JP5714631B2 - 異方導電性シート及び導通接続方法 - Google Patents

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Description

本発明は、異方導電性シート及び導通接続方法に関し、特に信頼性を向上させる技術に関する。
ガラス基板やＦＰＣ等の基板にＩＣを実装する工法としては、半田や金銅等の金属接合を用いるものが一般的である。しかし、近年、バインダ樹脂に直径数μｍの導電性粒子を特定の濃度で混ぜ込んだフィルム状の異方導電性フィルム（Anisotropic Conductive Film、ＡＣＦ）若しくはペースト状の異方導電性ペースト（Anisotropic Conductive Paste、ＡＣＰ）と呼ばれる材料による接続が盛んに使われ始めている。
例えば、ＡＣＦを使用した実装プロセスでは、基板に予めＡＣＦを仮着後、加熱したＩＣをそこに押し込む。このとき、ＡＣＦの樹脂は部分的にガラス転移点以上になり、流動性が上がり、ＩＣ上の凹凸に流れ込む。
このように、異方導電性材料を用いた実装では、基板の端子とＩＣのパッドとの間に粒子をかみこませることで電気的な接続を構成し、バインダ樹脂により機械的な接続を構成する。即ち、従来のアンダーフィルと同じ効果を電気的接続と同時に実現できる利点を持っている。
しかしながら、ＩＣを基板に押圧している過程で、粒子も端子間から流れ出てしまうという課題がある。端子間以外へ流れ出た粒子数が多くなると、この粒子への局所電界集中によりバインダ樹脂に絶縁破壊が発生し、耐電圧特性を低下させる要因になる。
さらに、構造接着を担うバインダ樹脂は、導電性粒子の流動性をメインに設計されているため、構造接着に有利な樹脂や耐湿性に優れた樹脂を使用することも困難であった。
このような課題に対し、引用文献１には、絶縁性のフィルム材中に複数の導通路が互いに絶縁された状態で貫通して配置されている異方導電性フィルムにおいて、耐熱性樹脂からなる多孔質膜に接着性樹脂成分を含浸してあるフィルム材を用いる技術が記載されている。この技術によれば、熱圧着の際に導通路が移動して隣接端子間を短絡させにくくなり、導通路の傾倒や変形も生じにくくなる。その結果、隣接端子間の導電接続性を向上させることができる。
特開２００３―２０８８２０号公報
異方導電性材料を用いた接続方法では，基板の端子又はＩＣのパッドのピッチが一定以下の場合、接続に寄与していない粒子への局所電界集中によりバインダ樹脂に絶縁破壊が発生し、信頼性を著しく損なうことが報告されている。
また、引用文献１の技術では、狭ピッチ向けのスポンジ構造を有する母材を作成することが困難であるという欠点がある。また、接着剤の封入量にも限界があり、近年の狭ピッチ接続では十分な接着強度を得ることができないという欠点もある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、信頼性の高い接続を行うことができる異方導電性シート及び導通接続方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために異方導電性シートの一の態様は、第１の含有率で絶縁性フィラーを含み、面状に形成される絶縁領域と、絶縁領域の内部に形成される導電性保持領域であって、導電性粒子並びに第１の含有率より低い第２の含有率で絶縁性フィラーを含み、絶縁領域の面方向に離散して配置される導電性粒子保持領域とを有する。
本態様によれば、第１の含有率で絶縁性フィラーを含む絶縁領域を面状に形成し、導電性粒子と、第１の含有率より低い第２の含有率で絶縁性フィラーを含む導電性粒子保持領域を、絶縁領域の内部に面方向に離散して配置するようにしたので、信頼性の高い接続を行うことができる。
即ち、導電性粒子の分布を任意に制御していることで、絶縁領域には構造接着に有利な樹脂や耐湿性に優れた樹脂を使用することができ、接着強度や耐湿性を向上させることができる。また、導電性粒子保持領域には導通接続に必要十分な導電性粒子のみを存在させることができるので、絶縁特性及び耐電圧特性を向上させることができる。
第１の電極が設けられた第１の部材と第２の電極が設けられた第２の部材との間に配置され、面方向に直交する厚み方向に加圧されることで、第１の部材と第２の部材とを絶縁領域で接着し、かつ第１の電極と第２の電極とを導電性粒子によって電気的に導通させることが好ましい。これにより、適切に第１の部材と第２の部材とを実装することができる。
絶縁領域は、導電性粒子保持領域よりも粘度が高いことが好ましい。これにより、導電性粒子保持領域に含まれる導電性粒子が絶縁領域に流れ出すことを抑制することができる。
絶縁領域は、構造接着剤を含むことが好ましい。また、構造接着剤は、熱架橋反応を用いてもよい。これにより、十分な接着強度を有することができる。
導電性粒子保持領域は、面方向に直交する厚み方向に導電性粒子の分布を有することが好ましい。これにより、導電性粒子保持領域に含まれる導電性粒子が絶縁領域に流れ出すことを抑制することができる。
導電性粒子保持領域は、絶縁領域が形成する上面及び下面の少なくとも一方の面において露出していることが好ましい。これにより、信頼性のある導通接続を行うことができる。
導電性粒子保持領域は、露出している面を底面とする円柱形、円錐台形、円錐形、糸巻き形、及び半球形のいずれかの形状で形成されることが好ましい。これにより、信頼性のある導通接続を行うことができる。
導電性粒子保持領域は、３００００〜６００００個／ｍｍ２の濃度で導電性粒子を含むことが好ましい。これにより、信頼性のある導通接続を行うことができる。
導電性粒子は、金属単体の粒子又は樹脂の核を有したコアシェル構造の粒子であることが好ましい。これにより、信頼性のある導通接続を行うことができる。
絶縁性フィラーはシリカであることが好ましい。これにより、耐湿性を改善することができる。
導電性粒子保持領域は、絶縁領域の面に含まれるＸ方向及び該Ｘ方向に直交し面に含まれるＹ方向に沿って一定の間隔で配置されることが好ましい。これにより、実装する基板やＩＣの端子ピッチにかかわらず用いることができる。
上記目的を達成するために導通接続方法の一の態様は、第１の含有率で絶縁性フィラーを含み、面状に形成される絶縁領域と、導電性粒子並びに第１の含有率より低い第２の含有率で絶縁性フィラーを含み、絶縁領域の面方向に離散して配置され、絶縁領域における面方向に直交する厚み方向の内側に形成される導電性粒子保持領域とを有する異方導電性シートを仮接着する仮接着工程と、異方導電性シートが仮接着された第１の部材の第１の電極と、第２の部材に設けられた第２の電極とを対向させて保持する保持工程と、第１の部材と第２の部材とを押圧する押圧工程と、異方導電性シートを加熱する加熱工程と、を備えた。
本態様によれば、第１の電極が設けられた第１の部材に異方導電性シートを仮接着し、異方導電性シートが仮接着された第１の部材の第１の電極と、第２の部材の第２の電極とを対向させて保持し、異方導電性シートを加熱する加熱工程し、第１の部材と第２の部材とを加圧するようにしたので、信頼性の高い接続を行うことができる。
本発明によれば、信頼性の高い接続を行うことができる
従来の異方導電性材料を用いた実装方法を示す模式図 実装装置の電気的構成を示すブロック図 本実施形態に係るＡＣＦを示す図 導電性粒子の構成を示す図 本実施形態に係るＡＣＦを用いた実装方法を示す模式図 導電性粒子保持部の配置間隔の他の態様を示す図 ＡＣＦの変形例を示す拡大断面図 ＡＣＦの製造方法を示すフローチャート 製造工程の断面図 第２の実施形態に係るＡＣＦを示す拡大断面図 ＡＣＦの製造方法を示すフローチャート 製造工程の断面図 ＡＣＦの製造方法を示すフローチャート 製造工程の断面図 ＡＣＦの製造方法を示すフローチャート 製造工程の断面図
以下、添付図面に従って本発明の好ましい実施形態について詳説する。
＜従来の異方導電性材料を用いた実装＞
図１は、従来の異方導電性材料を用いた実装方法を示す模式図である。この実装装置は、被実装部材を載置する載置部２０、実装部材を保持する保持部３０から構成される。ここでは、異方導電性フィルム（ＡＣＦ）４０を用いて実装基板２２にＩＣ（Integrated Circuit）３２を実装し、実装基板２２に設けられたパッド電極２４とＩＣ３２に設けられたパッド電極３４上に形成されたバンプ３６とを電気的に接続する例を説明する。
実装装置は、パッド電極２４とバンプ３６とを対向させるように、載置部２０に実装基板２２を載置し、保持部３０にＩＣ３２を保持する。実装基板２２には、予めＡＣＦ４０が仮接着されている（図１（ａ））。ＡＣＦ４０は、テープ状に形成されたバインダ樹脂４２に、球状の微小な導電性粒子４４が分散されている。
実装装置は、この状態から加圧部（不図示）により保持部３０を載置部２０の方向へ押圧する（図１（ｂ））。載置部２０は固定されており、ＡＣＦ４０に押圧が発生する。実装基板２２とＩＣ３２とを押圧すると、ＡＣＦ４０のバインダ樹脂４２が圧縮され、パッド電極２４とバンプ３６との間に導電性粒子４４が挟みこまれる。その結果、パッド電極２４とバンプ３６とが導電性粒子を介して電気的に接続される。この状態で、加熱部（不図示）により保持部３０を加熱して、バインダ樹脂４２を硬化させることにより、ＩＣ３２が実装基板２２に機械的に接着される（熱圧着）。
ここで、図１（ｂ）に示すように、ＩＣ３２を実装基板２２に押圧する際、パッド電極２４とバンプ３６との間から導電性粒子４４が流出し、パッド電極２４とバンプ３６との間に挟みこまれる導電性粒子４４が減少するという問題点があった。
＜第１の実施形態＞
〔実装装置の構成〕
図２は、本実施形態に係る実装装置１０の電気的構成を示すブロック図である。同図に示すように、実装装置１０は、載置部２０、保持部３０、加圧部５０、加熱部５２、制御部５４等を備えて構成される。
載置部２０は、所定の位置に固定されており、実装基板２２が載置される。実装基板２２の実装面には、パッド電極２４（図５参照）が設けられている。また、実装基板２２の実装面側には、後述するＡＣＦ１００が予め仮接着されている。
保持部３０は、ＩＣ３２を保持する。ＩＣ３２には、パッド電極３４（図５参照）が設けられ、パッド電極３４上にはバンプ３６（図５参照）が形成されている。保持部３０は、導通接続すべきパッド電極２４とパッド電極３４（バンプ３６）とがＡＣＦ１００を介して対向するように、ＩＣ３２のパッド電極３４が形成されている面を下側に向けて保持する。
加圧部５０は、ＩＣ３２を保持した保持部３０を載置部２０に向けて加圧する。加熱部５２は、保持部３０を加熱することで、ＩＣ３２を介してＡＣＦ１００を加熱する。ＡＣＦ１００は、加熱、加圧されることでＩＣ３２に熱圧着される。
制御部５４は、加圧部５０による加圧速度（保持部３０の押圧速度）、及び加熱部５２の加熱温度を制御する。
本実施形態では、加圧部５０が、ＩＣ３２を保持した保持部３０を載置部２０に向けて加圧しているが、この構成に限られるものではなく、実装基板２２とＩＣ３２とが相対的に近づくように加圧できればよい。即ち、保持部３０を固定した状態で実装基板２２を載置した載置部２０を保持部３０に向けて加圧してもよいし、載置部２０と保持部３０をそれぞれ保持部３０と載置部２０に向けて加圧してもよい。
〔異方導電性フィルムの構成〕
図３（ａ）は、本実施形態に係るＡＣＦ１００（異方導電性シートの一例）の上面図であり、図３（ｂ）はその一部の拡大図、図３（ｃ）は図３（ｂ）のＡ−Ａ線における断面図である。図３に示すように、ＡＣＦ１００は、ベース基材として平面状（面状の一例）に形成される構造接着部１０２（絶縁領域の一例）と、ＡＣＦ１００の面方向に離散して配置され、ＡＣＦ１００の厚み方向の内側に形成される導電性粒子保持部１０４（絶縁領域の内部に形成される導電性粒子保持領域の一例）とから構成される。ＡＣＦ１００は、薄いシート状部材であり、容易に曲げることが可能である。ここでは平面状と表現しているが、曲面状に曲げられた状態を排除しているものではない。
構造接着部１０２は、絶縁性を有している。構造接着部１０２は、本実施形態では、Ｘ方向に２０ｍｍ、Ｘ方向に直交するＹ方向に２０ｍｍの大きさを有し、Ｘ方向及びＹ方向に直交する厚さ方向（Ｚ方向）に２０μｍの厚さを有している。
また、導電性粒子保持部１０４は、Ｘ方向及びＹ方向に沿って一定の間隔で構造接着部１０２内に離散的に配置されている。ここでは、Ｘ方向に２０μｍ、Ｙ方向に２０μｍの間隔で、配置されている。
各導電性粒子保持部１０４は、上面が７μｍ、底面が５μｍの円錐台形であり、上面、底面はそれぞれ構造接着部１０２の上面（図３（ｃ）における上側）、下面（図３（ｃ）における下側）と同じ高さに形成されている。即ち、導電性粒子保持部１０４の上面及び底面は、ＡＣＦ１１０の上面、下面に露出（開放）しており、導電性粒子保持部１０４は、露出している面を底面とする円錐台形である。
なお、図３に示したＡＣＦ１００は一例であり、上記の数値に限定されるものではない。例えば、構造接着部１０２の厚さは２０μｍ〜３０μｍ、導電性粒子保持部１０４の上面は５μｍ〜１０μｍ、底面は５μｍ〜１０μｍ、導電性粒子保持部１０４の間隔は１５μｍ〜２０μｍ等の値を適宜選択することができる。
構造接着部１０２は、エポキシ系の樹脂を主成分とした樹脂組成物から形成され、熱架橋反応を用いた構造接着剤を含んでいる。構造接着部１０２は、チクソトロピー性が高く、透湿性が低く構成されている。また、導電性粒子保持部１０４は、エポキシ系の樹脂を主成分とした樹脂組成物から形成され、導電性粒子１０６を含んで構成される。
構造接着部１０２、導電性粒子保持部１０４を構成する樹脂組成物には、構造接着部１０２、導電性粒子保持部１０４の粘度を高めると共に、耐湿性（吸湿性）を改善するために、絶縁性を有する無機系のフィラー１０７（絶縁性フィラーの一例）が含有されている。一例として、構造接着部１０２には、４０重量％〜８０重量％、好ましくは５０重量％〜６０重量％（第１の含有率の一例）のシリカが含有され、導電性粒子保持部１０４には、０重量％、又は５重量％〜１０重量％（第２の含有率の一例）のシリカが含有される。本実施形態では、フィラー１０７としてシリカを用いているが、シリカに限定されるものではなく、ＳｉＯ系、ＴｉＯ系、ＺｎＯ系等の酸化物系の絶縁性フィラーであればよい。また、無機系でないフィラーを用いてもよい。
また、一例として、構造接着部１０２の２５℃における粘度は１００〜５０００Ｐａ・ｓ、導電性粒子保持部１０４の２５℃における粘度は２０〜５００Ｐａ・ｓである。ここで、導電性粒子保持部１０４の粘度よりも構造接着部１０２の粘度の方が高いことが好ましい。
導電性粒子１０６は、図４に示すように、樹脂等からなるコア粒子１０６ａ（樹脂の核の一例）と、コア粒子１０６ａを被覆するＮｉ−Ａｕ（ニッケル−金）等の金属層１０６ｂと、金属層１０６ｂの表面に配置される樹脂等の絶縁層１０６ｃとから形成されたコアシェル構造を有している。
なお、導電性粒子１０６の構成としては、図４の例に限定されず、導電性を有する粒子であればよく、金属単体等の粒子でもよい。また、導電性粒子１０６の粒径も特に限定されないが、本実施形態の粒径は５〜６μｍである。
導電性粒子保持部１０４における導電性粒子１０６の含有量は、加熱圧着後に信頼性が保たれる噛みこみ量の濃度であればよく、本実施形態では３００００〜６００００個／ｍｍ２である。
また、本実施形態では、導電性粒子保持部１０４は、ＡＣＦ１００の厚み方向（Ｚ方向）に分布を有して導電性粒子１０６を保持している。具体的には、ＡＣＦ１００の上面側（図３（ｃ）における上側）に少なく、下面側（図３（ｃ）における下側）に多く、導電性粒子１０６を保持している。
〔本実施形態に係る異方導電性材料を用いた実装〕
図５は、ＡＣＦ１００を用いた実装方法（導通接続方法の一例）を示す模式図である。図１と同様に、ＡＣＦ１００を用いて実装基板２２（第１の部材の一例）にＩＣ３２（第２の部材の一例）を実装し、パッド電極２４（第１の電極の一例）とバンプ３６（第２の電極の一例）とを電気的に接続する例を説明する。
実装装置１０は、パッド電極２４とバンプ３６とを対向させるように、載置部２０に実装基板２２を載置し、保持部３０にＩＣ３２を保持する（保持工程の一例）。実装基板２２には、予めＡＣＦ１００が仮接着されている（仮接着工程の一例、図５（ａ））。このとき、ＡＣＦ１００の複数の導電性粒子保持部１０４のうちのいずれか１つの導電性粒子保持部１０４、又は２つ以上の導電性粒子保持部１０４がパッド電極２４に対応する位置に配置される。なお、ＡＣＦ１００は、導電性粒子保持部１０４が導電性粒子１０６を相対的に多く保持している下面側が、実装基板２２側に仮接着される。
実装装置１０は、この状態から、加圧部５０により保持部３０を載置部２０の方向へ押圧する（押圧工程の一例、図５（ｂ））。実装基板２２とＩＣ３２とを押圧すると、ＡＣＦ１００が圧縮され、パッド電極２４とバンプ３６との間に導電性粒子保持部１０４に保持された導電性粒子１０６が挟みこまれる（熱圧着）。このとき、構造接着部１０２は導電性粒子保持部１０４よりも粘度が高く構成されているため、導電性粒子保持部１０４がパッド電極２４とバンプ３６との間で押圧された場合であっても、導電性粒子保持部１０４に保持された導電性粒子１０６が構造接着部１０２側へ流れ込むことがない。したがって、導電性粒子１０６は、導電性粒子保持部１０４に保持されたままパッド電極２４とバンプ３６との間に挟みこまれる。この状態で加熱部５２により保持部３０を加熱し（加熱工程の一例）、構造接着部１０２と導電性粒子保持部１０４とを硬化させることにより、ＩＣ３２が実装基板２２に機械的に接着される。
ここで、パッド電極２４とバンプ３６との間に挟みこまれた導電性粒子１０６の最外周に形成された絶縁層１０６ｃは、圧着により剥離し、金属層１０６ｂが表面に露出する。したがって、パッド電極２４とバンプ３６とは、その間に挟みこまれた導電性粒子１０６を介して電気的に接続される。
また、パッド電極２４とバンプ３６との位置に対応しない導電性粒子保持部１０４においては、導電性粒子１０６の最外周に形成された絶縁層１０６ｃが剥離せず、絶縁性を保ったまま実装基板２２とＩＣ３２との間に挟みこまれる。
さらに、パッド電極２４とバンプ３６との位置に対応しない導電性粒子保持部１０４は、パッド電極２４及びバンプ３６との間に絶縁性を有する構造接着部１０２が存在し、パッド電極２４及びバンプ３６とは、十分距離を持って離れた位置に配置されることになる。したがって、従来のＡＣＦよりも絶縁破壊が発生しにくい。
このように、本実施形態に係るＡＣＦ１００によれば、導通接続に寄与しない導電性粒子１０６によって絶縁破壊が発生することがなく、絶縁特性及び耐電圧特性を向上させ、信頼性の高い狭ピッチ接続を行うことができる。
また、本実施形態によれば、導電性粒子保持部１０４がＡＣＦ１００の上面側に少なく、下面側に多く導電性粒子１０６を保持しているため、圧着時に、導電性粒子保持部１０４に含まれる導電性粒子１０６が構造接着部１０２に流れ出すことを抑制することができる。
さらに、本実施形態によれば、構造接着部１０２には構造接着に有利な樹脂や耐湿性に優れた樹脂を使用することでき、接着強度や耐湿性を向上させることができる。また、構造接着部１０２や導電性粒子保持部１０４を形成する樹脂組成物に無機系のフィラー１０７を含有しているため、フィラー１０７を含有しない場合よりも硬化後の吸湿性が下がり、構造接着の耐湿性を向上させることができる。したがって、このＩＣ３２が実装された実装基板２２が湿度の高い環境で使用された場合であっても、接着性の劣化や導通性の劣化が発生せず、構造接着の耐久性を向上させることができる。
〔本実施形態の変形例〕
図６は、ＩＣ３２のパッド電極３４及び実装基板２２のパッド電極２４の配置間隔と、ＡＣＦ１００の導電性粒子保持部１０４の配置間隔が均等の場合を示す図である。このように導電性粒子保持部１０４を配置する態様も可能である。
図７は、本実施形態に係るＡＣＦ１００の変形例を示す拡大断面図である。ここでは、構造接着部、導電性粒子保持部を構成する樹脂やフィラー、導電性粒子はＡＣＦ１００と同様であり、構造接着部及び導電性粒子保持部の形状が異なっている。
図７（ａ）に示すＡＣＦ１１０は、ＡＣＦ１００に剥離シート１０８を設けたものである。剥離シート１０８は、ＡＣＦ１００の表面を保護するものであり、容易に剥離することができる材料を用いて構成される。この剥離シート１０８を設けたことで、作業者が取り扱いを容易にすることができる。
図７（ｂ）に示すＡＣＦ１２０は、ＡＣＦ１２０に露出している面を底面とする円錐台形であり、導電性粒子保持部１２４が上面に露出しておらず、ＡＣＦ１２０の上面は構造接着部１２２によって覆われている。
ＡＣＦ１２０によれば、圧着時に導電性粒子保持部１２４の上部の構造接着部１２２はバンプ３６の両脇に流れ込み、導電性粒子保持部１２４の導電性粒子１０６がパッド電極２４とバンプ３６との間に挟みこまれる。したがって、ＡＣＦ１００と同様にパッド電極２４とバンプ３６との導通接続を行うことができる。また、導電性粒子保持部１２４の上部の構造接着部１２２により、圧着時における導電性粒子１０６の構造接着部１２２側への流れ込みが、より防止される。したがって、信頼性の高い狭ピッチ接続を行うことができる。
このように、導電性粒子保持部は、ＡＣＦの上面及び底面の少なくとも一方の面（実装基板２２に仮接着される面）において露出していればよい。
なお、図７（ａ）に示す導電性粒子保持部１０４や図７（ｂ）に示す導電性粒子保持部１２４は、円錐形に形成してもよい。
また、図７（ｃ）に示すＡＣＦ１３０は、構造接着部１３２中に導電性粒子保持部１３４の上面と底面とを同じ径に形成し、導電性粒子保持部１３４を円柱形に構成したものである。このように構成しても、ＡＣＦ１００と同様に信頼性の高い狭ピッチ接続を行うことができる。
図７（ｄ）に示すＡＣＦ１４０は、円柱形に形成された導電性粒子保持部１４４が上面に露出しておらず、ＡＣＦ１４０の上面は構造接着部１４２によって覆われている。このように構成しても、信頼性の高い狭ピッチ接続を行うことができる。
〔ＡＣＦの製造方法〕
図８は、ＡＣＦ１４０の製造方法を示すフローチャートである。また、図９は、図８に示す各工程の断面図である。
（ステップＳ１：鋳型作成工程）
まず、鋳型２００を作成する（図９（ａ）参照）。鋳型２００は、導電性粒子保持部１４４を形成するためのものであり、導電性粒子保持部１４４と同形状、同配置の凹部２０２を設ける。
鋳型２００は、例えば基材上にマスク層を形成し、このマスク層をパターニングし、パターニングされたマスク層をマスクとして基材を所望の深さにエッチングし、最後にマスク層を除去することで作成することができる。鋳型２００の材料としては、特に限定されないが、例えば、ニッケル、シリコン、石英、ガラス等を用いることができる。
（ステップＳ２：第１の塗布工程）
鋳型２００の上面（凹部２０２が形成された面）に導電性粒子を含有した樹脂組成物１４６を塗布し、鋳型２００の凹部２０２を樹脂組成物１４６で充填する。このとき、導電性粒子の含有量の少ない、又は導電性粒子を含まない樹脂組成物１４６を凹部２０２に適量充填し、その後導電性粒子の含有量の多い樹脂組成物１４６を充填することで、ＡＣＦ１４０の厚み方向に導電性粒子の分布を持たせることができる。
なお、ＡＣＦ１４０の厚み方向に導電性粒子の分布を持たせる方法は、この方法に限定されない。例えば、磁気力や静電力を用いて予め導電性粒子を一方に寄せてもよい。
（ステップＳ３：第１の仮硬化工程）
仮加熱を行い、鋳型２００の凹部２０２に充填した樹脂組成物１４６を仮硬化させる。この仮加熱によって硬化した樹脂組成物１４６により、導電性粒子保持部１４４が形成される（図９（ｂ）参照）。
（ステップＳ４：剥離シート添付工程）
鋳型２００の上面から剥離シート１０８を添付する（図９（ｃ）参照）。
（ステップＳ５：離型工程）
剥離シート１０８を鋳型２００から剥離し、導電性粒子保持部１４４を鋳型２００から取り出す（離型）。図９（ｄ）は、離型した剥離シート１０８の天地を図９（ｃ）とは反転し、導電性粒子保持部１４４を上側として示している。
（ステップＳ６：第２の塗布工程）
剥離シート１０８上に形成された導電性粒子保持部１４４の上面に、構造接着用の樹脂組成物１４８を塗布する。
（ステップＳ７：第２の仮硬化工程）
最後に、仮加熱を行い、構造接着用の樹脂組成物１４８を仮硬化させる。この仮加熱によって硬化した樹脂組成物１４８により、構造接着部１４２が形成される（図９（ｅ）参照）。
以上のような工程で、ＡＣＦ１４０を製造することができる。このように、従来の微細加工技術を用いることで、容易に微細なパターンを製造することができる。
また、鋳型２００の形状や、ステップＳ６における構造接着用の樹脂組成物の塗布量を制御することで、図７に示したＡＣＦ１００，１１０，１２０についても、同様に製造することができる。
＜第２の実施形態＞
〔ＡＣＦの構成〕
図１０は、第２の実施形態に係るＡＣＦを示す拡大断面図である。ここでは、構造接着部、導電性粒子保持部を構成する樹脂やフィラー、導電性粒子は第１の実施形態と同様であり、構造接着部及び導電性粒子保持部の形状が異なっている。
図１０（ａ）に示すＡＣＦ１５０は、導電性粒子保持部１５４が構造接着部１５２内にＡＣＦ１５０に露出している面を底面とする半球形状に形成されている。また、導電性粒子保持部１５４は上面に露出しておらず、ＡＣＦ１５０の上面は構造接着部１５２によって覆われている。
図１０（ｂ）に示すＡＣＦ１６０は、導電性粒子保持部１６４が構造接着部１６２内にＡＣＦ１６０に露出している面を底面とする半球形状に形成されており、図１０（ａ）に示すＡＣＦ１５０の導電性粒子保持部１６４よりも、より球形に近い形状で形成されている。ＡＣＦ１５０と同様に、導電性粒子保持部１６４は上面に露出しておらず、ＡＣＦ１６０の上面は構造接着部１６２によって覆われている。
図１０（ｃ）に示すＡＣＦ１７０は、導電性粒子保持部１７４が構造接着部１７２内にＡＣＦ１７０に露出している面を底面とする糸巻き形状に形成されており、導電性粒子保持部１７４は、ＡＣＦ１７０の上面側に少なく、下面側に多く導電性粒子１０６を保持している。また、ＡＣＦ１７０は、上面及び下面に剥離シート１０８が添付されている。同様に、ＡＣＦ１００、１１０、１２０、１３０，１４０，１５０，１６０の上面及び下面に剥離シート１０８を設けてもよい。
これらＡＣＦ１５０〜１７０は、図８，図９を用いて説明した製造方法によって製造することが可能である。即ち、鋳型２００の凹部２０２の形状を、各導電性粒子保持部１５４，１６４，１７４と同形状にすることで、ＡＣＦ１５０〜１７０を製造することができる。
〔ＡＣＦ１５０の製造方法〕
図１１は、図１０（ａ）に示したＡＣＦ１５０の製造方法を示すフローチャートである。また、図１２は、図１１に示す各工程の断面図である。ここでは、鋳型２００を用いずに製造する方法を説明する。
（ステップＳ１１：皮膜生成工程）
製造するＡＣＦ１５０と同サイズの剥離シート１０８の全面に、界面活性剤を含有する親水性材料を塗布し、親水性皮膜２１０を生成する。ここで、剥離シート１０８は、疎水性を有する材料を用いている。
この親水性皮膜２１０に対して、マスク２２０を用いてＵＶ露光を行い、マスク２２０のパターンを転写する（図１２（ａ）参照）。マスク２２０には、形成しようとする導電性粒子保持部１５４の底面と同形状、及び同ピッチで遮光部が構成されている。
（ステップＳ１２：現像工程）
ステップＳ１１においてパターンを転写した親水性皮膜２１０を現像し、純水で洗浄する。これにより、ＵＶ露光により硬化した親水性皮膜２１０によって親水性部パターン２１２が形成される。したがって、親水性部パターン２１２は、形成しようとする導電性粒子保持部１５４の底面と同形状、及び同ピッチで形成される（図１２（ｂ）参照）。
なお、この親水性部パターン２１２は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いて形成してもよい。
（ステップＳ１３：第１の塗布工程）
親水性部パターン２１２が形成された剥離シート１０８の上面に、導電性粒子を含有した樹脂組成物１５６を塗布する（図１２（ｃ）参照）。塗布後、自重により導電性粒子が下部に集まることで、ＡＣＦ１５０の厚み方向に導電性粒子の分布を持たせることができる。なお、導電性粒子の含有量の多い樹脂組成物１５６を適量塗布し、その後導電性粒子の含有量の少ない、又は導電性粒子を含まない樹脂組成物１５６を塗布することで、ＡＣＦ１５０の厚み方向に導電性粒子の分布を持たせてもよいし、磁気力や静電力を用いて導電性粒子を下部に引き寄せてもよい。
（ステップＳ１４：自己組織化工程）
剥離シート１０８の上面に塗布された樹脂組成物１５６は、自己組織化によって、親水性部パターン２１２以外の領域に半球形状の構造体を形成する。
（ステップＳ１５：第１の仮硬化工程）
仮加熱を行い、自己組織化によって形成された構造体を仮硬化させる。この仮加熱によって硬化した樹脂組成物１５６により、導電性粒子保持部１５４が形成される（図１２（ｄ）参照）。
（ステップＳ１６：第２の塗布工程）
剥離シート１０８上に形成された導電性粒子保持部１５４の上面に、構造接着用の樹脂組成物１５８を塗布する。
（ステップＳ１７：第２の仮硬化工程）
最後に、仮加熱を行い、構造接着用の樹脂組成物１５８を仮硬化させる。この仮加熱によって硬化した樹脂組成物１５８により、構造接着部１５２が形成される（図１２（ｅ）参照）。
以上のような工程で、ＡＣＦ１５０を製造することができる。このように、従来の微細加工技術と自己組織化技術を用いることで、容易に微細なパターンを製造することができる。
〔ＡＣＦ１６０の製造方法〕
図１３は、図１０（ｂ）に示したＡＣＦ１６０の製造方法を示すフローチャートである。また、図１４は、図１３に示す各工程の断面図である。
（ステップＳ２１：皮膜生成工程）
製造するＡＣＦ１６０と同サイズの剥離シート１０８の全面に、界面活性剤を含有する疎水性材料を塗布し、疎水性皮膜２３０を生成する。ここで、剥離シート１０８は、親水性を有する材料を用いている。
この疎水性皮膜２３０に対して、マスク２２０を用いてＵＶ露光を行い、マスク２２０のパターンを転写する（図１４（ａ）参照）。マスク２２０には、形成しようとする導電性粒子保持部１６４の底面と同形状、及び同ピッチで開口部が構成されている。
（ステップＳ２２：現像工程）
ステップＳ２１においてパターンを転写した疎水性皮膜２３０を現像し、純水で洗浄する。これにより、ＵＶ露光により硬化した疎水性皮膜２３０によって疎水性部パターン２３２が形成される。したがって、疎水性部パターン２３２は、形成しようとする導電性粒子保持部１６４の底面と同形状、及び同ピッチで形成される（図１４（ｂ）参照）。
なお、この疎水性部パターン２３２は、ＲＩＥを用いて形成してもよい。
（ステップＳ２３：第１の塗布工程）
疎水性部パターン２３２が形成された剥離シート１０８の上面に、導電性粒子を含有した樹脂組成物１６６を塗布する（図１４（ｃ）参照）。ＡＣＦ１６０の厚み方向に導電性粒子の分布を持たせる方法については、ＡＣＦ１５０の場合と同様である。
（ステップＳ２４：自己組織化工程）
剥離シート１０８の上面に塗布された樹脂組成物１６６は、自己組織化によって、疎水性部パターン２３２の領域に半球形状の構造体を形成する。
（ステップＳ２５：第１の仮硬化工程）
仮加熱を行い、自己組織化によって形成された構造体を仮硬化させる。この仮加熱によって硬化した樹脂組成物１６６により、導電性粒子保持部１６４が形成される（図１４（ｄ）参照）。
（ステップＳ２６：第２の塗布工程）
剥離シート１０８上に形成された導電性粒子保持部１６４の上面に、構造接着用の樹脂組成物１６８を塗布する。
（ステップＳ１７：第２の仮硬化工程）
最後に、仮加熱を行い、構造接着用の樹脂組成物１６８を仮硬化させる。この仮加熱によって硬化した樹脂組成物１６８により、構造接着部１５２が形成される（図１４（ｅ）参照）。
以上のような工程で、ＡＣＦ１６０を製造することができる。なお、導電性粒子保持部１６４の下部に形成された疎水性皮膜２３０は、剥離シート１０８を剥離する際に剥離シート１０８側に残り、ＡＣＦ１６０側には残らない。このため、ＡＣＦ１６０が加圧された際の加熱導電性粒子による導通には支障が無い。
〔ＡＣＦ１７０の製造方法〕
図１５は、図１０（ｃ）に示したＡＣＦ１７０の製造方法を示すフローチャートである。また、図１６は、図１５に示す各工程の断面図である。
（ステップＳ３１：皮膜生成工程）
製造するＡＣＦ１７０と同サイズの剥離シート１０８の全面に、界面活性剤を含有する疎水性材料を塗布し、疎水性皮膜２４０を生成する。ここで、剥離シート１０８は、親水性を有する材料を用いている。
この疎水性皮膜２４０に対して、マスク２５０を用いてＵＶ露光を行い、マスク２５０のパターンを転写する（図１６（ａ）参照）。マスク２５０には、形成しようとする導電性粒子保持部１７４の底面と同形状、及び同ピッチで開口部が構成されている。
（ステップＳ３２：現像工程）
ステップＳ３１においてパターンを転写した疎水性皮膜２４０を現像し、純水で洗浄する。これにより、ＵＶ露光により硬化した疎水性皮膜２４０によって疎水性部パターン２４２が形成される。したがって、疎水性部パターン２４２が形成されていない領域は、形成しようとする導電性粒子保持部１７４の底面と同形状、及び同ピッチとなる（図１６（ｂ）参照）。
なお、この疎水性部パターン２４２は、ＲＩＥを用いて形成してもよい。
（ステップＳ３３：第１の塗布工程）
疎水性部パターン２４２が形成された剥離シート１０８の上面に、構造接着用の樹脂組成物１７６を塗布する（図１６（ｃ）参照）。ＡＣＦ１７０の厚み方向に導電性粒子の分布を持たせる方法については、ＡＣＦ１５０の場合と同様である。
（ステップＳ３４：自己組織化工程）
剥離シート１０８の上面に塗布された樹脂組成物１７６は、自己組織化によって、疎水性部パターン２４２の領域に半球形状の構造体を形成する。
（ステップＳ３５：第１の仮硬化工程）
仮加熱を行い、自己組織化によって形成された構造体を仮硬化させる。この仮加熱によって硬化した樹脂組成物１７６により、構造接着部１７２が形成される（図１６（ｄ）参照）。
（ステップＳ３６：第２の塗布工程）
剥離シート１０８上に形成された構造接着部１７２の上面に、導電性粒子を含有した導電性粒子保持用の樹脂組成物１７８を塗布する。この樹脂組成物１７８により形成される導電性粒子保持部１７４は、それぞれ独立した（離散した）領域とする必要があるため、樹脂組成物１７８の塗布は、すでに形成されている構造接着部１７２の高さを超えない量で行う。
（ステップＳ３７：第２の仮硬化工程）
仮加熱を行い、導電性粒子保持用の樹脂組成物１７８を仮硬化させる。この仮加熱によって硬化した樹脂組成物１７８により、導電性粒子保持部１７４が形成される（図１６（ｅ）参照）。
最後に、上面に剥離シートを添付することで、ＡＣＦ１７０が完成する。
以上のような工程で、ＡＣＦ１７０を製造することができる。なお、ステップＳ３３において、厚み方向に導電性粒子の分布を持たせる際に、ＡＣＦ１７０の上部に導電性粒子を多く分布させる態様も可能である。
例えば、導電性粒子の含有量の少ない、又は導電性粒子を含まない樹脂組成物１７６を塗布し、その後導電性粒子の含有量の多い樹脂組成物１７６を塗布する態様や、磁気力や静電力を用いて予め導電性粒子を上部に寄せる態様が可能である。
このようにＡＣＦ１７０を製造した場合は、導電性粒子が多く分布している面を実装基板側、導電性粒子が少なく分布している面をＩＣ側（バンプ側）として用いればよい。
〔インクジェットヘッドへの適用〕
本態様に係るＡＣＦは、一例として、インクジェットヘッド周辺の回路基板のＩＣ実装に用いることができる。特に、水性インクを用いるインクジェット記録装置では、インクジェットヘッド周りが高湿度環境に晒されるため、インクジェットヘッドの駆動ＩＣ等の実装基板の耐湿性を向上させる必要がある。
本態様に係るＡＣＦでは、樹脂組成物に無機性のフィラーを含有することで、耐湿性が改善されており、インクジェットヘッド周りの実装基板に好適である。
本発明の技術的範囲は、上記の実施形態に記載の範囲には限定されない。各実施形態における構成等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、各実施形態間で適宜組み合わせることができる。
１００、１１０、１２０、１３０，１４０，１５０，１６０，１７０…ＡＣＦ、１０２，１２２、１３２，１４２，１５２，１６２，１７２…構造接着部、１０４、１２４、１３４，１４４，１５４，１６４，１７４…導電性粒子保持部、１０６…導電性粒子、１０６ａ…コア粒子、１０６ｂ…金属層、１０６ｃ…絶縁層、１０７…フィラー、１０８…剥離シート、２００…鋳型、２１０…親水性皮膜、２２０，２５０…マスク、２３０，２４０…疎水性皮膜

Claims (13)

  1. 第１の含有率で絶縁性フィラーを含み、面状に形成される絶縁領域と、
    前記絶縁領域の内部に形成される導電性保持領域であって、導電性粒子並びに前記第１の含有率より低い第２の含有率で絶縁性フィラーを含み、前記絶縁領域の面方向に離散して配置される導電性粒子保持領域と、
    を有する異方導電性シート。
  2. 第１の電極が設けられた第１の部材と第２の電極が設けられた第２の部材との間に配置され、前記面方向に直交する厚み方向に加圧されることで、前記第１の部材と前記第２の部材とを前記絶縁領域で接着し、かつ前記第１の電極と前記第２の電極とを前記導電性粒子によって電気的に導通させる請求項１に記載の異方導電性シート。
  3. 前記絶縁領域は、前記導電性粒子保持領域よりも粘度が高い請求項１又は２に記載の異方導電性シート。
  4. 前記絶縁領域は、構造接着剤を含む請求項１から３のいずれか１項に記載の異方導電性シート。
  5. 前記構造接着剤は、熱架橋反応を用いる請求項４に記載の異方導電性シート。
  6. 前記導電性粒子保持領域は、前記面方向に直交する厚み方向に導電性粒子の分布を有する請求項１から５のいずれか１項に記載の異方導電性シート。
  7. 前記導電性粒子保持領域は、前記絶縁領域が形成する上面及び下面の少なくとも一方の面において露出している請求項１から６のいずれか１項に記載の異方導電性シート。
  8. 前記導電性粒子保持領域は、前記露出している面を底面とする円柱形、円錐台形、円錐形、糸巻き形、及び半球形のいずれかの形状で形成される請求項７に記載の異方導電性シート。
  9. 前記導電性粒子保持領域は、３００００〜６００００個／ｍｍ２の濃度で前記導電性粒子を含む請求項１から８のいずれか１項に記載の異方導電性シート。
  10. 前記導電性粒子は、金属単体の粒子又は樹脂の核を有したコアシェル構造の粒子である請求項１から９のいずれか１項に記載の異方導電性シート。
  11. 前記絶縁性フィラーはシリカである請求項１から１０のいずれか１項に記載の異方導電性シート。
  12. 前記導電性粒子保持領域は、前記絶縁領域の面に含まれるＸ方向及び該Ｘ方向に直交し前記面に含まれるＹ方向に沿って一定の間隔で配置される請求項１から１１のいずれか１項に記載の異方導電性シート。
  13. 第１の電極が設けられた第１の部材に請求項１から１０のいずれか１項に記載の異方導電性シートを仮接着する仮接着工程と、
    前記異方導電性シートが仮接着された第１の部材の第１の電極と、第２の部材に設けられた第２の電極とを対向させて保持する保持工程と、
    前記第１の部材と前記第２の部材とを押圧する押圧工程と、
    前記異方導電性シートを加熱する加熱工程と、
    を備えた導通接続方法。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102240963B1 (ko) * 2014-10-28 2021-04-16 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 이방성 도전 필름, 그 제조 방법, 및 접속 구조체
CN107078419B (zh) * 2014-10-31 2021-11-23 迪睿合株式会社 各向异性导电膜
US10629557B2 (en) * 2016-12-30 2020-04-21 Intel Corporation Improving mechanical and thermal reliability in varying form factors
CN108574158B (zh) * 2017-03-14 2020-10-09 群创光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
JPWO2019074060A1 (ja) * 2017-10-12 2020-12-17 富士フイルム株式会社 複合材
WO2019095363A1 (zh) * 2017-11-20 2019-05-23 深圳市柔宇科技有限公司 表面触控压印方法
KR102254467B1 (ko) 2018-07-12 2021-05-21 에이치엔에스하이텍(주) 이방도전성 접착필름의 제조방법
US10910336B2 (en) * 2019-01-29 2021-02-02 Shih-Chi Chen Chip package structure
CN114302302B (zh) * 2021-12-30 2024-02-02 歌尔股份有限公司 振膜及其制备方法、发声装置、电子设备
CN114882790B (zh) * 2022-04-24 2023-06-16 绵阳惠科光电科技有限公司 异方性导电胶和显示装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3154713B2 (ja) * 1990-03-16 2001-04-09 株式会社リコー 異方性導電膜およびその製造方法
US5611884A (en) * 1995-12-11 1997-03-18 Dow Corning Corporation Flip chip silicone pressure sensitive conductive adhesive
US6981317B1 (en) * 1996-12-27 2006-01-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and device for mounting electronic component on circuit board
JPH11154550A (ja) * 1997-11-19 1999-06-08 Jsr Corp コネクター
JP2000207943A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Sony Corp 異方性導電膜及び異方性導電膜を用いた電気的接続装置
JP2000243486A (ja) * 1999-02-17 2000-09-08 Jsr Corp 異方導電性シート
WO2001086716A1 (en) * 2000-05-12 2001-11-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device mounting circuit board, method of producing the same, and method of producing mounting structure using the same
CN1383197A (zh) * 2001-04-25 2002-12-04 松下电器产业株式会社 半导体装置的制造方法及半导体装置
US7323360B2 (en) * 2001-10-26 2008-01-29 Intel Corporation Electronic assemblies with filled no-flow underfill
JP2003208820A (ja) * 2002-01-10 2003-07-25 Nitto Denko Corp 異方導電性フィルム及びその製造方法
JP2004227829A (ja) * 2003-01-21 2004-08-12 Jsr Corp 異方導電性シートおよびその製造方法並びに回路装置の検査装置
CN101882720B (zh) * 2003-06-12 2011-11-30 Jsr株式会社 各向异性导电连接器装置及其制造方法以及电路装置的检查装置
JP4385794B2 (ja) * 2004-02-26 2009-12-16 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 異方性導電接続方法
KR101193757B1 (ko) * 2007-09-20 2012-10-23 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 이방성 도전막 및 그 제조 방법, 및 그 이방성 도전막을 이용한 접합체
JP5104687B2 (ja) * 2008-09-19 2012-12-19 日本電気株式会社 接合シート及び電子回路装置並びに製造方法
TWI462244B (zh) * 2011-10-17 2014-11-21 Ind Tech Res Inst 異方向性導電膜片及其製作方法
CN104837942B (zh) * 2012-12-14 2017-04-26 琳得科株式会社 保护膜形成用膜

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