JPH0931419A - 異方性導電接着フィルム - Google Patents
異方性導電接着フィルムInfo
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- JPH0931419A JPH0931419A JP7205388A JP20538895A JPH0931419A JP H0931419 A JPH0931419 A JP H0931419A JP 7205388 A JP7205388 A JP 7205388A JP 20538895 A JP20538895 A JP 20538895A JP H0931419 A JPH0931419 A JP H0931419A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
Abstract
(57)【要約】
【課題】製造工程におけるエージングの際の酸化を防止
し、かつ、高電流密度の電流が流れる部分の接続を可能
にする異方性導電接着フィルムを提供する。 【解決手段】本発明の異方性導電接着フィルム１は、フ
ィルム状の絶縁性接着剤樹脂２中に導電粒子３を含有し
ている。本発明の導電粒子３は、例えば、金属粒子３ａ
を核としてその表層に金めっき３ｂを施したものから構
成される。金属粒子３ａを構成する金属としては、ニッ
ケル、金、銅などを用いることができる。特に、ニッケ
ルを用いれば、金めっき３ｂを施すことが容易になる。
金めっき３ｂの厚みは、０．０１〜０．０３μｍとする
ことが好ましい。また、導電粒子３の粒径は、例えば、
接続部のピッチが０．２ｍｍの場合に、３〜１０μｍと
することが好ましい。さらに、導電粒子３は、比表面積
が０．２〜０．３ｍ2 ／ｇのものを用いることが好まし
い。
し、かつ、高電流密度の電流が流れる部分の接続を可能
にする異方性導電接着フィルムを提供する。 【解決手段】本発明の異方性導電接着フィルム１は、フ
ィルム状の絶縁性接着剤樹脂２中に導電粒子３を含有し
ている。本発明の導電粒子３は、例えば、金属粒子３ａ
を核としてその表層に金めっき３ｂを施したものから構
成される。金属粒子３ａを構成する金属としては、ニッ
ケル、金、銅などを用いることができる。特に、ニッケ
ルを用いれば、金めっき３ｂを施すことが容易になる。
金めっき３ｂの厚みは、０．０１〜０．０３μｍとする
ことが好ましい。また、導電粒子３の粒径は、例えば、
接続部のピッチが０．２ｍｍの場合に、３〜１０μｍと
することが好ましい。さらに、導電粒子３は、比表面積
が０．２〜０．３ｍ2 ／ｇのものを用いることが好まし
い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、液晶表示
装置（ＬＣＤ）と回路基板との間の接続に用いられる異
方性導電接着フィルムに関する。
装置（ＬＣＤ）と回路基板との間の接続に用いられる異
方性導電接着フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば、液晶表示装置と集積
回路基板を接続する手段として、異方性導電接着フィル
ムが用いられている。図４は、このような異方性導電接
着フィルムを用いてＬＣＤパネルと集積回路基板を接続
するための手段を示すものである。図４に示すように、
ＬＣＤパネルと集積回路基板は、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃ
ａｒｉｅｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）等を介して接続され
る。すなわち、この接続手段は、例えばＣｕによる配線
パターン１１、１２が形成されたフィルム１０上にＩＣ
チップ１３がマウントされている。そして、信号入力側
の配線パターン１１の先端の接続部１１ａが集積回路基
板に接続される一方、信号出力側の配線パターン１２の
先端の接続部１２ａがＬＣＤパネルに接続される。
回路基板を接続する手段として、異方性導電接着フィル
ムが用いられている。図４は、このような異方性導電接
着フィルムを用いてＬＣＤパネルと集積回路基板を接続
するための手段を示すものである。図４に示すように、
ＬＣＤパネルと集積回路基板は、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃ
ａｒｉｅｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）等を介して接続され
る。すなわち、この接続手段は、例えばＣｕによる配線
パターン１１、１２が形成されたフィルム１０上にＩＣ
チップ１３がマウントされている。そして、信号入力側
の配線パターン１１の先端の接続部１１ａが集積回路基
板に接続される一方、信号出力側の配線パターン１２の
先端の接続部１２ａがＬＣＤパネルに接続される。
【０００３】ところで、従来は、信号出力側の配線パタ
ーン１１の接続部１１ａが異方性導電接着フィルムを用
いて接続される一方、信号入力側の配線パターン１２の
接続部１２ａは半田によって接続が行われていたが、近
年、接続部分のファインピッチ化等の理由により、信号
入力側の配線パターン１１の接続部１１ａについても、
異方性導電接着フィルムが用いられるようになってい
る。
ーン１１の接続部１１ａが異方性導電接着フィルムを用
いて接続される一方、信号入力側の配線パターン１２の
接続部１２ａは半田によって接続が行われていたが、近
年、接続部分のファインピッチ化等の理由により、信号
入力側の配線パターン１１の接続部１１ａについても、
異方性導電接着フィルムが用いられるようになってい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、異方性
導電接着フィルムを用いて端子間の接続を行う場合に
は、次のような問題があった。すなわち、従来より、異
方性導電接着フィルムの導電粒子としては、金属からな
るものが知られているが、金属製の導電粒子を用いた場
合には、長時間のエージングを行った場合に酸化して腐
食するため、導通抵抗が上昇するという問題がある。例
えば、温度８５℃−湿度８５％の条件下で２０００時間
エージングを行った場合には、初期の抵抗値が数十倍
（例えば、０．０３Ω→０．８Ω程度）に上昇してしま
う。
導電接着フィルムを用いて端子間の接続を行う場合に
は、次のような問題があった。すなわち、従来より、異
方性導電接着フィルムの導電粒子としては、金属からな
るものが知られているが、金属製の導電粒子を用いた場
合には、長時間のエージングを行った場合に酸化して腐
食するため、導通抵抗が上昇するという問題がある。例
えば、温度８５℃−湿度８５％の条件下で２０００時間
エージングを行った場合には、初期の抵抗値が数十倍
（例えば、０．０３Ω→０．８Ω程度）に上昇してしま
う。
【０００５】一方、この問題を解決するため、樹脂から
なる粒子に金属によるめっきを施した導電粒子も案出さ
れているが、そのような導電粒子は高い電流密度の電流
を流した場合に発熱するため、高電流密度の電流が流れ
る信号入力側の配線パターンの接続には使用することが
できない場合が生ずる。例えば、図４に示すような接続
手段において、信号出力側の配線パターン１１の接続部
１１ａには、電流密度が２０〜３０ｍＡ／ｍｍ2 程度の
電流が流れるに過ぎないのに対し、信号入力側の配線パ
ターン１２の接続部１２ａには、１００〜５００ｍＡ／
ｍｍ2 程度の電流が流れるため、樹脂粒子に金属めっき
を施したものは用いることができない場合が生ずるとい
う欠点がある。
なる粒子に金属によるめっきを施した導電粒子も案出さ
れているが、そのような導電粒子は高い電流密度の電流
を流した場合に発熱するため、高電流密度の電流が流れ
る信号入力側の配線パターンの接続には使用することが
できない場合が生ずる。例えば、図４に示すような接続
手段において、信号出力側の配線パターン１１の接続部
１１ａには、電流密度が２０〜３０ｍＡ／ｍｍ2 程度の
電流が流れるに過ぎないのに対し、信号入力側の配線パ
ターン１２の接続部１２ａには、１００〜５００ｍＡ／
ｍｍ2 程度の電流が流れるため、樹脂粒子に金属めっき
を施したものは用いることができない場合が生ずるとい
う欠点がある。
【０００６】本発明は、このような従来の技術の課題を
解決するためになされたもので、製造工程におけるエー
ジングの際の酸化を防止し、かつ、高電流密度の電流が
流れる部分の接続を可能にする異方性導電接着フィルム
を提供することを目的とするものである。
解決するためになされたもので、製造工程におけるエー
ジングの際の酸化を防止し、かつ、高電流密度の電流が
流れる部分の接続を可能にする異方性導電接着フィルム
を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、請求項１
に記載の発明のように、絶縁性接着剤中に導電粒子を含
有する異方性導電接着フィルムにおいて、金属粒子を核
としてその表層に貴金属を被覆した導電粒子を用いるこ
とにより、製造工程におけるエージングの際に酸化が発
生せず、かつ、高電流密度の電流が流れる部分の接続を
可能にする異方性導電接着フィルムが得られることを見
い出した。すなわち、請求項１記載の発明によれば、核
となる金属粒子の表層に貴金属が被覆されていることか
ら、エージングの際における大気中の水分の吸収が阻止
され、長時間のエージング後の酸化が防止される。ま
た、導電粒子が樹脂を含有していないので、高電流密度
の電流を流した場合であっても、発熱することがない。
に記載の発明のように、絶縁性接着剤中に導電粒子を含
有する異方性導電接着フィルムにおいて、金属粒子を核
としてその表層に貴金属を被覆した導電粒子を用いるこ
とにより、製造工程におけるエージングの際に酸化が発
生せず、かつ、高電流密度の電流が流れる部分の接続を
可能にする異方性導電接着フィルムが得られることを見
い出した。すなわち、請求項１記載の発明によれば、核
となる金属粒子の表層に貴金属が被覆されていることか
ら、エージングの際における大気中の水分の吸収が阻止
され、長時間のエージング後の酸化が防止される。ま
た、導電粒子が樹脂を含有していないので、高電流密度
の電流を流した場合であっても、発熱することがない。
【０００８】この場合、絶縁性接着剤としては、例え
ば、エポキシ樹脂を主成分として、カップリング剤、硬
化剤等を含むものなどを用いることができる。
ば、エポキシ樹脂を主成分として、カップリング剤、硬
化剤等を含むものなどを用いることができる。
【０００９】また、金属粒子の表層に貴金属を被覆する
方法としては、例えば、めっきによる方法を用いること
ができる。
方法としては、例えば、めっきによる方法を用いること
ができる。
【００１０】さらに、接続すべき部分のピッチが０．１
〜０．２ｍｍである場合に、導電粒子の粒径を３〜１０
μｍとすることもできる。これにより、接続すべき部分
の電気的な接続が確実に行われる。一方、導電粒子の粒
径が３μｍより小さいと、粒子の接触不良やエージング
後における接触不良、またエージング後における抵抗上
昇の増大を引き起こす原因になり、１０μｍより大きい
と、ショートが発生する危険が生じる。さらにまた、導
電粒子の粒径は、より好ましくは、５〜８μｍである。
〜０．２ｍｍである場合に、導電粒子の粒径を３〜１０
μｍとすることもできる。これにより、接続すべき部分
の電気的な接続が確実に行われる。一方、導電粒子の粒
径が３μｍより小さいと、粒子の接触不良やエージング
後における接触不良、またエージング後における抵抗上
昇の増大を引き起こす原因になり、１０μｍより大きい
と、ショートが発生する危険が生じる。さらにまた、導
電粒子の粒径は、より好ましくは、５〜８μｍである。
【００１１】また、請求項２に記載の発明のように、請
求項１記載の発明において、導電粒子の比表面積を０．
２〜０．３ｍ2 ／ｇとすることもできる。これにより、
導電粒子の形状が球状になるため、貴金属による被覆が
十分に行われる。一方、導電粒子の比表面積を０．２ｍ
2 ／ｇより小さくすることは実際上困難であり、他方、
０．３ｍ2 ／ｇより大きいと、貴金属による被覆が十分
に行われなくなり、エージングの際に酸化が発生するお
それがある。さらに、導電粒子の比表面積は、より好ま
しくは、０．２５〜０．２８ｍ2 ／ｇである。
求項１記載の発明において、導電粒子の比表面積を０．
２〜０．３ｍ2 ／ｇとすることもできる。これにより、
導電粒子の形状が球状になるため、貴金属による被覆が
十分に行われる。一方、導電粒子の比表面積を０．２ｍ
2 ／ｇより小さくすることは実際上困難であり、他方、
０．３ｍ2 ／ｇより大きいと、貴金属による被覆が十分
に行われなくなり、エージングの際に酸化が発生するお
それがある。さらに、導電粒子の比表面積は、より好ま
しくは、０．２５〜０．２８ｍ2 ／ｇである。
【００１２】また、請求項３に記載の発明のように、請
求項１又は２のいずれかに記載の発明において、核にな
る金属粒子がニッケル、銅又は金から選択される少なく
とも１種の金属であって、その表層を金で被覆した導電
粒子を用いることもできる。これにより、容易に核とな
る金属粒子の表層に貴金属を被覆することができる。
求項１又は２のいずれかに記載の発明において、核にな
る金属粒子がニッケル、銅又は金から選択される少なく
とも１種の金属であって、その表層を金で被覆した導電
粒子を用いることもできる。これにより、容易に核とな
る金属粒子の表層に貴金属を被覆することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る異方性導電接
着フィルムの実施の形態を図面を参照して詳細に説明す
る。
着フィルムの実施の形態を図面を参照して詳細に説明す
る。
【００１４】図１は、本発明に係る異方性導電接着フィ
ルムの好ましい実施の形態を示す断面図である。図１に
示すように、本発明の異方性導電接着フィルム１におい
ては、フィルム状の絶縁性接着剤樹脂２中に導電粒子３
を含有している。この場合、絶縁性接着剤樹脂２として
は、例えば、エポキシ樹脂を主成分として、カップリン
グ剤、硬化剤等を含むものなどを用いることができる。
また、導電粒子３の含有量としては、３〜５重量％程度
が好ましい。なお、導電粒子３を絶縁性接着剤樹脂２中
に含有させる方法としては、公知の方法を用いることが
できる。
ルムの好ましい実施の形態を示す断面図である。図１に
示すように、本発明の異方性導電接着フィルム１におい
ては、フィルム状の絶縁性接着剤樹脂２中に導電粒子３
を含有している。この場合、絶縁性接着剤樹脂２として
は、例えば、エポキシ樹脂を主成分として、カップリン
グ剤、硬化剤等を含むものなどを用いることができる。
また、導電粒子３の含有量としては、３〜５重量％程度
が好ましい。なお、導電粒子３を絶縁性接着剤樹脂２中
に含有させる方法としては、公知の方法を用いることが
できる。
【００１５】一方、本発明の導電粒子３は、例えば、金
属粒子３ａを核としてその表層に金めっき３ｂを施した
ものから構成される。この場合、金属粒子３ａを構成す
る金属としては、ニッケル、金、銅などを用いることが
できる。特に、ニッケルを用いれば、金めっき３ｂを施
すことが容易になるという利点がある。
属粒子３ａを核としてその表層に金めっき３ｂを施した
ものから構成される。この場合、金属粒子３ａを構成す
る金属としては、ニッケル、金、銅などを用いることが
できる。特に、ニッケルを用いれば、金めっき３ｂを施
すことが容易になるという利点がある。
【００１６】また、金めっき３ｂの厚みは、０．０１〜
０．０３μｍ（平均０．０２μｍ程度）とすることが好
ましい。
０．０３μｍ（平均０．０２μｍ程度）とすることが好
ましい。
【００１７】一方、導電粒子３の粒径は、例えば、接続
部のピッチが０．１〜０．２ｍｍの場合に、３〜１０μ
ｍとすることが好ましく、より好ましい粒径の範囲は、
５〜８μｍである。
部のピッチが０．１〜０．２ｍｍの場合に、３〜１０μ
ｍとすることが好ましく、より好ましい粒径の範囲は、
５〜８μｍである。
【００１８】さらに、導電粒子３は、比表面積が０．２
〜０．３ｍ2 ／ｇのものを用いることが好ましく、より
好ましい導電粒子３の比表面積の範囲は、０．２５〜
０．２８ｍ2 ／ｇである。
〜０．３ｍ2 ／ｇのものを用いることが好ましく、より
好ましい導電粒子３の比表面積の範囲は、０．２５〜
０．２８ｍ2 ／ｇである。
【００１９】そして、このような構成により、製造工程
におけるエージングの際に酸化が発生せず、かつ、高電
流密度の電流が流れる部分の接続を可能にする異方性導
電接着フィルムを得ることができる。
におけるエージングの際に酸化が発生せず、かつ、高電
流密度の電流が流れる部分の接続を可能にする異方性導
電接着フィルムを得ることができる。
【００２０】
【実施例】次に、本発明に係る異方性導電接着フィルム
の具体的な実施例を比較例とともに説明する。
の具体的な実施例を比較例とともに説明する。
【００２１】表１は、実施例及び比較例において使用し
た導電粒子を示すものである。表１に示す各導電粒子
と、エポキシ樹脂、潜在性硬化剤及びその他の添加剤を
含む、公知の組成のバインダーとを用いて公知の方法に
より異方性導電接着フィルムのサンプルを作成した。
た導電粒子を示すものである。表１に示す各導電粒子
と、エポキシ樹脂、潜在性硬化剤及びその他の添加剤を
含む、公知の組成のバインダーとを用いて公知の方法に
より異方性導電接着フィルムのサンプルを作成した。
【００２２】
【表１】
【００２３】なお、表１における比表面積は、ＡＳＴＭ
Ｄ−３０３７−７３に示す窒素表面積法（ＢＥＴ法）
による結果を用いたものであり、金めっきを施した導電
粒子については、めっき前の値を示すものである。
Ｄ−３０３７−７３に示す窒素表面積法（ＢＥＴ法）
による結果を用いたものであり、金めっきを施した導電
粒子については、めっき前の値を示すものである。
【００２４】また、導電粒子Ｂ及びＤにおける金含有率
は、粒子１個の重さに対する金の含有量を示すもので、
厚み０．０２μｍの金めっきを施した場合に相当する被
覆量である。
は、粒子１個の重さに対する金の含有量を示すもので、
厚み０．０２μｍの金めっきを施した場合に相当する被
覆量である。
【００２５】図２は、実施例及び比較例において使用し
た評価基材の断面を示すものである。図２に示すよう
に、評価基材としては、ガラス−エポキシ樹脂からなる
厚み１．１ｍｍの基板４上に厚み１８μｍの銅箔５を形
成し、この銅箔５の上に厚み２〜３μｍの半田めっき６
を施したプリント基板（ピッチＰ＝０．２ｍｍ：リード
部の幅Ａ＝０．１ｍｍ、リード間隔ａ＝０．１ｍｍ）
と、厚み７５μｍのポリイミドフィルム７上に厚み３５
μｍの銅箔８を形成し、この銅箔８上に厚み０．５μｍ
のすずめっき９を施したＴＣＰ（ピッチＰ＝０．２ｍ
ｍ：リード部の幅Ｂ＝０．１ｍｍ、リード間隔ｂ＝０．
１ｍｍ）を用いた。そして、図２に示すように、このプ
リント基板とＴＣＰとの間に各異方性導電接着フィルム
１のサンプルを挟み、１７０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2 、
２０秒の条件で加熱、加圧して接続した後に、加温、加
湿、加圧（１２１℃−１００％−２．１ａｔｍ）下でエ
ージングを行った。
た評価基材の断面を示すものである。図２に示すよう
に、評価基材としては、ガラス−エポキシ樹脂からなる
厚み１．１ｍｍの基板４上に厚み１８μｍの銅箔５を形
成し、この銅箔５の上に厚み２〜３μｍの半田めっき６
を施したプリント基板（ピッチＰ＝０．２ｍｍ：リード
部の幅Ａ＝０．１ｍｍ、リード間隔ａ＝０．１ｍｍ）
と、厚み７５μｍのポリイミドフィルム７上に厚み３５
μｍの銅箔８を形成し、この銅箔８上に厚み０．５μｍ
のすずめっき９を施したＴＣＰ（ピッチＰ＝０．２ｍ
ｍ：リード部の幅Ｂ＝０．１ｍｍ、リード間隔ｂ＝０．
１ｍｍ）を用いた。そして、図２に示すように、このプ
リント基板とＴＣＰとの間に各異方性導電接着フィルム
１のサンプルを挟み、１７０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2 、
２０秒の条件で加熱、加圧して接続した後に、加温、加
湿、加圧（１２１℃−１００％−２．１ａｔｍ）下でエ
ージングを行った。
【００２６】〔実施例１〕導電粒子として、粒径が３〜
１０μｍの球状のニッケル粒子（比表面積＝０．２５）
に金めっきを施したＤを用い、この導電粒子Ｄを上記バ
インダー中に４．２重量％混入して異方性導電接着フィ
ルムのサンプルを作成した。さらに、上述した方法によ
り評価用のサンプルを作成し、エージングを行った。こ
の実施例１についてエージングの初期及び７２時間後に
おける抵抗値を測定するとともに、電圧（Ｖ）−電流
（Ｉ）特性を測定した。その結果を表２及び図３に示
す。表２から理解されるように、実施例１によれば、エ
ージング後においても、抵抗値が０．０７８（Ω）とさ
ほど大きくならず、また、導電粒子の酸化も生じなかっ
た。さらに、表２及び図３に示すように、金属粒子に金
めっきを施した本実施例の導電粒子は、電流密度が８．
０〜８．５Ａ／ｍｍ2 まで発熱せず、高電流密度の電流
を流すことが可能であった。
１０μｍの球状のニッケル粒子（比表面積＝０．２５）
に金めっきを施したＤを用い、この導電粒子Ｄを上記バ
インダー中に４．２重量％混入して異方性導電接着フィ
ルムのサンプルを作成した。さらに、上述した方法によ
り評価用のサンプルを作成し、エージングを行った。こ
の実施例１についてエージングの初期及び７２時間後に
おける抵抗値を測定するとともに、電圧（Ｖ）−電流
（Ｉ）特性を測定した。その結果を表２及び図３に示
す。表２から理解されるように、実施例１によれば、エ
ージング後においても、抵抗値が０．０７８（Ω）とさ
ほど大きくならず、また、導電粒子の酸化も生じなかっ
た。さらに、表２及び図３に示すように、金属粒子に金
めっきを施した本実施例の導電粒子は、電流密度が８．
０〜８．５Ａ／ｍｍ2 まで発熱せず、高電流密度の電流
を流すことが可能であった。
【００２７】
【表２】
【００２８】〔実施例２〕導電粒子として、粒径が５μ
ｍの球状の銅の粒子（比表面積＝０．３）に金めっきを
施したＦを用い、この導電粒子Ｆを上記バインダー中に
８．５重量％混入して異方性導電接着フィルムのサンプ
ルを作成した。さらに、上述した方法により評価用のサ
ンプルを作成し、エージングを行った。この実施例２に
ついてエージングの初期及び７２時間後における抵抗値
を測定するとともに、Ｖ−Ｉ特性を測定した。その結果
を表２及び図３に示す。表２から理解されるように、こ
の実施例２によれば、エージング後においても、抵抗値
が０．０９（Ω）とさほど大きくならず、また、導電粒
子の酸化も生じなかった。また、表２及び図３に示すよ
うに、実施例２においても、電流密度が８．０〜８．５
Ａ／ｍｍ2 まで発熱せず、高電流密度の電流を流すこと
が可能であった。
ｍの球状の銅の粒子（比表面積＝０．３）に金めっきを
施したＦを用い、この導電粒子Ｆを上記バインダー中に
８．５重量％混入して異方性導電接着フィルムのサンプ
ルを作成した。さらに、上述した方法により評価用のサ
ンプルを作成し、エージングを行った。この実施例２に
ついてエージングの初期及び７２時間後における抵抗値
を測定するとともに、Ｖ−Ｉ特性を測定した。その結果
を表２及び図３に示す。表２から理解されるように、こ
の実施例２によれば、エージング後においても、抵抗値
が０．０９（Ω）とさほど大きくならず、また、導電粒
子の酸化も生じなかった。また、表２及び図３に示すよ
うに、実施例２においても、電流密度が８．０〜８．５
Ａ／ｍｍ2 まで発熱せず、高電流密度の電流を流すこと
が可能であった。
【００２９】〔実施例３〕導電粒子として、粒径が５μ
ｍの球状の金の粒子（比表面積＝０．３）に金めっきを
施したＧを用い、この導電粒子Ｇを上記バインダー中に
８．５重量％混入して異方性導電接着フィルムのサンプ
ルを作成した。さらに、上述した方法により評価用のサ
ンプルを作成し、エージングを行った。この実施例３に
ついてエージングの初期及び７２時間後における抵抗値
を測定するとともに、Ｖ−Ｉ特性を測定した。その結果
を表２及び図３に示す。表２から理解されるように、こ
の実施例３によれば、エージング後においても、抵抗値
が０．０９（Ω）とさほど大きくならず、また、導電粒
子の酸化も生じなかった。また、表２及び図３に示すよ
うに、実施例３においても、電流密度が８．０〜８．５
Ａ／ｍｍ2 まで発熱せず、高電流密度の電流を流すこと
が可能であった。
ｍの球状の金の粒子（比表面積＝０．３）に金めっきを
施したＧを用い、この導電粒子Ｇを上記バインダー中に
８．５重量％混入して異方性導電接着フィルムのサンプ
ルを作成した。さらに、上述した方法により評価用のサ
ンプルを作成し、エージングを行った。この実施例３に
ついてエージングの初期及び７２時間後における抵抗値
を測定するとともに、Ｖ−Ｉ特性を測定した。その結果
を表２及び図３に示す。表２から理解されるように、こ
の実施例３によれば、エージング後においても、抵抗値
が０．０９（Ω）とさほど大きくならず、また、導電粒
子の酸化も生じなかった。また、表２及び図３に示すよ
うに、実施例３においても、電流密度が８．０〜８．５
Ａ／ｍｍ2 まで発熱せず、高電流密度の電流を流すこと
が可能であった。
【００３０】〔比較例１〕導電粒子として、粒径が３〜
７μｍの金平糖状のニッケル粒子Ａ（ＩＮＣＯ社製 イ
ンコ Ｎｉ ＃１２３；比表面積＝０．４）を用い、この
導電粒子Ａを上記バインダー中に８．５重量％混入して
異方性導電接着フィルムのサンプルを作成した。さら
に、上述した方法により評価用のサンプルを作成し、エ
ージングを行った。この比較例１についてエージングの
初期及び７２時間後における抵抗値を測定するととも
に、Ｖ−Ｉ特性を測定した。その結果を表２及び図３に
示す。表２から理解されるように、比較例１にあって
は、７２時間のエージング後において、抵抗値が０．８
２６（Ω）と急激に上昇し、しかも、導電粒子の表面に
酸化・腐食が発生した。なお、表２及び図３に示すよう
に、Ｖ−Ｉ特性については、電流密度が８．０〜８．５
Ａ／ｍｍ2 まで発熱せず、高電流密度の電流を流すこと
が可能であった。
７μｍの金平糖状のニッケル粒子Ａ（ＩＮＣＯ社製 イ
ンコ Ｎｉ ＃１２３；比表面積＝０．４）を用い、この
導電粒子Ａを上記バインダー中に８．５重量％混入して
異方性導電接着フィルムのサンプルを作成した。さら
に、上述した方法により評価用のサンプルを作成し、エ
ージングを行った。この比較例１についてエージングの
初期及び７２時間後における抵抗値を測定するととも
に、Ｖ−Ｉ特性を測定した。その結果を表２及び図３に
示す。表２から理解されるように、比較例１にあって
は、７２時間のエージング後において、抵抗値が０．８
２６（Ω）と急激に上昇し、しかも、導電粒子の表面に
酸化・腐食が発生した。なお、表２及び図３に示すよう
に、Ｖ−Ｉ特性については、電流密度が８．０〜８．５
Ａ／ｍｍ2 まで発熱せず、高電流密度の電流を流すこと
が可能であった。
【００３１】〔比較例２〕導電粒子として、粒径が３〜
７μｍの金平糖状のニッケル粒子Ａに金めっきを施した
Ｂ（金含有率３重量％；比表面積＝０．４）を用い、こ
の導電粒子Ｂを上記バインダー中に８．５重量％混入し
て異方性導電接着フィルムのサンプルを作成した。さら
に、上述した方法により評価用のサンプルを作成し、エ
ージングを行った。この比較例２についてエージングの
初期及び７２時間後における抵抗値を測定するととも
に、Ｖ−Ｉ特性を測定した。その結果を表２及び図３に
示す。表２から理解されるように、比較例２にあって
は、７２時間のエージング後において、抵抗値が０．３
０（Ω）とかなり上昇し、導電粒子の表面にやや酸化が
生じた。一方、表２及び図３に示すように、Ｖ−Ｉ特性
については、電流密度が８．０〜８．５Ａ／ｍｍ2 まで
発熱せず、高電流密度の電流を流すことが可能であっ
た。
７μｍの金平糖状のニッケル粒子Ａに金めっきを施した
Ｂ（金含有率３重量％；比表面積＝０．４）を用い、こ
の導電粒子Ｂを上記バインダー中に８．５重量％混入し
て異方性導電接着フィルムのサンプルを作成した。さら
に、上述した方法により評価用のサンプルを作成し、エ
ージングを行った。この比較例２についてエージングの
初期及び７２時間後における抵抗値を測定するととも
に、Ｖ−Ｉ特性を測定した。その結果を表２及び図３に
示す。表２から理解されるように、比較例２にあって
は、７２時間のエージング後において、抵抗値が０．３
０（Ω）とかなり上昇し、導電粒子の表面にやや酸化が
生じた。一方、表２及び図３に示すように、Ｖ−Ｉ特性
については、電流密度が８．０〜８．５Ａ／ｍｍ2 まで
発熱せず、高電流密度の電流を流すことが可能であっ
た。
【００３２】〔比較例３〕導電粒子として、粒径が３〜
１０μｍの球状のニッケル粒子Ｃ（ＩＮＣＯ社製ニッケ
ルパウダー４ＳＰ；比表面積＝０．２５）を用い、この
導電粒子Ｃを上記バインダー中に４．２重量％混入して
異方性導電接着フィルムのサンプルを作成した。さら
に、上述した方法により評価用のサンプルを作成し、エ
ージングを行った。この比較例３についてエージングの
初期及び７２時間後における抵抗値を測定するととも
に、Ｖ−Ｉ特性を測定した。その結果を表２及び図３に
示す。表２から理解されるように、比較例３にあって
は、７２時間のエージング後において、抵抗値が０．１
４７（Ω）とかなり上昇し、導電粒子の表面にやや酸化
が生じた。一方、表２及び図３に示すように、Ｖ−Ｉ特
性については、電流密度が８．０〜８．５Ａ／ｍｍ2 ま
で発熱せず、高電流密度の電流を流すことが可能であっ
た。
１０μｍの球状のニッケル粒子Ｃ（ＩＮＣＯ社製ニッケ
ルパウダー４ＳＰ；比表面積＝０．２５）を用い、この
導電粒子Ｃを上記バインダー中に４．２重量％混入して
異方性導電接着フィルムのサンプルを作成した。さら
に、上述した方法により評価用のサンプルを作成し、エ
ージングを行った。この比較例３についてエージングの
初期及び７２時間後における抵抗値を測定するととも
に、Ｖ−Ｉ特性を測定した。その結果を表２及び図３に
示す。表２から理解されるように、比較例３にあって
は、７２時間のエージング後において、抵抗値が０．１
４７（Ω）とかなり上昇し、導電粒子の表面にやや酸化
が生じた。一方、表２及び図３に示すように、Ｖ−Ｉ特
性については、電流密度が８．０〜８．５Ａ／ｍｍ2 ま
で発熱せず、高電流密度の電流を流すことが可能であっ
た。
【００３３】〔比較例４〕導電粒子として、粒径が４〜
６μｍのスチレン系の樹脂粒子（比表面積＝０．５）に
金めっきを施したＥを用い、この導電粒子Ｅを上記バイ
ンダー中に４．２重量％混入して異方性導電接着フィル
ムのサンプルを作成した。さらに、上述した方法により
評価用のサンプルを作成し、エージングを行った。この
比較例４についてエージングの初期及び７２時間後にお
ける抵抗値を測定するとともに、Ｖ−Ｉ特性を測定し
た。その結果を表２及び図３に示す。表２から理解され
るように、この比較例４にあっては、７２時間のエージ
ング後において、抵抗値が０．０５６（Ω）とかなり上
昇した。また、図３及び表２に示すように、樹脂粒子に
金めっきを施した導電粒子Ｅを用いた比較例４において
は、電流密度が６．５〜７．０Ａ／ｍｍ2 で発熱し、そ
れ以上の高い電流を流すことは困難であった。
６μｍのスチレン系の樹脂粒子（比表面積＝０．５）に
金めっきを施したＥを用い、この導電粒子Ｅを上記バイ
ンダー中に４．２重量％混入して異方性導電接着フィル
ムのサンプルを作成した。さらに、上述した方法により
評価用のサンプルを作成し、エージングを行った。この
比較例４についてエージングの初期及び７２時間後にお
ける抵抗値を測定するとともに、Ｖ−Ｉ特性を測定し
た。その結果を表２及び図３に示す。表２から理解され
るように、この比較例４にあっては、７２時間のエージ
ング後において、抵抗値が０．０５６（Ω）とかなり上
昇した。また、図３及び表２に示すように、樹脂粒子に
金めっきを施した導電粒子Ｅを用いた比較例４において
は、電流密度が６．５〜７．０Ａ／ｍｍ2 で発熱し、そ
れ以上の高い電流を流すことは困難であった。
【００３４】
【発明の効果】以上述べたように、請求項１に記載の発
明のように、絶縁性接着剤中に導電粒子を含有する異方
性導電接着フィルムにおいて、金属粒子を核としてその
表層に貴金属を被覆した導電粒子を用いることにより、
製造工程におけるエージングの際に酸化を防止し、か
つ、高電流密度の電流が流れる部分の接続を可能にする
ことができる。
明のように、絶縁性接着剤中に導電粒子を含有する異方
性導電接着フィルムにおいて、金属粒子を核としてその
表層に貴金属を被覆した導電粒子を用いることにより、
製造工程におけるエージングの際に酸化を防止し、か
つ、高電流密度の電流が流れる部分の接続を可能にする
ことができる。
【００３５】また、請求項２に記載の発明のように、請
求項１に記載の発明において、導電粒子の比表面積を
０．２〜０．３ｍ2 ／ｇとすることにより、貴金属によ
る被覆が十分に行うことができ、より一層製造工程にお
けるエージングの際の酸化・腐食を防止することができ
る。
求項１に記載の発明において、導電粒子の比表面積を
０．２〜０．３ｍ2 ／ｇとすることにより、貴金属によ
る被覆が十分に行うことができ、より一層製造工程にお
けるエージングの際の酸化・腐食を防止することができ
る。
【００３６】さらに、請求項３に記載の発明のように、
請求項１又は２に記載の発明において、核になる金属粒
子がニッケル、銅又は金から選択される少なくとも１種
の金属であって、表層を金で被覆した導電粒子を用いる
ことにより、容易に核となる金属粒子の表層に貴金属を
被覆することができ、その結果、本発明に係る異方性導
電接着フィルムの製造を容易に行うことができる。
請求項１又は２に記載の発明において、核になる金属粒
子がニッケル、銅又は金から選択される少なくとも１種
の金属であって、表層を金で被覆した導電粒子を用いる
ことにより、容易に核となる金属粒子の表層に貴金属を
被覆することができ、その結果、本発明に係る異方性導
電接着フィルムの製造を容易に行うことができる。
【図１】本発明に係る異方性導電接着フィルムの好まし
い実施の形態を示す断面図である。
い実施の形態を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例及び比較例において使用した評
価基材の構成を示す断面図である。
価基材の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例及び比較例の電圧（Ｖ）−電流
（Ｉ）特性を示すグラフである。
（Ｉ）特性を示すグラフである。
【図４】異方性導電接着フィルムを用いてＬＣＤパネル
と集積回路基板を接続するための手段を示す説明図であ
る。
と集積回路基板を接続するための手段を示す説明図であ
る。
１ 異方性導電接着フィルム ２ 絶縁性接着剤樹脂 ３ 導電粒子 ３ａ 金属粒子 ３ｂ 金めっき ４ 基板 ５ 銅箔 ６ 半田めっき ７ ポリイミドフィルム ８ 銅箔 ９ すずめっき
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ０９Ｊ 7/02 ＪＬＨ Ｃ０９Ｊ 7/02 ＪＬＨ
Claims (3)
- 【請求項１】絶縁性接着剤中に導電粒子を含有する異方
性導電接着フィルムにおいて、前記導電粒子が金属粒子
を核としてその表層に貴金属を被覆したものであること
を特徴とする異方性導電接着フィルム。 - 【請求項２】核になる金属粒子の比表面積が０．２〜
０．３ｍ2 ／ｇであることを特徴とする請求項１に記載
の異方性導電接着フィルム。 - 【請求項３】核になる金属粒子がニッケル、銅又は金か
ら選択されるすくなくとも１種の金属であり、その表層
を金で被覆した導電粒子を用いたことを特徴とする請求
項１又は２のいずれかに記載の異方性導電接着フィル
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7205388A JP2905121B2 (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | 異方性導電接着フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7205388A JP2905121B2 (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | 異方性導電接着フィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0931419A true JPH0931419A (ja) | 1997-02-04 |
| JP2905121B2 JP2905121B2 (ja) | 1999-06-14 |
Family
ID=16506002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7205388A Expired - Lifetime JP2905121B2 (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | 異方性導電接着フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2905121B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002157918A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-05-31 | Jsr Corp | 導電性複合粒子およびそれを用いた応用製品 |
| JP2005251752A (ja) * | 2000-09-29 | 2005-09-15 | Jsr Corp | 導電性金属粒子および導電性複合金属粒子並びにそれらを用いた応用製品 |
| WO2006080288A1 (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-03 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | 導電性微粒子、及び異方性導電材料 |
| WO2011033743A1 (ja) | 2009-09-16 | 2011-03-24 | 住友ベークライト株式会社 | 接着フィルム、多層回路基板、電子部品及び半導体装置 |
| US8241750B2 (en) | 2008-04-29 | 2012-08-14 | Guangdong Dongbond Technology Co., Ltd. | Functional multilayer anisotropic conductive adhesive laminate |
| JP2013138013A (ja) * | 2009-11-16 | 2013-07-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | 回路接続材料及びそれを用いた回路部材の接続構造 |
| US20140183715A1 (en) * | 2011-05-31 | 2014-07-03 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1995
- 1995-07-19 JP JP7205388A patent/JP2905121B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005251752A (ja) * | 2000-09-29 | 2005-09-15 | Jsr Corp | 導電性金属粒子および導電性複合金属粒子並びにそれらを用いた応用製品 |
| JP2002157918A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-05-31 | Jsr Corp | 導電性複合粒子およびそれを用いた応用製品 |
| WO2006080288A1 (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-03 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | 導電性微粒子、及び異方性導電材料 |
| US8241750B2 (en) | 2008-04-29 | 2012-08-14 | Guangdong Dongbond Technology Co., Ltd. | Functional multilayer anisotropic conductive adhesive laminate |
| US8420177B2 (en) | 2008-04-29 | 2013-04-16 | Ping Liu | Method for preparing functional multilayer anisotropic conductive adhesive film |
| WO2011033743A1 (ja) | 2009-09-16 | 2011-03-24 | 住友ベークライト株式会社 | 接着フィルム、多層回路基板、電子部品及び半導体装置 |
| JP2013138013A (ja) * | 2009-11-16 | 2013-07-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | 回路接続材料及びそれを用いた回路部材の接続構造 |
| US20140183715A1 (en) * | 2011-05-31 | 2014-07-03 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2905121B2 (ja) | 1999-06-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |