JPH08167328A - 異方導電フィルム - Google Patents
異方導電フィルムInfo
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- JPH08167328A JPH08167328A JP20947895A JP20947895A JPH08167328A JP H08167328 A JPH08167328 A JP H08167328A JP 20947895 A JP20947895 A JP 20947895A JP 20947895 A JP20947895 A JP 20947895A JP H08167328 A JPH08167328 A JP H08167328A
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- Japan
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- conductive particles
- film
- anisotropic conductive
- conductive film
- circuit
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の異方導電フィルムでは、困難であった
微細な回路同士の接続が可能で、かつ導電粒子の配合量
を低減し、低コスト化がはかれる異方導電フィルムを得
る。 【解決手段】 高分子核材２の表面に燐含有量が０．５
〜２０重量％のニッケル膜４と、更にその表面に金膜３
を施した導電粒子１を絶縁性接着剤５に分散させた異方
導電フィルム。
微細な回路同士の接続が可能で、かつ導電粒子の配合量
を低減し、低コスト化がはかれる異方導電フィルムを得
る。 【解決手段】 高分子核材２の表面に燐含有量が０．５
〜２０重量％のニッケル膜４と、更にその表面に金膜３
を施した導電粒子１を絶縁性接着剤５に分散させた異方
導電フィルム。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、微細な回路同士の電気
的接続、更に詳しくはＬＣＤ（以下、液晶ディスプレイ
という）とＦＰＣ（以下、フレキシブル回路基板とい
う）の接続や、半導体ＩＣとＩＣ搭載用基板のマイクロ
接合などに用いることのできる異方導電フィルムに関す
るものである。
的接続、更に詳しくはＬＣＤ（以下、液晶ディスプレイ
という）とＦＰＣ（以下、フレキシブル回路基板とい
う）の接続や、半導体ＩＣとＩＣ搭載用基板のマイクロ
接合などに用いることのできる異方導電フィルムに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の電子機器の小型化・薄型化に伴
い、微細な回路同士の接続、微小部分と微細な回路の接
続などの必要性が飛躍的に増大してきており、その接続
方法として、半田接合技術の進展とともに、新しい材料
として異方性の導電性接着剤やフィルムが使用されてい
る（例えば、特開昭５９−１２０４３６、６０−８４７
１８、６０−１９１２２８、６１−５５８０９、６１−
２７４３９４、６１−２８７９７４、６２−２４４１４
２、６３−１５３５３４、６３−３０５５９１、６４−
４７０８４、６４−８１８７８、特開平１−４６５４
９、１−２５１７８７、各号公報など）。特に、最近半
田付けでは対応できないＬＣＤパネルとドライバＩＣを
搭載したＴＣＰ（テープキャリヤパッケージ）との接続
に適用され、ＬＣＤには必要不可欠の接続材料となって
いる。
い、微細な回路同士の接続、微小部分と微細な回路の接
続などの必要性が飛躍的に増大してきており、その接続
方法として、半田接合技術の進展とともに、新しい材料
として異方性の導電性接着剤やフィルムが使用されてい
る（例えば、特開昭５９−１２０４３６、６０−８４７
１８、６０−１９１２２８、６１−５５８０９、６１−
２７４３９４、６１−２８７９７４、６２−２４４１４
２、６３−１５３５３４、６３−３０５５９１、６４−
４７０８４、６４−８１８７８、特開平１−４６５４
９、１−２５１７８７、各号公報など）。特に、最近半
田付けでは対応できないＬＣＤパネルとドライバＩＣを
搭載したＴＣＰ（テープキャリヤパッケージ）との接続
に適用され、ＬＣＤには必要不可欠の接続材料となって
いる。
【０００３】この方法は、接続しようとする回路間に所
定量の導電性粒子を分散させた接着剤、又はフィルムを
挟み、所定の温度・圧力・時間により熱圧着することに
よって回路間の電気的接続を行うと同時に隣接する回路
間には絶縁性を確保させるものである。この異方導電接
着剤やフィルムに含まれている導電粒子は、通常金属粒
子や高分子核材に金属被覆を施したものである。
定量の導電性粒子を分散させた接着剤、又はフィルムを
挟み、所定の温度・圧力・時間により熱圧着することに
よって回路間の電気的接続を行うと同時に隣接する回路
間には絶縁性を確保させるものである。この異方導電接
着剤やフィルムに含まれている導電粒子は、通常金属粒
子や高分子核材に金属被覆を施したものである。
【０００４】図４に示すように、金属粒子９の場合、半
田粒子などの柔らかいものが用いられる場合が多く、相
対する回路端子８間の間隔ばらつきを吸収して回路端子
間の接触面積を大きくとることができ、安定した導電性
が得られるという長所があった。又、接続温度を金属粒
子の溶融温度よりも高くすることにより、導電粒子と電
極端子の接続を強固にすることが可能となり、より接続
信頼性を高めることができるものである。しかしなが
ら、反面導電粒子の粒径を揃えることが困難なため、大
きな粒子により隣接端子間の電気的短絡が生じる可能性
が高く、微細な回路同士の接続への適用には限界があっ
た。又金属粒子を溶融させた場合には、端子間短絡が発
生したり、高温高湿度放置試験や高温放置試験などの処
理を施した場合に金属粒子の酸化などの変化が生じ接続
が不安定になるなどの問題があった。
田粒子などの柔らかいものが用いられる場合が多く、相
対する回路端子８間の間隔ばらつきを吸収して回路端子
間の接触面積を大きくとることができ、安定した導電性
が得られるという長所があった。又、接続温度を金属粒
子の溶融温度よりも高くすることにより、導電粒子と電
極端子の接続を強固にすることが可能となり、より接続
信頼性を高めることができるものである。しかしなが
ら、反面導電粒子の粒径を揃えることが困難なため、大
きな粒子により隣接端子間の電気的短絡が生じる可能性
が高く、微細な回路同士の接続への適用には限界があっ
た。又金属粒子を溶融させた場合には、端子間短絡が発
生したり、高温高湿度放置試験や高温放置試験などの処
理を施した場合に金属粒子の酸化などの変化が生じ接続
が不安定になるなどの問題があった。
【０００５】又、図５で示すように高分子核材に金属被
覆を施した導電粒子１０の場合、高分子核材粒子の作製
方法によっては、その粒度分布を極めてシャープにでき
るため、金属粒子よりも更に微細な回路接続にも対応可
能であり、特に外層に金被覆が用いられる場合が多いこ
ともあり、前述のような長期環境処理による粒子表面の
酸化などの変化は少ないという長所があった。しかしな
がら、反面高分子核材の表面に金属被覆を施す工程で粒
子が凝集したり、接着剤中に導電粒子を分散させる工程
で二次凝集が発生する場合があり、この場合には図５に
示すように回路端子間短絡が生じ、粒度分布がシャープ
という長所を十分に生かすことができず、微細な回路へ
の適用に限界がでてくるという問題があった。粒子の凝
集対策として、金属被覆後解砕工程を設けて対応するこ
とも考えられているが形成した金属被覆を剥がしてしま
ったり、又接着剤中に分散する際に分散を促す添加剤や
超音波処理を施すなどの工夫も考えられているがいずれ
も十分な効果が得られるものではなかった。また信頼性
を向上させるため、導電粒子数を増やすことが考えられ
るているが、粒子の配合量を多くし過ぎると回路間の電
気的絶縁性を保つことが困難になるため、配合量にも限
界があった。
覆を施した導電粒子１０の場合、高分子核材粒子の作製
方法によっては、その粒度分布を極めてシャープにでき
るため、金属粒子よりも更に微細な回路接続にも対応可
能であり、特に外層に金被覆が用いられる場合が多いこ
ともあり、前述のような長期環境処理による粒子表面の
酸化などの変化は少ないという長所があった。しかしな
がら、反面高分子核材の表面に金属被覆を施す工程で粒
子が凝集したり、接着剤中に導電粒子を分散させる工程
で二次凝集が発生する場合があり、この場合には図５に
示すように回路端子間短絡が生じ、粒度分布がシャープ
という長所を十分に生かすことができず、微細な回路へ
の適用に限界がでてくるという問題があった。粒子の凝
集対策として、金属被覆後解砕工程を設けて対応するこ
とも考えられているが形成した金属被覆を剥がしてしま
ったり、又接着剤中に分散する際に分散を促す添加剤や
超音波処理を施すなどの工夫も考えられているがいずれ
も十分な効果が得られるものではなかった。また信頼性
を向上させるため、導電粒子数を増やすことが考えられ
るているが、粒子の配合量を多くし過ぎると回路間の電
気的絶縁性を保つことが困難になるため、配合量にも限
界があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来の欠点に鑑みて種々の検討の結果なされたものであ
り、その目的とするところは、微細な回路接続にも対応
でき接続信頼性の高い異方導電フィルムを提供すること
にある。
従来の欠点に鑑みて種々の検討の結果なされたものであ
り、その目的とするところは、微細な回路接続にも対応
でき接続信頼性の高い異方導電フィルムを提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は絶縁性接
着剤中に導電性粒子を分散させた異方導電フィルムにお
いて、該導電性粒子の中心核が高分子核材で、その表面
にニッケル膜を有し、該ニッケル膜の更に外層に金膜を
有し、該ニッケル膜中の燐含有量が０．５〜２０重量％
である異方導電フィルムである。
着剤中に導電性粒子を分散させた異方導電フィルムにお
いて、該導電性粒子の中心核が高分子核材で、その表面
にニッケル膜を有し、該ニッケル膜の更に外層に金膜を
有し、該ニッケル膜中の燐含有量が０．５〜２０重量％
である異方導電フィルムである。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。図１は、
本発明による異方導電フィルムの断面模式図であり、図
２は、本発明による異方導電フィルムを用いた回路の接
続状態を示す断面図、図３はその平面図である。本発明
の異方導電フィルムは、図１の高分子核材２の表面に燐
含有量を最適化したニッケル膜４を施し、更にニッケル
膜の表面に金膜３を被覆した導電粒子１が絶縁性接着剤
５に分散されている。例えば、ＬＣＤの用途の場合、図
２に示すように回路基板６とガラス基板７を異方導電フ
ィルムを用いて接続した場合、回路端子８は導電粒子１
によって機械的に接触し、上下間の安定した電気的接続
を得ることができる。本発明の異方導電フィルムを用い
ることにより、回路端子間の導電粒子が均一に単一分散
し、従来の異方導電フィルムでは端子間短絡が生じ接続
困難であった微細な回路端子同士の接続も可能となる。
本発明による異方導電フィルムの断面模式図であり、図
２は、本発明による異方導電フィルムを用いた回路の接
続状態を示す断面図、図３はその平面図である。本発明
の異方導電フィルムは、図１の高分子核材２の表面に燐
含有量を最適化したニッケル膜４を施し、更にニッケル
膜の表面に金膜３を被覆した導電粒子１が絶縁性接着剤
５に分散されている。例えば、ＬＣＤの用途の場合、図
２に示すように回路基板６とガラス基板７を異方導電フ
ィルムを用いて接続した場合、回路端子８は導電粒子１
によって機械的に接触し、上下間の安定した電気的接続
を得ることができる。本発明の異方導電フィルムを用い
ることにより、回路端子間の導電粒子が均一に単一分散
し、従来の異方導電フィルムでは端子間短絡が生じ接続
困難であった微細な回路端子同士の接続も可能となる。
【０００９】本発明における導電粒子表面の金膜、ニッ
ケル膜は、ニッケル中の燐含有量が０．５〜２０重量％
であることが必須である。皮膜の厚さは特に限定しない
が、薄すぎると導電性が不安定になり、厚すぎると粒子
変形が困難になったり凝集などが生じるため、各々の皮
膜の厚さは０．０１〜１μｍが好ましい。又被覆の形成
方法では、この被覆と中心核となる高分子核材との密着
力・導電性などを考慮し、均一に形成されている方がよ
いことはいうまでもなく、従来から用いられている無電
解メッキなどが望ましい。ニッケル膜中の燐の含有量が
０．５重量％未満のもので被覆形成された導電粒子を用
いて、異方導電フィルムにした場合導電粒子の分散性が
悪くなり凝集が発生し、この導電粒子により隣接端子間
の絶縁性が低下し短絡に至る場合もあり、微細な回路接
続には制約がある。逆に、２０重量％を超える場合に
は、分散性は良くなるが導電率が低下し、接続抵抗値が
高くなり、長期の接続信頼性も低下してくる問題が生じ
る。
ケル膜は、ニッケル中の燐含有量が０．５〜２０重量％
であることが必須である。皮膜の厚さは特に限定しない
が、薄すぎると導電性が不安定になり、厚すぎると粒子
変形が困難になったり凝集などが生じるため、各々の皮
膜の厚さは０．０１〜１μｍが好ましい。又被覆の形成
方法では、この被覆と中心核となる高分子核材との密着
力・導電性などを考慮し、均一に形成されている方がよ
いことはいうまでもなく、従来から用いられている無電
解メッキなどが望ましい。ニッケル膜中の燐の含有量が
０．５重量％未満のもので被覆形成された導電粒子を用
いて、異方導電フィルムにした場合導電粒子の分散性が
悪くなり凝集が発生し、この導電粒子により隣接端子間
の絶縁性が低下し短絡に至る場合もあり、微細な回路接
続には制約がある。逆に、２０重量％を超える場合に
は、分散性は良くなるが導電率が低下し、接続抵抗値が
高くなり、長期の接続信頼性も低下してくる問題が生じ
る。
【００１０】高分子核材は特に組成など制限はなく、例
えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、フ
ェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、スチ
レン樹脂、スチレンブタジエン共重合体などのポリマー
があり、単独でも混合して用いてもよい。いずれの粒子
でも、接続する被着体に合わせ最適な粒子径・粒度分布
・配合量を選択すればよい。例えば、異方導電フィルム
の主要な用途であるＬＣＤパネルとＦＰＣとの接続で
は、好ましい粒子径は０．５〜５０μｍで、特に０．２
ｍｍピッチ程度以下のファインピッチ回路の接続におい
ては、２〜１０μｍ程度が望ましい。２μｍ未満だと、
微細な回路接続で高い接続信頼性を得るために導電粒子
数を多く配合することは可能であるが、凝集することな
く高分子核材に均一に金属被覆を施すことは現状の技術
では極めて困難であり、実際には微細な回路の接続を安
定して行うことは困難である。逆に、１０μｍを越える
と、凝集もなく均一に金属被覆を施すことは可能である
が、微細な回路を接続する場合には、端子間の電気的絶
縁性が保てなくなるため、粒子数はあまり多く配合でき
ず、接続信頼性の向上にも限界がでてくる。特に、０．
１ｍｍピッチ回路の接続においては、平均粒径２〜５μ
ｍ程度が望ましい。本発明の粒子径の測定は、コールタ
ーカウンターによるもので、得られた体積分布の累積５
０％の値を平均粒子径とした。又、粒度分布の範囲はシ
ャープな方が好ましく、〔平均粒子径−（平均粒子径×
０．８）〕〜〔平均粒子径＋（平均粒子径×１）〕であ
ればなお好ましい。絶縁性接着剤に対する配合量は、１
〜１０体積％が好ましい。これよりも粒子径が小さい場
合や配合量が少ない場合には接続面積が少なくなるため
接続信頼性が低下し、逆に粒子径が大きい場合や配合量
が多い場合には隣接端子間の絶縁性が低下し短絡の発生
にもつながる。
えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、フ
ェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、スチ
レン樹脂、スチレンブタジエン共重合体などのポリマー
があり、単独でも混合して用いてもよい。いずれの粒子
でも、接続する被着体に合わせ最適な粒子径・粒度分布
・配合量を選択すればよい。例えば、異方導電フィルム
の主要な用途であるＬＣＤパネルとＦＰＣとの接続で
は、好ましい粒子径は０．５〜５０μｍで、特に０．２
ｍｍピッチ程度以下のファインピッチ回路の接続におい
ては、２〜１０μｍ程度が望ましい。２μｍ未満だと、
微細な回路接続で高い接続信頼性を得るために導電粒子
数を多く配合することは可能であるが、凝集することな
く高分子核材に均一に金属被覆を施すことは現状の技術
では極めて困難であり、実際には微細な回路の接続を安
定して行うことは困難である。逆に、１０μｍを越える
と、凝集もなく均一に金属被覆を施すことは可能である
が、微細な回路を接続する場合には、端子間の電気的絶
縁性が保てなくなるため、粒子数はあまり多く配合でき
ず、接続信頼性の向上にも限界がでてくる。特に、０．
１ｍｍピッチ回路の接続においては、平均粒径２〜５μ
ｍ程度が望ましい。本発明の粒子径の測定は、コールタ
ーカウンターによるもので、得られた体積分布の累積５
０％の値を平均粒子径とした。又、粒度分布の範囲はシ
ャープな方が好ましく、〔平均粒子径−（平均粒子径×
０．８）〕〜〔平均粒子径＋（平均粒子径×１）〕であ
ればなお好ましい。絶縁性接着剤に対する配合量は、１
〜１０体積％が好ましい。これよりも粒子径が小さい場
合や配合量が少ない場合には接続面積が少なくなるため
接続信頼性が低下し、逆に粒子径が大きい場合や配合量
が多い場合には隣接端子間の絶縁性が低下し短絡の発生
にもつながる。
【００１１】本発明に用いられる接着剤は、絶縁性を示
すものであれば、熱可塑性、熱硬化性、光硬化性など特
には限定されない。例えば、スチレンブタジエン樹脂、
スチレン樹脂、スチレン酢酸ビニル樹脂、アクリルニト
リルブタジエンゴム、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、
エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アミド
樹脂、エポキシメタクリレート系をはじめとするアクリ
レート系樹脂などが挙げられ、単独でも混合して用いて
もよい。又必要に応じて粘着付与剤、架橋剤、老化防止
剤、カップリング剤などを併用してもよい。
すものであれば、熱可塑性、熱硬化性、光硬化性など特
には限定されない。例えば、スチレンブタジエン樹脂、
スチレン樹脂、スチレン酢酸ビニル樹脂、アクリルニト
リルブタジエンゴム、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、
エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アミド
樹脂、エポキシメタクリレート系をはじめとするアクリ
レート系樹脂などが挙げられ、単独でも混合して用いて
もよい。又必要に応じて粘着付与剤、架橋剤、老化防止
剤、カップリング剤などを併用してもよい。
【００１２】以下、本発明を実施例で説明する。 実施例１ エポキシ樹脂（エピコート８２８、油化シェルエポキシ
（株）・製）２５重量部、ポリビニルブチラール樹脂
（エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学（株）・製）２５重量
部、イミダゾール系潜在性硬化剤（ノバキュアＨＸ−３
７２１、旭化成（株）・製）５０重量部を混合した接着
剤を準備する。この接着剤中に、ポリスチレン樹脂を核
材とし、燐含有量が５重量％となるように調整し厚さ
０．１μｍのニッケルを無電解メッキし、更にその表面
に無電解メッキで金被覆を０．１μｍ形成した平均粒径
５μｍ、粒度分布３〜８μｍの導電粒子２体積％を上記
接着剤に分散させ、ポリエステルのキャリアフィルム上
に塗布・乾燥したものを、２ｍｍ幅にスリットして異方
導電フィルムを作製した。
（株）・製）２５重量部、ポリビニルブチラール樹脂
（エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学（株）・製）２５重量
部、イミダゾール系潜在性硬化剤（ノバキュアＨＸ−３
７２１、旭化成（株）・製）５０重量部を混合した接着
剤を準備する。この接着剤中に、ポリスチレン樹脂を核
材とし、燐含有量が５重量％となるように調整し厚さ
０．１μｍのニッケルを無電解メッキし、更にその表面
に無電解メッキで金被覆を０．１μｍ形成した平均粒径
５μｍ、粒度分布３〜８μｍの導電粒子２体積％を上記
接着剤に分散させ、ポリエステルのキャリアフィルム上
に塗布・乾燥したものを、２ｍｍ幅にスリットして異方
導電フィルムを作製した。
【００１３】この異方導電フィルムを、回路幅０．０５
ｍｍ、回路ピッチ０．１ｍｍ、１６０端子を有するＦＰ
Ｃの接続端子上に置き、８０℃、８ｋｇ／ｃｍ2、２ｓ
ｅｃの条件で加熱加圧して仮圧着を行った。その後、表
面のキァリアフィルムを剥がし、透明導電膜付きガラス
基板（ＩＴＯガラス）の上に置き、１７５℃、３０ｋｇ
／ｃｍ2、２０ｓｅｃの条件で加熱加圧して圧着接続を
行った。ここで用いたＦＰＣは、７５μｍのポリイミド
基材と２５μｍの銅箔からなるものであり、回路加工後
表面を錫メッキしたものである。又隣接端子間の電気的
絶縁性を評価するために透明導電膜のない通常のガラス
基板にも上記と同じ条件でＦＰＣを接続した。この接続
体のＦＰＣの隣接端子間の接続抵抗値を測定（測定電流
１μＡ）した結果、全端子間で１Ω以下とばらつきが少
なく良好であった。隣接端子間の絶縁抵抗についても全
端子間で１０10Ω以上（５０ｖ、２０ｓｅｃ）と良好で
あった。又、このサンプルを高温高湿処理試験装置（８
５℃、８５％ＲＨ）に投入し、隣接端子間の接続抵抗
値、絶縁抵抗値の変化を観察した結果、１０００時間処
理後も初期からの接続抵抗上昇は全端子で３Ω以下、絶
縁抵抗値も１０10Ω以上と良好な接続性が得られた。
ｍｍ、回路ピッチ０．１ｍｍ、１６０端子を有するＦＰ
Ｃの接続端子上に置き、８０℃、８ｋｇ／ｃｍ2、２ｓ
ｅｃの条件で加熱加圧して仮圧着を行った。その後、表
面のキァリアフィルムを剥がし、透明導電膜付きガラス
基板（ＩＴＯガラス）の上に置き、１７５℃、３０ｋｇ
／ｃｍ2、２０ｓｅｃの条件で加熱加圧して圧着接続を
行った。ここで用いたＦＰＣは、７５μｍのポリイミド
基材と２５μｍの銅箔からなるものであり、回路加工後
表面を錫メッキしたものである。又隣接端子間の電気的
絶縁性を評価するために透明導電膜のない通常のガラス
基板にも上記と同じ条件でＦＰＣを接続した。この接続
体のＦＰＣの隣接端子間の接続抵抗値を測定（測定電流
１μＡ）した結果、全端子間で１Ω以下とばらつきが少
なく良好であった。隣接端子間の絶縁抵抗についても全
端子間で１０10Ω以上（５０ｖ、２０ｓｅｃ）と良好で
あった。又、このサンプルを高温高湿処理試験装置（８
５℃、８５％ＲＨ）に投入し、隣接端子間の接続抵抗
値、絶縁抵抗値の変化を観察した結果、１０００時間処
理後も初期からの接続抵抗上昇は全端子で３Ω以下、絶
縁抵抗値も１０10Ω以上と良好な接続性が得られた。
【００１４】実施例２ 実施例１と同じ接着剤を準備し、この中にポリスチレン
樹脂を核材とし、燐含有量が１０重量％となるように調
整した厚さ０．１μｍのニッケルを無電解メッキし、更
にその表面に無電解メッキで金被覆を０．１μｍ形成し
た、平均粒径３μｍ、粒度分布２〜５μｍの導電粒子
１．５体積％を実施例１の接着剤に分散させ、ポリエス
テルのキァリアフィルム上に塗布・乾燥したものを２ｍ
ｍ幅にスリットして異方導電フィルムを作製した。この
異方導電フィルムを、実施例１と同様にサンプル作製し
評価を行った。隣接端子間の接続抵抗値は、全端子間で
１Ω以下とばらつきが少なく良好であり、絶縁抵抗値に
ついても全端子間で１０10Ω以上と良好であった。又、
高温高湿処理１０００時間後（８５℃、８５％ＲＨ）
も、接続抵抗値上昇は全端子で３Ω以下、絶縁抵抗値も
１０10Ω以上と良好な接続性が得られた。 実施例３ 実施例１と同じ接着剤を準備し、この中にメラミン樹脂
を核材とし、燐含有量が１５重量％となるように調整し
た厚さ０．２μｍのニッケルを無電解メッキし、更にそ
の表面に無電解メッキで金被覆を０．１μｍ形成した、
平均粒径４．５μｍ、粒度分布３〜１０μｍの分布を有
する導電粒子２体積％を実施例１の接着剤に分散させ、
ポリエステルのキァリアフィルム上に塗布・乾燥したも
のを２ｍｍ幅にスリットして異方導電フィルムを作製し
た。この異方導電フィルムを、実施例１と同様にサンプ
ル作製し評価を行った。隣接端子間の接続抵抗値は、全
端子間で１Ω以下とばらつきが少なく良好であり、絶縁
抵抗値についても全端子間で１０10Ω以上と良好であっ
た。又、高温高湿処理１０００時間後（８５℃、８５％
ＲＨ）も、接続抵抗値上昇は全端子で３Ω以下、絶縁抵
抗値も１０10Ω以上と良好な接続性が得られた。
樹脂を核材とし、燐含有量が１０重量％となるように調
整した厚さ０．１μｍのニッケルを無電解メッキし、更
にその表面に無電解メッキで金被覆を０．１μｍ形成し
た、平均粒径３μｍ、粒度分布２〜５μｍの導電粒子
１．５体積％を実施例１の接着剤に分散させ、ポリエス
テルのキァリアフィルム上に塗布・乾燥したものを２ｍ
ｍ幅にスリットして異方導電フィルムを作製した。この
異方導電フィルムを、実施例１と同様にサンプル作製し
評価を行った。隣接端子間の接続抵抗値は、全端子間で
１Ω以下とばらつきが少なく良好であり、絶縁抵抗値に
ついても全端子間で１０10Ω以上と良好であった。又、
高温高湿処理１０００時間後（８５℃、８５％ＲＨ）
も、接続抵抗値上昇は全端子で３Ω以下、絶縁抵抗値も
１０10Ω以上と良好な接続性が得られた。 実施例３ 実施例１と同じ接着剤を準備し、この中にメラミン樹脂
を核材とし、燐含有量が１５重量％となるように調整し
た厚さ０．２μｍのニッケルを無電解メッキし、更にそ
の表面に無電解メッキで金被覆を０．１μｍ形成した、
平均粒径４．５μｍ、粒度分布３〜１０μｍの分布を有
する導電粒子２体積％を実施例１の接着剤に分散させ、
ポリエステルのキァリアフィルム上に塗布・乾燥したも
のを２ｍｍ幅にスリットして異方導電フィルムを作製し
た。この異方導電フィルムを、実施例１と同様にサンプ
ル作製し評価を行った。隣接端子間の接続抵抗値は、全
端子間で１Ω以下とばらつきが少なく良好であり、絶縁
抵抗値についても全端子間で１０10Ω以上と良好であっ
た。又、高温高湿処理１０００時間後（８５℃、８５％
ＲＨ）も、接続抵抗値上昇は全端子で３Ω以下、絶縁抵
抗値も１０10Ω以上と良好な接続性が得られた。
【００１５】比較例１ 実施例１と同じ接着剤を準備し、この中にポリスチレン
樹脂を核材とし、燐含有量が５重量％となるように調整
し厚さ０．１μｍのニッケルを無電解メッキし、更にそ
の表面に無電解メッキで金被覆を０．１μｍ形成した平
均粒径５μｍ、粒度分布３〜８μｍの導電粒子２体積％
を実施例１の接着剤に分散させ、ポリエステルのキャリ
アフィルム上に塗布・乾燥したものを２ｍｍ幅にスリッ
トして異方導電フィルムを作成した。フィルム外観を顕
微鏡で観察した結果、導電粒子の凝集が多くみられた。
これを用いて実施例１と同じＦＰＣとガラスの接続サン
プルを作製し、評価を行った結果圧着後の初期の接続抵
抗値は全端子１Ω以下と良好であったが、高温高湿処理
１０００時間後は、数ヶ所で接続抵抗値が３Ω以上とな
る箇所がみられた。又、絶縁抵抗値は初期で数ヶ所１０
8Ω以下の端子があり、高温高湿処理後は１０8Ω以下の
箇所が増加した。この付近の外観を顕微鏡で観察したと
ころ、端子間で導電粒子の凝集がみられた。
樹脂を核材とし、燐含有量が５重量％となるように調整
し厚さ０．１μｍのニッケルを無電解メッキし、更にそ
の表面に無電解メッキで金被覆を０．１μｍ形成した平
均粒径５μｍ、粒度分布３〜８μｍの導電粒子２体積％
を実施例１の接着剤に分散させ、ポリエステルのキャリ
アフィルム上に塗布・乾燥したものを２ｍｍ幅にスリッ
トして異方導電フィルムを作成した。フィルム外観を顕
微鏡で観察した結果、導電粒子の凝集が多くみられた。
これを用いて実施例１と同じＦＰＣとガラスの接続サン
プルを作製し、評価を行った結果圧着後の初期の接続抵
抗値は全端子１Ω以下と良好であったが、高温高湿処理
１０００時間後は、数ヶ所で接続抵抗値が３Ω以上とな
る箇所がみられた。又、絶縁抵抗値は初期で数ヶ所１０
8Ω以下の端子があり、高温高湿処理後は１０8Ω以下の
箇所が増加した。この付近の外観を顕微鏡で観察したと
ころ、端子間で導電粒子の凝集がみられた。
【００１６】比較例２ 実施例１と同じ接着剤を準備し、この中にメラミン樹脂
を核材とし、燐含有量が２５重量％となるように調整し
た厚さ０．２μｍのニッケルを無電解メッキし、更にそ
の表面に無電解メッキで金被覆を０．１μｍ形成した、
平均粒径５．５μｍ、粒度分布３〜１０μｍの導電粒子
２体積％を上記接着剤に分散させ、ポリエステルのキァ
リアフィルム上に塗布・乾燥したものを２ｍｍ幅にスリ
ットして異方導電フィルムを作製した。これを用いて実
施例１と同じＦＰＣとガラスの接続サンプルを作製し、
評価を行った。フィルムの外観は、実施例の場合と同様
に導電粒子の分散が均一なものであった。このフィルム
を用いて実施例１と同じＦＰＣとガラスの接続サンプル
を作製し、評価を行った結果圧着後の隣接端子間の絶縁
抵抗値は初期・高温高湿処理後共、全端子で１０10Ωと
良好であったが、接続抵抗値は、初期で全端子３Ω以上
でありばらつきも大きく、高温高湿処理１０００時間後
は、全端子で１０Ω以上となった。
を核材とし、燐含有量が２５重量％となるように調整し
た厚さ０．２μｍのニッケルを無電解メッキし、更にそ
の表面に無電解メッキで金被覆を０．１μｍ形成した、
平均粒径５．５μｍ、粒度分布３〜１０μｍの導電粒子
２体積％を上記接着剤に分散させ、ポリエステルのキァ
リアフィルム上に塗布・乾燥したものを２ｍｍ幅にスリ
ットして異方導電フィルムを作製した。これを用いて実
施例１と同じＦＰＣとガラスの接続サンプルを作製し、
評価を行った。フィルムの外観は、実施例の場合と同様
に導電粒子の分散が均一なものであった。このフィルム
を用いて実施例１と同じＦＰＣとガラスの接続サンプル
を作製し、評価を行った結果圧着後の隣接端子間の絶縁
抵抗値は初期・高温高湿処理後共、全端子で１０10Ωと
良好であったが、接続抵抗値は、初期で全端子３Ω以上
でありばらつきも大きく、高温高湿処理１０００時間後
は、全端子で１０Ω以上となった。
【００１７】比較例３ 導電粒子にスズ／鉛＝６３／３７の半田粒子（平均粒径
１０μｍ）を用い、実施例１と同じ接着剤に２体積％分
散させて同様に異方導電フィルムを作製した。これを用
いて実施例１と同じＦＰＣとガラスの接続サンプルを作
製し、評価を行った結果圧着後の初期の接続抵抗値は全
端子１Ω以下と良好であったが、高温高湿処理１０００
時間後は、全端子で接続抵抗値が５Ω以上となった。又
絶縁抵抗値は初期で数ヶ所１０8Ω以下の端子があり、
高温高湿処理後は１０8Ω以下の箇所が増加した。この
付近の外観を顕微鏡で観察したところ、端子間で大きな
導電粒子がみられた。
１０μｍ）を用い、実施例１と同じ接着剤に２体積％分
散させて同様に異方導電フィルムを作製した。これを用
いて実施例１と同じＦＰＣとガラスの接続サンプルを作
製し、評価を行った結果圧着後の初期の接続抵抗値は全
端子１Ω以下と良好であったが、高温高湿処理１０００
時間後は、全端子で接続抵抗値が５Ω以上となった。又
絶縁抵抗値は初期で数ヶ所１０8Ω以下の端子があり、
高温高湿処理後は１０8Ω以下の箇所が増加した。この
付近の外観を顕微鏡で観察したところ、端子間で大きな
導電粒子がみられた。
【００１８】
【発明の効果】本発明の異方導電フィルムは、フィルム
中に導電粒子が均一に単一分散されており、従来の異方
導電フィルムでは困難であった微細な回路接続への適用
が可能となる。又、従来高い接続信頼性を得るために多
量の導電粒子を配合していたが、同じ導電性を得るため
に分散が良好であるため導電粒子の量を低減でき、コス
トを削減できるだけでなく、より微細な回路への適用が
可能となる。
中に導電粒子が均一に単一分散されており、従来の異方
導電フィルムでは困難であった微細な回路接続への適用
が可能となる。又、従来高い接続信頼性を得るために多
量の導電粒子を配合していたが、同じ導電性を得るため
に分散が良好であるため導電粒子の量を低減でき、コス
トを削減できるだけでなく、より微細な回路への適用が
可能となる。
【図１】本発明による異方導電フィルムを説明するため
の断面模式図である。
の断面模式図である。
【図２】本発明による異方導電フィルムを用いた場合の
回路の接続状態を示す断面図である。
回路の接続状態を示す断面図である。
【図３】本発明による異方導電フィルムを用いた場合の
回路の接続状態を示す平面図である。
回路の接続状態を示す平面図である。
【図４】従来の金属粒子を適用した異方導電フィルムを
用いた場合の回路の接続状態を示す平面図である。
用いた場合の回路の接続状態を示す平面図である。
【図５】従来の高分子核材に金属被覆を施した粒子を適
用した異方導電フィルムを用いた場合の回路の接続状態
を示す平面図である。
用した異方導電フィルムを用いた場合の回路の接続状態
を示す平面図である。
１ 導電粒子 ２ 高分子核材 ３ 金膜 ４ ニッケル膜 ５ 絶縁性接着剤 ６ 回路基板 ７ ガラス基板 ８ 回路端子 ９ 金属粒子 １０ 導電粒子（従来品）
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁性接着剤中に導電性粒子を分散させ
た異方導電フィルムにおいて、該導電性粒子の中心核が
高分子核材で、その表面にニッケル膜を有し、該ニッケ
ル膜の更に外層に金膜を有し、該ニッケル膜中の燐含有
量が０．５〜２０重量％であることを特徴とする異方導
電フィルム。 - 【請求項２】 導電性粒子の粒子径が０．５〜５０μｍ
で、かつ平均粒子径が２〜１０μｍである請求項１記載
の異方導電フィルム。 - 【請求項３】 導電性粒子の金及びニッケルの皮膜の厚
さが各々０．０１〜１μｍである請求項１、又は請求項
２記載の異方導電フィルム。 - 【請求項４】 導電性粒子の粒度分布の範囲が、〔平均
粒子径−（平均粒子径×０．８）〕〜〔平均粒子径＋
（平均粒子径×１）〕μｍである請求項１、請求項２、
又は請求項３記載の異方導電フィルム。 - 【請求項５】 導電性粒子を絶縁性接着剤中に１〜１０
体積％分散させてなる請求項１、請求項２、請求項３、
又は請求項４記載の異方導電フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20947895A JP3150054B2 (ja) | 1994-10-13 | 1995-08-17 | 異方導電フィルム |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-247459 | 1994-10-13 | ||
| JP24745994 | 1994-10-13 | ||
| JP20947895A JP3150054B2 (ja) | 1994-10-13 | 1995-08-17 | 異方導電フィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08167328A true JPH08167328A (ja) | 1996-06-25 |
| JP3150054B2 JP3150054B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=26517478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20947895A Expired - Lifetime JP3150054B2 (ja) | 1994-10-13 | 1995-08-17 | 異方導電フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3150054B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270055A (ja) * | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 電気化学触媒並びにそれを用いた電気化学反応装置、電気化学素子、リン酸型燃料電池およびメタノール直接型燃料電池 |
| WO2000024005A1 (en) * | 1998-10-19 | 2000-04-27 | Dynal Particles As | Particles |
| JP2003034879A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-07 | Sony Chem Corp | Ｎｉメッキ粒子及びその製造方法 |
| WO2006071072A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Plastic conductive particles and manufacturing method thereof |
| KR100621463B1 (ko) * | 2003-11-06 | 2006-09-13 | 제일모직주식회사 | 절연 전도성 미립자 및 이를 함유하는 이방 전도성 필름 |
| JP2007297636A (ja) * | 2007-06-14 | 2007-11-15 | Nippon Zeon Co Ltd | 異方性導電用樹脂組成物 |
| JP2010073681A (ja) * | 2009-07-16 | 2010-04-02 | Sony Chemical & Information Device Corp | 導電性粒子、並びに異方性導電フィルム、接合体、及び接続方法 |
| CN111954909A (zh) * | 2018-04-04 | 2020-11-17 | 积水化学工业株式会社 | 带有绝缘性粒子的导电性粒子、导电材料以及连接结构体 |
-
1995
- 1995-08-17 JP JP20947895A patent/JP3150054B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270055A (ja) * | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 電気化学触媒並びにそれを用いた電気化学反応装置、電気化学素子、リン酸型燃料電池およびメタノール直接型燃料電池 |
| WO2000024005A1 (en) * | 1998-10-19 | 2000-04-27 | Dynal Particles As | Particles |
| US6787233B1 (en) | 1998-10-19 | 2004-09-07 | Dynal Biotech Asa | Particles |
| JP2003034879A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-07 | Sony Chem Corp | Ｎｉメッキ粒子及びその製造方法 |
| KR100621463B1 (ko) * | 2003-11-06 | 2006-09-13 | 제일모직주식회사 | 절연 전도성 미립자 및 이를 함유하는 이방 전도성 필름 |
| WO2006071072A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Plastic conductive particles and manufacturing method thereof |
| JP2007297636A (ja) * | 2007-06-14 | 2007-11-15 | Nippon Zeon Co Ltd | 異方性導電用樹脂組成物 |
| JP2010073681A (ja) * | 2009-07-16 | 2010-04-02 | Sony Chemical & Information Device Corp | 導電性粒子、並びに異方性導電フィルム、接合体、及び接続方法 |
| CN111954909A (zh) * | 2018-04-04 | 2020-11-17 | 积水化学工业株式会社 | 带有绝缘性粒子的导电性粒子、导电材料以及连接结构体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3150054B2 (ja) | 2001-03-26 |
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