JP2000207943A - 異方性導電膜及び異方性導電膜を用いた電気的接続装置 - Google Patents
異方性導電膜及び異方性導電膜を用いた電気的接続装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気的接続を行う場合の接続抵抗値の低減を
行い、電気的接続を確実に行うことができる異方性導電
膜及び異方性導電膜を用いた電気的接続装置を提供する
こと。 【解決手段】 絶縁性接着剤8中に、樹脂40を核材と
した金属被覆粒子を分散させた異方性導電膜において、
前記金属被覆粒子の前記樹脂40には、1000オング
ストローム〜3000オングストロームの厚さを有する
金属層70が被覆されている。
行い、電気的接続を確実に行うことができる異方性導電
膜及び異方性導電膜を用いた電気的接続装置を提供する
こと。 【解決手段】 絶縁性接着剤8中に、樹脂40を核材と
した金属被覆粒子を分散させた異方性導電膜において、
前記金属被覆粒子の前記樹脂40には、1000オング
ストローム〜3000オングストロームの厚さを有する
金属層70が被覆されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、異方性導電膜及び
異方性導電膜を用いた電気的接続装置に関するものであ
る。
異方性導電膜を用いた電気的接続装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】電子部品の小型薄型化に伴い、これらに
用いる回路は高密度化、高精度化しており、このような
電子部品と微細電極との接続は、従来のはんだやゴムコ
ネクタ等では対応が困難であることから、ファインピッ
チ化に対応して優れた異方性でかつ導電性の接着剤や膜
状物(以下、接続部材)が多用されている。この接続部
材は、導電性粒子等の導電材料を所定量含有した接着剤
からなるもので、この接続部材を電子部品の突起電極と
プリント配線板の導電パターンとの間に設け、加圧また
は加圧して加熱することによって、両者の電極同士が電
気的に接続されると共に、電極に隣接して形成されてい
る電極同士には絶縁性を付与して、電子部品の突起電極
とプリント配線板の導電パターンとが接着固定されるも
のである。
用いる回路は高密度化、高精度化しており、このような
電子部品と微細電極との接続は、従来のはんだやゴムコ
ネクタ等では対応が困難であることから、ファインピッ
チ化に対応して優れた異方性でかつ導電性の接着剤や膜
状物(以下、接続部材)が多用されている。この接続部
材は、導電性粒子等の導電材料を所定量含有した接着剤
からなるもので、この接続部材を電子部品の突起電極と
プリント配線板の導電パターンとの間に設け、加圧また
は加圧して加熱することによって、両者の電極同士が電
気的に接続されると共に、電極に隣接して形成されてい
る電極同士には絶縁性を付与して、電子部品の突起電極
とプリント配線板の導電パターンとが接着固定されるも
のである。
【0003】異方性導電膜は、液晶パネルの周辺におけ
る接着フィルムとして主に使用されているが、近年では
マザーボード等の樹脂基板上に直接LSI(大規模集積
回路)チップを搭載するような半導体実装の分野でも使
用されるようになってきている。異方性導電膜は、導通
させたい電極間に導電性粒子をはさみ込むことにより、
電気的接続を得ているが、従来の液晶パネル周辺におけ
る電気的接続では、電極の面積が大きいことから、導通
に寄与する粒子数を多く確保できる為、接続抵抗が問題
になることがほとんどなかった。
る接着フィルムとして主に使用されているが、近年では
マザーボード等の樹脂基板上に直接LSI(大規模集積
回路)チップを搭載するような半導体実装の分野でも使
用されるようになってきている。異方性導電膜は、導通
させたい電極間に導電性粒子をはさみ込むことにより、
電気的接続を得ているが、従来の液晶パネル周辺におけ
る電気的接続では、電極の面積が大きいことから、導通
に寄与する粒子数を多く確保できる為、接続抵抗が問題
になることがほとんどなかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近特に注
目されているフリップチップ実装では、部品の小型化な
どから電極のファインピッチ化と小面積化を図ってお
り、異方性導電膜を使用した接続では、この電極の小面
積化に伴い、はさみ込む粒子数も減少するため、1電極
当りの抵抗値が上昇してしまう傾向がある。従来では、
電極間に数十〜数百個の粒子が確保できたのに対し、最
近の実装形態では、数個になるレベルにまでなってきて
いる。
目されているフリップチップ実装では、部品の小型化な
どから電極のファインピッチ化と小面積化を図ってお
り、異方性導電膜を使用した接続では、この電極の小面
積化に伴い、はさみ込む粒子数も減少するため、1電極
当りの抵抗値が上昇してしまう傾向がある。従来では、
電極間に数十〜数百個の粒子が確保できたのに対し、最
近の実装形態では、数個になるレベルにまでなってきて
いる。
【0005】このように、最近の実装形態では、電気的
接続を図るために異方性導電膜の数個の粒子が係わって
いるに過ぎないので、数個の粒子による接続抵抗値の低
減を図り、電気的な接続効率を上げる必要がある。そこ
で本発明は上記課題を解消し、電気的接続を行う場合の
接続抵抗値の低減を行い、電気的接続を確実に行うこと
ができる異方性導電膜及び異方性導電膜を用いた電気的
接続装置を提供することを目的としている。
接続を図るために異方性導電膜の数個の粒子が係わって
いるに過ぎないので、数個の粒子による接続抵抗値の低
減を図り、電気的な接続効率を上げる必要がある。そこ
で本発明は上記課題を解消し、電気的接続を行う場合の
接続抵抗値の低減を行い、電気的接続を確実に行うこと
ができる異方性導電膜及び異方性導電膜を用いた電気的
接続装置を提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、絶縁
性接着剤中に、樹脂を核材とした金属被覆粒子を分散さ
せた異方性導電膜において、前記金属被覆粒子の前記樹
脂は、1000オングストローム〜3000オングスト
ロームの厚さを有する金属層が被覆されていることを特
徴とする異方性導電膜である。樹脂に対して金属層が1
000オングストローム〜3000オングストロームの
厚さで被覆されており、従来に比べて厚くなっているの
で、接続抵抗値の低減を図り電気的な接続をより確実に
行うことができる。金属層が1000オングストローム
より薄いと、接続抵抗値が高くなり、実装部品の動作不
能又は不良の原因となるので好ましくなく、3000オ
ングストロームより厚いと、粒子のコストアップにつな
がり、商品化が難しい。又、樹脂粒子としての機能がな
くなるので好ましくない。
性接着剤中に、樹脂を核材とした金属被覆粒子を分散さ
せた異方性導電膜において、前記金属被覆粒子の前記樹
脂は、1000オングストローム〜3000オングスト
ロームの厚さを有する金属層が被覆されていることを特
徴とする異方性導電膜である。樹脂に対して金属層が1
000オングストローム〜3000オングストロームの
厚さで被覆されており、従来に比べて厚くなっているの
で、接続抵抗値の低減を図り電気的な接続をより確実に
行うことができる。金属層が1000オングストローム
より薄いと、接続抵抗値が高くなり、実装部品の動作不
能又は不良の原因となるので好ましくなく、3000オ
ングストロームより厚いと、粒子のコストアップにつな
がり、商品化が難しい。又、樹脂粒子としての機能がな
くなるので好ましくない。
【0007】請求項2の発明は、請求項1に記載の異方
性導電膜において、前記金属層はAuメッキ膜を有し、
前記Auメッキ膜は400オングストローム〜1000
オングストロームの厚さを有する。Auメッキ膜が40
0オングストロームより薄いと、接続抵抗値が高くな
り、従来のACF中に含まれている粒子と同等になり、
半導体パッケージ分野で使えないレベルのものも出てく
る点で好ましくなく、1000オングストロームより厚
いと、粒子のコストアップになり好ましくない。
性導電膜において、前記金属層はAuメッキ膜を有し、
前記Auメッキ膜は400オングストローム〜1000
オングストロームの厚さを有する。Auメッキ膜が40
0オングストロームより薄いと、接続抵抗値が高くな
り、従来のACF中に含まれている粒子と同等になり、
半導体パッケージ分野で使えないレベルのものも出てく
る点で好ましくなく、1000オングストロームより厚
いと、粒子のコストアップになり好ましくない。
【0008】請求項3の発明は、請求項2に記載の異方
性導電膜において、前記金属層は前記Auメッキ膜とN
i層から成る。
性導電膜において、前記金属層は前記Auメッキ膜とN
i層から成る。
【0009】請求項4の発明は、第1対象物と第2対象
物とを電気的に接続するために、絶縁性接着剤中に樹脂
を核材とした金属被覆粒子を分散させた異方性導電膜を
用いる電気的接続装置において、前記金属被覆粒子の前
記樹脂は、1000オングストローム〜3000オング
ストロームの厚さを有する金属層が被覆されていること
を特徴とする異方性導電膜を用いた電気的接続装置であ
る。これにより、第1対象物と第2対象物とを電気的に
接続する場合に、樹脂には金属層が1000オングスト
ローム〜3000オングストロームの厚さで被覆されて
いるので、接続抵抗値の低減を図り、電気的な接続をよ
り確実に行うことができる。
物とを電気的に接続するために、絶縁性接着剤中に樹脂
を核材とした金属被覆粒子を分散させた異方性導電膜を
用いる電気的接続装置において、前記金属被覆粒子の前
記樹脂は、1000オングストローム〜3000オング
ストロームの厚さを有する金属層が被覆されていること
を特徴とする異方性導電膜を用いた電気的接続装置であ
る。これにより、第1対象物と第2対象物とを電気的に
接続する場合に、樹脂には金属層が1000オングスト
ローム〜3000オングストロームの厚さで被覆されて
いるので、接続抵抗値の低減を図り、電気的な接続をよ
り確実に行うことができる。
【0010】請求項5の発明は、請求項4に記載の異方
性導電膜を用いた電気的接続装置において、前記金属層
はAuメッキ膜を有し、前記Auメッキ膜は400オン
グストローム〜1000オングストロームの厚さを有す
る。
性導電膜を用いた電気的接続装置において、前記金属層
はAuメッキ膜を有し、前記Auメッキ膜は400オン
グストローム〜1000オングストロームの厚さを有す
る。
【0011】請求項6の発明は、請求項5に記載の異方
性導電膜を用いた電気的接続装置において、前記金属層
は前記Auメッキ膜とNi層から成る。
性導電膜を用いた電気的接続装置において、前記金属層
は前記Auメッキ膜とNi層から成る。
【0012】請求項7の発明は、請求項4に記載の異方
性導電膜を用いた電気的接続装置において、前記第1対
象物はプリント配線板であり、前記第2対象物は集積回
路であり、前記プリント配線板と前記集積回路が前記異
方性導電膜により電気的に接続される。
性導電膜を用いた電気的接続装置において、前記第1対
象物はプリント配線板であり、前記第2対象物は集積回
路であり、前記プリント配線板と前記集積回路が前記異
方性導電膜により電気的に接続される。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明
の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨
の記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明
の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨
の記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。
【0014】図1は、本発明の異方性導電膜が電気的接
続装置として用いられている好ましい実施の形態を示し
ており、異方性導電膜100により電気的に接続されて
いる電子装置150の一例を示している。この電子装置
150は、プリント配線板4と、電子部品の一例として
IC(集積回路)2を備えている。プリント配線板4の
一方の面4Aには、所定のパターンの形状で配線パター
ン5が形成されている。この配線パターン5は、たとえ
ばアルミニウムや銅で作られた電気配線パターンであ
る。
続装置として用いられている好ましい実施の形態を示し
ており、異方性導電膜100により電気的に接続されて
いる電子装置150の一例を示している。この電子装置
150は、プリント配線板4と、電子部品の一例として
IC(集積回路)2を備えている。プリント配線板4の
一方の面4Aには、所定のパターンの形状で配線パター
ン5が形成されている。この配線パターン5は、たとえ
ばアルミニウムや銅で作られた電気配線パターンであ
る。
【0015】IC2は、たとえば一方の面2Aに複数の
突起電極3が設けられている。これらの突起電極3はバ
ンプとも呼ばれており、突起電極3はたとえばプリント
配線板4の配線パターン5に対応して突出して配置され
ている。プリント配線板4は、第1対象物に相当し、プ
リント配線板4の配線パターン5は、回路基板の配線パ
ターンに相当する。一方、IC2は、第2対象物に相当
する電子部品である。電気的接続装置100は、プリン
ト配線板4の配線パターン5とIC2の突起電極3を電
気的に接続しかつプリント配線板4とIC2を機械的に
確実に接着する機能を有している。
突起電極3が設けられている。これらの突起電極3はバ
ンプとも呼ばれており、突起電極3はたとえばプリント
配線板4の配線パターン5に対応して突出して配置され
ている。プリント配線板4は、第1対象物に相当し、プ
リント配線板4の配線パターン5は、回路基板の配線パ
ターンに相当する。一方、IC2は、第2対象物に相当
する電子部品である。電気的接続装置100は、プリン
ト配線板4の配線パターン5とIC2の突起電極3を電
気的に接続しかつプリント配線板4とIC2を機械的に
確実に接着する機能を有している。
【0016】次に、電気的接続装置として用いられる異
方性導電膜100について説明する。異方性導電膜10
0は、図1に示すように、導電粒子を含有するフィルム
状の接着層6とを有している。導電粒子を含有するフィ
ルム状の接着層6は、プリント配線板4の一方の面4A
に配置されるフィルム状のものであり、導電粒子を含有
するフィルム状の接着層6は配線パターン5を覆うよう
に一方の面4Aに貼り付けられる。導電粒子を含有する
フィルム状の接着層6は、導電粒子7とバインダ8を備
えている。導電粒子7は、金属被覆粒子であり、バイン
ダ8の中に多数もしくは複数含まれている。バインダ8
は導電粒子7をサポートする絶縁性接着剤の機能を有す
る。導電粒子7は、たとえばプラスチック樹脂粒子40
の外周面に、Niをメッキし、その上にAuをメッキし
た球状の粒子である。
方性導電膜100について説明する。異方性導電膜10
0は、図1に示すように、導電粒子を含有するフィルム
状の接着層6とを有している。導電粒子を含有するフィ
ルム状の接着層6は、プリント配線板4の一方の面4A
に配置されるフィルム状のものであり、導電粒子を含有
するフィルム状の接着層6は配線パターン5を覆うよう
に一方の面4Aに貼り付けられる。導電粒子を含有する
フィルム状の接着層6は、導電粒子7とバインダ8を備
えている。導電粒子7は、金属被覆粒子であり、バイン
ダ8の中に多数もしくは複数含まれている。バインダ8
は導電粒子7をサポートする絶縁性接着剤の機能を有す
る。導電粒子7は、たとえばプラスチック樹脂粒子40
の外周面に、Niをメッキし、その上にAuをメッキし
た球状の粒子である。
【0017】バインダ8は、複数もしくは多数の導電粒
子7を含有し、しかも移動しないように保持するための
ものである。バインダ8は、電気的絶縁性を有する、た
とえば熱硬化型のエポキシ樹脂により作られている。こ
のバインダ8の厚みDは、導電粒子7の直径dよりもや
や大きいかあるいは同じに設定するのが望ましい。これ
により、導電粒子7は電気的絶縁層であるバインダ8か
ら突出することなく完全に含有されて保持されている。
導電粒子7は、図1に示すようにバインダ8の中に好ま
しくは均一に整列されている。IC2がプリント配線板
4の一方の面4A側に、電気的接続装置100を介して
押し付けられた時に、導電粒子を含有するフィルム状の
接着層6の導電粒子7が配線パターン5と突起電極3を
電気的に接続する。
子7を含有し、しかも移動しないように保持するための
ものである。バインダ8は、電気的絶縁性を有する、た
とえば熱硬化型のエポキシ樹脂により作られている。こ
のバインダ8の厚みDは、導電粒子7の直径dよりもや
や大きいかあるいは同じに設定するのが望ましい。これ
により、導電粒子7は電気的絶縁層であるバインダ8か
ら突出することなく完全に含有されて保持されている。
導電粒子7は、図1に示すようにバインダ8の中に好ま
しくは均一に整列されている。IC2がプリント配線板
4の一方の面4A側に、電気的接続装置100を介して
押し付けられた時に、導電粒子を含有するフィルム状の
接着層6の導電粒子7が配線パターン5と突起電極3を
電気的に接続する。
【0018】図2は、上述した導電粒子7の構造例を詳
しく示している。導電粒子7は、上述したようにプラス
チック樹脂粒子40が核材として用いられており、この
プラスチック樹脂粒子40の外周囲には、Ni金属層5
0及びAuメッキ層60が積層されている。従ってプラ
スチック樹脂粒子40の全周囲面は、Ni金属層50と
Auメッキ層60からなる金属層70により被覆されて
いる。異方性導電膜に使用される導電粒子としては、上
述したように主に金属(Ni)粒子と、樹脂メッキ粒子
(樹脂を核材としてその表面にNi−Auをコートした
もの)があるが、最近では、図2に示すような樹脂メッ
キ粒子が多く使用されている。この理由としては、粒子
径(粒度分布がシャープになる)が均一であり、接続信
頼性が良いためである。樹脂メッキ粒子である導電粒子
7の直径dは、たとえば3μm〜5μmである。
しく示している。導電粒子7は、上述したようにプラス
チック樹脂粒子40が核材として用いられており、この
プラスチック樹脂粒子40の外周囲には、Ni金属層5
0及びAuメッキ層60が積層されている。従ってプラ
スチック樹脂粒子40の全周囲面は、Ni金属層50と
Auメッキ層60からなる金属層70により被覆されて
いる。異方性導電膜に使用される導電粒子としては、上
述したように主に金属(Ni)粒子と、樹脂メッキ粒子
(樹脂を核材としてその表面にNi−Auをコートした
もの)があるが、最近では、図2に示すような樹脂メッ
キ粒子が多く使用されている。この理由としては、粒子
径(粒度分布がシャープになる)が均一であり、接続信
頼性が良いためである。樹脂メッキ粒子である導電粒子
7の直径dは、たとえば3μm〜5μmである。
【0019】図1に示すようなプリント配線板4の配線
パターン5とIC2の突起電極3の電極間にはさみ込め
る導電粒子の数の上限は、上述した配線パターン5及び
突起電極3の面積でほぼ決まってしまうために、電気的
な接続抵抗を減少させるためには、導電粒子の電気特性
を向上させることが最適であると考えられる。その形態
としては、金属層(金属コート層)70の厚みを大きく
設定することが最良である。
パターン5とIC2の突起電極3の電極間にはさみ込め
る導電粒子の数の上限は、上述した配線パターン5及び
突起電極3の面積でほぼ決まってしまうために、電気的
な接続抵抗を減少させるためには、導電粒子の電気特性
を向上させることが最適であると考えられる。その形態
としては、金属層(金属コート層)70の厚みを大きく
設定することが最良である。
【0020】そこで、図2に示すような導電粒子7の形
態において、金属層70の厚みを変えた導電粒子を幾つ
か作成して、それらの電気特性の比較評価を行った。実施例 〔評価項目1〕初期接続抵抗値の測定 評価基材:ICのサイズ:9.6mm×9.6mm(ス
タットバンプ φ60μm、h=20μm、256pi
n)評価基材のICのスタットバンプの直径が60μm
で、高さhが20μmで、256ピンのものである。 基板:ビルドアップ基板(パターン Ca/Auメッ
キ) 測定方法:デイジーチェーンによる抵抗測定 このデイジーチェーンとは、1つの実装サンプル中の1
周分の抵抗を測定する 抵抗値=接続抵抗r×(256pin)+基板配線抵抗
+IC配線抵抗をいう。 〔評価項目2〕導通信頼性測定 評価項目1で測定に使用したサンプルを、環境試験槽に
投入して連続的に初期接続抵抗値を測定する。 環境条件:85℃−85% 上記条件で1000時間後に測定した抵抗値が50Ω未
満を○、50Ω以上100Ω未満を△、100Ω以上又
は、導通しないものを×と評価した。(測定サンプル数
はN=3)
態において、金属層70の厚みを変えた導電粒子を幾つ
か作成して、それらの電気特性の比較評価を行った。実施例 〔評価項目1〕初期接続抵抗値の測定 評価基材:ICのサイズ:9.6mm×9.6mm(ス
タットバンプ φ60μm、h=20μm、256pi
n)評価基材のICのスタットバンプの直径が60μm
で、高さhが20μmで、256ピンのものである。 基板:ビルドアップ基板(パターン Ca/Auメッ
キ) 測定方法:デイジーチェーンによる抵抗測定 このデイジーチェーンとは、1つの実装サンプル中の1
周分の抵抗を測定する 抵抗値=接続抵抗r×(256pin)+基板配線抵抗
+IC配線抵抗をいう。 〔評価項目2〕導通信頼性測定 評価項目1で測定に使用したサンプルを、環境試験槽に
投入して連続的に初期接続抵抗値を測定する。 環境条件:85℃−85% 上記条件で1000時間後に測定した抵抗値が50Ω未
満を○、50Ω以上100Ω未満を△、100Ω以上又
は、導通しないものを×と評価した。(測定サンプル数
はN=3)
【0021】〔この実験に使用した材料〕 1.異方性導電接着剤組成 ビスフェノールA型エポキシ 50部 潜在性硬化剤 50部 シランカップリング剤 0.5部 2.導電粒子
【表1】 〔サンプル作成条件〕 実装条件 温度:160℃ 時間:20sec 圧力:5kgf(尚、導電粒子Aの場合のみ6kgf)
【表2】
【0022】表1における導電粒子Aは、その核材とし
てNi金属粉を用いており、導電粒子AはNiの球であ
ってその粒径は5μm以下である。従ってNi層の厚み
とAu層の厚みのところには該当値はない。導電粒子
B,C,D,E,F,Gは、プラスチック樹脂粒子(核
材)40として、樹脂を用いている。この樹脂として
は、ポリスチレン系、アクリル系、ベンゾグアナミン系
を採用している。導電粒子B〜Eでは、Ni層の厚みが
600オングストロームに設定されているが、導電粒子
FのNi層の厚みは800オングストロームに設定され
ている。導電粒子GのNi層の厚みは2200オングス
トロームに設定されている。導電粒子B〜GのAu層の
厚みはそれぞれ違った値が設定されている。導電粒子B
〜Gの粒径は5±0.1μmに設定されている。このよ
うな導電粒子のサンプルを作成する条件としては、温度
が160℃であり、その時間は20℃で圧力が5kgf
である。なお、導電粒子Aの場合についてのみ圧力は6
kgfに設定されている。
てNi金属粉を用いており、導電粒子AはNiの球であ
ってその粒径は5μm以下である。従ってNi層の厚み
とAu層の厚みのところには該当値はない。導電粒子
B,C,D,E,F,Gは、プラスチック樹脂粒子(核
材)40として、樹脂を用いている。この樹脂として
は、ポリスチレン系、アクリル系、ベンゾグアナミン系
を採用している。導電粒子B〜Eでは、Ni層の厚みが
600オングストロームに設定されているが、導電粒子
FのNi層の厚みは800オングストロームに設定され
ている。導電粒子GのNi層の厚みは2200オングス
トロームに設定されている。導電粒子B〜GのAu層の
厚みはそれぞれ違った値が設定されている。導電粒子B
〜Gの粒径は5±0.1μmに設定されている。このよ
うな導電粒子のサンプルを作成する条件としては、温度
が160℃であり、その時間は20℃で圧力が5kgf
である。なお、導電粒子Aの場合についてのみ圧力は6
kgfに設定されている。
【0023】表2には、上述した導電粒子A〜Gが、本
発明の実施例と比較用の比較例とに区分けされて示され
ている。導電粒子C,D,E,Fは、本発明の好ましい
実施例であり、これに対して導電粒子A,B,G及び導
電粒子が存在しない場合Rは、実施例との比較を出すた
めの比較例に過ぎない。そしてこの各実施例と各比較例
に関して、上述した評価項目1と評価項目2についての
値及び信頼性判定結果が表2に記載されている。
発明の実施例と比較用の比較例とに区分けされて示され
ている。導電粒子C,D,E,Fは、本発明の好ましい
実施例であり、これに対して導電粒子A,B,G及び導
電粒子が存在しない場合Rは、実施例との比較を出すた
めの比較例に過ぎない。そしてこの各実施例と各比較例
に関して、上述した評価項目1と評価項目2についての
値及び信頼性判定結果が表2に記載されている。
【0024】表2において、初期抵抗値は導電粒子のA
uメッキ層の厚みにより差がある。従来の導電粒子のA
uメッキ層の厚みは200〜300オングストロームで
あるのに対して、本発明の実施例C,D,E,Fでは、
その2倍(400オングストローム)以上の厚みのAu
層の厚みを設定している。これにより、導電粒子C,
D,E,Fのように初期抵抗値は、比較例のA,B,
R,Gの初期抵抗値に比べて低減することができる。N
i粒子である導電粒子Aと、導電粒子のない比較例R
(すなわち電極同士を直接接触させて絶縁性接着剤で接
着させている)は、初期抵抗値が低いが、電気的接続信
頼性に期待が持てない。
uメッキ層の厚みにより差がある。従来の導電粒子のA
uメッキ層の厚みは200〜300オングストロームで
あるのに対して、本発明の実施例C,D,E,Fでは、
その2倍(400オングストローム)以上の厚みのAu
層の厚みを設定している。これにより、導電粒子C,
D,E,Fのように初期抵抗値は、比較例のA,B,
R,Gの初期抵抗値に比べて低減することができる。N
i粒子である導電粒子Aと、導電粒子のない比較例R
(すなわち電極同士を直接接触させて絶縁性接着剤で接
着させている)は、初期抵抗値が低いが、電気的接続信
頼性に期待が持てない。
【0025】そこで、本発明では、図2の金属層70の
厚みとしては、1000オングストローム〜3000オ
ングストロームであるのが望ましい。もし金属層70が
1000オングストロームよりも小さいと、接続抵抗が
高くなるので好ましくない。また、金属層70が300
0オングストロームよりも大きいと、核材であるプラス
チック樹脂粒子40の物性が失われてしまう。すなわ
ち、樹脂の弾性力が失なわれ、信頼性が維持できなくな
る(金属粒子に近い物性、信頼性になる)。Auメッキ
層(Auメッキ膜)60は、400オングストローム〜
1000オングストロームの厚さを有するのが望まし
い。Auメッキ層60の厚みが400オングストローム
よりも小さいと、接続抵抗が高くなるので好ましくな
い。Auメッキ層60の厚みが1000オングストロー
ムよりも大きいと、粒子のコストアップになるので好ま
しくない。
厚みとしては、1000オングストローム〜3000オ
ングストロームであるのが望ましい。もし金属層70が
1000オングストロームよりも小さいと、接続抵抗が
高くなるので好ましくない。また、金属層70が300
0オングストロームよりも大きいと、核材であるプラス
チック樹脂粒子40の物性が失われてしまう。すなわ
ち、樹脂の弾性力が失なわれ、信頼性が維持できなくな
る(金属粒子に近い物性、信頼性になる)。Auメッキ
層(Auメッキ膜)60は、400オングストローム〜
1000オングストロームの厚さを有するのが望まし
い。Auメッキ層60の厚みが400オングストローム
よりも小さいと、接続抵抗が高くなるので好ましくな
い。Auメッキ層60の厚みが1000オングストロー
ムよりも大きいと、粒子のコストアップになるので好ま
しくない。
【0026】以上のようにして、本発明の異方性導電膜
及び異方性導電膜を用いた電気的接続装置では、絶縁性
接着剤中に導電性粒子を分散させて成膜された接着フィ
ルムにおいて、導電粒子が樹脂を核材とした金属被膜を
有し、この被膜の厚みが従来のものよりも厚く設定され
ている。このようにすることで、評価用の基材における
デイジーチェーン測定の初期抵抗値を従来の値よりも3
0〜50%を低減することができた。
及び異方性導電膜を用いた電気的接続装置では、絶縁性
接着剤中に導電性粒子を分散させて成膜された接着フィ
ルムにおいて、導電粒子が樹脂を核材とした金属被膜を
有し、この被膜の厚みが従来のものよりも厚く設定され
ている。このようにすることで、評価用の基材における
デイジーチェーン測定の初期抵抗値を従来の値よりも3
0〜50%を低減することができた。
【0027】ところで本発明は上記実施の形態に限定さ
れるものではない。上述した実施の形態では、電気的接
続装置がプリント配線板4とIC2の間に適用されてい
るが、これに限らず、他の種類のものでも用いることが
できる。
れるものではない。上述した実施の形態では、電気的接
続装置がプリント配線板4とIC2の間に適用されてい
るが、これに限らず、他の種類のものでも用いることが
できる。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電気的接続を行う場合の接続抵抗値の低減を行い、電気
的接続を確実に行うことができる。
電気的接続を行う場合の接続抵抗値の低減を行い、電気
的接続を確実に行うことができる。
【図1】本発明の異方性導電膜の好ましい実施の形態を
備える電子装置の一例を示す図。
備える電子装置の一例を示す図。
【図2】図1に示すフィルム状の接着層に含まれる導電
粒子の構造例を示す図。
粒子の構造例を示す図。
2・・・IC(第2対象物)、3・・・突起電極、4・
・・プリント配線板(第1対象物)、5・・・配線パタ
ーン、6・・・フィルム状の接着層、7・・・導電粒子
(金属被覆粒子)、8・・・バインダ(絶縁性接着
剤)、40・・・プラスチック樹脂粒子(核材)、50
・・・Ni金属層(Ni金属膜)、60・・・Auメッ
キ層(Auメッキ膜)、70・・・金属層(金属被覆
層)、100・・・異方性導電膜(電気的接続装置)
・・プリント配線板(第1対象物)、5・・・配線パタ
ーン、6・・・フィルム状の接着層、7・・・導電粒子
(金属被覆粒子)、8・・・バインダ(絶縁性接着
剤)、40・・・プラスチック樹脂粒子(核材)、50
・・・Ni金属層(Ni金属膜)、60・・・Auメッ
キ層(Auメッキ膜)、70・・・金属層(金属被覆
層)、100・・・異方性導電膜(電気的接続装置)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/32 H05K 3/32 B (72)発明者 本多 位行 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 Fターム(参考) 4J040 DB032 DF042 EB142 EC061 HA066 HD30 JA09 JB10 KA03 KA07 KA16 KA32 LA09 NA20 5E319 AA03 AB05 BB16 CC61 5G301 DA05 DA10 DA29 DA57 DD03 5G307 AA02 AA08
Claims (7)
- 【請求項1】 絶縁性接着剤中に、樹脂を核材とした金
属被覆粒子を分散させた異方性導電膜において、 前記金属被覆粒子の前記樹脂には、1000オングスト
ローム〜3000オングストロームの厚さを有する金属
層が被覆されていることを特徴とする異方性導電膜。 - 【請求項2】 前記金属層はAuメッキ膜を有し、前記
Auメッキ膜は400オングストローム〜1000オン
グストロームの厚さを有する請求項1に記載の異方性導
電膜。 - 【請求項3】 前記金属層は前記Auメッキ膜とNi層
から成る請求項2に記載の異方性導電膜。 - 【請求項4】 第1対象物と第2対象物とを電気的に接
続するために、絶縁性接着剤中に樹脂を核材とした金属
被覆粒子を分散させた異方性導電膜を用いる電気的接続
装置において、 前記金属被覆粒子の前記樹脂には、1000オングスト
ローム〜3000オングストロームの厚さを有する金属
層が被覆されていることを特徴とする異方性導電膜を用
いた電気的接続装置。 - 【請求項5】 前記金属層はAuメッキ膜を有し、前記
Auメッキ膜は400オングストローム〜1000オン
グストロームの厚さを有する請求項4に記載の異方性導
電膜を用いた電気的接続装置。 - 【請求項6】 前記金属層は前記Auメッキ膜とNi層
から成る請求項5に記載の異方性導電膜を用いた電気的
接続装置。 - 【請求項7】 前記第1対象物はプリント配線板であ
り、前記第2対象物は集積回路であり、前記プリント配
線板と前記集積回路が前記異方性導電膜により電気的に
接続される請求項4に記載の異方性導電膜を用いた電気
的接続装置。
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JP11004657A JP2000207943A (ja) | 1999-01-11 | 1999-01-11 | 異方性導電膜及び異方性導電膜を用いた電気的接続装置 |
US09/480,259 US6332786B1 (en) | 1999-01-11 | 2000-01-11 | Electrical connection device employing an anisotropic electrically conductive film |
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JP11004657A JP2000207943A (ja) | 1999-01-11 | 1999-01-11 | 異方性導電膜及び異方性導電膜を用いた電気的接続装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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US9475963B2 (en) | 2011-09-15 | 2016-10-25 | Trillion Science, Inc. | Fixed array ACFs with multi-tier partially embedded particle morphology and their manufacturing processes |
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1999
- 1999-01-11 JP JP11004657A patent/JP2000207943A/ja active Pending
-
2000
- 2000-01-11 US US09/480,259 patent/US6332786B1/en not_active Expired - Lifetime
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