JP6950797B2 - 異方性導電フィルム - Google Patents
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Description
異方性導電フィルムの任意の基準領域に想定される平面格子パターンの全格子点に対する導電粒子が配置されていない格子点の割合が、25%以下であり、
平面格子パターンの格子点に配置された導電粒子の一部が、対応格子点に対して異方性導電フィルムの長手方向にズレて配置されており、ズレて配置された導電粒子の平面投影中心と対応格子点との間の距離として定義されるズレ量が導電粒子の平均粒子径の50%未満である異方性導電フィルムを提供する。
<工程(イ)>
平面格子パターンの格子点に相当する柱状の凸部が表面に形成された転写体を用意する工程;
<工程(ロ)>
該転写体の凸部の少なくとも天面を微粘着層とする工程;
<工程(ハ)>
該転写体の凸部の微粘着層に導電粒子を付着させる工程;
<工程(ニ)>
該転写体の導電粒子が付着した側の表面に絶縁性接着ベース層を重ねて押圧することにより、絶縁性接着ベース層に導電粒子を転着させる工程;及び
<工程(ホ)>
導電粒子が転着した絶縁性接着ベース層に対し、導電粒子転着面側から絶縁性接着カバー層を積層する工程
を有する製造方法を提供する。
図1(断面図)と図2(平面透視図)に示すように、本発明の異方性導電フィルム10は、絶縁性接着ベース層11と絶縁性接着カバー層12とが積層され、それらの界面近傍に導電粒子13が平面格子パターン(図2の点線)の格子点に配置された構造を有する。図1及び図2では、平面格子パターンは、異方性導電フィルム10の長手方向とそれに直交する方向(短手方向)に沿って想定されているが、長手方向と短手方向とに対し全体が傾斜して想定されてもよい。ここで、矢印Aは、平面格子の格子点に導電粒子が配置されていない位置、いわゆる導電粒子が「抜け」ている位置を示している。矢印Bは、対応格子点に対して異方性導電フィルムの長手方向にズレて配置されている導電粒子を示している。ここで、ズレて配置された導電粒子の中心(具体的には、導電粒子を平面に投影した影の重心)と対応格子点との間の距離として定義されるズレ量は、規則配列性を考慮して導電粒子の平均粒子径の50%未満である。なお、このズレは製法に由来するものであり、フィルムの長手方向に対してのみ発生する。このように導電粒子が所定の範囲内でズレることで、異方性導電接続時に導電粒子がバンプが捕捉され易くなる効果が生じる。バンプの幅方向(フィルムの長手方向に直交する方向)に対して、導電粒子がバンプの端部にかかるとしても、適度にばらつくため、格子点に沿って直列している、即ちフィルム長手方向に略直行する方向における導電粒子の外接線が一致するよりも、上記外接線が一致しないように配置されれば、いずれかの粒子が捕捉され易くなり、捕捉数が安定する効果が期待できる。これは特にファインピッチの場合に効果を発揮する。
本発明の異方性導電フィルムにおいては、異方性導電フィルムの任意の基準領域に想定される平面格子パターンの全格子点に対する「導電粒子が配置されていない格子点」(図2のA)の割合(導電粒子が抜けている格子点の割合)を25%以下、好ましくは10〜25%に設定する。これにより、本発明の異方性導電フィルムを異方性導電接続に適用した場合に、良好な初期導通抵抗とエージング後の良好な導通信頼性とを実現でき、ショートの発生も抑制できる。
平面格子パターンとしては、斜方格子、六方格子、正方格子、矩形格子、平行体格子が挙げられる。中でも、最密充填可能な六方格子が好ましい。
導電粒子は、フィルムの長手方向と垂直な方向に、6個以上連続で配置されていることが好ましく、8個以上連続で配置されていることがより好ましい。これは、バンプの長手方向に対して導電粒子の欠落が生じると、異方性導電接続に支障をきたすおそれが生じるためである。この場合、フィルムの長手方向に沿って連続した7列中3列で上の条件を満たすことが好ましく、7列中5列で上の条件を満たすことがより好ましい。これにより、バンプに捕捉される導電粒子数を一定以上にすることができ、安定な異方性導電接続を行うことができる。
更に、異方性導電フィルムの任意の基準領域の面積に対する、その面積中に存在する全導電粒子の粒子面積占有率は、FOG接続のように、バンプサイズやバンプ間距離が比較的大きいものに対しては、通常0.15%以上、好ましくは0.35%以上、より好ましくは1.4%以上が有効である。この場合の上限は35%以下が好ましく、32%以下がより好ましい。また、バンプサイズやバンプ間距離が比較的小さくなる場合(例えばCOG接続)には、更に好ましくは10〜35%、特に好ましくは14〜32%である。この範囲であれば、本発明の異方性導電フィルムを異方性導電接続に適用した場合にも、より良好な初期導通性とエージング後の導通信頼性とを実現でき、ショートの発生もいっそう抑制できる。ここで、粒子面積占有率は、任意の基準領域の面積Sに対する、その基準領域内に存在する全導電粒子が占有する面積の割合である。全導電粒子が占有する面積とは、導電粒子の平均粒子径Rとし、導電粒子の数をnとした時に(R/2)2×π×nで表される。従って、粒子面積占有率(%)=[{(R/2)2×π×n}/S]×100で表される。
導電粒子としては、公知の異方性導電フィルムにおいて使用されているものを適宜選択して使用することができる。例えば、ニッケル、銅、銀、金、パラジウムなどの金属粒子、ポリアミド、ポリベンゾグアナミン等の樹脂粒子の表面をニッケルなどの金属で被覆した金属被覆樹脂粒子等を挙げることができる。また、導電粒子の平均粒子径は、製造時の取り扱い性の観点から、好ましくは1〜30μm、より好ましくは1〜10μm、特に好ましくは2〜6μmである。平均粒子径は、前述したように、画像型粒度分布計により測定することができる。
また、異方性導電フィルムに想定される平面格子パターンにおける隣接格子点間距離は、導電粒子の平均粒子径の好ましくは0.5倍以上、より好ましくは1倍以上、更に好ましくは1倍以上20倍以下である。この範囲であれば、本発明の異方性導電フィルムを異方性導電接続に適用した場合にも、より良好な初期導通性とエージング後の導通信頼性とを実現でき、ショートの発生もいっそう抑制できる。
絶縁性接着ベース層11としては、公知の異方性導電フィルムにおいて絶縁性接着ベース層として使用されているものを適宜選択して使用することができる。例えば、アクリレート化合物と光ラジカル重合開始剤とを含む光ラジカル重合性樹脂層、アクリレート化合物と熱ラジカル重合開始剤とを含む熱ラジカル重合性樹脂層、エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤とを含む熱カチオン重合性樹脂層、エポキシ化合物と熱アニオン重合開始剤とを含む熱アニオン重合性樹脂層等、又はそれらの硬化樹脂層を使用することができる。また、これらの樹脂層には、必要に応じてシランカップリング剤、顔料、酸化防止剤、紫外線吸収剤等を適宜選択して含有させることができる。
絶縁性接着カバー層12としては、公知の異方性導電フィルムにおいて絶縁性接着カバー層として使用されているものを適宜選択して使用することができる。また、先に説明した絶縁性接着ベース層11と同じ材料から形成したものも使用することができる。
なお、導電粒子13を挟んで絶縁性接着ベース層11と絶縁性カバー層12とを積層する場合、公知の手法により行うことができる。この場合、導電粒子13は、これらの層の界面近傍に存在する。ここで、「界面近傍に存在」とは、導電粒子の一部が一方の層に食い込み、残部が他方の層に食い込んでいることを示している。
次に、絶縁性接着ベース層と絶縁性接着カバー層とが積層され、それらの界面近傍に導電粒子が平面格子パターンの格子点に配置された構造の本発明の異方性導電フィルムの製造方法を説明する。この製造方法は、以下の工程(イ)〜(ホ)を有する。図面を参照しながら、工程毎に詳細に説明する。
まず、図3Aに示すように、平面格子パターンの格子点に相当する柱状の凸部101が表面に形成されている転写体100を用意する。ここで、柱状とは、円柱状もしくは角柱状(三角柱、四角柱、6角柱等)である。好ましくは円柱状である。凸部101の高さは、異方性導電接続すべき端子ピッチ、端子巾、スペース巾、導電粒子の平均粒子径等に応じて決定することができるが、使用する導電粒子の平均粒子径の好ましくは2.5倍以上5倍未満、より好ましくは2.5倍以上3.5倍以下である。また、凸部101の巾(半分の高さでの巾)は、導電粒子の平均粒子径の好ましくは0.6倍以上1.3倍未満、より好ましくは0.6倍以上1.1倍以下である。この高さと巾がこれらの範囲であれば、脱落と抜けが連続的に発生することが避けられるという効果が得られる。
この工程(イ)で用意すべき転写体は、公知の手法を利用して作成することができ、例えば、金属プレートを加工して原盤を作成し、それに硬化性樹脂を塗布し、硬化させて作成することができる。具体的には、平坦な金属板を切削加工して、凸部に対応した凹部を形成した転写体原盤も作成し、この原盤の凹部形成面に転写体を構成する樹脂組成物を塗布し、硬化させた後、原盤から引き離すことにより転写体が得られる。
次に、図3Bに示すように、表面に複数の凸部101が平面格子パターンで形成された転写体100の凸部101の少なくとも天面を微粘着層102とする。
微粘着層102は、異方性導電フィルムを構成する絶縁性接着ベース層に導電粒子が転着されるまで、導電粒子を一時的に保持できる粘着力を示す層であり、凸部101の少なくとも天面に形成される。従って、凸部101全体が微粘着性であってもよい。微粘着層102の厚みは、微粘着層102の材質、導電粒子の粒子径等に応じて適宜決定することができる。また、“微粘着”とは、絶縁性接着ベース層に導電粒子を転着する際に、絶縁性接着ベース層よりも粘着力が弱いという意味である。
次に、図3Cに示すように、転写体100の凸部101の微粘着層102に導電粒子103を付着させる。具体的には、転写体100の凸部101の上方から導電粒子103を散布し、微粘着層102に付着しなかった導電粒子103をブロアを用いて吹き飛ばせばよい。この場合、一部の凸部101においては、ある程度の頻度で、その側面に静電気等の作用により導電粒子が付着し、しかもブロアで除去できないことが生ずる。
次に、図3Dに示すように、転写体100の導電粒子103が付着した側の表面に、異方性導電フィルムを構成すべき絶縁性接着ベース層104を重ねて押圧することにより、絶縁性接着ベース層104の片面に導電粒子103を転着させる(図3E)。この場合、転写体100を、その凸部101が下向きになるように絶縁性接着ベース層104に重ねて押圧することが好ましい。下向きにしてブロアすることで、凸部の天面に貼着されていない導電粒子を除去し易くさせるためである。
図3Fに示すように、導電粒子103が転着した絶縁性接着ベース層104に対し、導電粒子転着面側から絶縁性接着カバー層105を積層する。これにより本発明の異方性導電フィルム200が得られる。
本発明の異方性導電フィルムは、第1の電気部品(例えば、ICチップ)の端子(例えばバンプ)と、第2の電気部品(例えば配線基板)の端子(例えばバンプ、パッド)との間に配置し、第1又は第2の電気部品側から熱圧着により本硬化させて異方性導電接続することにより、ショートや導通不良が抑制された、いわゆるCOG(chip on glass)やFOG(film on glass)等の接続構造体を与えることができる。
厚さ2mmのニッケルプレートを用意し、四方格子パターンで円柱状の凹部(内径3μm、深さ10μm)を形成し、転写体原盤とした。隣接凹部中心間距離は8μmであった。従って、凹部の密度は16000個/mm2であった。
微粘着層に付着していない導電粒子の除去のためのブロアの回数を、実施例1の3倍とすること以外、実施例1を繰り返すことにより異方性導電フィルムを得た。
転写体原盤の凹部の内径を2μm、凹部の深さを9μm、隣接凹部中心間距離を6μmとして凹部の密度を28000個/mm2とし、且つ平均粒子径4μmの導電粒子に代えて平均粒子径3μmの導電粒子(AUL703、積水化学工業(株))を使用すること以外、実施例1を繰り返すことにより異方性導電フィルムを得た。
微粘着層に付着していない導電粒子の除去のためのブロアの回数を、実施例3の3倍とすること以外、実施例3を繰り返すことにより異方性導電フィルムを得た。
微粘着層に付着していない導電粒子の除去のためのブロアの回数を、実施例1の10倍とすること以外、実施例1を繰り返すことにより異方性導電フィルムを得た。
微粘着層に付着していない導電粒子の除去のためのブロアの回数を、実施例3の10倍とすること以外、実施例3を繰り返すことにより異方性導電フィルムを得た。
(導電粒子の「抜け」と「ズレ量」)
実施例1〜4及び比較例1〜2の異方性導電フィルムについて、その透明な絶縁性接着カバー層側から光学顕微鏡(MX50、オリンパス(株))で1cm四方の領域を観察し、想定される平面格子パターンにおいて導電粒子が付着していない格子点の全格子点に対する割合(抜け[%])を調べた。得られた結果を表1に示す。また、想定される平面格子パターンの格子点に配置された導電粒子の当該格子点からのズレ量を測定した。得られた最大値を表1に示す。なお、抜け以外には、接続に著しく支障をきたすような状態は観察されなかった。
導電粒子の平均粒子径と、転写体原盤の凹部密度(=転写体の凸部密度)とから、導電粒子の「抜け」を考慮した上で、粒子面積占有率を計算した。得られた結果を表1に示す。
実施例及び比較例の異方性導電フィルムを用いて、バンプ間スペースが12μmで、高さ15μm、直径30×50μmの金バンプを有するICチップと、12μmスペースの配線が設けられたガラス基板とを、180℃、60MPa、5秒という条件で異方性導電接続し、接続構造体を得た。得られた接続構造体について、抵抗測定器(デジタルマルチメーター、横河電機(株))を用いて初期導通抵抗値を測定した。得られた結果を表1に示す。0.5Ω以下であることが望まれる。
初期導通抵抗値の測定に使用した接続構造体を、温度85℃、湿度85%に設定されたエージング試験器中に投入し、500時間放置した後の導通抵抗値を、初期導通抵抗と同様に測定した。得られた結果を表1に示す。5Ω以下であることが望まれる。
初期導通抵抗で使用したものと同じ接続構造体を作成し、端子の導通不良率を測定した。得られた結果を表1に示す。
凹部密度が500個/mm2である転写原盤を使用するために隣接凹部中心間距離を調整すること以外、実施例2と同様にして転写体を作成し、更に異方性導電フィルムを作成した。得られた異方性導電フィルムについて、実施例2と同様に導電粒子の「抜け」と「ズレ量」とを測定し、更に粒子面積占有率を算出した。その結果、導電粒子の「抜け」は実施例2と同等であった。「ズレ量」も実施例2に順じた結果が得られた。また、粒子面積占有率は0.5%であった。
凹部密度が2000個/mm2である転写原盤を使用するために隣接凹部中心間距離を調整すること以外、実施例2と同様にして転写体を作成し、更に異方性導電フィルムを作成した。得られた異方性導電フィルムについて、実施例2と同様に導電粒子の「抜け」と「ズレ量」とを測定し、更に粒子面積占有率を算出した。その結果、導電粒子の「抜け」は実施例2と同等であった。「ズレ量」も実施例2に順じた結果が得られた。また、粒子面積占有率は1.9%であった。
実施例1から導電粒子の大きさを4μmから10μmとするため、凹部密度が4400個/mm2にするため実施例1に順じて凹部寸法および隣接凹部中心間距離等、を調整した写原盤を使用すること以外、実施例1と略同様にして転写体を作成し、更に導電粒子径を10μm、絶縁性接着ベース層の厚みを12μm、絶縁性接着カバー層の厚みを12μmに変更する以外は実施例1と同様に異方性導電フィルムを作成した。得られた異方性導電フィルムについて、実施例1と同様に導電粒子の「抜け」と「ズレ量」とを測定し、更に粒子面積占有率を算出した。その結果、導電粒子の「抜け」は実施例1と同等であった。「ズレ量」も実施例1に順じた結果が得られた。粒子面積占有率は30.7%であった。
11、104 絶縁性接着ベース層
12、105 絶縁性接着カバー層
13、103 導電粒子
100 転写体
101 凸部
102 微粘着層
A 格子点に導電粒子が配置されていない位置(導電粒子が抜けている位置)
B 異方性導電フィルムの長手方向にズレて配置された導電粒子
Claims (18)
- 絶縁性接着ベース層の表面又は界面近傍に導電粒子が平面格子パターンの格子点に配置された構造の異方性導電フィルムであって、
異方性導電フィルムの任意の基準領域に想定される平面格子パターンの全格子点に対する導電粒子が配置されていない格子点の割合が、25%以下であり、但し、導電粒子が配置されていない格子点が9個以上連続しておらず、
平面格子パターンの格子点に配置された導電粒子の一部が、対応格子点に対して異方性導電フィルムの長手方向にズレて配置されている場合に、ズレて配置された導電粒子の中心と対応格子点との間の距離として定義されるズレ量が導電粒子の平均粒子径の50%未満である異方性導電フィルム。 - 絶縁性接着ベース層の表面又は界面近傍に導電粒子が平面格子パターンの格子点に配置された構造の異方性導電フィルムであって、
異方性導電フィルムの任意の基準領域に想定される平面格子パターンの全格子点に対する導電粒子が配置されていない格子点の割合が、25%以下であり、但し、異方性導電フィルムの長手方向に略直交する方向において、導電粒子が配置されている格子点が6個以上連続しており、
平面格子パターンの格子点に配置された導電粒子の一部が、対応格子点に対して異方性導電フィルムの長手方向にズレて配置されている場合に、ズレて配置された導電粒子の中心と対応格子点との間の距離として定義されるズレ量が導電粒子の平均粒子径の50%未満である異方性導電フィルム。 - 絶縁性接着ベース層の表面又は界面近傍に導電粒子が平面格子パターンの格子点に配置された構造の異方性導電フィルムであって、
異方性導電フィルムの任意の基準領域に想定される平面格子パターンの全格子点に対する導電粒子が配置されていない格子点の割合が、25%以下であり、但し、異方性導電フィルムの長手方向に沿って連続した7列の格子点の列中、3列において導電粒子が6個以上連続して配置されており、
平面格子パターンの格子点に配置された導電粒子の一部が、対応格子点に対して異方性導電フィルムの長手方向にズレて配置されている場合に、ズレて配置された導電粒子の中心と対応格子点との間の距離として定義されるズレ量が導電粒子の平均粒子径の50%未満である異方性導電フィルム。 - 絶縁性接着ベース層の表面又は界面近傍に導電粒子が平面格子パターンの格子点に配置された構造の異方性導電フィルムであって、
異方性導電フィルムの任意の基準領域に想定される平面格子パターンの全格子点に対する導電粒子が配置されていない格子点の割合が、25%以下であり、但し、異方性導電フィルムの長手方向に沿って連続した50個の格子点中に、導電粒子が配置されていない格子点が12個以内であり、
平面格子パターンの格子点に配置された導電粒子の一部が、対応格子点に対して異方性導電フィルムの長手方向にズレて配置されている場合に、ズレて配置された導電粒子の中心と対応格子点との間の距離として定義されるズレ量が導電粒子の平均粒子径の50%未満である異方性導電フィルム。 - 平面格子パターンが、異方性導電フィルムの長手方向に平行な格子軸を有する請求項1〜4のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
- 絶縁性接着ベース層と絶縁性接着カバー層とが積層され、それらの界面近傍に導電粒子が平面格子パターンの格子点に配置されている請求項1〜5のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
- 異方性導電フィルムの任意の基準領域の面積に対する、その面積中に存在する全導電粒子の粒子面積占有率が10〜35%である請求項1〜8のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
- 導電粒子の平均粒子径が1〜10μmであり、平面格子パターンの隣接格子点間距離が導電粒子の平均粒子径の0.5倍以上である請求項1〜9のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
- 格子点に対して異方性導電フィルムの長手方向にズレて配置された導電粒子のズレ量の最大値が、長手方向に直交する方向のズレ量よりも大きい請求項1〜10のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
- 異方性導電フィルムの任意の基準領域の面積に対する、その面積中に存在する全導電粒子の粒子面積占有率が0.15%以上である請求項12記載の異方性導電フィルム。
- 導電粒子の平均粒子径が1〜30μmであり、平面格子パターンの隣接格子点間距離が導電粒子の平均粒子径の0.5倍以上である請求項12又は13記載の異方性導電フィルム。
- 異方性導電フィルムの長手方向に略直交する方向における導電粒子の外接線が一致していない請求項1〜14のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
- 絶縁性接着ベース層又は絶縁性接着カバー層が、絶縁性フィラーを含有する請求項1〜15のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
- 第1の電気部品の端子と、第2の電気部品の端子とが、請求項1〜16のいずれかに記載の異方性導電フィルムにより異方性導電接続された接続構造体。
- 第1の電気部品の端子と、第2の電気部品の端子との間に、請求項1〜16のいずれかに記載の異方性導電フィルムを配置し、第1又は第2の電気部品側から熱圧着により本硬化させて異方性導電接続する、接続構造体の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014223831 | 2014-10-31 | ||
JP2014223831 | 2014-10-31 | ||
JP2015209697A JP6750205B2 (ja) | 2014-10-31 | 2015-10-26 | 異方性導電フィルム |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015209697A Division JP6750205B2 (ja) | 2014-10-31 | 2015-10-26 | 異方性導電フィルム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020202185A JP2020202185A (ja) | 2020-12-17 |
JP2020202185A5 JP2020202185A5 (ja) | 2021-02-04 |
JP6950797B2 true JP6950797B2 (ja) | 2021-10-13 |
Family
ID=55857422
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015209697A Active JP6750205B2 (ja) | 2014-10-31 | 2015-10-26 | 異方性導電フィルム |
JP2020136215A Active JP6950797B2 (ja) | 2014-10-31 | 2020-08-12 | 異方性導電フィルム |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015209697A Active JP6750205B2 (ja) | 2014-10-31 | 2015-10-26 | 異方性導電フィルム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10513635B2 (ja) |
JP (2) | JP6750205B2 (ja) |
KR (1) | KR102520294B1 (ja) |
CN (1) | CN107078419B (ja) |
TW (3) | TWI748418B (ja) |
WO (1) | WO2016068083A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7052254B2 (ja) * | 2016-11-04 | 2022-04-12 | デクセリアルズ株式会社 | フィラー含有フィルム |
JP6661969B2 (ja) * | 2014-10-28 | 2020-03-11 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電フィルム及び接続構造体 |
JP6746898B2 (ja) | 2014-11-17 | 2020-08-26 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電フィルム及びその製造方法、並びに接続構造体及びその製造方法 |
WO2017191772A1 (ja) * | 2016-05-05 | 2017-11-09 | デクセリアルズ株式会社 | フィラー配置フィルム |
JP7305957B2 (ja) * | 2016-10-03 | 2023-07-11 | 株式会社レゾナック | 導電性フィルム、巻回体、接続構造体、及び接続構造体の製造方法 |
TWI763750B (zh) * | 2016-12-01 | 2022-05-11 | 日商迪睿合股份有限公司 | 異向性導電膜 |
CN112272692B (zh) | 2018-03-28 | 2023-02-17 | 卓尔泰克公司 | 导电粘合剂 |
JP6983123B2 (ja) * | 2018-07-24 | 2021-12-17 | 信越化学工業株式会社 | 粘着性基材、粘着性基材を有する転写装置及び粘着性基材の製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20010008169A1 (en) | 1998-06-30 | 2001-07-19 | 3M Innovative Properties Company | Fine pitch anisotropic conductive adhesive |
JP4590783B2 (ja) * | 2001-06-13 | 2010-12-01 | パナソニック株式会社 | はんだボールの形成方法 |
DE10164494B9 (de) * | 2001-12-28 | 2014-08-21 | Epcos Ag | Verkapseltes Bauelement mit geringer Bauhöhe sowie Verfahren zur Herstellung |
JP4130747B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2008-08-06 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 異方導電性接着シートおよびその製造方法 |
JP2005019274A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 異方導電フィルムの製造方法 |
CN101483080A (zh) | 2003-12-04 | 2009-07-15 | 旭化成电子材料元件株式会社 | 各向异性的导电粘合片材及连接结构体 |
US20060035036A1 (en) * | 2004-08-16 | 2006-02-16 | Telephus Inc. | Anisotropic conductive adhesive for fine pitch and COG packaged LCD module |
US8802214B2 (en) * | 2005-06-13 | 2014-08-12 | Trillion Science, Inc. | Non-random array anisotropic conductive film (ACF) and manufacturing processes |
JP4887700B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2012-02-29 | 住友ベークライト株式会社 | 異方導電性フィルムおよび電子・電機機器 |
JP4735229B2 (ja) * | 2005-12-12 | 2011-07-27 | 住友ベークライト株式会社 | 異方導電性フィルム |
JP4880533B2 (ja) * | 2007-07-03 | 2012-02-22 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 異方性導電膜及びその製造方法、並びに接合体 |
JP2009152160A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-09 | Tokai Rubber Ind Ltd | 粒子転写型およびその製造方法、粒子転写膜の製造方法ならびに異方性導電膜 |
JP2010033793A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Tokai Rubber Ind Ltd | 粒子転写膜の製造方法 |
KR101729867B1 (ko) | 2012-08-01 | 2017-04-24 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 이방성 도전 필름의 제조 방법, 이방성 도전 필름, 및 접속 구조체 |
JP5714631B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2015-05-07 | 富士フイルム株式会社 | 異方導電性シート及び導通接続方法 |
-
2015
- 2015-10-26 WO PCT/JP2015/080127 patent/WO2016068083A1/ja active Application Filing
- 2015-10-26 CN CN201580055668.9A patent/CN107078419B/zh active Active
- 2015-10-26 US US15/515,309 patent/US10513635B2/en active Active
- 2015-10-26 JP JP2015209697A patent/JP6750205B2/ja active Active
- 2015-10-26 KR KR1020177000104A patent/KR102520294B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-30 TW TW109113101A patent/TWI748418B/zh active
- 2015-10-30 TW TW110116033A patent/TWI794803B/zh active
- 2015-10-30 TW TW104135768A patent/TWI747809B/zh active
-
2020
- 2020-08-12 JP JP2020136215A patent/JP6950797B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI747809B (zh) | 2021-12-01 |
CN107078419B (zh) | 2021-11-23 |
JP2020202185A (ja) | 2020-12-17 |
US10513635B2 (en) | 2019-12-24 |
CN107078419A (zh) | 2017-08-18 |
WO2016068083A1 (ja) | 2016-05-06 |
JP2016092004A (ja) | 2016-05-23 |
KR102520294B1 (ko) | 2023-04-10 |
TW201631609A (zh) | 2016-09-01 |
JP6750205B2 (ja) | 2020-09-02 |
TW202133198A (zh) | 2021-09-01 |
TWI748418B (zh) | 2021-12-01 |
US20170226387A1 (en) | 2017-08-10 |
TWI794803B (zh) | 2023-03-01 |
TW202029224A (zh) | 2020-08-01 |
KR20170078586A (ko) | 2017-07-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200910 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210906 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6950797 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |