JP3400051B2 - 異方性導電膜、その製造方法及びそれを使用するコネクタ - Google Patents
異方性導電膜、その製造方法及びそれを使用するコネクタInfo
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はフィルム状に形成され、
その厚さ方向には導電性領域を有し、横方向には導電性
のない又は極めて低導電性である異方性導電膜、その製
造方法及びそれを使用するコネクタに関する。
その厚さ方向には導電性領域を有し、横方向には導電性
のない又は極めて低導電性である異方性導電膜、その製
造方法及びそれを使用するコネクタに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子を直接回路基板に実装する方
法として、従来ワイヤボンディング方式、TAB方式、
フリップチップ方式等がありいずれも実用化されてい
る。また最近では異方性導電膜や異方性導電ペースト、
導電性接着剤による接合例も多く提案されている。
法として、従来ワイヤボンディング方式、TAB方式、
フリップチップ方式等がありいずれも実用化されてい
る。また最近では異方性導電膜や異方性導電ペースト、
導電性接着剤による接合例も多く提案されている。
【0003】従来、異方性導電膜は熱可塑性あるいは熱
硬化性フィルム内に導電性粒子を分散させたもの、また
絶縁性フィルムに一定間隔で金属バンプ(領域)を形成
したものがある。また、異方性導電ペーストとしても熱
硬化性樹脂の中に微細導電性粒子を分散させたものがあ
る。異方性導電膜や異方性導電ペーストを用いた接合方
法はいずれも、導電性粒子を介して基板回路と半導体電
極を接触により接合させるものである。また金属バンプ
を形成するものは、バンプ金属と電極の金属の合金化に
より金属結合させることで電気的接触をとる。
硬化性フィルム内に導電性粒子を分散させたもの、また
絶縁性フィルムに一定間隔で金属バンプ(領域)を形成
したものがある。また、異方性導電ペーストとしても熱
硬化性樹脂の中に微細導電性粒子を分散させたものがあ
る。異方性導電膜や異方性導電ペーストを用いた接合方
法はいずれも、導電性粒子を介して基板回路と半導体電
極を接触により接合させるものである。また金属バンプ
を形成するものは、バンプ金属と電極の金属の合金化に
より金属結合させることで電気的接触をとる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記の異方性導電膜を
用いた接合方法では、フィルム中にランダムに分散した
金属粒子による接触により導電性が決定されるが、樹脂
膜中に占める粒子含有量が異方性を出すために制約され
た。そのため金属粒子同士の接触点数は少なくなり、異
方性導電膜を用いた場合の接続抵抗は1〜10オーム程度
と大きいことが欠点であった。また接続部は大きな圧力
を加えると共に加熱し、熱硬化・熱可塑性樹脂を用いて
接着硬化をさせる方法により導電接続がされるため加熱
圧着機が必要であった。
用いた接合方法では、フィルム中にランダムに分散した
金属粒子による接触により導電性が決定されるが、樹脂
膜中に占める粒子含有量が異方性を出すために制約され
た。そのため金属粒子同士の接触点数は少なくなり、異
方性導電膜を用いた場合の接続抵抗は1〜10オーム程度
と大きいことが欠点であった。また接続部は大きな圧力
を加えると共に加熱し、熱硬化・熱可塑性樹脂を用いて
接着硬化をさせる方法により導電接続がされるため加熱
圧着機が必要であった。
【0005】さらに一度接着されると、これを剥すため
には再加熱してフィルムを剥離した後、接着箇所を溶剤
でこすり落とす手間がかかり、リペアー性に問題があっ
た。
には再加熱してフィルムを剥離した後、接着箇所を溶剤
でこすり落とす手間がかかり、リペアー性に問題があっ
た。
【0006】また絶縁性フィルムに一定間隔で金属バン
プを形成する方法は、金属バンプ間に一定間隔の絶縁体
があるため導電接続時に隣の回路とショート(短絡)す
る心配がなく、接点数も多くとれるため接続抵抗を小さ
くすることが可能である。しかしながらこの方法では安
定した導電接続を得るために、バンプの金属と半導体や
基板の電極を合金化接続させるための高温加熱と加圧が
必要であり、そのための装置が必要となると共に、加圧
時に半導体素子の損傷、また回路のみの接続においては
基板そのものの破損などの課題があった。この方法につ
いても一度接続したものはリペアーが困難であった。
プを形成する方法は、金属バンプ間に一定間隔の絶縁体
があるため導電接続時に隣の回路とショート(短絡)す
る心配がなく、接点数も多くとれるため接続抵抗を小さ
くすることが可能である。しかしながらこの方法では安
定した導電接続を得るために、バンプの金属と半導体や
基板の電極を合金化接続させるための高温加熱と加圧が
必要であり、そのための装置が必要となると共に、加圧
時に半導体素子の損傷、また回路のみの接続においては
基板そのものの破損などの課題があった。この方法につ
いても一度接続したものはリペアーが困難であった。
【0007】本発明の目的は半導体素子の実装あるいは
半導体を実装したパッケージを回路基板に導電接続させ
るプリント基板間の微細電極間接合において、容易に接
続させることができ、しかも接続の抵抗値が小さく、接
続不良が生じた場合は接続部材を取り替えるリペアーも
容易に行える新しい接続部材とその製造方法を提供する
ものである。
半導体を実装したパッケージを回路基板に導電接続させ
るプリント基板間の微細電極間接合において、容易に接
続させることができ、しかも接続の抵抗値が小さく、接
続不良が生じた場合は接続部材を取り替えるリペアーも
容易に行える新しい接続部材とその製造方法を提供する
ものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の異方性導電膜
は、両表面間に多数の貫通孔が形成された略一定厚さの
電気絶縁性フィルムと、該電気絶縁性フィルムの前記貫
通孔内に充填されると共に前記電気絶縁性フィルムの前
記両表面より一定寸法だけ突出する多数の導電性エラス
トマーとを具備し、該導電性エラストマーはシリコーン
樹脂及び金属粒子からなる異方性導電膜において、前記
シリコーン樹脂は付加型液状シリコーン樹脂であり、前
記金属粒子が銀粒子であることを特徴とする。
は、両表面間に多数の貫通孔が形成された略一定厚さの
電気絶縁性フィルムと、該電気絶縁性フィルムの前記貫
通孔内に充填されると共に前記電気絶縁性フィルムの前
記両表面より一定寸法だけ突出する多数の導電性エラス
トマーとを具備し、該導電性エラストマーはシリコーン
樹脂及び金属粒子からなる異方性導電膜において、前記
シリコーン樹脂は付加型液状シリコーン樹脂であり、前
記金属粒子が銀粒子であることを特徴とする。
【0009】更に、本発明のコネクタは、両表面間に多
数の貫通孔が形成された略一定厚さの電気絶縁性フィル
ムと、該電気絶縁性フィルムの前記貫通孔内に充填され
ると共に前記電気絶縁性フィルムの前記両表面より一定
寸法だけ突出する多数の導電性エラストマーとを具備
し、該導電性エラストマーはシリコーン樹脂及び金属粒
子からなり、多数の電極を有する半導体素子等と接続パ
ッドが形成された基板との間に介挿押圧して両者間を相
互接続するフィルム状異方性導電膜を使用するコネクタ
において、前記シリコーン樹脂は付加型液状シリコーン
樹脂であり、前記金属粒子が銀粒子であることを特徴と
する。
数の貫通孔が形成された略一定厚さの電気絶縁性フィル
ムと、該電気絶縁性フィルムの前記貫通孔内に充填され
ると共に前記電気絶縁性フィルムの前記両表面より一定
寸法だけ突出する多数の導電性エラストマーとを具備
し、該導電性エラストマーはシリコーン樹脂及び金属粒
子からなり、多数の電極を有する半導体素子等と接続パ
ッドが形成された基板との間に介挿押圧して両者間を相
互接続するフィルム状異方性導電膜を使用するコネクタ
において、前記シリコーン樹脂は付加型液状シリコーン
樹脂であり、前記金属粒子が銀粒子であることを特徴と
する。
【0010】
【0011】本発明は、半導体あるいは半導体を実装し
たパッケージを基板に接続する際、導電接続部材に弾性
と導電性の両方を有するバンプを形成した異方性導電膜
を電極パッド間に挿入し、従来の半田等の場合に使用す
るフラックス無しで低温で接合させ、接合不良時には容
易に取り替えできる取付構造を提供するものである。
たパッケージを基板に接続する際、導電接続部材に弾性
と導電性の両方を有するバンプを形成した異方性導電膜
を電極パッド間に挿入し、従来の半田等の場合に使用す
るフラックス無しで低温で接合させ、接合不良時には容
易に取り替えできる取付構造を提供するものである。
【0012】この異方性導電膜は、電気絶縁性フィルム
に一定間隔あるいはランダムに貫通孔を明け、この貫通
孔に導電性エラストマーを充填し、絶縁性フィルムの両
側表面から導電性エラストマーが突き出た形とする。導
電性エラストマーはシリコーン系樹脂に金属粉を分散さ
せたものを用いる。
に一定間隔あるいはランダムに貫通孔を明け、この貫通
孔に導電性エラストマーを充填し、絶縁性フィルムの両
側表面から導電性エラストマーが突き出た形とする。導
電性エラストマーはシリコーン系樹脂に金属粉を分散さ
せたものを用いる。
【0013】半導体の実装は本発明の異方性導電膜をは
さんだ基板と半導体の電極パッド位置を合わせた後、加
圧力あるいは接着力により導電性エラストマーを介して
電気的接続される。エラストマーを用いているため圧接
させると、先に接触した部分は変形し各パッドに一定荷
重以上の力で接圧を持たせることができ、すべてのパッ
ドで安定した接触抵抗が得られる。また接触で電気的接
続をとっているため、加圧力を解除すると容易に基板か
ら半導体を取り外すことが可能になる。
さんだ基板と半導体の電極パッド位置を合わせた後、加
圧力あるいは接着力により導電性エラストマーを介して
電気的接続される。エラストマーを用いているため圧接
させると、先に接触した部分は変形し各パッドに一定荷
重以上の力で接圧を持たせることができ、すべてのパッ
ドで安定した接触抵抗が得られる。また接触で電気的接
続をとっているため、加圧力を解除すると容易に基板か
ら半導体を取り外すことが可能になる。
【0014】次に、本発明に用いる異方性導電膜の製造
方法について詳しく記す。
方法について詳しく記す。
【0015】フィルムは電気絶縁性のあるものなら有
機、無機いずれでもよい。しかし、好ましくは有機のポ
リイミドフィルムで、両側に銅層が被着されているもの
が好ましい。このフィルムの両側、あるいは片方から、
一定形状(例えば円形)の穴をエッチングにより開け
る。その後、アルカリエッチングにより銅箔をマスクと
してポリイミドフィルムをエッチングし、銅・ポリイミ
ド・銅の3層構造とする。穴の直径は接続するパターン
によって異なり、数十ミクロンから数ミリまで可能であ
る。
機、無機いずれでもよい。しかし、好ましくは有機のポ
リイミドフィルムで、両側に銅層が被着されているもの
が好ましい。このフィルムの両側、あるいは片方から、
一定形状(例えば円形)の穴をエッチングにより開け
る。その後、アルカリエッチングにより銅箔をマスクと
してポリイミドフィルムをエッチングし、銅・ポリイミ
ド・銅の3層構造とする。穴の直径は接続するパターン
によって異なり、数十ミクロンから数ミリまで可能であ
る。
【0016】また穴明けした穴の側面に、電気めっきに
よりスルーホールめっきしたものは、この部分の導電性
樹脂の抵抗を無視でき、最終的なフィルムコネクタにし
た場合良好な接続抵抗を示す。
よりスルーホールめっきしたものは、この部分の導電性
樹脂の抵抗を無視でき、最終的なフィルムコネクタにし
た場合良好な接続抵抗を示す。
【0017】穴明けしたフィルムに導電性シリコーンゴ
ムを充填する。導電性シリコーンゴムは付加型液状シリ
コーン樹脂に、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、あ
るいはこれらの合金、これらを有機、無機物質にめっき
したもの、あるいは金属粒子に貴金属めっきしたものを
添加したものが対象になる。これらの粉末は電解、還
元、粉砕、アトマイズなどいずれの方法から製作されも
のでもよいが、フィルムの穴径に対して十分小さい粒径
の粉末が好ましい。
ムを充填する。導電性シリコーンゴムは付加型液状シリ
コーン樹脂に、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、あ
るいはこれらの合金、これらを有機、無機物質にめっき
したもの、あるいは金属粒子に貴金属めっきしたものを
添加したものが対象になる。これらの粉末は電解、還
元、粉砕、アトマイズなどいずれの方法から製作されも
のでもよいが、フィルムの穴径に対して十分小さい粒径
の粉末が好ましい。
【0018】またエラストマー的性質で導電性を示すも
のは、シリコーン系樹脂に導電性粒子を分散させたもの
以外にもあらゆるものが使用可能である。
のは、シリコーン系樹脂に導電性粒子を分散させたもの
以外にもあらゆるものが使用可能である。
【0019】フィルム穴に導電性樹脂を充填する方法と
して、印刷法、ドクターブレード法等により樹脂を充填
する方法が好ましい。フィルムの穴以外の部分に付着し
た樹脂を取り除き、充填された樹脂のみを加熱硬化し、
フィルムの穴に導電性エラストマーを形成する。
して、印刷法、ドクターブレード法等により樹脂を充填
する方法が好ましい。フィルムの穴以外の部分に付着し
た樹脂を取り除き、充填された樹脂のみを加熱硬化し、
フィルムの穴に導電性エラストマーを形成する。
【0020】フィルムの両面にある銅はエッチングによ
り溶解し、絶縁フィルムの表面から突出するバンプ状の
導電性エラストマーが形成される。
り溶解し、絶縁フィルムの表面から突出するバンプ状の
導電性エラストマーが形成される。
【0021】このバンプに貴金属めっきすることにより
さらに接触抵抗が低くなり安定した接触が可能になる。
貴金属めっきは、フィルム全体を活性化処理後、十分水
洗いした後ニッケルめっきし次に金めっきすることが好
ましい。特に導電性樹脂に銀粉末を使用している場合
は、銀の表面がニッケルとその上の金によってコートさ
れるため、銀のマイグレーションを防ぐことができる。
さらに接触抵抗が低くなり安定した接触が可能になる。
貴金属めっきは、フィルム全体を活性化処理後、十分水
洗いした後ニッケルめっきし次に金めっきすることが好
ましい。特に導電性樹脂に銀粉末を使用している場合
は、銀の表面がニッケルとその上の金によってコートさ
れるため、銀のマイグレーションを防ぐことができる。
【0022】このように金めっきした場合、エラストマ
ーの表面から突出している銀粒子にめっきされ、コネク
タとして使用する場合、数ミクロンの金めっきバンプが
でき、これが相手側電極に圧接されると、相手側金属中
に微細なバンプが食い込みワイピング効果も生じ接触抵
抗は一段と安定する。本発明ではエラストマーに付加型
液状シリコーン樹脂を用いているためバンプ自体に弾性
があり、エラストマーに混練する粉体の適正化により低
抵抗の導電性機能を付与したものである。
ーの表面から突出している銀粒子にめっきされ、コネク
タとして使用する場合、数ミクロンの金めっきバンプが
でき、これが相手側電極に圧接されると、相手側金属中
に微細なバンプが食い込みワイピング効果も生じ接触抵
抗は一段と安定する。本発明ではエラストマーに付加型
液状シリコーン樹脂を用いているためバンプ自体に弾性
があり、エラストマーに混練する粉体の適正化により低
抵抗の導電性機能を付与したものである。
【0023】このような導電性エラストマーを用いる
と、低い接圧においても接触抵抗を低くすることが可能
で、シリコーン樹脂の熱や腐食環境における化学的安定
性から信頼性の高いコネクタができる。またバンプ中と
バンプ表面の銀粒子に金めっきしたものは、コネクタが
使用される腐食環境下においても劣化がなく安定した抵
抗を示す。
と、低い接圧においても接触抵抗を低くすることが可能
で、シリコーン樹脂の熱や腐食環境における化学的安定
性から信頼性の高いコネクタができる。またバンプ中と
バンプ表面の銀粒子に金めっきしたものは、コネクタが
使用される腐食環境下においても劣化がなく安定した抵
抗を示す。
【0024】このような絶縁フィルム内に貫通孔を設
け、導電性エラストマーを微細に分散させたものは、半
導体素子との導電接続や、半導体パッケージの導電接続
だけでなく、ファインピッチ(高密度)回路基板の接続
のコネクタとして利用できる。また液晶表示装置用回路
の接続において従来の異方性導電膜が使用されている
が、本発明の異方性導電膜を使用すれば接続抵抗の低
下、接続部でのショート、リペアー性の問題を解決する
ことが可能となる。
け、導電性エラストマーを微細に分散させたものは、半
導体素子との導電接続や、半導体パッケージの導電接続
だけでなく、ファインピッチ(高密度)回路基板の接続
のコネクタとして利用できる。また液晶表示装置用回路
の接続において従来の異方性導電膜が使用されている
が、本発明の異方性導電膜を使用すれば接続抵抗の低
下、接続部でのショート、リペアー性の問題を解決する
ことが可能となる。
【0025】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。図1乃至図9は異方性導電膜の製造方
法を示す厚さ25μm のポリイミドフィルム3の両面に接
着材無しで17μm の銅箔2を形成したフィルムに直径50
μm の穴(貫通孔5)を形成するため、図1のようにレ
ジスト1を形成する。次に図2のように塩化第二鉄溶液
で銅箔2をエッチングし、さらに図3のように強アルカ
リでポリイミドフィルム3をエッチングし、貫通孔5を
形成する。
ながら説明する。図1乃至図9は異方性導電膜の製造方
法を示す厚さ25μm のポリイミドフィルム3の両面に接
着材無しで17μm の銅箔2を形成したフィルムに直径50
μm の穴(貫通孔5)を形成するため、図1のようにレ
ジスト1を形成する。次に図2のように塩化第二鉄溶液
で銅箔2をエッチングし、さらに図3のように強アルカ
リでポリイミドフィルム3をエッチングし、貫通孔5を
形成する。
【0026】付加型液状シリコーン樹脂に、不純物の極
めて少ない銀粒子を混練した導電性シリコーン樹脂6を
ドクターブレード法にて前記フィルムの貫通孔に充填
し、図4のようにする。表面に残った導電性シリコーン
樹脂を掻き取り、このフィルムを85℃の加熱炉で30分間
保持し、貫通孔5にエラストマーの導電物を形成した。
めて少ない銀粒子を混練した導電性シリコーン樹脂6を
ドクターブレード法にて前記フィルムの貫通孔に充填
し、図4のようにする。表面に残った導電性シリコーン
樹脂を掻き取り、このフィルムを85℃の加熱炉で30分間
保持し、貫通孔5にエラストマーの導電物を形成した。
【0027】このフィルム両面をサンドペーパー等で軽
く研磨し、次に塩化第2鉄の溶液に浸漬し、図5のよう
に両面の銅2をエッチングで溶かし、フィルム全面にエ
ラストマーの導電性バンプ4を形成した。
く研磨し、次に塩化第2鉄の溶液に浸漬し、図5のよう
に両面の銅2をエッチングで溶かし、フィルム全面にエ
ラストマーの導電性バンプ4を形成した。
【0028】
【電極の接続】このフィルムを20mm角に切断し、図13の
ように20mm角の半導体素子10とこれを実装する基板13の
間に挿入し、素子10の上から2kg/cm2 の荷重で押圧力
を作用させ、電気的に接続された実装構造とした。半導
体素子10の電極9は直径200 μm 、正方形の各辺に3列
千鳥で114 個ずつ素子合計で456 個の電極を形成し導電
接合性を評価した。
ように20mm角の半導体素子10とこれを実装する基板13の
間に挿入し、素子10の上から2kg/cm2 の荷重で押圧力
を作用させ、電気的に接続された実装構造とした。半導
体素子10の電極9は直径200 μm 、正方形の各辺に3列
千鳥で114 個ずつ素子合計で456 個の電極を形成し導電
接合性を評価した。
【0029】この直径200 μm の電極9に、バンプ径50
μm バンプピッチ100 μm の異方性導電膜8を接続させ
ると図10のようになり、1パッドに最低7個のバンプ4
が接合される。
μm バンプピッチ100 μm の異方性導電膜8を接続させ
ると図10のようになり、1パッドに最低7個のバンプ4
が接合される。
【0030】上記基板回路の456 個のパッド接続抵抗を
ミリオームメータを用い4端子法で測定したところ抵抗
値は最大35m Ω、最小12m Ω、平均して16m Ωの抵抗で
あった。また接触不良のものは1個もなかった。また隣
接電極間が短絡する不良は1箇所も見られず十分に絶縁
されていた。
ミリオームメータを用い4端子法で測定したところ抵抗
値は最大35m Ω、最小12m Ω、平均して16m Ωの抵抗で
あった。また接触不良のものは1個もなかった。また隣
接電極間が短絡する不良は1箇所も見られず十分に絶縁
されていた。
【0031】実施例1で形成したエラストマーバンプ付
きポリイミドフィルムを20mm角に切断し、(株)高純度
化学社製の表面活性化処理剤に1分間浸漬し図6に示す
ような0.3 μm の金めっき層7を形成した。実施例1と
同様の半導体素子10を実装し同様の方法で電極間の接続
抵抗を測定した。
きポリイミドフィルムを20mm角に切断し、(株)高純度
化学社製の表面活性化処理剤に1分間浸漬し図6に示す
ような0.3 μm の金めっき層7を形成した。実施例1と
同様の半導体素子10を実装し同様の方法で電極間の接続
抵抗を測定した。
【0032】その結果抵抗値は最大15m Ω、最小8mΩ、
平均して10.5m Ωの抵抗であった。また接続不良のもの
は1個もなかった。また隣接電極間はすべての箇所で十
分絶縁されていた。
平均して10.5m Ωの抵抗であった。また接続不良のもの
は1個もなかった。また隣接電極間はすべての箇所で十
分絶縁されていた。
【0033】実施例1の異方性導電膜の製造工程におい
て、両面銅張りのフィルムに穴明けした後穴の内側に図
7のようにスルーホールめっきを行い、図8乃至図9に
示すように導電性シリコーン樹脂6の側面にも金めっき
層7を有するバンプ14を形成した。このフィルムを実施
例1と全く同様に、半導体素子10を実装し電極間の接続
抵抗を測定した。
て、両面銅張りのフィルムに穴明けした後穴の内側に図
7のようにスルーホールめっきを行い、図8乃至図9に
示すように導電性シリコーン樹脂6の側面にも金めっき
層7を有するバンプ14を形成した。このフィルムを実施
例1と全く同様に、半導体素子10を実装し電極間の接続
抵抗を測定した。
【0034】その結果、抵抗値は最大13m Ω、最小4m
Ω、平均して8.5mΩであった。また接続不良のものは1
個もなかった。また隣接電極間はすべての箇所で十分絶
縁されていた。
Ω、平均して8.5mΩであった。また接続不良のものは1
個もなかった。また隣接電極間はすべての箇所で十分絶
縁されていた。
【0035】実施例1で作成した20mm角の導電性エラス
トマーバンプ付き異方性導電膜8の中心に10mm角の穴を
あけ、図12に示すように半導体実装時に接続面の中心10
mm四方に熱圧着シート12を接着し、これを180 ℃で加熱
しながら熱圧着した。この接続法の場合は、実施例1〜
3のような半導体を抑える機構が不要で、実装面積は半
導体そのものの面積に等しい。また接続不良の場合は、
加熱しながら素子を取り外すことが可能で、電極9のあ
る導電接続部は接着剤が付着しないため、リペアー性が
十分ある。
トマーバンプ付き異方性導電膜8の中心に10mm角の穴を
あけ、図12に示すように半導体実装時に接続面の中心10
mm四方に熱圧着シート12を接着し、これを180 ℃で加熱
しながら熱圧着した。この接続法の場合は、実施例1〜
3のような半導体を抑える機構が不要で、実装面積は半
導体そのものの面積に等しい。また接続不良の場合は、
加熱しながら素子を取り外すことが可能で、電極9のあ
る導電接続部は接着剤が付着しないため、リペアー性が
十分ある。
【0036】圧着後の接続抵抗を測定すると、抵抗値は
最大30m Ω、最小17m Ω、平均して22m Ωであった。ま
た接続不良のものは1個もなかった。また隣接電極間は
すべての箇所で十分絶縁されていた。
最大30m Ω、最小17m Ω、平均して22m Ωであった。ま
た接続不良のものは1個もなかった。また隣接電極間は
すべての箇所で十分絶縁されていた。
【0037】
【比較例】市販の熱圧着型異方性導電フィルムを20mm角
に切断し、実施例1で述べた基板に半導体を載せ、温度
140 ℃、20kg/cm2 の押圧力で半導体素子を基板に接合
させた。その後実施例1と同様に基板と素子電極間の接
続抵抗を測定すると、抵抗値は最大980mΩ、最小820m
Ω、平均して915mΩであった。また接続不良のものは1
個もなかった。また隣接電極間はすべての箇所で十分絶
縁されていた。
に切断し、実施例1で述べた基板に半導体を載せ、温度
140 ℃、20kg/cm2 の押圧力で半導体素子を基板に接合
させた。その後実施例1と同様に基板と素子電極間の接
続抵抗を測定すると、抵抗値は最大980mΩ、最小820m
Ω、平均して915mΩであった。また接続不良のものは1
個もなかった。また隣接電極間はすべての箇所で十分絶
縁されていた。
【0038】また、この半導体を接続した電極パッド部
を切断し断面を観察すると、図11のように電極間でわず
かの粒子11でのみ導電接続されているにすぎなかった。
を切断し断面を観察すると、図11のように電極間でわず
かの粒子11でのみ導電接続されているにすぎなかった。
【0039】
【発明の効果】本発明により得られる異方性導電膜は、
電気絶縁性フィルムの表面から一定寸法だけ突出して、
弾性を有する導電性エラストマーがバンプ状に形成され
ている。従って、低い接圧でも接続抵抗が小さく、導電
性エラストマーはペースト状で使用できるため、バンプ
は微細な形状に加工できる。またバンプの表面や、フィ
ルムの孔側面に無電解めっきすることにより、さらに低
接触抵抗すなわち低接続抵抗のコネクタとすることがで
きる。
電気絶縁性フィルムの表面から一定寸法だけ突出して、
弾性を有する導電性エラストマーがバンプ状に形成され
ている。従って、低い接圧でも接続抵抗が小さく、導電
性エラストマーはペースト状で使用できるため、バンプ
は微細な形状に加工できる。またバンプの表面や、フィ
ルムの孔側面に無電解めっきすることにより、さらに低
接触抵抗すなわち低接続抵抗のコネクタとすることがで
きる。
【0040】電極間にこのフィルム状コネクタを挿入
し、押圧力を作用すると安定した接続抵抗が得られる。
また、半田を使用する時のような加熱とフラックスの心
配もなく、圧接によってコンタクトを得ているため取付
け取り外しが自由にできる。従って、IC等の微細な半
導体パッケージと基板、FPCやTABと基板等の導電
接続においてファインピッチの多点接続、リペアー機能
のある接続が可能となり、高密度実装回路基板が実現で
きる。
し、押圧力を作用すると安定した接続抵抗が得られる。
また、半田を使用する時のような加熱とフラックスの心
配もなく、圧接によってコンタクトを得ているため取付
け取り外しが自由にできる。従って、IC等の微細な半
導体パッケージと基板、FPCやTABと基板等の導電
接続においてファインピッチの多点接続、リペアー機能
のある接続が可能となり、高密度実装回路基板が実現で
きる。
【図1乃至図5】本発明の異方性導電膜の一連の製造工
程における異方性導電膜の断面図。
程における異方性導電膜の断面図。
【図6】エラストマーバンプに金めっきした例を示す断
面図。
面図。
【図7乃至図9】穴明けしたポリイミドフィルムの穴内
壁にスルーホールめっきし、バンプ側面に金めっきした
例を示す断面図。
壁にスルーホールめっきし、バンプ側面に金めっきした
例を示す断面図。
【図10】本発明の異方性導電膜を用いたときの電極接
合部の断面図。
合部の断面図。
【図11】従来の異方性導電膜を用いたときの電極接合
部の断面図。
部の断面図。
【図12乃至図13】半導体素子を本発明の異方性導電
膜で接合した例を示す断面図。
膜で接合した例を示す断面図。
1 レジスト
2 箔(銅箔)
3 電気絶縁性フィルム
4 バンプ
5 貫通孔
6 導電性エラストマー(導電性シリコーン樹
脂) 8 異方性導電膜
脂) 8 異方性導電膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 田崎 俊介
東京都府中市日鋼町1番1 ジェイタワ
ー アンプ・テクノロジー・ジャパン株
式会社内
(56)参考文献 特開 昭61−118977(JP,A)
特開 昭63−94504(JP,A)
特開 平4−101371(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H01R 11/01
H01R 43/00
Claims (2)
- 【請求項1】両表面間に多数の貫通孔が形成された略一
定厚さの電気絶縁性フィルムと、該電気絶縁性フィルム
の前記貫通孔内に充填されると共に前記電気絶縁性フィ
ルムの前記両表面より一定寸法だけ突出する多数の導電
性エラストマーとを具備し、該導電性エラストマーはシ
リコーン樹脂及び金属粒子からなる異方性導電膜におい
て、 前記シリコーン樹脂は付加型液状シリコーン樹脂であ
り、前記金属粒子が銀粒子である ことを特徴とする異方
性導電膜。 - 【請求項2】両表面間に多数の貫通孔が形成された略一
定厚さの電気絶縁性フィルムと、該電気絶縁性フィルム
の前記貫通孔内に充填されると共に前記電気絶縁性フィ
ルムの前記両表面より一定寸法だけ突出する多数の導電
性エラストマーとを具備し、該導電性エラストマーはシ
リコーン樹脂及び金属粒子からなり、多数の電極を有す
る半導体素子等と接続パッドが形成された基板との間に
介挿押圧して両者間を相互接続するフィルム状異方性導
電膜を使用するコネクタにおいて、 前記シリコーン樹脂は付加型液状シリコーン樹脂であ
り、前記金属粒子が銀粒子であることを特徴とするコネ
クタ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30478793A JP3400051B2 (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | 異方性導電膜、その製造方法及びそれを使用するコネクタ |
TW083108071A TW259893B (ja) | 1993-11-10 | 1994-09-02 | |
KR1019940029155A KR950015856A (ko) | 1993-11-10 | 1994-11-08 | 이방성 도전막, 그 제조방법 및 그것을 사용하는 컨넥터 |
CN94118149A CN1041980C (zh) | 1993-11-10 | 1994-11-10 | 各向异性导电膜的制造方法以及使用该膜的连接器 |
US08/590,078 US5624268A (en) | 1993-11-10 | 1996-01-17 | Electrical connectors using anisotropic conductive films |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30478793A JP3400051B2 (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | 異方性導電膜、その製造方法及びそれを使用するコネクタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07161400A JPH07161400A (ja) | 1995-06-23 |
JP3400051B2 true JP3400051B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=17937233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30478793A Expired - Fee Related JP3400051B2 (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | 異方性導電膜、その製造方法及びそれを使用するコネクタ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5624268A (ja) |
JP (1) | JP3400051B2 (ja) |
KR (1) | KR950015856A (ja) |
CN (1) | CN1041980C (ja) |
TW (1) | TW259893B (ja) |
Families Citing this family (71)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6271482B1 (en) * | 1994-08-23 | 2001-08-07 | Thomas & Betts International, Inc. | Conductive elastomer interconnect |
US5807767A (en) | 1996-01-02 | 1998-09-15 | Micron Technology, Inc. | Technique for attaching die to leads |
JP3145331B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2001-03-12 | 日本特殊陶業株式会社 | 中継基板、その製造方法、基板と中継基板と取付基板とからなる構造体、基板と中継基板の接続体および中継基板と取付基板の接続体の製造方法 |
JP3116273B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2000-12-11 | 日本特殊陶業株式会社 | 中継基板、その製造方法、基板と中継基板と取付基板とからなる構造体、基板と中継基板の接続体 |
JP3284262B2 (ja) * | 1996-09-05 | 2002-05-20 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置及びそれを用いた電子機器 |
US5902438A (en) * | 1997-08-13 | 1999-05-11 | Fry's Metals, Inc. | Process for the formation of anisotropic conducting material |
US6172878B1 (en) * | 1997-12-27 | 2001-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Multi-element module and production process thereof |
US5975922A (en) * | 1998-03-09 | 1999-11-02 | Lucent Technologies Inc. | Device containing directionally conductive composite medium |
JP3876953B2 (ja) | 1998-03-27 | 2007-02-07 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
US6194782B1 (en) * | 1998-06-24 | 2001-02-27 | Nortel Networks Limited | Mechanically-stabilized area-array device package |
US6705876B2 (en) * | 1998-07-13 | 2004-03-16 | Formfactor, Inc. | Electrical interconnect assemblies and methods |
US6188582B1 (en) * | 1998-12-18 | 2001-02-13 | Geoffrey Peter | Flexible interconnection between integrated circuit chip and substrate or printed circuit board |
US6345989B1 (en) * | 1999-01-06 | 2002-02-12 | Thomas & Betts International, Inc. | Circuit board side interconnect |
JP2000207943A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Sony Corp | 異方性導電膜及び異方性導電膜を用いた電気的接続装置 |
US6174175B1 (en) * | 1999-04-29 | 2001-01-16 | International Business Machines Corporation | High density Z-axis connector |
WO2001009980A2 (en) * | 1999-08-02 | 2001-02-08 | Gryphics, Inc. | Controlled compliance fine pitch interconnect |
US6360431B1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-03-26 | Intel Corporation | Processor power delivery system |
US6703566B1 (en) | 2000-10-25 | 2004-03-09 | Sae Magnetics (H.K.), Ltd. | Bonding structure for a hard disk drive suspension using anisotropic conductive film |
US6776859B1 (en) | 2000-11-27 | 2004-08-17 | Saturn Electronics & Engineering, Inc. | Anisotropic bonding system and method using dynamic feedback |
KR100365519B1 (ko) * | 2000-12-14 | 2002-12-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법 |
US6979202B2 (en) * | 2001-01-12 | 2005-12-27 | Litton Systems, Inc. | High-speed electrical connector |
US6532654B2 (en) * | 2001-01-12 | 2003-03-18 | International Business Machines Corporation | Method of forming an electrical connector |
US6843657B2 (en) * | 2001-01-12 | 2005-01-18 | Litton Systems Inc. | High speed, high density interconnect system for differential and single-ended transmission applications |
US6465084B1 (en) | 2001-04-12 | 2002-10-15 | International Business Machines Corporation | Method and structure for producing Z-axis interconnection assembly of printed wiring board elements |
JP3616031B2 (ja) | 2001-05-10 | 2005-02-02 | 富士通株式会社 | 異方導電性シート、その製造方法、電子装置及び動作試験用検査装置 |
US6545226B2 (en) * | 2001-05-31 | 2003-04-08 | International Business Machines Corporation | Printed wiring board interposer sub-assembly |
KR100793725B1 (ko) * | 2001-07-31 | 2008-01-10 | 삼성전자주식회사 | 연성 필름 케이블 |
TW531868B (en) * | 2001-08-21 | 2003-05-11 | Au Optronics Corp | Soldering type anisotropic conductive film |
US6692264B2 (en) * | 2001-11-13 | 2004-02-17 | General Motors Corporation | Elastomeric connector for fuel cell stack cell voltage monitor |
ATE423182T1 (de) * | 2001-11-28 | 2009-03-15 | Dow Corning Toray Co Ltd | Anisotrop elektroleitfaehiger klebefilm, verfahren zu seiner herstellung und halbleitervorrichtungen |
US6799977B2 (en) * | 2002-07-11 | 2004-10-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Socket having foam metal contacts |
JP2004051755A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Ricoh Co Ltd | 弾性導電樹脂及び弾性導電接合構造 |
EP1548884A4 (en) * | 2002-08-27 | 2007-05-09 | Jsr Corp | CONDUCTIVE ANISOTROPIC SHEET, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME AND APPLICATION THEREOF |
WO2004039135A1 (en) * | 2002-10-24 | 2004-05-06 | International Business Machines Corporation | Land grid array fabrication using elastomer core and conducting metal shell or mesh |
US6790057B2 (en) | 2002-12-10 | 2004-09-14 | Tyco Electronics Corporation | Conductive elastomeric contact system with anti-overstress columns |
US6796810B2 (en) | 2002-12-10 | 2004-09-28 | Tyco Electronics Corporation | Conductive elastomeric contact system |
EP1612891B1 (en) * | 2003-03-31 | 2011-11-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Anisotropic electrically conductive film and method of producing the same |
DE602004018720D1 (de) * | 2003-09-09 | 2009-02-12 | Nitto Denko Corp | Anisotrop-leitender Film , Herstellungs- und Gebrauchsverfahren |
DE10343257B4 (de) * | 2003-09-17 | 2009-06-10 | Qimonda Ag | Verfahren zur Herstellung von Zwischenverbindungen bei Chip-Sandwich-Anordnungen |
US20050082160A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-21 | Sharper Image Corporation | Electro-kinetic air transporter and conditioner devices with a mesh collector electrode |
WO2005103732A1 (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-03 | Jsr Corporation | シート状プローブおよびその製造方法並びにその応用 |
CN100468868C (zh) * | 2004-07-15 | 2009-03-11 | Jsr株式会社 | 各向异性导电连接器装置以及电路装置的检查装置 |
JP2006048939A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Jst Mfg Co Ltd | 異方導電性シート |
US7121841B2 (en) * | 2004-11-10 | 2006-10-17 | Intel Corporation | Electrical socket with compressible domed contacts |
KR20060062824A (ko) * | 2004-12-06 | 2006-06-12 | 주식회사 아이에스시테크놀러지 | 반도체 패키지 테스트용 실리콘 커넥터 |
JP2006294527A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Nec Corp | コネクタ及びその製造方法 |
CN1747258A (zh) * | 2005-08-24 | 2006-03-15 | 番禺得意精密电子工业有限公司 | 一种导电元件及使用这种导电元件的电连接器 |
WO2007072852A1 (ja) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Jsr Corporation | ウエハ検査用回路基板装置、プローブカードおよびウエハ検査装置 |
US7453139B2 (en) * | 2005-12-27 | 2008-11-18 | Tessera, Inc. | Compliant terminal mountings with vented spaces and methods |
US7448883B2 (en) * | 2007-02-05 | 2008-11-11 | Tyco Electronics Corporation | Connector with metalized coated polymer contact |
JP2008235556A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 配線板モジュール及び該配線板モジュールの製造方法 |
JP5043617B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2012-10-10 | 富士フイルム株式会社 | 異方導電性部材およびその製造方法 |
US7726976B2 (en) * | 2007-11-09 | 2010-06-01 | Tyco Electronics Corporation | Shielded electrical interconnect |
CN101726641B (zh) * | 2008-11-03 | 2011-05-18 | 京元电子股份有限公司 | 导电弹性体的制造方法 |
KR100930287B1 (ko) | 2009-02-25 | 2009-12-08 | 넥스디 주식회사 | 커넥터 모듈의 접점부 수리방법 |
WO2010101125A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-10 | ポリマテック株式会社 | 弾性コネクタ及び弾性コネクタの製造方法並びに導通接続具 |
US8098079B2 (en) | 2009-04-17 | 2012-01-17 | Oracle America, Inc. | Receive circuit for connectors with variable complex impedance |
US8476749B2 (en) | 2009-07-22 | 2013-07-02 | Oracle America, Inc. | High-bandwidth ramp-stack chip package |
KR101043956B1 (ko) * | 2009-07-31 | 2011-06-24 | 전자부품연구원 | 비등방성 입자배열체 및 그 제조 방법 |
CN102208390B (zh) * | 2011-05-19 | 2013-03-06 | 中国科学院微电子研究所 | 一种高密度凸点基板及其制造方法 |
CN102866438B (zh) * | 2011-07-06 | 2015-06-03 | 奇景光电股份有限公司 | 湿蚀刻基板的方法 |
KR101339166B1 (ko) * | 2012-06-18 | 2013-12-09 | 주식회사 아이에스시 | 관통공이 형성된 도전성 입자를 가지는 검사용 소켓 및 그 제조방법 |
US9777197B2 (en) | 2013-10-23 | 2017-10-03 | Sunray Scientific, Llc | UV-curable anisotropic conductive adhesive |
US9365749B2 (en) | 2013-05-31 | 2016-06-14 | Sunray Scientific, Llc | Anisotropic conductive adhesive with reduced migration |
IT201700100522A1 (it) * | 2017-09-07 | 2019-03-07 | Technoprobe Spa | Elemento di interfaccia per un’apparecchiatura di test di dispositivi elettronici e relativo metodo di fabbricazione |
KR20200066310A (ko) * | 2017-10-19 | 2020-06-09 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 전기 커넥터 및 그 제조 방법 |
KR102110150B1 (ko) * | 2019-01-08 | 2020-06-08 | (주)티에스이 | 신호 전송 커넥터용 도전부 보호부재 및 그 제조방법과, 이를 갖는 신호 전송 커넥터 및 그 제조방법 |
US11191170B2 (en) * | 2019-07-23 | 2021-11-30 | Michael Casey | Silicone contact element |
JP7226415B2 (ja) * | 2020-03-18 | 2023-02-21 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及び時計 |
EP3882721B1 (en) | 2020-03-18 | 2024-06-05 | Casio Computer Co., Ltd. | Display device and timepiece |
CN113035829B (zh) * | 2021-03-04 | 2022-11-25 | 复旦大学 | Tsv无源转接板及其制造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3541222A (en) * | 1969-01-13 | 1970-11-17 | Bunker Ramo | Connector screen for interconnecting adjacent surfaces of laminar circuits and method of making |
US3880486A (en) * | 1973-03-05 | 1975-04-29 | Epis Corp | Apparatus and system for interconnecting circuits and electronic components |
US4548451A (en) * | 1984-04-27 | 1985-10-22 | International Business Machines Corporation | Pinless connector interposer and method for making the same |
JPH03289010A (ja) * | 1990-04-05 | 1991-12-19 | Ricoh Co Ltd | 異方性導電膜の製造方法 |
JPH0451476A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Casio Comput Co Ltd | 電気的結合用シート及びその電気的接続方法 |
JP3027171B2 (ja) * | 1990-08-29 | 2000-03-27 | キヤノン株式会社 | 電気回路部材 |
US5163834A (en) * | 1990-12-17 | 1992-11-17 | International Business Machines Corporation | High density connector |
US5265329A (en) * | 1991-06-12 | 1993-11-30 | Amp Incorporated | Fiber-filled elastomeric connector attachment method and product |
-
1993
- 1993-11-10 JP JP30478793A patent/JP3400051B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-09-02 TW TW083108071A patent/TW259893B/zh active
- 1994-11-08 KR KR1019940029155A patent/KR950015856A/ko not_active Application Discontinuation
- 1994-11-10 CN CN94118149A patent/CN1041980C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-01-17 US US08/590,078 patent/US5624268A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07161400A (ja) | 1995-06-23 |
CN1041980C (zh) | 1999-02-03 |
KR950015856A (ko) | 1995-06-17 |
US5624268A (en) | 1997-04-29 |
CN1106580A (zh) | 1995-08-09 |
TW259893B (ja) | 1995-10-11 |
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Legal Events
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R250 | Receipt of annual fees |
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