JP2004228094A - 多層セラミックキャパシタ用端子電極組成物 - Google Patents
多層セラミックキャパシタ用端子電極組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004228094A JP2004228094A JP2004017690A JP2004017690A JP2004228094A JP 2004228094 A JP2004228094 A JP 2004228094A JP 2004017690 A JP2004017690 A JP 2004017690A JP 2004017690 A JP2004017690 A JP 2004017690A JP 2004228094 A JP2004228094 A JP 2004228094A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- powder
- terminal electrode
- conductive paste
- composition material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title abstract 5
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 41
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 20
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 20
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical group CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N (Z)-beta-Terpineol Natural products CC(=C)C1CCC(C)(O)CC1 RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical class OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N syringin Chemical compound COC1=CC(\C=C\CO)=CC(OC)=C1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/18—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
【課題】 本発明の目的は、７００℃〜７７０℃の比較的低い温度範囲で焼成したときに高い機械的強度および良好な信頼性を持つ端子電極を形成できる組成物の供給。
【解決手段】 本発明は、多層セラミックキャパシタ用端子電極組成物に関する。特に、ＳｎＯ２、Ｖ２Ｏ５およびＭｏＯ３から選択された金属酸化物成分を有する多層セラミックキャパシタ用端子電極に関する。組成物は、窒素雰囲気中で低い温度で焼成することができる。
【選択図】 なし
【解決手段】 本発明は、多層セラミックキャパシタ用端子電極組成物に関する。特に、ＳｎＯ２、Ｖ２Ｏ５およびＭｏＯ３から選択された金属酸化物成分を有する多層セラミックキャパシタ用端子電極に関する。組成物は、窒素雰囲気中で低い温度で焼成することができる。
【選択図】 なし
Description
本発明は多層セラミックキャパシタ用の端子電極組成物に関する。より詳細には、多層セラミックキャパシタ用の端子電極組成物に関し、該組成物は、卑金属粉末、ガラスフリットおよび金属酸化物を含み、窒素雰囲気中低温で焼成することができる。
有機バインダ中に分散される銅またはニッケルのような卑金属および無機バインダで構成される導電性ペーストは、多層セラミックキャパシタ用の端子電極材料として広く用いられている。これらの導電性ペーストは、焼成した後に導電性でなければならず、キャパシタ組立体に対して、焼成処理の前後で、良好な接着性のような特性を有することも要求される。例えば、特許文献１において、接着性を向上させるために、酸化ニッケル添加物を含有する貴金属を含む組成物が開示されている。
高密度表面実装技術の使用が過去数年にわたって増大するにつれて、多数の関連する問題が発生してきている。例えば、現在の導電性ペーストを焼成するには、８００℃〜９００℃という比較的高い温度が必要とされる。キャパシタ上の端子電極が前記の温度範囲で焼成することによって形成されると、この工程がキャパシタ内で大きな内部応力を発生させる。これは、ペースト内の金属構成成分のキャパシタの内部の電極への拡散、端子電極間とキャパシタ組立体（例えば、セラミック）との接合部における焼結縮み、および、キャパシタ組立体の中へのペースト内の無機バインダ成分の拡散による。この結果は、チップキャパシタの回路基板へのはんだ付けの間、またははんだ付けによる修繕の間に起こる急激な温度変化によるキャパシタ組立体でのクラックの形成、および、基板が、外部からの曲げ力の印加によって折り返されるときのキャパシタでのクラックの形成のように、問題になる。
特に言及したように、導電性ペーストが端子電極内で使用される際、比較的高い焼成温度を有するため、はんだ付けおよび関連する工程の間で、このペーストは低い熱衝撃抵抗を有する。さらに、導電性ペーストは、チップキャパシタが実装された回路基板の折りたたみや曲げに対して強度（例えば、曲げ強さ）が不十分である。その結果、焼成中のキャパシタ組立体の内部の内部応力によりクラッキングが容易に起こり、これは信頼性を低くする要因となる。導電性ペーストを６５０℃〜７８０℃の比較的低い温度で焼成すると、曲げ強度は向上するが、密度は不十分であり、チップキャパシタの他の特性が低下し、良好な信頼性を実現することが不可能となる。
従って、本発明の目的は、７００℃〜７７０℃の比較的低い温度範囲で焼成したときに、多層セラミックキャパシタでの使用で望まれる種々の特性を満たし、熱衝撃抵抗のような、高い機械的強度および良好な信頼性を有する端子電極を形成することができる新規な組成物を供給することである。
加えて、発明の組成物中における金属酸化物の存在は、適当な密度の焼結フィルムが７００℃〜７７０℃の低い焼成温度範囲で得られることを可能にする。さらに、焼結フィルムの密度は、７００℃〜７７０℃の焼成温度範囲内においてほとんど変化せず、これによって広いプロセスウィンドウが保証される。
導電性ペースト中に一定の金属酸化物が含まれることによって、高い密度および高い信頼性を持った端子電極が比較的低い焼成温度で形成されることが発見された。したがって、本発明は、多層キャパシタ用の端子電極組成物であって、該組成物がペースト組成物の中に１０ｗｔ％までの金属酸化物を含むものを提供する。
組成物に含まれる金属酸化物は、ＳｎＯ２粉末、Ｖ２Ｏ５粉末およびＭｏＯ３粉末の群から少なくとも一つ選択され、微粉砕された粉末であることが好ましい。平均粒径は０．０１〜５μｍの範囲である。
金属酸化物の含有量は、ペースト組成物全体を基準として、約０．１〜１０ｗｔ％の範囲であり、好ましくは０．１〜８．０ｗｔ％であり、および、これらの範囲に含まれるすべての範囲である。例えば、この範囲は０．１〜７％、０．１〜７．５％または０．１７〜５．３％を含む。０．１ｗｔ％よりも少ないと、所望の効果が制限される。一方、１０ｗｔ％よりも多いと、焼成フィルムの抵抗率が上がり、等価直列抵抗値が上昇するという結果が起こる。等価直列抵抗値とは、実際の回路が抵抗体を含む線形受動性要素の組み合わせによって置換されるときの全ての抵抗値を意味し、ここで、その線形受動性要素の組み合わせは、実際の回路に近似かつ等価なキャパシティおよびインピーダンスを有する。
本発明での上記金属酸化物の使用は、約７００℃の温度で焼成を促進し、７７０℃を超える温度における迅速な焼結を阻害する。したがって、適した稠密度の端子電極は、７００℃〜７７０℃の焼結温度範囲で実現される。
卑金属粒子は、銅粉末、ニッケル粉末、銅−ニッケル合金粉末、またはこれらの混合物から選択される。銅粉末が好ましい。銅粉末粒子は、平均粒径が０．３〜３０μｍを有する球状または不定形状、０．１〜３０μｍの粒径を有する薄片様の銅粒子、およびこれらの混合物から選択される。大きすぎる卑金属粒子では、これらから生成された端子電極の密度が損なわれる。一方、粒径が小さすぎると、分散特性が有機バインダのものと異なり、理想の被覆形状を実現することを困難にするレオロジーの変化を引き起こす。
ペースト中の卑金属粒子の含有量は、４５．０ｗｔ％〜８５．０ｗｔ％である。この範囲未満であると、稠密な焼結フィルムが得られず、この範囲を超えると、所望のペースト粘度が実現されない。
本発明の無機バインダとして使用されるガラスフリットの具体的な組成物は重要ではなく、好ましいガラスは、最近の環境問題のために、鉛、カドミウム、ビスマスが含まれていないものである。もっとも好ましいフリットは、アルカリ土類金属酸化物を含んだホウ珪酸ガラスである。ガラスフリットの軟化点は、焼成温度と密接に関連する。高すぎる軟化点は焼成を阻害し、低すぎる軟化点は焼成を促進する。組成物が過度の焼成を受けないようにし、しかも適度な密度を実現させるためには、ガラス軟化点は５００℃〜６５０℃の範囲内に設定することが好ましい。
組成物は、全組成物を基準として、約５ｗｔ％から、好ましくは８〜１２ｗｔ％のガラスフリット含量を有する。少量過ぎるガラスフリットが７００℃〜７７０℃の焼成温度で加えられると、メッキ溶液に対して防御として作用するのに十分な密度を有する焼成フィルムが得られず、キャパシタ組立体に対する接着性が不十分となる。一方、ガラスフリットが多すぎる量で加えられると、焼成フィルムの表面にガラス成分が浮き出し、メッキの接着性を大きく損なう原因となる。ガラスフリットは０．５〜２０μｍ、特に１〜１０μｍの粒径を有する微粉砕された粉末であることが好ましい。粒径が大きすぎると、低密度となり、一方、粒径が小さすぎると、有機バインダのものと異なる分散特性となり、レオロジーが変化し、理想の被覆形状を実現することが困難となる。
本発明の実施において、上述した金属酸化物粒子、卑金属粒子、および無機バインダを有機媒質中に分散して、ペースト組成物を形成し、そのペースト組成物を、多層セラミックキャパシタの端子電極を形成する部分にコーティングし、７００〜７７０℃温度で焼成して、端子電極を形成する。端子電極が焼成された後、続いて、ニッケルまたははんだメッキをはんだ表面として端子電極に施し、これによって完成した端子電極を形成する。
導電性ペースト中で使用されている有機媒質は、焼成温度で完全に燃焼し、完全に燃え尽きない物質が焼成フィルム内に残らないものである。有機媒質は、ペースト組成物の重量を基準として、典型的には１０〜３５ｗｔ％、好ましくは１５〜３０ｗｔ％の量で添加される。幅広い種類の不活性液体が有機媒質として使用されることができる。有機媒質は、固体が適度な安定性で分散できるものでなければならない。媒質のレオロジー特性は、媒質が組成物に対して良好な適用特性を与えるようなものでなければならない。このような特性には：適度な安定性での固体の分散、組成物の良好な適用、適切な粘度、チキソトロピー、基板と固体との適度な湿潤性、好適な乾燥速度、良好な焼成特性、および、乱暴な取り扱いに耐えるのに十分な乾燥したフィルム強度が含まれる。有機媒質は、当該技術分野において慣用のものであり、典型的には、溶媒中のポリマーまたは樹脂の溶液である。本目的にもっとも頻繁に使用される樹脂は、エチルセルロースである。樹脂やポリマーの他の例としては、エチルヒドロキシエチルセルロース、ウッドロジン、エチルセルロースとフェノール性樹脂の混合物、低級アルコールのポリメタクリレート、エチレングリコールモノアセテートのモノブチルエーテル、アクリルポリマーおよびスチレンポリマーが含まれ、これらも使用することができる。厚膜組成物中でみられる最も広く使用される溶媒は、酢酸エチルおよびα-テルピネオール若しくはβ-テルピネオールのようなテルペン類、または、ケロシン、ジブチルフタレート、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、ヘキシレングリコールおよび高沸点アルコール類やアルコールエステル類のような他の溶媒とそれらとの混合物である。これらおよびその他の溶媒の種々の組み合わせを処方して、所望の粘度および揮発性の要求を達成する。
加えて、厚膜組成物はまた、他の成分を含んでいてもよく、この成分は、接着性、焼成性、処理性、蝋付け性、はんだ付け性、信頼性などのような加工中の組成物の種々の特性を高めるために、厚膜組成物の分野で知られているものである。
本発明のキャパシタ組成物は、ニッケルまたははんだメッキ表面で使用され、信頼性を保証し、はんだ付け操作を容易にする。組成物が適切な密度を有することによって、組成物は、メッキ中に、メッキ溶液が端子電極および内部電極へ浸透するのを防ぐことができる。
（実施例１）
３μｍの平均粒径を有する球状銅粉末（７１．１ｗｔ％）、ＳｎＯ２粉末（０．７ｗｔ％）、ガラスフリット（１０．２ｗｔ％）、および、有機ビヒクル（１８ｗｔ％）（７８ｗｔ％のブチルカルビトールアセテート中、重量平均分子量が２００，０００である２２ｗｔ％のメチルメタクリレート（ＭＭＡ）の溶液）を、示された量でそれぞれ計量し、三本ロールミル中でブレンドすることによって均一に分散させ、ペーストを形成した。
３μｍの平均粒径を有する球状銅粉末（７１．１ｗｔ％）、ＳｎＯ２粉末（０．７ｗｔ％）、ガラスフリット（１０．２ｗｔ％）、および、有機ビヒクル（１８ｗｔ％）（７８ｗｔ％のブチルカルビトールアセテート中、重量平均分子量が２００，０００である２２ｗｔ％のメチルメタクリレート（ＭＭＡ）の溶液）を、示された量でそれぞれ計量し、三本ロールミル中でブレンドすることによって均一に分散させ、ペーストを形成した。
ガラスフリットは重量で以下の組成を有する。
３５．０％ ＢａＯ
２３．１％ Ｂ２Ｏ３
１３．５％ ＳｒＯ
１２．５％ ＳｉＯ２
４．５％ ＺｎＯ
３．７％ ＭｇＯ
２．４％ Ａｌ２Ｏ３
２．３％ Ｎａ２Ｏ
１．２％ ＳｎＯ２
１．０％ ＴｉＯ２
０．４％ Ｋ２Ｏ
０．４％ ＬｉＯ
３５．０％ ＢａＯ
２３．１％ Ｂ２Ｏ３
１３．５％ ＳｒＯ
１２．５％ ＳｉＯ２
４．５％ ＺｎＯ
３．７％ ＭｇＯ
２．４％ Ａｌ２Ｏ３
２．３％ Ｎａ２Ｏ
１．２％ ＳｎＯ２
１．０％ ＴｉＯ２
０．４％ Ｋ２Ｏ
０．４％ ＬｉＯ
（実施例２）
３μｍの平均粒径を有する球状銅粉末（７０ｗｔ％）、ＳｎＯ２粉末（２ｗｔ％）、実施例１のガラスフリット（１０ｗｔ％）、および有機ビヒクル（１８ｗｔ％）を、示された量でそれぞれ計量し、三本ロールミル中でブレンドすることにより均一に分散させ、基盤を形成した。
３μｍの平均粒径を有する球状銅粉末（７０ｗｔ％）、ＳｎＯ２粉末（２ｗｔ％）、実施例１のガラスフリット（１０ｗｔ％）、および有機ビヒクル（１８ｗｔ％）を、示された量でそれぞれ計量し、三本ロールミル中でブレンドすることにより均一に分散させ、基盤を形成した。
（実施例３）
３μｍの平均粒径を有する球状銅粉末（７０．９ｗｔ％）、Ｖ２Ｏ５粉末（１．０ｗｔ％）、実施例１のガラスフリット（１０．１ｗｔ％）、有機ビヒクル（１８ｗｔ％）を、示された量でそれぞれ計量し、三本ロールミル中でブレンドすることにより均一に分散し、基盤を形成した。
３μｍの平均粒径を有する球状銅粉末（７０．９ｗｔ％）、Ｖ２Ｏ５粉末（１．０ｗｔ％）、実施例１のガラスフリット（１０．１ｗｔ％）、有機ビヒクル（１８ｗｔ％）を、示された量でそれぞれ計量し、三本ロールミル中でブレンドすることにより均一に分散し、基盤を形成した。
（実施例４）
３μｍの平均粒径を有する球状銅粉末（７０．６ｗｔ％）、ＭｏＯ３粉末（１．４ｗｔ％）、実施例１のガラスフリット（１０．１ｗｔ％）、有機ビヒクル（１８ｗｔ％）を、示された量でそれぞれ計量し、三本ロールミル中でブレンドすることにより均一に分散し、基盤を形成した。
３μｍの平均粒径を有する球状銅粉末（７０．６ｗｔ％）、ＭｏＯ３粉末（１．４ｗｔ％）、実施例１のガラスフリット（１０．１ｗｔ％）、有機ビヒクル（１８ｗｔ％）を、示された量でそれぞれ計量し、三本ロールミル中でブレンドすることにより均一に分散し、基盤を形成した。
（比較例５）
３μｍの平均粒径を有する球状銅粉末（６２．５ｗｔ％）、ＳｎＯ２粉末（１１．４ｗｔ％）、実施例１のガラスフリット（８．９ｗｔ％）、有機ビヒクル（１７．１ｗｔ％）を、示された量でそれぞれ計量し、三本ロールミル中でブレンドすることにより均一に分散し、基盤を形成した。
３μｍの平均粒径を有する球状銅粉末（６２．５ｗｔ％）、ＳｎＯ２粉末（１１．４ｗｔ％）、実施例１のガラスフリット（８．９ｗｔ％）、有機ビヒクル（１７．１ｗｔ％）を、示された量でそれぞれ計量し、三本ロールミル中でブレンドすることにより均一に分散し、基盤を形成した。
（比較例６）
３μｍの平均粒径を有する球状銅粉末（７１．８ｗｔ％）、実施例１のガラスフリット（１０．２ｗｔ％）、有機ビヒクル（１８ｗｔ％）を、示された量でそれぞれ計量し、三本ロールミル中でブレンドすることにより均一に分散し、基盤を形成した。表１から解るように、７２５℃で焼成した場合の本比較例のフィルム密度は劣っている。この組成物では、高いランクのフィルム密度を維持するには、７００〜９５０℃の範囲にわたる焼成温度が必要である。
３μｍの平均粒径を有する球状銅粉末（７１．８ｗｔ％）、実施例１のガラスフリット（１０．２ｗｔ％）、有機ビヒクル（１８ｗｔ％）を、示された量でそれぞれ計量し、三本ロールミル中でブレンドすることにより均一に分散し、基盤を形成した。表１から解るように、７２５℃で焼成した場合の本比較例のフィルム密度は劣っている。この組成物では、高いランクのフィルム密度を維持するには、７００〜９５０℃の範囲にわたる焼成温度が必要である。
試験方法
上述のように処方されたペーストを多層セラミックキャパシタチップ上にコーティングし、窒素雰囲気中で７２５℃、７５０℃または７７５℃の温度で焼成し、試験片を調製した。次に、試験片の焼成密度を決定するため、および、ガラス成分が焼成されたフィルムの表面に浮きでた程度を評定するために、この試験片を評価した。焼成密度は、走査電子顕微鏡により、焼成されたフィルムの断面を調査することによって評価した。フィルム表面に浮き出たガラスは、金属顕微鏡により焼成されたフィルムの表面を調査することによって評価した。抵抗率は、アルミニウム基板上にプリントし、７５０℃で焼成された導体の抵抗を測定することにより決定した。
上述のように処方されたペーストを多層セラミックキャパシタチップ上にコーティングし、窒素雰囲気中で７２５℃、７５０℃または７７５℃の温度で焼成し、試験片を調製した。次に、試験片の焼成密度を決定するため、および、ガラス成分が焼成されたフィルムの表面に浮きでた程度を評定するために、この試験片を評価した。焼成密度は、走査電子顕微鏡により、焼成されたフィルムの断面を調査することによって評価した。フィルム表面に浮き出たガラスは、金属顕微鏡により焼成されたフィルムの表面を調査することによって評価した。抵抗率は、アルミニウム基板上にプリントし、７５０℃で焼成された導体の抵抗を測定することにより決定した。
評価を、５（最良）〜１（最低）の尺度で、表１に示す。上記の特性に対して３またはそれよりも高い評価であれば、実施上の問題をもたらさなかった。
Claims (7)
- 全組成物を基準として、銅粉末、ニッケル粉末、銅−ニッケル合金粉末およびこれらの混合物から選択される卑金属粒子４５．０〜８５．０ｗｔ％と、ガラスフリット５〜１５ｗｔ％と、ＳｎＯ２、Ｖ２Ｏ５およびＭｏＯ３から選択される金属酸化物粒子０．１〜１０ｗｔ％とを含み、該粒子が有機媒質に分散されていることを特徴とする導電性ペースト組成物。
- ０．１〜８ｗｔ％の金属酸化物を含むことを特徴とする、請求項１に記載の導電性ペースト。
- 前記有機媒質がペースト組成物の１０〜３５ｗｔ％であることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の導電性ペースト。
- 前記有機媒質がメチルメタクリレートおよびブチルカルビトールアセテートを含むことを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の導電性ペースト。
- 多層キャパシタのための端子電極組成物としての、請求項１から４のいずれか１項に記載の導電性ペーストの使用。
- (a)請求項１から４のいずれか１項に記載の導電性ペーストを形成する工程と；
(b)多層キャパシタの端子電極を形成する部分の上に(a)の組成物をコーティングする工程と；
(c)(b)の多層キャパシタを焼成し、完成された端子電極を形成する工程と
を含むこと特徴とする端子電極を形成する方法。 - 請求項１から４のいずれか１項に記載の導電性ペーストを利用する多層キャパシタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US44220003P | 2003-01-24 | 2003-01-24 | |
| US10/670,669 US7083744B2 (en) | 2003-01-24 | 2003-09-25 | Terminal electrode compositions for multilayer ceramic capacitors |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004228094A true JP2004228094A (ja) | 2004-08-12 |
| JP2004228094A5 JP2004228094A5 (ja) | 2007-03-01 |
Family
ID=32659502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004017690A Pending JP2004228094A (ja) | 2003-01-24 | 2004-01-26 | 多層セラミックキャパシタ用端子電極組成物 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7083744B2 (ja) |
| EP (1) | EP1443531B1 (ja) |
| JP (1) | JP2004228094A (ja) |
| KR (1) | KR100731219B1 (ja) |
| CN (1) | CN100419918C (ja) |
| DE (1) | DE602004005252T2 (ja) |
| TW (1) | TW200417531A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007083710A1 (ja) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 導電性ペースト及びそれを用いた配線基板 |
| JP2008503103A (ja) * | 2004-06-09 | 2008-01-31 | フエロ コーポレーション | コンデンサ用の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含有する銅成端インク |
| JP2016009861A (ja) * | 2014-06-24 | 2016-01-18 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層電子部品及び内部電極用導電性ペースト組成物 |
| JP2018101751A (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| JP2019212717A (ja) * | 2018-06-01 | 2019-12-12 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2019216168A (ja) * | 2018-06-12 | 2019-12-19 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101730184B1 (ko) * | 2010-11-08 | 2017-05-12 | 삼성전기주식회사 | 도전성 페이스트 조성물 및 이를 이용한 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법 |
| KR20130005518A (ko) * | 2011-07-06 | 2013-01-16 | 삼성전기주식회사 | 내부전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 전자부품 |
| KR102029468B1 (ko) * | 2012-01-18 | 2019-10-07 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
| JP6354970B2 (ja) * | 2015-10-01 | 2018-07-11 | 昭栄化学工業株式会社 | 導電性ペースト及び積層セラミック部品の端子電極形成方法 |
| CN106024101B (zh) * | 2016-08-05 | 2017-08-01 | 洛阳布鲁姆电子科技有限公司 | 一种复合导电陶瓷浆料及其制备方法 |
| CN109346322A (zh) * | 2018-10-17 | 2019-02-15 | 成都宏明电子科大新材料有限公司 | 一种脉冲功率陶瓷电容器、端电极及制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09306236A (ja) * | 1996-05-09 | 1997-11-28 | Shoei Chem Ind Co | 導電性ペースト |
| JP2003123533A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 銅導体ペースト組成物、その製造方法及びそれを用いてなる電子部品 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3516949A (en) | 1966-10-10 | 1970-06-23 | Du Pont | Copper/vanadium oxide compositions |
| US3922387A (en) | 1973-08-28 | 1975-11-25 | Du Pont | Metallizations comprising nickel oxide |
| JPS59184511A (ja) | 1983-04-04 | 1984-10-19 | 株式会社村田製作所 | セラミツク積層コンデンサ |
| EP0132810A1 (en) | 1983-07-25 | 1985-02-13 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Borosilicate glass composition |
| US4540604A (en) * | 1983-08-25 | 1985-09-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film conductor compositions |
| JPS6222868A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-31 | Copal Co Ltd | 導伝性組成物 |
| US4894273A (en) * | 1987-05-22 | 1990-01-16 | Ceramics Process Systems Corp. | Bonding additives for refractory metallization inks |
| US4880567A (en) | 1987-08-20 | 1989-11-14 | General Electric Company | Thick film copper conductor inks |
| JP2788510B2 (ja) * | 1989-10-27 | 1998-08-20 | 第一工業製薬株式会社 | 銅ペースト組成物 |
| CN1051862C (zh) * | 1991-04-20 | 2000-04-26 | 旭化成工业株式会社 | 高温烧结用糊剂及其应用 |
| US5429670A (en) * | 1993-04-26 | 1995-07-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Gold paste for a ceramic circuit board |
| JP3015621B2 (ja) | 1993-05-10 | 2000-03-06 | 松下電器産業株式会社 | 導体ペ−スト組成物 |
| JPH08180731A (ja) | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性厚膜組成物、厚膜電極、セラミック電子部品、および積層セラミックコンデンサ |
| JP2002012445A (ja) | 2000-01-18 | 2002-01-15 | Central Glass Co Ltd | 低融点ガラス |
| JP2001307549A (ja) | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Furuya Kinzoku:Kk | 銀ペースト及びその製造方法 |
-
2003
- 2003-09-25 US US10/670,669 patent/US7083744B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-19 TW TW092136246A patent/TW200417531A/zh unknown
- 2003-12-31 CN CNB2003101245559A patent/CN100419918C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-01-19 DE DE602004005252T patent/DE602004005252T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-01-19 EP EP04000947A patent/EP1443531B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-01-20 KR KR1020040004388A patent/KR100731219B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-01-26 JP JP2004017690A patent/JP2004228094A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09306236A (ja) * | 1996-05-09 | 1997-11-28 | Shoei Chem Ind Co | 導電性ペースト |
| JP2003123533A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 銅導体ペースト組成物、その製造方法及びそれを用いてなる電子部品 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008503103A (ja) * | 2004-06-09 | 2008-01-31 | フエロ コーポレーション | コンデンサ用の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含有する銅成端インク |
| JP4805268B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2011-11-02 | フエロ コーポレーション | コンデンサ用の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含有する銅成端インク |
| US8053066B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-11-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Conductive paste and wiring board using same |
| WO2007083710A1 (ja) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 導電性ペースト及びそれを用いた配線基板 |
| JP2016009861A (ja) * | 2014-06-24 | 2016-01-18 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層電子部品及び内部電極用導電性ペースト組成物 |
| US9824791B2 (en) | 2014-06-24 | 2017-11-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer electronic component and conductive paste composition for internal electrode |
| KR102468200B1 (ko) | 2016-12-21 | 2022-11-18 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 |
| JP2018101751A (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| KR20180072555A (ko) * | 2016-12-21 | 2018-06-29 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 |
| JP2019212717A (ja) * | 2018-06-01 | 2019-12-12 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| US11264168B2 (en) | 2018-06-01 | 2022-03-01 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor with interposing molybdenum (Mo) ground layer |
| JP7145652B2 (ja) | 2018-06-01 | 2022-10-03 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| TWI807030B (zh) * | 2018-06-01 | 2023-07-01 | 日商太陽誘電股份有限公司 | 積層陶瓷電容器 |
| US11011312B2 (en) | 2018-06-12 | 2021-05-18 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor using molybdenum (Mo) ground layer and manufacturing method of the same |
| JP2019216168A (ja) * | 2018-06-12 | 2019-12-19 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| JP7446705B2 (ja) | 2018-06-12 | 2024-03-11 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE602004005252D1 (de) | 2007-04-26 |
| TW200417531A (en) | 2004-09-16 |
| KR100731219B1 (ko) | 2007-06-22 |
| US7083744B2 (en) | 2006-08-01 |
| EP1443531B1 (en) | 2007-03-14 |
| US20040144205A1 (en) | 2004-07-29 |
| CN100419918C (zh) | 2008-09-17 |
| DE602004005252T2 (de) | 2008-04-03 |
| KR20040068495A (ko) | 2004-07-31 |
| CN1518008A (zh) | 2004-08-04 |
| EP1443531A1 (en) | 2004-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100668549B1 (ko) | 다층 세라믹 축전기용 말단 전극 조성물 | |
| JP2013251256A (ja) | 低銀含有量ペースト組成物およびその低銀含有量ペースト組成物から導電性膜を製造する方法 | |
| US7282162B2 (en) | Terminal electrode compositions for multilayer ceramic capacitors | |
| JP2004228094A (ja) | 多層セラミックキャパシタ用端子電極組成物 | |
| JP6968524B2 (ja) | 厚膜導電ペーストおよびセラミック多層積層電子部品の製造方法 | |
| JPH06203626A (ja) | 低温焼成可能な導電性ペースト | |
| JP2018152218A (ja) | 導電性ペースト、チップ電子部品及びその製造方法 | |
| KR100666752B1 (ko) | 디스플레이용 전극용 도전성 페이스트 조성물 | |
| JPH0945130A (ja) | 導体ペースト組成物 | |
| WO2021221175A1 (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
| JP4672381B2 (ja) | セラミックコンデンサ外部電極用導電性ペーストおよびセラミックコンデンサ | |
| WO2021221174A1 (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
| JP2006190491A (ja) | セラミック電子部品用導電性ペーストおよびセラミック電子部品 | |
| JP4694918B2 (ja) | 角板形チップ部品における、導電性の下地膜とめっき膜とからなる端面電極の該めっき膜の下地膜形成用導電性ペースト | |
| JP2004055557A (ja) | 銅ペーストとそれを用いた配線基板及び配線基板の製造方法 | |
| JP2023135971A (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
| JP2005216988A (ja) | セラミック電子部品用導電性ペーストおよびセラミック電子部品 | |
| EP1443532A1 (en) | Terminal electrode compositions for multilayer ceramic capacitors | |
| JP2006299040A (ja) | ペースト組成物 | |
| JPH042630A (ja) | 導体ペースト |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070112 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070112 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091208 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100430 |