JP3447569B2 - 異方性導電膜およびそれを用いた電極接続構造 - Google Patents
異方性導電膜およびそれを用いた電極接続構造Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、対向配置される電
極同士を電気的に接続するための異方性導電膜およびそ
れを用いた電極接続構造に関する。
極同士を電気的に接続するための異方性導電膜およびそ
れを用いた電極接続構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】異方性導電膜は、たとえば液晶表示装置
において液晶ドライバと周辺部材とを接続するため、特
に液晶パネルと液晶ドライバＬＳＩ（集積回路）とを接
続するためまたは配線基板と液晶ドライバＬＳＩとを接
続するためなど、高精細な対向電極の接続に用いられ
る。
において液晶ドライバと周辺部材とを接続するため、特
に液晶パネルと液晶ドライバＬＳＩ（集積回路）とを接
続するためまたは配線基板と液晶ドライバＬＳＩとを接
続するためなど、高精細な対向電極の接続に用いられ
る。
【０００３】図４は、従来技術である異方性導電膜２１
を示す断面図である。異方性導電膜２１は、バインダ樹
脂２２に少なくとも導電粒子２３を混合して成るが、た
とえば特開平５−１７４６１８号公報および特開平６−
５９２６８号公報には、バインダ樹脂２２に導電粒子２
３と絶縁粒子２４とを混在して成る異方性導電膜２１が
開示されている。
を示す断面図である。異方性導電膜２１は、バインダ樹
脂２２に少なくとも導電粒子２３を混合して成るが、た
とえば特開平５−１７４６１８号公報および特開平６−
５９２６８号公報には、バインダ樹脂２２に導電粒子２
３と絶縁粒子２４とを混在して成る異方性導電膜２１が
開示されている。
【０００４】特開平５−１７４６１８号公報では、隣接
する電極間での短絡を防止することを目的としている。
導電粒子２３は、アクリル樹脂などの樹脂微粒子から成
るコアの表面に、金、銀、銅、ニッケルおよびアルミニ
ウムなどの金属から成る導電膜をメッキや蒸着などによ
って被覆して構成される。絶縁粒子２４は、導電粒子２
３よりも硬質であり、ガラスや硬質の樹脂などから成る
球状または円柱状のものから成る。また、絶縁粒子２４
の粒子径は導電粒子２３の粒子径よりも小さく、たとえ
ば導電粒子２３の粒子径が５〜１５μｍ程度で、絶縁粒
子２４の粒子径は３〜８μｍ程度である。
する電極間での短絡を防止することを目的としている。
導電粒子２３は、アクリル樹脂などの樹脂微粒子から成
るコアの表面に、金、銀、銅、ニッケルおよびアルミニ
ウムなどの金属から成る導電膜をメッキや蒸着などによ
って被覆して構成される。絶縁粒子２４は、導電粒子２
３よりも硬質であり、ガラスや硬質の樹脂などから成る
球状または円柱状のものから成る。また、絶縁粒子２４
の粒子径は導電粒子２３の粒子径よりも小さく、たとえ
ば導電粒子２３の粒子径が５〜１５μｍ程度で、絶縁粒
子２４の粒子径は３〜８μｍ程度である。
【０００５】特開平６−５９２６８号公報では、１００
μｍ以下の微細な端子ピッチで対向配置された電極間の
電気的接続の信頼性を向上することを目的としている。
バインダ樹脂２２の膜厚は１５〜３０μｍである。導電
粒子２３は、粒子径が３〜８μｍ程度のポリスチレン粒
子の表面に約０．１μｍの厚さのニッケル−金メッキを
施したものである。絶縁粒子２４は、前記ポリスチレン
粒子、フェノール系樹脂またはポリスチレンブタジエン
重合体から成る粒子である。
μｍ以下の微細な端子ピッチで対向配置された電極間の
電気的接続の信頼性を向上することを目的としている。
バインダ樹脂２２の膜厚は１５〜３０μｍである。導電
粒子２３は、粒子径が３〜８μｍ程度のポリスチレン粒
子の表面に約０．１μｍの厚さのニッケル−金メッキを
施したものである。絶縁粒子２４は、前記ポリスチレン
粒子、フェノール系樹脂またはポリスチレンブタジエン
重合体から成る粒子である。
【０００６】また、特開平５−３４７４６４号公報にも
バインダ樹脂２２に導電粒子２３と絶縁粒子２４とを混
合して成る異方性導電膜２１が開示されている。
バインダ樹脂２２に導電粒子２３と絶縁粒子２４とを混
合して成る異方性導電膜２１が開示されている。
【０００７】このような異方性導電膜２１はいずれもセ
パレータ上に形成される。一方電極上に、該電極と異方
性導電膜２１とが当接するようにして異方性導電膜２１
が形成されたセパレータが配置され、セパレータを介し
て熱と圧力とを加え、セパレータを剥離することによっ
て、異方性導電膜２１が一方電極上に転写される。さら
に、該異方性導電膜２１の上に、一方電極と位置合わせ
して他方電極を配置し、圧着することによって、電極同
士が電気的に接続される。
パレータ上に形成される。一方電極上に、該電極と異方
性導電膜２１とが当接するようにして異方性導電膜２１
が形成されたセパレータが配置され、セパレータを介し
て熱と圧力とを加え、セパレータを剥離することによっ
て、異方性導電膜２１が一方電極上に転写される。さら
に、該異方性導電膜２１の上に、一方電極と位置合わせ
して他方電極を配置し、圧着することによって、電極同
士が電気的に接続される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】転写時に加えられる熱
と圧力とによって、異方性導電膜２１の流動性が高くな
って膜厚が薄くなると、バインダ樹脂２２の充填不足に
よって密着力が低下する。また、電極上の導電粒子数が
減少する。したがって、圧着後の電極の接続の信頼性が
低下する。電極の接続の信頼性低下を防止するために、
異方性導電膜２１の転写時には出来る限り低温かつ低圧
で行うことが好ましい。しかし、被着体である電極やそ
の周辺部の材質や表面状態によって、高温かつ高圧でし
か転写できない場合があり、この場合上述した接続信頼
性に問題が生じる。
と圧力とによって、異方性導電膜２１の流動性が高くな
って膜厚が薄くなると、バインダ樹脂２２の充填不足に
よって密着力が低下する。また、電極上の導電粒子数が
減少する。したがって、圧着後の電極の接続の信頼性が
低下する。電極の接続の信頼性低下を防止するために、
異方性導電膜２１の転写時には出来る限り低温かつ低圧
で行うことが好ましい。しかし、被着体である電極やそ
の周辺部の材質や表面状態によって、高温かつ高圧でし
か転写できない場合があり、この場合上述した接続信頼
性に問題が生じる。
【０００９】前述した特開平５−１７４６１８号公報お
よび特開平６−５９２６８号公報では、絶縁粒子２４の
粒子径は導電粒子２３の粒子径よりも小さいかまたは同
等である。したがって、電極やその周辺部の材質や表面
状態によって、高温かつ高圧で転写する場合、異方性導
電膜２１の膜厚が薄くなって接続信頼性が低下する。ま
た、特開平５−３４７４６４号公報の異方性導電膜２１
は、対向配置される電極間に異方性導電膜を配置して電
極同士を圧着接続する際の導電粒子の破壊を防止するこ
とを目的としたものである。
よび特開平６−５９２６８号公報では、絶縁粒子２４の
粒子径は導電粒子２３の粒子径よりも小さいかまたは同
等である。したがって、電極やその周辺部の材質や表面
状態によって、高温かつ高圧で転写する場合、異方性導
電膜２１の膜厚が薄くなって接続信頼性が低下する。ま
た、特開平５−３４７４６４号公報の異方性導電膜２１
は、対向配置される電極間に異方性導電膜を配置して電
極同士を圧着接続する際の導電粒子の破壊を防止するこ
とを目的としたものである。
【００１０】本発明の目的は、異方性導電膜転写時の熱
および圧力の影響による膜厚の低下を低減して圧着に必
要な膜厚を確保し、電極の電気的接続に高い信頼性が得
られる異方性導電膜およびそれを用いた電極接続構造を
提供することである。
および圧力の影響による膜厚の低下を低減して圧着に必
要な膜厚を確保し、電極の電気的接続に高い信頼性が得
られる異方性導電膜およびそれを用いた電極接続構造を
提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、バインダ樹脂
中に、導電粒子と、該導電粒子よりも粒子径が大きくか
つ弾性率の低下温度が該導電粒子の弾性率の低下温度よ
りも低い絶縁粒子とを混在して成ることを特徴とする異
方性導電膜である。
中に、導電粒子と、該導電粒子よりも粒子径が大きくか
つ弾性率の低下温度が該導電粒子の弾性率の低下温度よ
りも低い絶縁粒子とを混在して成ることを特徴とする異
方性導電膜である。
【００１２】本発明に従えば、バインダ樹脂中に、導電
粒子と、該導電粒子よりも粒子径が大きくかつ該導電粒
子よりも弾性率の低下温度が低い絶縁粒子とを混在して
異方性導電膜が構成される。異方性導電膜の膜厚は、転
写時に熱および圧力が加わっても絶縁粒子の粒子径以上
に保持される。したがって、異方性導電膜の膜厚の低下
を防止して、圧着に必要な膜厚が確保できる。
粒子と、該導電粒子よりも粒子径が大きくかつ該導電粒
子よりも弾性率の低下温度が低い絶縁粒子とを混在して
異方性導電膜が構成される。異方性導電膜の膜厚は、転
写時に熱および圧力が加わっても絶縁粒子の粒子径以上
に保持される。したがって、異方性導電膜の膜厚の低下
を防止して、圧着に必要な膜厚が確保できる。
【００１３】また、異方性導電膜を用いた電極の電気的
接続は、一方の電極上に異方性導電膜を転写し、さらに
他方の電極を配置して圧着することによって行われる。
圧着時において、絶縁粒子は、導電粒子による電極の電
気的接続に支障を来すことなく容易に偏平する。さら
に、隣接する電極間にも絶縁粒子は存在し、これによっ
て導電粒子が連通して発生する短絡を防止することがで
きる。
接続は、一方の電極上に異方性導電膜を転写し、さらに
他方の電極を配置して圧着することによって行われる。
圧着時において、絶縁粒子は、導電粒子による電極の電
気的接続に支障を来すことなく容易に偏平する。さら
に、隣接する電極間にも絶縁粒子は存在し、これによっ
て導電粒子が連通して発生する短絡を防止することがで
きる。
【００１４】また本発明は、前記絶縁粒子の粒子径は、
異方性導電膜の膜厚の約０．７〜１倍に選ばれることを
特徴とする。
異方性導電膜の膜厚の約０．７〜１倍に選ばれることを
特徴とする。
【００１５】本発明に従えば、絶縁粒子の粒子径を異方
性導電膜の膜厚の約０．７〜１倍とすることによって、
異方性導電膜の膜厚は、転写時に絶縁粒子の粒子径以上
に確実に保持される。したがって、異方性導電膜の膜厚
の低下を確実に防止することができる。
性導電膜の膜厚の約０．７〜１倍とすることによって、
異方性導電膜の膜厚は、転写時に絶縁粒子の粒子径以上
に確実に保持される。したがって、異方性導電膜の膜厚
の低下を確実に防止することができる。
【００１６】また本発明は、前記絶縁粒子のガラス転移
点は、導電粒子のガラス転移点よりも小さいことを特徴
とする。
点は、導電粒子のガラス転移点よりも小さいことを特徴
とする。
【００１７】本発明に従えば、絶縁粒子のガラス転移点
を導電粒子のガラス転移点よりも小さくすることによっ
て、圧着時に絶縁粒子は、導電粒子による電極の電気的
接続に支障を来すことなく容易に偏平する。
を導電粒子のガラス転移点よりも小さくすることによっ
て、圧着時に絶縁粒子は、導電粒子による電極の電気的
接続に支障を来すことなく容易に偏平する。
【００１８】また本発明は、互いに対向して配置される
一対の電極間に上述のうちのいずれか１つの異方性導電
膜を介在して、一対の前記電極同士が電気的に接続され
ることを特徴とする電極接続構造である。
一対の電極間に上述のうちのいずれか１つの異方性導電
膜を介在して、一対の前記電極同士が電気的に接続され
ることを特徴とする電極接続構造である。
【００１９】本発明に従えば、電気的接続の信頼性の高
い電極の接続構造を提供することができる。
い電極の接続構造を提供することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の一形態で
ある異方性導電膜１を示す断面図である。異方性導電膜
１は、バインダ樹脂２中に、導電粒子３と、絶縁粒子４
とを混在して成る。絶縁粒子４は、導電粒子３よりも粒
子径が大きくかつ導電粒子３よりも弾性率の低下温度が
低いものである。
ある異方性導電膜１を示す断面図である。異方性導電膜
１は、バインダ樹脂２中に、導電粒子３と、絶縁粒子４
とを混在して成る。絶縁粒子４は、導電粒子３よりも粒
子径が大きくかつ導電粒子３よりも弾性率の低下温度が
低いものである。
【００２１】特に、絶縁粒子４の粒子径は、異方性導電
膜１の膜厚の約０．７〜１倍に選ぶことが好ましい。ま
た、弾性率の低下温度は、たとえばガラス転移点Ｔｇで
あり、絶縁粒子４のガラス転移点Ｔｇｉは、導電粒子３
のガラス転移点Ｔｇｃよりも小さいことが好ましい。
膜１の膜厚の約０．７〜１倍に選ぶことが好ましい。ま
た、弾性率の低下温度は、たとえばガラス転移点Ｔｇで
あり、絶縁粒子４のガラス転移点Ｔｇｉは、導電粒子３
のガラス転移点Ｔｇｃよりも小さいことが好ましい。
【００２２】バインダ樹脂としては、たとえばエポキシ
樹脂を用いることができる。また、導電粒子３として
は、プラスチック製粒子にニッケル−金メッキしたもの
を用いることができる。さらに、絶縁粒子４としては、
プラスチック製ビーズを用いることができる。これらの
構成要素は、公知の技術、たとえば特開平５−１７４６
１８号公報、特開平６−５９２６８号公報および特開平
５−３４７４６４号公報に開示された材料で実現しても
構わない。
樹脂を用いることができる。また、導電粒子３として
は、プラスチック製粒子にニッケル−金メッキしたもの
を用いることができる。さらに、絶縁粒子４としては、
プラスチック製ビーズを用いることができる。これらの
構成要素は、公知の技術、たとえば特開平５−１７４６
１８号公報、特開平６−５９２６８号公報および特開平
５−３４７４６４号公報に開示された材料で実現しても
構わない。
【００２３】図２は、異方性導電膜１を用いた電極接続
の方法および構造を示す断面図である。異方性導電膜１
は、セパレータ５の上に形成される。図２（Ａ）に示さ
れるように、たとえば一方電極６の上に、該電極６と異
方性導電膜１とが当接するようにして、異方性導電膜１
が形成されたセパレータ５が配置される。次に、セパレ
ータ５を介して熱と圧力とを加え、セパレータ５を剥離
することによって異方性導電膜１が一方電極６の上に転
写される。さらに図２（Ｂ）に示されるように、該異方
性導電膜１の上に、一方電極６と位置合わせして他方電
極７が配置される。次に、圧着することによって図２
（Ｃ）に示されるように、電極６，７同士が導電粒子を
介して電気的に接続される。
の方法および構造を示す断面図である。異方性導電膜１
は、セパレータ５の上に形成される。図２（Ａ）に示さ
れるように、たとえば一方電極６の上に、該電極６と異
方性導電膜１とが当接するようにして、異方性導電膜１
が形成されたセパレータ５が配置される。次に、セパレ
ータ５を介して熱と圧力とを加え、セパレータ５を剥離
することによって異方性導電膜１が一方電極６の上に転
写される。さらに図２（Ｂ）に示されるように、該異方
性導電膜１の上に、一方電極６と位置合わせして他方電
極７が配置される。次に、圧着することによって図２
（Ｃ）に示されるように、電極６，７同士が導電粒子を
介して電気的に接続される。
【００２４】バインダ樹脂２の中に、導電粒子３と、該
導電粒子３よりも粒子径が大きくかつ該導電粒子３より
も弾性率の低下温度が低い絶縁粒子４とを混在して構成
される異方性導電膜１の膜厚は、転写時に熱および圧力
が加わっても絶縁粒子４の粒子径以上に保持される。し
たがって、異方性導電膜１の膜厚の低下を防止して、圧
着に必要な膜厚を確保することができる。
導電粒子３よりも粒子径が大きくかつ該導電粒子３より
も弾性率の低下温度が低い絶縁粒子４とを混在して構成
される異方性導電膜１の膜厚は、転写時に熱および圧力
が加わっても絶縁粒子４の粒子径以上に保持される。し
たがって、異方性導電膜１の膜厚の低下を防止して、圧
着に必要な膜厚を確保することができる。
【００２５】また、異方性導電膜１を用いた電極６，７
同士の電気的接続は、一方の電極６の上に異方性導電膜
１を転写し、さらに他方の電極７を配置して圧着するこ
とによって行われる。圧着時において、絶縁粒子４は、
導電粒子３による電極６，７の電気的接続に支障を来す
ことなく容易に偏平する。さらに、隣接する電極６の間
および隣接する電極７の間にも絶縁粒子４は存在し、こ
れによって導電粒子３が連通して発生する短絡を防止す
ることができる。したがって、電極６，７同士の接続構
造の信頼性を向上することができる。
同士の電気的接続は、一方の電極６の上に異方性導電膜
１を転写し、さらに他方の電極７を配置して圧着するこ
とによって行われる。圧着時において、絶縁粒子４は、
導電粒子３による電極６，７の電気的接続に支障を来す
ことなく容易に偏平する。さらに、隣接する電極６の間
および隣接する電極７の間にも絶縁粒子４は存在し、こ
れによって導電粒子３が連通して発生する短絡を防止す
ることができる。したがって、電極６，７同士の接続構
造の信頼性を向上することができる。
【００２６】また、絶縁粒子４の粒子径を異方性導電膜
１の膜厚の約０．７〜１倍とすることによって、異方性
導電膜１の膜厚は、転写時に絶縁粒子４の粒子径以上に
確実に保持される。したがって、異方性導電膜１の膜厚
の低下を確実に防止することができる。
１の膜厚の約０．７〜１倍とすることによって、異方性
導電膜１の膜厚は、転写時に絶縁粒子４の粒子径以上に
確実に保持される。したがって、異方性導電膜１の膜厚
の低下を確実に防止することができる。
【００２７】また、絶縁粒子４のガラス転移点を導電粒
子３のガラス転移点よりも小さくすることによって、圧
着時に絶縁粒子４は、導電粒子３による電極６，７同士
の電気的接続に支障を来すことなく容易に偏平する。し
たがって、電極６，７同士の接続構造の信頼性を向上す
ることができる。
子３のガラス転移点よりも小さくすることによって、圧
着時に絶縁粒子４は、導電粒子３による電極６，７同士
の電気的接続に支障を来すことなく容易に偏平する。し
たがって、電極６，７同士の接続構造の信頼性を向上す
ることができる。
【００２８】また、互いに対向して配置される一対の電
極６，７の間に上述したような異方性導電膜１を介在し
て、一対の前記電極６，７同士を電気的に接続すること
によって、電気的接続の信頼性の高い電極６，７の接続
構造を提供することができる。
極６，７の間に上述したような異方性導電膜１を介在し
て、一対の前記電極６，７同士を電気的に接続すること
によって、電気的接続の信頼性の高い電極６，７の接続
構造を提供することができる。
【００２９】図３は、異方性導電膜１を用いて液晶素子
用の一対の基板部材８，１１がそれぞれ有する電極１
０，１３同士を電気的に接続する方法および構造を示す
断面図である。図３（Ａ）は圧着前の状態を示し、図３
（Ｂ）は圧着後の状態を示す。一方の基板部材８は、液
晶素子用の基板９の上に電極１０を形成して構成され
る。他方の基板部材１１であるキャリアテープ１１は、
たとえば液晶ドライバＬＳＩを備えた可撓性を有する基
板１２の上に電極１３を形成して構成される。
用の一対の基板部材８，１１がそれぞれ有する電極１
０，１３同士を電気的に接続する方法および構造を示す
断面図である。図３（Ａ）は圧着前の状態を示し、図３
（Ｂ）は圧着後の状態を示す。一方の基板部材８は、液
晶素子用の基板９の上に電極１０を形成して構成され
る。他方の基板部材１１であるキャリアテープ１１は、
たとえば液晶ドライバＬＳＩを備えた可撓性を有する基
板１２の上に電極１３を形成して構成される。
【００３０】電極１０，１３の接続の温度条件として
は、異方性導電膜１の転写時が１００℃以下に設定さ
れ、圧着時が１６０℃以上に設定されるのが一般的であ
る。導電粒子３および絶縁粒子４のガラス転移点Ｔｇ
ｃ，Ｔｇｉはともに圧着温度よりも低い温度に選ばれ、
かつ絶縁粒子４のガラス転移点Ｔｇｉは導電粒子３のガ
ラス転移点Ｔｇｃよりも低い温度に選ばれる。たとえ
ば、導電粒子３のガラス転移点Ｔｇｃを１５５℃に選
び、絶縁粒子４のガラス転移点Ｔｇｉを１５０℃に選ん
だ。
は、異方性導電膜１の転写時が１００℃以下に設定さ
れ、圧着時が１６０℃以上に設定されるのが一般的であ
る。導電粒子３および絶縁粒子４のガラス転移点Ｔｇ
ｃ，Ｔｇｉはともに圧着温度よりも低い温度に選ばれ、
かつ絶縁粒子４のガラス転移点Ｔｇｉは導電粒子３のガ
ラス転移点Ｔｇｃよりも低い温度に選ばれる。たとえ
ば、導電粒子３のガラス転移点Ｔｇｃを１５５℃に選
び、絶縁粒子４のガラス転移点Ｔｇｉを１５０℃に選ん
だ。
【００３１】また、一般的に、異方性導電膜１の膜厚は
１５μｍ〜４０μｍの範囲に選ばれ、導電粒子３の粒子
径は３μｍ〜１０μｍの範囲に選ばれ、絶縁粒子４の粒
子径は異方性導電膜１の膜厚の０．７〜１倍に選ばれ
る。たとえば、異方性導電膜１の膜厚を２０μｍに、導
電粒子３の粒子径を５μｍに、絶縁粒子４の粒子径を１
５μｍにそれぞれ選んだ。
１５μｍ〜４０μｍの範囲に選ばれ、導電粒子３の粒子
径は３μｍ〜１０μｍの範囲に選ばれ、絶縁粒子４の粒
子径は異方性導電膜１の膜厚の０．７〜１倍に選ばれ
る。たとえば、異方性導電膜１の膜厚を２０μｍに、導
電粒子３の粒子径を５μｍに、絶縁粒子４の粒子径を１
５μｍにそれぞれ選んだ。
【００３２】図３（Ａ）に示されるように異方性導電膜
１の転写時に１００℃に加熱すると、転写後の異方性導
電膜１の膜厚はバインダ樹脂２の特性にかかわらず絶縁
粒子４の粒子径である１５μｍ以上に保持することがで
きる。したがって、異方性導電膜１の膜厚の低下を防止
して、圧着に必要な膜厚を確保することができる。
１の転写時に１００℃に加熱すると、転写後の異方性導
電膜１の膜厚はバインダ樹脂２の特性にかかわらず絶縁
粒子４の粒子径である１５μｍ以上に保持することがで
きる。したがって、異方性導電膜１の膜厚の低下を防止
して、圧着に必要な膜厚を確保することができる。
【００３３】図３（Ｂ）に示されるように異方性導電膜
１の圧着時に２００℃に加熱すると、充分な厚みを有す
る異方性導電膜１は接続部である電極１０，１３の間お
よび基板９，１２の間に充分に充填される。これによっ
て、高い密着性で一方基板部材８とキャリアテープ１１
とを接続することができる。また、電極１０，１３の間
に充填された絶縁粒子４は容易に変形するので、導電粒
子３を介して電極１０，１３同士を確実に電気的に接続
することができる。さらに、隣接する電極１０の間およ
び電極１３の間に絶縁粒子４が存在するので、導電粒子
３の連通を防止して、短絡の発生を防ぐことができる。
このように、電気的接続の信頼性の高い電極接続構造を
提供することができる。
１の圧着時に２００℃に加熱すると、充分な厚みを有す
る異方性導電膜１は接続部である電極１０，１３の間お
よび基板９，１２の間に充分に充填される。これによっ
て、高い密着性で一方基板部材８とキャリアテープ１１
とを接続することができる。また、電極１０，１３の間
に充填された絶縁粒子４は容易に変形するので、導電粒
子３を介して電極１０，１３同士を確実に電気的に接続
することができる。さらに、隣接する電極１０の間およ
び電極１３の間に絶縁粒子４が存在するので、導電粒子
３の連通を防止して、短絡の発生を防ぐことができる。
このように、電気的接続の信頼性の高い電極接続構造を
提供することができる。
【００３４】本実施形態によれば、異方性導電膜１の実
装工程における転写不良の防止と、電極接続の信頼性の
向上とを両立することができる。従来技術では接続信頼
性の確保のために低温低圧で転写しており、そのために
被着体に異方性導電膜を確実に転写できずに転写不良が
発生し、転写に時間がかかっていたのに対して、本実施
形態の異方性導電膜１によれば、高温高圧での転写が可
能であり、転写不良を防止することができ、短時間で転
写することができる。また、転写用の加熱手段の温度お
よび圧力のバランスが崩れた場合でも、異方性導電膜１
の膜厚が薄くなることによる接続不良の発生を防止する
ことができる。さらに、異方性導電膜１に使用するバイ
ンダ樹脂の特性として、初期の粘着性や１００℃程度に
おける流動性などの制限が不要となり、選択の自由度が
増す。したがって、低温硬化および高速硬化などの特性
を有する異方性導電膜１の実現を図ることができる。
装工程における転写不良の防止と、電極接続の信頼性の
向上とを両立することができる。従来技術では接続信頼
性の確保のために低温低圧で転写しており、そのために
被着体に異方性導電膜を確実に転写できずに転写不良が
発生し、転写に時間がかかっていたのに対して、本実施
形態の異方性導電膜１によれば、高温高圧での転写が可
能であり、転写不良を防止することができ、短時間で転
写することができる。また、転写用の加熱手段の温度お
よび圧力のバランスが崩れた場合でも、異方性導電膜１
の膜厚が薄くなることによる接続不良の発生を防止する
ことができる。さらに、異方性導電膜１に使用するバイ
ンダ樹脂の特性として、初期の粘着性や１００℃程度に
おける流動性などの制限が不要となり、選択の自由度が
増す。したがって、低温硬化および高速硬化などの特性
を有する異方性導電膜１の実現を図ることができる。
【００３５】なお、本発明の異方性導電膜は、図３で説
明した液晶用の基板部材８とキャリアテープ１１との接
続に用いるものに限らず、液晶用基板部材とプリント配
線基板との接続、液晶用基板部材とベアチップとの接
続、ベアチップとプリント配線基板との接続、およびプ
リント配線基板とキャリアテープとの接続などに用いる
ものも本発明の範囲に属するものであり、本実施形態で
説明したのと同様の効果が得られるものである。
明した液晶用の基板部材８とキャリアテープ１１との接
続に用いるものに限らず、液晶用基板部材とプリント配
線基板との接続、液晶用基板部材とベアチップとの接
続、ベアチップとプリント配線基板との接続、およびプ
リント配線基板とキャリアテープとの接続などに用いる
ものも本発明の範囲に属するものであり、本実施形態で
説明したのと同様の効果が得られるものである。
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、バインダ
樹脂中に、導電粒子と、該導電粒子よりも粒子径が大き
くかつ該導電粒子よりも弾性率の低下温度が低い絶縁粒
子とを混在して異方性導電膜を構成したので、転写後に
絶縁粒子の粒子径以上の膜厚を保持でき、圧着に必要な
膜厚を確保することができる。また圧着時に絶縁粒子が
容易に偏平し、導電粒子によって電極が電気的に接続さ
れる。さらに、隣接する電極間に絶縁粒子が存在するの
で、導電粒子が連通することによって発生する短絡を防
止することができる。
樹脂中に、導電粒子と、該導電粒子よりも粒子径が大き
くかつ該導電粒子よりも弾性率の低下温度が低い絶縁粒
子とを混在して異方性導電膜を構成したので、転写後に
絶縁粒子の粒子径以上の膜厚を保持でき、圧着に必要な
膜厚を確保することができる。また圧着時に絶縁粒子が
容易に偏平し、導電粒子によって電極が電気的に接続さ
れる。さらに、隣接する電極間に絶縁粒子が存在するの
で、導電粒子が連通することによって発生する短絡を防
止することができる。
【００３７】また本発明によれば、絶縁粒子の粒子径を
異方性導電膜の膜厚の約０．７〜１倍にしたので、転写
後に絶縁粒子の粒子径以上の膜厚を確実に保持すること
ができ、異方性導電膜の膜厚の低下を確実に防止するこ
とができる。
異方性導電膜の膜厚の約０．７〜１倍にしたので、転写
後に絶縁粒子の粒子径以上の膜厚を確実に保持すること
ができ、異方性導電膜の膜厚の低下を確実に防止するこ
とができる。
【００３８】また本発明によれば、絶縁粒子のガラス転
移点を導電粒子のガラス転移点よりも小さくしたので、
圧着時に絶縁粒子が容易に偏平し、導電粒子によって電
極が確実に電気的に接続され、電極接続構造の信頼性が
向上する。
移点を導電粒子のガラス転移点よりも小さくしたので、
圧着時に絶縁粒子が容易に偏平し、導電粒子によって電
極が確実に電気的に接続され、電極接続構造の信頼性が
向上する。
【００３９】また本発明によれば、電気的接続の信頼性
の高い電極接続構造を提供することができる。
の高い電極接続構造を提供することができる。
【図１】本発明の実施の一形態である異方性導電膜１を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】異方性導電膜１を用いた電極接続の方法および
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図３】異方性導電膜１を用いて液晶素子用の一対の基
板部材８，１１がそれぞれ有する電極１０，１３同士を
電気的に接続する方法および構造を示す断面図である。
板部材８，１１がそれぞれ有する電極１０，１３同士を
電気的に接続する方法および構造を示す断面図である。
【図４】従来技術である異方性導電膜２１を示す断面図
である。
である。
１ 異方性導電膜
２ バインダ樹脂
３ 導電粒子
４ 絶縁粒子
６，７，１０，１３ 電極
８ 基板部材
９，１２ 基板
１１ キャリアテープ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01R 11/01
H05K 3/32
H05K 3/36
Claims (4)
- 【請求項１】 バインダ樹脂中に、導電粒子と、該導電
粒子よりも粒子径が大きくかつ弾性率の低下温度が該導
電粒子の弾性率の低下温度よりも低い絶縁粒子とを混在
して成ることを特徴とする異方性導電膜。 - 【請求項２】 前記絶縁粒子の粒子径は、異方性導電膜
の膜厚の約０．７〜１倍に選ばれることを特徴とする請
求項１記載の異方性導電膜。 - 【請求項３】 前記絶縁粒子のガラス転移点は、導電粒
子のガラス転移点よりも小さいことを特徴とする請求項
１記載の異方性導電膜。 - 【請求項４】 互いに対向して配置される一対の電極間
に請求項１〜３のうちのいずれか１つの異方性導電膜を
介在して、一対の前記電極同士が電気的に接続されるこ
とを特徴とする電極接続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20831198A JP3447569B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 異方性導電膜およびそれを用いた電極接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20831198A JP3447569B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 異方性導電膜およびそれを用いた電極接続構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000040542A JP2000040542A (ja) | 2000-02-08 |
| JP3447569B2 true JP3447569B2 (ja) | 2003-09-16 |
Family
ID=16554166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20831198A Expired - Fee Related JP3447569B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 異方性導電膜およびそれを用いた電極接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3447569B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3427086B2 (ja) * | 2000-02-23 | 2003-07-14 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | Ｉｃソケット |
| KR100637429B1 (ko) | 2003-10-24 | 2006-10-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 |
| JP2018133331A (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接続構造体、異方性導電接続構造体の製造方法、異方性導電フィルム、及び異方性導電ペースト |
-
1998
- 1998-07-23 JP JP20831198A patent/JP3447569B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2000040542A (ja) | 2000-02-08 |
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