JPH10163067A

JPH10163067A - チップ型電子部品の外部電極

Info

Publication number: JPH10163067A
Application number: JP32162096A
Authority: JP
Inventors: Yoshiomi Go; 良臣郷
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 1996-12-02
Filing date: 1996-12-02
Publication date: 1998-06-19

Abstract

(57)【要約】【課題】セラミック焼結体よりなるベアチップとの接
合強度が高く、しかも、実装時のはんだ耐熱性及びはん
だ付け性が高く、電気回路との接合性も良好な、チップ
型電子部品の外部電極を提供する。【解決手段】外部電極４を第１層４ａと第２層４ｂの
２層構造とし、第１層４ａを金属レジネートを有機バイ
ンダ及び有機溶剤に分散させてなる導電性ペーストの焼
き付けにより形成し、第２層４ｂを金属粉末とガラスを
含む導電性ペーストの焼き付けにより形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はチップ型電子部品の
外部電極に係り、特に、セラミック焼結体よりなるベア
チップとの接合強度が高く、しかも、実装時のはんだ耐
熱性及びはんだ付け性が高く、電気回路との接合性も良
好な、電気的特性、信頼性、機械的特性に優れたチップ
型電子部品の外部電極に関する。

【０００２】

【従来の技術】チップインダクター、チップ抵抗、チッ
プ型積層セラミックコンデンサ、チップサーミスタ等の
チップ型電子部品は、セラミック焼結体からなるベアチ
ップと、その内部に設けられた内部電極と、この内部電
極に導通するように、ベアチップの両側面に設けられた
外部電極とで主に構成され、この外部電極を基板にはん
だ付けすることにより実装される。

【０００３】このようなチップ型電子部品において、外
部電極は、チップ型電子部品と基板上の電気回路とを接
続するためのものであるため、その良否が製品の電気的
特性、信頼性、機械的特性等に大きな影響を及ぼす。

【０００４】従来、チップ型電子部品の外部電極は、Ａ
ｇ，Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属粉末とガラスを主成分とする
無機結合材を混合したものを有機ビヒクルに混練し、得
られた導電性ペーストをベアチップの両端面に塗布した
後、６００〜８００℃程度の温度で焼成して形成されて
いる。

【０００５】このようにして形成される外部電極の表面
には、はんだ付け時のくわれ（外部電極のはんだへの溶
解）を防止するためのＮｉ或いはＣｕメッキ皮膜と、更
に、このメッキ皮膜の酸化によるはんだ付け性の低下を
防止するためのＳｎメッキ皮膜又はＳｎ／Ｐｄメッキ皮
膜とからなる２層のメッキ電極層が形成されている。こ
のメッキ電極層の形成は、通常、湿式の電解バレルメッ
キ法で行われている。

【０００６】外部電極表面に電解バレルメッキ法でメッ
キ電極層を形成する際、外部電極の表面及び内部に空孔
があると、この空孔に電解液が侵入する場合がある。外
部電極の空孔内への電解液の侵入は、電子部品の信頼性
の低下や外部電極のベアチップに対する接合強度の低下
の原因となる。なお、この外部電極とベアチップとの接
合強度の低下は、内部に侵入した電解液により外部電極
中のガラスが変質又は溶解することにより起こる。

【０００７】そこで、従来においては、外部電極のベア
チップに対する接合強度を高めるために、外部電極形成
用導電性ペーストに主としてガラスからなる無機結合材
を加えている。そして、この無機結合材の組成や配合比
を調整することで、上記電解液の侵入防止を図っている

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、導電性
ペーストの無機結合材の組成や配合比を調整することに
より、電解液の侵入を防止し、ベアチップと外部電極と
の接合強度の改善を図る場合には、次のような問題があ
る。

【０００９】即ち、ベアチップと外部電極との接合強度
の改善を主目的とした導電性ペースト組成は、ガラス配
合が比較的多いものとなる。このため、このような金属
ペーストで形成された外部電極は、その表面に多量にガ
ラス成分が存在するものとなるが、このような外部電極
は表面に均一なメッキ膜を形成することができない。こ
のため、チップ型電子部品を基板に実装する際のはんだ
耐熱性及びはんだ付け性が低下し、電気回路との接合性
が劣化する。

【００１０】本発明は上記従来の問題点を解決し、セラ
ミック焼結体よりなるベアチップとの接合強度が高く、
しかも、実装時のはんだ耐熱性及びはんだ付け性が高
く、電気回路との接合性も良好なチップ型電子部品の外
部電極を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明のチップ型電子部
品の外部電極は、セラミック焼結体からなるベアチップ
の表面に接する第１層と、この第１層に積層形成された
第２層とを有するチップ型電子部品の外部電極におい
て、前記第１層は、金属レジネートと有機バインダ及び
有機溶剤とを混合してなる導電性ペーストを焼き付ける
ことにより形成され、前記第２層は金属粉末及びガラス
を含む導電性ペーストを焼き付けることにより形成され
ていることを特徴とする。

【００１２】本発明のチップ型電子部品の外部電極の第
１層では、焼き付け時に金属レジネートが熱分解して金
属微粒子が生じ、且つこの金属微粒子同士が焼結して緻
密な金属層が形成されている。即ち、この金属レジネー
トと有機バインダ及び有機溶剤とを混合してなる導電性
ペーストを焼き付けると、従来の導電性ペーストによる
大きな金属粒子同士の焼結とは異なり、金属レジネート
の分解生成物である金属超微粒子が焼結するため、きわ
めて緻密な電極層が形成される。この緻密な外部電極層
により、湿式メッキ時の電解液の侵入が防止され、電解
メッキによる特性劣化が防止される。

【００１３】また、この第１層はベアチップと第２層と
のいずれに対してもなじみが良い。そして、第２層を形
成する導電性ペーストのガラス組成や配合は、はんだ付
け性及びはんだ耐熱性を重視した、ガラス配合の少ない
ものとすることができる。このため、表面のガラス成分
存在量の極めて少ない第２層に対して、均一なメッキ膜
を形成して、はんだ耐熱性及びはんだ付け性を高め、電
気回路との接合性を良好なものとすることができる。

【００１４】本発明において、第１層を形成する導電性
ペースト中の金属レジネートを構成する金属成分の含有
量は１０〜２０重量％であることが好ましく、第２層を
形成する導電性ペースト中のガラスの含有割合は該導電
性ペースト中の金属粉末に対して１．５〜１５重量％で
あることが好ましい。

【００１５】また、本発明において、第１層を形成する
導電性ペースト中の金属レジネートの金属成分は、Ａ
ｇ，Ｐｄ及びＰｔよりなる群から選ばれる１種又は２種
以上の第１の金属成分と、ベアチップを構成するセラミ
ック焼結体との結合剤としてのＳｉ，Ｃａ及びＢｉより
なる群から選ばれる１種又は２種以上の第２の金属成分
とで構成されることが好ましい。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明を詳
細に説明する。

【００１７】図１は、本発明のチップ型電子部品の外部
電極の実施の形態に係る、積層セラミックコンデンサの
断面図である。

【００１８】図示の積層セラミックコンデンサ１０は、
表面実装型のチップコンデンサであり、内部電極１を有
する鉛系ペロブスカイトのセラミック誘電体２を複数枚
積層して得られたグリーンチップを焼成して得られるベ
アチップ３を有する。このベアチップ３の両端面に、内
部電極１と電気的に接続された第１層４ａと、この第１
層４ａに重なった第２層４ｂとからなる２層構造の外部
電極４が形成されている。

【００１９】このセラミック誘電体２としては、鉛系ペ
ロブスカイトの他、チタン酸バリウム系、チタン酸スト
ロンチウム系等の誘電体が用いられ、内部電極１として
はＰｄ，Ｐｔ，Ａｇ／Ｐｄ，Ａｕ等の貴金属、或いはＮ
ｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏ等の卑金属が用いられる。

【００２０】本発明に係る外部電極４の第１層４ａは、
金属レジネートと有機バインダ及び有機溶剤とを混合し
てなる導電性ペーストを焼き付けることにより形成さ
れ、第２層４ｂは、金属粉末及びガラスを含む導電性ペ
ーストを焼き付けることにより形成される。

【００２１】第１層４ａを形成するための導電性ペース
ト（以下「第１の導電性ペースト」と称す。）は、好ま
しくはＡｇ，Ｐｄ及びＰｔよりなる群から選ばれる１種
又は２種以上の第１の金属成分を含む金属レジネート
と、ベアチップを構成するセラミック焼結体との結合剤
としての、Ｓｉ，Ｃａ及びＢｉよりなる群から選ばれる
１種又は２種以上の第２の金属成分を含む金属レジネー
トを、有機バインダ及び有機溶剤を含む有機ビヒクルで
混練して調製される。なお、金属レジネートとしては、
例えば、オクチル酸銀、オクチル酸パラジウム等の有機
金属化合物を用いることができる。

【００２２】第１の導電性ペースト中の第１の金属成分
を含む金属レジネートの割合は２０〜５７重量％の範囲
が好ましい。第１の金属成分の金属レジネートの割合が
上記範囲よりも少ないと、外部電極としての十分な導電
性が得られず、上記範囲よりも多いと、相対的に有機ビ
ヒクルの割合が少なくなり、後述の如く、外部電極の形
成が困難となる。

【００２３】また、第１の導電性ペースト中の第２の金
属成分を含む金属レジネートの割合は、１〜５重量％の
範囲が好ましい。第２の金属成分の金属レジネートの割
合が上記範囲よりも少ないと、ベアチップと外部電極と
の結合性が十分に得られず、上記範囲よりも多いと、ベ
アチップと外部電極との結合性が過剰になり、特性が劣
化する。

【００２４】この第１の導電性ペーストの金属成分の割
合は１０〜２０重量％の範囲とするのが好ましい。金属
成分の割合が１０重量％未満では、１回のペースト塗布
で形成される外部電極の厚みが極端に薄くなり、また膜
の連続性も低下するため、電解液が侵入する恐れがあ
る。逆に金属成分の割合が２０重量％を超えると、有機
ビヒクルに対する金属レジネートの割合が過剰になり、
この場合には外部電極の塗布厚みの不均一性や電極の剥
離といった問題により、外部電極の形成が困難となる。

【００２５】第１の導電性ペーストの好適配合は次の通
りである。

【００２６】第１の導電性ペースト配合（重量％）Ａｇ（又はＰｄ又はＰｔ）レジネート：２０〜５７Ｓｉレジネート：１〜５Ｃａレジネート：０．１〜０．５Ｂｉレジネート：０．３〜０．９有機ビヒクル：残部一方、第２層４ｂを形成するための導電性ペースト（以
下「第２の導電性ペースト」と称す。）は、Ａｇ，Ｐｄ
及びＰｔよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の金
属粉末と、ガラスとを、有機バインダ及び有機溶剤を含
む有機ビヒクルに分散させて調製され、その好適な配合
割合は次の通りである。

【００２７】第２の導電性ペースト配合金属粉末：５０〜８０重量％ガラス：金属粉末に対して１．５〜１５重量％有機ビヒクル：残部第２の導電性ペースト中の金属粉末の割合が５０重量％
未満では、第２層と第１層との接合が悪くなり、電気的
特性に問題が生じる上に電極表面の導電性が低下するた
め、電解メッキ法でメッキ皮膜を形成する際、メッキ皮
膜の形成が困難になる。逆に、金属粉末の割合が８０重
量％を超えると、ペースト化が困難になり、塗布作業を
実施できなくなる。また、ガラスの割合が金属粉末の割
合に対して１．５重量％未満では結合性が得られず、電
極膜の形成が困難となり、１５重量％を超えるとガラス
が多くなることで均一なメッキ層が形成されなくなり、
はんだ付け性及びはんだ耐熱性が劣るものとなる。

【００２８】第２の導電性ペーストのガラスとしては、
ホウケイ酸鉛亜鉛系、ホウ酸鉛亜鉛系、ホウケイ酸亜鉛
系等のガラスが好ましい。

【００２９】この第１層４ａ及び第２層４ｂからなる２
層構造の外部電極４は、ベアチップ３の外部電極形成端
面を第１の導電性ペーストに浸漬した後引き上げて１５
０〜２００℃で乾燥した後、６００〜８００℃で焼成し
て第１層４ａを焼き付け、次いで、この第１層４ａを焼
き付けたベアチップ３の外部電極形成端面を第２の導電
性ペーストに浸漬した後引き上げて、同様に乾燥、焼成
することにより形成することができる。

【００３０】なお、本発明において、外部電極４の第１
層４ａの厚さは３〜１５μｍとし、第２層４ｂの厚さは
４０〜７０μｍとするのが、メッキ処理後の電気的特性
及び機械的特性を確保する面で好適である。

【００３１】この積層セラミックコンデンサ１０は、外
部電極４の表面に更にＣｕ又はＮｉメッキ皮膜５とＳｎ
又はＳｎ／Ｐｂメッキ皮膜６とを形成して使用される。

【００３２】なお、本発明のチップ型電子部品の外部電
極は、図示の積層セラミックコンデンサの他、チップ抵
抗、チップサーミスタ、チップインダクター等の様々な
チップ型電子部品に適用することができる。

【００３３】本発明において、ベアチップを構成するセ
ラミック焼結体がチタン酸バリウム、チタン酸ストロン
チウム或いは、鉛ペロブスカイトを主成分とするセラミ
ック誘電体であれば、高特性セラミックコンデンサが提
供される。また、セラミック焼結体がフェライトを主成
分とするセラミック磁性体であれば、高特性チップサー
ミスタ又はフェライトチップインダクタが提供される。

【００３４】

【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて、本発明を
より具体的に説明する。

【００３５】なお、以下において使用した積層セラミッ
クコンデンサチップは、鉛ペロブスカイト（ＰＬＺＴ）
系セラミック誘電体を用いた、層間８０μｍの６．８η
Ｆ品で、チップ寸法：長さ３．２ｍｍ×幅１．６ｍｍ×
高さ１．０５ｍｍのものである。

【００３６】実施例１金属レジネートをエチルセルロース、ブチルカルビトー
ル及びテルピネオールを含む有機ビヒクルに混練して下
記配合割合の第１の導電性ペースト（導電性ペースト中
の金属レジネートの合計含有量５０重量％，金属成分の
合計含有量１５重量％）を調製した。

【００３７】第１の導電性ペーストの配合割合（重量
％）Ａｇ金属レジネート：４３．４（Ａｇとして１４．８重
量％）Ｓｉ金属レジネート：１．０（Ｓｉとして０．１重量
％）Ｃａ金属レジネート：０．２（Ｃａとして０．０２重量
％）Ｂｉ金属レジネート：０．４（Ｂｉとして０．０８重量
％）有機ビヒクル：５５別に、Ａｇ粉末とガラスフリットをエチルセルロース、
ブチルカルビトール及びテルピネオールを含む有機ビヒ
クルに混練して下記配合割合の第２の導電性ペーストを
調製した。なお、ガラスフリットとしてはホウケイ酸鉛
亜鉛系を用いた。

【００３８】第２の導電性ペースト配合割合（重量％）Ａｇ粉末：７５ガラスフリット：７．５（Ａｇ粉末に対して１０重量
％）有機ビヒクル：１７．５第１の導電性ペーストをベアチップ３の両端面に塗布し
て、大気圧下、２００℃で１０分間乾燥した後、大気圧
下、２５℃／分の昇温速度で７５０℃まで昇温して焼成
し、第１層４ａを形成した。この第１層４ａの電極厚み
は約１０μｍであった。

【００３９】次に、第２の導電性ペーストを、第１層４
ａを形成したベアチップ３の第１層４ａ上に塗布し、大
気圧下、２００℃で１０分間乾燥した後、大気圧下、２
５℃／分の昇温速度で７５０℃まで昇温して焼成し、第
２層４ｂを形成した。この第２層４ｂの電極厚みは約５
０μｍであった。

【００４０】その後、形成された外部電極上に、電解バ
レルメッキ法で、スルファミン酸ニッケルメッキ浴を用
いてＮｉメッキ皮膜５を形成し、次いで、スルホン酸メ
ッキ浴を用いてＳｎ／Ｐｂメッキ膜６を順次形成した。

【００４１】得られた積層セラミックコンデンサについ
て、諸特性を次の方法により測定し、結果を表１に示し
た。

【００４２】静電容量（ηＦ）及び誘電正接（％）
（試験個数＝３０）ＬＣＲメータ（ヒューレットパッカード社製４２８４
型）を用い、１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓで測定した。

【００４３】絶縁抵抗（Ω）（試験個数＝１５）高抵抗計（ヒューレットパッカード社製４３２９Ａ）を
用い、５００Ｖの直流電圧を印加した後、３０秒経過後
の抵抗値を測定した。

【００４４】信頼性（耐湿負荷試験）（試験個数＝
２０）＋８５℃の温度で８５％の相対湿度下、６３０Ｖの直流
電圧を印加して１０００時間までの劣化の有無を調べ
た。

【００４５】信頼性（高温負荷試験）（試験個数＝
３０）１２５℃の温度で、１％以下の相対湿度下、６３０Ｖの
直流電圧を印加して１０００時間迄の劣化の有無を調べ
た。

【００４６】端子電極付着強度（試験個数＝１０）試料の端子電極に０．８ｍｍのはんだ引き鋼線を２３０
℃のホットプレート上で共晶クリームはんだにより接着
し、この鋼線を１０ｍｍ／分で引っ張ることにより付着
強度を測定した。

【００４７】はんだ付け性（試験個数＝５０）作製した試料をロジン２５重量％のエタノール溶液に２
秒浸漬後、２３０℃の共晶はんだＳｎ６３／Ｐｂ３７に
２秒間浸漬した。その後、外部電極表面が完全にはんだ
で覆われているかどうかを実体顕微鏡（×１５倍）で調
べ、不良数で示した。

【００４８】はんだ耐熱性試験（試験個数＝５０）作製した試料をロジン２５重量％のエタノール溶液に２
秒浸漬後、３００℃の共晶はんだＳｎ６３／Ｐｂ３７に
３０秒間浸漬した。その後、外部電極が喰われて素地が
露出していないかどうか実態顕微鏡（×１５倍）で調
べ、不良数で示した。

【００４９】実施例２実施例１において、第２の導電性ペーストとして下記配
合のものを用いたこと以外は同様にして積層セラミック
コンデンサを製造し、同様に諸特性を調べ、結果を表１
に示した。

【００５０】第２の導電性ペースト配合割合（重量％）Ａｇ粉末：７５ガラスフリット：１．１（Ａｇ粉末に対して１．５重量
％）有機ビヒクル：２３．９実施例３実施例１において、第２の導電性ペーストとして下記配
合のものを用いたこと以外は同様にして積層セラミック
コンデンサを製造し、同様に諸特性を調べ、結果を表１
に示した。

【００５１】第２の導電性ペースト配合割合（重量％）Ａｇ粉末：７５ガラスフリット：１１．３（Ａｇ粉末に対して１５重量
％）有機ビヒクル：１３．７実施例４実施例１において、第１の導電性ペーストとして下記配
合のものを用いたこと以外は同様にして積層セラミック
コンデンサを製造し、同様に諸特性を調べ、結果を表１
に示した。

【００５２】第１の導電性ペースト配合割合（重量％）Ａｇ金属レジネート：２７．６Ｓｉ金属レジネート：２．８Ｃａ金属レジネート：１．７Ｂｉ金属レジネート：１有機ビヒクル：６６．９この導電性ペーストの金属レジネートの合計含有量は３
３．１重量％であり、金属成分の合計含有量は１０重量
％である。

【００５３】実施例５実施例１において、第１の導電性ペーストとして下記配
合のものを用いたこと以外は同様にして積層セラミック
コンデンサを製造し、同様に諸特性を調べ、結果を表１
に示した。

【００５４】第１の導電性ペースト配合割合（重量％）Ａｇ金属レジネート：５７Ｓｉ金属レジネート：５Ｃａ金属レジネート：０．５Ｂｉ金属レジネート：０．９有機ビヒクル：３６．６この導電性ペーストの金属レジネートの合計含有量は６
３．４重量％であり、金属成分の合計含有量は２０重量
％である。

【００５５】比較例１実施例１において、第１層４ａの形成を行わず、第２層
４ｂのみの外部電極（電極厚み約４５μｍ）を形成した
こと以外は同様にして積層セラミックコンデンサを製造
し、同様に諸特性を調べ、結果を表１に示した。

【００５６】比較例２比較例１において、第２の導電性ペーストとして下記配
合のものを用いたこと以外は同様にして積層セラミック
コンデンサを製造し、同様に諸特性を調べ、結果を表１
に示した。

【００５７】第２の導電性ペースト配合割合（重量％）Ａｇ粉末：７５ガラスフリット：１５（Ａｇ粉末に対して２０重量％）有機ビヒクル：１０比較例３実施例１において、第１の導電性ペーストとして下記配
合のものを用いたこと以外は同様にして積層セラミック
コンデンサを製造し、同様に諸特性を調べ、結果を表１
に示した。

【００５８】第１の導電性ペースト配合割合（重量％）Ａｇ金属レジネート：１２．４Ｓｉ金属レジネート：１．３Ｃａ金属レジネート：０．８Ｂｉ金属レジネート：０．５有機ビヒクル：８５この導電性ペーストの金属レジネートの合計含有量は１
５重量％であり、金属成分の合計含有量は４．５重量％
である。この導電性ペーストで形成した第１層は部分的
に途切れ、電極厚みは０〜３μｍの範囲でばらついてい
た。

【００５９】

【表１】

【００６０】表１に示す結果から、次のことが明らかで
ある。即ち、本発明に係る実施例１〜５の積層セラミッ
クコンデンサは、電気的特性、信頼性試験において不良
が皆無である。また、端子電極付着強度、はんだ付け性
及び耐熱性についても問題がない。

【００６１】これに対して、第１層を形成していない比
較例１では、電気的特性、信頼性の低下に加え、電解液
の侵入が原因と考えられる付着強度の低下が見られた。
また、第１層を形成せず、第２層のガラス配合量を高め
た比較例２では、電気的特性及び信頼性、付着強度はさ
ほど問題ないが、メッキ膜の不均一形成が原因と考えら
れるはんだ付け性及び耐熱性の劣化が見られた。

【００６２】比較例３では、第１層の電極厚みが薄く、
電極が均一に形成されていないために、電気的特性、信
頼性の低下が見られ、端子電極付着強度も実施例より劣
るものとなっている。

【００６３】なお、上記実施例の説明は、積層セラミッ
クコンデンサについて行ったが、本発明は、積層セラミ
ックコンデンサ等の積層セラミック電子部品以外の他の
セラミック電子部品にも適用し得るものである。即ち、
内部電極が存在しないセラミック電子部品においても外
部電極表面に電解メッキによりメッキ層を形成させる場
合には、本発明のチップ型電子部品の外部電極を適用す
ることにより、信頼性の高い電子部品を製造することが
できる。

【００６４】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のチップ型電
子部品の外部電極は、金属レジネートを含む導電性ペー
ストの焼き付けにより形成された第１層と、金属粉末と
ガラスを含む導電性ペーストの焼き付けにより形成され
た第２層との２層構造としたものであり、電解メッキに
よる外部電極とベアチップとの接合強度の低下が無い。
また、外部電極表面のガラス成分が極めて少ないため、
均一なメッキ膜を形成でき、従って、はんだ付け性、は
んだ耐熱性が良く、電気回路との接合性を良好なものと
することができる。

【００６５】従って、本発明によれば、電気的特性、信
頼性、機械的特性に優れたチップ型電子部品の外部電極
が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係るチップ型電子部品の
外部電極を示す積層セラミックコンデンサの断面図であ
る。

【符号の説明】

１内部電極２セラミック誘電体３ベアチップ４外部電極４ａ第１層４ｂ第２層５Ｎｉメッキ皮膜６Ｓｎ／Ｐｂメッキ皮膜１０積層セラミックコンデンサ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック焼結体からなるベアチップの
表面に接する第１層と、この第１層に積層形成された第
２層とを有するチップ型電子部品の外部電極において、
前記第１層は、金属レジネートと有機バインダ及び有機
溶剤とを混合してなる導電性ペーストを焼き付けること
により形成され、前記第２層は金属粉末及びガラスを含
む導電性ペーストを焼き付けることにより形成されてい
ることを特徴とするチップ型電子部品の外部電極。
【請求項２】請求項１において、第１層を形成する導
電性ペースト中の金属レジネートを構成する金属成分の
含有量が１０〜２０重量％であることを特徴とするチッ
プ型電子部品の外部電極。
【請求項３】請求項１又は２において、第２層を形成
する導電性ペースト中のガラスの含有割合が該導電性ペ
ースト中の金属粉末に対して１．５〜１５重量％である
ことを特徴とするチップ型電子部品の外部電極。
【請求項４】請求項１ないし３のいずれか１項におい
て、第１層を形成する導電性ペースト中の金属成分がＡ
ｇ，Ｐｄ及びＰｔよりなる群から選ばれる１種又は２種
以上の第１の金属成分と、Ｓｉ，Ｃａ及びＢｉよりなる
群から選ばれる１種又は２種以上の第２の金属成分とで
構成されることを特徴とするチップ型電子部品の外部電
極。
【請求項５】請求項１ないし４のいずれか１項におい
て、セラミック焼結体が鉛系ペロブスカイトを主成分と
するセラミック誘電体よりなることを特徴とするチップ
型電子部品の外部電極。