JP2967560B2 - フィルムキャリアの接続構造体 - Google Patents
フィルムキャリアの接続構造体Info
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、フィルムキャリアと
配線基板とを、接続時の応力を緩和し、機械的、電気的
に信頼性高く接続したフィルムキャリアの接続構造体に
関する。
配線基板とを、接続時の応力を緩和し、機械的、電気的
に信頼性高く接続したフィルムキャリアの接続構造体に
関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器へのＩＣの実装方法としては、
プリント導体と絶縁性基材フィルムとを一体化したフィ
ルムキャリアにＩＣをＴＡＢ方式により搭載し、このＩ
Ｃを搭載したフィルムキャリアとリジッドな配線基板
（ＰＣＢ）とを半田で接続することが広く行われてい
る。
プリント導体と絶縁性基材フィルムとを一体化したフィ
ルムキャリアにＩＣをＴＡＢ方式により搭載し、このＩ
Ｃを搭載したフィルムキャリアとリジッドな配線基板
（ＰＣＢ）とを半田で接続することが広く行われてい
る。
【０００３】図６は、このような従来の方法により、Ｉ
Ｃ１を搭載したフィルムキャリア２をＰＣＢ３とＬＣＤ
４に接続した接続構造体の断面図である。同図に示すよ
うに、フィルムキャリア２の端子部２ｘとＰＣＢ３の端
子部とが半田５で接続されている。また、一般にフィル
ムキャリア２は銅箔からなるプリント導体２ａとポリイ
ミド等からなる絶縁性基材フィルム２ｂからなっている
が、同図のような半田による接続は、フィルムキャリア
２から半田付けする端子部２ｘの絶縁性基材フィルム２
ｂを予め除去しておき、その後、手半田、半田リフロ
ー、半田プレス等を行うことにより形成される。なお、
フィルムキャリア２とＬＣＤ４とは異方性導電接着剤６
により接続されている。
Ｃ１を搭載したフィルムキャリア２をＰＣＢ３とＬＣＤ
４に接続した接続構造体の断面図である。同図に示すよ
うに、フィルムキャリア２の端子部２ｘとＰＣＢ３の端
子部とが半田５で接続されている。また、一般にフィル
ムキャリア２は銅箔からなるプリント導体２ａとポリイ
ミド等からなる絶縁性基材フィルム２ｂからなっている
が、同図のような半田による接続は、フィルムキャリア
２から半田付けする端子部２ｘの絶縁性基材フィルム２
ｂを予め除去しておき、その後、手半田、半田リフロ
ー、半田プレス等を行うことにより形成される。なお、
フィルムキャリア２とＬＣＤ４とは異方性導電接着剤６
により接続されている。
【０００４】しかしながら、図６に示したような半田に
よる接続方法においては、近年の高密度実装化に伴ない
フィルムキャリア２とＰＣＢ３の端子部がピッチ０．３
ｍｍ以下程度にファイン化すると、ショート等が発生す
るという問題が生じた。
よる接続方法においては、近年の高密度実装化に伴ない
フィルムキャリア２とＰＣＢ３の端子部がピッチ０．３
ｍｍ以下程度にファイン化すると、ショート等が発生す
るという問題が生じた。
【０００５】そこで、図５に示したように、半田の代わ
りに異方性導電接着剤６を使用しフィルムキャリア２と
ＰＣＢ３とを接続することもなされるようになった。
りに異方性導電接着剤６を使用しフィルムキャリア２と
ＰＣＢ３とを接続することもなされるようになった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示したように、端子部２ｘの絶縁性基材フィルム２ｂを
除去したフィルムキャリア２とＰＣＢ３とを異方性導電
接着剤６で接続すると、その接続時に使用する加熱加圧
用のヘッドに異方性導電接着剤のバインダーが付着する
という問題が生じた。また、フィルムキャリア２の端子
部２ｘにおいて絶縁性基材フィルム２ｂが除去されてい
るために異方性導電接着剤６が抜け出てフィルムキャリ
ア２とＰＣＢ３との機械的接着力が低下し、所望の接着
強度が得られないという問題も生じた。
示したように、端子部２ｘの絶縁性基材フィルム２ｂを
除去したフィルムキャリア２とＰＣＢ３とを異方性導電
接着剤６で接続すると、その接続時に使用する加熱加圧
用のヘッドに異方性導電接着剤のバインダーが付着する
という問題が生じた。また、フィルムキャリア２の端子
部２ｘにおいて絶縁性基材フィルム２ｂが除去されてい
るために異方性導電接着剤６が抜け出てフィルムキャリ
ア２とＰＣＢ３との機械的接着力が低下し、所望の接着
強度が得られないという問題も生じた。
【０００７】これに対しては、図４に示したようにフィ
ルムキャリア２から絶縁性基材フィルム２ｂを除去せず
にフィルムキャリア２とＰＣＢ３とを異方性導電接着剤
６で接続することが考えられた。しかしながら、ポリイ
ミド等からなる絶縁性基材フィルムは比較的固いため
に、この方法ではＩＣ１の封止樹脂７の歪みやフィルム
キャリア２とＬＣＤ４との接続の歪みがフィルムキャリ
ア２とＰＣＢ３との接続部に集中し、接続部の信頼性が
低下するという問題が生じた。
ルムキャリア２から絶縁性基材フィルム２ｂを除去せず
にフィルムキャリア２とＰＣＢ３とを異方性導電接着剤
６で接続することが考えられた。しかしながら、ポリイ
ミド等からなる絶縁性基材フィルムは比較的固いため
に、この方法ではＩＣ１の封止樹脂７の歪みやフィルム
キャリア２とＬＣＤ４との接続の歪みがフィルムキャリ
ア２とＰＣＢ３との接続部に集中し、接続部の信頼性が
低下するという問題が生じた。
【０００８】また、ＰＣＢ３の端子部の表面には、通常
半田ディップ、半田レベラー等により半田メッキ層が形
成されているが、このようなメッキ層が形成された端子
部を異方性導電接着剤６により接続すると、異方性導電
接着剤６中の導電粒子がメッキ層の中に埋まり込み、安
定した導電性が得られなくなるという問題も生じた。
半田ディップ、半田レベラー等により半田メッキ層が形
成されているが、このようなメッキ層が形成された端子
部を異方性導電接着剤６により接続すると、異方性導電
接着剤６中の導電粒子がメッキ層の中に埋まり込み、安
定した導電性が得られなくなるという問題も生じた。
【０００９】この発明は以上のような従来技術の問題点
を解決しようとするものであり、フィルムキャリアと配
線基板とを、接続部のパターンがファイン化した場合で
もショートさせることなく、十分な接着力で信頼性高く
接続できるようにすることを目的としている。
を解決しようとするものであり、フィルムキャリアと配
線基板とを、接続部のパターンがファイン化した場合で
もショートさせることなく、十分な接着力で信頼性高く
接続できるようにすることを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明者は、ＩＣを搭
載したフィルムキャリアと配線基板とを異方性導電接着
剤を使用して接続するにあたり、その接続部のフィルム
キャリアの絶縁性基材フィルムは除去しないが、ＩＣの
搭載部とフィルムキャリアと配線基板との接続部との間
で除去すれば、接続時に加熱加圧用のヘッドに異方性導
電接着剤が付着することはなく、フィルムキャリアと配
線基板との接着力も十分となり、さらにＩＣの樹脂封止
等による歪みの応力も緩和できるので接続の信頼性が増
すこと、また、配線基板の端子部のメッキ層の厚さを異
方性導電接着剤に含まれる導電粒子の平均粒径に応じて
通常よりも薄くすれば、異方性導電接着剤に含まれる導
電粒子がメッキ層内に埋まり込み、安定した導電性が得
られなくなるという問題も解消することを見出し、この
発明を完成させるに至った。
載したフィルムキャリアと配線基板とを異方性導電接着
剤を使用して接続するにあたり、その接続部のフィルム
キャリアの絶縁性基材フィルムは除去しないが、ＩＣの
搭載部とフィルムキャリアと配線基板との接続部との間
で除去すれば、接続時に加熱加圧用のヘッドに異方性導
電接着剤が付着することはなく、フィルムキャリアと配
線基板との接着力も十分となり、さらにＩＣの樹脂封止
等による歪みの応力も緩和できるので接続の信頼性が増
すこと、また、配線基板の端子部のメッキ層の厚さを異
方性導電接着剤に含まれる導電粒子の平均粒径に応じて
通常よりも薄くすれば、異方性導電接着剤に含まれる導
電粒子がメッキ層内に埋まり込み、安定した導電性が得
られなくなるという問題も解消することを見出し、この
発明を完成させるに至った。
【００１１】すなわち、この発明は、ＩＣを搭載したフ
ィルムキャリアの端子部と配線基板の端子部とが異方性
導電接着剤により接続されているフィルムキャリアの接
続構造体において、フィルムキャリアのＩＣの搭載部
と、フィルムキャリアと配線基板との接続部との間で、
フィルムキャリアの絶縁性基材フィルムの一部または全
部が除去されており、かつ配線基板の端子部が異方性導
電接着剤に含まれる導電粒子の平均粒径の１／２以下の
厚さの表面処理層を形成されたものであるフィルムキャ
リアの接続構造体を提供する。
ィルムキャリアの端子部と配線基板の端子部とが異方性
導電接着剤により接続されているフィルムキャリアの接
続構造体において、フィルムキャリアのＩＣの搭載部
と、フィルムキャリアと配線基板との接続部との間で、
フィルムキャリアの絶縁性基材フィルムの一部または全
部が除去されており、かつ配線基板の端子部が異方性導
電接着剤に含まれる導電粒子の平均粒径の１／２以下の
厚さの表面処理層を形成されたものであるフィルムキャ
リアの接続構造体を提供する。
【００１２】
【作用】この発明のフィルムキャリアの接続構造体は、
フィルムキャリアと配線基板とが異方性導電接着剤によ
り接続されているので、その接続部を０．３ｍｍ以下程
度にファインピッチ化した場合でも、従来の半田で接続
したものに比べてショートの発生を低減することが可能
となる。また、フィルムキャリアと配線基板との接続箇
所と、異方性導電接着剤で接続する他の接続箇所とを一
括して接続処理をすることが可能となる。
フィルムキャリアと配線基板とが異方性導電接着剤によ
り接続されているので、その接続部を０．３ｍｍ以下程
度にファインピッチ化した場合でも、従来の半田で接続
したものに比べてショートの発生を低減することが可能
となる。また、フィルムキャリアと配線基板との接続箇
所と、異方性導電接着剤で接続する他の接続箇所とを一
括して接続処理をすることが可能となる。
【００１３】また、この発明の接続構造体は、フィルム
キャリアと配線基板との接続部においてフィルムキャリ
アの絶縁性基材フィルムが除去されておらず残存してい
るので、接続時に加熱加圧用のヘッドに異方性導電接着
剤のバインダーが付着することはない。また、異方性導
電接着剤が接続部から抜け出ることもなく、十分な接着
力を得ることが可能となる。
キャリアと配線基板との接続部においてフィルムキャリ
アの絶縁性基材フィルムが除去されておらず残存してい
るので、接続時に加熱加圧用のヘッドに異方性導電接着
剤のバインダーが付着することはない。また、異方性導
電接着剤が接続部から抜け出ることもなく、十分な接着
力を得ることが可能となる。
【００１４】さらに、この発明の接続構造体は、フィル
ムキャリアの絶縁性基材フィルムがＩＣの搭載部と、フ
ィルムキャリアと配線基板との接続部との間で除去され
ているので、ＩＣの樹脂封止等による歪みの応力が緩和
される。したがって、接続後の導通信頼性が向上する。
また、フィルムキャリアの絶縁性基材フィルムが除去さ
れているためにフィルムキャリアの曲げが容易になるの
で、ＩＣの封止樹脂が配線基板側に盛り上がった場合で
もフィルムキャリアと配線基板との接続を支障なく行う
ことが可能となる。
ムキャリアの絶縁性基材フィルムがＩＣの搭載部と、フ
ィルムキャリアと配線基板との接続部との間で除去され
ているので、ＩＣの樹脂封止等による歪みの応力が緩和
される。したがって、接続後の導通信頼性が向上する。
また、フィルムキャリアの絶縁性基材フィルムが除去さ
れているためにフィルムキャリアの曲げが容易になるの
で、ＩＣの封止樹脂が配線基板側に盛り上がった場合で
もフィルムキャリアと配線基板との接続を支障なく行う
ことが可能となる。
【００１５】また、この発明の接続構造体を形成する配
線基板は、その端子部の半田等の表面処理層の厚さが、
異方性導電接着剤に含まれる導電粒子の平均粒径の１／
２以下であるので、端子部を異方性導電接着剤で接続す
るときに異方性導電接着剤中の導電粒子が端子部の表面
処理層内に埋まり込むことはない。したがって、安定し
た導電性を得ることが可能となる。
線基板は、その端子部の半田等の表面処理層の厚さが、
異方性導電接着剤に含まれる導電粒子の平均粒径の１／
２以下であるので、端子部を異方性導電接着剤で接続す
るときに異方性導電接着剤中の導電粒子が端子部の表面
処理層内に埋まり込むことはない。したがって、安定し
た導電性を得ることが可能となる。
【００１６】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面に基づいて具
体的に説明する。なお、各図中、同一符号は同一または
同等の要素を表している。
体的に説明する。なお、各図中、同一符号は同一または
同等の要素を表している。
【００１７】実施例１ 図１（ａ）、（ｂ）はそれぞれこの発明の実施例の接続
構造体の断面図および平面図である。同図の接続構造体
は、図４および図５に示した接続構造体と同様に、ＩＣ
１を搭載したフィルムキャリア２を異方性導電接着剤６
によりＰＣＢ３とＬＣＤ４に接続したものである。この
実施例においては、フィルムキャリアの絶縁性基材フィ
ルム（ポリイミド製）２ｂが、フィルムキャリア２とＰ
ＣＢ３との接続部では除去されておらず、ＩＣ１の搭載
部と接続部との間２ｃでスリット状に除去されている。
構造体の断面図および平面図である。同図の接続構造体
は、図４および図５に示した接続構造体と同様に、ＩＣ
１を搭載したフィルムキャリア２を異方性導電接着剤６
によりＰＣＢ３とＬＣＤ４に接続したものである。この
実施例においては、フィルムキャリアの絶縁性基材フィ
ルム（ポリイミド製）２ｂが、フィルムキャリア２とＰ
ＣＢ３との接続部では除去されておらず、ＩＣ１の搭載
部と接続部との間２ｃでスリット状に除去されている。
【００１８】このような構造を有し、フィルムキャリア
２とＰＣＢ３とを接続する端子部の端子ピッチを０．３
ｍｍ、フィルムキャリア２とＬＣＤ４とを接続する端子
部のピッチを０．１８ｍｍとしたものを作成した。この
場合、ＰＣＢ３の端子部には、厚さ０．５μｍの半田
（Ｐｂ／Ｓｎ＝６／４）の表面処理層を形成した。そし
て、フィルムキャリア２とＰＣＢ３との接続部およびフ
ィルムキャリア２とＬＣＤ４との接続部のいずれも、異
方性導電接着剤６としてソニ−ケミカル（株）製ＣＰ３
１３１（導電粒子径１０μｍ）を厚さ３０μｍ塗布し、
１７０℃、４０Ｋｇ／ｃｍ２、２０秒で圧着することに
より接着した。
２とＰＣＢ３とを接続する端子部の端子ピッチを０．３
ｍｍ、フィルムキャリア２とＬＣＤ４とを接続する端子
部のピッチを０．１８ｍｍとしたものを作成した。この
場合、ＰＣＢ３の端子部には、厚さ０．５μｍの半田
（Ｐｂ／Ｓｎ＝６／４）の表面処理層を形成した。そし
て、フィルムキャリア２とＰＣＢ３との接続部およびフ
ィルムキャリア２とＬＣＤ４との接続部のいずれも、異
方性導電接着剤６としてソニ−ケミカル（株）製ＣＰ３
１３１（導電粒子径１０μｍ）を厚さ３０μｍ塗布し、
１７０℃、４０Ｋｇ／ｃｍ２、２０秒で圧着することに
より接着した。
【００１９】こうして作成した接続構造体に対して、サ
ーマルショック（−４０℃、１００℃各３０分のサイク
ルを１００回）後の導通性を試験したところ、最大抵抗
値は１Ω以下であり、導通信頼性の高いことが確認でき
た。
ーマルショック（−４０℃、１００℃各３０分のサイク
ルを１００回）後の導通性を試験したところ、最大抵抗
値は１Ω以下であり、導通信頼性の高いことが確認でき
た。
【００２０】実施例２〜４ ＰＣＢ３の端子部３ｘに形成した半田の表面処理層の厚
さをそれぞれ１μｍ、３μｍ、５μｍとした以外は実施
例１と同様の接続構造体を作成し、サーマルショック後
の導通性を試験した。その結果、表面処理層の厚さが１
μｍ、３μｍの場合の最大抵抗値は共に１Ω以下であ
り、また、表面処理層の厚さが５μｍの場合の最大抵抗
値は共に１１Ωであり、いずれも導通信頼性の高いこと
が確認できた。
さをそれぞれ１μｍ、３μｍ、５μｍとした以外は実施
例１と同様の接続構造体を作成し、サーマルショック後
の導通性を試験した。その結果、表面処理層の厚さが１
μｍ、３μｍの場合の最大抵抗値は共に１Ω以下であ
り、また、表面処理層の厚さが５μｍの場合の最大抵抗
値は共に１１Ωであり、いずれも導通信頼性の高いこと
が確認できた。
【００２１】実施例５〜７ ＰＣＢ３の端子部３ｘを，それぞれ酸化防止剤（グリコ
ート厚さ１μｍ未満）、Ｓｎメッキ（厚さ１μｍ未
満）、Ｎｉ／Ａｕメッキ（厚さＮｉ０．５μｍ／Ａｕ
０．２５μｍ）で表面処理した以外は実施例１と同様の
接続構造体を作成し、サーマルショック後の導通性を試
験した。その結果、最大抵抗値はいずれも１Ω以下であ
り、導通信頼性の高いことが確認できた。またこれによ
り、ＰＣＢ３の端子部の表面処理層としては、その厚さ
が異方性導電接着剤に含まれる導電粒子の平均粒径の１
／２以下であれば、その種類は特に限定されず種々の表
面処理層を形成できることが確認できた。
ート厚さ１μｍ未満）、Ｓｎメッキ（厚さ１μｍ未
満）、Ｎｉ／Ａｕメッキ（厚さＮｉ０．５μｍ／Ａｕ
０．２５μｍ）で表面処理した以外は実施例１と同様の
接続構造体を作成し、サーマルショック後の導通性を試
験した。その結果、最大抵抗値はいずれも１Ω以下であ
り、導通信頼性の高いことが確認できた。またこれによ
り、ＰＣＢ３の端子部の表面処理層としては、その厚さ
が異方性導電接着剤に含まれる導電粒子の平均粒径の１
／２以下であれば、その種類は特に限定されず種々の表
面処理層を形成できることが確認できた。
【００２２】実施例８ 図２（ａ）、（ｂ）は、この発明の異なる態様の実施例
の断面図および平面図である。この実施例も図１に示し
た接続構造体と同様に、ＩＣ１を搭載したフィルムキャ
リア２を異方性導電接着剤６によりＰＣＢ３とＬＣＤ４
に接続したものであるが、この実施例においては図１と
異なり、フィルムキャリアの絶縁性基材フィルム２ｂが
ＩＣ１の搭載部と、フィルムキャリア１とＰＣＢ３との
接続部との間２ｃで２本のスリット状に除去されてい
る。このように、この発明においては、ＩＣ１の搭載部
と、フィルムキャリア１とＰＣＢ３との接続部との間２
ｃでフィルムキャリアの絶縁性基材フィルム２ｂを除去
するにあたり、ＩＣの樹脂封止等による歪みの応力を緩
和できるようにする限り、その除去形状に特に制限はな
い。
の断面図および平面図である。この実施例も図１に示し
た接続構造体と同様に、ＩＣ１を搭載したフィルムキャ
リア２を異方性導電接着剤６によりＰＣＢ３とＬＣＤ４
に接続したものであるが、この実施例においては図１と
異なり、フィルムキャリアの絶縁性基材フィルム２ｂが
ＩＣ１の搭載部と、フィルムキャリア１とＰＣＢ３との
接続部との間２ｃで２本のスリット状に除去されてい
る。このように、この発明においては、ＩＣ１の搭載部
と、フィルムキャリア１とＰＣＢ３との接続部との間２
ｃでフィルムキャリアの絶縁性基材フィルム２ｂを除去
するにあたり、ＩＣの樹脂封止等による歪みの応力を緩
和できるようにする限り、その除去形状に特に制限はな
い。
【００２３】図２に示した構造を有し、実施例１と同様
の端子ピッチ（フィルムキャリア２とＰＣＢ３との接続
端子ピッチ０．３ｍｍ、フィルムキャリア２とＬＣＤ４
との接続端子ピッチ０．１８ｍｍ）の接続構造体を作成
した。この場合、ＰＣＢ３の端子部には、厚さ１μｍの
半田（Ｐｂ／Ｓｎ＝６／４）の表面処理層を形成した。
また、フィルムキャリア２とＰＣＢ３との接続部および
フィルムキャリア２とＬＣＤ４との接続部は、いずれも
実施例１と同様に、異方性導電接着剤６としてソニ−ケ
ミカル（株）製ＣＰ３１３１（導電粒子径１０μｍ）を
厚さ３０μｍ塗布し、１７０℃、４０Ｋｇ／ｃｍ２、２
０秒で圧着することにより接着した。
の端子ピッチ（フィルムキャリア２とＰＣＢ３との接続
端子ピッチ０．３ｍｍ、フィルムキャリア２とＬＣＤ４
との接続端子ピッチ０．１８ｍｍ）の接続構造体を作成
した。この場合、ＰＣＢ３の端子部には、厚さ１μｍの
半田（Ｐｂ／Ｓｎ＝６／４）の表面処理層を形成した。
また、フィルムキャリア２とＰＣＢ３との接続部および
フィルムキャリア２とＬＣＤ４との接続部は、いずれも
実施例１と同様に、異方性導電接着剤６としてソニ−ケ
ミカル（株）製ＣＰ３１３１（導電粒子径１０μｍ）を
厚さ３０μｍ塗布し、１７０℃、４０Ｋｇ／ｃｍ２、２
０秒で圧着することにより接着した。
【００２４】こうして作成した接続構造体に対して実施
例１と同様にサーマルショック後の導通性を試験したと
ころ、最大抵抗値は１Ω以下であり、導通信頼性の高い
ことが確認できた。
例１と同様にサーマルショック後の導通性を試験したと
ころ、最大抵抗値は１Ω以下であり、導通信頼性の高い
ことが確認できた。
【００２５】実施例９ 図３は、この発明のさらに異なる態様の実施例の断面図
である。この実施例は、ＩＣ１を搭載したフィルムキャ
リア２をＰＣＢ３上に異方性導電接着剤６により接続し
たものであり、その他の点については図１に示した接続
構造体と同様である。
である。この実施例は、ＩＣ１を搭載したフィルムキャ
リア２をＰＣＢ３上に異方性導電接着剤６により接続し
たものであり、その他の点については図１に示した接続
構造体と同様である。
【００２６】図３に示した構造を有し、実施例１と同様
の端子ピッチ（フィルムキャリア２とＰＣＢ３との接続
端子ピッチ０．３ｍｍ、フィルムキャリア２とＬＣＤ４
との接続端子ピッチ０．１８ｍｍ）の接続構造体を作成
した。この場合、ＰＣＢ３の端子部には、厚さ１μｍの
半田（Ｐｂ／Ｓｎ＝６／４）の表面処理層を形成した。
また、フィルムキャリア２とＰＣＢ３との接続部および
フィルムキャリア２とＬＣＤ４との接続部は、いずれも
実施例１と同様に、異方性導電接着剤６としてソニ−ケ
ミカル（株）製ＣＰ３１３１（導電粒子径１０μｍ）を
厚さ３０μｍ塗布し、１７０℃、４０Ｋｇ／ｃｍ２、２
０秒で圧着することにより接着した。
の端子ピッチ（フィルムキャリア２とＰＣＢ３との接続
端子ピッチ０．３ｍｍ、フィルムキャリア２とＬＣＤ４
との接続端子ピッチ０．１８ｍｍ）の接続構造体を作成
した。この場合、ＰＣＢ３の端子部には、厚さ１μｍの
半田（Ｐｂ／Ｓｎ＝６／４）の表面処理層を形成した。
また、フィルムキャリア２とＰＣＢ３との接続部および
フィルムキャリア２とＬＣＤ４との接続部は、いずれも
実施例１と同様に、異方性導電接着剤６としてソニ−ケ
ミカル（株）製ＣＰ３１３１（導電粒子径１０μｍ）を
厚さ３０μｍ塗布し、１７０℃、４０Ｋｇ／ｃｍ２、２
０秒で圧着することにより接着した。
【００２７】こうして作成した接続構造体に対して実施
例１と同様にサーマルショック後の導通性を試験したと
ころ、最大抵抗値は１Ω以下であり、導通信頼性の高い
ことが確認できた。
例１と同様にサーマルショック後の導通性を試験したと
ころ、最大抵抗値は１Ω以下であり、導通信頼性の高い
ことが確認できた。
【００２８】比較例１ 図４に示した構造を有し、実施例１と同様の端子ピッチ
（フィルムキャリア２とＰＣＢ３との接続端子ピッチ
０．３ｍｍ、フィルムキャリア２とＬＣＤ４との接続端
子ピッチ０．１８ｍｍ）の接続構造体を作成した。この
場合、ＰＣＢ３の端子部には、厚さ１μｍの半田（Ｐｂ
／Ｓｎ＝６／４）の表面処理層を形成した。また、フィ
ルムキャリア２とＰＣＢ３との接続部およびフィルムキ
ャリア２とＬＣＤ４との接続部は、いずれも実施例１と
同様に、異方性導電接着剤６としてソニ−ケミカル
（株）製ＣＰ３１３１（導電粒子径１０μｍ）を厚さ３
０μｍ塗布し、１７０℃、４０Ｋｇ／ｃｍ２、２０秒で
圧着することにより接着した。
（フィルムキャリア２とＰＣＢ３との接続端子ピッチ
０．３ｍｍ、フィルムキャリア２とＬＣＤ４との接続端
子ピッチ０．１８ｍｍ）の接続構造体を作成した。この
場合、ＰＣＢ３の端子部には、厚さ１μｍの半田（Ｐｂ
／Ｓｎ＝６／４）の表面処理層を形成した。また、フィ
ルムキャリア２とＰＣＢ３との接続部およびフィルムキ
ャリア２とＬＣＤ４との接続部は、いずれも実施例１と
同様に、異方性導電接着剤６としてソニ−ケミカル
（株）製ＣＰ３１３１（導電粒子径１０μｍ）を厚さ３
０μｍ塗布し、１７０℃、４０Ｋｇ／ｃｍ２、２０秒で
圧着することにより接着した。
【００２９】こうして作成した接続構造体に対して導通
性を試験したところ、初期的には良好であったが、実施
例１と同様のサーマルショックを５０サイクル行った後
には接続不良箇所が発生した。これは、フィルムキャリ
アの絶縁性基材フィルム２ｂが除去されていないので、
ＩＣ１の封止樹脂７の歪みやフィルムキャリア２とＬＣ
Ｄ４との接続の歪みがフィルムキャリア２とＰＣＢ３と
の接続部に集中したためである。
性を試験したところ、初期的には良好であったが、実施
例１と同様のサーマルショックを５０サイクル行った後
には接続不良箇所が発生した。これは、フィルムキャリ
アの絶縁性基材フィルム２ｂが除去されていないので、
ＩＣ１の封止樹脂７の歪みやフィルムキャリア２とＬＣ
Ｄ４との接続の歪みがフィルムキャリア２とＰＣＢ３と
の接続部に集中したためである。
【００３０】比較例２ 図５に示した構造を有し、実施例１と同様の端子ピッチ
（フィルムキャリア２とＰＣＢ３との接続端子ピッチ
０．３ｍｍ、フィルムキャリア２とＬＣＤ４との接続端
子ピッチ０．１８ｍｍ）の接続構造体を作成した。この
場合、ＰＣＢ３の端子部には、厚さ１μｍの半田（Ｐｂ
／Ｓｎ＝６／４）の表面処理層を形成した。また、フィ
ルムキャリア２とＰＣＢ３との接続部およびフィルムキ
ャリア２とＬＣＤ４との接続部は、いずれも実施例１と
同様に、異方性導電接着剤６としてソニ−ケミカル
（株）製ＣＰ３１３１（導電粒子径１０μｍ）を厚さ３
０μｍ塗布し、圧着部にポリイミドシート（厚さ２５μ
ｍ）を載せて１７０℃、４０Ｋｇ／ｃｍ２、２０秒で圧
着することにより接着した。
（フィルムキャリア２とＰＣＢ３との接続端子ピッチ
０．３ｍｍ、フィルムキャリア２とＬＣＤ４との接続端
子ピッチ０．１８ｍｍ）の接続構造体を作成した。この
場合、ＰＣＢ３の端子部には、厚さ１μｍの半田（Ｐｂ
／Ｓｎ＝６／４）の表面処理層を形成した。また、フィ
ルムキャリア２とＰＣＢ３との接続部およびフィルムキ
ャリア２とＬＣＤ４との接続部は、いずれも実施例１と
同様に、異方性導電接着剤６としてソニ−ケミカル
（株）製ＣＰ３１３１（導電粒子径１０μｍ）を厚さ３
０μｍ塗布し、圧着部にポリイミドシート（厚さ２５μ
ｍ）を載せて１７０℃、４０Ｋｇ／ｃｍ２、２０秒で圧
着することにより接着した。
【００３１】こうして作成した接続構造体は、接着した
端子部間の接着力が弱く、圧着後に浮きが発生した。
端子部間の接着力が弱く、圧着後に浮きが発生した。
【００３２】比較例３〜４ ＰＣＢ３の端子部に形成した半田の表面処理層の厚さを
それぞれ１０μｍ、２０μｍとした以外は実施例１と同
様の接続構造体を作成し、サーマルショック後の導通性
を試験した。その結果、表面処理層の厚さが１０μｍの
場合の最大抵抗値は７８Ωであり、２０μｍの場合の最
大抵抗値は無限大であり、導通信頼性の無いことが確認
できた。これらの接続部の顕微鏡写真を撮ったところ、
導電粒子が半田メッキ層の中に埋まり込み、半田メッキ
が接続界面から離れているところが観察された。
それぞれ１０μｍ、２０μｍとした以外は実施例１と同
様の接続構造体を作成し、サーマルショック後の導通性
を試験した。その結果、表面処理層の厚さが１０μｍの
場合の最大抵抗値は７８Ωであり、２０μｍの場合の最
大抵抗値は無限大であり、導通信頼性の無いことが確認
できた。これらの接続部の顕微鏡写真を撮ったところ、
導電粒子が半田メッキ層の中に埋まり込み、半田メッキ
が接続界面から離れているところが観察された。
【００３３】
【発明の効果】この発明の接続構造体によれば、フィル
ムキャリアと配線基板との接続部のパターンがファイン
化した場合でもショートすることがない。また、フィル
ムキャリアと配線基板とが十分な接着力で信頼性高く接
続したものとなる。
ムキャリアと配線基板との接続部のパターンがファイン
化した場合でもショートすることがない。また、フィル
ムキャリアと配線基板とが十分な接着力で信頼性高く接
続したものとなる。
【図１】この発明の実施例の接続構造体の断面図（ａ）
および平面図（ｂ）である。
および平面図（ｂ）である。
【図２】この発明の他の実施例の接続構造体の断面図
（ａ）および平面図（ｂ）である。
（ａ）および平面図（ｂ）である。
【図３】この発明の他の実施例の接続構造体の断面図で
ある。
ある。
【図４】従来の接続構造体の断面図である。
【図５】従来の接続構造体の断面図である。
【図６】従来の接続構造体の断面図である。
１ ＩＣ ２ フィルムキャリア ２ａ フィルムキャリアのプリント導体 ２ｂ フィルムキャリアの絶縁性基材フィルム ２ｘ フィルムキャリアの端子部 ３ 配線基板（ＰＣＢ） ４ ＬＣＤ ５ 半田 ６ 異方性導電接着剤 ７ 封止樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−288456（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−40445（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−226610（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 311
Claims (2)
- 【請求項１】 ＩＣを搭載したフィルムキャリアの端子
部と配線基板の端子部とが異方性導電接着剤により接続
されているフィルムキャリアの接続構造体において、フ
ィルムキャリアのＩＣの搭載部と、フィルムキャリアと
配線基板との接続部との間で、フィルムキャリアの絶縁
性基材フィルムの一部または全部が除去されており、か
つ配線基板の端子部が異方性導電接着剤に含まれる導電
粒子の平均粒径の１／２以下の厚さの表面処理層を形成
されたものであるフィルムキャリアの接続構造体。 - 【請求項２】 フィルムキャリアがＴＡＢ方式によりＩ
Ｃを搭載したフィルムキャリアである請求項１記載のフ
ィルムキャリアの接続構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4136120A JP2967560B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | フィルムキャリアの接続構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4136120A JP2967560B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | フィルムキャリアの接続構造体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05308091A JPH05308091A (ja) | 1993-11-19 |
| JP2967560B2 true JP2967560B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=15167775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4136120A Expired - Lifetime JP2967560B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | フィルムキャリアの接続構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2967560B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3756418B2 (ja) | 2001-02-28 | 2006-03-15 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR100666124B1 (ko) * | 2005-10-31 | 2007-01-09 | 전자부품연구원 | 정전방사법을 이용한 이방도전성 접착 필름의 제조 방법 |
-
1992
- 1992-04-28 JP JP4136120A patent/JP2967560B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05308091A (ja) | 1993-11-19 |
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