ浴への浸漬時間が長くなった場
合にも、コンデンサと基板との接着強度の低下は生じな
い。
以下実施例を示して本発明の詳細な説明する。
実施例１
下記組成の原料を三本０−ルミルで混合分散させてガラ
スフリットを含むペーストを調製した。
スフリットを含むペーストを調製した。
ペーストの粘度は３４０００ ｅｌｌであった。
ニドＯｔル０−ズ １８ ｌ
ブチルｔＯソルプア℃テート ７２ ｌこのペースト
をチタン酸バリウムを誘電体とするチップ型積層ｔう三
ツクコンデンサの端面に外部電極塗布機（八〇マ社極１
端子形成袋ＷＩＭσｄｔ１３４６）で約ｌＯμｍの厚さ
に塗布した。
をチタン酸バリウムを誘電体とするチップ型積層ｔう三
ツクコンデンサの端面に外部電極塗布機（八〇マ社極１
端子形成袋ＷＩＭσｄｔ１３４６）で約ｌＯμｍの厚さ
に塗布した。
次いで、下記組成の導電性ペーストを三本Ｏ−ルミルで
混線分散させることＫよって調製した。
混線分散させることＫよって調製した。
銀粉（粒径１．５μｍ） ６５重量部ガラスフリッ
ト ４１ （旭硝子■製Ａ１３７０） エチルセルロース ＋０ １ ブチルｔｏソルプアセテート ２１ Ｉこの導電性ペー
ストをガラスフリットペースト膜上に一上記したものと
同じ外部電極塗布機で約４０ ａｍの厚さに塗布した後
、８００°Ｃで６０分間焼成して、メッキ液侵入防止層
及び外部電極層を形成させた。
ト ４１ （旭硝子■製Ａ１３７０） エチルセルロース ＋０ １ ブチルｔｏソルプアセテート ２１ Ｉこの導電性ペー
ストをガラスフリットペースト膜上に一上記したものと
同じ外部電極塗布機で約４０ ａｍの厚さに塗布した後
、８００°Ｃで６０分間焼成して、メッキ液侵入防止層
及び外部電極層を形成させた。
次に下記組成のニッケルメッキ液を用いて、バレルメツ
士法によりニッケルメツ十を行ない約３μｍのメッキ皮
膜を形成させた。
士法によりニッケルメツ十を行ない約３μｍのメッキ皮
膜を形成させた。
Ｎｌ５ＯＩ４ ２２重量部
Ｎ ｒ Ｃｊ ２４．５ ’
ＨＢＯ４，Ｑ１
水 ６９．５１
続いてハンタメッ平波（アルカノールスルホン酸浴（Ａ
ｓ浴）、石原薬品■製）を用いて、バレルメツ生性によ
シ約２μｍの厚さにハ：７タメッ牛を行なった。
ｓ浴）、石原薬品■製）を用いて、バレルメツ生性によ
シ約２μｍの厚さにハ：７タメッ牛を行なった。
上記した方法によって外部電極層を設けたチップ型積層
セラミックコンデンサでは、メッキ処理時において、メ
ツ平波のコンデンサ内部への侵入はなく、コンデンサの
特性劣化は生じなかった。
セラミックコンデンサでは、メッキ処理時において、メ
ツ平波のコンデンサ内部への侵入はなく、コンデンサの
特性劣化は生じなかった。
その結果、不良品の発生量は従来の約／ となつ１゜
た。また、外部電極層のハンタ付着性は良好であり、基
板にコンデンサを接合した後、２７０″Ｃで２０秒間基
板をハンダ浴へ浸漬した場合にもコンデンサの基板への
接合力の低下は生じなかった。
板にコンデンサを接合した後、２７０″Ｃで２０秒間基
板をハンダ浴へ浸漬した場合にもコンデンサの基板への
接合力の低下は生じなかった。
実施例２
ガラスフリットを含むペーストとして下記組成のものを
使用し、ニッケルメッキ皮膜の厚さを４．５μｍとした
仁と以外は、実施例１と同様にしてチップ型積層ｔう三
ツクコンダシサに外部電極層を設けた。
使用し、ニッケルメッキ皮膜の厚さを４．５μｍとした
仁と以外は、実施例１と同様にしてチップ型積層ｔう三
ツクコンダシサに外部電極層を設けた。
エチル℃ルＯ−ス ２０ １
づチルセロツルづアセテート ７０ ＃得られたチッ
プ空積Ｎｔ５三ツクコンデンサは１メッキ処理時におい
て、メツ平波のコンデンサ内部への侵入はなく、コンデ
ンサの特性劣化は生じなかった。その結果不良品の発生
量は従来の約ン となった。また、外部電極層のハンダ
付瑠性工Ｏ は良好であシ、基板にコンデンサを接合また俊、２７０
°Ｃで２０秒間基板をハンダ浴に浸漬した場合にもコン
デンサの基板への接合力の低下は生じなかった。
プ空積Ｎｔ５三ツクコンデンサは１メッキ処理時におい
て、メツ平波のコンデンサ内部への侵入はなく、コンデ
ンサの特性劣化は生じなかった。その結果不良品の発生
量は従来の約ン となった。また、外部電極層のハンダ
付瑠性工Ｏ は良好であシ、基板にコンデンサを接合また俊、２７０
°Ｃで２０秒間基板をハンダ浴に浸漬した場合にもコン
デンサの基板への接合力の低下は生じなかった。
実施例３
下記組成の原料を五本Ｏ−ル三ルで混合分散させて金属
有機化合物を含むペーストを調製した。
有機化合物を含むペーストを調製した。
ペーストの粘度は３２０００ｃ戸！であった。
金属有機化合物
ナフテン＠ｐｂ塩 ３重量部
オフチックＢ１ 塩 ３Ｉ
テトラブチルＴｉ ｌ ＃ベンジルＳｉ
２ ＃ エチルセル０−ス １６ ＃ ブチル九ルじトール ７５ 〃 このペーストをチップ型積層セラミックコンデンサの端
面に実施例１と同じ外！５１ｓｉｉＥ極塗装機で約５μ
ｍの厚さに塗布した。
２ ＃ エチルセル０−ス １６ ＃ ブチル九ルじトール ７５ 〃 このペーストをチップ型積層セラミックコンデンサの端
面に実施例１と同じ外！５１ｓｉｉＥ極塗装機で約５μ
ｍの厚さに塗布した。
次いで実施例１で用いたものと同じ導電性ペーストを金
属有機化合物含有ペースト層上に約４０μｍの厚さに塗
布した後、実施例１と同様に焼成、ニッケルメツ＋及び
ハンタメツ十を行なってチップ型積層ｔう三ツクコンデ
ンサに外部電極層を設けた。メッキ処理時においてメッ
キ液のコンデンサ内部への侵入はなく、コンデンサの特
性劣化は生じなかった。その結果、不良品の発生量は従
来の約／ となった。また、外部電極層のハンダ付１゜ 層性は良好であシ、基板にコンデンサを接合した後、２
７０’Ｃで２０秒間基板をハンダ浴へ浸漬した場合にも
コンデンサの基板への接合力の低下は生じな蜘っ九〇 実施例４ 金属有機化合物を含むペーストとして下記組成の粘度３
００００ ｅｌ’ｌのペーストを使用して塗布厚を約６
μｍとし、ニッケルメッキ皮膜の厚さを４．５μｍとし
たこと以外は、実施例３と同様にしてチップ型積層セラ
ミックコンデンサに外部電極層を設けた。
属有機化合物含有ペースト層上に約４０μｍの厚さに塗
布した後、実施例１と同様に焼成、ニッケルメツ＋及び
ハンタメツ十を行なってチップ型積層ｔう三ツクコンデ
ンサに外部電極層を設けた。メッキ処理時においてメッ
キ液のコンデンサ内部への侵入はなく、コンデンサの特
性劣化は生じなかった。その結果、不良品の発生量は従
来の約／ となった。また、外部電極層のハンダ付１゜ 層性は良好であシ、基板にコンデンサを接合した後、２
７０’Ｃで２０秒間基板をハンダ浴へ浸漬した場合にも
コンデンサの基板への接合力の低下は生じな蜘っ九〇 実施例４ 金属有機化合物を含むペーストとして下記組成の粘度３
００００ ｅｌ’ｌのペーストを使用して塗布厚を約６
μｍとし、ニッケルメッキ皮膜の厚さを４．５μｍとし
たこと以外は、実施例３と同様にしてチップ型積層セラ
ミックコンデンサに外部電極層を設けた。
金属有機化合物
オクチックＺｒ塩 １．０重量部
テトラブチルＴｉ １，０ ＃ナフテン酸ｐ
ｂ塩 ３ オクチツクＢｉ塩 ２ ペシジルＳｉ ２ ニドＯｔル０−ズ ２８．０＃ づチルカルじトール ６３ 得られたチップ型積層セラミックコンデンサでは、メツ
＋処理時において、メツ平波のコンダンサ内部への侵入
はなく、コンデンサの特性劣化は生じなかった。その結
果、不良品の発生量は従来の約／ となつ九。また、外
部電極層のハ：、Ｉり付層性は良好であり、基板にコン
デンサを接合した後、２７０″Ｃで２０秒間基板をハン
ダ浴に浸漬した場合にもコンデンサの基板への接合力の
低下は生じなかつ九。
ｂ塩 ３ オクチツクＢｉ塩 ２ ペシジルＳｉ ２ ニドＯｔル０−ズ ２８．０＃ づチルカルじトール ６３ 得られたチップ型積層セラミックコンデンサでは、メツ
＋処理時において、メツ平波のコンダンサ内部への侵入
はなく、コンデンサの特性劣化は生じなかった。その結
果、不良品の発生量は従来の約／ となつ九。また、外
部電極層のハ：、Ｉり付層性は良好であり、基板にコン
デンサを接合した後、２７０″Ｃで２０秒間基板をハン
ダ浴に浸漬した場合にもコンデンサの基板への接合力の
低下は生じなかつ九。
第１図は、本発明チップ型積層セラミックコンデンサの
外部電極部の一例の断面図である。 （１）はハンダメツ＋層、（２）はニッケルメツ十層、
（３）は貴金属を含む導電層、（４）はメツ平波侵入防
止層、（５）は内部電極、（６）は℃う三ツク誘電体で
ある。 （以 上）
外部電極部の一例の断面図である。 （１）はハンダメツ＋層、（２）はニッケルメツ十層、
（３）は貴金属を含む導電層、（４）はメツ平波侵入防
止層、（５）は内部電極、（６）は℃う三ツク誘電体で
ある。 （以 上）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ｉ）チップ型積層セラミックコンデンサの端面に設
けたガラス質のメッキ液侵入防止層、 ｉｉ）該侵入防止層上に設けた貴金属を含む導電層、及
び ｉｉｉ）該導電層上に設けたメッキ層 からなる外部電極を有するチップ型積層セラミツクコン
デンサ。 ２ チップ型積層セラミックコンデンサの端面にガラス
フリット、樹脂分及び溶剤からなるペーストを塗布し、
次いで貴金属粉を含む導電性ペーストを塗布した後焼成
し、続いてメッキ処理を行なうことにより外部電極を形
成させることを特徴とするチップ型積層セラミックコン
デンサの製造法。 ３ チップ型積層セラミックコンデンサの端面に金属有
機化合物、樹脂及び溶剤からなるペーストを塗布し、次
いで貴金属粉を含む導電性ペーストを塗布した後焼成し
、続いてメッキ処理を行なうことにより外部電極を形成
させることを特徴とするチップ型積層セラミックコンデ
ンサの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15443785A JPS6214412A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | チツプ型積層セラミツクコンデンサ、及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15443785A JPS6214412A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | チツプ型積層セラミツクコンデンサ、及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6214412A true JPS6214412A (ja) | 1987-01-23 |
Family
ID=15584171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15443785A Pending JPS6214412A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | チツプ型積層セラミツクコンデンサ、及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6214412A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4905668A (en) * | 1988-05-16 | 1990-03-06 | Olympus Optical Co., Ltd. | Endoscope apparatus |
| JP2008503103A (ja) * | 2004-06-09 | 2008-01-31 | フエロ コーポレーション | コンデンサ用の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含有する銅成端インク |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56116613A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing ceramic electronic part |
| JPS57117202A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of forming electrode in ceramics |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP15443785A patent/JPS6214412A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56116613A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing ceramic electronic part |
| JPS57117202A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of forming electrode in ceramics |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4905668A (en) * | 1988-05-16 | 1990-03-06 | Olympus Optical Co., Ltd. | Endoscope apparatus |
| JP2008503103A (ja) * | 2004-06-09 | 2008-01-31 | フエロ コーポレーション | コンデンサ用の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含有する銅成端インク |
| JP4805268B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2011-11-02 | フエロ コーポレーション | コンデンサ用の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含有する銅成端インク |
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