JP3291831B2 - チップ型電子部品用導電性ペースト - Google Patents
チップ型電子部品用導電性ペーストInfo
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- JP3291831B2 JP3291831B2 JP10077793A JP10077793A JP3291831B2 JP 3291831 B2 JP3291831 B2 JP 3291831B2 JP 10077793 A JP10077793 A JP 10077793A JP 10077793 A JP10077793 A JP 10077793A JP 3291831 B2 JP3291831 B2 JP 3291831B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチップ型電子部品用導電
性ペーストに係り、特に、チップインダクター、チップ
抵抗、チップコンデンサ、チップサーミスタ等のチップ
型電子部品の端子電極を形成するための導電性ペースト
に関する。更に詳しくは、本発明はチップ型電子部品用
導電性ペーストのガラスフリット成分の改良に関するも
のである。
性ペーストに係り、特に、チップインダクター、チップ
抵抗、チップコンデンサ、チップサーミスタ等のチップ
型電子部品の端子電極を形成するための導電性ペースト
に関する。更に詳しくは、本発明はチップ型電子部品用
導電性ペーストのガラスフリット成分の改良に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】チップインダクター、チップ抵抗、チッ
プコンデンサ、チップサーミスタ等のチップ型電子部品
において、チップ型電子部品を構成するセラミック材料
からなるベアチップの表面には端子電極が形成される。
この端子電極の形成には、まず、金属粉末とガラスフリ
ットと不活性有機ビヒクルとを混練して調製された導電
性ペーストを、ベアチップの表面に塗布して乾燥した
後、６００〜８５０℃程度の温度で焼成する。その後、
電解バレルめっき或いは無電解めっき法でＮｉ，Ｃｕ，
Ｓｎ，Ｓｎ／Ｐｂ合金等のめっき膜を形成する。このよ
うにして作製されたチップ型電子部品は、その端子電極
を基板にはんだ付けして使用される。
プコンデンサ、チップサーミスタ等のチップ型電子部品
において、チップ型電子部品を構成するセラミック材料
からなるベアチップの表面には端子電極が形成される。
この端子電極の形成には、まず、金属粉末とガラスフリ
ットと不活性有機ビヒクルとを混練して調製された導電
性ペーストを、ベアチップの表面に塗布して乾燥した
後、６００〜８５０℃程度の温度で焼成する。その後、
電解バレルめっき或いは無電解めっき法でＮｉ，Ｃｕ，
Ｓｎ，Ｓｎ／Ｐｂ合金等のめっき膜を形成する。このよ
うにして作製されたチップ型電子部品は、その端子電極
を基板にはんだ付けして使用される。
【０００３】従来、チップ型電子部品用導電性ペースト
のガラスフリットには、ホウケイ酸鉛、ホウケイ酸ビス
マス、ホウ酸亜鉛、ホウ酸鉛、ホウ酸カドミウム系のガ
ラスが用いられている。
のガラスフリットには、ホウケイ酸鉛、ホウケイ酸ビス
マス、ホウ酸亜鉛、ホウ酸鉛、ホウ酸カドミウム系のガ
ラスが用いられている。
【０００４】ガラスフリットは主として金属粉末の焼結
を促進し、ベアチップと端子電極との界面の接合力を高
めるために用いられている。そのため、ガラスフリット
の特性としては、軟化点が金属粉末の焼結温度と適合す
ること、焼結金属のベアチップに対する接着強度を高め
ることができ、また、耐水性があること、めっき液と接
触しても侵食されない耐めっき液性があること、熱膨張
率が過度に大きくないこと等が要求される。
を促進し、ベアチップと端子電極との界面の接合力を高
めるために用いられている。そのため、ガラスフリット
の特性としては、軟化点が金属粉末の焼結温度と適合す
ること、焼結金属のベアチップに対する接着強度を高め
ることができ、また、耐水性があること、めっき液と接
触しても侵食されない耐めっき液性があること、熱膨張
率が過度に大きくないこと等が要求される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の上記金
属酸化物よりなるガラスフリットを用いて導電性ペース
トを作製し、このペーストで端子電極を形成した場合、
端子電極の耐めっき液性に問題があり、めっき後の端子
電極接着強度が劣化してしまうという問題点があった。
属酸化物よりなるガラスフリットを用いて導電性ペース
トを作製し、このペーストで端子電極を形成した場合、
端子電極の耐めっき液性に問題があり、めっき後の端子
電極接着強度が劣化してしまうという問題点があった。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決し、耐め
っき液性に優れ、めっき後の接着強度が劣化することな
くこれを高く維持することができ、耐湿性に優れ、しか
もめっき膜形成性が良好なチップ型電子部品の端子電極
形成用導電性ペーストを提供することを目的とする。
っき液性に優れ、めっき後の接着強度が劣化することな
くこれを高く維持することができ、耐湿性に優れ、しか
もめっき膜形成性が良好なチップ型電子部品の端子電極
形成用導電性ペーストを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１のチップ型電子
部品用導電性ペーストは、金属粉末とガラスフリットと
不活性有機ビヒクルとを含む導電性ペーストであって、
セラミック焼成体からなるベアチップの表面に塗布した
後、焼付けで端子電極を形成するチップ型電子部品の端
子電極用導電性ペーストにおいて、前記ガラスフリット
は、ＺｎＯ２〜４０ｍｏｌ％と、Ｂ２Ｏ３１５〜４０ｍ
ｏｌ％と、ＳｉＯ２１０〜４０ｍｏｌ％と、ＰｂＯ５〜
４０ｍｏｌ％と、ＣａＯ２〜４０ｍｏｌ％とを含むホウ
ケイ酸鉛亜鉛系ガラスであって、前記金属粉末に対し
て、該ガラスフリットが１〜１５重量％配合されている
ことを特徴とする。
部品用導電性ペーストは、金属粉末とガラスフリットと
不活性有機ビヒクルとを含む導電性ペーストであって、
セラミック焼成体からなるベアチップの表面に塗布した
後、焼付けで端子電極を形成するチップ型電子部品の端
子電極用導電性ペーストにおいて、前記ガラスフリット
は、ＺｎＯ２〜４０ｍｏｌ％と、Ｂ２Ｏ３１５〜４０ｍ
ｏｌ％と、ＳｉＯ２１０〜４０ｍｏｌ％と、ＰｂＯ５〜
４０ｍｏｌ％と、ＣａＯ２〜４０ｍｏｌ％とを含むホウ
ケイ酸鉛亜鉛系ガラスであって、前記金属粉末に対し
て、該ガラスフリットが１〜１５重量％配合されている
ことを特徴とする。
【０００８】請求項２のチップ型電子部品用導電性ペー
ストは、請求項１の導電性ペーストにおいて、ガラスフ
リットは、更に、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２及びＺｒＯ２よ
りなる群から選ばれる１種又は２種以上１〜１０ｍｏｌ
％を含むことを特徴とする。
ストは、請求項１の導電性ペーストにおいて、ガラスフ
リットは、更に、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２及びＺｒＯ２よ
りなる群から選ばれる１種又は２種以上１〜１０ｍｏｌ
％を含むことを特徴とする。
【０００９】請求項３のチップ型電子部品用導電性ペー
ストは、請求項１又は２の導電性ペーストにおいて、チ
ップ型電子部品がチップインダクター、チップサーミス
タ又はチップ抵抗であることを特徴とする。
ストは、請求項１又は２の導電性ペーストにおいて、チ
ップ型電子部品がチップインダクター、チップサーミス
タ又はチップ抵抗であることを特徴とする。
【００１０】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１１】本発明のチップ型電子部品用導電性ペース
トにおいて使用されるガラスフリットは、ホウケイ酸鉛
亜鉛系ガラスであって、 ＺｎＯ ： ２〜４０ｍｏｌ％ Ｂ２Ｏ３：１５〜４０ｍｏｌ％ ＳｉＯ２：１０〜４０ｍｏｌ％ ＰｂＯ ： ５〜４０ｍｏｌ％ ＣａＯ ： ２〜４０ｍｏｌ％の組成比からなり、更に必要に応じて Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２及びＺｒＯ２のうちの少なくとも
１種：１〜１０ｍｏｌ％ を含む。
トにおいて使用されるガラスフリットは、ホウケイ酸鉛
亜鉛系ガラスであって、 ＺｎＯ ： ２〜４０ｍｏｌ％ Ｂ２Ｏ３：１５〜４０ｍｏｌ％ ＳｉＯ２：１０〜４０ｍｏｌ％ ＰｂＯ ： ５〜４０ｍｏｌ％ ＣａＯ ： ２〜４０ｍｏｌ％の組成比からなり、更に必要に応じて Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２及びＺｒＯ２のうちの少なくとも
１種：１〜１０ｍｏｌ％ を含む。
【００１２】以下にガラスフリットの各成分組成の限定
理由について説明する。
理由について説明する。
【００１３】ＺｎＯは焼結金属のベアチップに対する接
着強度を高めるために添加するが、その割合が２ｍｏｌ
％未満ではその効果がなく、４０ｍｏｌ％を超えるとガ
ラスフリットの融点が高くなり、ガラス化し難くなる。
従って、ＺｎＯは２〜４０ｍｏｌ％とする。
着強度を高めるために添加するが、その割合が２ｍｏｌ
％未満ではその効果がなく、４０ｍｏｌ％を超えるとガ
ラスフリットの融点が高くなり、ガラス化し難くなる。
従って、ＺｎＯは２〜４０ｍｏｌ％とする。
【００１４】Ｂ２Ｏ３はガラス形成酸化物として用いら
れ、熱膨張率をあまり大きくすることなくガラス化温度
を下げるように作用し、ガラス化を容易とするが、その
割合が１５ｍｏｌ％未満ではその効果が十分でなく、４
０ｍｏｌ％を超えると得られるガラスフリットの耐めっ
き液性が乏しくなる。従って、Ｂ２Ｏ３は１５〜４０ｍ
ｏｌ％とする。
れ、熱膨張率をあまり大きくすることなくガラス化温度
を下げるように作用し、ガラス化を容易とするが、その
割合が１５ｍｏｌ％未満ではその効果が十分でなく、４
０ｍｏｌ％を超えると得られるガラスフリットの耐めっ
き液性が乏しくなる。従って、Ｂ２Ｏ３は１５〜４０ｍ
ｏｌ％とする。
【００１５】ＳｉＯ２は主たるガラス形成酸化物として
用いられ、耐めっき液性を高めるために添加するが、そ
の割合が１０ｍｏｌ％未満では得られるガラスフリット
の耐めっき液性に乏しく、４０ｍｏｌ％を超えると融点
が上がり、ガラス化し難くなる。従って、ＳｉＯ２は１
０〜４０ｍｏｌ％とする。
用いられ、耐めっき液性を高めるために添加するが、そ
の割合が１０ｍｏｌ％未満では得られるガラスフリット
の耐めっき液性に乏しく、４０ｍｏｌ％を超えると融点
が上がり、ガラス化し難くなる。従って、ＳｉＯ２は１
０〜４０ｍｏｌ％とする。
【００１６】ＰｂＯはガラス形成中間酸化物として添加
するが、その割合が５ｍｏｌ％未満では得られるガラス
フリットの軟化点が高すぎ、４０ｍｏｌ％を超えると耐
めっき液性に乏しくなる。従って、ＰｂＯは５〜４０ｍ
ｏｌ％とする。
するが、その割合が５ｍｏｌ％未満では得られるガラス
フリットの軟化点が高すぎ、４０ｍｏｌ％を超えると耐
めっき液性に乏しくなる。従って、ＰｂＯは５〜４０ｍ
ｏｌ％とする。
【００１７】このような４成分よりなるガラス組成で
も、耐めっき液性は十分に高く、実用上何等問題はない
が、更に耐めっき液性を高め、焼結金属のベアチップに
対する接着強度を高くするため、ＣａＯと、更に必要に
応じてＡｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２及びＺｒＯ２のうちの１種
以上とを添加する。
も、耐めっき液性は十分に高く、実用上何等問題はない
が、更に耐めっき液性を高め、焼結金属のベアチップに
対する接着強度を高くするため、ＣａＯと、更に必要に
応じてＡｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２及びＺｒＯ２のうちの１種
以上とを添加する。
【００１８】ＣａＯはアルカリ土類金属成分であり、ガ
ラスの中間生成物となり、ＺｎＯと共に焼結金属のベア
チップとの接着強度を高める作用を奏するが、その割合
が２ｍｏｌ％未満ではその効果が現れず、４０ｍｏｌ％
を超えると得られるガラスフリットの融点が上がり、ガ
ラス化しにくくなる。従って、ＣａＯは２〜４０ｍｏｌ
％とする。
ラスの中間生成物となり、ＺｎＯと共に焼結金属のベア
チップとの接着強度を高める作用を奏するが、その割合
が２ｍｏｌ％未満ではその効果が現れず、４０ｍｏｌ％
を超えると得られるガラスフリットの融点が上がり、ガ
ラス化しにくくなる。従って、ＣａＯは２〜４０ｍｏｌ
％とする。
【００１９】Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２は、ガラ
スの耐めっき液性をより高める効果を有するが、その割
合が１ｍｏｌ％未満ではその効果はみられず、１０ｍｏ
ｌ％を超えるとガラス融液中に不溶物として残存してし
まう。従って、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２及びＺｒＯ２のう
ちの１種又は２種以上は１〜１０ｍｏｌ％とするのが好
ましい。
スの耐めっき液性をより高める効果を有するが、その割
合が１ｍｏｌ％未満ではその効果はみられず、１０ｍｏ
ｌ％を超えるとガラス融液中に不溶物として残存してし
まう。従って、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２及びＺｒＯ２のう
ちの１種又は２種以上は１〜１０ｍｏｌ％とするのが好
ましい。
【００２０】本発明のチップ型電子部品用導電性ペース
トにおいて、金属粉末としては、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ等の貴金属、Ｃｕ，Ｎｉ等の卑金属、又はこれらを混
合した粉末が使用される。金属粉末は焼結して端子電極
に導電性を与える。
トにおいて、金属粉末としては、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ等の貴金属、Ｃｕ，Ｎｉ等の卑金属、又はこれらを混
合した粉末が使用される。金属粉末は焼結して端子電極
に導電性を与える。
【００２１】不活性有機ビヒクルとしては、メチルセル
ロース、エチルセルロース等をブチルカルビトール、テ
ルピネオール等の有機溶剤に溶解したものが用いられ
る。一般に、上記セルロース類は上記有機溶剤に対して
５〜３０重量％の割合で混合される。有機ビヒクルは、
得られる導電性ペーストの粘度を調整し、ベアチップ表
面への塗布を容易にするために用いられる。
ロース、エチルセルロース等をブチルカルビトール、テ
ルピネオール等の有機溶剤に溶解したものが用いられ
る。一般に、上記セルロース類は上記有機溶剤に対して
５〜３０重量％の割合で混合される。有機ビヒクルは、
得られる導電性ペーストの粘度を調整し、ベアチップ表
面への塗布を容易にするために用いられる。
【００２２】本発明の導電性ペーストは、ペースト重量
を１００重量％とするとき、好ましくは６５〜８０重量
％の金属粉末と、この金属粉末に対して１〜１５重量％
のガラスフリットと、残部が有機ビヒクルとにより構成
される。金属粉末が６５重量％未満であると、形成され
る端子電極の導電性に劣り、８０重量％を超えると導電
性ペーストの粘度特性が劣化する。
を１００重量％とするとき、好ましくは６５〜８０重量
％の金属粉末と、この金属粉末に対して１〜１５重量％
のガラスフリットと、残部が有機ビヒクルとにより構成
される。金属粉末が６５重量％未満であると、形成され
る端子電極の導電性に劣り、８０重量％を超えると導電
性ペーストの粘度特性が劣化する。
【００２３】本発明において、導電性ペースト中のガラ
スフリットの好適な配合比はベアチップを構成するセラ
ミック焼成体の種類によって異なるが、金属粉末に対す
るガラスフリットの配合割合が１重量％未満であると、
端子電極の形成時、金属の焼結が進まず、焼結金属が多
孔質となってしまうことから、めっき液の浸入を容易な
ものとし、端子電極とベアチップとの接着強度が低下
し、端子電極の耐湿性が劣化する。特に、チップインダ
クターの場合にはインピーダンス（Ｚ）が劣化する。逆
に、このガラスフリット配合割合が１５重量％を超える
と、焼付け時に電極層の表面にガラスフリットが浮き出
して、焼付け電極層の表面に更にめっき層を設ける際に
めっき膜の形成が阻害されてしまう。従って、導電性ペ
ーストに含まれるガラスフリットの配合割合は金属粉末
に対して１〜１５重量％とする。
スフリットの好適な配合比はベアチップを構成するセラ
ミック焼成体の種類によって異なるが、金属粉末に対す
るガラスフリットの配合割合が１重量％未満であると、
端子電極の形成時、金属の焼結が進まず、焼結金属が多
孔質となってしまうことから、めっき液の浸入を容易な
ものとし、端子電極とベアチップとの接着強度が低下
し、端子電極の耐湿性が劣化する。特に、チップインダ
クターの場合にはインピーダンス（Ｚ）が劣化する。逆
に、このガラスフリット配合割合が１５重量％を超える
と、焼付け時に電極層の表面にガラスフリットが浮き出
して、焼付け電極層の表面に更にめっき層を設ける際に
めっき膜の形成が阻害されてしまう。従って、導電性ペ
ーストに含まれるガラスフリットの配合割合は金属粉末
に対して１〜１５重量％とする。
【００２４】本発明のチップ型電子部品用導電性ペース
トは、チップインダクター、チップコンデンサ、チップ
抵抗、チップサーミスタ等のチップ型電子部品の端子電
極形成に用いられ、特に、チップインダクターの端子電
極形成に好適に用いられる。この場合、インダクターの
ベアチップを構成するフェライト焼成体にはＦｅ２Ｏ３
−ＮｉＯ−ＺｎＯ、Ｆｅ２Ｏ３−ＮｉＯ−ＣａＯ−Ｚｎ
Ｏ等が挙げられる。
トは、チップインダクター、チップコンデンサ、チップ
抵抗、チップサーミスタ等のチップ型電子部品の端子電
極形成に用いられ、特に、チップインダクターの端子電
極形成に好適に用いられる。この場合、インダクターの
ベアチップを構成するフェライト焼成体にはＦｅ２Ｏ３
−ＮｉＯ−ＺｎＯ、Ｆｅ２Ｏ３−ＮｉＯ−ＣａＯ−Ｚｎ
Ｏ等が挙げられる。
【００２５】
【作用】ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＰｂＯ、ＣａＯ
の各成分を所定の割合で配合したガラスフリット、或い
は、この組成に更にＡｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２及びＺｒＯ２
のうちの１種又は２種以上を所定の割合で添加したガラ
スフリットを所定の配合割合で用いた導電性ペースト
を、ベアチップ表面に焼付けて形成した端子電極は、
めっき膜の形成が容易でめっき液の端子電極内部への
浸入がない。 ベアチップとの接着強度が高い。
めっき後の電気特性劣化がない。 耐湿性に優れ高い
信頼性を有する。等の優れた特性を有する。
の各成分を所定の割合で配合したガラスフリット、或い
は、この組成に更にＡｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２及びＺｒＯ２
のうちの１種又は２種以上を所定の割合で添加したガラ
スフリットを所定の配合割合で用いた導電性ペースト
を、ベアチップ表面に焼付けて形成した端子電極は、
めっき膜の形成が容易でめっき液の端子電極内部への
浸入がない。 ベアチップとの接着強度が高い。
めっき後の電気特性劣化がない。 耐湿性に優れ高い
信頼性を有する。等の優れた特性を有する。
【００２６】
【実施例】次に実施例及び比較例を挙げて、本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００２７】実施例１〜３ チップ型電子部品として、図１に示すチップインダクタ
ー１０を作製し、その特性を調べることにより各種導電
性ペーストの評価を行なった。図１に示すインダクター
１０は、ベアチップ１１と、このチップ１１の両端部に
形成された端子電極１２とを備える。チップ１１はＦｅ
２Ｏ３−ＮｉＯ−ＺｎＯ系セラミック焼結体よりなり、
貴金属のＰｔ１００からなるスパイラル状内部電極１３
を有し、長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、厚み０．８５
ｍｍのサイズを有する。
ー１０を作製し、その特性を調べることにより各種導電
性ペーストの評価を行なった。図１に示すインダクター
１０は、ベアチップ１１と、このチップ１１の両端部に
形成された端子電極１２とを備える。チップ１１はＦｅ
２Ｏ３−ＮｉＯ−ＺｎＯ系セラミック焼結体よりなり、
貴金属のＰｔ１００からなるスパイラル状内部電極１３
を有し、長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、厚み０．８５
ｍｍのサイズを有する。
【００２８】端子電極は次の条件により形成した。
【００２９】導電性ペーストを１００重量％とすると
き、７５重量％の金属粉末と、この金属成分に対して表
１に示す配合比のガラスフリットと、残部不活性有機ビ
ヒクルとを混練して導電性ペーストを調製した。ここで
金属粉末はＡｇ１００であり、ガラスフリットはＺｎＯ
とＢ２Ｏ３とＳｉＯ２とＰｂＯとＣａＯとの５種、或い
は、ＺｎＯとＢ２Ｏ３とＳｉＯ２とＰｂＯとＣａＯとＡ
ｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２及び／又はＺｒＯ２との計６種〜７
種の成分よりなり、表１に示す組成比で調製した。ま
た、有機ビヒクルはエチルセルロースをブチルカルビト
ールとテルピネオールに混合したものを用いた。
き、７５重量％の金属粉末と、この金属成分に対して表
１に示す配合比のガラスフリットと、残部不活性有機ビ
ヒクルとを混練して導電性ペーストを調製した。ここで
金属粉末はＡｇ１００であり、ガラスフリットはＺｎＯ
とＢ２Ｏ３とＳｉＯ２とＰｂＯとＣａＯとの５種、或い
は、ＺｎＯとＢ２Ｏ３とＳｉＯ２とＰｂＯとＣａＯとＡ
ｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２及び／又はＺｒＯ２との計６種〜７
種の成分よりなり、表１に示す組成比で調製した。ま
た、有機ビヒクルはエチルセルロースをブチルカルビト
ールとテルピネオールに混合したものを用いた。
【００３０】この導電性ペーストを焼付け後の厚さが９
０μｍになるようにベアチップの両端にディップ方式で
塗布し、大気圧下、１６０℃で１０分間乾燥し、その
後、チップを２５℃／分の速度で、大気圧下、７８０℃
まで昇温し、この温度で５分間保持した後、２０℃／分
の速度で室温まで降温してＡｇからなる下地電極を得
た。次いで、Ｎｉめっき層及びＳｎ／Ｐｂめっき層を次
の条件により形成した。
０μｍになるようにベアチップの両端にディップ方式で
塗布し、大気圧下、１６０℃で１０分間乾燥し、その
後、チップを２５℃／分の速度で、大気圧下、７８０℃
まで昇温し、この温度で５分間保持した後、２０℃／分
の速度で室温まで降温してＡｇからなる下地電極を得
た。次いで、Ｎｉめっき層及びＳｎ／Ｐｂめっき層を次
の条件により形成した。
【００３１】ｐＨ４．０、温度５０℃のスルファミン酸
ニッケル（Ｎｉ（ＮＨ２ＳＯ３）２４Ｈ２Ｏ）１２０ｇ
／ｌの組成の浴を用い、電解バレルめっき法で下地電極
の表面に２μｍ厚のＮｉめっき層を形成した。更に、ｐ
Ｈ４．５、温度２５℃の錫（Ｓｎ）と鉛（Ｐｂ）が９：
１の組成の浴を用い、電解バレルめっき法でＮｉめっき
層の表面に６μｍ厚のＳｎ／Ｐｂめっき層を形成した。
これにより、下地電極の上に更に２層のめっき層を形成
したチップインダクターを得た。
ニッケル（Ｎｉ（ＮＨ２ＳＯ３）２４Ｈ２Ｏ）１２０ｇ
／ｌの組成の浴を用い、電解バレルめっき法で下地電極
の表面に２μｍ厚のＮｉめっき層を形成した。更に、ｐ
Ｈ４．５、温度２５℃の錫（Ｓｎ）と鉛（Ｐｂ）が９：
１の組成の浴を用い、電解バレルめっき法でＮｉめっき
層の表面に６μｍ厚のＳｎ／Ｐｂめっき層を形成した。
これにより、下地電極の上に更に２層のめっき層を形成
したチップインダクターを得た。
【００３２】得られたチップインダクターについて、次
のＡ〜Ｄの特性を、また２層のめっき層を施さない以外
は同様のチップインダクターについても次のＡ，Ｂの特
性を測定し、結果を表１に示した。なお、括弧内の数値
ｎは試験した試料数である。
のＡ〜Ｄの特性を、また２層のめっき層を施さない以外
は同様のチップインダクターについても次のＡ，Ｂの特
性を測定し、結果を表１に示した。なお、括弧内の数値
ｎは試験した試料数である。
【００３３】 Ａ インピーダンス ｜Ｚ｜（ｎ＝３０） １０ＭＨｚ、１Ｖｒｍｓで測定した。
【００３４】 Ｂ 引張強度（ｎ＝１０） チップインダクターの端子電極に０．８ｍｍのはんだ引
き鋼線を２３０℃のホットプレート上で共晶クリームは
んだ（千住金属社製ＳＰＴ−５５−２０６２−Ｍ１０）
により接着し、この鋼線を引っ張ることにより、引張強
度を測定した。
き鋼線を２３０℃のホットプレート上で共晶クリームは
んだ（千住金属社製ＳＰＴ−５５−２０６２−Ｍ１０）
により接着し、この鋼線を引っ張ることにより、引張強
度を測定した。
【００３５】 Ｃ 信頼性（プレッシャークッカー）（ｎ＝２０） ＋１５１℃、相対湿度１００％（約５気圧）の環境下に
２０時間放置後、インピーダンスの劣化の有無を調べ
た。
２０時間放置後、インピーダンスの劣化の有無を調べ
た。
【００３６】 Ｄ 信頼性（耐湿性試験）（ｎ＝２０） ＋８５℃、相対湿度８５％の環境下で２０００時間放置
後、インピーダンスの劣化の有無を調べた。
後、インピーダンスの劣化の有無を調べた。
【００３７】比較例１〜４ 表１に示すように、ガラスフリットのＰｂＯの組成比を
４０ｍｏｌ％以上に増やすか（比較例４）、ＰｂＯを配
合しないか（比較例１，２）、或いは、Ｂ２Ｏ３の組成
比を４０ｍｏｌ％以上に増やしＳｉＯ２の組成比を１０
ｍｏｌ％以下に減らす（比較例３）以外は実施例と同様
にしてチップインダクターを得、同様に諸特性を調べ、
結果を表１に示した。
４０ｍｏｌ％以上に増やすか（比較例４）、ＰｂＯを配
合しないか（比較例１，２）、或いは、Ｂ２Ｏ３の組成
比を４０ｍｏｌ％以上に増やしＳｉＯ２の組成比を１０
ｍｏｌ％以下に減らす（比較例３）以外は実施例と同様
にしてチップインダクターを得、同様に諸特性を調べ、
結果を表１に示した。
【００３８】
【表１】
【００３９】表１より次のことが明らかである。
【００４０】即ち、ガラスフリットの組成比が本発明の
範囲外の比較例１〜４の導電性ペーストを使用したチッ
プインダクターは、めっき層の有無により、インピーダ
ンス、接着強度の値が大きく変動し、更にプレッシャー
クッカー試験や耐湿性試験においても、インピーダンス
の劣化がみられた。
範囲外の比較例１〜４の導電性ペーストを使用したチッ
プインダクターは、めっき層の有無により、インピーダ
ンス、接着強度の値が大きく変動し、更にプレッシャー
クッカー試験や耐湿性試験においても、インピーダンス
の劣化がみられた。
【００４１】これに対して、実施例１〜３のチップイン
ダクターは、めっき層の有無に拘らずインピーダンス、
接着強度の変動は極めて小さく、信頼性試験によるイン
ピーダンスの劣化もみられなかった。
ダクターは、めっき層の有無に拘らずインピーダンス、
接着強度の変動は極めて小さく、信頼性試験によるイン
ピーダンスの劣化もみられなかった。
【００４２】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のチップ型電
子部品用導電性ペーストによれば、耐めっき液性に優
れ、ベアチップに対する焼結金属の接着強度の向上に有
効に作用する導電性ペーストが提供される。
子部品用導電性ペーストによれば、耐めっき液性に優
れ、ベアチップに対する焼結金属の接着強度の向上に有
効に作用する導電性ペーストが提供される。
【００４３】従って、本発明のチップ型電子部品用導電
性ペーストによれば、 めっき膜の形成が容易でめっ
き液の端子電極内部への浸入がない。 ベアチップと
の接着強度が高い。 めっき後の電気特性劣化がな
い。 耐湿性に優れ高い信頼性を有する。等の高特性
端子電極を形成することができ、工業的に極めて有利で
ある。
性ペーストによれば、 めっき膜の形成が容易でめっ
き液の端子電極内部への浸入がない。 ベアチップと
の接着強度が高い。 めっき後の電気特性劣化がな
い。 耐湿性に優れ高い信頼性を有する。等の高特性
端子電極を形成することができ、工業的に極めて有利で
ある。
【００４４】請求項２、３のチップ型電子部品用導電性
ペーストによれば、より一層優れた効果が奏される。
ペーストによれば、より一層優れた効果が奏される。
【図１】実施例及び比較例で作製したチップインダクタ
ーの断面図である。
ーの断面図である。
【図２】実施例及び比較例で作製したチップインダクタ
ーの斜視図である。
ーの斜視図である。
１０ チップインダクター １１ ベアチップ １２ 端子電極 １３ 内部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01B 1/22 H01G 4/12 361 H05K 1/09 H01B 1/16
Claims (3)
- 【請求項１】 金属粉末とガラスフリットと不活性有機
ビヒクルとを含む導電性ペーストであって、セラミック
焼成体からなるベアチップの表面に塗布した後、焼付け
で端子電極を形成するチップ型電子部品の端子電極用導
電性ペーストにおいて、 前記ガラスフリットは、ＺｎＯ２〜４０ｍｏｌ％と、Ｂ
２Ｏ３１５〜４０ｍｏｌ％と、ＳｉＯ２１０〜４０ｍｏ
ｌ％と、ＰｂＯ５〜４０ｍｏｌ％と、ＣａＯ２〜４０ｍ
ｏｌ％とを含むホウケイ酸鉛亜鉛系ガラスであって、前
記金属粉末に対して、該ガラスフリットが１〜１５重量
％配合されていることを特徴とするチップ型電子部品用
導電性ペースト。 - 【請求項２】 請求項１の導電性ペーストにおいて、ガ
ラスフリットは、更に、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２及びＺｒ
Ｏ２よりなる群から選ばれる１種又は２種以上１〜１０
ｍｏｌ％を含むことを特徴とするチップ型電子部品用導
電性ペースト。 - 【請求項３】 請求項１又は２の導電性ペーストにおい
て、チップ型電子部品がチップインダクター、チップサ
ーミスタ又はチップ抵抗であることを特徴とするチップ
型電子部品用導電性ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10077793A JP3291831B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | チップ型電子部品用導電性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10077793A JP3291831B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | チップ型電子部品用導電性ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06309921A JPH06309921A (ja) | 1994-11-04 |
| JP3291831B2 true JP3291831B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=14282911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10077793A Expired - Fee Related JP3291831B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | チップ型電子部品用導電性ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3291831B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08148029A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いて形成された電子部品の外部電極 |
| JP4645594B2 (ja) * | 2004-07-06 | 2011-03-09 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品 |
| US8076570B2 (en) * | 2006-03-20 | 2011-12-13 | Ferro Corporation | Aluminum-boron solar cell contacts |
| WO2015045721A1 (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| WO2016002362A1 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト、及びガラス物品 |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP10077793A patent/JP3291831B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06309921A (ja) | 1994-11-04 |
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