JP3015621B2 - 導体ペ−スト組成物 - Google Patents
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- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
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- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ、ＩＣやチップ
部品を搭載したセラミック多層配線基板の配線層間の接
続に使用される導体ペ−スト組成物に関するものであ
る。
部品を搭載したセラミック多層配線基板の配線層間の接
続に使用される導体ペ−スト組成物に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】セラミック多層基板の製造方法として
は、高積層化、微細な配線パタ−ンが可能なグリ−ンシ
−ト積層法と、工程が簡便で対応性もよく製造歩留りが
よい厚膜印刷法が知られ、広範に利用されている。セラ
ミック多層基板の製造技術で重要なポイントの一つは配
線層間を接続する技術であり、一般的には絶縁層にビア
孔を設けてこの中に導体材料を充填（ビアフィル）する
方法がとられている。グリ−ンシ−ト積層法と厚膜印刷
法のいずれの場合も絶縁層の厚みが薄いときは配線パタ
−ンの形成と同時にビアフィルが可能であるが、絶縁層
が厚いときは配線パタ−ンの形成の前にビアフィル工程
を設ける必要がある。
は、高積層化、微細な配線パタ−ンが可能なグリ−ンシ
−ト積層法と、工程が簡便で対応性もよく製造歩留りが
よい厚膜印刷法が知られ、広範に利用されている。セラ
ミック多層基板の製造技術で重要なポイントの一つは配
線層間を接続する技術であり、一般的には絶縁層にビア
孔を設けてこの中に導体材料を充填（ビアフィル）する
方法がとられている。グリ−ンシ−ト積層法と厚膜印刷
法のいずれの場合も絶縁層の厚みが薄いときは配線パタ
−ンの形成と同時にビアフィルが可能であるが、絶縁層
が厚いときは配線パタ−ンの形成の前にビアフィル工程
を設ける必要がある。
【０００３】このビアフィル工程でビア孔を充填するに
は、従来から、導体材料等の無機成分粉末と、有機バイ
ンダとその溶剤等を主成分とする導体ペースト組成物が
使用されている。
は、従来から、導体材料等の無機成分粉末と、有機バイ
ンダとその溶剤等を主成分とする導体ペースト組成物が
使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来例の導体
ペ−スト組成物でビアフィルを行うと、図２に示すよう
に、グリーンシート絶縁層４のビア孔２に充填した従来
例の導体ペ−スト組成物５は、その溶剤が蒸発して凝集
・硬化する際に、その中に含まれる無機成分粉末が凝集
エネルギが小さいビア孔２の内周壁方向に移動するとい
うレベリング作用によって中央が凹んでしまい、凹み３
が形成されて充填不良が発生するという問題点がある。
この問題の解決策として、前記レベリング作用によって
前記無機成分粉末がビア孔２の内周壁方向に移動するの
を抑えるために、有機ビヒクル成分を極端に少なくして
粘度を高くした導体ペ−スト組成物を用いた場合、ビア
フィル後の中央の凹みは小さくなるが、導体ペ−スト組
成物をビア孔２に充填する際に粘度が高すぎて、導体ペ
−スト組成物をビア孔に充填するのが困難になり、充填
したとしても充填不良が発生するという問題点がある。
ペ−スト組成物でビアフィルを行うと、図２に示すよう
に、グリーンシート絶縁層４のビア孔２に充填した従来
例の導体ペ−スト組成物５は、その溶剤が蒸発して凝集
・硬化する際に、その中に含まれる無機成分粉末が凝集
エネルギが小さいビア孔２の内周壁方向に移動するとい
うレベリング作用によって中央が凹んでしまい、凹み３
が形成されて充填不良が発生するという問題点がある。
この問題の解決策として、前記レベリング作用によって
前記無機成分粉末がビア孔２の内周壁方向に移動するの
を抑えるために、有機ビヒクル成分を極端に少なくして
粘度を高くした導体ペ−スト組成物を用いた場合、ビア
フィル後の中央の凹みは小さくなるが、導体ペ−スト組
成物をビア孔２に充填する際に粘度が高すぎて、導体ペ
−スト組成物をビア孔に充填するのが困難になり、充填
したとしても充填不良が発生するという問題点がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の導体ペ−スト組
成物は、上記の課題を解決するために、少なくとも導体
材料粉末とガラス粉末とから成る無機成分７５．０〜９
０．５重量％と、少なくとも有機バインダと溶剤とから
成る有機ビヒクル成分９．０〜２０．０重量％と、前記
導体材料粉末、ガラス粉末、有機ビヒクルに作用してチ
クソ比が大きくなる金属有機化合物溶液０．５〜５．０
重量％とを有することを特徴とする。
成物は、上記の課題を解決するために、少なくとも導体
材料粉末とガラス粉末とから成る無機成分７５．０〜９
０．５重量％と、少なくとも有機バインダと溶剤とから
成る有機ビヒクル成分９．０〜２０．０重量％と、前記
導体材料粉末、ガラス粉末、有機ビヒクルに作用してチ
クソ比が大きくなる金属有機化合物溶液０．５〜５．０
重量％とを有することを特徴とする。
【０００６】又、本発明の導体ペ−スト組成物は、上記
の課題を解決するために、金属有機化合物溶液の非有機
成分として、ケイ素を含むことが好適である。
の課題を解決するために、金属有機化合物溶液の非有機
成分として、ケイ素を含むことが好適である。
【０００７】
【作用】本発明の導体ペ−スト組成物は、少なくとも導
体材料粉末とガラス粉末とから成る無機成分７５．０〜
９０．５重量％と、少なくとも有機バインダと溶剤とか
ら成る有機ビヒクル成分９．０〜２０．０重量％と、金
属有機化合物溶液０．５〜５．０重量％とを有するが、
その中の金属有機化合物成分を混合することによって、
金属有機化合物成分が、導体材料粉末、ガラス粉末、有
機ビヒクルに作用してチクソ比が大きくなり、自然流動
のような低速度の変形に対する粘度は高いが、力を加え
た高速度の変形に対する粘度は低くなる。この結果、ビ
ア孔内でのレベリング作用によって導体ペ−スト組成物
の中央部が凹まないように自然流動粘度を大きくして
も、導体ペ−スト組成物をビア孔に充填する際の抵抗が
小さくなり、ビア孔に対する充填作業が容易で充填不足
がなくなり、且つ、ビア孔内の導体ペ−ストの中央部が
凹む充填不良が無くなる。
体材料粉末とガラス粉末とから成る無機成分７５．０〜
９０．５重量％と、少なくとも有機バインダと溶剤とか
ら成る有機ビヒクル成分９．０〜２０．０重量％と、金
属有機化合物溶液０．５〜５．０重量％とを有するが、
その中の金属有機化合物成分を混合することによって、
金属有機化合物成分が、導体材料粉末、ガラス粉末、有
機ビヒクルに作用してチクソ比が大きくなり、自然流動
のような低速度の変形に対する粘度は高いが、力を加え
た高速度の変形に対する粘度は低くなる。この結果、ビ
ア孔内でのレベリング作用によって導体ペ−スト組成物
の中央部が凹まないように自然流動粘度を大きくして
も、導体ペ−スト組成物をビア孔に充填する際の抵抗が
小さくなり、ビア孔に対する充填作業が容易で充填不足
がなくなり、且つ、ビア孔内の導体ペ−ストの中央部が
凹む充填不良が無くなる。
【０００８】又、本発明の導体ペ−スト組成物は、金属
有機化合物溶液の非有機成分として、ケイ素を含むもの
であると、上記チクソ比を効果的に大きくすることがで
きる。
有機化合物溶液の非有機成分として、ケイ素を含むもの
であると、上記チクソ比を効果的に大きくすることがで
きる。
【０００９】
【実施例】本発明の導体ペ−スト組成物の第１、第２実
施例について、図１〜図３に基づいて説明する。
施例について、図１〜図３に基づいて説明する。
【００１０】図１において、４はグリーンシート絶縁
層、２はビア孔、１は本発明の第１実施例の導体ペ−ス
ト組成物である。この第１実施例の導体ペ−スト組成物
は、平均粒径が約３ミクロンの銀粉末（福田金属箔粉社
製）を４０．８重量％と、ガラス粉末（ＧＡ１３、日本
電気硝子社製）を４０．８重量％と、ブチラ−ル系樹脂
をテルピネオ−ルに溶解し１０重量％の濃度にした有機
ビヒクル１６．４重量％と、テトラベンジルオルソシリ
ケ−ト溶液２．０重量％とを、３本ロ−ルにて充分に混
合・混練して作製したものである。
層、２はビア孔、１は本発明の第１実施例の導体ペ−ス
ト組成物である。この第１実施例の導体ペ−スト組成物
は、平均粒径が約３ミクロンの銀粉末（福田金属箔粉社
製）を４０．８重量％と、ガラス粉末（ＧＡ１３、日本
電気硝子社製）を４０．８重量％と、ブチラ−ル系樹脂
をテルピネオ−ルに溶解し１０重量％の濃度にした有機
ビヒクル１６．４重量％と、テトラベンジルオルソシリ
ケ−ト溶液２．０重量％とを、３本ロ−ルにて充分に混
合・混練して作製したものである。
【００１１】被測定物中に挿入した円筒を所定回転数で
回転させその抵抗から粘度を求めるＢ型粘度計で測定し
た第１実施例の粘度曲線と従来例の粘度曲線とを図３に
示す。
回転させその抵抗から粘度を求めるＢ型粘度計で測定し
た第１実施例の粘度曲線と従来例の粘度曲線とを図３に
示す。
【００１２】図３において、本発明の第１実施例の粘度
と従来例の粘度とが、回転数が低い側と高い側とで、逆
転している。図３では、回転数２０ｒｐｍの粘度と回転
数０．５ｒｐｍの粘度との比であるチクソ比が、第１実
施例は従来例の約３倍あり、この高チクソ比のために、
前記のレベリング作用の際に関係する低回転数０．５ｒ
ｐｍの粘度を充分に大きくしても、ビア孔２への充填の
際に関係する高回転数２０ｒｐｍの粘度は、従来例より
も低くなる。尚、チクソ比を求める場合の回転数は任意
に決めれば良い。
と従来例の粘度とが、回転数が低い側と高い側とで、逆
転している。図３では、回転数２０ｒｐｍの粘度と回転
数０．５ｒｐｍの粘度との比であるチクソ比が、第１実
施例は従来例の約３倍あり、この高チクソ比のために、
前記のレベリング作用の際に関係する低回転数０．５ｒ
ｐｍの粘度を充分に大きくしても、ビア孔２への充填の
際に関係する高回転数２０ｒｐｍの粘度は、従来例より
も低くなる。尚、チクソ比を求める場合の回転数は任意
に決めれば良い。
【００１３】図１のグリ−ンシ−ト絶縁層４は、ホウケ
イ酸鉛系ガラス粉末とアルミナ粉末から成る９００℃で
焼成可能なガラスセラミック材料（ＭＬＳ１０００、日
本電気硝子社製）とアクリル系樹脂をメチルエチルケト
ンに溶解した有機ビヒクルとベンジルブチルフタレ−ト
とをそれぞれ用意し、これらをポットミルで充分に混合
した後、これをドクタ−ブレ−ド法でキャスティングし
て作製した。
イ酸鉛系ガラス粉末とアルミナ粉末から成る９００℃で
焼成可能なガラスセラミック材料（ＭＬＳ１０００、日
本電気硝子社製）とアクリル系樹脂をメチルエチルケト
ンに溶解した有機ビヒクルとベンジルブチルフタレ−ト
とをそれぞれ用意し、これらをポットミルで充分に混合
した後、これをドクタ−ブレ−ド法でキャスティングし
て作製した。
【００１４】作製したグリ−ンシ−ト絶縁層４の所定の
箇所にパンチングにてビア孔２を形成し、作製したビア
孔用の導体ペ−スト組成物１をビア孔２に充填した。こ
のときのビア孔２の断面の模式図が図１である。ビア孔
２に充填した第１実施例の導体ペ−スト組成物１の中央
部は凹んでいない。
箇所にパンチングにてビア孔２を形成し、作製したビア
孔用の導体ペ−スト組成物１をビア孔２に充填した。こ
のときのビア孔２の断面の模式図が図１である。ビア孔
２に充填した第１実施例の導体ペ−スト組成物１の中央
部は凹んでいない。
【００１５】次いで、配線用の厚膜導体ペ−スト（ＤＤ
１４１１、京都エレックス社製）でスクリ−ン印刷によ
り配線パタ−ンを形成した。
１４１１、京都エレックス社製）でスクリ−ン印刷によ
り配線パタ−ンを形成した。
【００１６】同様にして、各層の配線を形成したグリ−
ンシ−ト絶縁層４を作製し、各グリ−ンシ−ト絶縁層４
を８０℃、２００ｋｇ／ｃｍ2 の条件で熱圧着して積層
体を得た。ただし積層体の表層には配線パタ−ンが形成
されていないで、ビア孔２のみが形成されているグリ−
ンシ−ト絶縁層４を積層した。
ンシ−ト絶縁層４を作製し、各グリ−ンシ−ト絶縁層４
を８０℃、２００ｋｇ／ｃｍ2 の条件で熱圧着して積層
体を得た。ただし積層体の表層には配線パタ−ンが形成
されていないで、ビア孔２のみが形成されているグリ−
ンシ−ト絶縁層４を積層した。
【００１７】次いで、得られた積層体を加熱炉内の大気
中で、脱バインダ処理した。この際の加熱条件はピ−ク
温度２７５℃、ピ−ク温度時間３６０分とした。
中で、脱バインダ処理した。この際の加熱条件はピ−ク
温度２７５℃、ピ−ク温度時間３６０分とした。
【００１８】次いで、積層体を加熱炉内の大気中で焼結
・焼成した。加熱条件はピ−ク温度９００℃、ピ−ク温
度保持時間１０分とした。
・焼成した。加熱条件はピ−ク温度９００℃、ピ−ク温
度保持時間１０分とした。
【００１９】最後に、最上部の配線を厚膜導体ぺ−スト
（ＤＤ２３３２Ｈ、京都エレックス社製）でスクリ−ン
印刷により形成し、大気中で焼成（ピ−ク温度９００
℃、ピ−ク温度保持時間１０分）して、セラミック多層
配線基板を得た。
（ＤＤ２３３２Ｈ、京都エレックス社製）でスクリ−ン
印刷により形成し、大気中で焼成（ピ−ク温度９００
℃、ピ−ク温度保持時間１０分）して、セラミック多層
配線基板を得た。
【００２０】尚、比較例として、従来例の導体ペ−スト
組成物５をビア孔２に充填して、同様の工程でセラミッ
ク多層配線基板を作製した。その結果、図２に示すビア
孔２の断面の模式図のように、レベリング作用によりビ
ア孔２内の導体ペ−スト５の中央部に凹み３が発生し
た。
組成物５をビア孔２に充填して、同様の工程でセラミッ
ク多層配線基板を作製した。その結果、図２に示すビア
孔２の断面の模式図のように、レベリング作用によりビ
ア孔２内の導体ペ−スト５の中央部に凹み３が発生し
た。
【００２１】本発明の導体ペ−スト組成物の第２実施例
を図１〜図３に基づいて説明する。
を図１〜図３に基づいて説明する。
【００２２】図１において、第２実施例の導体ペ−スト
組成物は、平均粒径が約３ミクロンの酸化銅粉末（京都
エレックス社製、ＣＢ２５０粉砕）を４０．８重量％
と、ガラス粉末（ＧＡ１３、日本電気硝子社製）を４
０．８重量％と、ブチラ−ル系樹脂をテルピネオ−ルに
溶解し１０重量％の濃度にした有機ビヒクル１６．４重
量％と、オクチル酸銅溶液２．０重量％とをそれぞれ用
意し、これらを３本ロ−ルにて充分に混合・混練して作
製した。作製したペ−ストの粘度は第１実施例の図３に
示す粘度とほぼ同等であった。従来の導体ペ−ストの粘
度曲線と比較すると本実施例の導体ペ−ストのほうがチ
クソ比は約３倍高い。
組成物は、平均粒径が約３ミクロンの酸化銅粉末（京都
エレックス社製、ＣＢ２５０粉砕）を４０．８重量％
と、ガラス粉末（ＧＡ１３、日本電気硝子社製）を４
０．８重量％と、ブチラ−ル系樹脂をテルピネオ−ルに
溶解し１０重量％の濃度にした有機ビヒクル１６．４重
量％と、オクチル酸銅溶液２．０重量％とをそれぞれ用
意し、これらを３本ロ−ルにて充分に混合・混練して作
製した。作製したペ−ストの粘度は第１実施例の図３に
示す粘度とほぼ同等であった。従来の導体ペ−ストの粘
度曲線と比較すると本実施例の導体ペ−ストのほうがチ
クソ比は約３倍高い。
【００２３】グリ−ンシ−ト絶縁層４は，第１実施例と
同様のガラスセラミック材料（ＭＬＳ１０００、日本電
気硝子社製）とアクリル系樹脂をメチルエチルケトンに
溶解した有機ビヒクルとベンジルブチルフタレ−トとを
それぞれ用意し、これらをポットミルで充分に混合した
後、これをドクタ−ブレ−ド法でキャスティングして作
製した。
同様のガラスセラミック材料（ＭＬＳ１０００、日本電
気硝子社製）とアクリル系樹脂をメチルエチルケトンに
溶解した有機ビヒクルとベンジルブチルフタレ−トとを
それぞれ用意し、これらをポットミルで充分に混合した
後、これをドクタ−ブレ−ド法でキャスティングして作
製した。
【００２４】作製したグリ−ンシ−ト絶縁層４の所定の
箇所にパンチングにてビア孔２を形成し、作製したビア
孔用の導体ペ−スト組成物１をビア孔２に充填した。こ
のときのビア孔２の断面は、第１実施例の図１と同様
で、ビア孔２に充填した導体ペ−スト組成物１の中央部
は凹んでいない。
箇所にパンチングにてビア孔２を形成し、作製したビア
孔用の導体ペ−スト組成物１をビア孔２に充填した。こ
のときのビア孔２の断面は、第１実施例の図１と同様
で、ビア孔２に充填した導体ペ−スト組成物１の中央部
は凹んでいない。
【００２５】次いで、配線用の厚膜導体ペ−スト（ＤＤ
３１００、京都エレックス社製）でスクリ−ン印刷によ
り配線パタ−ンを形成した。
３１００、京都エレックス社製）でスクリ−ン印刷によ
り配線パタ−ンを形成した。
【００２６】同様にして、各層の配線を形成したグリ−
ンシ−ト絶縁層４を作製し、各グリ−ンシ−ト絶縁層４
を８０℃、２００ｋｇ／ｃｍ2 の条件で熱圧着して積層
体を得た。但し、積層体の表層にはビア孔２のみが形成
され配線パタ−ンが形成されていないグリ−ンシ−ト絶
縁層４を積層した。
ンシ−ト絶縁層４を作製し、各グリ−ンシ−ト絶縁層４
を８０℃、２００ｋｇ／ｃｍ2 の条件で熱圧着して積層
体を得た。但し、積層体の表層にはビア孔２のみが形成
され配線パタ−ンが形成されていないグリ−ンシ−ト絶
縁層４を積層した。
【００２７】次いで、得られた積層体を加熱炉内の大気
中で、脱バインダ処理した。この際の加熱条件はピ−ク
温度５００℃、ピ−ク温度時間２時間とした。
中で、脱バインダ処理した。この際の加熱条件はピ−ク
温度５００℃、ピ−ク温度時間２時間とした。
【００２８】次いで、積層体中の導体材料である酸化銅
を加熱炉内の水素雰囲気中で金属銅に還元した。この際
の加熱条件はピ−ク温度２５０℃、ピ−ク温度保持時間
５時間とした。
を加熱炉内の水素雰囲気中で金属銅に還元した。この際
の加熱条件はピ−ク温度２５０℃、ピ−ク温度保持時間
５時間とした。
【００２９】次いで、積層体を加熱炉内の大気中で焼結
・焼成した。加熱条件はピ−ク温度９００℃、ピ−ク温
度保持時間１０分とした。
・焼成した。加熱条件はピ−ク温度９００℃、ピ−ク温
度保持時間１０分とした。
【００３０】最後に、最上部の配線を厚膜導体ぺ−スト
（ＱＰ１５３、デュポン社製）でスクリ−ン印刷により
形成し、窒素雰囲気中で焼成（ピ−ク温度９００℃、ピ
−ク温度保持時間１０分）して、セラミック多層配線基
板を得た。
（ＱＰ１５３、デュポン社製）でスクリ−ン印刷により
形成し、窒素雰囲気中で焼成（ピ−ク温度９００℃、ピ
−ク温度保持時間１０分）して、セラミック多層配線基
板を得た。
【００３１】そして、上記の実施例の導体ペースト組成
物は、金属成分が、導体材料と同一の金属であるので、
多層配線基板を製造する際の加熱・加圧・還元によっ
て、導体材料に不要の反応が起きることがなく、特性が
安定している。
物は、金属成分が、導体材料と同一の金属であるので、
多層配線基板を製造する際の加熱・加圧・還元によっ
て、導体材料に不要の反応が起きることがなく、特性が
安定している。
【００３２】又、上記の実施例の導体ペ−スト組成物
は、金属有機化合物溶液の非有機成分が、ホウ素、アル
ミニウム、ケイ素、チタンであり、ホウ素、アルミニウ
ム、ケイ素、チタンは多層配線基板に含まれている材料
なので、多層配線基板を製造する際の加熱・加圧・還元
によって、各材料に不要の反応が起きることがなく、特
性が安定している。
は、金属有機化合物溶液の非有機成分が、ホウ素、アル
ミニウム、ケイ素、チタンであり、ホウ素、アルミニウ
ム、ケイ素、チタンは多層配線基板に含まれている材料
なので、多層配線基板を製造する際の加熱・加圧・還元
によって、各材料に不要の反応が起きることがなく、特
性が安定している。
【００３３】尚、比較例として、従来例の導体ペ−スト
組成物５をビア孔２に充填して、同様の工程でセラミッ
ク多層配線基板を作製した。その結果は、図３に示すよ
うに、レベリング作用によりビア孔２内の導体ペ−スト
組成物５の中央部に凹み３が発生した。
組成物５をビア孔２に充填して、同様の工程でセラミッ
ク多層配線基板を作製した。その結果は、図３に示すよ
うに、レベリング作用によりビア孔２内の導体ペ−スト
組成物５の中央部に凹み３が発生した。
【００３４】以上の実施例においては、多層基板の製造
を例に挙げて説明したが、多層基板に限らず、両面配線
基板（グリ−ンシ−ト絶縁層厚みが約１ｍｍ）の製造に
おいても適用できることは言うまでもない。
を例に挙げて説明したが、多層基板に限らず、両面配線
基板（グリ−ンシ−ト絶縁層厚みが約１ｍｍ）の製造に
おいても適用できることは言うまでもない。
【００３５】
【発明の効果】本発明の導体ペースト組成物は、少なく
とも導体材料粉末とガラス粉末から成る無機成分７５．
０〜９０．５重量％と、少なくとも有機バインダと溶剤
より成る有機ビヒクル成分９．０〜２０．０重量％と
に、金属有機化合物溶液０．５〜５．０重量％を混合し
ているので、添加した金属有機化合物成分が、導体材料
粉末とガラス粉末と有機ビヒクルとに作用して、チクソ
比が高くなり、ビア孔への充填作業に関係がある高速変
形に対する粘度が低く、レベリング作用に関係がある自
然流動状態での粘度が高くなるので、充填作業が容易
で、且つ、レベリング作用をほとんど起こさず、ビア孔
の導体ペースト組成物の中央部が凹む充填不良がないビ
アフィルを行うことができるという効果を奏する。
とも導体材料粉末とガラス粉末から成る無機成分７５．
０〜９０．５重量％と、少なくとも有機バインダと溶剤
より成る有機ビヒクル成分９．０〜２０．０重量％と
に、金属有機化合物溶液０．５〜５．０重量％を混合し
ているので、添加した金属有機化合物成分が、導体材料
粉末とガラス粉末と有機ビヒクルとに作用して、チクソ
比が高くなり、ビア孔への充填作業に関係がある高速変
形に対する粘度が低く、レベリング作用に関係がある自
然流動状態での粘度が高くなるので、充填作業が容易
で、且つ、レベリング作用をほとんど起こさず、ビア孔
の導体ペースト組成物の中央部が凹む充填不良がないビ
アフィルを行うことができるという効果を奏する。
【００３６】又、本発明の導体ペースト組成物は、金属
有機化合物溶液の非有機成分として、ケイ素を含むもの
であるので、上記チクソ比を効果的に大きくすることが
できる。
有機化合物溶液の非有機成分として、ケイ素を含むもの
であるので、上記チクソ比を効果的に大きくすることが
できる。
【図１】本発明の導体ペ−スト組成物の１例をビアフィ
ルしたビア孔断面の模式図である。
ルしたビア孔断面の模式図である。
【図２】従来例の導体ペ−スト組成物をビアフィルした
ビア孔断面の模式図である。
ビア孔断面の模式図である。
【図３】本発明の導体ペ−スト組成物の粘度と従来例の
導体ペ−スト組成物の粘度とを比較する図である。
導体ペ−スト組成物の粘度とを比較する図である。
１ 導体ペースト組成物 ２ ビア孔 ４ グリーンシート絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 箱谷 靖彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 三浦 和裕 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 岡野 和之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−86602（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−155988（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−155989（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−33808（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 1/09 H05K 1/11 H01B 1/22
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミック配線基板のビア孔を充填する
ために使用する導体ペ−スト組成物において、少なくと
も導体材料粉末とガラス粉末とから成る無機成分７５．
０〜９０．５重量％と、少なくとも有機バインダと溶剤
とから成る有機ビヒクル成分９．０〜２０．０重量％
と、前記導体材料粉末、ガラス粉末、有機ビヒクルに作
用してチクソ比が大きくなる金属有機化合物溶液０．５
〜５．０重量％とを有することを特徴とする導体ペ−ス
ト組成物。 - 【請求項２】 金属有機化合物溶液の非有機成分とし
て、ケイ素を含むことを特徴とする請求項１に記載の導
体ペ−スト組成物。
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| DE69430935T DE69430935T2 (de) | 1993-05-10 | 1994-05-10 | Thixotrope Leiterpaste |
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| CN102484079B (zh) * | 2009-06-01 | 2015-09-23 | 住友化学株式会社 | 电子器件的封装工艺及结构 |
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-
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