JP3034231B2

JP3034231B2 - 中継基板

Info

Publication number: JP3034231B2
Application number: JP29267097A
Authority: JP
Inventors: 直樹鬼頭; 浩一毛利
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date: 1997-10-24
Filing date: 1997-10-24
Publication date: 2000-04-17
Anticipated expiration: 2017-10-24
Also published as: JPH11126957A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一主平面上に複数
の接続パッドを有するＢＧＡ型やＬＧＡ型集積回路用基
板等の基板と、この接続パッドに対応する位置に同様に
接続パッド（取付パッド）を備え、この基板を取付ける
ためのマザーボード等の取付基板との間に介在させる中
継基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、一方の基板の一主平面に形成
されたパッドと、熱膨張係数の異なる他方の基板の一主
平面に形成されたパッドとを接続する場合に、この２つ
の基板の間に、中継基板を介在させ、熱膨張係数の差に
よって生じる応力を緩和するものが知られている。

【０００３】例えば、特公平２−４５３５７号に開示さ
れている基板の接続構造においては、図１５(a) に示す
ような中継基板２１５が開示されている。この中継基板
２１５は、アルミナからなる中継基板本体２１０に穿孔
したスルーホール内に、メッキにより銅導体２１９を形
成し、さらにＰｂ−５ｗｔ％Ｓｎの高温ハンダからなる
ハンダ電極２１２形成して、両者からなるスルーホール
電極２１４を形成してなるものである。この中継基板２
１５を、図１５(b) に示すように、シリコン基板（シリ
コンチップ）２１１とガラスエポキシ製のプリント基板
２１８との間に介在させて、シリコンとプリント基板の
熱膨張係数の違いによる接続部の破壊を防止するのであ
る。

【０００４】このような中継基板は、シリコンチップと
樹脂製のプリント基板とを接続する場合に用いられるだ
けでなく、例えば、特開昭６１−３４９７号公報に開示
されているように、セラミック製基板と有機プリント板
等との間に介在させる例もある。即ち、特開昭６１−３
４９７号公報には、図１６に示すように、セラミック基
板２２２と有機プリント板２２１との間に、ポリウレタ
ン樹脂等からなる接合フレーム（中継基板本体）２２５
を介在させ、セラミック基板２２２のパッド２２９と有
機プリント基板２２１のパッド２２６との間をＩｎ−Ｐ
ｂ等の低融点金属２２７で接続するものが開示されてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このようなものは、例
えば、図１５に即して説明すると、中継基板本体２１０
とシリコン基板２１１やプリント基板２１８との間の熱
膨張率の違いによってハンダ電極２１２に応力が掛か
る。このとき、例えば、中継基板本体の表面に形成した
パッド上にハンダバンプを形成して接続した場合には、
パッドとその上に形成したバンプとの接続界面（表面方
向）に沿ったせん断応力が掛かるのであるが、図１５の
ようにスルーホール（貫通孔）が形成されていると、中
継基板本体２１０のスルーホールの壁面とハンダ電極２
１２との間で応力が掛かるので、ハンダ電極２１２にク
ラックが生じ難い。

【０００６】しかし、接続する基板との熱膨張率の違い
が大きい場合や、繰り返し熱応力が掛かる場合などに
は、ハンダ電極２１２に略中継基板本体の表面に沿った
方向にクラックが入ることがあった。

【０００７】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであって、その目的は、基板や取付基板とのより高
い接続信頼性を有する中継基板を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段及び効果】まず、請求項１
に記載の解決手段は、一主平面に接続パッドを有する基
板と、一主平面のうち該接続パッドに対応する位置に取
付パッドを有する取付基板と、の間に介在させ、第１面
側で上記接続パッドと接続させ、第２面側で上記取付パ
ッドと接続させることにより上記基板と上記取付基板と
を接続させるための中継基板であって、上記第１面と第
２面とを有する略板形状をなし、該第１面と第２面との
間を貫通し、少なくとも上記第１面側端部に第１面側面
取り部を備える貫通孔を有する中継基板本体と、上記貫
通孔内に配置され、該貫通孔の内壁面のうち少なくとも
上記第１面側面取り部に固着され、上記第１面を越えて
上記中継基板本体の厚さ方向に突出する第１突出部を有
する軟質金属体と、を備えることを特徴とする中継基板
である。

【０００９】上記構成を有する本発明の中継基板によれ
ば、第１面側の配線基板と中継基板との間で熱膨張率の
違いその他に起因して、第１突出部の根元近傍に応力が
生じたとしても、第１面上にハンダバンプ等の端子を形
成したのとは異なり、応力を貫通孔の内壁と軟質金属体
の貫通孔内の外周の間で受けるため、クラックが発生し
にくい。さらに、本発明では、貫通孔の第１面側端部に
第１面側面取り部を備えるので、第１面側端部近傍の軟
質金属体に応力が集中して掛かることがなく、面取り部
で応力を分散させうるため、さらにクラックが発生し難
い。

【００１０】なお、軟質金属体は、貫通孔のうち少なく
とも第１面側面取り部に固着されていればよい。この部
分で固着されていれば、基板と中継基板との間に応力が
生じても、第１面側面取り部全体で応力を分散して受け
ることができ、応力集中が防止できるからである。ただ
し、貫通孔の内壁面全体に固着されているのがより好ま
しい。確実に軟質金属体を固着でき、軟質金属体の脱落
等を生じる可能性が無くなるからである。

【００１１】ここで、中継基板本体の材質は、基板等と
の接続時の熱に耐えることができ、基板と取付基板との
間に介在させて熱膨張率の違い等に起因する応力を緩和
し、あるいは応力を受けても破壊しない材質から選択す
るとよい。発生する熱応力を小さくするために、基板や
取付基板の材質等を考慮して、基板または取付基板の材
質と同程度、あるいはこれらの中間の熱膨張率を有する
材質が適当であり、具体的には、アルミナ、ムライト、
窒化アルミニウム等のセラミックや、エポキシ、ポリイ
ミド、ＢＴ、ポリウレタン等の樹脂、あるいはこれらの
樹脂とガラスやポリエチレン等の繊維との複合材等が挙
げられる。

【００１２】なお、基板と取付基板の材質について、特
に限定はない。この両者の熱膨張率の違いに起因する応
力が発生する関係となっている場合に、本発明の中継基
板を適用することが望ましいが、両者の熱膨張率が略同
一の場合に、本発明の中継基板の適用してもよい。基板
や取付基板が、その内部構造や実装している実装部品
（ＩＣチップ等）に起因して、熱等によって撓み、反り
等の変形を生ずる場合にも、応力を緩和することができ
るからである。また、基板の接続パッドあるいは取付基
板の取付パッドを形成するのにあたって、パッド上にハ
ンダボール等を配置して、パッドに接続するのは面倒で
あるので、本発明の中継基板によって一挙に接続したい
場合などもあるからである。

【００１３】基板としては、ＩＣチップやその他の電子
部品などが実装されるＩＣ搭載基板等の配線基板が挙げ
られる。また、接続パッドは、取付基板との電気的接続
のために基板上に設けられるパッドであって、基板平面
上に線状や格子状（千鳥状も含む）に形成したパッドが
挙げられる。具体的には、パッド（ランド）を格子状に
配列したＬＧＡ型基板が挙げられるが、必ずしもパッド
が格子状に配列されていなくとも良い。また、接続パッ
ド上に金属ボールを接続したりハンダを盛り上げる等し
てバンプとする場合もある。

【００１４】一方、取付基板は、上記基板を取付けるた
めの基板であって、マザーボード等のプリント基板が挙
げられる。この取付基板には、基板を取付けるための取
付パッドが形成されている。この取付パッドは、基板と
の電気的接続のために取付基板上に設けられるパッドで
あって、パッドを格子状に配列したプリント基板が挙げ
られるが、必ずしもパッドが格子状に配列されていなく
とも良いし、複数の基板を取付けるためにそれぞれの基
板に対応する取付パッド群を複数有していても良い。ま
た、取付パッド上に金属ボールを接続したりハンダを盛
り上げる等してバンプとする場合もある。なお、本発明
の中継基板は、基板と取付基板の間に介在して、それぞ
れと接続するものであるので、便宜的に基板と接続する
側を第１面側、取付基板と接続する側を第２面側として
両者を区別することとする。

【００１５】また、軟質金属体とは、熱膨張係数の違い
などによって、基板と取付基板間、あるいは、基板と中
継基板本体間や中継基板本体と取付基板間で発生する応
力を変形によって吸収する柔らかい金属からなるもので
あって、具体的な材質としては、鉛（Ｐｂ）やスズ（Ｓ
ｎ）、亜鉛（Ｚｎ）やこれらを主体とする合金などが挙
げられ、Ｐｂ−Ｓｎ系高温ハンダ（例えば、Ｐｂ９０％
−Ｓｎ１０％合金、Ｐｂ９５％−Ｓｎ５％合金等）やホ
ワイトメタルなどが挙げられる。なお、鉛、スズ等は再
結晶温度が常温にあるので、塑性変形をしても再結晶す
る。したがって、繰り返し応力がかかっても容易に破断
（破壊）に至らないので都合がよい。その他、純度の高
い銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）も柔らかいので用いることが
できる。

【００１６】なお、中継基板と基板や取付基板との接
続、即ち、軟質金属体と接続パッドや取付パッドとの接
続は、軟質金属体よりも融点の低いハンダを用いれば良
い。このようなハンダを用いる場合には、両者の融点に
適度の差を持つように選択するのが好ましく、例えば、
軟質金属体としてＰｂ９０％−Ｓｎ１０％の高温ハンダ
（融点３０１℃）を用いた場合には、Ｐｂ３６％−Ｓｎ
６４％共晶ハンダ（融点１８３℃）やその近傍の組成
（Ｐｂ２０〜５０％、Ｓｎ８０〜５０％程度）のＰｂ−
Ｓｎ合金などを用いればよい。また、その他の成分とし
て、Ｉｎ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｓｂ等を適当量添加したものを
用いても良い。

【００１７】また、貫通孔の第１面側端部に形成した第
１面側面取り部は、いわゆるＣ面取り状でも、Ｒ面取り
状でも良い。また、Ｃ面取り状とした場合、面取りの角
度は、４５度を中心として３０〜６０度程度とするのが
好ましい。また、面取り部の大きさ（深さ）は、貫通孔
の径、深さ、隣接する貫通孔同士の間隔等を考慮して選
択すればよいが、貫通孔の径又は深さの１０％以上とす
ると良い。あまり小さな面取りでは、応力集中を防止す
る効果が少ないからである。

【００１８】さらに、請求項２に記載の解決手段は、一
主平面に接続パッドを有する基板と、一主平面のうち該
接続パッドに対応する位置に取付パッドを有する取付基
板と、の間に介在させ、第１面側で上記接続パッドと接
続させ、第２面側で上記取付パッドと接続させることに
より上記基板と上記取付基板とを接続させるための中継
基板であって、上記第１面と第２面とを有する略板形状
をなし、該第１面と第２面との間を貫通し、少なくとも
上記第２面側端部に第２面側面取り部を備える貫通孔を
有する中継基板本体と、上記貫通孔内に配置され、該貫
通孔の内壁面のうち少なくとも上記第２面側面取り部に
固着され、上記第２面を越えて上記中継基板本体の厚さ
方向に突出する第２突出部を有する軟質金属体と、を備
えることを特徴とする中継基板である。

【００１９】上記構成を有する本発明の中継基板によれ
ば、第２面側の配線基板と中継基板との間で熱膨張率の
違いその他に起因して、第２突出部の根元近傍に応力が
生じたとしても、第２面上にハンダバンプ等のパッドを
形成したのとは異なり、応力を貫通孔の内壁と軟質金属
体の貫通孔内の外周の間で受けるため、クラックが発生
しにくい。さらに、本発明では、貫通孔の第２面側端部
に第１面側面取り部を備えるので、第２面側端部近傍の
軟質金属体に応力が集中して掛かることがなく、面取り
部で応力を分散させうるため、さらにクラックが発生し
難くなり、接続信頼性の高い中継基板とすることができ
る。

【００２０】なお、軟質金属体は、貫通孔のうち少なく
とも第２面側面取り部に固着されていればよい。この部
分で固着されていれば、取付基板と中継基板との間に応
力が生じても、第２面側面取り部全体で応力を分散して
受けることができ、応力集中が防止できるからである。
ただし、貫通孔の内壁面全体に固着されているのがより
好ましい。確実に軟質金属体を固着でき、軟質金属体の
脱落等を生じる可能性が無くなるからである。

【００２１】また、貫通孔の第２面側端部に形成した第
２面側面取り部は、いわゆるＣ面取り状でも、Ｒ面取り
状でも良い。また、Ｃ面取り状とした場合、面取りの角
度は、４５度を中心として３０〜６０度程度とするのが
好ましい。また、面取り部の大きさ（深さ）は、貫通孔
の径、深さ、隣接する貫通孔同士の間隔等を考慮して選
択すればよいが、貫通孔の径又は深さの１０％以上とす
ると良い。あまり小さな面取りでは、応力集中を防止す
る効果が少ないからである。

【００２２】さらに、請求項３に記載の解決手段は、請
求項１または請求項２に記載の中継基板であって、前記
軟質金属体のうち、前記突出部が、その径よりも高さが
高い略柱状とされていることを特徴とする中継基板であ
る。

【００２３】上記構成を有する本発明の中継基板によれ
ば、突出部が略柱状とされているので、中継基板本体と
基板や取付基板との距離が大きくなり、さらに突出部が
撓みやすくなる。このため、撓み変形によっても応力が
吸収できるようになるため、さらにクラックを生じ難い
接続信頼性の高い中継基板とすることができる。

【００２４】なお、突出部の形状は、四角柱や三角柱な
どの角柱状でもよいが、応力が角部に集中するのを避け
るために、その中では六角柱や八角柱など角数の多いも
のが良く、さらには円柱状とするのが好ましい。

【００２５】

【発明の実施の形態】つぎに、発明の実施の形態を、図
と共に説明する。図１は、本実施形態にかかる中継基板
１０の正面図であり、図２は、この中継基板１０の部分
拡大断面図である。中継基板１０は、図１に示すよう
に、厚さ０．３ｍｍ、一辺２５ｍｍの略正方形の平板形
状の中継基板本体１を有する。この中継基板本体１は、
アルミナを主成分（９０％）とするアルミナセラミック
からなる。

【００２６】中継基板本体１には、図２に示すように、
その上下面である第１面１ａと第２面１ｂとの間を貫通
する複数の貫通孔Ｈを有する。この貫通孔Ｈは、１．２
７ｍｍピッチで格子状に縦横各１９ヶ（合計３６１ヶ）
穿孔されており、図１に示すように、中継基板本体１の
ほぼ全面に配置されている。また、この貫通孔Ｈのう
ち、中継基板本体１の厚さの約半分（図中上方）は、直
径０．８ｍｍの円筒型に穿孔されているが、図中下方半
分は、約４５度の角度で面取り（Ｃ面取り）されて、図
中下方に向かって径大となるようにされた第２面側面取
り部Ｃ２とされており、この第２面側面取り部Ｃ２の第
２面１ｂでの直径（開口径）は１．１ｍｍとされてい
る。また、第２面側面取り部Ｃ２を含めて中継基板本体
１の貫通穴Ｈの内周および貫通穴縁には、タングステン
下地金属層２（厚さ約１０μｍ）およびその上に形成さ
れた無電解Ｎｉ−Ｂメッキ層３（厚さ約２μｍ）からな
る金属層４が形成され、このＮｉ−Ｂメッキ層３（金属
層４）に軟質金属体６が溶着している。

【００２７】この軟質金属体６は、高温ハンダ（Ｐｂ９
０％−Ｓｎ１０％）からなり、貫通孔Ｈ内に配置され、
さらに、第２面１ｂを越えて図中下方に突出した第２突
出部６ｂを備え、その先端（図中下端）は、半球状とさ
れている。また、この軟質金属体６の図中上方は、第１
面１ａと略同一面の平面状とされている。さらに、この
軟質金属体６の上部には共晶ハンダ（Ｐｂ３７％−Ｓｎ
６３％）からなるハンダ層７（高さ０．０８ｍｍ）を備
えている。

【００２８】なお、ここで、第２突出部６ｂの第２面１
ｂからの突出高さ（第２突出高さ）Ｚ２は１．４５ｍｍ
とされている。また、第２突出部６ｂの最大径は、０．
８８ｍｍとされており、第２突出部６ｂは、最大径より
も高さの高い略柱状とされている。

【００２９】次いで、この中継基板１０を、例えば以下
のようにして基板および取付基板と接続する。まず、中
継基板１０と接続する基板として、図３(a) に示すよう
な、厚さ１．０ｍｍ、一辺２５ｍｍの略正方形状のＬＧ
Ａ型基板２０を用意した。このＬＧＡ型基板２０は、中
継基板本体１と同様のアルミナセラミックからなり、図
中上面２０ａにＩＣチップ（図示しない）をフリップチ
ップ接続により載置するためのフリップチップパッド２
１を備え、図中下面２０ｂに外部接続端子として接続パ
ッド２２を備えている。この接続パッド２２は、直径
０．８６ｍｍで、中継基板１０の軟質金属体６の位置に
適合するように、ピッチ１．２７ｍｍの格子状に縦横各
１９ヶ配列され、下地のモリブデン層上に無電解Ｎｉ−
Ｂメッキが施され、さらに酸化防止のために薄く無電解
金メッキが施されている。また、図示しない内部配線に
よって、フリップチップパッド２１と接続パッド２２と
がそれぞれ接続している。

【００３０】また、取付基板として、図３(b) に示すよ
うなプリント基板４０を用意した。プリント基板４０
は、厚さ１．６ｍｍ、一辺３０ｍｍの略正方形板状で、
ガラス−エポキシ樹脂複合材料（ＪＩＳ：ＦＲ−４）か
らなり、主面４０ａには、ＬＧＡ型基板２０の接続パッ
ド２２と、したがって、中継基板１０の軟質金属体６と
も対応する位置に、取付パッド４２が形成されている。
この取付パッド４２は、厚さ２５μｍの銅からなり、直
径０．７２ｍｍで、ピッチ１．２７ｍｍで格子状に縦横
各１９ヶ、計３６１ヶ形成されている。

【００３１】まず、中継基板１０とＬＧＡ型基板２０と
を重ねて最高温度２２０℃のリフロー炉を通過させ、共
晶ハンダからなるハンダ層７を溶融させて、第１面側端
子８と接続パッド２２とを接続し、図４(a) に示すよう
に、ＬＧＡ型基板２０と中継基板１０とを接続した接続
体６０を形成する。

【００３２】その後、予め取付パッド４２上に低融点ハ
ンダペースト（共晶ハンダペースト）を約２５０μｍの
厚さに塗布したプリント基板４０と、接続体６０とを接
続する。即ち、第２突出部６ｂの先端を取付パッド４２
と位置を合わせるようにして突き当てて、接続体６０を
プリント基板４０上に載置する。ついで、これらを最高
温度２２０℃のリフロー炉を通過させて加熱することに
より、取付パッド４２上の低融点ハンダペーストを溶融
させてハンダ層８とし、図４(b) に示すように、基板２
０−中継基板１０−プリント基板４０の三者を接続した
構造体５０を形成した。

【００３３】この構造体５０では、基板２０の下面２０
ｂと中継基板本体１の第１面１ａとの間隔Ａ１は０．１
０ｍｍとなり、一方、中継基板本体１の第２面１ｂとプ
リント基板４０の上面４０ａとの間隔Ａ２は１．４８ｍ
ｍとなった。なお、本例では、ハンダ層７とハンダ層８
（低融点ハンダペーストＳ）に同じ共晶ハンダを用いた
例を示したが、例えば、ハンダ層７に、ハンダ層８より
も融点の高いハンダを用いることにより、ハンダ層８を
形成するときに、ハンダ層７が溶融しないようにしても
よい。

【００３４】ここで、本例における構造体５０において
は、基板２０と中継基板本体１の間ではほとんど応力は
生じない。これは、基板２０と中継基板本体１とは略同
じ材質（アルミナセラミック）であり、熱膨張差が生じ
ないからである。一方、中継基板本体１とプリント基板
４０の間では応力が発生する。中継基板本体１とプリン
ト基板４０とは材質が異り、熱膨張率が異なるからであ
る。この場合、もし、図５(b) に示すように、貫通孔
Ｈ’に第２面側面取り部Ｃ２が形成されていない場合に
は、中継基板本体１’と取付基板４０の熱膨張率の違い
により、両者間にせん断方向（図中左右方向）の変形が
生じ、最大応力は、軟質金属体６のうち、第２突出部６
ｂ部の根元部（第２面１ｂ’と軟質金属体６との交差部
付近）、およびプリント基板４０近傍のハンダ層８に発
生する。しかし、軟質金属体６（第２突出部６ｂ）は、
容易に塑性変形するから、第２突出部６ｂにおいて変形
して応力を緩和し、中継基板本体１’とプリント基板４
０の間に発生した応力を小さくして、破壊しにくい信頼
性のある接続とすることができる。

【００３５】ところが、中継基板の寸法が大きいためな
どにより熱膨張差が大きくなりすぎる場合や、多くの回
数の繰り返し熱応力が掛かった場合などには、変形によ
る応力吸収の限度を越え、あるいは疲労限度を超えるこ
とがある。このため、図５(b) に破線で示すように、第
２突出部６ｂの根元部でクラックＫが発生し、クラック
Ｋが徐々に進行して、ついには破断することがあった。
これは、中継基板本体１’の貫通孔Ｈ’には、第２面側
面取り部が形成されていないから、第２突出部６ｂの根
元部に応力が集中し、ここを起点としてクラックＫが生
じたものと思われる。これに対し、図５(a) に示すよう
に、本実施形態の中継基板１０においては、中継基板本
体１の貫通孔Ｈには、第２面側面取り部Ｃ２が形成され
てるので、第２突出部６ｂの根元部付近での応力集中が
防止されるため、クラックが生じ難い。

【００３６】また、従来では、破壊が生じ易かった基板
２０側の接続パッド２２近傍のハンダ層７には、中継基
板１０を介在させたことにより応力がかからない。一
方、中継基板１０とプリント基板４０との間の応力は軟
質金属体６が変形して吸収するので、軟質金属体６の第
２突出部６ｂは破壊し難く、また、プリント基板４０の
取付パッド４２のハンダ層８も破壊し難くなる。

【００３７】また、中継基板本体１とプリント基板４０
の間隔Ａ２を大きくできた。第２突出部６ｂの突出高さ
Ｚ２が大きくされているからである。このようにする
と、この間隔Ａ２が大きくなった分、中継基板本体１と
プリント基板４０との間に生ずる応力を緩和することが
できる。また、第２突出部６ｂは、その径（０．８８ｍ
ｍ）に比して第２突出高さＺ２（１．４５ｍｍ）が大き
い柱状の形状となっているので、この形状自体も屈曲が
容易なようになっており、ここでも応力を吸収できる。
さらに、軟質金属体からできた第２突出部６ｂは、それ
自身が塑性変形しても応力を吸収できる。

【００３８】通常の場合、隣接する軟質金属体の間隔
（接続パッド相互の間隔）は、絶縁距離を確保する等の
ため所定の値にされているので、突出部の最大径は、こ
の間隔によって制限される。一方、突出部の高さについ
ては、許容範囲の大きい場合が多いと考えられる。突出
部を柱状とすると突出部の最大径の制限内で、高さの許
容範囲まで高い突起を形成できるので、基板や取付基板
と中継基板本体との間隔をより大きく、しかも突出部を
相対的に細くできるので、より多くの応力緩和ができ
る。したがって、このような略柱状の突出部を介在させ
た中継基板−取付基板間の接続信頼性を向上させ、両者
間の接続の寿命をより長くすることができる。

【００３９】なお、上述の例では、中継基板１０を、い
ったんＬＧＡ型基板２０に取付けて基板と中継基板との
接続体（中継基板付基板）６０とした後に、さらにプリ
ント基板４０に接続した例を示したが、一挙に製作する
方法を採ることもできる。即ち、プリント基板４０と中
継基板１０とＬＧＡ型基板２０とをこの順に重ね、リフ
ローして、基板２０と中継基板１０、および中継基板１
０とプリント基板４０とを一挙に接続（ハンダ付け）し
ても良い。また、中継基板１０とプリント基板４０とを
先に接続しておいても良い。いずれにしても、本例の中
継基板１０を使用すれば、端子部材を接続パッドや取付
パッド上に１つずつ載置する必要はなく、１回ないしは
２回の加熱（リフロー）によって、基板と取付基板とを
中継基板を介して接続することができる。したがって、
ＩＣチップメーカやユーザにおいて、面倒な工程や設備
を省略することができる。

【００４０】ついで、この中継基板１０の製造方法につ
いて説明する。まず、周知のセラミックグリーンシート
形成技術によって、アルミナセラミックグリーンシート
Ｇを用意する。このグリーンシートＧに、パンチングに
よって貫通孔Ｈを形成する。この際、図６(a) に示すよ
うに、下パンチＰＤには、通常の円筒状の貫通孔ＰＤ１
が形成されたものを用いる一方、上パンチＰＵには、下
パンチＰＤの貫通孔ＰＤ１に適合した円柱状の先端部Ｐ
Ｕ１と、それよりも径大の根元部ＰＵ３と、先端部ＰＵ
１と根元部ＰＵ３との間を結ぶ円錐台形状の段付部ＰＵ
２とが形成されたものを用いる。この上パンチＰＵと下
パンチＰＤとを用いて、図６(b) に示すようにして、パ
ンチングする。即ち、下パンチＰＤの貫通孔ＰＤ１と上
パンチＰＵの先端ＰＵ１とで円筒形の貫通孔を形成し、
さらに、段付部ＰＵ２が、グリーンシートＧの厚さの途
中まで入り込むようにパンチングする。これによって、
図６(c) に示すように、グリーンシートＧは、貫通孔Ｈ
が形成されると共に、そのうちの図中上方には、面取り
部Ｃ（第２面側面取り部Ｃ２）が、上パンチＰＵの段付
部に押しつけられることにより形成される。

【００４１】ついで、このグリーンシートＧの貫通孔Ｈ
の内周面及び貫通孔周縁に、図７(a) に示すように、タ
ングステンペーストＰを塗布する。なお、以下では、図
６に示したグリーンシートＧとは天地が逆（面取り部が
図中下方）となるように図示する。さらに、このグリー
ンシートＧを還元雰囲気中で最高温度約１５５０℃にて
焼成し、図７(b) に示すようなアルミナセラミック製の
中継基板本体１およびタングステンを主成分とする下地
金属層２を形成する。焼成後の中継基板本体（以下、単
に本体ともいう）１は、厚さ０．３ｍｍで、一辺２５ｍ
ｍの略正方板形状を有し、第１面１ａと第２面１ｂとの
間を貫通する貫通孔Ｈは、１．２７ｍｍのピッチで格子
状に、縦横各１９ヶ、計３６１ヶ（=19×19 ）の貫通孔
が形成されている。また、下地金属層２の厚さは約１０
μｍである。

【００４２】さらに、この下地金属層２上に、図７(c)
に示すように、厚さ約２μｍの無電解Ｎｉ−Ｂメッキ層
３を形成して、両者で後述するように軟質金属を溶着す
る金属層４を形成する。さらに、Ｎｉ−Ｂメッキ層３の
酸化防止のため、Ｎｉ−Ｂメッキ層３上に厚さ０．１μ
ｍの無電解金メッキ層（図示しない）を形成する。

【００４３】次いで、貫通孔Ｈ内に軟質金属体６を貫挿
して配置する。本実施形態では溶融軟質金属保持治具Ｎ
を用いて柱状の軟質金属体６を形成する。即ち、図８
(a) に示すように、耐熱性があり溶融した高温ハンダに
濡れない材質であるカーボンからなる軟質金属保持治具
Ｎの上面には、貫通孔Ｈにそれぞれ対応した位置に、直
径０．９ｍｍ、深さ１．９５ｍｍで、先端が円錐状の凹
部Ｎ１が形成されている。また、保持治具Ｎの凹部Ｎ１
の頂部（図中最下部）には、保持治具Ｎを下方に貫通す
る小径（φ０．２ｍｍ）のガス抜き孔Ｎ２がそれぞれ形
成されている。

【００４４】まず、この保持治具Ｎの各凹部Ｎ１に直径
０．７８ｍｍの高温ハンダ（Ｐｂ９０％−Ｓｎ１０％ハ
ンダ）ボールＤ１を投入しておく。本例では、各凹部に
それぞれ２ヶ投入した。次いで、凹部Ｎ１の端部（上
端）に直径１．０ｍｍの高温ハンダ（Ｐｂ９０％−Ｓｎ
１０％ハンダ）ボールＤ２を載置する。このとき、凹部
Ｎ１内に既に投入されているボールＤ１とボールＤ２と
が接触しないで、かつ後述する高温ハンダの溶融時には
両者が接触するように、間隔をわずかに空けておくのが
好ましい。このようにするとボールＤ２が凹部Ｎ１の上
端縁にぴったりと接触して動かなくなり（あるいは動き
難くなり）、後述する中継基板本体１を載せるときの位
置合わせが容易になるからである。

【００４５】その後、図８(b) に示すように、ボールＤ
２の図中上方に、第２面１ｂが下になるようにして中継
基板本体１を載置する。このとき、貫通孔Ｈ（第２面側
面取り部Ｃ２）にボールＤ２がはまるように位置決めを
する。さらに、中継基板本体１の上方、即ち、ボールＤ
２のある側とは反対側から、耐熱性があり溶融した高温
ハンダに濡れない材質であるステンレスからなる荷重治
具Ｑの平面（図中下面）Ｑ１を本体１の上面に押し当て
るようにして載せて、下方に圧縮する。

【００４６】次いで、窒素雰囲気下で、最高温度３６０
℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投入
し、高温ハンダボールＤ１、Ｄ２を溶融させる。する
と、溶融した高温ハンダＤ２は、荷重治具Ｑにより図中
下方に押し下げられた本体１の貫通孔Ｈ内に貫挿される
とともに、貫通孔Ｈの内周の金属層４と溶着する。一
方、貫通孔Ｈの上端部では、高温ハンダＤ２は荷重治具
Ｑの平面Ｑ１に倣って平面状になる。また、高温ハンダ
Ｄ２は、保持治具Ｎの凹部Ｎ１内にも注入される。する
と、溶融した高温ハンダＤ１と接触し、両者は表面張力
により一体となろうとする。ところが、ハンダＤ２は、
金属層４と溶着し本体１と一体となっているので、本体
１から離れて下方に落下することができないため、重力
に抗して高温ハンダＤ１を上方に引き上げる形で一体化
する。なお、本体１は荷重治具Ｑにより保持治具Ｎの上
面Ｎ３に押し当てられた状態まで押し下げられる。

【００４７】また、ガス抜き孔Ｎ２は、高温ハンダボー
ルＤ１、Ｄ２を溶融させるときに、凹部Ｎ１内に閉じこ
められた空気を逃がす役割をする。ただし、受け治具Ｎ
がハンダに濡れず、ガス抜き孔Ｎ２が小径であるので、
ハンダがガス抜き孔Ｎ２に浸入することはない。

【００４８】その後、冷却して高温ハンダを凝固させる
と、図９に示すように、中継基板本体１の第２面１ｂ
（図中下方）側には、側面は凹部Ｎ１の側壁の形状に倣
い、図中下端即ち、頂部は略半球状となった第２突出部
６ｂを有し、上方側にはほとんど突出しない形状の軟質
金属体６が貫通孔Ｈに貫挿された中継基板１０が形成さ
れた。なお、Ｎｉ−Ｂメッキ層３上の金メッキ層は、溶
融した高温ハンダ中に拡散して消滅するので、高温ハン
ダとＮｉ−Ｂメッキ層３とが直接溶着し、高温ハンダか
らなる軟質金属体６は、中継基板本体１に固着される。

【００４９】ついで、図１０に示すように、軟質金属体
６の第１面１ａ側（上端）に直径０．４ｍｍの低融点ハ
ンダボール（Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダボール）Ｅｙを載置
する。なお、このボールＥｙを載置するには、軟質金属
体の上方にボール規制板Ｒの透孔ＲＨが位置するように
セットし、この規制板Ｒ上にボールＥｙを散播いて揺動
し、透孔ＲＨにボールＥｙを落とし込む方法によると容
易に載置できる。本例においては、規制板Ｒの厚みは
０．５ｍｍ、透孔ＲＨの直径は０．６ｍｍである。な
お、本例においては、図１０に示すように、第２突出部
６ｂの先端がそれぞれはまりこむ凹部Ｕ１を有する軟質
金属体保持治具Ｕを用い、この治具Ｕの凹部Ｕ１に第２
突出部６ｂの先端をそれぞれ嵌め込んだ状態で行うと都
合がよい。軟質金属体６は柔らかく変形しやすい高温ハ
ンダから形成されているからである。

【００５０】しかる後、窒素雰囲気下で、最高温度２２
０℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投
入し、低融点ハンダボールＥｙを溶融させる。なお、こ
の温度条件では軟質金属体６は溶融しない。溶融した低
融点ハンダは、軟質金属体６の図中上面に濡れて拡が
り、ハンダ層７となる（図２参照）。このハンダ層７
は、低融点ハンダボールＥｙの体積が一定に規制されて
いるので、一定量（体積）となり、高さも均一になる。
本例においては、基板本体１の図中上面からハンダ層７
の頂部（図中最上端）までの高さが０．０８ｍｍであっ
た。

【００５１】このようにして、図１および図２に示すよ
うに、図中第１、第２面１ａ，１ｂの間を貫通し、第２
面側面取り部Ｃ２を備える貫通孔Ｈを有する中継基板本
体１と、貫通孔Ｈ内に配置され、第２面（図中下面）１
ｂを越えて突出した第２突出部６ｂを備える軟質金属体
６とを有する中継基板１０が形成できた。また、この中
継基板１０の第１面１ａ側の軟質金属体６上には、軟質
金属体６よりも低い融点を有するハンダ層７が形成され
ている。なお、本実施形態においては、第２突出部６ｂ
を円柱状としたが、先が細くなっているようにしたり、
角柱状であっても良い。

【００５２】（実施形態２）ついで、実施形態２につい
て説明する。本実施形態の中継基板１１０は、上述した
実施形態１の中継基板１０と同様な形状であり、製造方
法も同様であり、実施形態１における第１面１ａと第２
面１ｂとを天地を逆としたのみであるので、同様な部分
については省略し、異なる部分のみ説明する。即ち、上
記実施形態１においては、図２に示したように、中継基
板本体１の図中下面を第２面１ｂとし、第２面１ｂ側に
第２突出部６ｂが形成された中継基板１０を用い、取付
基板４０と中継基板本体１との間隔を大きく空けるよう
にした。これに対して、本実施形態においては、図中上
面の第１面側に第１突出部を形成し、基板と中継基板本
体との間隔を空けるようにしている。つまり、実施形態
１の中継基板１０を上下逆にして用いる。

【００５３】図１１に示すように、本実施形態の中継基
板１１０のうち、アルミナセラミック製の中継基板本体
１０１は、第１面（図中上面）１０１ａと第２面（図中
下面）１０１ｂとを備え、この２つの面を貫通し、格子
状に配置され、図中上方がＣ面取りされた第１面側面取
り部Ｃ１を有する複数の貫通孔Ｈを備える。この貫通孔
Ｈ内には高温ハンダからなる軟質金属体１０６が配置さ
れており、この軟質金属体１０６は、第１面１０１ａを
越えて図中上方に突出する第１突出部１０６ａを有す
る。貫通孔Ｈの内周面には、タングステンからなる下地
金属層１０２とその上に形成されたＮｉ−Ｂメッキ層１
０３とからなる金属層１０４が形成されており、この金
属層１０４に軟質金属体１０６が溶着している。また、
軟質金属体１０６の図中下端は、第２面１０１ｂと略同
一の平面状にされ、その下方には、共晶ハンダからなる
ハンダ層１０８が形成されている。

【００５４】次いで、この中継基板１１０を、例えば以
下のようにして基板および取付基板と接続する。まず、
中継基板１１０と接続する基板として、厚さ１．０ｍ
ｍ、一辺２５ｍｍの略正方形状のＬＧＡ型基板１２０を
用意した（図１２参照）。このＬＧＡ型基板１２０は、
上記実施形態１と異なり、主としてエポキシ樹脂とガラ
ス繊維との複合材料からなる。また、図中上面１２０ａ
にＩＣチップ（図示しない）をフリップチップ接続によ
り載置するためのフリップチップパッド１２１を備え、
図中下面１２０ｂに外部接続端子として接続パッド１２
２を備えている。この接続パッド１２２は、直径０．８
６ｍｍで、中継基板１１０の軟質金属体１０６の位置に
適合するように、ピッチ１．２７ｍｍの格子状に縦横各
１９ヶ配列され、下地のモリブデン層上に無電解Ｎｉ−
Ｂメッキが施され、さらに酸化防止のために薄く無電解
金メッキが施されている。また、図示しない内部配線に
よって、フリップチップパッド１２１と接続パッド１２
２とがそれぞれ接続している。

【００５５】また、取付基板１４０を用意した（図１２
参照）。この取付基板１４０は、厚さ１．６ｍｍ、一辺
３０ｍｍの略正方形板状で、アルミナセラミックからな
り、主面１４０ａには、ＬＧＡ型基板１２０の接続パッ
ド１２２と、したがって、中継基板１１０の軟質金属体
１０６とも対応する位置に、取付パッド１４２が形成さ
れている。この取付パッド１４２は、厚さ１５μｍのタ
ングステンを主成分とするメタライズ層上にＮｉメッキ
（３μｍ）およびＡｕメッキ（２μｍ）が施されて、直
径０．７２ｍｍ、ピッチ１．２７ｍｍで、格子状に縦横
各１９ヶ、計３６１ヶ形成されている。

【００５６】この中継基板１１０とＬＧＡ型基板１２０
や取付基板１４０を重ねて最高温度２２０℃のリフロー
炉を通過させ、予めＬＧＡ型基板１２０の接続パッド１
２２に塗布しておいた共晶ハンダペーストを溶融させ
て、ハンダ層１０７によって、接続パッド１２２と第１
突出部１０６ａとを接続する。また、共晶ハンダからな
るハンダ層１０８によって、取付パッド１４２と第２突
出部１０６ｂとを接続し、図１２に示すような構造体１
５０を形成する。

【００５７】本例の場合には、中継基板本体１０１の上
面（第１面）１０１ａとＬＧＡ型基板の下面１２０ｂと
の間隔Ａ１が、中継基板本体１０１の下面（第２面）１
０１ｂと取付基板の上面１４０ａとの間隔Ａ２よりも大
きくされている。

【００５８】本例における構造体１５０においては、取
付基板１４０と中継基板本体１０１の間ではほとんど応
力は生じない。これは、取付基板１４０と中継基板本体
１０１とは略同じ材質（アルミナセラミック）であり、
熱膨張差が生じないからである。一方、中継基板本体１
０１とＬＧＡ型基板１２０の間では応力が発生する。中
継基板本体１０１とＬＧＡ型基板１２０とは材質が異な
り、熱膨張率が異なるからである。

【００５９】この場合、中継基板本体１０１とＬＧＡ型
基板１２０の熱膨張率の違いにより、両者間にせん断方
向（図中左右方向）の変形が生じ、最大応力は、軟質金
属体１０６のうち、第１突出部１０６ａ部の根元部（第
１面１０１ａと軟質金属体１０６との交差部付近）、お
よびＬＧＡ型基板１２０近傍のハンダ層１０７に発生す
る。しかし、柱状にされた軟質金属体１０６（第１突出
部１０６ａ）は、容易に塑性変形し、しかも、本体１０
１の貫通孔Ｈには、第１面側面取り部Ｃ１が形成されて
いる。このため、前記した実施形態１の場合（図５(a)
参照）と同様に、第１突出部１０６ａにおいて変形して
応力を緩和し、中継基板本体１０１とプリント基板１４
０の間に発生した応力を小さくして、破壊しにくい信頼
性のある接続とすることができる。しかも、第１面側面
取り部Ｃ１により第１突出部１０６ａの根元部付近での
応力集中が防止されるため、さらにクラックが生じ難
い。

【００６０】また、中継基板本体１０１とＬＧＡ型基板
１２０の間隔Ａ１を大きくできた。第１突出部１０６ａ
の突出高さＺ１が大きくされているからである。このよ
うにすると、この間隔Ａ１が大きくなった分、中継基板
本体１０１とＬＧＡ型基板１２０との間に生ずる応力を
緩和することができる。また、第１突出部１０６ａは、
その径（０．８８ｍｍ）に比して第１突出高さＺ１
（１．４５ｍｍ）が大きい柱状の形状となっているの
で、この形状自体も屈曲が容易なようになっており、こ
こでも応力を吸収できる。さらに、軟質金属体からでき
た第１突出部１０６ａは、それ自身が塑性変形しても応
力を吸収できる。

【００６１】通常の場合、隣接する軟質金属体の間隔
（接続パッド相互の間隔）は、所定の値にされているの
で、突出部の最大径は、この間隔によって制限される。
一方、突出部の高さについては、許容範囲の大きい場合
が多いと考えられる。突出部を柱状とすると突出部の最
大径の制限内で、高さの許容範囲まで高い突起を形成で
きるので、基板や取付基板と中継基板本体との間隔をよ
り大きく、しかも突出部を相対的に細くできるので、よ
り多くの応力緩和ができる。したがって、このような略
柱状の突出部を介在させた基板−中継基板間の接続信頼
性を向上させ、両者間の接続の寿命をより長くすること
ができる。

【００６２】なお、上述の例では、取付基板１４０と中
継基板１１０とＬＧＡ型基板１２０とをこの順に重ね、
リフローして、ＬＧＡ型基板１２０と中継基板１１０、
および中継基板１１０と取付基板１４０とを一挙に接続
（ハンダ付け）した例を示したが、中継基板１１０を、
いったんＬＧＡ型基板１２０に取付けて基板と中継基板
との接続体（中継基板付基板）とした後に、さらに取付
基板１４０に接続することもできる。また、中継基板１
１０と取付基板１４０とを先に接続しておいても良い。
いずれにしても、本例の中継基板１１０を使用すれば、
端子部材を接続パッドや取付パッド上に１つずつ載置す
る必要はなく、１回ないしは２回の加熱（リフロー）に
よって、基板と取付基板とを中継基板を介して接続する
ことができる。したがって、ＩＣチップメーカやユーザ
において、面倒な工程や設備を省略することができる。

【００６３】さらに、実施形態１，２では、セラミック
製の中継基板本体１、１０１を用いたが、中継基板本体
の材質は、前記したように、セラミックに限定されな
い。即ち、例えば、エポキシ、ポリイミド、ＢＴ、ポリ
ウレタン等の樹脂や、ガラス−エポキシ樹脂複合材料の
ようなこれらの樹脂とガラス繊維やポリマー繊維等との
複合材料等を用いることが出来る。なお、このような樹
脂を含んだ中継基板本体を用いる場合には、樹脂の耐熱
性を考慮して、軟質金属体６に上記実施形態で用いた高
温ハンダに代えて、Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダやさらに融点
の低いＢｉやＩｎ系のハンダを用いるのが好ましい。

【００６４】また、上記実施形態１，２においては、中
継基板本体１，１０１を形成するにあたって、図６に示
すように、貫通孔Ｈをパンチングによって穿孔すると同
時に、上パンチＰＵの断付部ＰＵ２で面取り部Ｃを形成
したが、その他の方法によっても良いことな明らかであ
る。例えば、図１３に示すように、予めドリル加工やパ
ンチングによって円筒状の貫通孔Ｈを穿孔したグリーン
シートＧを用意し（図１３(a)）、ドリルＤＲの先端で
貫通孔端部をざぐり（図１３(b)）、面取り部Ｃを形成
してもよい（図１３(c) ）。また、図示しないが、円筒
状の貫通孔Ｈを穿孔した状態でグリーンシートＧを焼成
し、その後、研磨加工やサンドブラスト加工、レーザ加
工等によって、貫通孔Ｈの端部に面取り部Ｃを形成する
ようにしても良い。さらに、中継基板本体に、樹脂ある
いは樹脂とガラス繊維等との複合材料などの樹脂を含ん
だものを用いる場合にも、ドリル加工や研磨加工、サン
ドブラスト加工、レーザ加工によって面取り部Ｃを形成
することができる。

【００６５】さらに、貫通孔Ｈの断面形状は、上記実施
形態１、２においては、いずれも、貫通孔Ｈの一方の端
部（例えば第２面側）にＣ面取り状の面取り部Ｃ（例え
ば、第２面側面取り部Ｃ２）を形成したが、これに限定
されないことはいうまでもない。

【００６６】例えば、図１４の各図に示すような断面形
状を有するようにしても良い。即ち、図１４(a) では、
貫通孔Ｈの両端にＣ面取りを施して、第１面側面取り部
Ｃ１と第２面側面取り部Ｃ２を形成した例である。ま
た、図１４(b) では、第２面側面取り部Ｃ２をＣ面取り
に代えてＲ面取りとした例である。さらに、図１４(c)
は、貫通孔Ｈの両端をＲ面取りし、しかも、断面が半円
状となるようにした例である。さらに、図１４(d) は、
第２面側の面取り量を多くして、ほぼ本体１の厚さ全体
にわたって第２面側面取り部Ｃ２となるようにした例で
ある。本例では、第１面側（図中上面）では、貫通孔の
端部が鋭角になるが、本体１と基板（たとえばＬＧＡ型
基板２０）との熱膨張率をほぼ等しくするなどにより応
力が生じないようにすれば問題はない。また、図１４
(e)は、この図１４(d)の第２面側面取り部Ｃ２をＣ面取
りに代えてＲ面取りで形成した例である。

【００６７】また、以上では、本発明を実施形態に即し
て説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるもの
ではなく、本発明の範囲を逸脱しない限り、適宜変更し
て適用することが出来ることはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】中継基板の正面図である。

【図２】中継基板の部分拡大断面図である。

【図３】(a)は、ＬＧＡ型基板の断面図、(b)は、プリン
ト基板の断面図である。

【図４】中継基板と基板及び取付基板とを接続した状態
を示す断面図であり、（a)は、接続体の断面図、(b)
は、構造体の断面図である。

【図５】構造体が熱応力によって変形する様子を示す説
明図であり、(a) は中継基板本体に面取りを施した場
合、(b)は面取りを施さなかった場合を示す。

【図６】中継基板の製造方法のうち、中継基板本体用の
グリーンシートに面取りを施した貫通孔を形成する工程
を示す説明図である。

【図７】中継基板の製造工程のうち、中継基板本体の製
造までを説明する説明図である。

【図８】中継基板の製造工程のうち、高温ハンダボール
を貫通穴に貫挿する工程を説明する説明図である。

【図９】中継基板の製造工程のうち、軟質金属体を中継
基板本体の貫通穴に貫挿した状態を説明する説明図であ
る。

【図１０】中継基板の第１面側に、ハンダ層を形成する
工程を説明する説明図である。

【図１１】実施形態２にかかり、中継基板本体に柱状の
第１突出部を形成した例を示す部分拡大断面図である。

【図１２】実施形態２の中継基板を基板および取付基板
と接続して構造体の断面図である。

【図１３】中継基板本体用のグリーンシートに面取り部
を備えた貫通孔を形成する他の例の説明図である。

【図１４】本発明の貫通孔について、他の断面形状例を
示す部分拡大断面図である。

【図１５】従来例の中継基板について、(a)は中継基板
の構造を、(b)は２つの基板間に中継基板を介在させた
状態を示す説明図である。

【図１６】他の従来例の中基板を、２つの基板間に介在
させた状態を示す説明図である。

【符号の説明】

１０、１１０中継基板１、１０１中継基板本体１ａ、１０１ａ第１面１ｂ、１０１ｂ第２面Ｈ貫通孔Ｃ１第１面側面取り部Ｃ２第２面側面取り部２下地金属層３Ｎｉ−Ｂメッキ層４金属層６、１０６軟質金属体１０６ａ第１突出部６ｂ第２突出部７ハンダ層８ハンダ層２０、１２０ＬＧＡ型基板２２、１２２接続パッド４０プリント基板１４０取付基板４２、１４２取付パッド６０接続体５０、１５０構造体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭60−123093（ＪＰ，Ａ) 特開平２−81447（ＪＰ，Ａ) 特開平７−161866（ＪＰ，Ａ) 特開平10−41606（ＪＰ，Ａ) 特開平10−12989（ＪＰ，Ａ) 特開平10−12990（ＪＰ，Ａ) 特公平５−50876（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05K 1/18 H01L 23/32 H01L 21/60

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】一主平面に接続パッドを有する基板と、
一主平面のうち該接続パッドに対応する位置に取付パッ
ドを有する取付基板と、の間に介在させ、第１面側で上
記接続パッドと接続させ、第２面側で上記取付パッドと
接続させることにより上記基板と上記取付基板とを接続
させるための中継基板であって、上記第１面と第２面とを有する略板形状をなし、該第１
面と第２面との間を貫通し、少なくとも上記第１面側端
部に第１面側面取り部を備える貫通孔を有する中継基板
本体と、上記貫通孔内に配置され、該貫通孔の内壁面のうち少な
くとも上記第１面側面取り部に固着され、上記第１面を
越えて上記中継基板本体の厚さ方向に突出する第１突出
部を有する軟質金属体と、を備えることを特徴とする中
継基板。
【請求項２】一主平面に接続パッドを有する基板と、
一主平面のうち該接続パッドに対応する位置に取付パッ
ドを有する取付基板と、の間に介在させ、第１面側で上
記接続パッドと接続させ、第２面側で上記取付パッドと
接続させることにより上記基板と上記取付基板とを接続
させるための中継基板であって、上記第１面と第２面とを有する略板形状をなし、該第１
面と第２面との間を貫通し、少なくとも上記第２面側端
部に第２面側面取り部を備える貫通孔を有する中継基板
本体と、上記貫通孔内に配置され、該貫通孔の内壁面のうち少な
くとも上記第２面側面取り部に固着され、上記第２面を
越えて上記中継基板本体の厚さ方向に突出する第２突出
部を有する軟質金属体と、を備えることを特徴とする中
継基板。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載の中継基
板であって、前記軟質金属体のうち、前記突出部が、その径よりも高
さが高い略柱状とされていることを特徴とする中継基
板。