JPH0520920A - 導電性ペーストおよびこれを用いた実装基板 - Google Patents

導電性ペーストおよびこれを用いた実装基板

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JPH0520920A
JPH0520920A JP3148478A JP14847891A JPH0520920A JP H0520920 A JPH0520920 A JP H0520920A JP 3148478 A JP3148478 A JP 3148478A JP 14847891 A JP14847891 A JP 14847891A JP H0520920 A JPH0520920 A JP H0520920A
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JP
Japan
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conductive paste
conductive
chip
conductive filler
board
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Pending
Application number
JP3148478A
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English (en)
Inventor
Akihito Hatakeyama
秋仁 畠山
Hirotoshi Watanabe
寛敏 渡辺
Yasuhiko Horio
泰彦 掘尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives

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  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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  • Wire Bonding (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 電子部品の電極パッドと基板上の電極群との
接続に際して熱ストレスによる応力を緩和することが可
能な導電性ペーストを得、これを用いて信頼性の高い実
装基板を得る。 【構成】 導電性フィラーと一般式 で示されるポリビニルブチラールのバインダ、溶剤から
なる導電性ペースト１および電子部品２の電極パッド３
と基板６上の端子電極群を前記導電性ペーストを介して
接続された実装基板。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣチップに代表され
るチップ状の電子部品を基板上の端子電極に接続するた
めに用いられる導電性ペーストおよびこれを用いた実装
基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子部品の接続端子と基板上の回
路パターン端子との接続には半田がよく利用されていた
が、近年、たとえばＩＣフラットパッケージ等の小型化
と、接続端子間、いわゆるピッチ間隔が次第に狭くな
り、従来の半田付け技術で対処することが困難になって
きた。
【０００３】また、最近では電卓、電子時計あるいは液
晶ディスプレイなどにあっては、裸のＩＣチップを基板
上の電極に直付けして実装面積の効率的利用を図ろうと
する動きがあり、有効かつ微細な電気的接続手段が強く
望まれている。裸のＩＣチップを基板の電極と電気的に
接続する方法としては、ＩＣチップの電極パッド上に形
成した突出接点（Ａｕバンプ）と基板の端子電極群とを
熱硬化タイプの導電性ペーストを用いて接続する方法が
知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の熱
硬化タイプの導電性ペーストではＩＣチップと回路基板
との熱膨張係数が異なるため熱ストレスによる応力によ
って接続部の劣化が生じやすいという問題があった。
【０００５】本発明は上記問題点に鏡みてなされたもの
であり、その目的とするところは、電子部品の電極パッ
ドと基板上の電極群との接続に際して熱ストレスによる
応力を緩和することが可能な導電性ペーストを得ること
およびこれを用いて信頼性の高い実装基板を得ることに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するため、一般式が（化１）で示されるポリビニルブ
チラールをバインダとする応力緩和が可能な導電性接着
剤を実現し、ＩＣチップと回路基板の端子電極との電気
的接続において前記導電性ペーストを用いて熱ストレス
による応力の緩和を実現しようとするものである。
【０００７】
【作用】本発明の上記した方法によれば、一般式が（化
１）で示されるポリビニルブチラールをバインダとする
導電性ペーストを用いることにより冷熱衝撃試験などで
生じる熱ストレスによる応力を緩和することができ、信
頼性の高い電気的接続を図れる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例の導電性ペーストと
これを用いた実装基板について図面に基づき詳細に説明
する。
【０００９】（図１）は本発明の導電性ペーストを用い
た実装基板の構造断面図である。（図１）において１は
導電性ペースト、２はＩＣチップ、３はＩＣチップの電
極パッド、４はＡｕバンプ（突出接点）、５はＡｕ厚膜
電極、６はガラス基板である。
【００１０】本発明の実施例では、導電性ペースト１と
して導電性フィラーにＡｇ粉体（粒度0.2〜9μｍ）、Ａ
ｇＰｄ合金粉体（粒度0.1〜15μｍ）、Ａｕ粉体（粒度
0.5〜1.2μｍ）、バインダーに一般式（化１）で示され
るポリビニルブチラール（ユニオン・カーバイド(株)
製、数平均分子量約120,000）、溶剤としてジエチレン
グリコールモノブチルエーテルを用いて作製したものを
使用した。
【００１１】このときの導電フィラーの含有率は固形分
体積に対して50,60,70,75,80,85,90,95vol%とした。溶
剤の量はフィラーの含有率に依存するがビヒクル濃度で
8〜14wt%の範囲で適当な値を選んだ。導電性ペースト１
をＡｕバンプ４を施されたＩＣチップ２に転写し、Ａｕ
バンプ４を導電性ペースト１を介してガラス基板６上の
Ａｕ厚膜電極５に接続し試料を作製した。
【００１２】このとき接着強度を補うためにＩＣチップ
２を封止剤で覆うことも可能である。従来との比較のた
めにバインダーとしてエポキシ樹脂、アクリル樹脂用い
て試料を作製した。以上のようにして作製した実装基板
をー40℃/30分〜+125℃30分の冷熱衝撃試験にかけたとき
のＩＣチップ２とＡｕ厚膜電極５間の抵抗値が初期値に
対して２倍以上になる回数を（表１）に示した。
【００１３】
【表１】
【００１４】本発明における導電性ペーストは従来の熱
硬化性の導電性ペーストと比較して、かなりの寿命延長
が認められる。特にフィラーがＡｕ、その含有率が80〜
90％のものが良好であった。
【００１５】尚、本実施例では導電性フィラーとしてＡ
ｇ、ＡｇＰｄ、Ａｕ粉体について述べたがその限りでは
なく、ＡｇＡｕ混合粉体の使用も可能である。また、他
の実施例としてチップ状の電子部品についてもＩＣチッ
プと同様の効果が得らる。ポリビニルブチラールの分子
量については100,000以下のものにつても実施したが10
0,000〜150,000のものほど良好な結果は得られなかっ
た。
【００１６】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の導電性
ペーストを用いれば熱ストレスによる応力の緩和に優れ
たＩＣチップと基板との接続を行なうことが可能であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す構造断面図
【符号の説明】
１ 導電性ペースト ２ ＩＣチップ ３ ＩＣチップの電極パッド ４ Ａｕバンプ（突出電極） ５ Ａｕ厚膜電極 ６ ガラス基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/32 Ｂ 9154−4Ｅ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 導電性フィラーとバインダーと溶剤から
    なり、前記バインダーが一般式 【化１】 で示されるポリビニルブチラールであることを特徴とす
    る導電性ペースト。
  2. 【請求項２】 導電性フィラーがＡｇ、Ｐｄ、Ａｕの少
    なくとも１種以上からなることを特徴とする請求項１に
    記載の導電性ペースト。
  3. 【請求項３】 導電性フィラーの粒度分布が15μｍ以下
    であることを特徴とする請求項２に記載の導電性ペース
    ト。
  4. 【請求項４】 導電性フィラーの体積含有率が固形分体
    積の80〜90％であることを特徴とする請求項２または３
    のいずれかに記載の導電性ペースト。
  5. 【請求項５】 導電性フィラーがＡｕ、その形状が球
    形、粒度分布が5μｍ以下、体積含有率が固形分体積の8
    0〜90％であることを特徴とする請求項１に記載の導電
    性ペースト。
  6. 【請求項６】 ポリビニルブチラールの数平均分子量が
    100,000〜150,000であることを特徴とする請求項５に記
    載の導電性ペースト。
  7. 【請求項７】 チップ状の電子部品の電極パッド上に形
    成した突出接点と回路基板上の端子電極とを請求項１、
    ２、３、４、５、６のいずれかに記載された導電性ペー
    ストにより接続することを特徴とする実装基板。
  8. 【請求項８】 チップ状の電子部品の電極パッドと回路
    基板上の端子電極とを請求項１、２、３、４、５、６い
    ずれかに記載された導電性ペーストにより接続すること
    を特徴とする実装基板。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5503777A (en) * 1993-05-10 1996-04-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thixotropic conductive paste
JPH09194668A (ja) * 1996-01-16 1997-07-29 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd ハンダ付け可能な面発熱体電極用導電性組成物
JP2013016803A (ja) * 2011-06-30 2013-01-24 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 積層セラミック電子部品の内部電極用導電性ペースト及びこれを含んで製造された積層セラミック電子部品

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