JP3441412B2 - 樹脂封止型半導体装置およびこれを用いた液晶表示モジュール - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびこれを用いた液晶表示モジュールInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置およびこれを用いた液晶表示モジュールに関し、特
に可撓性基板上にＩＣ、チップ部品等を実装してなるい
わゆるＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐ
ｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）およびこれを用いた液
晶表示モジュールに関する。
装置およびこれを用いた液晶表示モジュールに関し、特
に可撓性基板上にＩＣ、チップ部品等を実装してなるい
わゆるＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐ
ｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）およびこれを用いた液
晶表示モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、例えば携帯情報端末などの電子機
器において、小型軽量薄型化が要求されている。これら
の機器の情報出力部として用いられる液晶表示モジュー
ルでも、小型軽量薄型化が要求されるとともに、機器へ
の組み込み易さの要求が高まっている。
器において、小型軽量薄型化が要求されている。これら
の機器の情報出力部として用いられる液晶表示モジュー
ルでも、小型軽量薄型化が要求されるとともに、機器へ
の組み込み易さの要求が高まっている。
【０００３】ポリイミドフィルム等に導体パターンを形
成した可撓性基板に液晶駆動用ＩＣ及びチップ部品等を
搭載し、液晶表示素子と異方性導電膜を介して接続し
た、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒ
ｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）液晶表示モジュールは、
上記要求を満たす液晶モジュールとして期待されてい
る。
成した可撓性基板に液晶駆動用ＩＣ及びチップ部品等を
搭載し、液晶表示素子と異方性導電膜を介して接続し
た、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒ
ｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）液晶表示モジュールは、
上記要求を満たす液晶モジュールとして期待されてい
る。
【０００４】図５は、ＣＯＦ液晶表示モジュールの平面
図を示す。図６は、ＣＯＦ液晶表示モジュールの側面図
を示す。
図を示す。図６は、ＣＯＦ液晶表示モジュールの側面図
を示す。
【０００５】本明細書において「封止樹脂」とは、液晶
駆動用ＩＣと可撓性基板との接続部分を保護するよう
に、液晶駆動用ＩＣと可撓性基板との間に充填される樹
脂を意味する。
駆動用ＩＣと可撓性基板との接続部分を保護するよう
に、液晶駆動用ＩＣと可撓性基板との間に充填される樹
脂を意味する。
【０００６】ＣＯＦ液晶表示モジュール４００は、液晶
表示素子８とＣＯＦ３００とを備える。ＣＯＦ３００
は、液晶駆動用ＩＣ１とチップ部品１０とを搭載した可
撓性基板９とを備える。
表示素子８とＣＯＦ３００とを備える。ＣＯＦ３００
は、液晶駆動用ＩＣ１とチップ部品１０とを搭載した可
撓性基板９とを備える。
【０００７】可撓性基板９は、例えば以下のように作製
される。厚さ２〜３５μｍ程度の銅箔にポリイミドの前
駆体をコーティングし、硬化により厚さ１０〜１００μ
ｍ程度のポリイミドフィルム基板を得るキャスティング
法により基板を作製する。基板を所望の導体パターンに
エッチングする。液晶駆動用ＩＣ１とチップ部品１０と
を搭載する場所及び液晶表示素子８との接続部以外を、
ポリイミド樹脂あるいはエポキシ樹脂でコートする。導
体が露出した導体パターンをＳｎあるいはＮｉ、Ａｕな
どでメッキする。可撓性基板９は、以上のように作製さ
れる。
される。厚さ２〜３５μｍ程度の銅箔にポリイミドの前
駆体をコーティングし、硬化により厚さ１０〜１００μ
ｍ程度のポリイミドフィルム基板を得るキャスティング
法により基板を作製する。基板を所望の導体パターンに
エッチングする。液晶駆動用ＩＣ１とチップ部品１０と
を搭載する場所及び液晶表示素子８との接続部以外を、
ポリイミド樹脂あるいはエポキシ樹脂でコートする。導
体が露出した導体パターンをＳｎあるいはＮｉ、Ａｕな
どでメッキする。可撓性基板９は、以上のように作製さ
れる。
【０００８】導体パターンを形成する方法として銅のス
パッタリング後にパターニングし、メッキにより銅を厚
膜化する、アディティブ法を使用することもできる。
パッタリング後にパターニングし、メッキにより銅を厚
膜化する、アディティブ法を使用することもできる。
【０００９】ＣＯＦ３００は、例えば以下のように作製
される。液晶駆動用ＩＣ１とチップ部品１０とが、可撓
性基板９の導体パターン上に実装される。液晶駆動用Ｉ
Ｃ１が、フリップチップ実装される。
される。液晶駆動用ＩＣ１とチップ部品１０とが、可撓
性基板９の導体パターン上に実装される。液晶駆動用Ｉ
Ｃ１が、フリップチップ実装される。
【００１０】液晶駆動用ＩＣ１は、導体パターンと接続
されるＡｕバンプ（図示せず）を有する。Ａｕバンプと
導体パターンとの接続方法として、例えばＳｎ−Ａｕ合
金接続方法、異方性導電膜による接続方法が用いられ得
る。
されるＡｕバンプ（図示せず）を有する。Ａｕバンプと
導体パターンとの接続方法として、例えばＳｎ−Ａｕ合
金接続方法、異方性導電膜による接続方法が用いられ得
る。
【００１１】Ｓｎ−Ａｕ合金接続方法を用いた場含に
は、液晶駆動用ＩＣ１のＡｕバンプがＳｎメッキされた
導体パターンとが接触するように、液晶駆動用ＩＣ１を
可撓性基板９上に配置し、可撓性基板９の裏面９Ａ側か
ら加熱、加圧することにより、Ａｕバンプと導体パター
ンとを接続する。次に、液晶駆動用ＩＣ１を封止樹脂４
で封止する。
は、液晶駆動用ＩＣ１のＡｕバンプがＳｎメッキされた
導体パターンとが接触するように、液晶駆動用ＩＣ１を
可撓性基板９上に配置し、可撓性基板９の裏面９Ａ側か
ら加熱、加圧することにより、Ａｕバンプと導体パター
ンとを接続する。次に、液晶駆動用ＩＣ１を封止樹脂４
で封止する。
【００１２】異方性導電膜による接続方法を用いた場含
には、可撓性基板９と液晶駆動用ＩＣ１との間に異方性
導電膜を介在させた状態で、可撓性基板９の裏面９Ａ側
から加熱、加圧することにより、 Ａｕバンプと導体パ
ターンとの電気的接続及び異方性導電膜の硬化によるＡ
ｕバンプの固定が同時に行われる。
には、可撓性基板９と液晶駆動用ＩＣ１との間に異方性
導電膜を介在させた状態で、可撓性基板９の裏面９Ａ側
から加熱、加圧することにより、 Ａｕバンプと導体パ
ターンとの電気的接続及び異方性導電膜の硬化によるＡ
ｕバンプの固定が同時に行われる。
【００１３】次に、前述のように作製されたＣＯＦ３０
０を異方性導電膜などを用いて液晶表示素子８と導電接
続し、液晶表示モジュール４００が完成する。
０を異方性導電膜などを用いて液晶表示素子８と導電接
続し、液晶表示モジュール４００が完成する。
【００１４】最近では、液晶表示の高精細化、液晶駆動
用ＩＣ１の小面積化により、液晶駆動用ＩＣ１のセグメ
ント出力端子であるＡｕバンプの狭ピッチ化が進んでい
る。
用ＩＣ１の小面積化により、液晶駆動用ＩＣ１のセグメ
ント出力端子であるＡｕバンプの狭ピッチ化が進んでい
る。
【００１５】また、ＣＯＦ液晶表示モジュール４００の
機器への組み込み易さの点から、液晶駆動用ＩＣ１と可
撓性基板９との破断強度の向上と液晶駆動用ＩＣ１を搭
載したＣＯＦ３００の薄型化が望まれている。
機器への組み込み易さの点から、液晶駆動用ＩＣ１と可
撓性基板９との破断強度の向上と液晶駆動用ＩＣ１を搭
載したＣＯＦ３００の薄型化が望まれている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、狭ピッ
チのＡｕバンプを有する液晶駆動用ＩＣ１をＳｎ−Ａｕ
合金接続により可撓性基板９に実装したＣＯＦ３００を
試作検討した。
チのＡｕバンプを有する液晶駆動用ＩＣ１をＳｎ−Ａｕ
合金接続により可撓性基板９に実装したＣＯＦ３００を
試作検討した。
【００１７】その結果、 Ａｕバンプのピッチが約７０
μｍ以下（Ａｕバンプ間の隙間が約３０μｍ以下）の液
晶駆動用ＩＣ１を用いた場合には、６０℃、湿度９５％
の雰囲気下での耐湿信頼性試験においてＡｕバンプ間の
リークによる液晶表示異常が発生した。
μｍ以下（Ａｕバンプ間の隙間が約３０μｍ以下）の液
晶駆動用ＩＣ１を用いた場合には、６０℃、湿度９５％
の雰囲気下での耐湿信頼性試験においてＡｕバンプ間の
リークによる液晶表示異常が発生した。
【００１８】この液晶表示異常の原因を調査した結果、
Ａｕバンプ間にマイグレーションの発生が確認され
た。このマイグレーションは、元素分析によりＡｕのマ
イグレーションであることが判明した。
Ａｕバンプ間にマイグレーションの発生が確認され
た。このマイグレーションは、元素分析によりＡｕのマ
イグレーションであることが判明した。
【００１９】一般にＡｕのマイグレーションは、ハロゲ
ンと水分とに電界が加わることによって発生すると言わ
れている。
ンと水分とに電界が加わることによって発生すると言わ
れている。
【００２０】本発明の目的は、Ａｕバンプ間でのマイグ
レーションの発生を抑制することができる樹脂封止型半
導体装置およびこれを用いた液晶表示モジュールを提供
することにある。
レーションの発生を抑制することができる樹脂封止型半
導体装置およびこれを用いた液晶表示モジュールを提供
することにある。
【００２１】本発明の他の目的は、液晶駆動用ＩＣと可
撓性基板との十分な接続強度を得ることができる樹脂封
止型半導体装置およびこれを用いた液晶表示モジュール
を提供することにある。
撓性基板との十分な接続強度を得ることができる樹脂封
止型半導体装置およびこれを用いた液晶表示モジュール
を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明に係る樹脂封止型
半導体装置は、基板と、前記基板に形成されたリード
と、前記リードにフリップチップボンディングされた半
導体素子とを含み、前記半導体素子は、前記リードと接
続される複数の端子を含み、前記複数の端子を保護する
ように形成される樹脂をさらに含む樹脂封止型半導体装
置であって、前記樹脂は、好ましくないマイグレーショ
ンが発生しない程度に十分低い弾性率を有し、そのこと
により上記目的が達成される。
半導体装置は、基板と、前記基板に形成されたリード
と、前記リードにフリップチップボンディングされた半
導体素子とを含み、前記半導体素子は、前記リードと接
続される複数の端子を含み、前記複数の端子を保護する
ように形成される樹脂をさらに含む樹脂封止型半導体装
置であって、前記樹脂は、好ましくないマイグレーショ
ンが発生しない程度に十分低い弾性率を有し、そのこと
により上記目的が達成される。
【００２３】前記弾性率が、実質的に１ＧＰａ以下であ
ってもよい。
ってもよい。
【００２４】前記弾性率が、実質的に０．０７ＧＰａ以
上１ＧＰａ以下であってもよい。
上１ＧＰａ以下であってもよい。
【００２５】前記樹脂は、熱硬化性樹脂、エポキシ樹脂
又は変性ポリイミド樹脂を含んでもよい。
又は変性ポリイミド樹脂を含んでもよい。
【００２６】前記樹脂は、エポキシ樹脂を含み、該エポ
キシ樹脂はビスフェノール型エポキシ樹脂を含んでもよ
い。
キシ樹脂はビスフェノール型エポキシ樹脂を含んでもよ
い。
【００２７】前記樹脂は変性ポリイミド樹脂を含み、該
変性ポリイミド樹脂は芳香族テトラカルボン酸と芳香族
ジアミンとを含んでもよい。
変性ポリイミド樹脂は芳香族テトラカルボン酸と芳香族
ジアミンとを含んでもよい。
【００２８】前記端子は、Ａｕバンプを含んでもよい。
【００２９】前記複数の端子のピッチが実質的に７０μ
ｍ以下であってもよい。
ｍ以下であってもよい。
【００３０】前記樹脂は、前記基板と前記前記半導体素
子との十分な接続強度を得ることができる程度に十分高
い弾性率を有してもよい。
子との十分な接続強度を得ることができる程度に十分高
い弾性率を有してもよい。
【００３１】本発明に係る液晶表示モジュールは、基板
と、前記基板に形成されたリードと、前記リードにフリ
ップチップボンディングされた半導体素子とを含み、前
記半導体素子は、前記リードと接続される複数の端子を
含み、前記複数の端子を保護するように形成される樹脂
をさらに含み、前記樹脂は、好ましくないマイグレーシ
ョンが発生しない程度に十分低い弾性率を有する樹脂封
止型半導体装置と、前記基板と接続される液晶表示素子
とを含み、そのことにより上記目的が達成される。
と、前記基板に形成されたリードと、前記リードにフリ
ップチップボンディングされた半導体素子とを含み、前
記半導体素子は、前記リードと接続される複数の端子を
含み、前記複数の端子を保護するように形成される樹脂
をさらに含み、前記樹脂は、好ましくないマイグレーシ
ョンが発生しない程度に十分低い弾性率を有する樹脂封
止型半導体装置と、前記基板と接続される液晶表示素子
とを含み、そのことにより上記目的が達成される。
【００３２】前記液晶表示モジュールは、前記基板と前
記液晶表示素子とを接続する異方性導電膜をさらに含ん
でもよい。
記液晶表示素子とを接続する異方性導電膜をさらに含ん
でもよい。
【００３３】本発明者らがＡｕバンプにハロゲン化合物
を付着させて高温高湿下で再現実験を試みた結果、液晶
駆動用ＩＣ１を封止する封止樹脂４の弾性率を最適化す
ることにより、マイグレーションの発生を抑制でき、か
つ液晶駆動用ＩＣ１と可撓性基板９との十分な接続強度
が得られることを見出し、本発明に至った。
を付着させて高温高湿下で再現実験を試みた結果、液晶
駆動用ＩＣ１を封止する封止樹脂４の弾性率を最適化す
ることにより、マイグレーションの発生を抑制でき、か
つ液晶駆動用ＩＣ１と可撓性基板９との十分な接続強度
が得られることを見出し、本発明に至った。
【００３４】この構成により、半導体素子と可撓性回路
基板の耐熱衝撃性、耐湿性、密着性強度等の電気的接続
信頼性が向上し、かつマイグレーション発生を抑制でき
る。封止樹脂としてはエポキシ樹脂、または変性ポリイ
ミド樹脂を使用する。
基板の耐熱衝撃性、耐湿性、密着性強度等の電気的接続
信頼性が向上し、かつマイグレーション発生を抑制でき
る。封止樹脂としてはエポキシ樹脂、または変性ポリイ
ミド樹脂を使用する。
【００３５】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００３６】図１は、実施の形態に係るＣＯＦ液晶表示
モジュール２００の平面図を示す。図２は、実施の形態
に係るＣＯＦ液晶表示モジュール２００の側面図を示
す。前述したＣＯＦ液晶表示モジュール４００の構成要
素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。
これらの構成要素の詳細な説明は省略する。
モジュール２００の平面図を示す。図２は、実施の形態
に係るＣＯＦ液晶表示モジュール２００の側面図を示
す。前述したＣＯＦ液晶表示モジュール４００の構成要
素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。
これらの構成要素の詳細な説明は省略する。
【００３７】ＣＯＦ液晶表示モジュール２００は、液晶
表示素子８とＣＯＦ１００とを備える。ＣＯＦ１００
は、液晶駆動用ＩＣ１とチップ部品１０とを搭載した可
撓性基板９とを備える。
表示素子８とＣＯＦ１００とを備える。ＣＯＦ１００
は、液晶駆動用ＩＣ１とチップ部品１０とを搭載した可
撓性基板９とを備える。
【００３８】実施の形態に係るＣＯＦ液晶表示モジュー
ル２００が、前述したＣＯＦ液晶表示モジュール４００
と異なる点は、 ＣＯＦ液晶表示モジュール２００で
は、封止樹脂４の代わりに弾性率を最適化した封止樹脂
１２で液晶駆動用ＩＣ１を封止する点である。
ル２００が、前述したＣＯＦ液晶表示モジュール４００
と異なる点は、 ＣＯＦ液晶表示モジュール２００で
は、封止樹脂４の代わりに弾性率を最適化した封止樹脂
１２で液晶駆動用ＩＣ１を封止する点である。
【００３９】図３は、実施の形態に係るＣＯＦ１００主
要断面を示す。封止樹脂１２は、液晶駆動用ＩＣ１を封
止する。
要断面を示す。封止樹脂１２は、液晶駆動用ＩＣ１を封
止する。
【００４０】液晶駆動用ＩＣ１は、下面１Ａに所定の電
子回路（図示せず）および電極パッド１Ｂが形成され
る。電極パッド１ＢにはＡｕバンプ３が形成される。外
形サイズが約２ｍｍ×２０ｍｍ、バンプ高さＨが約１５
μｍ、最小のバンプピッチＰが約８０μｍのＡｕバンプ
３の例を説明する。
子回路（図示せず）および電極パッド１Ｂが形成され
る。電極パッド１ＢにはＡｕバンプ３が形成される。外
形サイズが約２ｍｍ×２０ｍｍ、バンプ高さＨが約１５
μｍ、最小のバンプピッチＰが約８０μｍのＡｕバンプ
３の例を説明する。
【００４１】可撓性基板９は、厚さ約２０〜３０μｍの
ポリイミドフィルム２と、ポリイミドフィルム２上に形
成されるＣｕから成る導体パターン５と、液晶駆動用Ｉ
Ｃ１を搭載する部分、チップ部品１０を搭載する部分、
及び液晶表示素子８とＣＯＦ１００とを接続する接続端
子部９Ａ以外の部分をコートするポリイミドから成るイ
ンクカバーレイ６と、導体パターン５をメッキするＳｎ
メッキ７とを含む。
ポリイミドフィルム２と、ポリイミドフィルム２上に形
成されるＣｕから成る導体パターン５と、液晶駆動用Ｉ
Ｃ１を搭載する部分、チップ部品１０を搭載する部分、
及び液晶表示素子８とＣＯＦ１００とを接続する接続端
子部９Ａ以外の部分をコートするポリイミドから成るイ
ンクカバーレイ６と、導体パターン５をメッキするＳｎ
メッキ７とを含む。
【００４２】導体パターン５とＡｕバンプ３とが対向す
るように可撓性基板９と液晶駆動用ＩＣ１とは位置合わ
せされる。液晶駆動用ＩＣ１上面方向（矢印Ａ方向）か
ら加熱、加圧し、導体パターン５とＡｕバンプ３とをＳ
ｎ−Ａｕ合金接続させる。加熱温度は、Ｓｎメッキ７と
Ａｕバンプ３とが共晶合金を形成する約２８０℃以上で
ある。
るように可撓性基板９と液晶駆動用ＩＣ１とは位置合わ
せされる。液晶駆動用ＩＣ１上面方向（矢印Ａ方向）か
ら加熱、加圧し、導体パターン５とＡｕバンプ３とをＳ
ｎ−Ａｕ合金接続させる。加熱温度は、Ｓｎメッキ７と
Ａｕバンプ３とが共晶合金を形成する約２８０℃以上で
ある。
【００４３】次に、液晶駆動用ＩＣ１と可撓性基板９と
の隙間に封止樹脂１２を注入し、硬化させて封止を行
う。封止樹脂１２は、好ましくないマイグレーションが
発生しない程度に十分低い弾性率を有する。
の隙間に封止樹脂１２を注入し、硬化させて封止を行
う。封止樹脂１２は、好ましくないマイグレーションが
発生しない程度に十分低い弾性率を有する。
【００４４】次に、ディスペンサーを用いて液晶駆動用
ＩＣ１の周囲に樹脂を塗布し、１００℃で２時間、１５
０℃で１時間の硬化を行う。
ＩＣ１の周囲に樹脂を塗布し、１００℃で２時間、１５
０℃で１時間の硬化を行う。
【００４５】次に、液晶表示素子８の透明電極接続端子
８Ａと可撓性基板９の接続端子部９Ａとを異方性導電膜
を用いて電気的に接続し、液晶表示モジュール２００を
作製する。
８Ａと可撓性基板９の接続端子部９Ａとを異方性導電膜
を用いて電気的に接続し、液晶表示モジュール２００を
作製する。
【００４６】
【実施例】（実施例１）実施例１では、封止樹脂として
ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いる。ビスフェノー
ル型エポキシ樹脂は、弾性率がそれぞれ０．００５ＧＰ
ａ、０．０７ＧＰａ、０．３ＧＰａ、１．０ＧＰａの３
種類のビスフェノール型エポキシ樹脂を用いる。弾性率
は動的粘弾性法により測定する（室温：約２５℃で測
定）。
ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いる。ビスフェノー
ル型エポキシ樹脂は、弾性率がそれぞれ０．００５ＧＰ
ａ、０．０７ＧＰａ、０．３ＧＰａ、１．０ＧＰａの３
種類のビスフェノール型エポキシ樹脂を用いる。弾性率
は動的粘弾性法により測定する（室温：約２５℃で測
定）。
【００４７】弾性率がそれぞれ０．００５ＧＰａ、０．
０７ＧＰａ、０．３ＧＰａ、１．０ＧＰａの３種類のビ
スフェノール型エポキシ樹脂毎に５０台ずつ作製した液
晶表示モジュールを６０℃、湿度９５％に設定された耐
湿信頼性試験槽に入れ、１０００時間経過後にマイグレ
ーションによるＡｕバンプ間のリークによる液晶表示異
常発生率を評価した。
０７ＧＰａ、０．３ＧＰａ、１．０ＧＰａの３種類のビ
スフェノール型エポキシ樹脂毎に５０台ずつ作製した液
晶表示モジュールを６０℃、湿度９５％に設定された耐
湿信頼性試験槽に入れ、１０００時間経過後にマイグレ
ーションによるＡｕバンプ間のリークによる液晶表示異
常発生率を評価した。
【００４８】図４は、実施の形態に係るマイグレーショ
ンによるＡｕバンプ間のリークによる液晶表示異常発生
率を示すグラフである。図４に示すように、実施例１で
封止樹脂１２として用いたビスフェノール型エポキシ樹
脂ではマイグレーションによるＡｕバンプ間のリークに
よる液晶表示異常は発生しない。
ンによるＡｕバンプ間のリークによる液晶表示異常発生
率を示すグラフである。図４に示すように、実施例１で
封止樹脂１２として用いたビスフェノール型エポキシ樹
脂ではマイグレーションによるＡｕバンプ間のリークに
よる液晶表示異常は発生しない。
【００４９】また、液晶駆動用ＩＣ１と可撓性基板９と
の接続強度を評価するために、液晶駆動用ＩＣ１を固定
した状態で可撓性基板９を９０度曲げ、液晶表示素子８
を表示させた状態で液晶駆動用ＩＣ１に荷重を加えて行
き、液晶表示素子８に表示異常が生じる時の荷重値を測
定した。
の接続強度を評価するために、液晶駆動用ＩＣ１を固定
した状態で可撓性基板９を９０度曲げ、液晶表示素子８
を表示させた状態で液晶駆動用ＩＣ１に荷重を加えて行
き、液晶表示素子８に表示異常が生じる時の荷重値を測
定した。
【００５０】本発明者らの検討により、液晶表示素子８
に表示異常が生じる時の荷重値が５００ｇｆ以上であれ
ば、ＣＯＦ液晶表示モジュールの機器への組み込み工程
で問題が発生しないという結果が得られている。
に表示異常が生じる時の荷重値が５００ｇｆ以上であれ
ば、ＣＯＦ液晶表示モジュールの機器への組み込み工程
で問題が発生しないという結果が得られている。
【００５１】１０台のＣＯＦ液晶表示モジュール２００
を測定して得られた結果の平均値を表１に示す。表１
は、各弾性率における液晶表示素子に表示異常が生じる
時の荷重値を示す。
を測定して得られた結果の平均値を表１に示す。表１
は、各弾性率における液晶表示素子に表示異常が生じる
時の荷重値を示す。
【００５２】
【表1】
【００５３】表１に示すように、弾性率が０．０７ＧＰ
ａ以上１．０ＧＰａ以下のエポキシ樹脂を用いたＣＯＦ
液晶表示モジュール２００では、５００ｇｆ以上の荷重
値が得られる。弾性率が高い方が強度的に望ましい荷重
値が得られる。
ａ以上１．０ＧＰａ以下のエポキシ樹脂を用いたＣＯＦ
液晶表示モジュール２００では、５００ｇｆ以上の荷重
値が得られる。弾性率が高い方が強度的に望ましい荷重
値が得られる。
【００５４】また従来、我々が使用してきたより高弾性
率を有する封止樹脂と比べ、実施例１のエポキシ樹脂で
は硬化時間が短くなり、生産性が向上する。
率を有する封止樹脂と比べ、実施例１のエポキシ樹脂で
は硬化時間が短くなり、生産性が向上する。
【００５５】（実施例２）実施例２では、封止樹脂とし
て、芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミンを含む変
性ポリイミドを用いる。弾性率がそれぞれ０．４５ＧＰ
ａと０．６５ＧＰａとの２種類の変性ポリイミドを用い
る。弾性率は実施例１と同様に動的粘弾性法により測定
する（室温：約２５℃で測定）。
て、芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミンを含む変
性ポリイミドを用いる。弾性率がそれぞれ０．４５ＧＰ
ａと０．６５ＧＰａとの２種類の変性ポリイミドを用い
る。弾性率は実施例１と同様に動的粘弾性法により測定
する（室温：約２５℃で測定）。
【００５６】弾性率がそれぞれ０．４５ＧＰａと０．６
５ＧＰａとの２種類の変性ポリイミド毎に５０台づつＣ
ＯＦ液晶表示モジュール２００を実施例１と同様に作製
する。なお、封止樹脂の硬化は９０℃で２時間、１５０
℃で２時間行う。
５ＧＰａとの２種類の変性ポリイミド毎に５０台づつＣ
ＯＦ液晶表示モジュール２００を実施例１と同様に作製
する。なお、封止樹脂の硬化は９０℃で２時間、１５０
℃で２時間行う。
【００５７】これらのＣＯＦ液晶表示モジュールに対
し、実施例１と同様の耐湿信頼性試験を行う。得られた
結果を図４に示す。図４に示すように、実施例２で封止
樹脂１２として用いた変性ポリイミドでは、マイグレー
ションによるＡｕバンプ間のリークによる液晶表示異常
は発生しない。
し、実施例１と同様の耐湿信頼性試験を行う。得られた
結果を図４に示す。図４に示すように、実施例２で封止
樹脂１２として用いた変性ポリイミドでは、マイグレー
ションによるＡｕバンプ間のリークによる液晶表示異常
は発生しない。
【００５８】表１に実施例１と同様の方法で液晶駆動用
ＩＣ１と可撓性基板９との接続強度を評価した結果を示
す。実施例２で封止樹脂１２として用いた変性ポリイミ
ドでは、５００ｇｆ以上の荷重値が得られる。変性ポリ
イミドでは、弾性率が０．０７ＧＰａ以上１ＧＰａ以下
において、実施例１と同様の効果が得られる。
ＩＣ１と可撓性基板９との接続強度を評価した結果を示
す。実施例２で封止樹脂１２として用いた変性ポリイミ
ドでは、５００ｇｆ以上の荷重値が得られる。変性ポリ
イミドでは、弾性率が０．０７ＧＰａ以上１ＧＰａ以下
において、実施例１と同様の効果が得られる。
【００５９】（従来例１）従来例１では、封止樹脂とし
て弾性率が２．５ＧＰａ、３．ｌＧＰａと実施例１およ
び２の封止樹脂の弾性率よりも高い弾性率を有する２種
類のエポキシ樹脂を用いる。
て弾性率が２．５ＧＰａ、３．ｌＧＰａと実施例１およ
び２の封止樹脂の弾性率よりも高い弾性率を有する２種
類のエポキシ樹脂を用いる。
【００６０】実施例１と同様に、各５０台づつＣＯＦ液
晶表示モジュールを作製する。なお、封止樹脂の硬化は
１２０℃で２時間、１５０℃で２時間行う。これらＣＯ
Ｆ液晶表示モジュールに対し、実施例１と同様の耐湿信
頼性試験を行う。
晶表示モジュールを作製する。なお、封止樹脂の硬化は
１２０℃で２時間、１５０℃で２時間行う。これらＣＯ
Ｆ液晶表示モジュールに対し、実施例１と同様の耐湿信
頼性試験を行う。
【００６１】得られた結果を図４に示す。図４に示すよ
うに、実施例１および２の封止樹脂の弾性率よりも高い
弾性率を有する従来例１の封止樹脂では、マイグレーシ
ョンによるＡｕバンプ間のリークによる液晶表示異常が
発生する。
うに、実施例１および２の封止樹脂の弾性率よりも高い
弾性率を有する従来例１の封止樹脂では、マイグレーシ
ョンによるＡｕバンプ間のリークによる液晶表示異常が
発生する。
【００６２】（従来例２）従来例２では、封止樹脂とし
て弾性率が０．０００６ＧＰａと実施例１および２の封
止樹脂の弾性率よりも低い弾性率を有するシリコン樹脂
を用いる。
て弾性率が０．０００６ＧＰａと実施例１および２の封
止樹脂の弾性率よりも低い弾性率を有するシリコン樹脂
を用いる。
【００６３】実施例１と同様に、５０台のＣＯＦ液晶表
示モジュール作製する。なお、封止樹脂の硬化は１５０
℃で４時間行う。これらＣＯＦ液晶表示モジュールに対
し、実施例１と同様の耐湿信頼性試験を行う。
示モジュール作製する。なお、封止樹脂の硬化は１５０
℃で４時間行う。これらＣＯＦ液晶表示モジュールに対
し、実施例１と同様の耐湿信頼性試験を行う。
【００６４】得られた結果を図４に示す。図４に示すよ
うに、従来例２の封止樹脂では、マイグレーションによ
るＡｕバンプ間のリークによる液晶表示異常は発生しな
い。
うに、従来例２の封止樹脂では、マイグレーションによ
るＡｕバンプ間のリークによる液晶表示異常は発生しな
い。
【００６５】表１に実施例１と同様の方法で液晶駆動用
ＩＣ１と可撓性基板９との接続強度を評価した結果を示
す。比較例２の樹脂では、５００ｇｆ以上の荷重値が得
られない。
ＩＣ１と可撓性基板９との接続強度を評価した結果を示
す。比較例２の樹脂では、５００ｇｆ以上の荷重値が得
られない。
【００６６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、Ａｕバン
プ間でのマイグレーションの発生を抑制することができ
る樹脂封止型半導体装置およびこれを用いた液晶表示モ
ジュールを提供することができる。
プ間でのマイグレーションの発生を抑制することができ
る樹脂封止型半導体装置およびこれを用いた液晶表示モ
ジュールを提供することができる。
【００６７】また本発明によれば、液晶駆動用ＩＣと可
撓性基板との十分な接続強度を得ることができる樹脂封
止型半導体装置およびこれを用いた液晶表示モジュール
を提供することができる。
撓性基板との十分な接続強度を得ることができる樹脂封
止型半導体装置およびこれを用いた液晶表示モジュール
を提供することができる。
【００６８】本発明に係る樹脂封止型半導体装置では、
半導体素子を保護する封止樹脂として、弾性率が０．０
７ＧＰａ以上１ＧＰａ以下であるエポキシ樹脂またば変
性ポリイミド樹脂を用いるので、 Ａｕバンプ間のリー
クの原因となるマイグレーションの発生を抑制すること
ができ、かつ、半導体素子と可撓性基板との十分な接続
強度が得られるという点で、本発明は優れた特有の効果
を奏する。
半導体素子を保護する封止樹脂として、弾性率が０．０
７ＧＰａ以上１ＧＰａ以下であるエポキシ樹脂またば変
性ポリイミド樹脂を用いるので、 Ａｕバンプ間のリー
クの原因となるマイグレーションの発生を抑制すること
ができ、かつ、半導体素子と可撓性基板との十分な接続
強度が得られるという点で、本発明は優れた特有の効果
を奏する。
【図１】実施の形態に係るＣＯＦ液晶表示モジュールの
平面図。
平面図。
【図２】実施の形態に係るＣＯＦ液晶表示モジュールの
側面図。
側面図。
【図３】実施の形態に係るＣＯＦ主要断面。
【図４】実施の形態に係るマイグレーションによる表示
異常発生率を示すグラフ。
異常発生率を示すグラフ。
【図５】ＣＯＦ液晶表示モジュールの平面図。
【図６】ＣＯＦ液晶表示モジュールの側面図。
１ 液晶駆動用ＩＣ
２ ポリイミドフィルム
３ Ａｕバンプ
４ 封止樹脂
５ 導体パターン
６ インクカバーレイ
７ Ｓｎメッキ
８ 液晶表示素子
９ 可撓性基板
１０ チップ部品
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ
Ｈ０５Ｋ 1/18
(56)参考文献 特開 平９−18121（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−172110（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−274378（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−199936（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/29
G02F 1/1345
G09F 9/35
H01L 21/56
H01L 21/60 311
H01L 23/31
H05K 1/18
Claims (10)
- 【請求項１】 リードを有する基板と、 複数の端子を有し、該複数の端子が前記基板のリードに
フリップチップボンディングされた半導体素子と、 前記複数の端子を封止して保護するように前記基板と前
記半導体素子との間に設けられた封止樹脂とを有する樹
脂封止型半導体装置であって、 前記封止樹脂は、前記端子のマイグレーションによる端
子間のリークを防止するために、動的粘弾性法によって
測定された弾性率が１ＧＰａ以下になっていることを特
徴とする 樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 前記弾性率が、０．０７ＧＰａ以上であ
る、請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 前記封止樹脂は、熱硬化性樹脂、エポキ
シ樹脂又は変性ポリイミド樹脂である、請求項１又は２
記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 前記封止樹脂は、ビスフェノール型エポ
キシ樹脂である、請求項３記載の樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項５】 前記封止樹脂は、芳香族テトラカルボン
酸と芳香族ジアミンとを含む変性ポリイミド樹脂であ
る、請求項３記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項６】 前記端子は、Ａｕバンプである、請求項
１記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項７】 前記複数の端子は、７０μｍ以下のピッ
チで設けられている、請求項１記載の樹脂封止型半導体
装置。 - 【請求項８】 請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置
と、該樹脂封止型半導体装置に設けられた半導体素子に
よって駆動されるように該樹脂封止型半導体装置の基板
に接続された液晶表示素子とを有することを特徴とする
液晶表示モジュール。 - 【請求項９】 前記樹脂封止型半導体装置の基板と前記
液晶表示素子とが、異方性導電膜によって接続されてい
る、請求項８記載の液晶表示モジュール。 - 【請求項１０】 前記封止樹脂の接続強度を示す荷重値
が５００ｇｆ以上になるように、前記封止樹脂の弾性率
が０．０７ＧＰａ以上、１ＧＰａ以下になっ ている請求
項８記載の液晶表示モジュール。
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| EP00123049A EP1096565B1 (en) | 1999-10-29 | 2000-10-24 | Sealed-by-resin type semiconductor device and liquid crystal display module including the same |
| DE60037383T DE60037383T2 (de) | 1999-10-29 | 2000-10-24 | Harzversiegelte Halbleitervorrichtung und dieselbe enthaltendes Flüssigkristallanzeigemodul |
| CNB001319833A CN1199253C (zh) | 1999-10-29 | 2000-10-26 | 树脂密封型半导体器件及液晶显示组件 |
| US09/697,599 US6388339B1 (en) | 1999-10-29 | 2000-10-27 | Sealed-by-resin type semiconductor device and liquid crystal display module including the same |
| KR1020000063706A KR20010060214A (ko) | 1999-10-29 | 2000-10-28 | 수지봉입형 반도체장치 및 이를 포함한 액정표시모듈 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31043299A JP3441412B2 (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | 樹脂封止型半導体装置およびこれを用いた液晶表示モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001127216A JP2001127216A (ja) | 2001-05-11 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31043299A Expired - Fee Related JP3441412B2 (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | 樹脂封止型半導体装置およびこれを用いた液晶表示モジュール |
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|---|---|
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| EP (1) | EP1096565B1 (ja) |
| JP (1) | JP3441412B2 (ja) |
| KR (1) | KR20010060214A (ja) |
| CN (1) | CN1199253C (ja) |
| DE (1) | DE60037383T2 (ja) |
| TW (1) | TW495947B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP4880838B2 (ja) * | 2001-09-05 | 2012-02-22 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置の組立て方法及び組立て装置 |
| US6969914B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-11-29 | Micron Technology, Inc. | Electronic device package |
| JP2004327920A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法、フレキシブル基板及び半導体装置 |
| US7646095B2 (en) * | 2003-09-30 | 2010-01-12 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
| KR101075599B1 (ko) * | 2004-06-23 | 2011-10-20 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 |
| JP2006216720A (ja) | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR101119153B1 (ko) | 2005-02-07 | 2012-03-19 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 |
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| JP5014945B2 (ja) * | 2007-10-17 | 2012-08-29 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
| TWI400509B (zh) * | 2008-06-13 | 2013-07-01 | Prime View Int Co Ltd | 可撓性顯示模組及其製作方法 |
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