JP2005126250A - ガラスセラミックス組成物および電子回路基板 - Google Patents
ガラスセラミックス組成物および電子回路基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005126250A JP2005126250A JP2003360556A JP2003360556A JP2005126250A JP 2005126250 A JP2005126250 A JP 2005126250A JP 2003360556 A JP2003360556 A JP 2003360556A JP 2003360556 A JP2003360556 A JP 2003360556A JP 2005126250 A JP2005126250 A JP 2005126250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- less
- ceramic composition
- powder
- electronic circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
【課題】強度の高い電子回路基板作製に好適なガラスセラミック組成物の提供を目的とする。
【解決手段】質量%で、ガラス粉末 30〜49%、アルミナ粉末 51〜70%、からなり、ガラス粉末が、モル%で、SiO2 15〜50%、B2O3 10〜40%、Al2O3 1〜15%、MgO+CaO 1〜20%、SrO+BaO 1〜30%、ZnO 1〜30%、TiO2+ZrO2+SnO2 0〜10%、からなり、B2O3+ZnOが15〜55%であり、アルカリ金属酸化物を含有しないもしくは同酸化物を合計で1%未満の範囲で含有するものであり、アルミナ粉末の質量平均粒径が0.1〜10μmであるガラスセラミックス組成物。
【選択図】なし
【解決手段】質量%で、ガラス粉末 30〜49%、アルミナ粉末 51〜70%、からなり、ガラス粉末が、モル%で、SiO2 15〜50%、B2O3 10〜40%、Al2O3 1〜15%、MgO+CaO 1〜20%、SrO+BaO 1〜30%、ZnO 1〜30%、TiO2+ZrO2+SnO2 0〜10%、からなり、B2O3+ZnOが15〜55%であり、アルカリ金属酸化物を含有しないもしくは同酸化物を合計で1%未満の範囲で含有するものであり、アルミナ粉末の質量平均粒径が0.1〜10μmであるガラスセラミックス組成物。
【選択図】なし
Description
本発明は、焼成して電子回路基板を作製するのに好適なガラスセラミックス組成物および電子回路基板に関する。
従来、電子回路基板として、アルミナ粉末を焼結して作製されるアルミナ基板が広く使用されている。
前記アルミナ基板においては、アルミナ粉末の焼結温度が約1600℃と高いために、アルミナ基板作製と同時に焼成する電極の材料としてタングステン(融点:3400℃)、モリブデン(融点:2620℃)等の高融点金属しか使用できなかった。そのため、比抵抗が小さいが融点が1600℃以下である銀(融点:962℃)等の非・高融点金属を前記電極の材料として使用できない問題があった。そこで950℃以下で焼結可能なガラスセラミックス組成物が開発されている(たとえば特許文献1参照。)。
特許文献1で開示されているようなガラスセラミック組成物を焼成して得られる電子回路基板には強度が充分には高くないという問題があった。
本発明はより強度の高い電子回路基板およびそのような電子回路基板作製に好適なガラスセラミック組成物の提供を目的とする。
本発明はより強度の高い電子回路基板およびそのような電子回路基板作製に好適なガラスセラミック組成物の提供を目的とする。
本発明は、質量百分率表示で、ガラス粉末 30〜49%、アルミナ粉末 51〜70%、から本質的になるガラスセラミックス組成物であって、ガラス粉末が下記酸化物基準のモル%表示で、SiO2 15〜50%、B2O3 10〜40%、Al2O3 1〜15%、MgO+CaO 1〜20%、SrO+BaO 1〜30%、ZnO 1〜30%、TiO2+ZrO2+SnO2 0〜10%、から本質的になり、B2O3+ZnOが15〜55%であり、アルカリ金属酸化物を含有しないもしくは同酸化物を合計で1%未満の範囲で含有するものであり、アルミナ粉末の質量平均粒径が0.1〜10μmであるガラスセラミックス組成物を提供する。
また、前記ガラスセラミックス組成物を焼成して得られる電子回路基板を提供する。
また、前記ガラスセラミックス組成物を焼成して得られる電子回路基板を提供する。
本発明によれば、強度の高い電子回路基板およびそのような基板作製に好適なガラスセラミック組成物が得られる。
本発明のガラスセラミックス組成物(以下、単に本発明の組成物という。)は通常、グリーンシート化して使用される。すなわち、本発明の組成物はポリビニルブチラールやアクリル樹脂等の樹脂と、トルエン、キシレン、ブタノール等の溶剤と、さらに必要に応じてフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール等の可塑剤や分散剤を添加して混合し、スラリーとされる。次に、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のフィルム上にドクターブレード法等によって、前記スラリーをシート状に成形する。このシート状に成形されたものを乾燥して溶剤を除去し、グリーンシートとする。
このようにして得られたグリーンシートは、典型的には800〜950℃に5〜180分間、より典型的には850〜900℃に5〜180分間保持する焼成工程を経て、電子回路基板とされる。なお、この電子回路基板は本発明の電子回路基板である。
このようにして得られたグリーンシートは、典型的には800〜950℃に5〜180分間、より典型的には850〜900℃に5〜180分間保持する焼成工程を経て、電子回路基板とされる。なお、この電子回路基板は本発明の電子回路基板である。
本発明の組成物を870℃で焼成して得られる焼成体の20℃、35GHzにおける比誘電率εは8.6以下であることが好ましい。より好ましくは7.8以下である。また、εは典型的には4.0以上である。なお、前記870℃に保持する時間は典型的には60分間である。
また、前記焼成体の20℃、35GHzにおける誘電損失tanδは0.0030以下であることが好ましい。より好ましくは0.0024以下、さらに好ましくは0.0020以下である。なお、tanδは典型的には0.0010以上である。
また、前記焼成体の20℃、35GHzにおける誘電損失tanδは0.0030以下であることが好ましい。より好ましくは0.0024以下、さらに好ましくは0.0020以下である。なお、tanδは典型的には0.0010以上である。
次に、本発明の組成物の成分について説明する。なお、含有量は質量百分率表示を用いて示す。
ガラス粉末は焼成体の緻密性を向上させる成分であり、必須である。30%未満では緻密性が不足するおそれがある。好ましくは35%以上、より好ましくは40%以上である。
ガラス粉末は焼成体の緻密性を向上させる成分であり、必須である。30%未満では緻密性が不足するおそれがある。好ましくは35%以上、より好ましくは40%以上である。
ガラス粉末のガラス転移点TGは800℃以下であることが好ましい。800℃超では、本発明の組成物を900℃またはそれ以下の温度で焼成したときに緻密な焼成体が得られないおそれがある。TGは、より好ましくは760℃以下、特に好ましくは730℃以下である。
また、TGは450℃以上であることが好ましい。450℃未満では、本発明の組成物を900℃で焼成したときに流動性が過多となり、所望の焼成体が得られなくなるおそれがある。TGは、より好ましくは550℃以上、特に好ましくは590℃以上である。
また、TGは450℃以上であることが好ましい。450℃未満では、本発明の組成物を900℃で焼成したときに流動性が過多となり、所望の焼成体が得られなくなるおそれがある。TGは、より好ましくは550℃以上、特に好ましくは590℃以上である。
ガラス粉末の質量平均粒径(D50)は0.5〜10μmであることが好ましい。0.5μm未満では保存安定性が低下するおそれがある。より好ましくは1.0μm以上である。10μm超では焼結性が低下するおそれがある。より好ましくは5μm以下、特に好ましくは3μm以下である。
本発明の組成物は、870℃で焼成したときに結晶が析出するものであることが好ましい。結晶が析出しないものであると、焼成体の強度が不充分になるおそれがある。前記析出する結晶はセルシアンまたはガーナイトであることが特に好ましい。
本発明の組成物は、870℃で焼成したときに結晶が析出するものであることが好ましい。結晶が析出しないものであると、焼成体の強度が不充分になるおそれがある。前記析出する結晶はセルシアンまたはガーナイトであることが特に好ましい。
以下、ガラス粉末の組成についてモル%表示で説明する。
SiO2はガラスのネットワークフォーマであり、必須である。15%未満ではガラス化しないおそれがある、比誘電率が大きくなる、誘電損失が大きくなる、または化学的耐久性が低下する。好ましくは25%以上、より好ましくは30%以上である。50%超であるとTGが高くなり、950℃以下の温度で焼結させることが困難となる。また、焼成したとき結晶が析出しにくくなり、焼成体の強度が低下するおそれがある。好ましくは35%以下、より好ましくは30%以下である。
SiO2はガラスのネットワークフォーマであり、必須である。15%未満ではガラス化しないおそれがある、比誘電率が大きくなる、誘電損失が大きくなる、または化学的耐久性が低下する。好ましくは25%以上、より好ましくは30%以上である。50%超であるとTGが高くなり、950℃以下の温度で焼結させることが困難となる。また、焼成したとき結晶が析出しにくくなり、焼成体の強度が低下するおそれがある。好ましくは35%以下、より好ましくは30%以下である。
B2O3はガラスの流動性を高め、焼成体の緻密性を高める成分であり、必須である。10%未満ではガラスの流動性が不十分となる。好ましくは12%以上、より好ましくは15%以上である。40%超では化学的耐久性が低下する、または誘電損失が大きくなるおそれがある。好ましくは30%以下、より好ましくは25%以下である。
Al2O3はガラスを安定化させ、または化学的耐久性を高める成分であり、必須である。1%未満ではガラスが不安定になる。また、Al2O3はセルシアンの構成成分であるので、セルシアンを析出させたいときは5%以上とすることがより好ましい。15%超ではTGが高くなり、950℃以下の温度で焼結させることが困難となる。好ましくは13%以下、より好ましくは10%以下である。
MgOおよびCaOはガラスを安定化させる成分であり、少なくともいずれか一方を含有しなければならない。合計で1%未満ではガラスが不安定になるおそれがある。合計で20%超ではガラスがかえって不安定になるおそれがある。
SrOおよびBaOはガラスを安定化させる成分であり、少なくともいずれか一方を含有しなければならない。合計で1%未満ではガラスが不安定になるおそれがある。セルシアンを析出させたいときは合計で5%以上であることが好ましく、合計で10%以上であることがより好ましい。合計で30%超ではガラスがかえって不安定になるおそれがある。合計で、好ましく25%以下、より好ましくは20%以下、特に好ましくは17%以下である。
SrOおよびBaOはガラスを安定化させる成分であり、少なくともいずれか一方を含有しなければならない。合計で1%未満ではガラスが不安定になるおそれがある。セルシアンを析出させたいときは合計で5%以上であることが好ましく、合計で10%以上であることがより好ましい。合計で30%超ではガラスがかえって不安定になるおそれがある。合計で、好ましく25%以下、より好ましくは20%以下、特に好ましくは17%以下である。
ZnOはガラスの溶融温度を低下させる成分であり、必須である。1%未満ではガラスの溶融温度が高くなる。ガーナイトを析出させたい等の場合には、好ましくは2%以上、より好ましくは4%以上、特に好ましくは10%以上である。30%超では化学的耐久性、特に耐酸性が低下する。好ましくは20%以下である。
TiO2、ZrO2およびSnO2はいずれも必須ではないが、化学的耐久性を高める等のために合計で10%まで含有してもよい。
TiO2、ZrO2およびSnO2はいずれも必須ではないが、化学的耐久性を高める等のために合計で10%まで含有してもよい。
ガラス粉末は本質的に上記成分からなるが、他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有してもよい。当該他の成分の含有量の合計は、好ましくは10%以下である。10%超ではガラスが失透しやすくなる。より好ましくは5%以下である。
前記他の成分として次のようなものが例示される。すなわち、P2O5、Ta2O5、Nb2O5、WO3、MoO3、CeO2、La2O3、Y2O3、Li2O、Na2O、K2O、等を含有してもよい。ただし、Li2O、Na2OまたはK2Oを含有する場合それらの含有量は合計で1%未満でなければならない。1%以上では、電気絶縁性が低下するおそれがある、または誘電損失が大きくなるおそれがある。
前記他の成分として次のようなものが例示される。すなわち、P2O5、Ta2O5、Nb2O5、WO3、MoO3、CeO2、La2O3、Y2O3、Li2O、Na2O、K2O、等を含有してもよい。ただし、Li2O、Na2OまたはK2Oを含有する場合それらの含有量は合計で1%未満でなければならない。1%以上では、電気絶縁性が低下するおそれがある、または誘電損失が大きくなるおそれがある。
アルミナ粉末は焼成体の強度を増加させる成分であり、必須である。51%未満では強度が不充分である。好ましくは54%以上である。70%超では焼成体の緻密性が不足し、かえって強度が低下する。好ましくは65%以下、より好ましくは60%以下である。
アルミナ粉末のD50が0.1μm未満であると流動性が不足し、焼成体の緻密性が不足する。好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上である。10μm超では混合度が低下する、または焼成体の強度が低くなる。好ましくは8μm以下、より好ましくは5μm以下である。
アルミナ粉末のD50が0.1μm未満であると流動性が不足し、焼成体の緻密性が不足する。好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上である。10μm超では混合度が低下する、または焼成体の強度が低くなる。好ましくは8μm以下、より好ましくは5μm以下である。
本発明の組成物は本質的に上記成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲で他の成分を、たとえば焼成体の結晶化率を高めるため、焼成体全体を着色するため、または銀導体と同時に焼成するときに銀導体周辺に生じる着色を防止するため、熱膨張係数を調整するため等のために含有してもよい。当該他の成分の含有量は合計で、好ましくは15%以下、より好ましくは10%以下である。
前記他の成分として、たとえば耐熱着色顔料、酸化ジルコニウム粉末、酸化チタン粉末、酸化セリウム粉末等が挙げられる。
前記他の成分として、たとえば耐熱着色顔料、酸化ジルコニウム粉末、酸化チタン粉末、酸化セリウム粉末等が挙げられる。
本発明の基板は、典型的には先に述べたように、本発明の組成物をグリーンシート化し、所望の形状が得られるように加工し、焼成して製造される。前記グリーンシートは、必要に応じて、銀等の導体を含む導体ペーストを塗布して配線を形成した後、導体とともに焼成して基板とすることもできる。また、配線を形成したグリーンシートを重ねて、典型的には80〜150℃に加熱してプレスすることにより積層して焼成することにより、積層基板とすることができる。
前記導体ペーストは通常、導体粉末とエチルセルロース等の有機樹脂成分と、α−テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート等の溶剤とを主成分とする。添加成分として他の酸化物微粉末等を含んでもよい。
本発明の基板は、前記導体ペーストをスクリーン印刷等により、前記グリーンシート表面に塗布し、またはグリーンシートに形成されたビアホールに充填して、配線が形成されたものとすることもできる。
前記導体粉末は銀を主成分とすることが好ましい。
本発明の基板は、前記導体ペーストをスクリーン印刷等により、前記グリーンシート表面に塗布し、またはグリーンシートに形成されたビアホールに充填して、配線が形成されたものとすることもできる。
前記導体粉末は銀を主成分とすることが好ましい。
表1のSiO2からSnO2までの欄にモル%で示した組成となるように原料を調合、混合し、当該混合された原料を白金ルツボに入れて1500〜1600℃で60分間溶融後、溶融ガラスを流し出して冷却した。得られたガラスをアルミナ製ボールミルで、エチルアルコールを溶媒として20〜60時間粉砕してガラス粉末G1〜G3を得た。
ガラス粉末G1〜G3のD50(単位:μm)を、水を溶媒として島津製作所製レーザー回折式粒度分布計SALD2100を用いて、TG(単位:℃)を、マックサイエンス社製示差熱分析計TG−DTAを用いてそれぞれ測定した。結果を表1に示す。
また、アルミナ粉末として昭和電工社製AL43L(以下、A1と記す)、住友化学社製スミコランダムAA2(A2と記す)、AA18(A3と記す)、を用意した。A1、A2、A3のD50はそれぞれ1.0μm、1.8〜2.2μm、15〜20μmである。
ガラス粉末G1〜G3のD50(単位:μm)を、水を溶媒として島津製作所製レーザー回折式粒度分布計SALD2100を用いて、TG(単位:℃)を、マックサイエンス社製示差熱分析計TG−DTAを用いてそれぞれ測定した。結果を表1に示す。
また、アルミナ粉末として昭和電工社製AL43L(以下、A1と記す)、住友化学社製スミコランダムAA2(A2と記す)、AA18(A3と記す)、を用意した。A1、A2、A3のD50はそれぞれ1.0μm、1.8〜2.2μm、15〜20μmである。
表2に質量百分率表示で示した割合でガラス粉末G1〜G3およびアルミナ粉末A1〜A3を混合し、例1〜例5の各混合粉末(ガラスセラミックス組成物)を得た。各混合粉末100質量部に、トルエン、キシレン、イソプロピルアルコール、2−ブチルアルコールを質量比で4:2:2:1の割合で混合してなる有機溶剤を70質量部、フタル酸ジオクチルを5質量部、分散剤を0.3質量部およびポリビニルブチラールを10質量部の割合で加えて攪拌し、なめらかなスラリーを得た。
PETフィルム上に前記スラリーをドクターブレード法によって塗布し、乾燥してグリーンシートを得た。グリーンシートの厚さは約200μmであった。
PETフィルム上に前記スラリーをドクターブレード法によって塗布し、乾燥してグリーンシートを得た。グリーンシートの厚さは約200μmであった。
グリーンシートを焼成して得られた焼成体について、以下の方法でε、tanδおよび強度を測定した。結果を表2に示す(表中の「−」は測定しなかった)。また、これら焼成体を粉砕し、X線回折によりこれら焼成体中の結晶相を同定したところ、いずれの焼成体にもセルシアン、ヘキサセルシアン、ガーナイト、コランダムが認められた。
ε、tanδ:前記グリーンシートを4枚作製しこれらを重ねて、110℃に加熱してプレスすることにより積層した。得られた積層体を870℃で1時間焼成し、厚さが約0.8mmの焼成体を得た。この焼成体の上下両面を鏡面研磨して厚さ200μmのサンプルを作製した。このサンプルについて空洞共振法により20℃、35GHzにおける比誘電率および誘電損失を測定した。
ε、tanδ:前記グリーンシートを4枚作製しこれらを重ねて、110℃に加熱してプレスすることにより積層した。得られた積層体を870℃で1時間焼成し、厚さが約0.8mmの焼成体を得た。この焼成体の上下両面を鏡面研磨して厚さ200μmのサンプルを作製した。このサンプルについて空洞共振法により20℃、35GHzにおける比誘電率および誘電損失を測定した。
強度(単位:MPa):グリーンシートを1辺が4cmの正方形に切断したものを6枚重ねて、110℃に加熱してプレスすることにより積層した。得られた積層体を870℃で1時間焼成し、厚さが約1mmの焼成体を得た。この焼成体を切断して、幅約4mmの板6枚を得た。この6枚の板について3点曲げ試験により強度を測定した。スパンは15mm、クロスヘッド速度は0.5mm/分で試験し、6枚の板の強度の平均値を強度とした。強度は210MPa以上であることが好ましい。
Claims (2)
- 質量百分率表示で、ガラス粉末 30〜49%、アルミナ粉末 51〜70%、から本質的になるガラスセラミックス組成物であって、ガラス粉末が下記酸化物基準のモル%表示で、SiO2 15〜50%、B2O3 10〜40%、Al2O3 1〜15%、MgO+CaO 1〜20%、SrO+BaO 1〜30%、ZnO 1〜30%、TiO2+ZrO2+SnO2 0〜10%、から本質的になり、B2O3+ZnOが15〜55%であり、アルカリ金属酸化物を含有しないもしくは同酸化物を合計で1%未満の範囲で含有するものであり、アルミナ粉末の質量平均粒径が0.1〜10μmであるガラスセラミックス組成物。
- 請求項1に記載のガラスセラミックス組成物を焼成して得られる電子回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003360556A JP2005126250A (ja) | 2003-10-21 | 2003-10-21 | ガラスセラミックス組成物および電子回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003360556A JP2005126250A (ja) | 2003-10-21 | 2003-10-21 | ガラスセラミックス組成物および電子回路基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005126250A true JP2005126250A (ja) | 2005-05-19 |
Family
ID=34640835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003360556A Withdrawn JP2005126250A (ja) | 2003-10-21 | 2003-10-21 | ガラスセラミックス組成物および電子回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005126250A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008085034A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Kyocera Corp | 配線基板 |
JP2008214176A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-09-18 | Mitsubishi Electric Corp | グリーンシート用セラミック粉末及び多層セラミック基板 |
JP2009215089A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | グリーンシート用セラミック粉末及び低温焼成多層セラミック基板 |
WO2009122806A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 三菱電機株式会社 | 低温焼成セラミック回路基板 |
-
2003
- 2003-10-21 JP JP2003360556A patent/JP2005126250A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008085034A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Kyocera Corp | 配線基板 |
JP2008214176A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-09-18 | Mitsubishi Electric Corp | グリーンシート用セラミック粉末及び多層セラミック基板 |
JP2009215089A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | グリーンシート用セラミック粉末及び低温焼成多層セラミック基板 |
WO2009122806A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 三菱電機株式会社 | 低温焼成セラミック回路基板 |
JPWO2009122806A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2011-07-28 | 三菱電機株式会社 | 低温焼成セラミック回路基板 |
KR101086804B1 (ko) | 2008-03-31 | 2011-11-25 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 저온 소성 세라믹 회로 기판 |
US8298448B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-10-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Low temperature co-fired ceramic circuit board |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4805268B2 (ja) | コンデンサ用の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含有する銅成端インク | |
JP3240271B2 (ja) | セラミック基板 | |
CN101238531B (zh) | 用于电容器的含有无铅无镉玻璃的铜端电极油墨 | |
JPWO2005108327A1 (ja) | 積層誘電体製造方法 | |
JP5803453B2 (ja) | ガラスセラミック誘電体用材料およびガラスセラミック誘電体 | |
JP4706228B2 (ja) | 無鉛ガラス、ガラスセラミックス組成物および誘電体 | |
JP2004168597A (ja) | 無鉛ガラスおよび電子回路基板用組成物 | |
JP4229045B2 (ja) | 電子回路基板および電子回路基板作製用無鉛ガラス | |
JP2009215089A (ja) | グリーンシート用セラミック粉末及び低温焼成多層セラミック基板 | |
JP2002338295A (ja) | 無アルカリガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基板 | |
JP2005126250A (ja) | ガラスセラミックス組成物および電子回路基板 | |
JP2004339049A (ja) | 誘電体形成用無鉛ガラス、誘電体形成用ガラスセラミックス組成物、誘電体および積層誘電体製造方法 | |
KR100664979B1 (ko) | 글라스 프릿트와 그 제조방법, 이를 이용하는 외부전극용페이스트 조성물 및 적층세라믹 커패시터 | |
JP2011079718A (ja) | ビスマス系非鉛ガラス及び複合材料 | |
JP6048665B2 (ja) | ガラスセラミックス用材料及びガラスセラミックス | |
JP2004175645A (ja) | ガラスフリット混合物、電子回路基板製造方法および電子回路基板 | |
JP2003128431A (ja) | 無鉛ガラスおよびガラスセラミックス組成物 | |
WO2009119433A1 (ja) | 無鉛ガラス及び無鉛ガラスセラミックス用組成物 | |
JP2004182510A (ja) | ガラスフリット混合物、電子回路基板製造方法および電子回路基板 | |
JP2004244271A (ja) | 無鉛ガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基板 | |
JP2002080240A (ja) | 低誘電率無アルカリガラス | |
JP2005325011A (ja) | プラズマディスプレイ用隔壁形成材料 | |
JP4161565B2 (ja) | 電子回路基板作製用無鉛ガラスおよびガラスセラミックス組成物 | |
JP4373198B2 (ja) | 低温焼成基板用無鉛ガラスセラミックス組成物 | |
JP2006298716A (ja) | ガラス、ガラスセラミックス組成物および誘電体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060830 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090908 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090916 |