JP3145331B2 - 中継基板、その製造方法、基板と中継基板と取付基板とからなる構造体、基板と中継基板の接続体および中継基板と取付基板の接続体の製造方法 - Google Patents
中継基板、その製造方法、基板と中継基板と取付基板とからなる構造体、基板と中継基板の接続体および中継基板と取付基板の接続体の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＢＧＡ型集積回路
パッケージ等の面接続端子を有する基板と、この面接続
端子に対応する位置に同様に面接続端子を備え、この基
板を取付けるためのマザーボード等の取付基板との間に
介在させる中継基板、その製造方法、および基板と中継
基板と取付基板とからなる構造体、基板と中継基板の接
続体および中継基板と取付基板の接続体の製造方法に関
する。
パッケージ等の面接続端子を有する基板と、この面接続
端子に対応する位置に同様に面接続端子を備え、この基
板を取付けるためのマザーボード等の取付基板との間に
介在させる中継基板、その製造方法、および基板と中継
基板と取付基板とからなる構造体、基板と中継基板の接
続体および中継基板と取付基板の接続体の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年の集積回路（ＩＣ）技術の進展によ
り、ＩＣチップに設けられる入出力端子の数が増大し、
それに伴い、ＩＣチップを搭載するＩＣ搭載基板に形成
される入出力端子も増大している。しかし、入出力端子
を基板の周縁部に設ける場合には、端子の数に従って基
板サイズの増大を招き、ＩＣ搭載基板のコストアップや
歩留りの低下を生じ好ましくない。
り、ＩＣチップに設けられる入出力端子の数が増大し、
それに伴い、ＩＣチップを搭載するＩＣ搭載基板に形成
される入出力端子も増大している。しかし、入出力端子
を基板の周縁部に設ける場合には、端子の数に従って基
板サイズの増大を招き、ＩＣ搭載基板のコストアップや
歩留りの低下を生じ好ましくない。
【０００３】そこで、ＩＣ搭載基板の主表面（平面）に
ピンを格子状または千鳥状に並べるいわゆるＰＧＡ（ピ
ングリッドアレイ）型基板が広く用いられている。しか
し、更に端子数を増加したり、サイズを小さくするに
は、基板表面にピンを取付けるＰＧＡ型基板では限界が
ある。
ピンを格子状または千鳥状に並べるいわゆるＰＧＡ（ピ
ングリッドアレイ）型基板が広く用いられている。しか
し、更に端子数を増加したり、サイズを小さくするに
は、基板表面にピンを取付けるＰＧＡ型基板では限界が
ある。
【０００４】そこで、以下のような手法が行われてい
る。即ち、基板表面上にピンに代えてパッド（ランド）
を格子状または千鳥状に並べて形成し、このパッドに、
略球状（ボール状）の高温ハンダやＣｕ、Ａｇ等のハン
ダ濡れ性の良い金属からなる端子部材を予め共晶ハンダ
付けしたバンプを設けておく。一方、相手方のマザーボ
ードなどのプリント基板（ＰＣＢ）にもＩＣ搭載基板の
パッドと対応する位置にパッドを形成し、このパッド
に、共晶ハンダペーストを塗布しておく。その後、両者
を重ねて加熱し、ハンダペーストを溶融させてハンダ付
けによって端子部材を介して両者を接続することが行わ
れる。一般には、パッドのみ格子状に設けた基板はＬＧ
Ａ（ランドグリッドアレイ）型基板と、パッド上にボー
ル状の端子部材（接続端子）を備えた基板はＢＧＡ（ボ
ールグリッドアレイ）型基板と呼ばれる。
る。即ち、基板表面上にピンに代えてパッド（ランド）
を格子状または千鳥状に並べて形成し、このパッドに、
略球状（ボール状）の高温ハンダやＣｕ、Ａｇ等のハン
ダ濡れ性の良い金属からなる端子部材を予め共晶ハンダ
付けしたバンプを設けておく。一方、相手方のマザーボ
ードなどのプリント基板（ＰＣＢ）にもＩＣ搭載基板の
パッドと対応する位置にパッドを形成し、このパッド
に、共晶ハンダペーストを塗布しておく。その後、両者
を重ねて加熱し、ハンダペーストを溶融させてハンダ付
けによって端子部材を介して両者を接続することが行わ
れる。一般には、パッドのみ格子状に設けた基板はＬＧ
Ａ（ランドグリッドアレイ）型基板と、パッド上にボー
ル状の端子部材（接続端子）を備えた基板はＢＧＡ（ボ
ールグリッドアレイ）型基板と呼ばれる。
【０００５】ところで、このようにしてＩＣ搭載基板、
プリント基板の平面上に線状や格子状（千鳥状も含む）
にパッドやバンプなどの端子を形成し、ＩＣ搭載基板と
プリント基板を接続する場合（以下、このような接続を
面接続ともいう）には、ＩＣ搭載基板とプリント基板の
材質の違いにより熱膨張係数が異なるので、平面方向に
熱膨張差が発生する。即ち、端子部材から見ると、接続
しているＩＣ搭載基板およびプリント基板が平面方向に
ついてそれぞれ逆方向に寸法変化しようとするので、端
子部材やパッドにはせん断応力が働くこととなる。
プリント基板の平面上に線状や格子状（千鳥状も含む）
にパッドやバンプなどの端子を形成し、ＩＣ搭載基板と
プリント基板を接続する場合（以下、このような接続を
面接続ともいう）には、ＩＣ搭載基板とプリント基板の
材質の違いにより熱膨張係数が異なるので、平面方向に
熱膨張差が発生する。即ち、端子部材から見ると、接続
しているＩＣ搭載基板およびプリント基板が平面方向に
ついてそれぞれ逆方向に寸法変化しようとするので、端
子部材やパッドにはせん断応力が働くこととなる。
【０００６】このせん断応力は、面接続される端子のう
ち、最も離れた２つの端子間で最大となる。即ち、例え
ば端子が格子状にかつ最外周の端子が正方形をなすよう
に形成されている場合、それぞれこの正方形の最外周の
対角上に位置する２つの端子間で最も大きな熱膨張差が
発生し、最も大きなせん断応力が掛かることとなる。特
に、ＬＧＡ型やＢＧＡ型などの基板をプリント基板と接
続する場合には、端子間の間隔（ピッチ）が比較的大き
く、従って、最も離れた端子間の距離が大きくなりやす
い。特に、ＬＧＡ型やＢＧＡ型基板にセラミック製基板
を用いた場合、一般にガラスエポキシ製のプリント基板
とは、熱膨張係数が大きく異なるので、発生するせん断
応力が大きくなる。
ち、最も離れた２つの端子間で最大となる。即ち、例え
ば端子が格子状にかつ最外周の端子が正方形をなすよう
に形成されている場合、それぞれこの正方形の最外周の
対角上に位置する２つの端子間で最も大きな熱膨張差が
発生し、最も大きなせん断応力が掛かることとなる。特
に、ＬＧＡ型やＢＧＡ型などの基板をプリント基板と接
続する場合には、端子間の間隔（ピッチ）が比較的大き
く、従って、最も離れた端子間の距離が大きくなりやす
い。特に、ＬＧＡ型やＢＧＡ型基板にセラミック製基板
を用いた場合、一般にガラスエポキシ製のプリント基板
とは、熱膨張係数が大きく異なるので、発生するせん断
応力が大きくなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このようなせん断応力
が掛かると、ＩＣ搭載基板に形成したパッドとハンダと
の密着強度（接合強度）がそれほど大きくない場合には
両者間で接合が破壊する、即ち、パッドから端子部材と
共にハンダが外れることがあるので、密着強度を十分大
きくすることが望まれる。
が掛かると、ＩＣ搭載基板に形成したパッドとハンダと
の密着強度（接合強度）がそれほど大きくない場合には
両者間で接合が破壊する、即ち、パッドから端子部材と
共にハンダが外れることがあるので、密着強度を十分大
きくすることが望まれる。
【０００８】しかし、このパッドとハンダの密着強度を
高くすると、次には、繰り返し熱応力によってパッドの
近傍のハンダにパッドに略平行なクラックが入り、つい
には破壊（破断）するので、いずれにしても高い接続信
頼性を得ることはできなかった。パッド近傍のハンダ
は、多くの場合上述のように共晶ハンダが用いられ、比
較的硬くて脆く、また熱や応力により経時変化を生じや
すいため繰り返し応力でクラックを生ずるからである。
高くすると、次には、繰り返し熱応力によってパッドの
近傍のハンダにパッドに略平行なクラックが入り、つい
には破壊（破断）するので、いずれにしても高い接続信
頼性を得ることはできなかった。パッド近傍のハンダ
は、多くの場合上述のように共晶ハンダが用いられ、比
較的硬くて脆く、また熱や応力により経時変化を生じや
すいため繰り返し応力でクラックを生ずるからである。
【０００９】この問題は、特に、比較的熱膨張係数の小
さいセラミック製ＬＧＡ型基板（またはＢＧＡ型基板）
と比較的熱膨張係数の大きいガラスエポキシ等の樹脂製
プリント基板との間で生じやすい。なお、この場合に
は、クラックはセラミック基板側のパッド近傍の共晶ハ
ンダ部分で生ずることが多い。セラミックは硬く、応力
を吸収しがたいが、樹脂製プリント基板は比較的柔らか
く、また樹脂製プリント基板上に形成されたＣｕ等から
なるパッドも柔らかいので応力を吸収するからである。
さいセラミック製ＬＧＡ型基板（またはＢＧＡ型基板）
と比較的熱膨張係数の大きいガラスエポキシ等の樹脂製
プリント基板との間で生じやすい。なお、この場合に
は、クラックはセラミック基板側のパッド近傍の共晶ハ
ンダ部分で生ずることが多い。セラミックは硬く、応力
を吸収しがたいが、樹脂製プリント基板は比較的柔らか
く、また樹脂製プリント基板上に形成されたＣｕ等から
なるパッドも柔らかいので応力を吸収するからである。
【００１０】ところで、特開平８−５５９３０号公報に
おいては、絶縁基体下面の凹部底面に形成されたパッド
に、所定の寸法関係を満たすボール状端子をロウ付けし
た半導体素子収納用パッケージが開示され、これによ
り、ボール状の端子を正確、且つ強固にロウ付固着でき
る旨が示されている。しかし、かかる発明においては、
絶縁基体（ＩＣ搭載基板）に凹部を設け、更にこの凹部
底面にパッドを設けなければならず、形状が複雑である
ので、製造が面倒であり、コストアップとなる。また、
このような凹部内にロウ材を設け、ボール状端子をロウ
付けするのは困難であった。
おいては、絶縁基体下面の凹部底面に形成されたパッド
に、所定の寸法関係を満たすボール状端子をロウ付けし
た半導体素子収納用パッケージが開示され、これによ
り、ボール状の端子を正確、且つ強固にロウ付固着でき
る旨が示されている。しかし、かかる発明においては、
絶縁基体（ＩＣ搭載基板）に凹部を設け、更にこの凹部
底面にパッドを設けなければならず、形状が複雑である
ので、製造が面倒であり、コストアップとなる。また、
このような凹部内にロウ材を設け、ボール状端子をロウ
付けするのは困難であった。
【００１１】更に、ＬＧＡ型基板をプリント基板に接続
するには、まずＬＧＡ型基板のランド（パッド）に、ボ
ール状の高温ハンダやＣｕ球等の端子部材を、共晶ハン
ダ等の端子部材に比して低融点のハンダ（以下、低融点
ハンダともいう）ペースト等で仮固定した上で、リフロ
ーしてパッドに端子部材をハンダ付けしてＢＧＡ型基板
とする。ついで、プリント基板側パッドに低融点ハンダ
ペーストを塗布し、上記ＢＧＡ型基板をプリント基板に
載置して、端子部材をプリント基板側パッドと位置合わ
せする。その後、再リフローしてプリント基板側パッド
と端子部材をハンダ付けするという面倒な手順によって
行われる。
するには、まずＬＧＡ型基板のランド（パッド）に、ボ
ール状の高温ハンダやＣｕ球等の端子部材を、共晶ハン
ダ等の端子部材に比して低融点のハンダ（以下、低融点
ハンダともいう）ペースト等で仮固定した上で、リフロ
ーしてパッドに端子部材をハンダ付けしてＢＧＡ型基板
とする。ついで、プリント基板側パッドに低融点ハンダ
ペーストを塗布し、上記ＢＧＡ型基板をプリント基板に
載置して、端子部材をプリント基板側パッドと位置合わ
せする。その後、再リフローしてプリント基板側パッド
と端子部材をハンダ付けするという面倒な手順によって
行われる。
【００１２】さらに、ＩＣチップメーカは、ＩＣチップ
を載置するＬＧＡ型基板を購入し、ＩＣチップをこの基
板に載置しフリップチップ接続した後に、この接続に使
用したハンダ（例えば高温ハンダ）よりも融点の低い低
融点ハンダ（例えば共晶ハンダ）によって基板のパッド
（ランド）に端子部材を接続する必要がある。したがっ
て、ＩＣチップを基板にフリップチップ接続するための
設備のほかに、パッドにハンダペースト（例えば共晶ハ
ンダペースト）を塗布したり、端子部材をパッド上に載
置するなどのパッドに端子部材を接続するための設備、
即ち、ＬＧＡ型基板をＢＧＡ型基板とするための設備が
必要となる。
を載置するＬＧＡ型基板を購入し、ＩＣチップをこの基
板に載置しフリップチップ接続した後に、この接続に使
用したハンダ（例えば高温ハンダ）よりも融点の低い低
融点ハンダ（例えば共晶ハンダ）によって基板のパッド
（ランド）に端子部材を接続する必要がある。したがっ
て、ＩＣチップを基板にフリップチップ接続するための
設備のほかに、パッドにハンダペースト（例えば共晶ハ
ンダペースト）を塗布したり、端子部材をパッド上に載
置するなどのパッドに端子部材を接続するための設備、
即ち、ＬＧＡ型基板をＢＧＡ型基板とするための設備が
必要となる。
【００１３】一方、ＩＣチップのユーザは、プリント基
板にＢＧＡ型基板を載置して、プリント基板全体をリフ
ロー炉に投入し、ＢＧＡ型基板をプリント基板に接続す
る前に、プリント基板のパッドに低融点ハンダペースト
を塗布する設備が必要であった。
板にＢＧＡ型基板を載置して、プリント基板全体をリフ
ロー炉に投入し、ＢＧＡ型基板をプリント基板に接続す
る前に、プリント基板のパッドに低融点ハンダペースト
を塗布する設備が必要であった。
【００１４】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであって、ＩＣ等を搭載する基板とこれを接続する
プリント基板等の取付基板との相互の接続を容易にし、
しかも、耐久性、信頼性の高い接続を可能とする中継基
板、およびその製造方法、さらには、基板と中継基板と
取付基板とからなる構造体の製造方法、基板と中継基板
との接続体や中継基板と取付基板の接続体の製造方法を
提供することを目的とする。
ものであって、ＩＣ等を搭載する基板とこれを接続する
プリント基板等の取付基板との相互の接続を容易にし、
しかも、耐久性、信頼性の高い接続を可能とする中継基
板、およびその製造方法、さらには、基板と中継基板と
取付基板とからなる構造体の製造方法、基板と中継基板
との接続体や中継基板と取付基板の接続体の製造方法を
提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】しかして、前記目的を達
成するための請求項１に記載の発明は、面接続パッドを
有する基板と該面接続パッドと対応する位置に面接続取
付パッドを有する取付基板との間に介在させ、第１面側
で該面接続パッドと接続させ、第２面側で該面接続取付
パッドと接続させることにより該基板と該取付基板とを
接続させるための中継基板であって、第１面と第２面と
を有する略板形状をなし、該第１面と該第２面の間を貫
通する複数の貫通孔を有、貫通孔内壁面に金属層を有す
る中継基板本体と、該貫通孔内に貫挿され、該金属層に
溶着し、該第１面より突出した第１突出部および第２面
より突出した第２突出部のうち少なくともいずれかを備
えた軟質金属体と、該第１面側の該軟質金属体の表面上
に配設され該軟質金属体よりも低い融点を持つ第１面側
ハンダ層と、該第２面側の該軟質金属体の表面上に配設
され該軟質金属体よりも低い融点を持つ第２面側ハンダ
層と、を有する中継基板を要旨とする。
成するための請求項１に記載の発明は、面接続パッドを
有する基板と該面接続パッドと対応する位置に面接続取
付パッドを有する取付基板との間に介在させ、第１面側
で該面接続パッドと接続させ、第２面側で該面接続取付
パッドと接続させることにより該基板と該取付基板とを
接続させるための中継基板であって、第１面と第２面と
を有する略板形状をなし、該第１面と該第２面の間を貫
通する複数の貫通孔を有、貫通孔内壁面に金属層を有す
る中継基板本体と、該貫通孔内に貫挿され、該金属層に
溶着し、該第１面より突出した第１突出部および第２面
より突出した第２突出部のうち少なくともいずれかを備
えた軟質金属体と、該第１面側の該軟質金属体の表面上
に配設され該軟質金属体よりも低い融点を持つ第１面側
ハンダ層と、該第２面側の該軟質金属体の表面上に配設
され該軟質金属体よりも低い融点を持つ第２面側ハンダ
層と、を有する中継基板を要旨とする。
【００１６】ここで、基板としては、ＩＣチップやその
他の電子部品などが実装されるＩＣ搭載基板等の配線基
板が挙げられる。また、面接続パッドとは、取付基板と
の電気的接続のために基板上に設けられる端子であっ
て、面接続によって接続を行うためのパッドを指す。な
お、面接続とは、前述したようにチップや基板、マザー
ボードの平面上に線状や格子状（千鳥状も含む）にパッ
ドやバンプなどの端子を形成し、基板とマザーボードを
接続する場合の接続方法を指し、線状の配置の例として
は、例えば四角形の枠状配置が挙げられる。また、面接
続パッドを有する基板の例としては、パッド（ランド）
を格子状に配列したＬＧＡ型基板が挙げられるが、必ず
しもパッドが格子状に配列されていなくとも良い。
他の電子部品などが実装されるＩＣ搭載基板等の配線基
板が挙げられる。また、面接続パッドとは、取付基板と
の電気的接続のために基板上に設けられる端子であっ
て、面接続によって接続を行うためのパッドを指す。な
お、面接続とは、前述したようにチップや基板、マザー
ボードの平面上に線状や格子状（千鳥状も含む）にパッ
ドやバンプなどの端子を形成し、基板とマザーボードを
接続する場合の接続方法を指し、線状の配置の例として
は、例えば四角形の枠状配置が挙げられる。また、面接
続パッドを有する基板の例としては、パッド（ランド）
を格子状に配列したＬＧＡ型基板が挙げられるが、必ず
しもパッドが格子状に配列されていなくとも良い。
【００１７】一方、取付基板は、前記基板を取付けるた
めの基板であって、マザーボード等のプリント基板が挙
げられる。この取付基板には、面接続によって基板を取
付けるための面接続取付パッドが形成されている。この
面接続取付パッドとは、基板との電気的接続のために取
付基板上に設けられる端子であって、面接続によって接
続を行うためのパッドを指す。面接続取付パッドを有す
る取付基板の例としては、パッドを格子状に配列したプ
リント基板が挙げられるが、必ずしもパッドが格子状に
配列されていなくとも良いし、複数の基板を取付けるた
めにそれぞれの基板に対応する面接続取付パッド群を複
数有していても良い。なお、本発明の中継基板は、基板
と取付基板の間に介在して、それぞれと接続するもので
あるので、便宜的に基板と接続する側を第１面側、取付
基板と接続する側を第２面側として両者を区別すること
とする。
めの基板であって、マザーボード等のプリント基板が挙
げられる。この取付基板には、面接続によって基板を取
付けるための面接続取付パッドが形成されている。この
面接続取付パッドとは、基板との電気的接続のために取
付基板上に設けられる端子であって、面接続によって接
続を行うためのパッドを指す。面接続取付パッドを有す
る取付基板の例としては、パッドを格子状に配列したプ
リント基板が挙げられるが、必ずしもパッドが格子状に
配列されていなくとも良いし、複数の基板を取付けるた
めにそれぞれの基板に対応する面接続取付パッド群を複
数有していても良い。なお、本発明の中継基板は、基板
と取付基板の間に介在して、それぞれと接続するもので
あるので、便宜的に基板と接続する側を第１面側、取付
基板と接続する側を第２面側として両者を区別すること
とする。
【００１８】さらに、貫通孔は、単一の孔で構成される
のが通常であるが、その他、互いに近接して設けられた
複数の小貫通孔の集まり（小貫通孔群）をも含む。この
場合には、小貫通孔それぞれに貫挿された軟質金属が全
体として１つの軟質金属体を構成する。
のが通常であるが、その他、互いに近接して設けられた
複数の小貫通孔の集まり（小貫通孔群）をも含む。この
場合には、小貫通孔それぞれに貫挿された軟質金属が全
体として１つの軟質金属体を構成する。
【００１９】また、軟質金属体とは、熱膨張係数の違い
などによって、基板と取付基板間、あるいは、基板と中
継基板本体間や中継基板本体と取付基板間で発生する応
力を変形によって吸収する柔らかい金属からなるもので
あって、具体的な材質としては、鉛（Ｐｂ）やスズ（Ｓ
ｎ）、亜鉛（Ｚｎ）やこれらを主体とする合金などが挙
げられ、Ｐｂ−Ｓｎ系高温ハンダ（例えば、ｐｂ９０％
−Ｓｎ１０％合金、Ｐｂ９５％−Ｓｎ５％合金等）やホ
ワイトメタルなどが挙げられる。なお、鉛、ズス等は再
結晶温度が常温にあるので、塑性変形をしても再結晶す
る。したがって、繰り返し応力がかかっても容易に破断
（破壊）に至らないので都合がよい。その他、純度の高
い銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）も柔らかいので用いることが
できる。
などによって、基板と取付基板間、あるいは、基板と中
継基板本体間や中継基板本体と取付基板間で発生する応
力を変形によって吸収する柔らかい金属からなるもので
あって、具体的な材質としては、鉛（Ｐｂ）やスズ（Ｓ
ｎ）、亜鉛（Ｚｎ）やこれらを主体とする合金などが挙
げられ、Ｐｂ−Ｓｎ系高温ハンダ（例えば、ｐｂ９０％
−Ｓｎ１０％合金、Ｐｂ９５％−Ｓｎ５％合金等）やホ
ワイトメタルなどが挙げられる。なお、鉛、ズス等は再
結晶温度が常温にあるので、塑性変形をしても再結晶す
る。したがって、繰り返し応力がかかっても容易に破断
（破壊）に至らないので都合がよい。その他、純度の高
い銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）も柔らかいので用いることが
できる。
【００２０】また、第１面側および第２面側ハンダ層
は、上記軟質金属体よりも相対的に融点が低いハンダ
（以下、低融点ハンダともいう）であれば良いが、両者
の融点に適度の差を持つように選択するのが好ましく、
例えば、軟質金属体としてＰｂ９０％−Ｓｎ１０％の高
温ハンダ（融点３０１℃）を用いた場合には、Ｐｂ３６
％−Ｓｎ６４％共晶ハンダ（融点１８３℃）やその近傍
の組成（Ｐｂ２０〜５０％、Ｓｎ８０〜５０％程度）の
Ｐｂ−Ｓｎ合金などを用いればよい。また、その他の成
分として、Ｉｎ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｓｂ等を適当量添加した
ものを用いても良い。また、第１面側ハンダ層と第２面
側ハンダ層とは同じ材質（あるいは同融点）のハンダを
用いても良いが、融点の異なるハンダを使い分けても良
い。即ち、第１面側ハンダ層に比較的融点の高いハンダ
を用い、第２面側ハンダ層に比較的融点の低いハンダを
用いる。あるいはこの逆とすることもできる。
は、上記軟質金属体よりも相対的に融点が低いハンダ
（以下、低融点ハンダともいう）であれば良いが、両者
の融点に適度の差を持つように選択するのが好ましく、
例えば、軟質金属体としてＰｂ９０％−Ｓｎ１０％の高
温ハンダ（融点３０１℃）を用いた場合には、Ｐｂ３６
％−Ｓｎ６４％共晶ハンダ（融点１８３℃）やその近傍
の組成（Ｐｂ２０〜５０％、Ｓｎ８０〜５０％程度）の
Ｐｂ−Ｓｎ合金などを用いればよい。また、その他の成
分として、Ｉｎ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｓｂ等を適当量添加した
ものを用いても良い。また、第１面側ハンダ層と第２面
側ハンダ層とは同じ材質（あるいは同融点）のハンダを
用いても良いが、融点の異なるハンダを使い分けても良
い。即ち、第１面側ハンダ層に比較的融点の高いハンダ
を用い、第２面側ハンダ層に比較的融点の低いハンダを
用いる。あるいはこの逆とすることもできる。
【００２１】この請求項１に記載の発明は、第１面側で
基板と、第２面側で取付基板と面接続する中継基板に関
するものである。この手段によれば、中継基板本体に貫
挿された軟質金属体が、熱膨張係数の違いなどによって
生ずる基板と取付基板あるいは基板と中継基板、中継基
板と取付基板の間に生じる応力を変形（例えば塑性変
形）によって吸収する。したがって、軟質金属体が破断
することもなく、また、基板の面接続パッドや取付基板
の面接続取付パッド（以下、これらを単にパッドともい
う）自身あるいはその近傍のハンダ（第１面側、第２面
側ハンダ）や軟質金属体が応力によって破壊あるいは破
断することがなくなる。しかも、中継基板本体が軟質金
属体から受ける応力は、中継基板本体の貫通孔壁面に対
して垂直方向から受けるので、中継基板本体自身が破壊
し難い。
基板と、第２面側で取付基板と面接続する中継基板に関
するものである。この手段によれば、中継基板本体に貫
挿された軟質金属体が、熱膨張係数の違いなどによって
生ずる基板と取付基板あるいは基板と中継基板、中継基
板と取付基板の間に生じる応力を変形（例えば塑性変
形）によって吸収する。したがって、軟質金属体が破断
することもなく、また、基板の面接続パッドや取付基板
の面接続取付パッド（以下、これらを単にパッドともい
う）自身あるいはその近傍のハンダ（第１面側、第２面
側ハンダ）や軟質金属体が応力によって破壊あるいは破
断することがなくなる。しかも、中継基板本体が軟質金
属体から受ける応力は、中継基板本体の貫通孔壁面に対
して垂直方向から受けるので、中継基板本体自身が破壊
し難い。
【００２２】さらに、軟質金属体は第１面側と第２面側
の少なくともいずれかにおいて、突出部を備えるので、
基板または取付基板と中継基板の間に生ずる応力を、こ
の突出部でより多く吸収できる。突出部は中継基板本体
の貫通孔に拘束されずに変形できるので、より多くの変
形が可能であり、容易に変形して応力を開放するからで
ある。また、中継基板本体の貫通孔に貫挿された軟質金
属体の一部を突出部としているので、軟質金属体のうち
中継基板本体の第１または第２面と交差する部分近傍
（即ち、突出部の根元部）に掛かる応力は軟質金属の変
形で緩和されるため、クラック等を生じ破断することが
ない。
の少なくともいずれかにおいて、突出部を備えるので、
基板または取付基板と中継基板の間に生ずる応力を、こ
の突出部でより多く吸収できる。突出部は中継基板本体
の貫通孔に拘束されずに変形できるので、より多くの変
形が可能であり、容易に変形して応力を開放するからで
ある。また、中継基板本体の貫通孔に貫挿された軟質金
属体の一部を突出部としているので、軟質金属体のうち
中継基板本体の第１または第２面と交差する部分近傍
（即ち、突出部の根元部）に掛かる応力は軟質金属の変
形で緩和されるため、クラック等を生じ破断することが
ない。
【００２３】さらに、軟質金属体は第１面側ハンダ層と
第２面側ハンダ層とを備えるので、面接続パッドを有す
る基板（例えばＬＧＡ型基板）と面接続取付パッドを備
える取付基板（例えばマザーボード基板）との間に介在
させ、三者を重ねてこのハンダ層を溶融すれば、一挙に
これらを接続することができる。即ち、基板と中継基板
と取付基板とからなる構造体を安価、容易に製造するこ
とができ、基板への端子取付や取付基板へのハンダペー
スト塗布などの工程が不要である。
第２面側ハンダ層とを備えるので、面接続パッドを有す
る基板（例えばＬＧＡ型基板）と面接続取付パッドを備
える取付基板（例えばマザーボード基板）との間に介在
させ、三者を重ねてこのハンダ層を溶融すれば、一挙に
これらを接続することができる。即ち、基板と中継基板
と取付基板とからなる構造体を安価、容易に製造するこ
とができ、基板への端子取付や取付基板へのハンダペー
スト塗布などの工程が不要である。
【００２４】その他、例えば、ＬＧＡ型基板のパッド
（ランド）に単にこの中継基板を取付けることで、従来
のようにパッドにハンダペーストを塗布したり、ボール
状端子を載置したりする工程を経ずに、容易にＬＧＡ型
基板にＢＧＡ型基板のような端子を持たせることができ
る。即ち、ペースト印刷や端子部材載置のための設備が
不要となる。
（ランド）に単にこの中継基板を取付けることで、従来
のようにパッドにハンダペーストを塗布したり、ボール
状端子を載置したりする工程を経ずに、容易にＬＧＡ型
基板にＢＧＡ型基板のような端子を持たせることができ
る。即ち、ペースト印刷や端子部材載置のための設備が
不要となる。
【００２５】また、中継基板と取付基板との接続におい
ても、中継基板のハンダ層を溶融して取付基板の面接続
取付パッドとを接続すれば足り、従来にように、面接続
取付パッド上にハンダペーストを塗布する必要がない。
ても、中継基板のハンダ層を溶融して取付基板の面接続
取付パッドとを接続すれば足り、従来にように、面接続
取付パッド上にハンダペーストを塗布する必要がない。
【００２６】また、貫通孔内壁面の金属層と軟質金属体
を溶着させると、金属層を介して中継基板本体を一体化
させることができる。したがって、貫通孔内に貫挿され
た軟質金属体が貫通孔から抜け落ちたり、貫通孔の軸方
向に位置ズレを起こしたりすることがない。
を溶着させると、金属層を介して中継基板本体を一体化
させることができる。したがって、貫通孔内に貫挿され
た軟質金属体が貫通孔から抜け落ちたり、貫通孔の軸方
向に位置ズレを起こしたりすることがない。
【００２７】貫通孔内に形成する金属層の材質や形成方
法は、中継基板本体の材質、貫通孔の寸法、溶着する軟
質金属体の材質等を考慮して適宜選択すればよい。特
に、中継基板本体がセラミック製である場合には、未焼
成セラミック板に貫通孔を穿孔した後、金属ペーストを
貫通孔内に塗布して同時焼成したり、セラミック板を焼
成した後に貫通孔内に金属ペースト塗布して焼き付けて
形成する手法が使用でき、例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍ
ｎ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等で形成することができ
る。また、軟質金属との溶着性の改善や酸化防止等のた
め、更に、ＮｉメッキやＡｕメッキを施すことも可能で
ある。その他、蒸着やスパッタリングによって金属層を
形成しても良く、この上に更にＮｉやＡｕメッキを施し
ても良い。また、無電解メッキによって直接貫通孔内面
に金属層を析出させる手法によっても良く、例えば、Ｃ
ｕ、Ｎｉメッキなどが挙げられる。またこれらの上にＡ
ｕメッキを施しても良い。
法は、中継基板本体の材質、貫通孔の寸法、溶着する軟
質金属体の材質等を考慮して適宜選択すればよい。特
に、中継基板本体がセラミック製である場合には、未焼
成セラミック板に貫通孔を穿孔した後、金属ペーストを
貫通孔内に塗布して同時焼成したり、セラミック板を焼
成した後に貫通孔内に金属ペースト塗布して焼き付けて
形成する手法が使用でき、例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍ
ｎ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等で形成することができ
る。また、軟質金属との溶着性の改善や酸化防止等のた
め、更に、ＮｉメッキやＡｕメッキを施すことも可能で
ある。その他、蒸着やスパッタリングによって金属層を
形成しても良く、この上に更にＮｉやＡｕメッキを施し
ても良い。また、無電解メッキによって直接貫通孔内面
に金属層を析出させる手法によっても良く、例えば、Ｃ
ｕ、Ｎｉメッキなどが挙げられる。またこれらの上にＡ
ｕメッキを施しても良い。
【００２８】さらに、前記目的を達成するための請求項
２に記載の発明は、前記軟質金属体の前記第１面側の表
面積Ｓ１と第２面側の表面積Ｓ２とが異なり、前記第１
面側ハンダ層のハンダ量Ｖ１と第２面側ハンダ層のハン
ダ量Ｖ２とを比較したときに、表面積の多い側に配設さ
れるハンダ量が多くされている請求項１に記載の中継基
板を要旨とする。したがって、不等号を用いて表すと、
軟質金属体の第１及び第２面側の表面積Ｓ１，Ｓ２およ
び第１及び第２面側ハンダ量Ｖ１，Ｖ２の関係につい
て、Ｓ１＞Ｓ２の場合に、Ｖ１＞Ｖ２とし、Ｓ１＜Ｓ２
の場合に、Ｖ１＜Ｖ２とするものである。
２に記載の発明は、前記軟質金属体の前記第１面側の表
面積Ｓ１と第２面側の表面積Ｓ２とが異なり、前記第１
面側ハンダ層のハンダ量Ｖ１と第２面側ハンダ層のハン
ダ量Ｖ２とを比較したときに、表面積の多い側に配設さ
れるハンダ量が多くされている請求項１に記載の中継基
板を要旨とする。したがって、不等号を用いて表すと、
軟質金属体の第１及び第２面側の表面積Ｓ１，Ｓ２およ
び第１及び第２面側ハンダ量Ｖ１，Ｖ２の関係につい
て、Ｓ１＞Ｓ２の場合に、Ｖ１＞Ｖ２とし、Ｓ１＜Ｓ２
の場合に、Ｖ１＜Ｖ２とするものである。
【００２９】ここで、第１面側の表面積Ｓ１とは、軟質
金属体のうち中継基板本体の第１面側に露出する部分が
有する表面積をいい、同様に第２面側の表面積Ｓ２とは
軟質金属体のうち中継基板本体の第２面側に露出する部
分が有する表面積をいう。また、ハンダ量Ｖ１とは、軟
質金属体の第１面側に配設された第１面側ハンダ層の占
める体積をいい、同様に、ハンダ量Ｖ２とは、軟質金属
体の第２面側に配設された第２面側ハンダ層の占める体
積をいう。
金属体のうち中継基板本体の第１面側に露出する部分が
有する表面積をいい、同様に第２面側の表面積Ｓ２とは
軟質金属体のうち中継基板本体の第２面側に露出する部
分が有する表面積をいう。また、ハンダ量Ｖ１とは、軟
質金属体の第１面側に配設された第１面側ハンダ層の占
める体積をいい、同様に、ハンダ量Ｖ２とは、軟質金属
体の第２面側に配設された第２面側ハンダ層の占める体
積をいう。
【００３０】表面積が多いと、この上に配設されたハン
ダ層が拡がり、同量のハンダを配設しても相対的にハン
ダ層の厚みが薄くなり、パッド（面接続パッドや面接続
取付パッド）との接続において接続に寄与するハンダ量
が不足する。このようなハンダ量不足は、不導通や接続
強度不足を招きやすい。また逆に、表面積が少ないと、
この上に配設されたハンダ層が拡がる部分が狭く、同量
のハンダを配設しても相対的にハンダ層の厚みが厚くな
り、パッド（面接続パッドや面接続取付パッド）との接
続において接続に寄与するハンダ量が過多となる。この
ようなハンダ量過多は、隣接する端子（パッド）間で短
絡を生じたり、接続強度不足を招きやすい。
ダ層が拡がり、同量のハンダを配設しても相対的にハン
ダ層の厚みが薄くなり、パッド（面接続パッドや面接続
取付パッド）との接続において接続に寄与するハンダ量
が不足する。このようなハンダ量不足は、不導通や接続
強度不足を招きやすい。また逆に、表面積が少ないと、
この上に配設されたハンダ層が拡がる部分が狭く、同量
のハンダを配設しても相対的にハンダ層の厚みが厚くな
り、パッド（面接続パッドや面接続取付パッド）との接
続において接続に寄与するハンダ量が過多となる。この
ようなハンダ量過多は、隣接する端子（パッド）間で短
絡を生じたり、接続強度不足を招きやすい。
【００３１】この手段によれば、表面積の多い側には多
い量のハンダ配設され、表面積の少ない側には少ない量
のハンダが配設されているので、中継基板を基板及び取
付基板と接続したときに、第１面側と面接続パッド、第
２面側と面接続取付パッドのハンダ接続において、適量
のハンダ量（Ｖ１，Ｖ２）を有しており、ハンダ量不足
やハンダ量過多による接続不良が生じ難く、信頼性の高
い接続が可能となる。
い量のハンダ配設され、表面積の少ない側には少ない量
のハンダが配設されているので、中継基板を基板及び取
付基板と接続したときに、第１面側と面接続パッド、第
２面側と面接続取付パッドのハンダ接続において、適量
のハンダ量（Ｖ１，Ｖ２）を有しており、ハンダ量不足
やハンダ量過多による接続不良が生じ難く、信頼性の高
い接続が可能となる。
【００３２】さらに、前記目的を達成するための請求項
３に記載の発明は、前記軟質金属体が第１突出高さＺ１
と第２突出高さＺ２とが異なり、前記第１面側ハンダ層
のハンダ量Ｖ１と第２面側ハンダ層のハンダ量Ｖ２とを
比較したときに、高さの高い突出部に配設されるハンダ
量が多くされている請求項１に記載の中継基板を要旨と
する。したがって、不等号を用いて表すと、第１及び第
２突出部の頂部までの高さＺ１、Ｚ２および第１及び第
２面側ハンダ量Ｖ１、Ｖ２の関係について、Ｚ１＞Ｚ２
の場合に、Ｖ１＞Ｖ２とし、Ｚ１＜Ｚ２の場合に、Ｖ１
＜Ｖ２とするものである。
３に記載の発明は、前記軟質金属体が第１突出高さＺ１
と第２突出高さＺ２とが異なり、前記第１面側ハンダ層
のハンダ量Ｖ１と第２面側ハンダ層のハンダ量Ｖ２とを
比較したときに、高さの高い突出部に配設されるハンダ
量が多くされている請求項１に記載の中継基板を要旨と
する。したがって、不等号を用いて表すと、第１及び第
２突出部の頂部までの高さＺ１、Ｚ２および第１及び第
２面側ハンダ量Ｖ１、Ｖ２の関係について、Ｚ１＞Ｚ２
の場合に、Ｖ１＞Ｖ２とし、Ｚ１＜Ｚ２の場合に、Ｖ１
＜Ｖ２とするものである。
【００３３】ここで、突出高さＺとは、中継基板本体表
面から突出している軟質金属体の頂部までの高さをい
い、表面と軟質金属体とが面一の場合や表面より窪んで
いるばあいには、突出高さはゼロである。即ち、第１突
出高さＺ１とは、中継基板本体第１面からこの第１面側
に突出する軟質金属体の頂部までの高さをいい、第２突
出高さＺ２とは、中継基板本体第２面からこの第２面側
に突出する軟質金属体の頂部までの高さをいう。
面から突出している軟質金属体の頂部までの高さをい
い、表面と軟質金属体とが面一の場合や表面より窪んで
いるばあいには、突出高さはゼロである。即ち、第１突
出高さＺ１とは、中継基板本体第１面からこの第１面側
に突出する軟質金属体の頂部までの高さをいい、第２突
出高さＺ２とは、中継基板本体第２面からこの第２面側
に突出する軟質金属体の頂部までの高さをいう。
【００３４】突出高さＺが高いと、この上に配設された
ハンダ層が突出部の頂部以外の側面部分にも拡がり、同
量のハンダを配設しても相対的に頂部におけるハンダ層
の厚みが薄くなり、パッド（面接続パッドや面接続取付
パッド）との接続において接続に寄与するハンダ量が不
足しやすい。このようなハンダ量不足は、不導通や接続
強度不足を招きやすい。また逆に、突出高さＺが低い
と、この上に配設されたハンダ層が拡がる側面部分が狭
く、同量のハンダを配設しても相対的に頂部におけるハ
ンダ層の厚みが厚くなり、パッド（面接続パッドや面接
続取付パッド）との接続において接続に寄与するハンダ
量が過多となりやすい。このようなハンダ量過多は、隣
接する端子（パッド）間で短絡を生じたり、接続強度不
足を招きやすい。
ハンダ層が突出部の頂部以外の側面部分にも拡がり、同
量のハンダを配設しても相対的に頂部におけるハンダ層
の厚みが薄くなり、パッド（面接続パッドや面接続取付
パッド）との接続において接続に寄与するハンダ量が不
足しやすい。このようなハンダ量不足は、不導通や接続
強度不足を招きやすい。また逆に、突出高さＺが低い
と、この上に配設されたハンダ層が拡がる側面部分が狭
く、同量のハンダを配設しても相対的に頂部におけるハ
ンダ層の厚みが厚くなり、パッド（面接続パッドや面接
続取付パッド）との接続において接続に寄与するハンダ
量が過多となりやすい。このようなハンダ量過多は、隣
接する端子（パッド）間で短絡を生じたり、接続強度不
足を招きやすい。
【００３５】この手段によれば、突出高さの高い突出部
には多い量のハンダが配設され、突出高さの低い突出部
には少ない量のハンダが配設されているので、中継基板
を基板及び取付基板と接続したときに、第１突出部と面
接続パッド、第２突出部と面接続取付パッドのハンダ接
続において、適量のハンダ量（Ｖ１，Ｖ２）を有してお
り、ハンダ量不足やハンダ量過多による接続不良や接続
強度不足が生じ難く、信頼性の高い接続が可能となる。
には多い量のハンダが配設され、突出高さの低い突出部
には少ない量のハンダが配設されているので、中継基板
を基板及び取付基板と接続したときに、第１突出部と面
接続パッド、第２突出部と面接続取付パッドのハンダ接
続において、適量のハンダ量（Ｖ１，Ｖ２）を有してお
り、ハンダ量不足やハンダ量過多による接続不良や接続
強度不足が生じ難く、信頼性の高い接続が可能となる。
【００３６】さらに、前記目的を達成するための請求項
４に記載の発明は、面接続パッドを有する基板と、該面
接続パッドと対応する位置に面接続取付パッドを有する
取付基板との間に介在させ、第１面側で該面接続パッド
と接続させ、第２面側で該面接続取付パッドと接続させ
ることにより該基板と該取付基板とを接続させるための
中継基板であって、第１面と第２面とを有する略板形状
をなし、該第１面と該第２面の間を貫通する複数の貫通
孔を有し、貫通孔内壁面に金属層を有する中継基板本体
と、該貫通孔内に貫挿され、該金属層に溶着し、該第１
面より突出した第１突出部および第２面より突出した第
２突出部のうち少なくともいずれかを備えた軟質金属体
と、該第１面側の該軟質金属体の表面上に配設され該軟
質金属体よりも低い融点を持つ第１面側ハンダ層と、を
有する中継基板を要旨とする。
４に記載の発明は、面接続パッドを有する基板と、該面
接続パッドと対応する位置に面接続取付パッドを有する
取付基板との間に介在させ、第１面側で該面接続パッド
と接続させ、第２面側で該面接続取付パッドと接続させ
ることにより該基板と該取付基板とを接続させるための
中継基板であって、第１面と第２面とを有する略板形状
をなし、該第１面と該第２面の間を貫通する複数の貫通
孔を有し、貫通孔内壁面に金属層を有する中継基板本体
と、該貫通孔内に貫挿され、該金属層に溶着し、該第１
面より突出した第１突出部および第２面より突出した第
２突出部のうち少なくともいずれかを備えた軟質金属体
と、該第１面側の該軟質金属体の表面上に配設され該軟
質金属体よりも低い融点を持つ第１面側ハンダ層と、を
有する中継基板を要旨とする。
【００３７】この手段によれば、中継基板本体に貫挿さ
れた軟質金属体が、熱膨張係数の違いなどによって生ず
る基板と取付基板あるいは基板と中継基板、中継基板と
取付基板の間に生じる応力を変形によって吸収する。し
たがって、軟質金属体が破断することもなく、また、基
板の面接続パッドや取付基板の面接続取付パッド自身あ
るいはその近傍のハンダや軟質金属体が応力によって破
壊あるいは破断することがなくなる。
れた軟質金属体が、熱膨張係数の違いなどによって生ず
る基板と取付基板あるいは基板と中継基板、中継基板と
取付基板の間に生じる応力を変形によって吸収する。し
たがって、軟質金属体が破断することもなく、また、基
板の面接続パッドや取付基板の面接続取付パッド自身あ
るいはその近傍のハンダや軟質金属体が応力によって破
壊あるいは破断することがなくなる。
【００３８】さらに、軟質金属体は第１面側と第２面側
の少なくともいずれかにおいて、突出部を備えるので、
基板または取付基板と中継基板の間に生ずる応力を、こ
の突出部でより多く吸収できる。突出部は中継基板本体
の貫通孔に拘束されずに変形できるので、より多くの変
形が可能であり、容易に変形して応力を開放するからで
ある。また、中継基板本体の貫通孔に貫挿された軟質金
属体の一部を突出部としているので、軟質金属体のうち
の中継基板本体の第１または第２面と交差する部分近傍
（即ち、突出部の根元部）に掛かる応力は軟質金属の変
形で緩和されるため、クラック等を生じ破断することが
ない。
の少なくともいずれかにおいて、突出部を備えるので、
基板または取付基板と中継基板の間に生ずる応力を、こ
の突出部でより多く吸収できる。突出部は中継基板本体
の貫通孔に拘束されずに変形できるので、より多くの変
形が可能であり、容易に変形して応力を開放するからで
ある。また、中継基板本体の貫通孔に貫挿された軟質金
属体の一部を突出部としているので、軟質金属体のうち
の中継基板本体の第１または第２面と交差する部分近傍
（即ち、突出部の根元部）に掛かる応力は軟質金属の変
形で緩和されるため、クラック等を生じ破断することが
ない。
【００３９】さらに、軟質金属体は第１面側ハンダ層を
備えるので、面接続パッドを有する基板（例えばＬＧＡ
型基板）とこの中継基板とを、面接続パッドと対応する
第１面側ハンダ層と接触するように重ねて、この第１面
側ハンダ層を溶融すれば、一挙にこれらを接続すること
ができる。即ち、例えば、ＬＧＡ型基板のパッド（ラン
ド）に単にこの中継基板を重ねて加熱するだけで足り、
従来のようにＬＧＡ型基板のパッドにハンダペーストを
塗布したり、ボール状端子を載置したりする工程を経ず
に、容易にＬＧＡ型基板にＢＧＡ型基板のような端子を
持たせることができる。したがって、ペースト印刷や端
子部材載置のための設備が不要となる。さらに、中継基
板の第２面側で取付基板と接続すれば、基板と取付基板
とを接続できたこととなる。
備えるので、面接続パッドを有する基板（例えばＬＧＡ
型基板）とこの中継基板とを、面接続パッドと対応する
第１面側ハンダ層と接触するように重ねて、この第１面
側ハンダ層を溶融すれば、一挙にこれらを接続すること
ができる。即ち、例えば、ＬＧＡ型基板のパッド（ラン
ド）に単にこの中継基板を重ねて加熱するだけで足り、
従来のようにＬＧＡ型基板のパッドにハンダペーストを
塗布したり、ボール状端子を載置したりする工程を経ず
に、容易にＬＧＡ型基板にＢＧＡ型基板のような端子を
持たせることができる。したがって、ペースト印刷や端
子部材載置のための設備が不要となる。さらに、中継基
板の第２面側で取付基板と接続すれば、基板と取付基板
とを接続できたこととなる。
【００４０】また、貫通孔内壁面の金属層と軟質金属体
を溶着させると、金属層を介して中継基板本体を一体化
させることができる。したがって、貫通孔内に貫挿され
た軟質金属体が貫通孔から抜け落ちたり、貫通孔の軸方
向に位置ズレを起こしたりすることがない。
を溶着させると、金属層を介して中継基板本体を一体化
させることができる。したがって、貫通孔内に貫挿され
た軟質金属体が貫通孔から抜け落ちたり、貫通孔の軸方
向に位置ズレを起こしたりすることがない。
【００４１】さらに、前記目的を達成するための請求項
５に記載の発明は、面接続パッドを有する基板と該面接
続パッドと対応する位置に面接続取付パッドを有する取
付基板との間に介在させ、第１面側で該面接続パッドと
接続させ、第２面側で該面接続取付パッドと接続させる
ことにより該基板と該取付基板とを接続させるための中
継基板であって、第１面と第２面とを有する略板形状を
なし、該第１面と該第２面の間を貫通する複数の貫通孔
を有し、貫通孔内壁面に金属層を有する中継基板本体
と、該貫通孔内に貫挿され、該金属層に溶着し、該第２
面より突出した第２突出部を備えた軟質金属体と、該第
１面側の該軟質金属体の表面上に配設され該軟質金属体
よりも低い融点を持つ第１面側ハンダ層と、を有する中
継基板を要旨とする。
５に記載の発明は、面接続パッドを有する基板と該面接
続パッドと対応する位置に面接続取付パッドを有する取
付基板との間に介在させ、第１面側で該面接続パッドと
接続させ、第２面側で該面接続取付パッドと接続させる
ことにより該基板と該取付基板とを接続させるための中
継基板であって、第１面と第２面とを有する略板形状を
なし、該第１面と該第２面の間を貫通する複数の貫通孔
を有し、貫通孔内壁面に金属層を有する中継基板本体
と、該貫通孔内に貫挿され、該金属層に溶着し、該第２
面より突出した第２突出部を備えた軟質金属体と、該第
１面側の該軟質金属体の表面上に配設され該軟質金属体
よりも低い融点を持つ第１面側ハンダ層と、を有する中
継基板を要旨とする。
【００４２】この手段によれば、中継基板本体に貫挿さ
れた軟質金属体が、熱膨張係数の違いなどによって生ず
る基板と取付基板あるいは基板と中継基板、中継基板と
取付基板の間に生じる応力を変形によって吸収する。し
たがって、軟質金属体が破断することもなく、また、基
板の面接続パッドや取付基板の面接続取付パッド自身あ
るいはその近傍のハンダや軟質金属体が応力によって破
壊あるいは破断することがなくなる。
れた軟質金属体が、熱膨張係数の違いなどによって生ず
る基板と取付基板あるいは基板と中継基板、中継基板と
取付基板の間に生じる応力を変形によって吸収する。し
たがって、軟質金属体が破断することもなく、また、基
板の面接続パッドや取付基板の面接続取付パッド自身あ
るいはその近傍のハンダや軟質金属体が応力によって破
壊あるいは破断することがなくなる。
【００４３】さらに、軟質金属体は第２面側において、
第２突出部を備えるので、基板または取付基板と中継基
板の間に生ずる応力を、この第２突出部でより多く吸収
できる。第２突出部は中継基板本体の貫通孔に拘束され
ずに変形できるので、より多くの変形が可能であり、容
易に変形して応力を開放するからである。また、中継基
板本体の貫通孔に貫挿された軟質金属体の一部を第２突
出部としているので、軟質金属体のうちの中継基板本体
の第２面と交差する部分近傍（即ち、第２突出部の根元
部）に掛かる応力は軟質金属の変形で緩和されるため、
クラック等を生じ破断することがない。
第２突出部を備えるので、基板または取付基板と中継基
板の間に生ずる応力を、この第２突出部でより多く吸収
できる。第２突出部は中継基板本体の貫通孔に拘束され
ずに変形できるので、より多くの変形が可能であり、容
易に変形して応力を開放するからである。また、中継基
板本体の貫通孔に貫挿された軟質金属体の一部を第２突
出部としているので、軟質金属体のうちの中継基板本体
の第２面と交差する部分近傍（即ち、第２突出部の根元
部）に掛かる応力は軟質金属の変形で緩和されるため、
クラック等を生じ破断することがない。
【００４４】さらに、軟質金属体は第１面側ハンダ層を
備えるので、面接続パッドを有する基板（例えばＬＧＡ
型基板）とこの中継基板とを、面接続パッドと対応する
第１面側ハンダ層と接触するように重ねて、この第１面
側ハンダ層を溶融すれば、一挙にこれらを接続すること
ができる。即ち、例えば、ＬＧＡ型基板のパッド（ラン
ド）に単にこの中継基板を重ねて加熱するだけで足り、
従来のようにＬＧＡ型基板のパッドにハンダペーストを
塗布したり、ボール状端子を載置したりする工程を経ず
に、容易にＬＧＡ型基板にＢＧＡ型基板のような端子を
持たせることができる。したがって、ペースト印刷や端
子部材載置のための設備が不要となる。さらに、中継基
板の第２面側で取付基板と接続すれば、基板と取付基板
とを接続できたこととなる。
備えるので、面接続パッドを有する基板（例えばＬＧＡ
型基板）とこの中継基板とを、面接続パッドと対応する
第１面側ハンダ層と接触するように重ねて、この第１面
側ハンダ層を溶融すれば、一挙にこれらを接続すること
ができる。即ち、例えば、ＬＧＡ型基板のパッド（ラン
ド）に単にこの中継基板を重ねて加熱するだけで足り、
従来のようにＬＧＡ型基板のパッドにハンダペーストを
塗布したり、ボール状端子を載置したりする工程を経ず
に、容易にＬＧＡ型基板にＢＧＡ型基板のような端子を
持たせることができる。したがって、ペースト印刷や端
子部材載置のための設備が不要となる。さらに、中継基
板の第２面側で取付基板と接続すれば、基板と取付基板
とを接続できたこととなる。
【００４５】さらに、前記目的を達成するための請求項
６に記載の発明は、面接続パッドを有する基板と該面接
続パッドと対応する位置に面接続取付パッドを有する取
付基板との間に介在させ、第１面側で該面接続パッドと
接続させ、第２面側で該面接続取付パッドと接続させる
ことにより該基板と該取付基板とを接続させるための中
継基板であって、第１面と第２面とを有する略板形状を
なし、該第１面と該第２面の間を貫通する複数の貫通孔
を有、貫通孔内壁面に金属層を有する中継基板本体と、
該貫通孔内に貫挿され、該金属層に溶着し、該第１面よ
り突出した第１突出部および第２面より突出した第２突
出部のうち少なくともいずれかを備えた軟質金属体と、
該第２面側の該軟質金属体の表面上に配設され該軟質金
属体よりも低い融点を持つ第２面側ハンダ層と、を有す
る中継基板を要旨とする。
６に記載の発明は、面接続パッドを有する基板と該面接
続パッドと対応する位置に面接続取付パッドを有する取
付基板との間に介在させ、第１面側で該面接続パッドと
接続させ、第２面側で該面接続取付パッドと接続させる
ことにより該基板と該取付基板とを接続させるための中
継基板であって、第１面と第２面とを有する略板形状を
なし、該第１面と該第２面の間を貫通する複数の貫通孔
を有、貫通孔内壁面に金属層を有する中継基板本体と、
該貫通孔内に貫挿され、該金属層に溶着し、該第１面よ
り突出した第１突出部および第２面より突出した第２突
出部のうち少なくともいずれかを備えた軟質金属体と、
該第２面側の該軟質金属体の表面上に配設され該軟質金
属体よりも低い融点を持つ第２面側ハンダ層と、を有す
る中継基板を要旨とする。
【００４６】この手段によれば、中継基板本体に貫挿さ
れた軟質金属体が、熱膨張係数の違いなどによって生ず
る基板と取付基板あるいは基板と中継基板、中継基板と
取付基板の間に生じる応力を変形によって吸収する。し
たがって、軟質金属体が破断することもなく、また、基
板の面接続パッドや取付基板の面接続取付パッド自身あ
るいはその近傍のハンダや軟質金属体が応力によって破
壊あるいは破断することがなくなる。
れた軟質金属体が、熱膨張係数の違いなどによって生ず
る基板と取付基板あるいは基板と中継基板、中継基板と
取付基板の間に生じる応力を変形によって吸収する。し
たがって、軟質金属体が破断することもなく、また、基
板の面接続パッドや取付基板の面接続取付パッド自身あ
るいはその近傍のハンダや軟質金属体が応力によって破
壊あるいは破断することがなくなる。
【００４７】さらに、軟質金属体は第１面側と第２面側
の少なくともいずれかにおいて、突出部を備えるので、
基板または取付基板と中継基板の間に生ずる応力を、こ
の突出部でより多く吸収できる。突出部は中継基板本体
の貫通孔に拘束されずに変形できるので、より多くの変
形が可能であり、容易に変形して応力を開放するからで
ある。また、中継基板本体の貫通孔に貫挿された軟質金
属体の一部を突出部としているので、軟質金属体のうち
中継基板本体の第１または第２面と交差する部分近傍
（即ち、突出部の根元部）に掛かる応力は軟質金属の変
形で緩和されるため、クラック等を生じ判断することが
ない。
の少なくともいずれかにおいて、突出部を備えるので、
基板または取付基板と中継基板の間に生ずる応力を、こ
の突出部でより多く吸収できる。突出部は中継基板本体
の貫通孔に拘束されずに変形できるので、より多くの変
形が可能であり、容易に変形して応力を開放するからで
ある。また、中継基板本体の貫通孔に貫挿された軟質金
属体の一部を突出部としているので、軟質金属体のうち
中継基板本体の第１または第２面と交差する部分近傍
（即ち、突出部の根元部）に掛かる応力は軟質金属の変
形で緩和されるため、クラック等を生じ判断することが
ない。
【００４８】さらに、軟質金属体は第２面側ハンダ層を
備えるので、この中継基板と面接続取付パッドを有する
取付基板（例えばプリント基板）とを、面接続取付パッ
ドと対応する第２面側ハンダ層と接触するように重ね
て、この第２面側ハンダ層を溶融すれば、一挙にこれら
を接続することができる。即ち、例えば、プリント基板
のパッドに単にこの中継基板を重ねて加熱するだけで足
り、従来のようにプリント基板のパッドにハンダペース
トを塗布する工程を経ずに、容易にプリント基板のパッ
ド上に端子を持たせることができる。したがって、ペー
スト印刷のための設備が不要となる。さらに、中継基板
の第１面側で基板と接続すれば、基板と取付基板とを接
続できたこととなる。
備えるので、この中継基板と面接続取付パッドを有する
取付基板（例えばプリント基板）とを、面接続取付パッ
ドと対応する第２面側ハンダ層と接触するように重ね
て、この第２面側ハンダ層を溶融すれば、一挙にこれら
を接続することができる。即ち、例えば、プリント基板
のパッドに単にこの中継基板を重ねて加熱するだけで足
り、従来のようにプリント基板のパッドにハンダペース
トを塗布する工程を経ずに、容易にプリント基板のパッ
ド上に端子を持たせることができる。したがって、ペー
スト印刷のための設備が不要となる。さらに、中継基板
の第１面側で基板と接続すれば、基板と取付基板とを接
続できたこととなる。
【００４９】また、貫通孔内壁面の金属層と軟質金属体
を溶着させると、金属層を介して中継基板本体を一体化
させることができる。したがって、貫通孔内に貫挿され
た軟質金属体が貫通孔から抜け落ちたり、貫通孔の軸方
向に位置ズレを起こしたりすることがない。
を溶着させると、金属層を介して中継基板本体を一体化
させることができる。したがって、貫通孔内に貫挿され
た軟質金属体が貫通孔から抜け落ちたり、貫通孔の軸方
向に位置ズレを起こしたりすることがない。
【００５０】さらに、前記目的を達成するための請求項
７に記載の発明は、前記第１及び第２突出部のうち、少
なくとも突出高さの高い側の突出部は、その突出高さが
その突出部の最大径よりも高い略柱状にされている請求
項１〜６に記載の中継基板を要旨とする。
７に記載の発明は、前記第１及び第２突出部のうち、少
なくとも突出高さの高い側の突出部は、その突出高さが
その突出部の最大径よりも高い略柱状にされている請求
項１〜６に記載の中継基板を要旨とする。
【００５１】突出部が略球状または略半球状である場合
には、基板あるいは取付基板との間隔を広くするために
突出高さと高くすると、同時に突出部の最大径も大きく
なるので、隣接する軟質金属体との間隔（ピッチ）によ
る制限が生じる。この手段によると、そのような制限が
なく、突出高さの高い側で基板あるいは取付基板との間
隔を広くできる。その上、突出部の径が相対的に細くな
って変形が容易になるのでより多くの応力を吸収でき
る。
には、基板あるいは取付基板との間隔を広くするために
突出高さと高くすると、同時に突出部の最大径も大きく
なるので、隣接する軟質金属体との間隔（ピッチ）によ
る制限が生じる。この手段によると、そのような制限が
なく、突出高さの高い側で基板あるいは取付基板との間
隔を広くできる。その上、突出部の径が相対的に細くな
って変形が容易になるのでより多くの応力を吸収でき
る。
【００５２】さらに、前記目的を達成するための請求項
８に記載の発明は、前記中継基板本体が、セラミックか
らなる請求項１〜７のいずれかに記載の中継基板を要旨
とする。
８に記載の発明は、前記中継基板本体が、セラミックか
らなる請求項１〜７のいずれかに記載の中継基板を要旨
とする。
【００５３】このように中継基板本体をセラミックとす
ると、中継基板本体の強度が高く、さらには耐熱性が高
いので、高強度で、リワークなどによって繰り返し加熱
されても変形等を生じない。
ると、中継基板本体の強度が高く、さらには耐熱性が高
いので、高強度で、リワークなどによって繰り返し加熱
されても変形等を生じない。
【００５４】なお、セラミックの材質としては、アルミ
ナセのほか、ムライト、窒化アルミ、ガラスセラミック
等、製造の容易さや熱伝導率、熱膨張係数の大きさ、接
続が予定されている基板や取付基板の材質等を考慮して
適宜選択すればよい。
ナセのほか、ムライト、窒化アルミ、ガラスセラミック
等、製造の容易さや熱伝導率、熱膨張係数の大きさ、接
続が予定されている基板や取付基板の材質等を考慮して
適宜選択すればよい。
【００５５】なお、金属層を有さない中継基板としても
良い。このようにすると、金属層を形成する必要が無
く、コストを下げることができる。なお、この場合に
は、中継基板本体の貫通孔に軟質金属体が溶着していな
いので、軟質金属体が貫通孔から抜け落ちるのを防止す
るため、第１面側および第２面側の少なくともいずれか
で、貫通孔より径大の突出部としておくと良い。
良い。このようにすると、金属層を形成する必要が無
く、コストを下げることができる。なお、この場合に
は、中継基板本体の貫通孔に軟質金属体が溶着していな
いので、軟質金属体が貫通孔から抜け落ちるのを防止す
るため、第１面側および第２面側の少なくともいずれか
で、貫通孔より径大の突出部としておくと良い。
【００５６】さらに、前記目的を達成するための請求項
９に記載の発明は、前記軟質金属体が、鉛（Ｐｂ）やス
ズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）やこれらを主体とする合金か
らなる請求項１〜８のいずれかに記載の中継基板を要旨
とする。
９に記載の発明は、前記軟質金属体が、鉛（Ｐｂ）やス
ズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）やこれらを主体とする合金か
らなる請求項１〜８のいずれかに記載の中継基板を要旨
とする。
【００５７】鉛（Ｐｂ）やスズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）
やこれらを主体とする合金には、Ｐｂ−Ｓｎ系高温ハン
ダ（例えば、Ｐｂ９０％−Ｓｎ１０％合金、Ｐｂ９５％
−Ｓｎ５％合金等）やホワイトメタルなどが挙げられ
る。なお、鉛、ズス等は再結晶温度が常温にあるので、
塑性変形をしても再結晶する。したがって、繰り返し応
力がかかっても容易に破断（破壊）に至らないので都合
がよい。
やこれらを主体とする合金には、Ｐｂ−Ｓｎ系高温ハン
ダ（例えば、Ｐｂ９０％−Ｓｎ１０％合金、Ｐｂ９５％
−Ｓｎ５％合金等）やホワイトメタルなどが挙げられ
る。なお、鉛、ズス等は再結晶温度が常温にあるので、
塑性変形をしても再結晶する。したがって、繰り返し応
力がかかっても容易に破断（破壊）に至らないので都合
がよい。
【００５８】さらに、前記目的を達成するための請求項
１０に記載の発明は、請求項１〜９のいずれかに記載の
中継基板の製造方法であって、前記中継基板本体の前記
貫通孔に、前記第１面側または第２面側のいずれかから
溶融した軟質金属を注入して、前記貫通孔内壁面の金属
層に溶着する前記軟質金属体を形成する工程を有する中
継基板の製造方法を要旨とする。
１０に記載の発明は、請求項１〜９のいずれかに記載の
中継基板の製造方法であって、前記中継基板本体の前記
貫通孔に、前記第１面側または第２面側のいずれかから
溶融した軟質金属を注入して、前記貫通孔内壁面の金属
層に溶着する前記軟質金属体を形成する工程を有する中
継基板の製造方法を要旨とする。
【００５９】この手段によれば、中継基板本体の貫通孔
に第１面側または第２面側のいずれかから溶融した軟質
金属を注入して、前記貫通孔内壁面の金属層に溶着する
軟質金属体を形成するので、容易に軟質金属体を形成で
きる。しかも、貫通孔内壁面の金属層と軟質金属体を溶
着させると、金属層を介して中継基板本体を一体化させ
ることができる。
に第１面側または第２面側のいずれかから溶融した軟質
金属を注入して、前記貫通孔内壁面の金属層に溶着する
軟質金属体を形成するので、容易に軟質金属体を形成で
きる。しかも、貫通孔内壁面の金属層と軟質金属体を溶
着させると、金属層を介して中継基板本体を一体化させ
ることができる。
【００６０】さらに、前記目的を達成するための請求項
１１に記載の発明は、請求項１０に記載の中継基板の製
造方法であって、前記中継基板本体の下側に、溶融した
軟質金属に濡れない材質からなり、前記貫通孔に対応し
た位置にそれぞれ凹部を有する溶融軟質金属受け治具を
配置する工程と、前記貫通孔に注入された溶融軟質金属
を少なくとも該凹部および貫通孔内に保持し、その後、
溶融軟質金属を冷却し、凝固させる工程と、を有する中
継基板の製造方法を要旨とする。
１１に記載の発明は、請求項１０に記載の中継基板の製
造方法であって、前記中継基板本体の下側に、溶融した
軟質金属に濡れない材質からなり、前記貫通孔に対応し
た位置にそれぞれ凹部を有する溶融軟質金属受け治具を
配置する工程と、前記貫通孔に注入された溶融軟質金属
を少なくとも該凹部および貫通孔内に保持し、その後、
溶融軟質金属を冷却し、凝固させる工程と、を有する中
継基板の製造方法を要旨とする。
【００６１】この手段によれば、貫通孔内に注入された
軟質金属は、中継基板本体の下側の溶融軟質金属受け治
具の各凹部及び貫通孔内に保持され、その後の冷却して
凝固させることで、貫通孔に貫挿された突出部を有する
軟質金属体を有する中継基板が容易に形成される。
軟質金属は、中継基板本体の下側の溶融軟質金属受け治
具の各凹部及び貫通孔内に保持され、その後の冷却して
凝固させることで、貫通孔に貫挿された突出部を有する
軟質金属体を有する中継基板が容易に形成される。
【００６２】また、この手段によれば、各凹部の形状や
凹部の体積と注入される軟質金属の体積との違いなどに
より、突出部の形状等を任意に変化させることができ
る。即ち、例えば、軟質金属の体積が治具の凹部の体積
と中継基板本体の貫通孔の体積との和よりも多い場合に
は、溶融した軟質金属は貫通孔の上端面から溢れ、その
表面張力により略半球あるいは略球状の盛り上がりとな
り、凝固後もその形状の突出部となる。一方、凹部内の
軟質金属は、凝固後には略凹部の形状に倣った形状の突
出部となる。
凹部の体積と注入される軟質金属の体積との違いなどに
より、突出部の形状等を任意に変化させることができ
る。即ち、例えば、軟質金属の体積が治具の凹部の体積
と中継基板本体の貫通孔の体積との和よりも多い場合に
は、溶融した軟質金属は貫通孔の上端面から溢れ、その
表面張力により略半球あるいは略球状の盛り上がりとな
り、凝固後もその形状の突出部となる。一方、凹部内の
軟質金属は、凝固後には略凹部の形状に倣った形状の突
出部となる。
【００６３】また、軟質金属の体積と凹部の体積および
貫通孔の体積の和とがほぼ等しい場合には、溶融した軟
質金属は貫通孔の上端面と略面一の高さまで充填され、
貫通孔の上面側には突出部は形成されず、凹部内の軟質
金属は突出部を形成する。さらに、軟質金属の体積が凹
部の体積と貫通孔の体積との和より少ない場合には、軟
質金属が貫通孔内壁面の金属層に濡れる場合など軟質金
属が中継基板本体と一体となるようにしておけば、側面
は凹部の側壁の形状に倣い、下端即ち、突出部の頂部は
略半球状となった突出部が、凹部内で形成されることと
なる。
貫通孔の体積の和とがほぼ等しい場合には、溶融した軟
質金属は貫通孔の上端面と略面一の高さまで充填され、
貫通孔の上面側には突出部は形成されず、凹部内の軟質
金属は突出部を形成する。さらに、軟質金属の体積が凹
部の体積と貫通孔の体積との和より少ない場合には、軟
質金属が貫通孔内壁面の金属層に濡れる場合など軟質金
属が中継基板本体と一体となるようにしておけば、側面
は凹部の側壁の形状に倣い、下端即ち、突出部の頂部は
略半球状となった突出部が、凹部内で形成されることと
なる。
【００６４】なお、溶融軟質金属受け治具の材質として
は、溶融した軟質金属に濡れない性質を有し、耐熱性の
ある材料から適宜選択すればよいが、例えば、カーボン
や窒化ホウ素などを用いれば、凹部などの工作も容易で
ある。また、耐熱性の高いアルミナ、ムライト、窒化珪
素等のセラミックを用いても良い。
は、溶融した軟質金属に濡れない性質を有し、耐熱性の
ある材料から適宜選択すればよいが、例えば、カーボン
や窒化ホウ素などを用いれば、凹部などの工作も容易で
ある。また、耐熱性の高いアルミナ、ムライト、窒化珪
素等のセラミックを用いても良い。
【００６５】さらに、前記目的を達成するための請求項
１２に記載の発明は、請求項１０または１１に記載の中
継基板の製造方法であって、所定形状の軟質金属からな
る金属片を該貫通孔の前記第１面側または第２面側端部
に載置する工程と、その後加熱して該金属片を溶融し、
該貫通孔に溶融した軟質金属を流動させて注入せしめる
工程と、を有する中継基板の製造方法を要旨とする。
１２に記載の発明は、請求項１０または１１に記載の中
継基板の製造方法であって、所定形状の軟質金属からな
る金属片を該貫通孔の前記第１面側または第２面側端部
に載置する工程と、その後加熱して該金属片を溶融し、
該貫通孔に溶融した軟質金属を流動させて注入せしめる
工程と、を有する中継基板の製造方法を要旨とする。
【００６６】この手段によれば、貫通孔に軟質金属を注
入するにあたり、所定形状の軟質金属からなる金属片を
貫通孔の第１面側または第２面側端部に載置し、その後
加熱して金属片を溶融させ貫通孔に溶融した軟質金属を
流動させて注入する。したがって、載置した軟質金属を
加熱して溶融すればよいので、溶融した軟質金属を取り
扱う必要がない。また、加熱によって各貫通孔に溶融し
た軟質金属を一挙に注入することができるので、容易に
中継基板を形成できる。さらに、注入される軟質金属の
体積は、所定形状を有する金属片の体積となるので一定
となり、軟質金属体の寸法を容易に一定とすることがで
きる。したがって、突出部の高さや形状についても一定
となり、基板や取付基板との接続性の高い中継基板とす
ることができる。
入するにあたり、所定形状の軟質金属からなる金属片を
貫通孔の第１面側または第２面側端部に載置し、その後
加熱して金属片を溶融させ貫通孔に溶融した軟質金属を
流動させて注入する。したがって、載置した軟質金属を
加熱して溶融すればよいので、溶融した軟質金属を取り
扱う必要がない。また、加熱によって各貫通孔に溶融し
た軟質金属を一挙に注入することができるので、容易に
中継基板を形成できる。さらに、注入される軟質金属の
体積は、所定形状を有する金属片の体積となるので一定
となり、軟質金属体の寸法を容易に一定とすることがで
きる。したがって、突出部の高さや形状についても一定
となり、基板や取付基板との接続性の高い中継基板とす
ることができる。
【００６７】ここで、所定形状の軟質金属からなる金属
片は、一定形状であり一定の体積を有する金属片を用い
れば良く、形状そのものは、球状、立方体状等いずれの
形状でも良い。金属片は溶融させるので、溶融前の形状
は問わないからである。
片は、一定形状であり一定の体積を有する金属片を用い
れば良く、形状そのものは、球状、立方体状等いずれの
形状でも良い。金属片は溶融させるので、溶融前の形状
は問わないからである。
【００６８】さらに、前記目的を達成するための請求項
１３に記載の発明は、前記金属片は、球形状の軟質金属
である請求項１２に記載の中継基板の製造方法を要旨と
する。
１３に記載の発明は、前記金属片は、球形状の軟質金属
である請求項１２に記載の中継基板の製造方法を要旨と
する。
【００６９】この手段によれば、所定形状の金属片とし
て球状の金属片を用いるので、その直径を管理して一定
の直径を有する球状の金属片を用いることで、その体積
が一定にできて好ましい。また、球状の金属片は入手も
容易である。さらに、この場合には、軟質金属球を貫通
孔の端部に載置するに場合にも、載置のしかたに方向性
がないので載置が容易にできる。また、複数の球状の軟
質金属（軟質金属球）を中継基板本体上にばらまいた後
に傾けるなどして適当に揺動させると、中継基板本体の
貫通孔にはまった軟質金属球は動かなくなり、貫通孔に
はまらなかった軟質金属球は中継基板本体を傾けること
で容易に除去できるので、軟質金属球の載置も容易とな
る。
て球状の金属片を用いるので、その直径を管理して一定
の直径を有する球状の金属片を用いることで、その体積
が一定にできて好ましい。また、球状の金属片は入手も
容易である。さらに、この場合には、軟質金属球を貫通
孔の端部に載置するに場合にも、載置のしかたに方向性
がないので載置が容易にできる。また、複数の球状の軟
質金属（軟質金属球）を中継基板本体上にばらまいた後
に傾けるなどして適当に揺動させると、中継基板本体の
貫通孔にはまった軟質金属球は動かなくなり、貫通孔に
はまらなかった軟質金属球は中継基板本体を傾けること
で容易に除去できるので、軟質金属球の載置も容易とな
る。
【００７０】さらに、前記目的を達成するための請求項
１４に記載の発明は、請求項１０〜１３のいずれかに記
載の中継基板の製造方法であって、前記軟質金属体に対
応した位置にペースト充填孔を有する転写板の該ペース
ト充填孔に該軟質金属体よりも低い融点を有するハンダ
ペーストを充填する工程と、前記第１面および第２面側
の少なくともいずれかにおいて、軟質金属体の位置にペ
ースト充填孔を合わせつつ中継基板と転写板とを重ねる
工程と、該軟質金属体の融点よりも低い温度で該ハンダ
ペーストを溶融させ、該第１面および第２面側の少なく
ともいずれかの該軟質金属体の表面上に前記第１面側ハ
ンダ層および第２面側ハンダ層の少なくともいずれかを
形成する工程と、を含む中継基板の製造方法を要旨とす
る。
１４に記載の発明は、請求項１０〜１３のいずれかに記
載の中継基板の製造方法であって、前記軟質金属体に対
応した位置にペースト充填孔を有する転写板の該ペース
ト充填孔に該軟質金属体よりも低い融点を有するハンダ
ペーストを充填する工程と、前記第１面および第２面側
の少なくともいずれかにおいて、軟質金属体の位置にペ
ースト充填孔を合わせつつ中継基板と転写板とを重ねる
工程と、該軟質金属体の融点よりも低い温度で該ハンダ
ペーストを溶融させ、該第１面および第２面側の少なく
ともいずれかの該軟質金属体の表面上に前記第１面側ハ
ンダ層および第２面側ハンダ層の少なくともいずれかを
形成する工程と、を含む中継基板の製造方法を要旨とす
る。
【００７１】この手段によれば、転写板を使用し、一
旦、転写板のペースト充填孔にハンダペーストを充填し
ておき、中継基板の第１面および第２面側の少なくとも
いずれかにおいて、この転写板をそれぞれ重ね、軟質金
属体の位置に合わせつつ中継基板に転写板を重ねる。つ
いで、軟質金属体の融点よりも低い温度でハンダペース
トを溶融させ、一挙にハンダ層を第１面および第２面側
の少なくともいずれかの軟質金属体の表面上に形成す
る。
旦、転写板のペースト充填孔にハンダペーストを充填し
ておき、中継基板の第１面および第２面側の少なくとも
いずれかにおいて、この転写板をそれぞれ重ね、軟質金
属体の位置に合わせつつ中継基板に転写板を重ねる。つ
いで、軟質金属体の融点よりも低い温度でハンダペース
トを溶融させ、一挙にハンダ層を第１面および第２面側
の少なくともいずれかの軟質金属体の表面上に形成す
る。
【００７２】一般に、凸部や凹部に確実に、しかも均一
厚さ（均一量）で、ペーストを塗布するのは困難であ
る。したがって、ハンダペーストを一旦転写板のペース
ト充填孔に充填し、その充填したペーストを溶融しつつ
軟質金属体に移せば、容易にハンダ層を軟質金属体表面
に一挙に形成することができる。この場合には、転写板
の厚さやペースト充填孔の大きさ（直径等）でペースト
充填量をコントロールできるので、所望のハンダ量を有
するハンダ層を容易に形成できる。したがって、ハンダ
層の高さを一定にすることができ、基板や取付基板との
良好な接続性を得ることができる。また、ハンダペース
トを充填した転写板を中継基板に重ね、加熱するだけで
足りるので、転写前には転写板と中継基板とを別々に取
り扱うことができ、取り扱いが容易である。
厚さ（均一量）で、ペーストを塗布するのは困難であ
る。したがって、ハンダペーストを一旦転写板のペース
ト充填孔に充填し、その充填したペーストを溶融しつつ
軟質金属体に移せば、容易にハンダ層を軟質金属体表面
に一挙に形成することができる。この場合には、転写板
の厚さやペースト充填孔の大きさ（直径等）でペースト
充填量をコントロールできるので、所望のハンダ量を有
するハンダ層を容易に形成できる。したがって、ハンダ
層の高さを一定にすることができ、基板や取付基板との
良好な接続性を得ることができる。また、ハンダペース
トを充填した転写板を中継基板に重ね、加熱するだけで
足りるので、転写前には転写板と中継基板とを別々に取
り扱うことができ、取り扱いが容易である。
【００７３】なお、転写板は、ハンダに濡れず、耐熱性
のある材料で形成すればよいが、例えば、ステンレスな
どの金属、カーボン、あるいは窒化ホウ素、アルミナ等
のセラミックなどで形成すればよい。
のある材料で形成すればよいが、例えば、ステンレスな
どの金属、カーボン、あるいは窒化ホウ素、アルミナ等
のセラミックなどで形成すればよい。
【００７４】また、ペースト充填孔は、貫通孔としても
凹孔（めくら孔）としても良い。ペースト充填孔を貫通
孔とした場合には、転写板の構造が容易であり、例えば
打ち抜きやエッチング等で容易に製造できる。一方、凹
孔とすると、ペーストの保持が容易、確実にできる。ま
た、凹孔の深さを適切にすると、ハンダ層の頂部を平坦
にでき、基板等をの接続性をより良好にすることができ
る。なお、ハンダ層を形成する方法としては、その他
に、軟質金属体よりも低い融点を持つハンダを溶融させ
た溶融ハンダ槽にディップする方法などを採用できる。
凹孔（めくら孔）としても良い。ペースト充填孔を貫通
孔とした場合には、転写板の構造が容易であり、例えば
打ち抜きやエッチング等で容易に製造できる。一方、凹
孔とすると、ペーストの保持が容易、確実にできる。ま
た、凹孔の深さを適切にすると、ハンダ層の頂部を平坦
にでき、基板等をの接続性をより良好にすることができ
る。なお、ハンダ層を形成する方法としては、その他
に、軟質金属体よりも低い融点を持つハンダを溶融させ
た溶融ハンダ槽にディップする方法などを採用できる。
【００７５】さらに、前記目的を達成するための請求項
１５に記載の発明は、請求項１０〜１３のいずれかに記
載の中継基板の製造方法であって、ハンダに濡れない材
質か らなり前記軟質金属体に対応した位置にそれぞれ透
孔を有するハンダ片位置規制板の該透孔を、前記第１面
および第２面側のいずれかの軟質金属体の位置に合わせ
つつ中継基板とハンダ片位置規制板とを重ねる工程と、
該ハンダ片位置規制板の透孔中にそれぞれハンダ片を配
置する工程と、該軟質金属体の融点よりも低い温度で該
ハンダ片を溶融させ、該第１面および第２面側のいずれ
かの該軟質金属体の表面上に前記第１面側ハンダ層およ
び第２面側ハンダ層のいずれかを形成する工程と、を有
する中継基板の製造方法を要旨とする。
１５に記載の発明は、請求項１０〜１３のいずれかに記
載の中継基板の製造方法であって、ハンダに濡れない材
質か らなり前記軟質金属体に対応した位置にそれぞれ透
孔を有するハンダ片位置規制板の該透孔を、前記第１面
および第２面側のいずれかの軟質金属体の位置に合わせ
つつ中継基板とハンダ片位置規制板とを重ねる工程と、
該ハンダ片位置規制板の透孔中にそれぞれハンダ片を配
置する工程と、該軟質金属体の融点よりも低い温度で該
ハンダ片を溶融させ、該第１面および第２面側のいずれ
かの該軟質金属体の表面上に前記第１面側ハンダ層およ
び第２面側ハンダ層のいずれかを形成する工程と、を有
する中継基板の製造方法を要旨とする。
【００７６】一般に、凸部や凹部に確実に、しかも均一
量のハンダ層を形成するのは困難である。この手段によ
れば、透孔中にハンダ片を配置し、その後ハンダ片を溶
融させればハンダ層が一挙に形成できる。しかも、ハン
ダ片の寸法でハンダ量をコントロールできるので、所望
のハンダ量を有するハンダ層を容易に形成できる。した
がって、ハンダ層の高さを一定にすることができ、基板
や取付基板との良好な接続性を得ることができる。ここ
で、所定形状のハンダ片は、一定形状であり一定の体積
を有するハンダ片を用いれば良く、形状そのものは、球
状、立方体状等いずれの形状でも良い。ハンダ片は溶融
させるので、溶融前の形状は問わないからである。
量のハンダ層を形成するのは困難である。この手段によ
れば、透孔中にハンダ片を配置し、その後ハンダ片を溶
融させればハンダ層が一挙に形成できる。しかも、ハン
ダ片の寸法でハンダ量をコントロールできるので、所望
のハンダ量を有するハンダ層を容易に形成できる。した
がって、ハンダ層の高さを一定にすることができ、基板
や取付基板との良好な接続性を得ることができる。ここ
で、所定形状のハンダ片は、一定形状であり一定の体積
を有するハンダ片を用いれば良く、形状そのものは、球
状、立方体状等いずれの形状でも良い。ハンダ片は溶融
させるので、溶融前の形状は問わないからである。
【００７７】但し、ハンダ片として球状のハンダ片を用
いるのがより好ましい。その直径を管理して一定の直径
を有する球状のハンダ片を用いることで、その体積が一
定にできるからである。さらに、この場合には、ハンダ
球を透孔内に配置するに場合にも、配置のしかたに方向
性がないので配置が容易にできる。また、複数のハンダ
球をハンダ片位置規制板上にばらまいて適当に揺動させ
ると、透孔内に落ち込んだハンダ球は動かなくなり、透
孔内に落ちなかったハンダ球はハンダ片位置規制板を傾
けることで容易に除去できるので、ハンダ片（ハンダ
球）の透孔内への配置も容易となる。
いるのがより好ましい。その直径を管理して一定の直径
を有する球状のハンダ片を用いることで、その体積が一
定にできるからである。さらに、この場合には、ハンダ
球を透孔内に配置するに場合にも、配置のしかたに方向
性がないので配置が容易にできる。また、複数のハンダ
球をハンダ片位置規制板上にばらまいて適当に揺動させ
ると、透孔内に落ち込んだハンダ球は動かなくなり、透
孔内に落ちなかったハンダ球はハンダ片位置規制板を傾
けることで容易に除去できるので、ハンダ片（ハンダ
球）の透孔内への配置も容易となる。
【００７８】なお、ハンダ片位置規制板は、ハンダに濡
れず、耐熱性のある材料で形成すればよいが、例えば、
ステンレスなどの金属、カーボン、あるいは窒化ホウ
素、アルミナ等のセラミックなどで形成すればよい。
れず、耐熱性のある材料で形成すればよいが、例えば、
ステンレスなどの金属、カーボン、あるいは窒化ホウ
素、アルミナ等のセラミックなどで形成すればよい。
【００７９】さらに、前記目的を達成するための請求項
１６に記載の発明は、前記基板と請求項１〜３のいずれ
かに記載の中継基板と前記取付基板とを重ねる工程と、
この三者を前記軟質金属体の融点より低い温度に加熱し
て前記第１および第２面側ハンダ層を溶融させ、該基板
の面接続パッドと対応する該中継基板の第１面側ハンダ
層とを接続させ、かつ該中継基板の第２面側ハンダ層と
対応する該取付基板の面接続取付パッドとを接続させる
工程と、を有する基板と中継基板と取付基板とからなる
構造体の製造方法を要旨とする。
１６に記載の発明は、前記基板と請求項１〜３のいずれ
かに記載の中継基板と前記取付基板とを重ねる工程と、
この三者を前記軟質金属体の融点より低い温度に加熱し
て前記第１および第２面側ハンダ層を溶融させ、該基板
の面接続パッドと対応する該中継基板の第１面側ハンダ
層とを接続させ、かつ該中継基板の第２面側ハンダ層と
対応する該取付基板の面接続取付パッドとを接続させる
工程と、を有する基板と中継基板と取付基板とからなる
構造体の製造方法を要旨とする。
【００８０】この手段によれば、基板と中継基板と取付
基板とを重ね、この三者を加熱して第１、第２面側ハン
ダ層を溶融させることで、一挙に基板の面接続パッドと
対応する中継基板の第１面側ハンダ層とを接続させ、中
継基板の第２面側ハンダ層と対応する該取付基板の面接
続取付パッドとを接続させる。したがって、基板と取付
基板の間に、中継基板を介在させて加熱すれば、従来の
ように基板や取付基板のパッド上にハンダペーストを塗
布したり、１つずつボール状端子を載置したりする必要
はなく、一挙に三者を接続することができる。したがっ
て、例えばＩＣチップメーカが、ＬＧＡ型基板をＢＧＡ
型基板にするための設備を持つ必要はなく、またユーザ
はプリント基板にハンダペーストを塗布する設備や工程
を省略できる。
基板とを重ね、この三者を加熱して第１、第２面側ハン
ダ層を溶融させることで、一挙に基板の面接続パッドと
対応する中継基板の第１面側ハンダ層とを接続させ、中
継基板の第２面側ハンダ層と対応する該取付基板の面接
続取付パッドとを接続させる。したがって、基板と取付
基板の間に、中継基板を介在させて加熱すれば、従来の
ように基板や取付基板のパッド上にハンダペーストを塗
布したり、１つずつボール状端子を載置したりする必要
はなく、一挙に三者を接続することができる。したがっ
て、例えばＩＣチップメーカが、ＬＧＡ型基板をＢＧＡ
型基板にするための設備を持つ必要はなく、またユーザ
はプリント基板にハンダペーストを塗布する設備や工程
を省略できる。
【００８１】さらに、前記目的を達成するための請求項
１７に記載の発明は、前記基板と請求項１〜５のいずれ
かに記載の中継基板とを重ねる工程と、両者を加熱して
前記軟質金属体の融点より低い温度で前記第１面側ハン
ダ層を溶融させ、該基板の面接続パッドと対応する該中
継基板の第１面側ハンダ層とを接続させる工程と、を有
する基板と中継基板の接続体の製造方法を要旨とする。
１７に記載の発明は、前記基板と請求項１〜５のいずれ
かに記載の中継基板とを重ねる工程と、両者を加熱して
前記軟質金属体の融点より低い温度で前記第１面側ハン
ダ層を溶融させ、該基板の面接続パッドと対応する該中
継基板の第１面側ハンダ層とを接続させる工程と、を有
する基板と中継基板の接続体の製造方法を要旨とする。
【００８２】この手段によれば、基板と中継基板とを重
ね、両者を加熱して第１面側ハンダ層を溶融させること
で、一挙に基板の面接続パッドと対応する中継基板の第
１面側ハンダ層とを接続させる。つまり、基板と中継基
板と重ねて加熱すれば、従来のように基板のパッド上に
ハンダペーストを塗布したり、１つずつボール状端子を
載置したりする必要はなく、一挙に基板と中継基板を接
続して基板に端子を形成したのと同様に取付け基板と接
続できるようにすることができる。したがって、例えば
ＩＣチップメーカが、ＬＧＡ型基板をＢＧＡ型基板にす
るための設備を持つ必要はなくなる。
ね、両者を加熱して第１面側ハンダ層を溶融させること
で、一挙に基板の面接続パッドと対応する中継基板の第
１面側ハンダ層とを接続させる。つまり、基板と中継基
板と重ねて加熱すれば、従来のように基板のパッド上に
ハンダペーストを塗布したり、１つずつボール状端子を
載置したりする必要はなく、一挙に基板と中継基板を接
続して基板に端子を形成したのと同様に取付け基板と接
続できるようにすることができる。したがって、例えば
ＩＣチップメーカが、ＬＧＡ型基板をＢＧＡ型基板にす
るための設備を持つ必要はなくなる。
【００８３】なお、上記手段において、第１面側ハンダ
層を溶融させ、基板と中継基板とを接続させた工程の後
に、更に、第２面側の軟質金属体の表面上に第１面側ハ
ンダ層よりも低融点の第２面側ハンダ層を形成する工程
を設けても良い。このような第２面側ハンダ層が形成さ
れた基板と中継基板の接続体を用いれば、取付基板と接
続する際に、取付基板のパッド上にハンダペーストを塗
布する必要がなくなる上に、第１面側ハンダ層を溶融さ
せずに第２面側ハンダ層を溶融させて接続体と取付基板
を接続できる。
層を溶融させ、基板と中継基板とを接続させた工程の後
に、更に、第２面側の軟質金属体の表面上に第１面側ハ
ンダ層よりも低融点の第２面側ハンダ層を形成する工程
を設けても良い。このような第２面側ハンダ層が形成さ
れた基板と中継基板の接続体を用いれば、取付基板と接
続する際に、取付基板のパッド上にハンダペーストを塗
布する必要がなくなる上に、第１面側ハンダ層を溶融さ
せずに第２面側ハンダ層を溶融させて接続体と取付基板
を接続できる。
【００８４】さらに、前記目的を達成するための請求項
１８に記載の発明は、請求項１〜３、６のいずれかに記
載の中継基板と前記取付基板とを重ねる工程と、両者を
加熱して前記軟質金属体の融点より低い温度で前記第２
面側ハンダ層を溶融させ、該中継基板の第２面側ハンダ
層と対応する該取付基板の面接続取付パッドとを接続さ
せる工程と、を有する中継基板と取付基板の接続体の製
造方法を要旨とする。
１８に記載の発明は、請求項１〜３、６のいずれかに記
載の中継基板と前記取付基板とを重ねる工程と、両者を
加熱して前記軟質金属体の融点より低い温度で前記第２
面側ハンダ層を溶融させ、該中継基板の第２面側ハンダ
層と対応する該取付基板の面接続取付パッドとを接続さ
せる工程と、を有する中継基板と取付基板の接続体の製
造方法を要旨とする。
【００８５】この手段によれば、中継基板と取付基板と
を重ね、両者を加熱して第２面側ハンダ層を溶融させる
ことで、一挙に中継基板の第２面側ハンダ層と対応する
該取付基板の面接続取付パッドとを接続させる。したが
って、中継基板と取付基板とを重ねて加熱すれば、従来
のように取付基板のパッド上にハンダペーストを塗布す
る必要はなく、一挙に中継基板と取付基板とを接続する
ことができる。したがって、ユーザはプリント基板にハ
ンダペーストを塗布する設備や工程を省略できる。
を重ね、両者を加熱して第２面側ハンダ層を溶融させる
ことで、一挙に中継基板の第２面側ハンダ層と対応する
該取付基板の面接続取付パッドとを接続させる。したが
って、中継基板と取付基板とを重ねて加熱すれば、従来
のように取付基板のパッド上にハンダペーストを塗布す
る必要はなく、一挙に中継基板と取付基板とを接続する
ことができる。したがって、ユーザはプリント基板にハ
ンダペーストを塗布する設備や工程を省略できる。
【００８６】なお、上記手段において、第２面側ハンダ
層を溶融させ、中継基板と取付基板とを接続させた工程
の後に、更に、第１面側の軟質金属体の表面上に第２面
側ハンダ層よりも低融点の第１面側ハンダ層を形成する
工程を設けても良い。このような第１面側ハンダ層が形
成された中継基板と取付基板の接続体を用いれば、基板
と接続する際に、基板のパッド上にハンダペーストを塗
布する必要がなくなる上に、第２面側ハンダ層を溶融さ
せずに第１面側ハンダ層を溶融させて接続体と基板を接
続できる。
層を溶融させ、中継基板と取付基板とを接続させた工程
の後に、更に、第１面側の軟質金属体の表面上に第２面
側ハンダ層よりも低融点の第１面側ハンダ層を形成する
工程を設けても良い。このような第１面側ハンダ層が形
成された中継基板と取付基板の接続体を用いれば、基板
と接続する際に、基板のパッド上にハンダペーストを塗
布する必要がなくなる上に、第２面側ハンダ層を溶融さ
せずに第１面側ハンダ層を溶融させて接続体と基板を接
続できる。
【００８７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
しつつ説明する。 （実施形態１） 以下では、まず中継基板の製造方法について図１〜５を
参照しつつ説明する。まず、周知のセラミックグリーン
シート形成技術によって、貫通孔Ｈを有するアルミナセ
ラミックグリーンシートＧを用意する。このシートＧの
貫通孔Ｈの内周面Ｈ１に、図１(a)に示すように、タン
グステンペーストＰを塗布する。
しつつ説明する。 （実施形態１） 以下では、まず中継基板の製造方法について図１〜５を
参照しつつ説明する。まず、周知のセラミックグリーン
シート形成技術によって、貫通孔Ｈを有するアルミナセ
ラミックグリーンシートＧを用意する。このシートＧの
貫通孔Ｈの内周面Ｈ１に、図１(a)に示すように、タン
グステンペーストＰを塗布する。
【００８８】次いで、このシートＧを還元雰囲気中で最
高温度約１５５０℃にて焼成し、図１(b)に示すような
セラミック製中継基板本体１およびタングステンを主成
分とする下地金属層２を形成する。焼成後の中継基板本
体（以下、本体ともいう）１は、厚さ０．３ｍｍで、一
辺２５ｍｍの略正方板形状を有し、第１面１ａと第２面
１ｂとの間を貫通する貫通孔Ｈの内径はφ０．８ｍｍ
で、１．２７ｍｍのピッチで格子状に、縦横各１９ヶ、
計３６１ヶ（=19×19）の貫通孔が形成されている。ま
た、下地金属層２の厚さは約１０μｍである。
高温度約１５５０℃にて焼成し、図１(b)に示すような
セラミック製中継基板本体１およびタングステンを主成
分とする下地金属層２を形成する。焼成後の中継基板本
体（以下、本体ともいう）１は、厚さ０．３ｍｍで、一
辺２５ｍｍの略正方板形状を有し、第１面１ａと第２面
１ｂとの間を貫通する貫通孔Ｈの内径はφ０．８ｍｍ
で、１．２７ｍｍのピッチで格子状に、縦横各１９ヶ、
計３６１ヶ（=19×19）の貫通孔が形成されている。ま
た、下地金属層２の厚さは約１０μｍである。
【００８９】さらに、この下地金属層２上に、図１(c)
に示すように、厚さ約２μｍの無電解Ｎｉ−Ｂメッキ層
３を形成して、両者で後述するように軟質金属を溶着す
る金属層４を形成する。さらに、Ｎｉ−Ｂメッキ層３の
酸化防止のため、厚さ０．１μｍの無電解金メッキ層５
を形成する。
に示すように、厚さ約２μｍの無電解Ｎｉ−Ｂメッキ層
３を形成して、両者で後述するように軟質金属を溶着す
る金属層４を形成する。さらに、Ｎｉ−Ｂメッキ層３の
酸化防止のため、厚さ０．１μｍの無電解金メッキ層５
を形成する。
【００９０】次いで、図２(a)に示すように、それぞれ
の貫通孔Ｈの位置に対応させて半径０．４５ｍｍの半球
状の凹部Ｊ１が図中上面に形成してあり、カーボンから
なる溶融軟質金属受け治具（以下、受け治具ともいう）
Ｊを用意し、中継基板本体１の第２面１ｂと治具Ｊの上
面が対向し、貫通孔Ｈが凹部Ｊ１と一致するように本体
１を載置する。カーボンからなる溶融軟質金属受け治具
Ｊは、後述する高温ハンダなどの溶融金属に濡れにくい
性質を有するものである。なお、受け治具Ｊの凹部Ｊ１
の頂部（図中最下部）には、受け治具Ｊを下方に貫通す
る小径（φ０．２ｍｍ）のガス抜き孔Ｊ２がそれぞれ形
成されている。さらに、それぞれの貫通孔Ｈの第１面側
端部（図中上端）には、９０％Ｐｂ−１０％Ｓｎからな
り、直径０．９ｍｍの高温ハンダボールＢを載置する。
の貫通孔Ｈの位置に対応させて半径０．４５ｍｍの半球
状の凹部Ｊ１が図中上面に形成してあり、カーボンから
なる溶融軟質金属受け治具（以下、受け治具ともいう）
Ｊを用意し、中継基板本体１の第２面１ｂと治具Ｊの上
面が対向し、貫通孔Ｈが凹部Ｊ１と一致するように本体
１を載置する。カーボンからなる溶融軟質金属受け治具
Ｊは、後述する高温ハンダなどの溶融金属に濡れにくい
性質を有するものである。なお、受け治具Ｊの凹部Ｊ１
の頂部（図中最下部）には、受け治具Ｊを下方に貫通す
る小径（φ０．２ｍｍ）のガス抜き孔Ｊ２がそれぞれ形
成されている。さらに、それぞれの貫通孔Ｈの第１面側
端部（図中上端）には、９０％Ｐｂ−１０％Ｓｎからな
り、直径０．９ｍｍの高温ハンダボールＢを載置する。
【００９１】次いで、窒素雰囲気下で、最高温度３６０
℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投入
し、高温ハンダボールを溶融させる。すると、溶融した
高温ハンダは、重力で図中下方に下がり、貫通孔Ｈに注
入され、金属層４（Ｎｉ−Ｂメッキ層３）に溶着する。
中継基板本体１の第２面１ｂ側（図中下方）では、受け
治具Ｊの凹部Ｊ１があるため、高温ハンダはこの凹部Ｊ
１の形状に倣って半球状に盛り上がる。一方、中継基板
本体１の第１面１ａ側（図中上方）では、受け治具Ｊの
凹部Ｊ１と貫通孔Ｈとのなす体積よりも高温ハンダの体
積が多い分だけ、上方に盛り上がる。この上方への盛り
上がり形状は、高温ハンダの表面張力によって形成さ
れ、体積により略球状、半球状などの形状になる。本例
では、略半球状となった。
℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投入
し、高温ハンダボールを溶融させる。すると、溶融した
高温ハンダは、重力で図中下方に下がり、貫通孔Ｈに注
入され、金属層４（Ｎｉ−Ｂメッキ層３）に溶着する。
中継基板本体１の第２面１ｂ側（図中下方）では、受け
治具Ｊの凹部Ｊ１があるため、高温ハンダはこの凹部Ｊ
１の形状に倣って半球状に盛り上がる。一方、中継基板
本体１の第１面１ａ側（図中上方）では、受け治具Ｊの
凹部Ｊ１と貫通孔Ｈとのなす体積よりも高温ハンダの体
積が多い分だけ、上方に盛り上がる。この上方への盛り
上がり形状は、高温ハンダの表面張力によって形成さ
れ、体積により略球状、半球状などの形状になる。本例
では、略半球状となった。
【００９２】なお、金メッキ層５は、溶融した高温ハン
ダ中に拡散して消滅するので、高温ハンダとＮｉ−Ｂメ
ッキ層３とは直接溶着し、高温ハンダからなる軟質金属
体６は、中継基板本体１に固着される。また、受け治具
Ｊのガス抜き孔Ｊ２は、溶融した高温ハンダが下方に移
動するときに、排除される空気を逃がす役割をするが、
受け治具Ｊがハンダに濡れず、ガス抜き孔Ｊ２が小径で
あるので、ハンダがガス抜き孔Ｊ２に浸入することはな
い。このようにすることで、貫通孔Ｈに高温ハンダから
なる軟質金属体６を形成した。
ダ中に拡散して消滅するので、高温ハンダとＮｉ−Ｂメ
ッキ層３とは直接溶着し、高温ハンダからなる軟質金属
体６は、中継基板本体１に固着される。また、受け治具
Ｊのガス抜き孔Ｊ２は、溶融した高温ハンダが下方に移
動するときに、排除される空気を逃がす役割をするが、
受け治具Ｊがハンダに濡れず、ガス抜き孔Ｊ２が小径で
あるので、ハンダがガス抜き孔Ｊ２に浸入することはな
い。このようにすることで、貫通孔Ｈに高温ハンダから
なる軟質金属体６を形成した。
【００９３】図３に示すように、この軟質金属体６は、
中継基板本体１の貫通孔Ｈに貫挿され、本体１に金属層
４を介して固着されている。また、第２面１ｂ（図中下
面）側では、受け治具Ｊの凹部Ｊ１に倣って本体１から
の高さ（第２突出高さ）Ｚ２が０．４ｍｍ、半径が０．
４３ｍｍの略半球状の突出部（盛り上がり部）６ｂを備
え、第１面１ａ（図中上面）側では、表面張力により同
様に本体１からの高さ（第１突出高さ）Ｚ１が０．２ｍ
ｍ、半径が０．４３ｍｍの略半球状の突出部（盛り上が
り部）６ａを備える。なお、軟質金属体６の突出部６ｂ
の突出高さＺ２は勿論、突出部６ａの突出高さＺ１も一
定の高さとなった。一定体積の高温ハンダボールＢを用
いたからである。また、ハンダボールＢの直径したがっ
て体積を変化させると、突出部６ａと６ｂの突出高さを
異なるものとすることができる。本例において、ハンダ
ボールＢを直径の小さいものに代えると、突出部６ａの
突出高さＺ１を低くでき、直径の大きいものに代えると
突出部６ａの突出高さＺ１を高くできる。また、適当な
体積のハンダを注入すれば、突出部６ａと６ｂの高さＺ
１、Ｚ２を等しくすることもできる。
中継基板本体１の貫通孔Ｈに貫挿され、本体１に金属層
４を介して固着されている。また、第２面１ｂ（図中下
面）側では、受け治具Ｊの凹部Ｊ１に倣って本体１から
の高さ（第２突出高さ）Ｚ２が０．４ｍｍ、半径が０．
４３ｍｍの略半球状の突出部（盛り上がり部）６ｂを備
え、第１面１ａ（図中上面）側では、表面張力により同
様に本体１からの高さ（第１突出高さ）Ｚ１が０．２ｍ
ｍ、半径が０．４３ｍｍの略半球状の突出部（盛り上が
り部）６ａを備える。なお、軟質金属体６の突出部６ｂ
の突出高さＺ２は勿論、突出部６ａの突出高さＺ１も一
定の高さとなった。一定体積の高温ハンダボールＢを用
いたからである。また、ハンダボールＢの直径したがっ
て体積を変化させると、突出部６ａと６ｂの突出高さを
異なるものとすることができる。本例において、ハンダ
ボールＢを直径の小さいものに代えると、突出部６ａの
突出高さＺ１を低くでき、直径の大きいものに代えると
突出部６ａの突出高さＺ１を高くできる。また、適当な
体積のハンダを注入すれば、突出部６ａと６ｂの高さＺ
１、Ｚ２を等しくすることもできる。
【００９４】次いで、中継基板本体１の貫通孔Ｈの位置
に合わせて貫通孔（充填孔）Ｌ１（直径０．８６ｍｍ×
高さ０．１７ｍｍ）を形成した板状カーボン治具（転写
板）Ｌを２枚用意し、この貫通孔Ｌ１にそれぞれ軟質金
属（本例ではＰｂ９０％−Ｓｎ１０％の高温ハンダ）よ
りも融点の低い低融点ハンダペースト７（本例では、Ｐ
ｂ−Ｓｎ共晶ハンダペースト）をスキージによって刷り
込み充填する。このようにすることで、貫通孔Ｌ１に充
填されたペースト７の量は容易に一定量となる。この転
写板Ｌの貫通孔Ｌ１の位置をそれぞれ軟質金属体６（貫
通孔Ｈ）の位置に合わせ、カーボン台座治具Ｍ上に、転
写板Ｌ、中継基板本体１、転写板Ｌの順に重ねてセット
する（図４(a)参照）。
に合わせて貫通孔（充填孔）Ｌ１（直径０．８６ｍｍ×
高さ０．１７ｍｍ）を形成した板状カーボン治具（転写
板）Ｌを２枚用意し、この貫通孔Ｌ１にそれぞれ軟質金
属（本例ではＰｂ９０％−Ｓｎ１０％の高温ハンダ）よ
りも融点の低い低融点ハンダペースト７（本例では、Ｐ
ｂ−Ｓｎ共晶ハンダペースト）をスキージによって刷り
込み充填する。このようにすることで、貫通孔Ｌ１に充
填されたペースト７の量は容易に一定量となる。この転
写板Ｌの貫通孔Ｌ１の位置をそれぞれ軟質金属体６（貫
通孔Ｈ）の位置に合わせ、カーボン台座治具Ｍ上に、転
写板Ｌ、中継基板本体１、転写板Ｌの順に重ねてセット
する（図４(a)参照）。
【００９５】その後、窒素雰囲気下で、最高温度２２０
℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投入
し、低融点ハンダペースト７を溶融させる。なお、この
温度条件では軟質金属体６は溶融しない。溶融した低融
点ハンダは、軟質金属体６の上下の突出部６ａおよび６
ｂに濡れて拡がり、それぞれハンダ層８ａ、８ｂとな
る。このハンダ層８ａ、８ｂは、ペースト７の量が一定
に規制されているので、各々一定量（体積）となり、高
さも各突出部において均一になる。なお、カーボン治具
（転写板）Ｌの厚さを厚くする代わりに貫通孔Ｌ１の直
径を適当に小さくすると、転写板Ｌがハンダに濡れない
ため、ハンダ層８ａ、８ｂが図中横方向に拡がってハン
ダ層の高さが低くなることを抑制することができ、同じ
ハンダ量で形成されるハンダ層の高さを稼ぐことができ
る。
℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投入
し、低融点ハンダペースト７を溶融させる。なお、この
温度条件では軟質金属体６は溶融しない。溶融した低融
点ハンダは、軟質金属体６の上下の突出部６ａおよび６
ｂに濡れて拡がり、それぞれハンダ層８ａ、８ｂとな
る。このハンダ層８ａ、８ｂは、ペースト７の量が一定
に規制されているので、各々一定量（体積）となり、高
さも各突出部において均一になる。なお、カーボン治具
（転写板）Ｌの厚さを厚くする代わりに貫通孔Ｌ１の直
径を適当に小さくすると、転写板Ｌがハンダに濡れない
ため、ハンダ層８ａ、８ｂが図中横方向に拡がってハン
ダ層の高さが低くなることを抑制することができ、同じ
ハンダ量で形成されるハンダ層の高さを稼ぐことができ
る。
【００９６】このようにして、図５に示すような中継基
板１０を完成した。即ち、この中継基板１０は、アルミ
ナセラミックからなり、板形状をなし、第１面１ａと第
２面１ｂとの間を貫通する複数の貫通孔Ｈを有する中継
基板本体１と、この貫通孔Ｈ内に貫挿され両面より突出
した突出部６ａ、６ｂを備えた軟質金属体６と、第１面
１ａ側の突出部６ａ上に配設された軟質金属体６よりも
低い融点を持つハンダ層８ａと、第２面側の突出部６ｂ
上に配設された軟質金属体６よりも低い融点を持つハン
ダ層８ｂとを有する。ここで、中継基板１０は、図中下
面側では、軟質金属体６の突出部６ｂの表面に、本体１
からの高さ０．４５ｍｍの外形略半球状のハンダ層８ｂ
を備え、図中上面側では、同様に表面張力により突出部
６ａの表面に本体１からの高さ０．２５ｍｍの外形略半
球状のハンダ層８ａを備える。
板１０を完成した。即ち、この中継基板１０は、アルミ
ナセラミックからなり、板形状をなし、第１面１ａと第
２面１ｂとの間を貫通する複数の貫通孔Ｈを有する中継
基板本体１と、この貫通孔Ｈ内に貫挿され両面より突出
した突出部６ａ、６ｂを備えた軟質金属体６と、第１面
１ａ側の突出部６ａ上に配設された軟質金属体６よりも
低い融点を持つハンダ層８ａと、第２面側の突出部６ｂ
上に配設された軟質金属体６よりも低い融点を持つハン
ダ層８ｂとを有する。ここで、中継基板１０は、図中下
面側では、軟質金属体６の突出部６ｂの表面に、本体１
からの高さ０．４５ｍｍの外形略半球状のハンダ層８ｂ
を備え、図中上面側では、同様に表面張力により突出部
６ａの表面に本体１からの高さ０．２５ｍｍの外形略半
球状のハンダ層８ａを備える。
【００９７】次いで、完成した中継基板１０を以下のよ
うにして、基板および取付基板と接続した。まず、中継
基板１０を接続する基板として、図６(a)に示すよう
な、厚さ２．５ｍｍ、一辺２５ｍｍの略正方形状のＬＧ
Ａ型基板２０を用意した。このＬＧＡ型基板は、アルミ
ナセラミックからなる配線基板であり、図中上面２０ａ
にＩＣチップを載置するためのキャビティ２１を備え、
図中下面２０ｂに外部接続端子としてパッド（面接続パ
ッド）２２を備えている。このパッド２２は、直径０．
８６ｍｍで、中継基板の軟質金属体の位置に適合するよ
うに、ピッチ１．２７ｍｍの格子状に縦横各１９ヶ配列
され、下地のタングステン層上に無電解Ｎｉ−Ｂメッキ
が施され、さらに酸化防止のために薄く無電解金メッキ
が施されている。また、図示しない内部配線によって、
このパッド２２はキャビティ２１に形成されたＩＣチッ
プとの接続用ボンディングパッド（図示しない）と接続
している。
うにして、基板および取付基板と接続した。まず、中継
基板１０を接続する基板として、図６(a)に示すよう
な、厚さ２．５ｍｍ、一辺２５ｍｍの略正方形状のＬＧ
Ａ型基板２０を用意した。このＬＧＡ型基板は、アルミ
ナセラミックからなる配線基板であり、図中上面２０ａ
にＩＣチップを載置するためのキャビティ２１を備え、
図中下面２０ｂに外部接続端子としてパッド（面接続パ
ッド）２２を備えている。このパッド２２は、直径０．
８６ｍｍで、中継基板の軟質金属体の位置に適合するよ
うに、ピッチ１．２７ｍｍの格子状に縦横各１９ヶ配列
され、下地のタングステン層上に無電解Ｎｉ−Ｂメッキ
が施され、さらに酸化防止のために薄く無電解金メッキ
が施されている。また、図示しない内部配線によって、
このパッド２２はキャビティ２１に形成されたＩＣチッ
プとの接続用ボンディングパッド（図示しない）と接続
している。
【００９８】また、取付基板として、図６(b)に示すよ
うなプリント基板４０を用意した。プリント基板４０
は、厚さ１．６ｍｍ、一辺３０ｍｍの略正方形板状で、
ガラスエポキシ（ＪＩＳ：ＦＲ−４）からなり、主面４
０ａには、ＬＧＡ型基板２０のパッド２２と、したがっ
て、中継基板１０の軟質金属体６とも対応する位置に、
パッド（面接続取付パッド）４２が形成されている。こ
のパッド４２は、厚さ２５μｍの銅からなり、直径０．
７２ｍｍで、ピッチ１．２７ｍｍで格子状に縦横各１９
ヶ、計３６１ヶ形成されている。
うなプリント基板４０を用意した。プリント基板４０
は、厚さ１．６ｍｍ、一辺３０ｍｍの略正方形板状で、
ガラスエポキシ（ＪＩＳ：ＦＲ−４）からなり、主面４
０ａには、ＬＧＡ型基板２０のパッド２２と、したがっ
て、中継基板１０の軟質金属体６とも対応する位置に、
パッド（面接続取付パッド）４２が形成されている。こ
のパッド４２は、厚さ２５μｍの銅からなり、直径０．
７２ｍｍで、ピッチ１．２７ｍｍで格子状に縦横各１９
ヶ、計３６１ヶ形成されている。
【００９９】このプリント基板４０を、図７(a)に示す
ように、パッド４２のある主面４０ａが上になるように
置き、さらに上述の方法によって形成した中継基板１０
を載置する。このとき、各パッド４２と軟質金属体６上
の中継基板本体第２面（図中下面）１ｂ側のハンダ層８
ｂとの位置を合わせるようにする。
ように、パッド４２のある主面４０ａが上になるように
置き、さらに上述の方法によって形成した中継基板１０
を載置する。このとき、各パッド４２と軟質金属体６上
の中継基板本体第２面（図中下面）１ｂ側のハンダ層８
ｂとの位置を合わせるようにする。
【０１００】さらに、基板２０を、図７(b)に示すよう
に、パッド２２のある面２０ｂが下になるようにして中
継基板１０上に載置する。このとき、各パッド２２と軟
質金属体６上の中継基板本体第１面（図中上面）１ａ側
のハンダ層８ａとの位置を合わせるようにする。
に、パッド２２のある面２０ｂが下になるようにして中
継基板１０上に載置する。このとき、各パッド２２と軟
質金属体６上の中継基板本体第１面（図中上面）１ａ側
のハンダ層８ａとの位置を合わせるようにする。
【０１０１】次いで、基板２０と中継基板１０と取付基
板４０とを、窒素雰囲気下で、最高温度２１８℃、２０
０℃以上保持時間２分のリフロー炉に投入し、低融点ハ
ンダからなるハンダ層８ａ、８ｂをそれぞれ溶融させ、
これらを介して一挙にパッド２２およびパッド４２と軟
質金属体６（突出部６ａ、６ｂ）とをそれぞれ接続させ
る。
板４０とを、窒素雰囲気下で、最高温度２１８℃、２０
０℃以上保持時間２分のリフロー炉に投入し、低融点ハ
ンダからなるハンダ層８ａ、８ｂをそれぞれ溶融させ、
これらを介して一挙にパッド２２およびパッド４２と軟
質金属体６（突出部６ａ、６ｂ）とをそれぞれ接続させ
る。
【０１０２】なお、このとき、高温ハンダからなる軟質
金属体６は溶融しない。これにより、図８に示すよう
に、中継基板１０はＬＧＡ型基板２０に接続され、同時
にプリント基板４０にも接続され、基板、中継基板、取
付基板の三者が接続、結合した構造体５０が完成する。
このようにすることで、基板２０は、中継基板１０を介
して、取付基板４０に接続されたことになる。これによ
り、中継基板本体１の第１面１ａとＬＧＡ型基板２０の
下面２０ｂとの間隔は０．４４ｍｍ、また、中継基板本
体１の第２面１ｂとプリント基板４０の上面４０ａとの
間隔は０．２４ｍｍとなった。軟質金属体６の上下の突
出部６ａ、６ｂの高さＺ１とＺ２が異なるからである。
金属体６は溶融しない。これにより、図８に示すよう
に、中継基板１０はＬＧＡ型基板２０に接続され、同時
にプリント基板４０にも接続され、基板、中継基板、取
付基板の三者が接続、結合した構造体５０が完成する。
このようにすることで、基板２０は、中継基板１０を介
して、取付基板４０に接続されたことになる。これによ
り、中継基板本体１の第１面１ａとＬＧＡ型基板２０の
下面２０ｂとの間隔は０．４４ｍｍ、また、中継基板本
体１の第２面１ｂとプリント基板４０の上面４０ａとの
間隔は０．２４ｍｍとなった。軟質金属体６の上下の突
出部６ａ、６ｂの高さＺ１とＺ２が異なるからである。
【０１０３】なお、上記に如く三者を接続させるための
リフロー時にはフラックスを用いても良いが、パッド２
２および４２が金メッキ層などによって酸化防止されて
いるときには、フラックスがなくても接続することがで
きる。
リフロー時にはフラックスを用いても良いが、パッド２
２および４２が金メッキ層などによって酸化防止されて
いるときには、フラックスがなくても接続することがで
きる。
【０１０４】従来では、まず、ＬＧＡ型基板２０のパッ
ド２２に低融点ハンダペーストを塗布し、高温ハンダ等
でできたボール状の端子部材を１つずつパッド２２に載
置した後、リフローして端子を形成し、ＢＧＡ型基板と
しなければならなかった。さらに、従来では、プリント
基板４０のパッド４２に低融点ハンダペーストを塗布
し、その後、ＢＧＡ型基板を載置した後、リフローして
接続しなければならなかった。
ド２２に低融点ハンダペーストを塗布し、高温ハンダ等
でできたボール状の端子部材を１つずつパッド２２に載
置した後、リフローして端子を形成し、ＢＧＡ型基板と
しなければならなかった。さらに、従来では、プリント
基板４０のパッド４２に低融点ハンダペーストを塗布
し、その後、ＢＧＡ型基板を載置した後、リフローして
接続しなければならなかった。
【０１０５】しかし、上述のようにすれば、中継基板１
０と基板２０をプリント基板４０に順に重ねて加熱する
だけで、プリント基板４０に基板２０を容易に接続でき
るため、ＬＧＡ型基板をいったんＢＧＡ型基板とする工
程が不要であり、さらに、プリント基板にハンダペース
トを塗布する工程が不要となる。さらに、上述のよう
に、リフロー時にフラックスを用いないで接続（ハンダ
付け）する場合には、ハンダペーストを用いた場合に要
する洗浄工程をも不要となる。
０と基板２０をプリント基板４０に順に重ねて加熱する
だけで、プリント基板４０に基板２０を容易に接続でき
るため、ＬＧＡ型基板をいったんＢＧＡ型基板とする工
程が不要であり、さらに、プリント基板にハンダペース
トを塗布する工程が不要となる。さらに、上述のよう
に、リフロー時にフラックスを用いないで接続（ハンダ
付け）する場合には、ハンダペーストを用いた場合に要
する洗浄工程をも不要となる。
【０１０６】なお、上述の例では、プリント基板４０と
中継基板１０とＬＧＡ型基板２０をこの順に重ね、リフ
ローして、基板２０と中継基板１０、および中継基板１
０とプリント基板４０とを一挙に接続（ハンダ付け）し
た例を示したが、このように一挙に製作しない方法も採
ることができる。即ち、中継基板１０を、いったんＬＧ
Ａ型基板２０に取付けて中継基板付基板とした後に、さ
らにプリント基板４０に接続しても良い。また、中継基
板１０とプリント基板４０とを先に接続しておいても良
い。いずれにしても、本例の中継基板１０を使用すれ
ば、低融点ハンダペーストを塗布したり、端子部材をパ
ッド上に１つずつ載置する必要はなく、１回ないしは２
回の加熱（リフロー）によって、基板と取付基板とを中
継基板を介して接続することができる。したがって、Ｉ
Ｃチップメーカやユーザにおいて、面倒な工程や設備を
省略することができる。
中継基板１０とＬＧＡ型基板２０をこの順に重ね、リフ
ローして、基板２０と中継基板１０、および中継基板１
０とプリント基板４０とを一挙に接続（ハンダ付け）し
た例を示したが、このように一挙に製作しない方法も採
ることができる。即ち、中継基板１０を、いったんＬＧ
Ａ型基板２０に取付けて中継基板付基板とした後に、さ
らにプリント基板４０に接続しても良い。また、中継基
板１０とプリント基板４０とを先に接続しておいても良
い。いずれにしても、本例の中継基板１０を使用すれ
ば、低融点ハンダペーストを塗布したり、端子部材をパ
ッド上に１つずつ載置する必要はなく、１回ないしは２
回の加熱（リフロー）によって、基板と取付基板とを中
継基板を介して接続することができる。したがって、Ｉ
Ｃチップメーカやユーザにおいて、面倒な工程や設備を
省略することができる。
【０１０７】なお、２回に分けて加熱する場合には、上
記ハンダ層８ａと８ｂを融点の異なるハンダで形成して
おいても良い。即ち、基板２０と中継基板１０とを先に
接続させ、その後プリント基板４０を接続させる場合に
は、ハンダ層８ａにハンダ８ｂよりも融点の高いハンダ
を用いる。中継基板付基板とプリント基板とをハンダ層
８ｂを溶融させて接続する時に、ハンダ層８ａが溶融し
ない温度とすることで、基板と中継基板とが位置ズレを
起こさないようにできるからである。逆に、プリント基
板４０と中継基板１０とを先に接続させ、その後基板２
０を接続させ場合には、ハンダ層８ｂにハンダ８ａより
も融点の高いハンダを用いる。中継基板付取付基板と基
板とをハンダ層８ａを溶融させて接続する時に、ハンダ
層８ｂが溶融しない温度とすることで、中継基板１０と
プリント基板４０とが位置ズレを起こさないようにでき
るからである。
記ハンダ層８ａと８ｂを融点の異なるハンダで形成して
おいても良い。即ち、基板２０と中継基板１０とを先に
接続させ、その後プリント基板４０を接続させる場合に
は、ハンダ層８ａにハンダ８ｂよりも融点の高いハンダ
を用いる。中継基板付基板とプリント基板とをハンダ層
８ｂを溶融させて接続する時に、ハンダ層８ａが溶融し
ない温度とすることで、基板と中継基板とが位置ズレを
起こさないようにできるからである。逆に、プリント基
板４０と中継基板１０とを先に接続させ、その後基板２
０を接続させ場合には、ハンダ層８ｂにハンダ８ａより
も融点の高いハンダを用いる。中継基板付取付基板と基
板とをハンダ層８ａを溶融させて接続する時に、ハンダ
層８ｂが溶融しない温度とすることで、中継基板１０と
プリント基板４０とが位置ズレを起こさないようにでき
るからである。
【０１０８】（実施形態２） 上記例においては、軟質金属体６の突出部６ａ、６ｂの
いずれもが形成され、突出高さの差が比較的小さいもの
を示したが、突出高さの差が大きくなるように形成する
ようにしても良い。他の実施の形態として、一方の面に
大きく突出するようにした中継基板について説明する。
まず、上記第１実施形態において図１を参照して説明し
たのと同様にして、アルミナセラミックからなり、貫通
孔Ｈの内周に金属層４を有する中継基板本体を形成す
る。本例における中継基板本体１も第１実施形態例と同
様に、厚さ０．３ｍｍ、１辺２５ｍｍの略正方形状で、
貫通孔Ｈの内径はφ０．８ｍｍで、１．２７ｍｍのピッ
チで格子状に縦横各１９ケ、計３６１ヶの貫通孔が形成
されている。
いずれもが形成され、突出高さの差が比較的小さいもの
を示したが、突出高さの差が大きくなるように形成する
ようにしても良い。他の実施の形態として、一方の面に
大きく突出するようにした中継基板について説明する。
まず、上記第１実施形態において図１を参照して説明し
たのと同様にして、アルミナセラミックからなり、貫通
孔Ｈの内周に金属層４を有する中継基板本体を形成す
る。本例における中継基板本体１も第１実施形態例と同
様に、厚さ０．３ｍｍ、１辺２５ｍｍの略正方形状で、
貫通孔Ｈの内径はφ０．８ｍｍで、１．２７ｍｍのピッ
チで格子状に縦横各１９ケ、計３６１ヶの貫通孔が形成
されている。
【０１０９】次いで、図９(a)に示すように、中継基板
本体１の貫通孔Ｈの図中上端側に高温ハンダボールＢを
載置するのであるが、これには、以下のようにすると容
易である。即ち、貫通孔Ｈに対応する位置にボールＢの
直径よりもわずかに大きい透孔（貫通孔）ＳＨを有する
ボール規制板Ｓを用意しておき、これを中継基板本体１
の図中上方に配置しておく。次いで、高温ハンダボール
Ｂをボール規制板Ｓ上に散播き、中継基板本体１と規制
板Ｓを保持しつつ揺動させると、ボールＢは規制板Ｓ上
を転がって次々に透孔ＳＨ中に落ち込んで移動できなく
なる。その後、すべての透孔ＳＨ中にボールが落ち込ん
だら、規制板Ｓ上の不要なボールＢを除去することで、
図９(a)のように、各貫通孔Ｈの上端にボールＢが載置
できたことになる。本例では、直径０．９ｍｍの高温ハ
ンダボール（９０％Ｐｂ−１０％Ｓｎ）Ｂを用い、規制
板の厚さは０．５ｍｍ、透孔ＳＨの直径は１．０ｍｍと
した。
本体１の貫通孔Ｈの図中上端側に高温ハンダボールＢを
載置するのであるが、これには、以下のようにすると容
易である。即ち、貫通孔Ｈに対応する位置にボールＢの
直径よりもわずかに大きい透孔（貫通孔）ＳＨを有する
ボール規制板Ｓを用意しておき、これを中継基板本体１
の図中上方に配置しておく。次いで、高温ハンダボール
Ｂをボール規制板Ｓ上に散播き、中継基板本体１と規制
板Ｓを保持しつつ揺動させると、ボールＢは規制板Ｓ上
を転がって次々に透孔ＳＨ中に落ち込んで移動できなく
なる。その後、すべての透孔ＳＨ中にボールが落ち込ん
だら、規制板Ｓ上の不要なボールＢを除去することで、
図９(a)のように、各貫通孔Ｈの上端にボールＢが載置
できたことになる。本例では、直径０．９ｍｍの高温ハ
ンダボール（９０％Ｐｂ−１０％Ｓｎ）Ｂを用い、規制
板の厚さは０．５ｍｍ、透孔ＳＨの直径は１．０ｍｍと
した。
【０１１０】次いで、図９(b)に示すように、規制板Ｓ
を取り外し、耐熱性を有し溶融した高温ハンダに濡れな
い材質であるアルミナセラミックからなり、上面Ｄａが
平面である載置台Ｄ上に、上方に高温ハンダボールＢが
載置された中継基板本体１を載せる。なお、載置台Ｄ上
に中継基板本体１を載せておき、その後上述した方法に
よってボールＢを貫通孔Ｈ上端に載置しても良い。
を取り外し、耐熱性を有し溶融した高温ハンダに濡れな
い材質であるアルミナセラミックからなり、上面Ｄａが
平面である載置台Ｄ上に、上方に高温ハンダボールＢが
載置された中継基板本体１を載せる。なお、載置台Ｄ上
に中継基板本体１を載せておき、その後上述した方法に
よってボールＢを貫通孔Ｈ上端に載置しても良い。
【０１１１】次いで、窒素雰囲気下で、最高温度３６０
℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投入
し、高温ハンダボールＢを溶融させる。すると、溶融し
た高温ハンダは、重力で図中下方に下がり、貫通孔Ｈに
注入され、金属層４（Ｎｉ−Ｂメッキ層３）に溶着す
る。その後冷却することで、中継基板本体１の貫通孔Ｈ
に高温ハンダからなる軟質金属体２０６が貫挿されたも
のが出来上がる。
℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投入
し、高温ハンダボールＢを溶融させる。すると、溶融し
た高温ハンダは、重力で図中下方に下がり、貫通孔Ｈに
注入され、金属層４（Ｎｉ−Ｂメッキ層３）に溶着す
る。その後冷却することで、中継基板本体１の貫通孔Ｈ
に高温ハンダからなる軟質金属体２０６が貫挿されたも
のが出来上がる。
【０１１２】ただし、中継基板本体１の図中下面側には
載置台Ｄがあるため、溶融した高温ハンダは、この載置
台Ｄの上面Ｄａの平面形状に倣う。したがって、図９
(c)に示すように、軟質金属体２０６は、中継基板本体
１の下面側では、ほぼ本体下面と面一となり、突出しな
いあるいはほとんど突出部のない形状となる。本例で
は、中継基板本体１の下面からの突出高さＺｙは０．０
３ｍｍであった。一方、中継基板本体１の図中上面側で
は、概略、貫通孔Ｈの体積よりも高温ハンダの体積が多
い分だけ、上方に盛り上がり、突出部２０６ｘとなる。
この上方への盛り上がり形状は、高温ハンダの表面張力
によって形成され、体積により略球状、半球状などの形
状になる。本例では、最大径０．９ｍｍ、中継基板本体
上面からの突出高さＺｘ０．７ｍｍの略球状（３／４球
状）となった。
載置台Ｄがあるため、溶融した高温ハンダは、この載置
台Ｄの上面Ｄａの平面形状に倣う。したがって、図９
(c)に示すように、軟質金属体２０６は、中継基板本体
１の下面側では、ほぼ本体下面と面一となり、突出しな
いあるいはほとんど突出部のない形状となる。本例で
は、中継基板本体１の下面からの突出高さＺｙは０．０
３ｍｍであった。一方、中継基板本体１の図中上面側で
は、概略、貫通孔Ｈの体積よりも高温ハンダの体積が多
い分だけ、上方に盛り上がり、突出部２０６ｘとなる。
この上方への盛り上がり形状は、高温ハンダの表面張力
によって形成され、体積により略球状、半球状などの形
状になる。本例では、最大径０．９ｍｍ、中継基板本体
上面からの突出高さＺｘ０．７ｍｍの略球状（３／４球
状）となった。
【０１１３】なお、第１実施形態と同様に、金メッキ層
５は、溶融した高温ハンダ中に溶食されて拡散してしま
うので、高温ハンダからなる軟質金属体２０６は、直接
Ｎｉ−Ｂメッキ層（金属層４）と溶着して、中継基板本
体１と固着される。また、高温ハンダ溶融時に中継基板
本体１と載置台Ｄの上面Ｄａとの間に隙間があると、溶
融した高温ハンダがこの隙間を通じて図中横方向に拡が
って相互に繋がってしまうことがあるので、中継基板本
体１が載置台Ｄの上面Ｄａに密着するように（浮き上が
らないように）、中継基板本体１に荷重を掛けたり、押
さえたりすると良い。
５は、溶融した高温ハンダ中に溶食されて拡散してしま
うので、高温ハンダからなる軟質金属体２０６は、直接
Ｎｉ−Ｂメッキ層（金属層４）と溶着して、中継基板本
体１と固着される。また、高温ハンダ溶融時に中継基板
本体１と載置台Ｄの上面Ｄａとの間に隙間があると、溶
融した高温ハンダがこの隙間を通じて図中横方向に拡が
って相互に繋がってしまうことがあるので、中継基板本
体１が載置台Ｄの上面Ｄａに密着するように（浮き上が
らないように）、中継基板本体１に荷重を掛けたり、押
さえたりすると良い。
【０１１４】次いで、この軟質金属体２０６の上下に低
融点ハンダ層を、前記第１実施態様において説明した溶
融軟質金属受け治具Ｊと同様な構造の治具を用いて形成
する。即ち、図１０に示すように、耐熱性があり溶融し
た低融点ハンダに濡れない材質であるカーボンからなる
ハンダ片保持治具Ｋの上面には、軟質金属体２０６に対
応した位置に、直径１．０ｍｍ、深さ０．９５ｍｍで、
先端が円錐状の凹部Ｋ１が形成されている。また、保持
治具Ｋの凹部Ｋ１の頂部（図中最下部）には、保持治具
Ｋを下方に貫通する小径（φ０．２ｍｍ）のガス抜き孔
Ｋ２がそれぞれ形成されている。
融点ハンダ層を、前記第１実施態様において説明した溶
融軟質金属受け治具Ｊと同様な構造の治具を用いて形成
する。即ち、図１０に示すように、耐熱性があり溶融し
た低融点ハンダに濡れない材質であるカーボンからなる
ハンダ片保持治具Ｋの上面には、軟質金属体２０６に対
応した位置に、直径１．０ｍｍ、深さ０．９５ｍｍで、
先端が円錐状の凹部Ｋ１が形成されている。また、保持
治具Ｋの凹部Ｋ１の頂部（図中最下部）には、保持治具
Ｋを下方に貫通する小径（φ０．２ｍｍ）のガス抜き孔
Ｋ２がそれぞれ形成されている。
【０１１５】まず、この保持治具Ｋの各凹部Ｋ１に直径
０．６ｍｍの低融点ハンダ（Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダ）ボ
ールＣｘを投入しておく。ついで、中継基板本体１を図
９に示した状態とは上下逆向きとし、中継基板本体１の
下面がこのハンダ片保持保持治具Ｋの上面と対向し、軟
質金属体２０６の突出部２０６ｘが凹部Ｋ１内に挿入さ
れるように保持治具Ｋ上に載置する。このとき、凹部Ｋ
１内には、低融点ハンダボールＣｘがあるので、基板本
体１の下面と保持治具Ｋの上面とが接することはなく、
ボールＣｘと突出部２０６ｘの頂部とが接触する状態ま
で突出部２０６ｘが凹部Ｋ１内に没入する。
０．６ｍｍの低融点ハンダ（Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダ）ボ
ールＣｘを投入しておく。ついで、中継基板本体１を図
９に示した状態とは上下逆向きとし、中継基板本体１の
下面がこのハンダ片保持保持治具Ｋの上面と対向し、軟
質金属体２０６の突出部２０６ｘが凹部Ｋ１内に挿入さ
れるように保持治具Ｋ上に載置する。このとき、凹部Ｋ
１内には、低融点ハンダボールＣｘがあるので、基板本
体１の下面と保持治具Ｋの上面とが接することはなく、
ボールＣｘと突出部２０６ｘの頂部とが接触する状態ま
で突出部２０６ｘが凹部Ｋ１内に没入する。
【０１１６】その後、基板本体１の図中上面側の軟質金
属体２０６上にも、直径０．４ｍｍの低融点ハンダボー
ル（Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダボール）Ｃｙをそれぞれ載置
する。なお、このボールＣｙの載置には、１つずつ載置
しても良いが、図１０に示すように、軟質金属体２０６
に対応する位置にボールＣｙの直径よりもわずかに大き
い透孔（貫通孔）ＲＨを有するボール規制板Ｒを用いる
と容易である。即ち、ボール規制板Ｒを用意し、これを
中継基板本体１の図中上方に配置する。次いで、低融点
ハンダボールＣｙをボール規制板Ｒ上に散播き、中継基
板本体１と規制板Ｒを保持しつつ揺動させると、ボール
Ｃｙは規制板Ｒ上を転がって次々に透孔ＲＨ中に落ち込
んで移動できなくなる。その後、すべての透孔ＲＨ中に
ボールが落ち込んだら、規制板Ｒ上の不要なボールＣｙ
を除去することで、図１０のように、各軟質金属体２０
６の図中上面にボールＣｙが載置できたことになる。
属体２０６上にも、直径０．４ｍｍの低融点ハンダボー
ル（Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダボール）Ｃｙをそれぞれ載置
する。なお、このボールＣｙの載置には、１つずつ載置
しても良いが、図１０に示すように、軟質金属体２０６
に対応する位置にボールＣｙの直径よりもわずかに大き
い透孔（貫通孔）ＲＨを有するボール規制板Ｒを用いる
と容易である。即ち、ボール規制板Ｒを用意し、これを
中継基板本体１の図中上方に配置する。次いで、低融点
ハンダボールＣｙをボール規制板Ｒ上に散播き、中継基
板本体１と規制板Ｒを保持しつつ揺動させると、ボール
Ｃｙは規制板Ｒ上を転がって次々に透孔ＲＨ中に落ち込
んで移動できなくなる。その後、すべての透孔ＲＨ中に
ボールが落ち込んだら、規制板Ｒ上の不要なボールＣｙ
を除去することで、図１０のように、各軟質金属体２０
６の図中上面にボールＣｙが載置できたことになる。
【０１１７】本例では、ボール規制板Ｒの厚さは０．４
ｍｍ、透孔ＲＨの直径は０．６ｍｍとした。また、ボー
ル規制板Ｒは、後述するように低融点ハンダボールＣｙ
を溶融させるリフロー工程においても使用するとボール
Ｃｙが転がるのを防止できて更に都合がよいので、耐熱
性があり溶融した低融点ハンダに濡れない材質で形成す
るのが良く、本例では、ステンレス板を使用した。その
他、チタン等の金属、アルミナや窒化珪素等のセラミッ
クを用いても良い。なお、その他軟質金属体２０６の上
面にフラックスを塗布しておき、この粘着力によりボー
ルＣｙを固定しておく手法をとっても良い。
ｍｍ、透孔ＲＨの直径は０．６ｍｍとした。また、ボー
ル規制板Ｒは、後述するように低融点ハンダボールＣｙ
を溶融させるリフロー工程においても使用するとボール
Ｃｙが転がるのを防止できて更に都合がよいので、耐熱
性があり溶融した低融点ハンダに濡れない材質で形成す
るのが良く、本例では、ステンレス板を使用した。その
他、チタン等の金属、アルミナや窒化珪素等のセラミッ
クを用いても良い。なお、その他軟質金属体２０６の上
面にフラックスを塗布しておき、この粘着力によりボー
ルＣｙを固定しておく手法をとっても良い。
【０１１８】その後、窒素雰囲気下で、最高温度２２０
℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投入
し、低融点ハンダボールＣｘ、Ｃｙを溶融させる。な
お、この温度条件では軟質金属体２０６は溶融しない。
図１１に示すように、溶融した低融点ハンダは、軟質金
属体２０６の下方の突出部２０６ｘおよび図中上面に濡
れて拡がり、それぞれハンダ層２０８ｘ、２０８ｙとな
る。なお、ハンダ層２０８ｘについては、溶融した低融
点ハンダが突出部２０６ｘに接触するため、突出部２０
６ｘの表面上に濡れて拡がることで形成される。
℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投入
し、低融点ハンダボールＣｘ、Ｃｙを溶融させる。な
お、この温度条件では軟質金属体２０６は溶融しない。
図１１に示すように、溶融した低融点ハンダは、軟質金
属体２０６の下方の突出部２０６ｘおよび図中上面に濡
れて拡がり、それぞれハンダ層２０８ｘ、２０８ｙとな
る。なお、ハンダ層２０８ｘについては、溶融した低融
点ハンダが突出部２０６ｘに接触するため、突出部２０
６ｘの表面上に濡れて拡がることで形成される。
【０１１９】このハンダ層２０８ｘ、２０８ｙは、低融
点ハンダボールＣｘ、Ｃｙの体積が一定に規制されてい
るので、各々一定量（体積）となり、高さも均一にな
る。本例においては、基板本体１の図中下面からハンダ
層２０８ｘの頂部（図中最下端）までの高さが０．７５
ｍｍ、また、基板本体の図中上面からハンダ層２０８ｙ
の頂部（図中最上端）までの高さが０．１ｍｍであっ
た。なお、保持治具Ｋのガス抜き孔Ｋ２は、低融点ハン
ダボールＣｘを溶融させるときに、凹部Ｋ１内に閉じこ
められた空気を逃がす役割をする。
点ハンダボールＣｘ、Ｃｙの体積が一定に規制されてい
るので、各々一定量（体積）となり、高さも均一にな
る。本例においては、基板本体１の図中下面からハンダ
層２０８ｘの頂部（図中最下端）までの高さが０．７５
ｍｍ、また、基板本体の図中上面からハンダ層２０８ｙ
の頂部（図中最上端）までの高さが０．１ｍｍであっ
た。なお、保持治具Ｋのガス抜き孔Ｋ２は、低融点ハン
ダボールＣｘを溶融させるときに、凹部Ｋ１内に閉じこ
められた空気を逃がす役割をする。
【０１２０】このようにして、図１１に示すように、図
中上下面の間を貫通する貫通孔Ｈを有する中継基板本体
１と、貫通孔Ｈ内に貫挿され図中下面より突出した突出
部２０６ｘを有する軟質金属体２０６と、図中上面側の
軟質金属体上に形成された軟質金属体２０６よりも低い
融点を有するハンダ層２０８ｙと、図中下面側の軟質金
属体上、即ち、突出部２０６ｘに形成された軟質金属体
２０６よりも低い融点を有するハンダ層２０８ｘと、を
有する中継基板２１０が形成できた。
中上下面の間を貫通する貫通孔Ｈを有する中継基板本体
１と、貫通孔Ｈ内に貫挿され図中下面より突出した突出
部２０６ｘを有する軟質金属体２０６と、図中上面側の
軟質金属体上に形成された軟質金属体２０６よりも低い
融点を有するハンダ層２０８ｙと、図中下面側の軟質金
属体上、即ち、突出部２０６ｘに形成された軟質金属体
２０６よりも低い融点を有するハンダ層２０８ｘと、を
有する中継基板２１０が形成できた。
【０１２１】なお、本例においては、低融点ハンダボー
ルＣｘとＣｙの直径、即ち、体積が異なったものを使用
した。その理由を以下に説明する。図１２(a)に示すよ
うに、本例の軟質金属体２０６において、図中下面側の
表面積、即ち突出部２０６ｘの表面積Ｓｘは、図中上面
側の表面積Ｓｙよりも大きい。このような場合に、同じ
体積（Ｖｘ’＝Ｖｙ’）の、したがって同じ直径の低融
点ハンダボールを用いて上述と同様にハンダ層を形成す
ると、図１２(b)に示すように、図中下面側では、軟質
金属体の表面積Ｓｘが大きいので、低融点ハンダが拡が
りやすく、結果としてハンダ層２０８ｘ’の厚さは薄く
なる。一方、図中上面側では、軟質金属体の表面積Ｓｙ
が小さいので、低融点ハンダが拡がる余地は少なく、結
果としてハンダ層２０８ｙ’の厚さは厚くなる。
ルＣｘとＣｙの直径、即ち、体積が異なったものを使用
した。その理由を以下に説明する。図１２(a)に示すよ
うに、本例の軟質金属体２０６において、図中下面側の
表面積、即ち突出部２０６ｘの表面積Ｓｘは、図中上面
側の表面積Ｓｙよりも大きい。このような場合に、同じ
体積（Ｖｘ’＝Ｖｙ’）の、したがって同じ直径の低融
点ハンダボールを用いて上述と同様にハンダ層を形成す
ると、図１２(b)に示すように、図中下面側では、軟質
金属体の表面積Ｓｘが大きいので、低融点ハンダが拡が
りやすく、結果としてハンダ層２０８ｘ’の厚さは薄く
なる。一方、図中上面側では、軟質金属体の表面積Ｓｙ
が小さいので、低融点ハンダが拡がる余地は少なく、結
果としてハンダ層２０８ｙ’の厚さは厚くなる。
【０１２２】ところで、このような状態の中継基板２１
０’を、後述するＬＧＡ型基板２２０やプリント基板２
４０と接続すると、薄く拡がったハンダ層２０８ｘ’
は、パッド２２２や２４２との接続に寄与するハンダの
量が少ないので、不導通や接続強度不足が発生する危険
がある。一方、厚いハンダ層２０８ｙ’は、パッド２２
２や２４２との接続に寄与するハンダの量が多すぎるの
で、ハンダ量過多となり、隣接するパッド間の絶縁距離
が小さくなったり、極端な場合には隣接するパッド間で
ハンダがブリッジして短絡する危険がある。また、ハン
ダ量の過多による接続強度不足となりやすい。
０’を、後述するＬＧＡ型基板２２０やプリント基板２
４０と接続すると、薄く拡がったハンダ層２０８ｘ’
は、パッド２２２や２４２との接続に寄与するハンダの
量が少ないので、不導通や接続強度不足が発生する危険
がある。一方、厚いハンダ層２０８ｙ’は、パッド２２
２や２４２との接続に寄与するハンダの量が多すぎるの
で、ハンダ量過多となり、隣接するパッド間の絶縁距離
が小さくなったり、極端な場合には隣接するパッド間で
ハンダがブリッジして短絡する危険がある。また、ハン
ダ量の過多による接続強度不足となりやすい。
【０１２３】したがって、両者を同時に満足させるため
には、比較的大きい表面積を有する側、即ち、突出部２
０６ｘ側には、比較的体積の多い（直径の大きい）低融
点ハンダボールを使用してハンダ層２０８ｘのハンダ量
Ｖｘを多くし、小さい表面積を有する側、即ち突出部の
ない図中上面側には、比較的体積の少ない（直径の小さ
い）低融点ハンダボールを使用してハンダ層２０８ｙの
ハンダ量Ｖｙを少なくすれば、いずれの側においても適
正な量のハンダ層２０８ｘ，２０８ｙを形成することが
できる。
には、比較的大きい表面積を有する側、即ち、突出部２
０６ｘ側には、比較的体積の多い（直径の大きい）低融
点ハンダボールを使用してハンダ層２０８ｘのハンダ量
Ｖｘを多くし、小さい表面積を有する側、即ち突出部の
ない図中上面側には、比較的体積の少ない（直径の小さ
い）低融点ハンダボールを使用してハンダ層２０８ｙの
ハンダ量Ｖｙを少なくすれば、いずれの側においても適
正な量のハンダ層２０８ｘ，２０８ｙを形成することが
できる。
【０１２４】しかして、このような中継基板２１０を第
１実施形態と同様にＬＧＡ型基板２２０やプリント基板
２４０と接続する。まず、中継基板２１０と接続する基
板として、図１３(a)の上方に示すような、厚さ１．０
ｍｍ、一辺２５ｍｍの略正方形状のＬＧＡ型基板２２０
を用意した。このＬＧＡ型基板２２０は、アルミナセラ
ミックからなり、図中上面２２０ａにＩＣチップをフリ
ップチップ接続により載置するためのフリップチップパ
ッド２２１を備え、図中下面２２０ｂに外部接続端子と
してパッド（面接続パッド）２２２を備えている。この
パッド２２２は、直径０．８６ｍｍで、中継基板の軟質
金属体の位置に適合するように、ピッチ１．２７ｍｍの
格子状に縦横各１９ヶ配列され、下地のモリブデン層上
に無電解Ｎｉ−Ｂメッキが施され、さらに酸化防止のた
めに薄く無電解金メッキが施されている。また、パッド
２２２は、図示しない内部配線によって、フリップチッ
プパッド２２１とそれぞれ接続している。
１実施形態と同様にＬＧＡ型基板２２０やプリント基板
２４０と接続する。まず、中継基板２１０と接続する基
板として、図１３(a)の上方に示すような、厚さ１．０
ｍｍ、一辺２５ｍｍの略正方形状のＬＧＡ型基板２２０
を用意した。このＬＧＡ型基板２２０は、アルミナセラ
ミックからなり、図中上面２２０ａにＩＣチップをフリ
ップチップ接続により載置するためのフリップチップパ
ッド２２１を備え、図中下面２２０ｂに外部接続端子と
してパッド（面接続パッド）２２２を備えている。この
パッド２２２は、直径０．８６ｍｍで、中継基板の軟質
金属体の位置に適合するように、ピッチ１．２７ｍｍの
格子状に縦横各１９ヶ配列され、下地のモリブデン層上
に無電解Ｎｉ−Ｂメッキが施され、さらに酸化防止のた
めに薄く無電解金メッキが施されている。また、パッド
２２２は、図示しない内部配線によって、フリップチッ
プパッド２２１とそれぞれ接続している。
【０１２５】また、取付基板として、図１３(a)の下方
に示すようなプリント基板２４０を用意した。プリント
基板２４０は、厚さ１．６ｍｍ、２３０×１２５ｍｍの
矩形板状で、ガラスエポキシ（ＪＩＳ：ＦＲ−４）から
なり、主面２４０ａには、ＬＧＡ型基板２２０のパッド
２２２と対応する位置に、したがって、中継基板２１０
の軟質金属体２０６とも対応する位置に、パッド２４２
が形成されている。このパッド２４２は、直径０．７２
ｍｍ、厚さ２５μｍの銅からなり、ピッチ１．２７ｍｍ
で格子状に縦横各１９ヶ、計３６１ヶ形成されている。
なお、このプリント基板２４０は、このようなパッド２
４２の群が縦２列、横４列の計８群形成されており、基
板２２０を同時に８ヶ接続できるようになっている。
に示すようなプリント基板２４０を用意した。プリント
基板２４０は、厚さ１．６ｍｍ、２３０×１２５ｍｍの
矩形板状で、ガラスエポキシ（ＪＩＳ：ＦＲ−４）から
なり、主面２４０ａには、ＬＧＡ型基板２２０のパッド
２２２と対応する位置に、したがって、中継基板２１０
の軟質金属体２０６とも対応する位置に、パッド２４２
が形成されている。このパッド２４２は、直径０．７２
ｍｍ、厚さ２５μｍの銅からなり、ピッチ１．２７ｍｍ
で格子状に縦横各１９ヶ、計３６１ヶ形成されている。
なお、このプリント基板２４０は、このようなパッド２
４２の群が縦２列、横４列の計８群形成されており、基
板２２０を同時に８ヶ接続できるようになっている。
【０１２６】このプリント基板２４０を、図１３(a)に
示すように、パッド２４２のある主面２４０ａが上にな
るように置き、さらに上述の方法によって形成した中継
基板２１０を載置する。このとき、各パッド２４２と軟
質金属体２０６上の図中中継基板本体下面側のハンダ層
２０８ｘとの位置を合わせるようにする。
示すように、パッド２４２のある主面２４０ａが上にな
るように置き、さらに上述の方法によって形成した中継
基板２１０を載置する。このとき、各パッド２４２と軟
質金属体２０６上の図中中継基板本体下面側のハンダ層
２０８ｘとの位置を合わせるようにする。
【０１２７】さらに、基板２２０を、パッド２２２のあ
る面２２０ｂが下になるようにして中継基板２１０上に
載置する。このとき、各パッド２２２と軟質金属体２０
６上の図中中継基板本体上面側のハンダ層２０８ｙとの
位置を合わせるようにする。
る面２２０ｂが下になるようにして中継基板２１０上に
載置する。このとき、各パッド２２２と軟質金属体２０
６上の図中中継基板本体上面側のハンダ層２０８ｙとの
位置を合わせるようにする。
【０１２８】次いで、基板２２０と中継基板２１０と取
付基板２４０とを、窒素雰囲気下で、最高温度２１８
℃、２００℃以上保持時間２分のリフロー炉に投入し、
低融点ハンダからなるハンダ層２０８ｘ、２０８ｙをそ
れぞれ溶融させ、一挙にパッド２２２およびパッド２４
２と軟質金属体２０６とをそれぞれ接続させる。
付基板２４０とを、窒素雰囲気下で、最高温度２１８
℃、２００℃以上保持時間２分のリフロー炉に投入し、
低融点ハンダからなるハンダ層２０８ｘ、２０８ｙをそ
れぞれ溶融させ、一挙にパッド２２２およびパッド２４
２と軟質金属体２０６とをそれぞれ接続させる。
【０１２９】なお、このとき、高温ハンダからなる軟質
金属体２０６は溶融しない。これにより、図１３(b)に
示すように、中継基板２１０はＬＧＡ型基板２２０に接
続され、同時にプリント基板２４０にも接続され、基
板、中継基板、取付基板の三者が接続、結合した構造体
２５０が完成する。このようにすることで、基板２２０
は、中継基板２１０を介して、取付基板２４０に接続さ
れたことになる。
金属体２０６は溶融しない。これにより、図１３(b)に
示すように、中継基板２１０はＬＧＡ型基板２２０に接
続され、同時にプリント基板２４０にも接続され、基
板、中継基板、取付基板の三者が接続、結合した構造体
２５０が完成する。このようにすることで、基板２２０
は、中継基板２１０を介して、取付基板２４０に接続さ
れたことになる。
【０１３０】これにより、中継基板本体１の上面（第１
面）とＬＧＡ型基板２２０の下面２２０ｂとの間隔は
０．０５ｍｍ、また、中継基板本体１の下面（第２面）
とプリント基板２４０の上面２４０ａとの間隔は０．７
２ｍｍととなり、基板２２０と中継基板本体１との間隔
よりも中継基板本体１と取付基板２４０との間隔が大き
い（約１４倍）構造体２５０を製作することができた。
軟質金属体２０６が、第１面側にはほとんど突出せず、
第２面側には突出部２０６ｘを有しているからである。
面）とＬＧＡ型基板２２０の下面２２０ｂとの間隔は
０．０５ｍｍ、また、中継基板本体１の下面（第２面）
とプリント基板２４０の上面２４０ａとの間隔は０．７
２ｍｍととなり、基板２２０と中継基板本体１との間隔
よりも中継基板本体１と取付基板２４０との間隔が大き
い（約１４倍）構造体２５０を製作することができた。
軟質金属体２０６が、第１面側にはほとんど突出せず、
第２面側には突出部２０６ｘを有しているからである。
【０１３１】特に本例では、アルミナセラミックからな
るＬＧＡ型基板２２０とアルミナセラミックからなる中
継基板本体１との間隔が、中継基板本体１とガラスエポ
キシからなるプリント基板２４２との間隔に比較して非
常に小さくできる。このようにすると、この構造体２５
０が加熱又は冷却されたときに、材質が同じであるＬＧ
Ａ型基板２２０と中継基板２１０（中継基板本体１）と
の間には、熱膨張差による応力はほとんど発生しない。
一方、中継基板２１０とプリント基板２４０との間に
は、熱膨張差が発生し、応力が発生する。
るＬＧＡ型基板２２０とアルミナセラミックからなる中
継基板本体１との間隔が、中継基板本体１とガラスエポ
キシからなるプリント基板２４２との間隔に比較して非
常に小さくできる。このようにすると、この構造体２５
０が加熱又は冷却されたときに、材質が同じであるＬＧ
Ａ型基板２２０と中継基板２１０（中継基板本体１）と
の間には、熱膨張差による応力はほとんど発生しない。
一方、中継基板２１０とプリント基板２４０との間に
は、熱膨張差が発生し、応力が発生する。
【０１３２】したがって、ＬＧＡ型基板２２０が破壊す
ることはない。一方、中継基板２１０とプリント基板２
４０との間の熱応力のうち中継基板側に掛かる応力は、
軟質金属体２０６に対し突出部（第２突出部）２０６ｘ
の第２面近傍において第２面に沿う方向に掛かる。しか
し、この応力は軟質金属の変形により吸収され緩和され
てしまう。また、中継基板２１０とプリント基板２４０
との間の熱応力のうちプリント基板側に掛かる応力は、
パッド２４２に対し主面２４０ａ方向に掛かる。しか
し、パッド２４２は比較的強固にプリント基板に固着さ
れており、しかもＣｕからなるので変形して応力を吸収
しやすいため、容易には破壊しない。したがって、ＬＧ
Ａ型基板２２０とプリント基板２４０を中継基板２１０
を介さないで従来のように接続した場合に比較して、両
者間の接続が破壊されることが無くなり、あるいは長寿
命となる。
ることはない。一方、中継基板２１０とプリント基板２
４０との間の熱応力のうち中継基板側に掛かる応力は、
軟質金属体２０６に対し突出部（第２突出部）２０６ｘ
の第２面近傍において第２面に沿う方向に掛かる。しか
し、この応力は軟質金属の変形により吸収され緩和され
てしまう。また、中継基板２１０とプリント基板２４０
との間の熱応力のうちプリント基板側に掛かる応力は、
パッド２４２に対し主面２４０ａ方向に掛かる。しか
し、パッド２４２は比較的強固にプリント基板に固着さ
れており、しかもＣｕからなるので変形して応力を吸収
しやすいため、容易には破壊しない。したがって、ＬＧ
Ａ型基板２２０とプリント基板２４０を中継基板２１０
を介さないで従来のように接続した場合に比較して、両
者間の接続が破壊されることが無くなり、あるいは長寿
命となる。
【０１３３】なお、上述の例では、プリント基板２４０
と中継基板２１０とＬＧＡ型基板２２０をこの順に重
ね、リフローして、基板２２０と中継基板２１０、およ
び中継基板２１０とプリント基板２４０とを一挙に接続
（ハンダ付け）して三者からなる構造体２５０を形成し
た例を示した。しかし、第１実施形態例においても説明
したように、一挙に構造体２５０を製作しない方法も採
ることができる。即ち、中継基板２１０を、いったんＬ
ＧＡ型基板２２０に取付けて中継基板付基板（基板と中
継基板の接続体）とした後に、さらにプリント基板２４
０に接続しても良い。また、中継基板２１０とプリント
基板２４０とを先に接続して中継基板付プリント基板
（中継基板と取付基板の接続体）としても良い。
と中継基板２１０とＬＧＡ型基板２２０をこの順に重
ね、リフローして、基板２２０と中継基板２１０、およ
び中継基板２１０とプリント基板２４０とを一挙に接続
（ハンダ付け）して三者からなる構造体２５０を形成し
た例を示した。しかし、第１実施形態例においても説明
したように、一挙に構造体２５０を製作しない方法も採
ることができる。即ち、中継基板２１０を、いったんＬ
ＧＡ型基板２２０に取付けて中継基板付基板（基板と中
継基板の接続体）とした後に、さらにプリント基板２４
０に接続しても良い。また、中継基板２１０とプリント
基板２４０とを先に接続して中継基板付プリント基板
（中継基板と取付基板の接続体）としても良い。
【０１３４】上述の例では、軟質金属体２０６の上面及
び下面にハンダ層２０８ｘ、２０８ｙを形成した。しか
し、例えば、基板２２０と中継基板とを先に接続して中
継基板付基板とすることを希望する場合には、図１４
(a)に示すように、ハンダ層２０８ｙのみ形成し、ハン
ダ層２０８ｘは形成しない中継基板２１０’を製作し、
この中継基板２１０’と基板２２０とを重ねて両者を接
続し、中継基板付基板（基板と中継基板の接続体）２６
０’としても良い。このようにすれば、基板２２０のパ
ッド２２２上にハンダペーストを塗布したり、ボール状
端子を形成する必要はなく、ボール状端子の代わりとな
る突出部２０６ｘが一挙に形成でき、プリント基板２４
０と接続できるようになる。したがって、ＩＣチップメ
ーカがＬＧＡ型基板をＢＧＡ型基板にするための設備を
省略でき、且つ容易にＢＧＡ型基板に相当する中継基板
付基板２６０’を形成することができる。
び下面にハンダ層２０８ｘ、２０８ｙを形成した。しか
し、例えば、基板２２０と中継基板とを先に接続して中
継基板付基板とすることを希望する場合には、図１４
(a)に示すように、ハンダ層２０８ｙのみ形成し、ハン
ダ層２０８ｘは形成しない中継基板２１０’を製作し、
この中継基板２１０’と基板２２０とを重ねて両者を接
続し、中継基板付基板（基板と中継基板の接続体）２６
０’としても良い。このようにすれば、基板２２０のパ
ッド２２２上にハンダペーストを塗布したり、ボール状
端子を形成する必要はなく、ボール状端子の代わりとな
る突出部２０６ｘが一挙に形成でき、プリント基板２４
０と接続できるようになる。したがって、ＩＣチップメ
ーカがＬＧＡ型基板をＢＧＡ型基板にするための設備を
省略でき、且つ容易にＢＧＡ型基板に相当する中継基板
付基板２６０’を形成することができる。
【０１３５】また逆に、中継基板とプリント基板２４０
とを先に接続して中継基板付プリント基板（中継基板と
取付基板の接続体）とすることを希望する場合には、図
１４(b)に示すように、ハンダ層２０８ｘのみ形成し、
ハンダ層２０８ｙは形成しない中継基板２１０”を製作
し、この中継基板２１０”とプリント基板２４０とを重
ねて両者を接続し、中継基板付プリント基板（中継基板
とプリント基板の接続体）２７０”としても良い。この
ようにすれば、プリント基板２４０のパッド２４２上に
ハンダペーストを塗布する必要はなく、一挙に中継基板
２１０”とプリント基板２４０とが接続できる。したが
って、ユーザはプリント基板２４０にハンダペーストを
塗布する設備や工程を省略できる。
とを先に接続して中継基板付プリント基板（中継基板と
取付基板の接続体）とすることを希望する場合には、図
１４(b)に示すように、ハンダ層２０８ｘのみ形成し、
ハンダ層２０８ｙは形成しない中継基板２１０”を製作
し、この中継基板２１０”とプリント基板２４０とを重
ねて両者を接続し、中継基板付プリント基板（中継基板
とプリント基板の接続体）２７０”としても良い。この
ようにすれば、プリント基板２４０のパッド２４２上に
ハンダペーストを塗布する必要はなく、一挙に中継基板
２１０”とプリント基板２４０とが接続できる。したが
って、ユーザはプリント基板２４０にハンダペーストを
塗布する設備や工程を省略できる。
【０１３６】上記例では、軟質金属体２０６の突出部２
０６ｘをプリント基板２４０側に向けて接続した、即
ち、突出部２０６ｘを取付基板２４０のパッド２４４と
接続する第２突出部として用いた場合を示した。しか
し、基板や取付基板の材質が異なる場合などには、この
逆に、図１３に示す中継基板２１０とは上下逆向きにし
て、突出部２０６ｘを基板のパッドと接続する第１突出
部として用いることもできる。例えば、基板の材質がア
ルミナより熱膨張係数の小さい窒化アルミからなり、取
付基板が中継基板本体と略同材質のアルミナセラミック
からなる場合などでは、中継基板本体と取付基板との間
には熱膨張差はほとんど発生せず、その一方で、基板と
中継基板本体との間には熱膨張差が生じる。このような
場合、基板と中継基板本体との間隔を大きくし、突出部
２０６ｘで応力を吸収するようにすると良い。
０６ｘをプリント基板２４０側に向けて接続した、即
ち、突出部２０６ｘを取付基板２４０のパッド２４４と
接続する第２突出部として用いた場合を示した。しか
し、基板や取付基板の材質が異なる場合などには、この
逆に、図１３に示す中継基板２１０とは上下逆向きにし
て、突出部２０６ｘを基板のパッドと接続する第１突出
部として用いることもできる。例えば、基板の材質がア
ルミナより熱膨張係数の小さい窒化アルミからなり、取
付基板が中継基板本体と略同材質のアルミナセラミック
からなる場合などでは、中継基板本体と取付基板との間
には熱膨張差はほとんど発生せず、その一方で、基板と
中継基板本体との間には熱膨張差が生じる。このような
場合、基板と中継基板本体との間隔を大きくし、突出部
２０６ｘで応力を吸収するようにすると良い。
【０１３７】また、このような配置は、例えば、アルミ
ナ等のセラミックからなる基板と、ガラスエポキシ等の
樹脂材料からなる取付基板との間に中継基板本体が樹脂
材料からなる中継基板を介在させる場合などにおいても
適用できる。そして、軟質金属体上にハンダ層を配設し
ておけば、上記例と同様にして、基板や取付基板と一挙
に接続することができる。
ナ等のセラミックからなる基板と、ガラスエポキシ等の
樹脂材料からなる取付基板との間に中継基板本体が樹脂
材料からなる中継基板を介在させる場合などにおいても
適用できる。そして、軟質金属体上にハンダ層を配設し
ておけば、上記例と同様にして、基板や取付基板と一挙
に接続することができる。
【０１３８】（実施形態３） 次に、軟質金属体の突出部形状を球状、半球状でなく、
柱状とした実施形態例について説明する。上記第１実施
形態において図１を参照して説明したのと同様にして、
アルミナセラミックからなり、貫通孔Ｈの内周に金属層
４を有する中継基板本体を用意しておく。本例における
中継基板本体１は、上記第１、２実施形態で使用したも
のと同様のものを使用した。
柱状とした実施形態例について説明する。上記第１実施
形態において図１を参照して説明したのと同様にして、
アルミナセラミックからなり、貫通孔Ｈの内周に金属層
４を有する中継基板本体を用意しておく。本例における
中継基板本体１は、上記第１、２実施形態で使用したも
のと同様のものを使用した。
【０１３９】次いで、貫通孔Ｈ内に軟質金属体３０６を
貫挿する。本例では前記第１実施態様において説明した
溶融軟質金属受け治具Ｊと同様な構造の治具を用いて柱
状の軟質金属体３０６を形成する。即ち、図１５(a)に
示すように、耐熱性があり溶融した高温ハンダに濡れな
い材質であるカーボンからなるハンダ片保持治具Ｎの上
面には、貫通孔Ｈにそれぞれ対応した位置に、直径０．
９ｍｍ、深さ１．９５ｍｍで、先端が円錐状の凹部Ｎ１
が形成されている。また、保持治具Ｎの凹部Ｎ１の頂部
（図中最下部）には、保持治具Ｎを下方に貫通する小径
（φ０．２ｍｍ）のガス抜き孔Ｎ２がそれぞれ形成され
ている。
貫挿する。本例では前記第１実施態様において説明した
溶融軟質金属受け治具Ｊと同様な構造の治具を用いて柱
状の軟質金属体３０６を形成する。即ち、図１５(a)に
示すように、耐熱性があり溶融した高温ハンダに濡れな
い材質であるカーボンからなるハンダ片保持治具Ｎの上
面には、貫通孔Ｈにそれぞれ対応した位置に、直径０．
９ｍｍ、深さ１．９５ｍｍで、先端が円錐状の凹部Ｎ１
が形成されている。また、保持治具Ｎの凹部Ｎ１の頂部
（図中最下部）には、保持治具Ｎを下方に貫通する小径
（φ０．２ｍｍ）のガス抜き孔Ｎ２がそれぞれ形成され
ている。
【０１４０】まず、この保持治具Ｎの各凹部Ｎ１に直径
０．８ｍｍの高温ハンダ（Ｐｂ９０％−Ｓｎ１０％ハン
ダ）ボールＤ１を投入しておく。本例では、各凹部にそ
れぞれ２ヶ投入した。次いで、凹部Ｎ１の端部（上端）
に直径１．０ｍｍの高温ハンダ（Ｐｂ９０％−Ｓｎ１０
％ハンダ）ボールＤ２を載置する。なお、ボールＤ２を
保持治具Ｎの凹部Ｎ１に載置するのには、上記第２実施
形態例において高温ハンダボールＢを貫通孔Ｈの端部に
載置するときに利用したボール規制板Ｓと同様なボール
規制板を利用する容易に載置できて都合がよい。
０．８ｍｍの高温ハンダ（Ｐｂ９０％−Ｓｎ１０％ハン
ダ）ボールＤ１を投入しておく。本例では、各凹部にそ
れぞれ２ヶ投入した。次いで、凹部Ｎ１の端部（上端）
に直径１．０ｍｍの高温ハンダ（Ｐｂ９０％−Ｓｎ１０
％ハンダ）ボールＤ２を載置する。なお、ボールＤ２を
保持治具Ｎの凹部Ｎ１に載置するのには、上記第２実施
形態例において高温ハンダボールＢを貫通孔Ｈの端部に
載置するときに利用したボール規制板Ｓと同様なボール
規制板を利用する容易に載置できて都合がよい。
【０１４１】このとき、凹部Ｎ１内に既に投入されてい
るボールＤ１とボールＤ２とが接触しないで、かつ後述
する高温ハンダの溶融時には両者が接触するように、間
隔をわずかに空けておくのが好ましい。このようにする
とボールＤ２が凹部Ｎ１の上端縁にぴったりと接触して
動かなくなり（あるいは動き難くなり）、後述する中継
基板本体１を載せるときの位置合わせが容易になるから
である。
るボールＤ１とボールＤ２とが接触しないで、かつ後述
する高温ハンダの溶融時には両者が接触するように、間
隔をわずかに空けておくのが好ましい。このようにする
とボールＤ２が凹部Ｎ１の上端縁にぴったりと接触して
動かなくなり（あるいは動き難くなり）、後述する中継
基板本体１を載せるときの位置合わせが容易になるから
である。
【０１４２】その後、図１５(b)に示すように、ボール
Ｄ２の図中上方に中継基板本体１を載置する。このと
き、貫通孔ＨにボールＤ２がはまるように位置決めをす
る。さらに、中継基板本体１の上方、即ち、ボールＤ２
のある側とは反対側から、耐熱性があり溶融した高温ハ
ンダに濡れない材質であるステンレスからなる荷重治具
Ｑの平面（図中下面）Ｑ１を本体１の上面に押し当てる
ようにして載せて、下方に圧縮する。
Ｄ２の図中上方に中継基板本体１を載置する。このと
き、貫通孔ＨにボールＤ２がはまるように位置決めをす
る。さらに、中継基板本体１の上方、即ち、ボールＤ２
のある側とは反対側から、耐熱性があり溶融した高温ハ
ンダに濡れない材質であるステンレスからなる荷重治具
Ｑの平面（図中下面）Ｑ１を本体１の上面に押し当てる
ようにして載せて、下方に圧縮する。
【０１４３】次いで、窒素雰囲気下で、最高温度３６０
℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投入
し、高温ハンダボールＤ１、Ｄ２を溶融させる。これに
より、溶融した高温ハンダＤ２は、荷重治具Ｑにより図
中下方に押し下げられた本体１の貫通孔Ｈ内に貫挿され
るとともに、貫通孔４の内周の金属層４と溶着し、一
方、貫通孔Ｈの上端部では、荷重治具Ｑの平面Ｑ１に倣
って平面状になる。また、高温ハンダＤ２は、保持治具
Ｎの凹部Ｎ１内にも注入される。すると、溶融した高温
ハンダＤ１と接触し、両者は表面張力により一体となろ
うとする。ところが、ハンダＤ２は、金属層４と溶着し
本体１と一体となっているので、本体１から離れて下方
に落下することができないため、重力に抗して高温ハン
ダＤ１を上方に引き上げるようにして一体化する。な
お、本体１は荷重治具Ｑにより保持治具Ｎの上面Ｎ３に
押し当てられた状態まで押し下げられる。また、ガス抜
き孔Ｎ２は、高温ハンダボールＤ１、Ｄ２を溶融させる
ときに、凹部Ｎ１内に閉じこめられた空気を逃がす役割
をする。
℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投入
し、高温ハンダボールＤ１、Ｄ２を溶融させる。これに
より、溶融した高温ハンダＤ２は、荷重治具Ｑにより図
中下方に押し下げられた本体１の貫通孔Ｈ内に貫挿され
るとともに、貫通孔４の内周の金属層４と溶着し、一
方、貫通孔Ｈの上端部では、荷重治具Ｑの平面Ｑ１に倣
って平面状になる。また、高温ハンダＤ２は、保持治具
Ｎの凹部Ｎ１内にも注入される。すると、溶融した高温
ハンダＤ１と接触し、両者は表面張力により一体となろ
うとする。ところが、ハンダＤ２は、金属層４と溶着し
本体１と一体となっているので、本体１から離れて下方
に落下することができないため、重力に抗して高温ハン
ダＤ１を上方に引き上げるようにして一体化する。な
お、本体１は荷重治具Ｑにより保持治具Ｎの上面Ｎ３に
押し当てられた状態まで押し下げられる。また、ガス抜
き孔Ｎ２は、高温ハンダボールＤ１、Ｄ２を溶融させる
ときに、凹部Ｎ１内に閉じこめられた空気を逃がす役割
をする。
【０１４４】その後、冷却して高温ハンダを凝固させる
と、図１６に示すように、中継基板本体１の図中下方側
には、側面は凹部Ｎ１の側壁の形状に倣い、図中下端即
ち、突出部の頂部は略半球状となった突出部３０６ｘを
有し、上方側にはほとんど突出しない形状の軟質金属体
３０６が貫挿されたものができた。本例では、突出部３
０６ｘは、直径（最大径）０．８８ｍｍ、突出高さＺｘ
１．７５ｍｍであり、その直径（最大径）よりも突出高
さの高い柱状となった。一方、図中上面側においては上
面からの突出高さＺｙは０．０１ｍｍであった。
と、図１６に示すように、中継基板本体１の図中下方側
には、側面は凹部Ｎ１の側壁の形状に倣い、図中下端即
ち、突出部の頂部は略半球状となった突出部３０６ｘを
有し、上方側にはほとんど突出しない形状の軟質金属体
３０６が貫挿されたものができた。本例では、突出部３
０６ｘは、直径（最大径）０．８８ｍｍ、突出高さＺｘ
１．７５ｍｍであり、その直径（最大径）よりも突出高
さの高い柱状となった。一方、図中上面側においては上
面からの突出高さＺｙは０．０１ｍｍであった。
【０１４５】ついで、図１７(a)に示すように、軟質金
属体３０６の上面に直径０．４ｍｍの低融点ハンダボー
ル（Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダボール）Ｅｙを載置する。な
お、このボールＥｙを載置するには、上記第２実施形態
例においてボール規制板Ｒを用いてハンダボールＣｙを
載置したのと同様にして、ボール規制板Ｒ’を用いると
容易に載置できる。本例においては、規制板Ｒ’の厚み
は０．５ｍｍ、透孔ＲＨ’の直径は０．６ｍｍである。
属体３０６の上面に直径０．４ｍｍの低融点ハンダボー
ル（Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダボール）Ｅｙを載置する。な
お、このボールＥｙを載置するには、上記第２実施形態
例においてボール規制板Ｒを用いてハンダボールＣｙを
載置したのと同様にして、ボール規制板Ｒ’を用いると
容易に載置できる。本例においては、規制板Ｒ’の厚み
は０．５ｍｍ、透孔ＲＨ’の直径は０．６ｍｍである。
【０１４６】ところで、ハンダボールＥｙを載置するに
あたっては、保持治具Ｎの凹部Ｎ１に突出部３０６ｘが
はまりこんだ状態のまま、即ち、図１６において、荷重
治具Ｑのみ除去した状態、あるいは、図１７(a)に示す
ように、突出部３０６ｘの先端がそれぞれはまりこむ凹
部Ｕ１を有する軟質金属体保持治具Ｕを用い、この治具
Ｕの凹部Ｕ１に突出部３０６ｘの先端をそれぞれ嵌め込
んだ状態で行うと都合がよい。軟質金属体３０６は柔ら
かく変形しやすい高温ハンダから形成されているからで
ある。
あたっては、保持治具Ｎの凹部Ｎ１に突出部３０６ｘが
はまりこんだ状態のまま、即ち、図１６において、荷重
治具Ｑのみ除去した状態、あるいは、図１７(a)に示す
ように、突出部３０６ｘの先端がそれぞれはまりこむ凹
部Ｕ１を有する軟質金属体保持治具Ｕを用い、この治具
Ｕの凹部Ｕ１に突出部３０６ｘの先端をそれぞれ嵌め込
んだ状態で行うと都合がよい。軟質金属体３０６は柔ら
かく変形しやすい高温ハンダから形成されているからで
ある。
【０１４７】しかる後、窒素雰囲気下で、最高温度２２
０℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投
入し、低融点ハンダボールＥｙを溶融させる。なお、こ
の温度条件では軟質金属体３０６は溶融しない。溶融し
た低融点ハンダは、軟質金属体３０６の図中上面に濡れ
て拡がり、ハンダ層３０８ｙとなる（図１７(b)参
照）。このハンダ層３０８ｙは、低融点ハンダボールＥ
ｙの体積が一定に規制されているので、一定量（体積）
となり、高さも均一になる。本例においては、基板本体
１の図中上面からハンダ層３０８ｙの頂部（図中最上
端）までの高さが０．０８ｍｍであった。
０℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投
入し、低融点ハンダボールＥｙを溶融させる。なお、こ
の温度条件では軟質金属体３０６は溶融しない。溶融し
た低融点ハンダは、軟質金属体３０６の図中上面に濡れ
て拡がり、ハンダ層３０８ｙとなる（図１７(b)参
照）。このハンダ層３０８ｙは、低融点ハンダボールＥ
ｙの体積が一定に規制されているので、一定量（体積）
となり、高さも均一になる。本例においては、基板本体
１の図中上面からハンダ層３０８ｙの頂部（図中最上
端）までの高さが０．０８ｍｍであった。
【０１４８】このようにして、図１７(b)に示すよう
に、図中上下面の間を貫通する貫通孔Ｈを有する中継基
板本体１と、貫通孔Ｈ内に貫挿され図中下面より突出し
た突出部３０６ｘを有する軟質金属体３０６と、図中上
面側の軟質金属体３０６上に形成され軟質金属体３０６
よりも低い融点を有するハンダ層３０８ｙと、を有する
中継基板３１０が形成できた。なお、本例においては、
軟質金属体３０６の上下両面にハンダ層を設けるのでは
なく、図中上方にのみハンダ層３０８ｙを設けたが、例
えば、第１、２実施態様で説明した手法を用いることに
より、上下両面に設けた中継基板３１０’を形成するこ
ともできる（図１８(a)参照）。また、逆に下面、即
ち、突出部３０６ｘの頂部にのみハンダ層３０８ｘを形
成した中継基板３１０”とすることもできる（図１８
(b)参照）。
に、図中上下面の間を貫通する貫通孔Ｈを有する中継基
板本体１と、貫通孔Ｈ内に貫挿され図中下面より突出し
た突出部３０６ｘを有する軟質金属体３０６と、図中上
面側の軟質金属体３０６上に形成され軟質金属体３０６
よりも低い融点を有するハンダ層３０８ｙと、を有する
中継基板３１０が形成できた。なお、本例においては、
軟質金属体３０６の上下両面にハンダ層を設けるのでは
なく、図中上方にのみハンダ層３０８ｙを設けたが、例
えば、第１、２実施態様で説明した手法を用いることに
より、上下両面に設けた中継基板３１０’を形成するこ
ともできる（図１８(a)参照）。また、逆に下面、即
ち、突出部３０６ｘの頂部にのみハンダ層３０８ｘを形
成した中継基板３１０”とすることもできる（図１８
(b)参照）。
【０１４９】なお、図１８(a)に示すように、ハンダ層
３０８ｘと３０８ｙを設ける場合には、突出高さＺの高
い側、即ち、突出部３０６ｘ側に設けるハンダ層３０８
ｘのハンダ体積を、他方のハンダ層３０８ｙのハンダ体
積よりも多くすると良い。突出高さの高い突出部３０６
ｘでは、その側面部にも低融点ハンダが拡がるのでハン
ダ層３０８ｘの厚さが薄くなりやすく、後述する基板や
プリント基板のパッド３２２や３４２との接続に寄与す
るハンダ量がすくなくなるのを防ぐため、ハンダ量を増
やすのがよいからである。一方、突出高さの低い突出部
３０６ｙでは、その側面部に低融点ハンダが拡がる余地
が少ないのでハンダ層３０８ｙの厚さが厚くなりやす
く、パッド３２２や３４２との接続時にハンダ量過多と
なるのを防ぐため、ハンダ量を減らすほうが好ましいか
らである。
３０８ｘと３０８ｙを設ける場合には、突出高さＺの高
い側、即ち、突出部３０６ｘ側に設けるハンダ層３０８
ｘのハンダ体積を、他方のハンダ層３０８ｙのハンダ体
積よりも多くすると良い。突出高さの高い突出部３０６
ｘでは、その側面部にも低融点ハンダが拡がるのでハン
ダ層３０８ｘの厚さが薄くなりやすく、後述する基板や
プリント基板のパッド３２２や３４２との接続に寄与す
るハンダ量がすくなくなるのを防ぐため、ハンダ量を増
やすのがよいからである。一方、突出高さの低い突出部
３０６ｙでは、その側面部に低融点ハンダが拡がる余地
が少ないのでハンダ層３０８ｙの厚さが厚くなりやす
く、パッド３２２や３４２との接続時にハンダ量過多と
なるのを防ぐため、ハンダ量を減らすほうが好ましいか
らである。
【０１５０】ここで、第２実施態様の場合と同様に、図
１９に示すようにＬＧＡ型基板３２０およびプリント基
板３４０とを、突出部３０６ｘが本体１とプリント基板
３４０との間に位置するように中継基板３１０”を介在
させて接続した場合、基板３２０と中継基板３１０”と
の間隔（基板３２０と本体１の第１面１ａとの間隔）は
０．０３ｍｍとなり、中継基板３１０”とプリント基板
３４０との間隔（本体１の第２面１ｂとプリント基板３
４０との間隔）は１．７８ｍｍとなった。即ち、第１、
２実施形態の場合に比較して、本体１とプリント基板３
４０の間隔が大きくできた。このようにすると、この間
隔が大きくなった分、両者間に生ずる応力を緩和するこ
とができる。また、突出部３０６ｘは、その径に比して
突出高さが高い柱状の形状となっているので、この形状
自体も変形が容易なようになっており、ここでも応力を
吸収できる。さらに、軟質金属体からできた突出部３０
６ｘは、それ自身が変形容易で応力を吸収できる。
１９に示すようにＬＧＡ型基板３２０およびプリント基
板３４０とを、突出部３０６ｘが本体１とプリント基板
３４０との間に位置するように中継基板３１０”を介在
させて接続した場合、基板３２０と中継基板３１０”と
の間隔（基板３２０と本体１の第１面１ａとの間隔）は
０．０３ｍｍとなり、中継基板３１０”とプリント基板
３４０との間隔（本体１の第２面１ｂとプリント基板３
４０との間隔）は１．７８ｍｍとなった。即ち、第１、
２実施形態の場合に比較して、本体１とプリント基板３
４０の間隔が大きくできた。このようにすると、この間
隔が大きくなった分、両者間に生ずる応力を緩和するこ
とができる。また、突出部３０６ｘは、その径に比して
突出高さが高い柱状の形状となっているので、この形状
自体も変形が容易なようになっており、ここでも応力を
吸収できる。さらに、軟質金属体からできた突出部３０
６ｘは、それ自身が変形容易で応力を吸収できる。
【０１５１】即ち、本例で示したような柱状の突出部
（本例では３０６ｘ）を形成した場合には、突出部を半
球状にした場合に比較して、基板と中継基板本体、ある
いは中継基板本体と取付基板の間隔を大きくすることが
できる。したがって、両者の間に生ずる応力をより多く
緩和することができる。半球状の突出に比較して、同じ
高さの場合であれば、柱状の突出の方が細くなり、より
変形が容易となる。また、最大径が同じであれば、柱状
の方が高さが高くなって、やはり変形が容易となるから
である。
（本例では３０６ｘ）を形成した場合には、突出部を半
球状にした場合に比較して、基板と中継基板本体、ある
いは中継基板本体と取付基板の間隔を大きくすることが
できる。したがって、両者の間に生ずる応力をより多く
緩和することができる。半球状の突出に比較して、同じ
高さの場合であれば、柱状の突出の方が細くなり、より
変形が容易となる。また、最大径が同じであれば、柱状
の方が高さが高くなって、やはり変形が容易となるから
である。
【０１５２】また、通常の場合、隣接する軟質金属体の
間隔（面接続パッド相互の間隔）は、所定の値にされて
いるので、突出部の最大径は、この間隔によって制限さ
れる。一方、突出部の高さについては、許容範囲の大き
い場合が多いと考えられる。したがって、突出部を柱状
とすると突出部の最大径の制限内で、高さの許容範囲ま
で高い突出を形成できるので、基板や取付基板と中継基
板本体との間隔をより大きく、しかも突出部を相対的に
細くできるので、より多くの応力緩和ができる。その
上、突出部が軟質金属体から形成されているので、突出
部自体が塑性変形等によって変形して応力を緩和でき
る。したがって、基板−中継基板間、あるいは中継基板
−取付基板間の接続信頼性を向上させ、接続部の寿命を
長くすることができる。
間隔（面接続パッド相互の間隔）は、所定の値にされて
いるので、突出部の最大径は、この間隔によって制限さ
れる。一方、突出部の高さについては、許容範囲の大き
い場合が多いと考えられる。したがって、突出部を柱状
とすると突出部の最大径の制限内で、高さの許容範囲ま
で高い突出を形成できるので、基板や取付基板と中継基
板本体との間隔をより大きく、しかも突出部を相対的に
細くできるので、より多くの応力緩和ができる。その
上、突出部が軟質金属体から形成されているので、突出
部自体が塑性変形等によって変形して応力を緩和でき
る。したがって、基板−中継基板間、あるいは中継基板
−取付基板間の接続信頼性を向上させ、接続部の寿命を
長くすることができる。
【０１５３】上記第１、２、３実施形態を例として本発
明を説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲におい
て、適宜変更して用いることができる。
明を説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲におい
て、適宜変更して用いることができる。
【０１５４】上記実施形態においては、中継基板本体１
の材質としてアルミナセラミックを使用した例を示した
が、これに限定されることはなく、窒化アルミ、窒化珪
素、炭化珪素、ムライトその他のセラミックを用いるこ
とができる。特に、中継基板本体１には、比較的高い応
力が掛かるので、破壊強度や靱性の高いものを適宜選択
すると良い。また、基板や取付基板の材質によっては、
ガラスエポキシ樹脂やガラスＢＴレジン、エポキシ樹脂
やＢＴレジン等の樹脂系材料を用いても良く、基板に樹
脂系材料製の基板を用いる場合には、熱膨張係数が近似
した値となるので、特に好ましい。
の材質としてアルミナセラミックを使用した例を示した
が、これに限定されることはなく、窒化アルミ、窒化珪
素、炭化珪素、ムライトその他のセラミックを用いるこ
とができる。特に、中継基板本体１には、比較的高い応
力が掛かるので、破壊強度や靱性の高いものを適宜選択
すると良い。また、基板や取付基板の材質によっては、
ガラスエポキシ樹脂やガラスＢＴレジン、エポキシ樹脂
やＢＴレジン等の樹脂系材料を用いても良く、基板に樹
脂系材料製の基板を用いる場合には、熱膨張係数が近似
した値となるので、特に好ましい。
【０１５５】基板についても、上記したアルミナセラミ
ック製基板に限定されず、その他、窒化アルミ、窒化珪
素、ムライト、ガラスセラミック等のセラミック材料
を、適宜選択して用いることができる。さらに、ガラス
エポキシやＢＴレジン等の樹脂系材料を用いた基板でも
良い。また、基板は、集積回路チップを搭載したものに
特に限定はされない。即ち、集積回路チップのほか、ト
ランジスタ等の能動素子、抵抗やコンデンサ等の電子部
品を搭載したものでも良い。
ック製基板に限定されず、その他、窒化アルミ、窒化珪
素、ムライト、ガラスセラミック等のセラミック材料
を、適宜選択して用いることができる。さらに、ガラス
エポキシやＢＴレジン等の樹脂系材料を用いた基板でも
良い。また、基板は、集積回路チップを搭載したものに
特に限定はされない。即ち、集積回路チップのほか、ト
ランジスタ等の能動素子、抵抗やコンデンサ等の電子部
品を搭載したものでも良い。
【０１５６】さらに、取付基板についても、上記実施例
においては、ガラスエポキシ製のプリント基板を用いた
例を示したが、特に限定されることはない。即ち、その
他ＢＴレジンやフェノール樹脂等を用いたもの、例え
ば、ガラスＢＴレジン樹脂や、紙フェノール樹脂でも良
く、アルミナ等のセラミックを用いた基板であっても良
い。また、取付基板としては、マザーボードを例示した
が、基板を単数取付けるものであっても、複数取付ける
ものであってもよい。
においては、ガラスエポキシ製のプリント基板を用いた
例を示したが、特に限定されることはない。即ち、その
他ＢＴレジンやフェノール樹脂等を用いたもの、例え
ば、ガラスＢＴレジン樹脂や、紙フェノール樹脂でも良
く、アルミナ等のセラミックを用いた基板であっても良
い。また、取付基板としては、マザーボードを例示した
が、基板を単数取付けるものであっても、複数取付ける
ものであってもよい。
【０１５７】また、上記実施形態においては、溶融した
軟質金属やハンダをはじく性質を持つ治具として、カー
ボン（黒鉛）やステンレス等を用いた例を示したが、耐
熱性があり、使用する溶融金属に対して濡れ性のないも
のであれば良く、カーボンの他、窒化ホウ素、窒化珪
素、アルミナ等のセラミックや、ステンレス、チタン等
の金属であってもよい。特に、上述した転写板やハンダ
片保持治具、ボール規制板などは板状体であるため、ス
テンレス等の金属を用いると、割れ等が生じ難く都合が
よい。また、エッチングにより透孔を高精度かつ容易に
形成できる点でも都合がよい。一方、熱膨張係数を小さ
くしたり、熱による反り等を防止するには、セラミック
を用いるのが都合がよい。
軟質金属やハンダをはじく性質を持つ治具として、カー
ボン（黒鉛）やステンレス等を用いた例を示したが、耐
熱性があり、使用する溶融金属に対して濡れ性のないも
のであれば良く、カーボンの他、窒化ホウ素、窒化珪
素、アルミナ等のセラミックや、ステンレス、チタン等
の金属であってもよい。特に、上述した転写板やハンダ
片保持治具、ボール規制板などは板状体であるため、ス
テンレス等の金属を用いると、割れ等が生じ難く都合が
よい。また、エッチングにより透孔を高精度かつ容易に
形成できる点でも都合がよい。一方、熱膨張係数を小さ
くしたり、熱による反り等を防止するには、セラミック
を用いるのが都合がよい。
【０１５８】なお、上述の第１実施形態では、透孔を形
成した転写板を使用したが、凹孔を形成したものでも良
い。特に凹孔の深さを調整すると、ハンダ層の頂部を平
坦にすることができる。この場合には、各々のハンダ層
の高さを均一に揃えることができるので、基板や取付基
板と中継基板を重ねたときに、ハンダ層がパッドと接し
あるいは十分に近接するようにでき、パッドとハンダ層
とを確実に接続できる。また、頂部が平坦であると、基
板等と重ねたときに位置ズレが起こり難く、より接続が
容易となる。なお、第１面側及び第２面側のハンダ層を
形成した後に平行平板で加圧したり、加圧しつつ加熱し
てハンダ層を溶融することでも頂部を平坦にすることが
できる。
成した転写板を使用したが、凹孔を形成したものでも良
い。特に凹孔の深さを調整すると、ハンダ層の頂部を平
坦にすることができる。この場合には、各々のハンダ層
の高さを均一に揃えることができるので、基板や取付基
板と中継基板を重ねたときに、ハンダ層がパッドと接し
あるいは十分に近接するようにでき、パッドとハンダ層
とを確実に接続できる。また、頂部が平坦であると、基
板等と重ねたときに位置ズレが起こり難く、より接続が
容易となる。なお、第１面側及び第２面側のハンダ層を
形成した後に平行平板で加圧したり、加圧しつつ加熱し
てハンダ層を溶融することでも頂部を平坦にすることが
できる。
【図１】中継基板本体を形成する工程を示す部分拡大断
面図である。（ａ）は焼成前の状態、（ｂ）は焼成後の
状態、（ｃ）はメッキを施した状態を示す。
面図である。（ａ）は焼成前の状態、（ｂ）は焼成後の
状態、（ｃ）はメッキを施した状態を示す。
【図２】第１実施形態にかかり、中継基板本体に軟質金
属体を注入する工程を示す部分拡大断面図である。
（ａ）は注入前の状態、（ｂ）は注入後の状態を示す。
属体を注入する工程を示す部分拡大断面図である。
（ａ）は注入前の状態、（ｂ）は注入後の状態を示す。
【図３】中継基板本体に軟質金属体を貫挿した状態を示
す部分拡大断面図である。
す部分拡大断面図である。
【図４】軟質金属体に第１面側及び第２面側ハンダ層を
形成する工程を示す部分拡大断面図である。（ａ）は転
写板をセットした状態、（ｂ）はリフロー後の状態の中
継基板を示す部分拡大断面図である。
形成する工程を示す部分拡大断面図である。（ａ）は転
写板をセットした状態、（ｂ）はリフロー後の状態の中
継基板を示す部分拡大断面図である。
【図５】完成した中継基板の状態を示す部分拡大断面図
である。
である。
【図６】中継基板と接続する基板（ａ）およびプリント
基板（ｂ）の断面図である。
基板（ｂ）の断面図である。
【図７】中継基板を基板および取付基板と接続する工程
を示す断面図である。（ａ）は中継基板をプリント基板
に重ねた状態、（ｂ）は更に基板を重ねた状態を示す。
を示す断面図である。（ａ）は中継基板をプリント基板
に重ねた状態、（ｂ）は更に基板を重ねた状態を示す。
【図８】基板と中継基板と取付基板とを接続した状態
（構造体）を示す断面図である。
（構造体）を示す断面図である。
【図９】第２実施形態にかかり、中継基板本体に軟質金
属体を注入、貫挿する工程を説明する部分拡大断面図で
ある。（ａ）は中継基板本体上に軟質金属ボールをセッ
トした状態、（ｂ）はボールをセットした中継基板本体
を載置台に置いた状態、（ｃ）は注入後の状態を示す。
属体を注入、貫挿する工程を説明する部分拡大断面図で
ある。（ａ）は中継基板本体上に軟質金属ボールをセッ
トした状態、（ｂ）はボールをセットした中継基板本体
を載置台に置いた状態、（ｃ）は注入後の状態を示す。
【図１０】軟質金属体の上面側及び下面側にハンダ層を
形成する工程を示す部分拡大断面図である。
形成する工程を示す部分拡大断面図である。
【図１１】軟質金属体の上下面にハンダ層を形成した状
態を示す部分拡大断面図である。
態を示す部分拡大断面図である。
【図１２】軟質金属体の上面側と下面側のハンダ層のハ
ンダ量についての説明図である。（ａ）は第１、第２面
側ハンダ層を設ける前の状態、（ｂ）は両面に等量のハ
ンダ層を設けた場合の状態を示す。
ンダ量についての説明図である。（ａ）は第１、第２面
側ハンダ層を設ける前の状態、（ｂ）は両面に等量のハ
ンダ層を設けた場合の状態を示す。
【図１３】中継基板を基板および取付基板と接続する工
程を示す断面図である。（ａ）は取付基板、中継基板、
の順に基板に重ねた状態、（ｂ）は三者を接続した状態
（構造体）を示す。
程を示す断面図である。（ａ）は取付基板、中継基板、
の順に基板に重ねた状態、（ｂ）は三者を接続した状態
（構造体）を示す。
【図１４】中継基板を基板又は取付基板と接続する工程
を示す断面図である。（ａ）は基板と中継基板の接続、
（ｂ）は中継基板と取付基板の接続を示す。
を示す断面図である。（ａ）は基板と中継基板の接続、
（ｂ）は中継基板と取付基板の接続を示す。
【図１５】第３の実施形態にかかり、中継基板本体に軟
質金属体を注入、貫挿する工程を説明する部分拡大断面
図である。（ａ）は治具の凹部内及び上端部に軟質金属
ボールをセットした状態、（ｂ）中継基板本体をセット
し荷重治具で押圧する状態を示す。
質金属体を注入、貫挿する工程を説明する部分拡大断面
図である。（ａ）は治具の凹部内及び上端部に軟質金属
ボールをセットした状態、（ｂ）中継基板本体をセット
し荷重治具で押圧する状態を示す。
【図１６】中継基板本体に軟質金属を注入、貫挿し、柱
状の突出部を形成した状態を説明する部分拡大断面図で
ある。
状の突出部を形成した状態を説明する部分拡大断面図で
ある。
【図１７】軟質金属体の上面側にハンダ層を形成する工
程を示す部分拡大断面図である。（ａ）は上面側に低融
点ハンダボールをセットした状態、（ｂ）は上面側にハ
ンダ層を形成した状態を示す。
程を示す部分拡大断面図である。（ａ）は上面側に低融
点ハンダボールをセットした状態、（ｂ）は上面側にハ
ンダ層を形成した状態を示す。
【図１８】軟質金属体の上面側及び下面側（ａ）、また
は下面側（ｂ）にハンダ層を形成した状態を示す部分拡
大断面図である。
は下面側（ｂ）にハンダ層を形成した状態を示す部分拡
大断面図である。
【図１９】柱状の突出部を有する中継基板を基板および
取付基板と接続した状態を示す断面図である。
取付基板と接続した状態を示す断面図である。
１：中継基板本体 ２：下地金属層 ３：Ｎｉ−Ｂメッキ層 ４：金属層 ５：金メッキ層 ６、２０６、３０６：軟質金属体 ６ａ、６ｂ、２０６ｘ、３０６ｘ：突出部 ８ａ、８ｂ、２０８ｘ、２０８ｙ、３０８ｘ、３０８
ｙ：ハンダ層 １０、２１０、２１０’、２１０”、３１０、３１０’
３１０”：中継基板 ２０、２２０、３２０：ＬＧＡ型基板 ２１：キャビティ ２２１、３２１：フリップチップパッド ２２、２２２、３２２：パッド ４０、２４０、３４０：プリント基板 ４２、２４２、３４２：パッド
ｙ：ハンダ層 １０、２１０、２１０’、２１０”、３１０、３１０’
３１０”：中継基板 ２０、２２０、３２０：ＬＧＡ型基板 ２１：キャビティ ２２１、３２１：フリップチップパッド ２２、２２２、３２２：パッド ４０、２４０、３４０：プリント基板 ４２、２４２、３４２：パッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 1/14 H05K 1/03 610 H05K 1/18
Claims (18)
- 【請求項１】面接続パッドを有する基板と該面接続パッ
ドと対応する位置に面接続取付パッドを有する取付基板
との間に介在させ、第１面側で該面接続パッドと接続さ
せ、第２面側で該面接続取付パッドと接続させることに
より該基板と該取付基板とを接続させるための中継基板
であって、 第１面と第２面とを有する略板形状をなし、該第１面と
該第２面の間を貫通する複数の貫通孔を有し、貫通孔内
壁面に金属層を有する中継基板本体と、 該貫通孔内に貫挿され、該金属層に溶着し、該第１面よ
り突出した第１突出部および第２面より突出した第２突
出部のうち少なくともいずれかを備えた軟質金属体と、 該第１面側の該軟質金属体の表面上に配設され該軟質金
属体よりも低い融点を持つ第１面側ハンダ層と、該第２
面側の該軟質金属体の表面上に配設され該軟質金属体よ
りも低い融点を持つ第２面側ハンダ層と、 を有する中継基板。 - 【請求項２】前記軟質金属体の前記第１面側の表面積Ｓ
１と第２面側の表面積Ｓ２とが異なり、 前記第１面側ハンダ層のハンダ量Ｖ１と第２面側ハンダ
層のハンダ量Ｖ２とを比較したときに、表面積の多い側
に配設されるハンダ量が多くされている請求項１に記載
の中継基板。 - 【請求項３】前記軟質金属体の第１突出高さＺ１と第２
突出高さＺ２とが異なり、 前記第１面側ハンダ層のハンダ量Ｖ１と第２面側ハンダ
層のハンダ量Ｖ２とを比較したときに、突出高さの高い
側に配設されるハンダ量が多くされている請求項１に記
載の中継基板。 - 【請求項４】面接続パッドを有する基板と該面接続パッ
ドと対応する位置に面接続取付パッドを有する取付基板
との間に介在させ、第１面側で該面接続パッドと接続さ
せ、第２面側で該面接続取付パッドと接続させることに
より該基板と該取付基板とを接続させるための中継基板
であって、 第１面と第２面とを有する略板形状をなし、該第１面と
該第２面の間を貫通する複数の貫通孔を有し、貫通孔内
壁面に金属層を有する中継基板本体と、 該貫通孔内に貫挿され、該金属層に溶着し、該第１面よ
り突出した第１突出部および第２面より突出した第２突
出部のうち少なくともいずれかを備えた軟質金属体と、 該第１面側の該軟質金属体の表面上に配設され該軟質金
属体よりも低い融点を持つ第１面側ハンダ層と、 を有する中継基板。 - 【請求項５】面接続パッドを有する基板と該面接続パッ
ドと対応する位置に面接続取付パッドを有する取付基板
との間に介在させ、第１面側で該面接続パッドと接続さ
せ、第２面側で該面接続取付パッドと接続させることに
より該基板と該取付基板とを接続させるための中継基板
であって、 第１面と第２面とを有する略板形状をなし、該第１面と
該第２面の間を貫通する複数の貫通孔を有し、貫通孔内
壁面に金属層を有する中継基板本体と、 該貫通孔内に貫挿され、該金属層に溶着し、該第２面よ
り突出した第２突出部を備えた軟質金属体と、 該第１面側の該軟質金属体の表面上に配設され該軟質金
属体よりも低い融点を持つ第１面側ハンダ層と、 を有する中継基板。 - 【請求項６】面接続パッドを有する基板と該面接続パッ
ドと対応する位置に面接続取付パッドを有する取付基板
との間に介在させ、第１面側で該面接続パッドと接続さ
せ、第２面側で該面接続取付パッドと接続させることに
より該基板と該取付基板とを接続させるための中継基板
であって、 第１面と第２面とを有する略板形状をなし、該第１面と
該第２面の間を貫通する複数の貫通孔を有し、貫通孔内
壁面に金属層を有する中継基板本体と、 該貫通孔内に貫挿され、該金属層に溶着し、該第１面よ
り突出した第１突出部および第２面より突出した第２突
出部のうち少なくともいずれかを備えた軟質金属体と、 該第２面側の該軟質金属体の表面上に配設され該軟質金
属体よりも低い融点を持つ第２面側ハンダ層と、 を有する中継基板。 - 【請求項７】前記第１及び第２突出部のうち、少なくと
も突出高さの高い側の突出部は、その突出高さがその突
出部の最大径よりも高い略柱状にされている請求項１〜
６のいずれかに記載の中継基板。 - 【請求項８】前記中継基板本体が、セラミックからなる
請求項１〜７のいずれかに記載の中継基板。 - 【請求項９】前記軟質金属体が、鉛（Ｐｂ）やスズ（Ｓ
ｎ）、亜鉛（Ｚｎ）やこれらを主体とする合金からなる
請求項１〜８のいずれかに記載の中継基板。 - 【請求項１０】請求項１〜９のいずれかに記載の中継基
板の製造方法であって、 前記中継基板本体の前記貫通孔に、前記第１面側または
第２面側のいずれかから溶融した軟質金属を注入して、
前記貫通孔内壁面の金属層に溶着する前記軟質金属体を
形成する工程を有する中継基板の製造方法。 - 【請求項１１】請求項１０に記載の中継基板の製造方法
であって、 前記中継基板本体の下側に、溶融した軟質金属に濡れな
い材質からなり、前記貫通孔に対応した位置にそれぞれ
凹部を有する溶融軟質金属受け治具を配置する工程と、 前記貫通孔に注入された溶融軟質金属を少なくとも該凹
部および貫通孔内に保持し、その後、溶融軟質金属を冷
却し、凝固させる工程と、 を有する中継基板の製造方法。 - 【請求項１２】請求項１０または１１に記載の中継基板
の製造方法であって、 所定形状の軟質金属からなる金属片を該貫通孔の前記第
１面側または第２面側端部に載置する工程と、 その後加熱して該金属片を溶融し、該貫通孔に溶融した
軟質金属を流動させて注入せしめる工程と、 を有する中継基板の製造方法。 - 【請求項１３】前記金属片は、球形状の軟質金属である
請求項１２に記載の中継基板の製造方法。 - 【請求項１４】請求項１０〜１３のいずれかに記載の中
継基板の製造方法であって、 前記軟質金属体に対応した位置にペースト充填孔を有す
る転写板の該ペースト充填孔に該軟質金属体よりも低い
融点を有するハンダペーストを充填する工程と、 前記第１面および第２面側の少なくともいずれかにおい
て、軟質金属体の位置にペースト充填孔を合わせつつ中
継基板と転写板とを重ねる工程と、 該軟質金属体の融点よりも低い温度で該ハンダペースト
を溶融させ、該第１面および第２面側の少なくともいず
れかの該軟質金属体の表面上に前記第１面側ハンダ層お
よび第２面側ハンダ層の少なくともいずれかを形成する
工程と、 を含む中継基板の製造方法。 - 【請求項１５】請求項１０〜１３のいずれかに記載の中
継基板の製造方法であって、 ハンダに濡れない材質からなり前記軟質金属体に対応し
た位置にそれぞれ透孔 を有するハンダ片位置規制板の該
透孔を、前記第１面および第２面側のいずれかの軟質金
属体の位置に合わせつつ中継基板とハンダ片位置規制板
とを重ねる工程と、 該ハンダ片位置規制板の透孔中にそれぞれハンダ片を配
置する工程と、該軟質金属体の融点よりも低い温度で該
ハンダ片を溶融させ、該第１面および第２面側のいずれ
かの該軟質金属体の表面上に前記第１面側ハンダ層およ
び第２面側ハンダ層のいずれかを形成する工程と、 を有する中継基板の製造方法。 - 【請求項１６】前記基板と請求項１〜３のいずれかに記
載の中継基板と前記取付基板とを重ねる工程と、 この三者を前記軟質金属体の融点より低い温度に加熱し
て前記第１および第２面側ハンダ層を溶融させ、該基板
の面接続パッドと対応する該中継基板の第１面側ハンダ
層とを接続させ、かつ該中継基板の第２面側ハンダ層と
対応する該取付基板の面接続取付パッドとを接続させる
工程と、 を有する基板と中継基板と取付基板とからなる構造体の
製造方法。 - 【請求項１７】前記基板と請求項１〜５のいずれかに記
載の中継基板とを重ねる工程と、 両者を加熱して前記軟質金属体の融点より低い温度で前
記第１面側ハンダ層を溶融させ、該基板の面接続パッド
と対応する該中継基板の第１面側ハンダ層とを接続させ
る工程と、 を有する基板と中継基板の接続体の製造方法。 - 【請求項１８】請求項１〜３、６のいずれかに記載の中
継基板と前記取付基板とを重ねる工程と、 両者を加熱して前記軟質金属体の融点より低い温度で前
記第２面側ハンダ層を溶融させ、該中継基板の第２面側
ハンダ層と対応する該取付基板の面接続取付パッドとを
接続させる工程と、 を有する中継基板と取付基板の接続体の製造方法。
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