KR101043956B1 - 비등방성 입자배열체 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

미세피치를 갖는 두 전극을 반복압착하여 연결할 수 있는 경박단소화된 다목적 비등방성 입자배열체 및 그 제조방법이 제안된다. 제안된 비등방성 입자배열체는 탄성 고분자층 및 탄성 고분자층내에 상부 및 하부가 노출되도록 위치하는 탄성 도전체 또는 탄성 열전도체를 포함한다.
비등방성, 열전도, 전기전도, 커넥터

Description

비등방성 입자배열체 및 그 제조 방법{anisotropic particle-arranged structure and manufacturing method of the same}
본 발명은 비등방성 입자배열체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 미세피치를 갖는 두 전극을 반복압착하여 연결할 수 있는 경박단소화된 다목적 비등방성 입자배열체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 소자 등의 전자부품을 탑재한 회로기판은 장치의 소형화를 위한 급속한 진보에 의해, 회로기판의 고기능화 및 고집적화에 대한 요구가 더욱 더 증가되고 있다. 그 결과 회로에 접속하기 위한 접속단자의 크기가 지속적으로 줄어들고 있는 중이며, 이 때문에 접속 기술도 지속적으로 발전해야 할 필요성을 느끼고 있다.
특히 수리나 반복사용을 위해 반복탈착이 요구되는 접속부의 경우, 커넥터 이외에는 적합한 대안이 없는 상황이나 종래의 커넥터는 크기가 크고 접속피치에 한계가 있어(0.35mm 급) 점차 경박단소화해 가는 전자기기용으로는 그 한계점이 드 러나고 있는 상황이다.
비슷한 역할을 하는 기존기술로써 커넥터와 이방성 도전필름(Anisotropic Conductive Film, ACF)를 들 수 있다. 커넥터는 기계적인 스프링 결합을 주 기능으로 하여 전기적 접속을 이루는 기능을 수행하고, ACF 는 화학적인 접착력을 주 기능으로 하여 전기적 접속을 이루는 기능을 수행한다. 커넥터는 반복압착이 가능하다는 측면에서 장점을 가지나 기계적인 특정이 있으므로 고정세화 (fine pitch화)가 어렵다. 반면, ACF는 고정세화는 가능하나 고온에서 공정이 이루어져야 하기 때문에 적용 부위가 제한됨과 동시에 반복 사용이 어렵다는 단점을 지니고 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 미세피치를 갖는 두 전극을 반복압착하여 연결할 수 있는 경박단소화된 다목적 비등방성 입자배열체 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 비등방성 입자배열체는 탄성 고분자층; 및 탄성 고분자층내에 상부 및 하부가 노출되도록 위치하는 탄성 도전체 또는 탄성 열전도체;를 포함한다.
여기서, 탄성 도전체의 입자형상은 구형인 것이 바람직하고, 탄성 고분자는 예를 들어, 실리콘일 수 있다.
탄성 도전체는 탄성 고분자층내에 단일층으로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 탄성 고분자는 점착성이 없을 수 있다. 또는, 탄성 고분자는 점착력이 0.1gf/in 내지 5000gf/in일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 탄성 도전체 단일층을 준비하는 단계; 및 상기 탄성 도전체의 상부 및 하부가 노출되도록 상기 탄성 도전체 단일층 사이를 탄 성 고분자로 충전하여 탄성 고분자층을 형성하는 단계;를 포함하는 비등방성 입자배열체 제조방법이 제공된다.
탄성 도전체 단일층을 준비하는 단계는 정전도장방법을 이용하여 수행될 수 있다.
또한, 탄성 도전체 단일층을 기판상에 형성된 용해성 점착제층 상에 형성하고, 탄성 고분자층이 형성되면, 기판 및 용해성 점착제층을 제거할 수 있다. 기판 및 용해성 점착제층은 용해성 점착제층을 용해시켜 제거될 수 있다. 이 때, 용해성 점착제층은 포토레지스트를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 비등방성 입자배열체는 미세피치를 갖는 두 전극을 반복압착하여 연결할 수 있어 경박단소화되었고, 미세전극 패턴 검사 목적으로 사용이 가능하여 다양한 분야에 응용가능하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 비등방성 입자배열체의 단면도이다. 비등방성 입자배열체(100)는 탄성 고분자층(120); 및 탄성 고분자층(120)내에 상부 및 하부가 노출되도록 위치하는 탄성체(110)인 탄성 도전체 또는 탄성 열전도체;를 포함한다.
본 발명의 비등방성 입자배열체 기술은 입자상을 갖는 전기전도 혹은 열전도 소재의 중심부 즉 탄성체(110)를 탄성 고분자로 연결하여 탄성 고분자층(120)을 형성하고, 입자 상부와 하부를 오픈시켜 수직방향의 전기 혹은 열을 전달할 수 있도록 한다.
탄성 고분자층(120)은 예를 들어, 실리콘을 포함할 수 있다. 이러한 탄성 고분자층(120)은 점착성이 없을 수 있다. 또한, 탄성 고분자층(120)의 고분자는 점착력이 있을 수 있는데 바람직하게는 0.1gf/in 내지 5000gf/in일 수 있다.
탄성체(110)는 탄성 고분자층(120) 내에 위치한다. 탄성체(110)는 탄성 도전체나 탄성 열전도체일 수 있다. 도 1을 참조하면, 탄성체(110)가 탄성 고분자층(120) 내에 수평으로 배열되어 있다. 도 1의 탄성체(110)를 탄성 도전체라고 한 다면 탄성 도전체가 수평으로 배열된 비등방성 입자배열체(100)상부와 하부 각각에 대향하는 전극을 지닌 전극이 적용되었을 경우, 반복적으로 점착 및 탈착이 가능한 성능을 보인다.
탄성체(110)의 입자 형상은 전극 등과의 원활한 접속을 위하여 구형인 것이 바람직하다. 구형인 탄성체(110)가 탄성 고분자층(120)내에 단일층으로 형성되면 상부 및 하부가 각각 노출되어 비등방성 입자배열체(100)로서 작용한다. 탄성체(110)의 크기를 조절하여 피치를 조절할 수 있다. 탄성체(110)의 크기를 감소시킴에 따라, 미세피치(fine pitch) 접속기능을 얻을 수 있다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일실시예에 따른 비등방성 입자배열체 제조방법의 설명에 제공되는 도면이다.
도 2a를 참조하면, 먼저 비등방성 입자배열체(200)를 제조하기 위하여 제조용 기판인 기판(230) 상에 용해성 점착제(240)를 도포한다. 용해성 점착제(240)는 탄성체(210) 단일층을 형성할 때 탄성체(210)가 이동하지 않고, 고정될 수 있도록 하여 탄성 고분자층(220) 형성시 탄성체(210)를 균일하게 분산되도록 한다.
용해성 점착제(240)는 비등방성 입자배열체(200)에는 필요하지 않은 구성성분이므로 추후 제거가 용이하게 하기 위하여 포토레지스트와 같은 점착성 있으면서 소정 용매에 용해되는 점착제 성분인 것이 바람직하다. 또한, 용해성 점착제(240)는 탄성체(210) 높이의 10% 정도의 높이로 형성되는 것이 바람직한데, 너무 두껍게 형성되면 추후 용해시켜 제거가 어렵고, 얇은 경우 탄성체(210) 입자가 제대로 접착되지 않아 고정이 어려운 경우가 있다.
기판(230)상에 용해성 점착제(240)가 도포되면, 용해성 점착제(240) 상에 탄성 도전체 또는 탄성 열전도체 중 어느 하나인 탄성체(210)의 단일층을 형성한다(도 2b). 탄성체(110) 단일층을 준비하는 정전도장방법을 이용하여 수행될 수 있다. 탄성체(210) 입자에 고전압(약 1.5kV)을 걸어주면서 공기압으로 밀어내게 되면, 탄성체(210) 입자와 입자간 반발에 의해 탄성체(210) 입자 층이 단층으로 제한되며 탄성체(210) 입자와 입자 사이 거리도 일정 거리 이상 유지된다. 즉, 용해성 점착제(240) 상에 정전도장에 의하여 날아온 탄성체(210) 입자가 고정된다.
따라서, 비등방성 입자배열체(200)의 미세피치가 균일하게 형성될 수 있고, 단층으로 인하여 탄성체(210)의 높이가 비교적 균일하게 되어 비등방성 입자배열체(200)의 양측에 접속하게 될 회로기판 등의 접속이 더욱 용이할 수 있다.
그 후, 탄성체(210)입자 사이를 탄성 고분자로 충전하여 탄성 고분자층(220)을 형성한다. 탄성 고분자층(220)을 형성할 때에는 탄성체(210)의 상부가 노출되도록 형성한다. 탄성 고분자층(220)을 형성할 때, 탄성고분자의 두께가 입자의 두께 보다 두껍게 적용되게 되면, 탄성체(210) 입자의 상부를 절연하여 이후 비등방성 입자배열체(200)의 상부 및 하부에 접속하게 될 외부 전극부(미도시)와 직접 접촉이 일어나지 못하게 된다. 이러한 현상을 피하기 위하여 탄성 고분자층(220)의 두께는 탄성체(210)의 두께보다 낮도록 도 2c와 같이 적용되어야 한다.
도 2c를 참조하면, 탄성체(210)의 높이와 탄성 고분자층(220)의 높이 간에 d1의 차이가 있고, 이 차이만큼 탄성체(210)는 노출된다. 도 2c에서는 탄성체(210)의 상부는 일부 노출되지만 하부는 탄성 고분자층(220) 및 용해성 점착제(240)에 의하여 둘러싸여 있다.
탄성체(210) 입자의 상하부가 모두 노출되어야 비등방성 전도 특성을 나타낼 수 있으므로 탄성 고분자 성분이 탄성체(210)의 상하부를 덮지 않는 것이 중요하다. 탄성체(210)의 상부의 경우 탄성 고분자층(220)의 두께 조절을 통해 가능하나 하부는 이와 다른 방법으로 노출할 필요가 있다.
따라서, 탄성체(210)의 하부를 노출시키기 위하여, 도 2d에서와 같이 탄성체(210)의 하부에 위치하는 용해성 점착제(240)를 제거한다. 이와 동시에 제조용으로 사용되었던 기판(230)도 함께 제거되어 비등방성 입자배열체(200)를 기판(230)으로부터 분리하게 된다.
이하의 실시예 1 및 실시예 2에서는 본 발명에 따른 비등방성 입자배열체 제조방법에 따라 비등방성 입자배열체를 각각 제조하였다.
<실시예 1>
제조용 기판으로서, 100mm x 100 mm 크기를 갖는 유리기판 상에 용해성 점착제로 포토레지스트 AZ1512 (Clariant co.사제)를 1㎛ 스핀코팅한다. 여기에 20 ㎛ 직경의 탄성 전기전도체(AU 220, Sekisui chemical사제)를 정전 도장하여 단일 입자층을 형성한다. 이후 80℃에서 10분간 베이크하여 용해성 점착제를 경화시킨다. 이후 점착특성을 갖는 실리콘 점착제를 15㎛ 두께로 스핀코팅한 후, 150℃에서 1시간 경화시킨다. 경화물을 아세톤에 담가 용해성 점착제를 녹여 유리기판과 함께 제거하면 비등방성 입자배열체를 얻는다.
<실시예 2>
제조용 기판으로서, 100mm x 100 mm 크기를 갖는 유리기판 상에 용해성 점착제로 포토레지스트 AZ1512 (Clariant co.사제)를 2㎛ 스핀코팅한다. 여기에 30 ㎛ 직경의 탄성 전도체 (AU 230, Sekisui chemical사제)를 정전 도장하여 단일 입자층을 형성한다. 이후 80℃에서 10분간 베이크하여 용해성 점착제를 경화시킨다. 이후 점착특성을 갖는 실리콘 점착제를 25㎛ 두께로 스핀코팅한 후 150℃에서 1시간 경화시킨다. 경화물을 아세톤에 담가 용해성 점착제를 녹여 유리기판과 함께 제거하면 비등방성 입자배열체를 얻는다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니라, 첨부된 청구범위에 의해 해석되어야 한다. 또한, 본 발명에 대하여 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 비등방성 입자배열체의 단면도이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일실시예에 따른 비등방성 입자배열체 제조방법의 설명에 제공되는 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 비등방성 입자배열체 110 탄성체
120 탄성 고분자층

Claims (11)

  1. 점착력이 0.1gf/in 내지 5000gf/in인 탄성 고분자로 형성된 탄성 고분자층; 및
    상기 탄성 고분자층내에 상부 및 하부가 노출되도록 위치하는 탄성 도전체 또는 탄성 열전도체;를 포함하는 비등방성 입자배열체.
  2. 점착성이 없는 탄성 고분자로 형성된 탄성 고분자층; 및
    상기 탄성 고분자층내에 상부 및 하부가 노출되도록 위치하는 탄성 도전체 또는 탄성 열전도체;를 포함하는 비등방성 입자배열체.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 탄성 도전체 또는 탄성 열전도체의 입자형상은 구형인 것을 특징으로 하는 비등방성 입자배열체.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 탄성 도전체 또는 탄성 열전도체는 상기 탄성 고분자층내에 단일층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비등방성 입자배열체.
  5. 삭제
  6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 탄성 고분자는 실리콘인 것을 특징으로 하는 비등방성 입자배열체.
  7. 정전도장방법을 이용하여 탄성 도전체 또는 탄성 열전도체 단일층을 준비하는 단계; 및
    상기 탄성 도전체 또는 탄성 열전도체의 상부 및 하부가 노출되도록 상기 탄성 도전체 또는 탄성 열전도체 단일층 사이를 탄성 고분자로 충전하여 탄성 고분자층을 형성하는 단계;를 포함하는 비등방성 입자배열체 제조방법.
  8. 삭제
  9. 제 7항에 있어서,
    탄성 도전체 또는 탄성 열전도체 단일층을 기판상에 형성된 용해성 점착제층 상에 형성하고,
    상기 탄성 고분자층이 형성되면, 상기 기판 및 용해성 점착제층을 제거하는것을 특징으로 하는 비등방성 입자배열체 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 기판 및 용해성 점착제층을 제거하는 단계는,
    상기 용해성 점착제층을 용해시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 비등방성 입자배열체 제조방법.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 용해성 점착제층은 포토레지스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 비등방성 입자배열체 제조방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10440626B2 (en) * 2015-03-20 2019-10-08 Parallel Wireless, Inc. Content-aware inter-RAT RAB steering

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070059503A1 (en) 2004-05-12 2007-03-15 Park Jin G Insulated conductive particles and anisotropic conductive adhesive film containing the particles
WO2009078409A1 (ja) * 2007-12-17 2009-06-25 Hitachi Chemical Company, Ltd. 回路接続材料及び回路部材の接続構造
US20100112353A1 (en) 2007-04-13 2010-05-06 Sekisui Chemical Co., Ltd. Electroconductive fine particles, anisotropic electroconductive material, and electroconductive connection structure

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63102110A (ja) * 1986-10-17 1988-05-07 富士ゼロックス株式会社 異方導電体及びその製法
JPH0695462B2 (ja) * 1989-05-19 1994-11-24 シャープ株式会社 電極上への導電性粒子の配置方法
JPH0639961A (ja) * 1992-02-10 1994-02-15 Nitto Denko Corp 複層基材およびそれを用いた異方導電フィルムの製造方法
JP3400051B2 (ja) * 1993-11-10 2003-04-28 ザ ウィタカー コーポレーション 異方性導電膜、その製造方法及びそれを使用するコネクタ
JP3812682B2 (ja) * 1994-05-10 2006-08-23 日立化成工業株式会社 異方導電性樹脂フィルム状成形物の製造法
JP2004014483A (ja) * 2002-06-12 2004-01-15 Furukawa Electric Co Ltd:The 接続部材および配線材の接続構造ならびに配線材の接続方法
US20070212521A1 (en) * 2004-03-30 2007-09-13 Tokai Rubber Industries, Ltd. Anisotropic Conductive Film and a Method of Manufacturing the Same
US20060280912A1 (en) * 2005-06-13 2006-12-14 Rong-Chang Liang Non-random array anisotropic conductive film (ACF) and manufacturing processes
JP2006032335A (ja) * 2005-07-06 2006-02-02 Hitachi Chem Co Ltd 異方導電性接着フィルム
JP4476300B2 (ja) * 2007-01-11 2010-06-09 日本航空電子工業株式会社 電気接続部材及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070059503A1 (en) 2004-05-12 2007-03-15 Park Jin G Insulated conductive particles and anisotropic conductive adhesive film containing the particles
US20100112353A1 (en) 2007-04-13 2010-05-06 Sekisui Chemical Co., Ltd. Electroconductive fine particles, anisotropic electroconductive material, and electroconductive connection structure
WO2009078409A1 (ja) * 2007-12-17 2009-06-25 Hitachi Chemical Company, Ltd. 回路接続材料及び回路部材の接続構造
US20100277885A1 (en) 2007-12-17 2010-11-04 Hitachi Chemical Comoany, Ltd. Circuit connecting material and structure for connecting circuit member

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