JP2005251752A - 導電性金属粒子および導電性複合金属粒子並びにそれらを用いた応用製品 - Google Patents
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Abstract
【課題】安定した導電性を有する導電性材料が得られる導電性金属粒子およひ導電性複合金属粒子並びにそれらを用いた応用製品を提供する。
【解決手段】導電性金属粒子は、数平均粒子径が５〜１００μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．０１×１０3 〜０．７×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．１質量％以下、酸素元素濃度が０．５質量％以下、炭素元素濃度が０．１質量％以下であることを特徴とする。導電性複合金属粒子は、前記導電性金属粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなることを特徴とする。
【選択図】なし
【解決手段】導電性金属粒子は、数平均粒子径が５〜１００μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．０１×１０3 〜０．７×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．１質量％以下、酸素元素濃度が０．５質量％以下、炭素元素濃度が０．１質量％以下であることを特徴とする。導電性複合金属粒子は、前記導電性金属粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなることを特徴とする。
【選択図】なし
Description
本発明は、導電性金属粒子および導電性複合金属粒子並びにそれらを用いた応用製品に関する。
従来、電気・電子分野においては、回路装置相互間の電気的接続や、回路装置における配線間の電気的接続を達成するために、絶縁性の有機材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料が広く利用されている。
例えば、半導体集積回路装置などの電子部品の実装においては、電子部品を高密度でプリント回路基板に実装するために、表面実装やＣＯＢ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｂｏａｒｄ）が利用されており、このような実装法においては、導電性粒子が含有されてなるペースト状またはフィルム状の導電性接着剤が用いられている（特開昭６０−８４７１８号公報、特開昭６３−２３１８８９号公報、特開平４−２５９７６６号公報、特開平５−７５２５０号公報等参照）。
また、回路装置相互間、例えばプリント回路基板とリードレスチップキャリアー、液晶パネルなどとの相互間の電気的な接続を達成するためのコネクターとして、エラストマー中に導電性粒子が含有されてなる異方導電性シートが用いられている。また、プリント回路基板や半導体集積回路などの回路装置の電気的検査においては、検査対象である回路装置の一面に形成された被検査電極と、検査用回路基板の表面に形成された検査用電極との電気的な接続を達成するために、回路装置の被検査電極領域と検査用回路基板の検査用電極領域との間に異方導電性シートを介在させることが行われている。
このような異方導電性シートとしては、種々の構造のものが知られており、例えば金属粒子をエラストマー中に均一に分散して得られるもの（特開昭５１−９３３９３号公報参照）、導電性磁性体粒子をエラストマー中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電路形成部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなるもの（特開昭５３−１４７７７２号公報等参照）、導電路形成部の表面と絶縁部との間に段差が形成されたもの（特開昭６１−２５０９０６号公報等参照）が知られている。
このような異方導電性シートとしては、種々の構造のものが知られており、例えば金属粒子をエラストマー中に均一に分散して得られるもの（特開昭５１−９３３９３号公報参照）、導電性磁性体粒子をエラストマー中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電路形成部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなるもの（特開昭５３−１４７７７２号公報等参照）、導電路形成部の表面と絶縁部との間に段差が形成されたもの（特開昭６１−２５０９０６号公報等参照）が知られている。
更に、近年、絶縁層の両面に配線層が形成されてなる両面プリント回路基板や、複数の絶縁層と複数の配線層が交互に積層されてなる多層プリント回路基板においては、配線層間の電気的接続を行う手段として、メッキスルーホール（ビアホール）に代わり、硬化性樹脂中に導電性粒子が含有されてなる柱状の導電性材料が利用されている（特開平８−２５５９８２号公報、特開平１０−２５６６８７号公報等参照）。このような導電性材料は、絶縁層に形成された貫通孔内に、液状の熱硬化性樹脂中に導電性粒子が分散されてなる導電性ペースト組成物を充填し、当該導電性ペースト組成物を硬化処理することにより形成することが可能であるため、簡単な工程により、配線層間の電気的接続を達成することができ、しかも、メッキ液などの化学薬品を使用しないため、接続信頼性の高い回路基板が得られる。
以上のような導電性材料においては、導電性粒子として、比較的安価で高い導電性が得られる点で、例えばニッケル、銅などの金属粒子の表面に導電性が高くて化学的に安定な金メッキが施されてなる複合金属粒子が賞用されている。
而して、このような導電性粒子は、安定した導電性を有する導電性材料、具体的には、導電性が高くかつその再現性が高い導電性材料が得られるものであることが肝要であり、そのため、導電性材料を製造する場合には、平均粒子径および粒子径分布が特定の範囲にある導電性粒子が用いられている。
しかしながら、平均粒子径および粒子径分布が特定の範囲にある導電性粒子を使用しただけでは、安定した導電性を有する導電性材料が得られないことが判明した。
而して、このような導電性粒子は、安定した導電性を有する導電性材料、具体的には、導電性が高くかつその再現性が高い導電性材料が得られるものであることが肝要であり、そのため、導電性材料を製造する場合には、平均粒子径および粒子径分布が特定の範囲にある導電性粒子が用いられている。
しかしながら、平均粒子径および粒子径分布が特定の範囲にある導電性粒子を使用しただけでは、安定した導電性を有する導電性材料が得られないことが判明した。
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その第１の目的は、安定した導電性を有する導電性材料が得られる導電性金属粒子および導電性複合金属粒子を提供することにある。
本発明の第２の目的は、高い導電性を有し、かつ、その再現性が高い導電性ペースト組成物を提供することにある。
本発明の第３の目的は、配線層間において高い導電性を有し、かつ、その再現性が高く、しかも、接続信頼性の高い回路基板を提供することにある。
本発明の第４の目的は、導電性が高く、かつ、その再現性が高い電気的接続を達成することができる導電接続構造体を提供することにある。
本発明の第２の目的は、高い導電性を有し、かつ、その再現性が高い導電性ペースト組成物を提供することにある。
本発明の第３の目的は、配線層間において高い導電性を有し、かつ、その再現性が高く、しかも、接続信頼性の高い回路基板を提供することにある。
本発明の第４の目的は、導電性が高く、かつ、その再現性が高い電気的接続を達成することができる導電接続構造体を提供することにある。
本発明の導電性金属粒子は、数平均粒子径が５〜１００μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．０１×１０3 〜０．７×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．１質量％以下、酸素元素濃度が０．５質量％以下、炭素元素濃度が０．１質量％以下であることを特徴とする。
本発明の導電性金属粒子においては、粒子径の変動係数が５０％以下であることが好ましい。
また、飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ2 以上であることが好ましい。
また、飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ2 以上であることが好ましい。
本発明の導電性複合金属粒子は、上記の導電性金属粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなることを特徴とする。
本発明の導電性複合金属粒子においては、下記の数式によって算出される、高導電性金属の被覆層の厚みｔが１０ｎｍ以上であることが好ましい。
ｔ＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕
〔但し、ｔは高導電性金属の被覆層の厚み（ｍ）、Ｓｗは導電性金属粒子のＢＥＴ比表面積（ｍ2 ／ｋｇ）、ρは高導電性金属の比重（ｋｇ／ｍ3 ）、Ｎは、高導電性金属の被覆層の重量／導電性複合金属粒子の重量を示す。〕
ｔ＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕
〔但し、ｔは高導電性金属の被覆層の厚み（ｍ）、Ｓｗは導電性金属粒子のＢＥＴ比表面積（ｍ2 ／ｋｇ）、ρは高導電性金属の比重（ｋｇ／ｍ3 ）、Ｎは、高導電性金属の被覆層の重量／導電性複合金属粒子の重量を示す。〕
また、本発明の導電性複合金属粒子においては、前記高導電性金属が金であることが好ましい。
また、表層部分における高導電性金属の含有割合が５０質量％以上であることが好ましい。
また、ＢＥＴ比表面積が０．０１×１０3 〜０．７×１０3 ｍ2 ／ｋｇであることが好ましい。
また、表層部分における高導電性金属の含有割合が５０質量％以上であることが好ましい。
また、ＢＥＴ比表面積が０．０１×１０3 〜０．７×１０3 ｍ2 ／ｋｇであることが好ましい。
また、飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ2 以上の導電性金属粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなる導電性複合金属粒子においては、
下記に示す電気抵抗値Ｒが１Ω以下であることが好ましい。
電気抵抗値Ｒ：導電性複合金属粒子０．６ｇと液状ゴム０．８ｇとを混練することによってペースト組成物を調製し、このペースト組成物を、０．５ｍｍの離間距離で互いに対向するよう配置された、それぞれ径が１ｍｍの一対の電極間に配置し、この一対の電極間に０．３Ｔの磁場を作用させ、この状態で当該一対の電極間の電気抵抗値が安定するまで放置したときの当該電気抵抗値。
下記に示す電気抵抗値Ｒが１Ω以下であることが好ましい。
電気抵抗値Ｒ：導電性複合金属粒子０．６ｇと液状ゴム０．８ｇとを混練することによってペースト組成物を調製し、このペースト組成物を、０．５ｍｍの離間距離で互いに対向するよう配置された、それぞれ径が１ｍｍの一対の電極間に配置し、この一対の電極間に０．３Ｔの磁場を作用させ、この状態で当該一対の電極間の電気抵抗値が安定するまで放置したときの当該電気抵抗値。
本発明の導電性ペースト組成物は、上記の導電性金属粒子および／または上記の導電性複合金属粒子が含有されてなることを特徴とする。
本発明の回路基板は、有機高分子物質中に、上記の導電性金属粒子および／または上記の導電性複合金属粒子が含有されてなる導電体を有することを特徴とする。
本発明の導電接続構造体は、上記の導電性ペースト組成物によって得られる接続部材により接続されてなることを特徴とする。
また、本発明の導電接続構造体は、有機高分子物質中に、上記の導電性金属粒子および／または上記の導電性複合金属粒子が含有されてなる導電性シートを介して接続されてなることを特徴とする。
本発明の導電性金属粒子および導電性複合金属粒子によれば、安定した導電性を有する導電性材料を得ることができる。
本発明の導電性ペースト組成物は、上記の導電性金属粒子および／または導電性複合金属粒子を含有するため、高い導電性を有し、かつ、その再現性が高いものである。
本発明の回路基板は、上記の導電性金属粒子および／または導電性複合金属粒子を含有する導電体を有するため、配線層間において高い導電性を有し、かつ、その再現性が高く、しかも、接続信頼性の高いものである。
本発明の導電接続構造体によれば、上記の導電性ペースト組成物によって得られる接続部材或いは上記の導電性金属粒子および／または導電性複合金属粒子を含有する導電性シートを介して電気的に接続されているため、導電性高く、かつ、その再現性が高い電気的接続を達成することができる。
本発明の導電性ペースト組成物は、上記の導電性金属粒子および／または導電性複合金属粒子を含有するため、高い導電性を有し、かつ、その再現性が高いものである。
本発明の回路基板は、上記の導電性金属粒子および／または導電性複合金属粒子を含有する導電体を有するため、配線層間において高い導電性を有し、かつ、その再現性が高く、しかも、接続信頼性の高いものである。
本発明の導電接続構造体によれば、上記の導電性ペースト組成物によって得られる接続部材或いは上記の導電性金属粒子および／または導電性複合金属粒子を含有する導電性シートを介して電気的に接続されているため、導電性高く、かつ、その再現性が高い電気的接続を達成することができる。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
〔導電性金属粒子〕
本発明の導電性金属粒子は、その数平均粒子径が５〜１００μｍのものであり、好ましくは１０〜５０μｍ、特に好ましくは１０〜４０μｍのものである。
ここで、導電性金属粒子の数平均粒子径は、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。
上記数平均粒子径が５μｍ以上であれば、当該導電性金属粒子を用いて異方導電性シートを構成する場合には、得られる異方導電性シートの導電部の加圧変形が容易なものとなり、また、当該導電性金属粒子を用いて導電接続構造体を形成する場合には、得られる導電接続構造体の電気的接触が容易となる。一方、上記数平均粒子径が１００μｍ以下であれば、当該導電性金属粒子を用いて異方導電性シートを構成する場合には、異方導電性シートにおける微細な導電部を容易に形成することができ、また、当該導電性金属粒子を用いて導電接続構造体を形成する場合には、得られる導電接続構造体の電気的接続が安定し、その再現性が良好となる。
〔導電性金属粒子〕
本発明の導電性金属粒子は、その数平均粒子径が５〜１００μｍのものであり、好ましくは１０〜５０μｍ、特に好ましくは１０〜４０μｍのものである。
ここで、導電性金属粒子の数平均粒子径は、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。
上記数平均粒子径が５μｍ以上であれば、当該導電性金属粒子を用いて異方導電性シートを構成する場合には、得られる異方導電性シートの導電部の加圧変形が容易なものとなり、また、当該導電性金属粒子を用いて導電接続構造体を形成する場合には、得られる導電接続構造体の電気的接触が容易となる。一方、上記数平均粒子径が１００μｍ以下であれば、当該導電性金属粒子を用いて異方導電性シートを構成する場合には、異方導電性シートにおける微細な導電部を容易に形成することができ、また、当該導電性金属粒子を用いて導電接続構造体を形成する場合には、得られる導電接続構造体の電気的接続が安定し、その再現性が良好となる。
本発明の導電性金属粒子は、そのＢＥＴ比表面積が０．０１×１０3 〜０．７×１０3 ｍ2 ／ｋｇのものであり、好ましくは０．０２×１０3 〜０．５×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、特に好ましくは０．０５×１０3 〜０．４×１０3 ｍ2 ／ｋｇのものである。
このＢＥＴ比表面積が０．０１×１０3 ｍ2 ／ｋｇ以上であれば、当該導電性金属粒子はメッキ可能な領域が十分に大きいものであるため、当該導電性金属粒子に所要の量のメッキを確実に行うことができ、従って、導電性の大きい粒子を得ることができると共に、当該粒子間において、接触面積が十分に大きいため、安定で高い導電性が得られる。一方、このＢＥＴ比表面積が０．７×１０3 ｍ2 ／ｋｇ以下であれば、当該導電性金属粒子が脆弱なものとならず、物理的な応力が加わった際に破壊することが少なく、安定で高い導電性が保持される。
このＢＥＴ比表面積が０．０１×１０3 ｍ2 ／ｋｇ以上であれば、当該導電性金属粒子はメッキ可能な領域が十分に大きいものであるため、当該導電性金属粒子に所要の量のメッキを確実に行うことができ、従って、導電性の大きい粒子を得ることができると共に、当該粒子間において、接触面積が十分に大きいため、安定で高い導電性が得られる。一方、このＢＥＴ比表面積が０．７×１０3 ｍ2 ／ｋｇ以下であれば、当該導電性金属粒子が脆弱なものとならず、物理的な応力が加わった際に破壊することが少なく、安定で高い導電性が保持される。
本発明の導電性金属粒子は、その硫黄元素濃度が０．１質量％以下のものであり、好ましくは０．０５質量％以下、特に好ましくは０．０１質量％以下のものである。
また、本発明の導電性金属粒子は、その酸素元素濃度が０．５質量％以下のものであり、好ましくは０．１質量％以下、特に好ましくは０．０５質量％以下のものである。
更に、本発明の導電性金属粒子は、その炭素元素濃度が０．１質量％以下のものであり、好ましくは０．０８質量％以下、特に好ましくは０．０５質量％以下のものである。
ここで、導電性金属粒子の硫黄元素濃度、酸素元素濃度および炭素元素濃度は、当該粒子を硝酸水溶液に溶解し、この溶液を誘電結合プラズマ原子分光法（ＩＣＰ−ＡＥＳ）によって測定されたものをいう。
以上のような条件を満足すれば、当該導電性金属粒子は不純物の含有量が極めて少なく、従って、その表面に存在する不純元素の量も少ないものであるため、確実にかつ安定した量のメッキを行うことができると共に、メッキによる被覆層が剥離することが少なく、その結果、高い導電性が確実に得られる。
また、硫黄元素は、導電性材料を製造または使用する際に、硬化処理において触媒毒となりうるものであるため、硫黄元素濃度が０．１質量％以下であれば、導電性材料の製造または使用において、硬化処理を確実に行うことができる。
また、本発明の導電性金属粒子は、その酸素元素濃度が０．５質量％以下のものであり、好ましくは０．１質量％以下、特に好ましくは０．０５質量％以下のものである。
更に、本発明の導電性金属粒子は、その炭素元素濃度が０．１質量％以下のものであり、好ましくは０．０８質量％以下、特に好ましくは０．０５質量％以下のものである。
ここで、導電性金属粒子の硫黄元素濃度、酸素元素濃度および炭素元素濃度は、当該粒子を硝酸水溶液に溶解し、この溶液を誘電結合プラズマ原子分光法（ＩＣＰ−ＡＥＳ）によって測定されたものをいう。
以上のような条件を満足すれば、当該導電性金属粒子は不純物の含有量が極めて少なく、従って、その表面に存在する不純元素の量も少ないものであるため、確実にかつ安定した量のメッキを行うことができると共に、メッキによる被覆層が剥離することが少なく、その結果、高い導電性が確実に得られる。
また、硫黄元素は、導電性材料を製造または使用する際に、硬化処理において触媒毒となりうるものであるため、硫黄元素濃度が０．１質量％以下であれば、導電性材料の製造または使用において、硬化処理を確実に行うことができる。
本発明の導電性金属粒子は、その粒子径の変動係数が５０％以下のものであることが好ましく、より好ましくは４０％以下、更に好ましくは３０％以下、特に好ましくは２０％以下のものである。
ここで、粒子径の変動係数は、式：（σ／Ｄｎ）×１００（但し、σは、粒子径の標準偏差の値を示し、Ｄｎは、粒子の数平均粒子径を示す。）によって求められるものである。
上記粒子径の変動係数が５０％以下であれば、粒子径の不揃いの程度が小さく、当該導電性金属粒子を用いて異方導電性シートを構成する場合には、導電部における導電性のバラツキの小さい異方導電性シートを得ることができ、また、当該導電性金属粒子を用いて導電接続構造体を形成する場合には、電気的接続状態のバラツキが小さくて、その再現性の良好な導電接続構造体を得ることができる。
ここで、粒子径の変動係数は、式：（σ／Ｄｎ）×１００（但し、σは、粒子径の標準偏差の値を示し、Ｄｎは、粒子の数平均粒子径を示す。）によって求められるものである。
上記粒子径の変動係数が５０％以下であれば、粒子径の不揃いの程度が小さく、当該導電性金属粒子を用いて異方導電性シートを構成する場合には、導電部における導電性のバラツキの小さい異方導電性シートを得ることができ、また、当該導電性金属粒子を用いて導電接続構造体を形成する場合には、電気的接続状態のバラツキが小さくて、その再現性の良好な導電接続構造体を得ることができる。
本発明の導電性金属粒子を構成する金属材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、これらの金属を銅、樹脂にコーティングしたものなどを用いことができるが、その飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ2 以上のものを好ましく用いることができ、より好ましくは０．３Ｗｂ／ｍ2 以上、特に好ましくは０．５Ｗｂ／ｍ2 以上のものであり、具体的には、鉄、ニッケル、コバルトまたはそれらの合金を挙げることができる。
この飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ2 以上であれば、当該導電性金属粒子を含む種々の導電性材料を製造または使用する際に、当該導電性金属粒子を磁場の作用によって確実に移動させて導電性金属粒子の連鎖を形成することができる。
この飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ2 以上であれば、当該導電性金属粒子を含む種々の導電性材料を製造または使用する際に、当該導電性金属粒子を磁場の作用によって確実に移動させて導電性金属粒子の連鎖を形成することができる。
本発明の導電性金属粒子においては、その具体的な形状は、特に限定されるものではないが、複数の球形の一次粒子が一体的に連結されてなる二次粒子からなる形状のものを、好ましい形状の粒子として挙げることができる。
このような導電性金属粒子は、金属材料を常法により粒子化し或いは市販の金属粒子を用意し、この粒子に対して分級処理を行うと共に、ＢＥＴ比表面積、硫黄元素濃度、酸素元素濃度および炭素元素濃度が上記の条件を満足する粒子を選択することにより、得られる。
粒子の分級処理は、例えば空気分級装置、音波ふるい装置などの分級装置によって行うことができる。
また、分級処理の具体的な条件は、目的とする導電性金属粒子の数平均粒子径、分級装置の種類などに応じて適宜設定される。
粒子の分級処理は、例えば空気分級装置、音波ふるい装置などの分級装置によって行うことができる。
また、分級処理の具体的な条件は、目的とする導電性金属粒子の数平均粒子径、分級装置の種類などに応じて適宜設定される。
以上のような導電性金属粒子によれば、ＢＥＴ比表面積が０．０１×１０3 〜０．７×１０3 ｍ2 ／ｋｇであるため、当該粒子の表面に十分な量のメッキが可能である。また、硫黄、酸素および炭素の不純物の含有量が少ないため、メッキによる金属の付着性が高いものである。従って、表面に導電性の高い金属のメッキを施すことにより、高い導電性を有する種々の導電性材料を得ることができる。
〔導電性複合金属粒子〕
本発明の導電性複合金属粒子は、上記の導電性金属粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなるものである。
ここで、「高導電性金属」とは、０℃における導電率が５×１０6 Ω-1ｍ-1以上のものをいう。
このような高導電性金属としては、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いるが好ましい。
本発明の導電性複合金属粒子は、上記の導電性金属粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなるものである。
ここで、「高導電性金属」とは、０℃における導電率が５×１０6 Ω-1ｍ-1以上のものをいう。
このような高導電性金属としては、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いるが好ましい。
本発明の導電性複合金属粒子は、下記の数式によって算出される、高導電性金属の被覆層の厚みｔが１０ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは１０〜１００ｎｍである。
ｔ＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕
〔但し、ｔは高導電性金属の被覆層の厚み（ｍ）、Ｓｗは導電性金属粒子のＢＥＴ比表面積（ｍ2 ／ｋｇ）、ρは高導電性金属の比重（ｋｇ／ｍ3 ）、Ｎは高導電性金属の被覆層による被覆率（高導電性金属の被覆層の重量／導電性複合金属粒子の重量）を示す。〕
ｔ＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕
〔但し、ｔは高導電性金属の被覆層の厚み（ｍ）、Ｓｗは導電性金属粒子のＢＥＴ比表面積（ｍ2 ／ｋｇ）、ρは高導電性金属の比重（ｋｇ／ｍ3 ）、Ｎは高導電性金属の被覆層による被覆率（高導電性金属の被覆層の重量／導電性複合金属粒子の重量）を示す。〕
上記の数式は、次のようにして導かれたものである。
（イ）導電性金属粒子の重量をＭｐ（ｋｇ）とすると、導電性金属粒子の表面積Ｓ（ｍ2 ）は、
Ｓ＝Ｓｗ・Ｍｐ ………式（１）
によって求められる。
（ロ）高導電性金属の被覆層の重量をｍ（ｋｇ）とすると、当該被覆層の体積Ｖ（ｍ3 ）は、
Ｖ＝ｍ／ρ ………式（２）
によって求められる。
（ハ）ここで、被覆層の厚みが導電性複合金属粒子の表面全体にわたって均一なものであると仮定すると、ｔ＝Ｖ／Ｓであり、これに上記式（１）および式（２）を代入すると、被覆層の厚みｔは、
ｔ＝（ｍ／ρ）／（Ｓｗ・Ｍｐ）＝ｍ／（Ｓｗ・ρ・Ｍｐ） ………式（３）によって求められる。
（ニ）また、高導電性金属の被覆層による被覆率Ｎは、導電性複合金属粒子の重量に対する被覆層の重量の比であるから、この被覆率Ｎは、
Ｎ＝ｍ／（Ｍｐ＋ｍ） ………式（４）
によって求められる。
（ホ）この式（４）の右辺における分子・分母をＭｐで割ると、
Ｎ＝（ｍ／Ｍｐ）／（１＋ｍ／Ｍｐ）となり、両辺に（１＋ｍ／Ｍｐ）をかけると、
Ｎ（１＋ｍ／Ｍｐ）＝ｍ／Ｍｐ、更には、
Ｎ＋Ｎ（ｍ／Ｍｐ）＝ｍ／Ｍｐとなり、Ｎ（ｍ／Ｍｐ）を右辺に移行すると、 Ｎ＝ｍ／Ｍｐ−Ｎ（ｍ／Ｍｐ）＝（ｍ／Ｍｐ）（１−Ｎ）となり、両辺を（１−Ｎ）で割ると、
Ｎ／（１−Ｎ）＝ｍ／Ｍｐとなり、
従って、導電性金属粒子の重量Ｍｐは、
Ｍｐ＝ｍ／〔Ｎ／（１−Ｎ）〕＝ｍ（１−Ｎ）／Ｎ ………式（５）
によって求められる。
（ヘ）そして、式（３）に式（５）を代入すると、
ｔ＝１／〔Ｓｗ・ρ・（１−Ｎ）／Ｎ〕
＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕
が導かれる。
（イ）導電性金属粒子の重量をＭｐ（ｋｇ）とすると、導電性金属粒子の表面積Ｓ（ｍ2 ）は、
Ｓ＝Ｓｗ・Ｍｐ ………式（１）
によって求められる。
（ロ）高導電性金属の被覆層の重量をｍ（ｋｇ）とすると、当該被覆層の体積Ｖ（ｍ3 ）は、
Ｖ＝ｍ／ρ ………式（２）
によって求められる。
（ハ）ここで、被覆層の厚みが導電性複合金属粒子の表面全体にわたって均一なものであると仮定すると、ｔ＝Ｖ／Ｓであり、これに上記式（１）および式（２）を代入すると、被覆層の厚みｔは、
ｔ＝（ｍ／ρ）／（Ｓｗ・Ｍｐ）＝ｍ／（Ｓｗ・ρ・Ｍｐ） ………式（３）によって求められる。
（ニ）また、高導電性金属の被覆層による被覆率Ｎは、導電性複合金属粒子の重量に対する被覆層の重量の比であるから、この被覆率Ｎは、
Ｎ＝ｍ／（Ｍｐ＋ｍ） ………式（４）
によって求められる。
（ホ）この式（４）の右辺における分子・分母をＭｐで割ると、
Ｎ＝（ｍ／Ｍｐ）／（１＋ｍ／Ｍｐ）となり、両辺に（１＋ｍ／Ｍｐ）をかけると、
Ｎ（１＋ｍ／Ｍｐ）＝ｍ／Ｍｐ、更には、
Ｎ＋Ｎ（ｍ／Ｍｐ）＝ｍ／Ｍｐとなり、Ｎ（ｍ／Ｍｐ）を右辺に移行すると、 Ｎ＝ｍ／Ｍｐ−Ｎ（ｍ／Ｍｐ）＝（ｍ／Ｍｐ）（１−Ｎ）となり、両辺を（１−Ｎ）で割ると、
Ｎ／（１−Ｎ）＝ｍ／Ｍｐとなり、
従って、導電性金属粒子の重量Ｍｐは、
Ｍｐ＝ｍ／〔Ｎ／（１−Ｎ）〕＝ｍ（１−Ｎ）／Ｎ ………式（５）
によって求められる。
（ヘ）そして、式（３）に式（５）を代入すると、
ｔ＝１／〔Ｓｗ・ρ・（１−Ｎ）／Ｎ〕
＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕
が導かれる。
この被覆層の厚みｔが１０ｎｍ以上であれば、当該導電性複合金属粒子は、その導電性が高いものとなり、当該導電性複合粒子を用いて導電性シートや導電接続構造体を構成した場合には、温度変化や加圧などによって被覆層が剥離して導電性が低下することが少ないため、好ましい。
本発明の導電性複合金属粒子は、高導電性金属の被覆率が、０．５〜５０質量％であることが好ましく、より好ましくは１〜４０質量％、さらに好ましくは３〜３０質量％、特に好ましくは４〜３０質量％である。被覆される高導電性金属が金である場合には、その被覆率は、２．５〜３０質量％であることが好ましく、より好ましくは３〜３０質量％、さらに好ましくは３．５〜３０質量％である。
本発明の導電性複合金属粒子は、その表層部分における高導電性金属の含有割合が５０質量％以上であることが好ましい。
ここで、「表層部分」とは、導電性複合金属粒子における外表面から１０ｎｍの深さまでの部分をいい、この表層部分における高導電性金属の含有割合は、Ｘ線電子分光法（ＥＳＣＡ）によって測定することができる。
この含有割合が５０質量％以上であれば、当該導電性複合金属粒子は、その導電性が高いものとなり、当該導電性複合粒子を用いて導電性シートや導電接続構造体を構成した場合には、温度変化や加圧などによって被覆層が剥離して導電性が低下することが少ないため、好ましい。
ここで、「表層部分」とは、導電性複合金属粒子における外表面から１０ｎｍの深さまでの部分をいい、この表層部分における高導電性金属の含有割合は、Ｘ線電子分光法（ＥＳＣＡ）によって測定することができる。
この含有割合が５０質量％以上であれば、当該導電性複合金属粒子は、その導電性が高いものとなり、当該導電性複合粒子を用いて導電性シートや導電接続構造体を構成した場合には、温度変化や加圧などによって被覆層が剥離して導電性が低下することが少ないため、好ましい。
本発明の導電性複合金属粒子は、そのＢＥＴ比表面積が０．０１×１０3 〜０．７×１０3 ｍ2 ／ｋｇであることが好ましい。
このＢＥＴ比表面積が０．０１×１０3 ｍ2 ／ｋｇ以上であれば、被覆層の表面積が十分に大きいものであるため、高導電性金属の総重量が大きい被覆層を形成することができ、従って、導電性の大きいを粒子を得ることができると共に、当該粒子間において、接触面積が十分に大きいため、安定で高い導電性が得られる。一方、このＢＥＴ比表面積が０．７×１０3 ｍ2 ／ｋｇ以下であれば、当該導電性複合金属粒子が脆弱なものとならず、物理的な応力が加わった際に破壊することが少なく、安定で高い導電性が保持される。
このＢＥＴ比表面積が０．０１×１０3 ｍ2 ／ｋｇ以上であれば、被覆層の表面積が十分に大きいものであるため、高導電性金属の総重量が大きい被覆層を形成することができ、従って、導電性の大きいを粒子を得ることができると共に、当該粒子間において、接触面積が十分に大きいため、安定で高い導電性が得られる。一方、このＢＥＴ比表面積が０．７×１０3 ｍ2 ／ｋｇ以下であれば、当該導電性複合金属粒子が脆弱なものとならず、物理的な応力が加わった際に破壊することが少なく、安定で高い導電性が保持される。
本発明の導電性複合金属粒子においては、導電性金属粒子として飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ2 以上のものを用いる場合には、下記に示す電気抵抗値Ｒが１Ω以下となるものであることが好ましくより好ましくは０．５Ω以下、特に好ましくは０．１Ω以下のものである。
電気抵抗値Ｒ：導電性複合金属粒子６ｇと液状ゴム８ｇとを混練することによってペースト組成物を調製し、このペースト組成物を、０．５ｍｍの離間距離で互いに対向するよう配置された、それぞれ径が１ｍｍの一対の電極間に配置し、当該一対の電極間に０．３Ｔの磁場を作用させ、この状態で当該一対の電極間の電気抵抗値が安定するまで放置したときの当該電気抵抗値。
電気抵抗値Ｒ：導電性複合金属粒子６ｇと液状ゴム８ｇとを混練することによってペースト組成物を調製し、このペースト組成物を、０．５ｍｍの離間距離で互いに対向するよう配置された、それぞれ径が１ｍｍの一対の電極間に配置し、当該一対の電極間に０．３Ｔの磁場を作用させ、この状態で当該一対の電極間の電気抵抗値が安定するまで放置したときの当該電気抵抗値。
具体的には、この電気抵抗値Ｒは、以下のようにして測定される。
図１は、電気抵抗値Ｒを測定するための装置であり、１は試料室Ｓを形成するセラミック製のセルであって、筒状の側壁材２と、それぞれ中央に貫通孔３Ｈを有する一対の蓋材３とにより構成されている。４は導電性を有する一対の磁石であって、それぞれ表面から突出する、蓋材３の貫通孔３Ｈに適合する形状の電極部５を有し、この電極部５が蓋材３の貫通孔３Ｈに嵌合された状態で、当該蓋材３に固定されている。６は電気抵抗測定機であって、一対の磁石４の各々に接続されている。セル１の試料室Ｓは、直径Ｌが３ｍｍ、厚みｄが０．５ｍｍの円板状であり、蓋材３の貫通孔３Ｈの内径すなわち磁石４の電極部５の直径ｒは１ｍｍである。
図１は、電気抵抗値Ｒを測定するための装置であり、１は試料室Ｓを形成するセラミック製のセルであって、筒状の側壁材２と、それぞれ中央に貫通孔３Ｈを有する一対の蓋材３とにより構成されている。４は導電性を有する一対の磁石であって、それぞれ表面から突出する、蓋材３の貫通孔３Ｈに適合する形状の電極部５を有し、この電極部５が蓋材３の貫通孔３Ｈに嵌合された状態で、当該蓋材３に固定されている。６は電気抵抗測定機であって、一対の磁石４の各々に接続されている。セル１の試料室Ｓは、直径Ｌが３ｍｍ、厚みｄが０．５ｍｍの円板状であり、蓋材３の貫通孔３Ｈの内径すなわち磁石４の電極部５の直径ｒは１ｍｍである。
そして、セル１の試料室Ｓに、上記のペースト組成物を充填し、磁石４の電極部５間に当該資料室Ｓの厚み方向に０．３Ｔの平行磁場を作用させながら、電気抵抗測定機６によって磁石４の電極部５間の電気抵抗値を測定する。その結果、ペースト組成物中に分散されていた導電性複合金属粒子が、平行磁場の作用により磁石４の電極部５間に集合し、更には厚み方向に並ぶよう配向し、この導電性複合金属粒子の移動に伴って、磁石４の電極部５間の電気抵抗値が低下した後安定状態となり、このときの電気抵抗値を測定する。ペースト組成物に平行磁場を作用させてから、磁石４の電極部５間の電気抵抗値が安定状態に達するまでの時間は、導電性複合金属粒子の種類によって異なるが、通常、ペースト組成物に平行磁場を作用させてから５００秒間経過した後における電気抵抗値を電気抵抗値Ｒとして測定する。
この電気抵抗値Ｒが１Ω以下であれば、高い導電性を有する導電性材料が確実に得られる。
この電気抵抗値Ｒが１Ω以下であれば、高い導電性を有する導電性材料が確実に得られる。
本発明の導電性複合金属粒子の含水率は、５質量％以下であることが好ましく、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下、特に好ましくは１質量％以下である。このような条件を満足することにより、導電性材料の製造または使用において、硬化処理する際に気泡が生ずることが防止または抑制される。
また、本発明の導電性複合金属粒子は、その表面がシランカップリング剤などのカップリング剤で処理されたものあってもよい。導電性複合金属粒子の表面がカップリング剤で処理されることにより、当該導電性複合金属粒子と有機高分子物質との接着性が高くなり、その結果、耐久性が高い導電性材料が得られる。
カップリング剤の使用量は、導電性粒子の導電性に影響を与えない範囲で適宜選択されるが、導電性粒子表面におけるカップリング剤の被覆割合（導電性芯粒子の表面積に対するカップリング剤の被覆面積の割合）が５％以上となる量であることが好ましく、より好ましくは上記被覆率が７〜１００％、さらに好ましくは１０〜１００％、特に好ましくは２０〜１００％となる量である。
カップリング剤の使用量は、導電性粒子の導電性に影響を与えない範囲で適宜選択されるが、導電性粒子表面におけるカップリング剤の被覆割合（導電性芯粒子の表面積に対するカップリング剤の被覆面積の割合）が５％以上となる量であることが好ましく、より好ましくは上記被覆率が７〜１００％、さらに好ましくは１０〜１００％、特に好ましくは２０〜１００％となる量である。
本発明の導電性複合金属粒子は、以下のようにして得られる。
先ず、上記の導電性金属粒子の表面を酸によって処理し、更に、例えば純水によって洗浄することにより、導電性金属粒子の表面に存在する汚れ、異物、酸化膜などの不純物を除去し、その後、当該導電性金属粒子の表面に高導電性金属を被覆することによって得られる。
粒子の表面を処理するために用いられる酸としては、塩酸などを挙げることができる。 高導電性金属を導電性金属粒子の表面に被覆する方法としては、無電解メッキ法、置換メッキ法等を用いることができるが、これらの方法に限定されるものではない。
先ず、上記の導電性金属粒子の表面を酸によって処理し、更に、例えば純水によって洗浄することにより、導電性金属粒子の表面に存在する汚れ、異物、酸化膜などの不純物を除去し、その後、当該導電性金属粒子の表面に高導電性金属を被覆することによって得られる。
粒子の表面を処理するために用いられる酸としては、塩酸などを挙げることができる。 高導電性金属を導電性金属粒子の表面に被覆する方法としては、無電解メッキ法、置換メッキ法等を用いることができるが、これらの方法に限定されるものではない。
無電解メッキ法または置換メッキ法によって導電性複合金属粒子を製造する方法について説明すると、先ず、メッキ液中に、酸処理および洗浄処理された導電性金属粒子を添加してスラリーを調製し、このスラリーを攪拌しながら当該導電性金属粒子の無電解メッキまたは置換メッキを行う。次いで、スラリー中の粒子をメッキ液から分離し、その後、当該粒子を例えば純水によって洗浄処理することにより、導電性金属粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなる導電性複合金属粒子が得られる。
また、導電性金属粒子の表面に下地メッキを行って下地メッキ層を形成した後、当該下地メッキ層の表面に高導電性金属よりなるメッキ層を形成してもよい。下地メッキ層およびその表面に形成されるメッキ層を形成する方法は、特に限定されないが、無電解メッキ法により、導電性金属粒子の表面に下地メッキ層を形成し、その後、置換メッキ法により、下地メッキ層の表面に高導電性金属よりなるメッキ層を形成することが好ましい。
無電解メッキまたは置換メッキに用いられるメッキ液としては、特に限定されるものではなく、種々の市販のものを用いることができる。
また、導電性金属粒子の表面に下地メッキを行って下地メッキ層を形成した後、当該下地メッキ層の表面に高導電性金属よりなるメッキ層を形成してもよい。下地メッキ層およびその表面に形成されるメッキ層を形成する方法は、特に限定されないが、無電解メッキ法により、導電性金属粒子の表面に下地メッキ層を形成し、その後、置換メッキ法により、下地メッキ層の表面に高導電性金属よりなるメッキ層を形成することが好ましい。
無電解メッキまたは置換メッキに用いられるメッキ液としては、特に限定されるものではなく、種々の市販のものを用いることができる。
また、導電性金属粒子の表面に高導電性金属を被覆する際に、粒子が凝集することにより、粒子径の大きい導電性複合金属粒子が発生することがあるため、必要に応じて、導電性複合粒子の分級処理を行うことが好ましく、これにより、所期の粒子径を有する導電性複合粒子が確実に得られる。
導電性複合粒子の分級処理を行うための分級装置としては、前述の導電性金属粒子の分級処理に用いられる分級装置として例示したものを挙げることができる。
導電性複合粒子の分級処理を行うための分級装置としては、前述の導電性金属粒子の分級処理に用いられる分級装置として例示したものを挙げることができる。
以上のような導電性複合金属粒子によれば、上記の導電性金属粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなるものであるため、高い導電性を有する種々の導電性材料を得ることができる。
〔導電性ペースト組成物〕
本発明の導電性ペースト組成物は、絶縁性の液状ビヒクル中に、上記の導電性金属粒子および／または上記の導電性複合金属粒子（以下、これらを総称して「特定の導電性粒子」ともいう。）、好ましくは導電性複合金属粒子が含有されてなるものである。
絶縁性の液状ビヒクルとしては、硬化処理、乾燥処理などによって固体となり得るものであれば、特に限定されず種々のものを用いることができ、液状の硬化性樹脂、液状ゴム、適宜の溶剤中に熱可塑性樹脂または熱可塑性エラストマーが溶解されてなるものなどを用いることができる。
本発明の導電性ペースト組成物は、絶縁性の液状ビヒクル中に、上記の導電性金属粒子および／または上記の導電性複合金属粒子（以下、これらを総称して「特定の導電性粒子」ともいう。）、好ましくは導電性複合金属粒子が含有されてなるものである。
絶縁性の液状ビヒクルとしては、硬化処理、乾燥処理などによって固体となり得るものであれば、特に限定されず種々のものを用いることができ、液状の硬化性樹脂、液状ゴム、適宜の溶剤中に熱可塑性樹脂または熱可塑性エラストマーが溶解されてなるものなどを用いることができる。
硬化性樹脂の具体例としては、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂などを挙げることができる。 液状ゴムの具体例としては、液状シリコーンゴム、液状ウレタンゴムなどを挙げることができる。
熱可塑性樹脂の具体例としては、アクリル系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂、スチレン樹脂、スチレン−ブタジエンブロック共重合体樹脂などを挙げることができる。
熱可塑性樹脂の具体例としては、アクリル系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂、スチレン樹脂、スチレン−ブタジエンブロック共重合体樹脂などを挙げることができる。
導電性ペースト組成物中における特定の導電性粒子の割合は、用いられるビヒクルの種類、当該導電性ペースト組成物の用途等によって異なるが、通常、ビヒクル１００質量部に対して２０〜１００質量部、好ましくは３０〜８０質量部である。
以上のような導電性ペースト組成物によれば、特定の導電性粒子を含有するため、高い導電性が得られ、かつ、その導電性について高い再現性が得られる。
そして、この導電性ペースト組成物は、種々の回路装置間の電気的接続を行うための導電性接着剤、導電性シートまたはフィルムの形成材料、回路基板における導体の形成材料、液晶パネルなどの製造に用いられる異方導電接着剤などとして好ましく用いることができる。
そして、この導電性ペースト組成物は、種々の回路装置間の電気的接続を行うための導電性接着剤、導電性シートまたはフィルムの形成材料、回路基板における導体の形成材料、液晶パネルなどの製造に用いられる異方導電接着剤などとして好ましく用いることができる。
〔導電性シート〕
本発明の導電性金属粒子および／または導電性複合金属粒子、好ましくは導電性複合金属粒子を有機高分子物質中に含有させることにより、導電性シートを構成することができる。
導電性シートを構成する有機高分子物質としては、特に限定されず種々のもの、例えば熱可塑性樹脂、熱または放射線硬化性樹脂、熱可塑性エラストマー、硬化ゴムなどをを用いることができる。
本発明の導電性金属粒子および／または導電性複合金属粒子、好ましくは導電性複合金属粒子を有機高分子物質中に含有させることにより、導電性シートを構成することができる。
導電性シートを構成する有機高分子物質としては、特に限定されず種々のもの、例えば熱可塑性樹脂、熱または放射線硬化性樹脂、熱可塑性エラストマー、硬化ゴムなどをを用いることができる。
導電性シートを構成する熱可塑性樹脂の具体例としては、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリブテン樹脂等のオレフィン系樹脂、ポリスチレン樹脂、スチレン−アクリルニトリル共重合体樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、スチレン−ブタジエン−アクリルニトリル共重合体樹脂等のスチレン系樹脂、ポリメチルアクリレート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂等のアクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、フッ素樹脂などが挙げられる。
導電性シートを構成する熱または放射線硬化性樹脂の具体例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂などが挙げられる。これらのうち、エポキシ樹脂が好ましく、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、（クレゾール）ノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノール型エポキシ樹脂、レゾルシン型エポキシ樹脂、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、ポリアルコールポリグリコール型エポキシ樹脂、グリセリントリエーテル型エポキシ樹脂、ポリオレフィン型エポキシ樹脂、エポキシ化大豆油、シクロペンタジエンジオキシド、ビニルシクロヘキセンジオキシドなどから得られるエポキシ樹脂が挙げられ、これらの中でも、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、（クレゾール）ノボラック型エポキシ樹脂が更に好ましい。
また、エポキシ樹脂を得るための原料として、Ｃ１２，１３混合アルコールグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリコールグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、２，２−ジブロモネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルなどの低分子エポキシ化合物などを使用することができる。これらの中では、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルが好ましい。
また、エポキシ樹脂を得るための原料として、Ｃ１２，１３混合アルコールグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリコールグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、２，２−ジブロモネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルなどの低分子エポキシ化合物などを使用することができる。これらの中では、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルが好ましい。
導電性シートを構成する熱可塑性エラストマーの具体例としては、ポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリ塩化ビニル系熱可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリウレタン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系熱可塑性エラストマー、フッ素ポリマー系熱可塑性エラストマーなどが挙げられる。
導電性シートを構成する硬化ゴムとしては、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴムなどの共役ジエン系ゴムおよびこれらの水素添加物、スチレン−ブタジエン−ジエンブロック共重合体ゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合体などのブロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添加物、クロロプレン、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、エピクロルヒドリンゴム、シリコーンゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体ゴムなどが挙げられる。
このような導電性シートは、その厚み方向および面方向の両方に導電性を示す等方導電性シートであっても、厚み方向にのみ導電性を示す異方導電性シートであってもよい。
また、異方導電性シートを構成する場合には、無加圧の状態で厚み方向に導電性を示すものであっても、加圧されたときに厚み方向に導電性を示すものであってもよく、更に、シート全面にわたって厚み方向に導電性を示すいわゆる分散型のものであっても、厚み方向に伸びる複数の導電部が絶縁部によって相互に絶縁された状態で配置されてなるいわゆる偏在型のものであってもよい。また、偏在型の異方導電性シートを構成する場合には、その表面が平坦なものであっても、導電部の表面が絶縁部の表面から突出した状態に形成されてなるものであってもよい。以下、異方導電性シートを構成する場合について説明する。
また、異方導電性シートを構成する場合には、無加圧の状態で厚み方向に導電性を示すものであっても、加圧されたときに厚み方向に導電性を示すものであってもよく、更に、シート全面にわたって厚み方向に導電性を示すいわゆる分散型のものであっても、厚み方向に伸びる複数の導電部が絶縁部によって相互に絶縁された状態で配置されてなるいわゆる偏在型のものであってもよい。また、偏在型の異方導電性シートを構成する場合には、その表面が平坦なものであっても、導電部の表面が絶縁部の表面から突出した状態に形成されてなるものであってもよい。以下、異方導電性シートを構成する場合について説明する。
図２は、本発明の導電性金属粒子および／または導電性複合金属粒子から得られる異方導電性シートの一例における構成を示す説明用断面図である。この異方導電性シート１０は、弾性高分子物質よりなる基材中に特定の導電性粒子Ｐが当該異方導電性シート１０の厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなるものであって、特定の導電性粒子Ｐの連鎖によって導電路が形成されている。図示の例では、特定の導電性粒子Ｐが密に充填された、それぞれ厚み方向に伸びる複数の柱状の導電部１１と、これらの導電部１１を相互に絶縁する、特定の導電性粒子Ｐが全くあるいは殆ど存在しない絶縁部１２とにより構成されており、導電部１１は、接続すべき電極例えば検査対象である回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って面方向に沿って配置され、これらの導電部１１の各々を取り囲むよう、絶縁部１２が形成されている。
また、この例においては、導電部１１は、絶縁部１２の表面から突出した状態に形成されている。
また、この例においては、導電部１１は、絶縁部１２の表面から突出した状態に形成されている。
以上において、異方導電性シート１０の絶縁部１２の厚みは、０．０５〜２ｍｍ、特に０．１〜１ｍｍであることが好ましい。
また、導電部１１における絶縁部１２の表面からの突出高さは、絶縁部１２の厚みの０．５〜１００％であることが好ましく、さらに好ましくは１〜８０％、特に好ましくは５〜５０％である。具体的には、当該突出高さは０．０１〜０．３ｍｍであることが好ましく、さらに好ましくは０．０２〜０．２ｍｍ、特に好ましくは０．０３〜０．１ｍｍである。
また、導電部１１の径は、０．０５〜１ｍｍ、特に０．１〜０．５ｍｍであることが好ましい。
また、導電部１１における絶縁部１２の表面からの突出高さは、絶縁部１２の厚みの０．５〜１００％であることが好ましく、さらに好ましくは１〜８０％、特に好ましくは５〜５０％である。具体的には、当該突出高さは０．０１〜０．３ｍｍであることが好ましく、さらに好ましくは０．０２〜０．２ｍｍ、特に好ましくは０．０３〜０．１ｍｍである。
また、導電部１１の径は、０．０５〜１ｍｍ、特に０．１〜０．５ｍｍであることが好ましい。
異方導電性シート１０の基材を構成する弾性高分子物質としては、液状ゴムの硬化物であることが好ましく、かかる液状ゴムとしては、液状シリコーンゴム、液状ポリウレタンゴムなどを用いることができる。これらの中でも、液状シリコーンゴムが好ましい。液状シリコーンゴムは、その粘度が歪速度１０-1ｓｅｃで１０5 ポアズ以下のものが好ましく、縮合型のもの、付加型のもの、ビニル基やヒドロキシル基を含有するものなどのいずれであってもよい。具体的には、ジメチルシリコーン生ゴム、メチルビニルシリコーン生ゴム、メチルフェニルビニルシリコーン生ゴムなどを挙げることができる。
これらの中で、ビニル基を含有する液状シリコーンゴム（ビニル基含有ポリジメチルシロキサン）は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチルジアルコキシシランを、ジメチルビニルクロロシランまたはジメチルビニルアルコキシシランの存在下において、加水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−沈殿の繰り返しによる分別を行うことにより得られる。
また、ビニル基を両末端に含有する液状シリコーンゴムは、オクタメチルシクロテトラシロキサンのような環状シロキサンを触媒の存在下においてアニオン重合し、重合停止剤として例えばジメチルジビニルシロキサンを用い、その他の反応条件（例えば、環状シロキサンの量および重合停止剤の量）を適宜選択することにより得られる。ここで、アニオン重合の触媒としては、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化ｎ−ブチルホスホニウムなどのアルカリまたはこれらのシラノレート溶液などを用いることができ、反応温度は、例えば８０〜１３０℃である。
また、ビニル基を両末端に含有する液状シリコーンゴムは、オクタメチルシクロテトラシロキサンのような環状シロキサンを触媒の存在下においてアニオン重合し、重合停止剤として例えばジメチルジビニルシロキサンを用い、その他の反応条件（例えば、環状シロキサンの量および重合停止剤の量）を適宜選択することにより得られる。ここで、アニオン重合の触媒としては、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化ｎ−ブチルホスホニウムなどのアルカリまたはこれらのシラノレート溶液などを用いることができ、反応温度は、例えば８０〜１３０℃である。
一方、ヒドロキシル基を含有する液状シリコーンゴム（ヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサン）は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチルジアルコキシシランを、ジメチルヒドロクロロシランまたはジメチルヒドロアルコキシシランの存在下において、加水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−沈殿の繰り返しによる分別を行うことにより得られる。
また、環状シロキサンを触媒の存在下においてアニオン重合し、重合停止剤として、例えばジメチルヒドロクロロシラン、メチルジヒドロクロロシランまたはジメチルヒドロアルコキシシランなどを用い、その他の反応条件（例えば、環状シロキサンの量および重合停止剤の量）を適宜選択することによっても得られる。ここで、アニオン重合の触媒としては、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化ｎ−ブチルホスホニウムなどのアルカリまたはこれらのシラノレート溶液などを用いることができ、反応温度は、例えば８０〜１３０℃である。
また、環状シロキサンを触媒の存在下においてアニオン重合し、重合停止剤として、例えばジメチルヒドロクロロシラン、メチルジヒドロクロロシランまたはジメチルヒドロアルコキシシランなどを用い、その他の反応条件（例えば、環状シロキサンの量および重合停止剤の量）を適宜選択することによっても得られる。ここで、アニオン重合の触媒としては、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化ｎ−ブチルホスホニウムなどのアルカリまたはこれらのシラノレート溶液などを用いることができ、反応温度は、例えば８０〜１３０℃である。
このような弾性高分子物質は、その分子量Ｍｗ（標準ポリスチレン換算重量平均分子量をいう。）が１００００〜４００００のものであることが好ましい。また、得られる異方導電性シートの耐熱性の観点から、分子量分布指数（標準ポリスチレン換算重量平均分子量Ｍｗと標準ポリスチレン換算数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎの値をいう。）が２以下のものが好ましい。
以上において、異方導電性シートを得るためのシート成形材料中には、高分子物質用材料を硬化させるための硬化触媒を含有させることができる。このような硬化触媒としては、有機過酸化物、脂肪酸アゾ化合物、ヒドロシリル化触媒などを用いることができる。
硬化触媒として用いられる有機過酸化物の具体例としては、過酸化ベンゾイル、過酸化ビスジシクロベンゾイル、過酸化ジクミル、過酸化ジターシャリーブチルなどが挙げられる。
硬化触媒として用いられる脂肪酸アゾ化合物の具体例としては、アゾビスイソブチロニトリルなどが挙げられる。
ヒドロシリル化反応の触媒として使用し得るものの具体例としては、塩化白金酸およびその塩、白金−不飽和基含有シロキサンコンプレックス、ビニルシロキサンと白金とのコンプレックス、白金と１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサンとのコンプレックス、トリオルガノホスフィンあるいはホスファイトと白金とのコンプレックス、アセチルアセテート白金キレート、環状ジエンと白金とのコンプレックスなどの公知のものが挙げられる。
硬化触媒の使用量は、高分子物質用材料の種類、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件を考慮して適宜選択されるが、通常、高分子物質用材料１００質量部に対して３〜１５質量部である。
硬化触媒として用いられる有機過酸化物の具体例としては、過酸化ベンゾイル、過酸化ビスジシクロベンゾイル、過酸化ジクミル、過酸化ジターシャリーブチルなどが挙げられる。
硬化触媒として用いられる脂肪酸アゾ化合物の具体例としては、アゾビスイソブチロニトリルなどが挙げられる。
ヒドロシリル化反応の触媒として使用し得るものの具体例としては、塩化白金酸およびその塩、白金−不飽和基含有シロキサンコンプレックス、ビニルシロキサンと白金とのコンプレックス、白金と１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサンとのコンプレックス、トリオルガノホスフィンあるいはホスファイトと白金とのコンプレックス、アセチルアセテート白金キレート、環状ジエンと白金とのコンプレックスなどの公知のものが挙げられる。
硬化触媒の使用量は、高分子物質用材料の種類、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件を考慮して適宜選択されるが、通常、高分子物質用材料１００質量部に対して３〜１５質量部である。
また、シート成形材料中には、必要に応じて、通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、エアロゲルシリカ、アルミナなどの無機充填材を含有させることができる。このような無機充填材を含有させることにより、当該シート成形材料のチクソトロピー性が確保され、その粘度が高くなり、しかも、特定の導電性粒子の分散安定性が向上すると共に、得られる異方導電性シートの強度が高くなる。
このような無機充填材の使用量は、特に限定されるものではないが、多量に使用すると、磁場による特定の導電性粒子の配向を十分に達成することができなくなるため、好ましくない。
また、シート成形材料の粘度は、温度２５℃において１０００００〜１００００００ｃｐの範囲内であることが好ましい。
このような無機充填材の使用量は、特に限定されるものではないが、多量に使用すると、磁場による特定の導電性粒子の配向を十分に達成することができなくなるため、好ましくない。
また、シート成形材料の粘度は、温度２５℃において１０００００〜１００００００ｃｐの範囲内であることが好ましい。
導電部１１には、特定の導電性粒子Ｐが体積分率で５〜６０％、好ましくは８〜５０％、特に好ましくは１０〜４０％となる割合で含有されていることが好ましい。この割合が５％以上であれば、十分に電気抵抗値の小さい導電部１１が得られやすい。一方、この割合が６０％以下であれば、得られる導電部１１は脆弱なものとなりにくく、導電部として必要な弾性が得られやすい。
また、導電部１１の厚み方向における電気抵抗は、当該導電部１１を厚み方向に１０〜２０ｇｆの荷重で加圧した状態において、１００ｍΩ以下であることが好ましい。
また、導電部１１の厚み方向における電気抵抗は、当該導電部１１を厚み方向に１０〜２０ｇｆの荷重で加圧した状態において、１００ｍΩ以下であることが好ましい。
このような異方導電性シート１０は、例えば次のようにして製造することができる。
図３は、本発明によって得られる異方導電性シート１０を製造するために用いられる金型の一例における構成を示す説明用断面図である。この金型は、上型５０およびこれと対となる下型５５が、枠状のスペーサー５４を介して互いに対向するよう配置されて構成され、上型５０の下面と下型５５の上面との間にキャビティが形成されている。
上型５０においては、基板５１の下面に、目的とする異方導電性シート１０の導電部１１の配置パターンに対掌なパターンに従って強磁性体層５２が形成され、この強磁性体層５２以外の個所には、当該強磁性体層５２の厚みより大きい厚みを有する非磁性体層５３が形成されている。
一方、下型５５においては、基板５６の上面に、目的とする異方導電性シート１０の導電部１１の配置パターンと同一のパターンに従って強磁性体層５７が形成され、この強磁性体層５７以外の個所には、当該強磁性体層５７の厚みより大きい厚みを有する非磁性体層５８が形成されている。
図３は、本発明によって得られる異方導電性シート１０を製造するために用いられる金型の一例における構成を示す説明用断面図である。この金型は、上型５０およびこれと対となる下型５５が、枠状のスペーサー５４を介して互いに対向するよう配置されて構成され、上型５０の下面と下型５５の上面との間にキャビティが形成されている。
上型５０においては、基板５１の下面に、目的とする異方導電性シート１０の導電部１１の配置パターンに対掌なパターンに従って強磁性体層５２が形成され、この強磁性体層５２以外の個所には、当該強磁性体層５２の厚みより大きい厚みを有する非磁性体層５３が形成されている。
一方、下型５５においては、基板５６の上面に、目的とする異方導電性シート１０の導電部１１の配置パターンと同一のパターンに従って強磁性体層５７が形成され、この強磁性体層５７以外の個所には、当該強磁性体層５７の厚みより大きい厚みを有する非磁性体層５８が形成されている。
上型５０および下型５５の各々における基板５１，５６を構成する材料としては、鉄、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属、アルミニウムなどの非磁性金属、セラミックスなどを用いることができるが、強磁性金属を用いることが好ましい。この基板５１，５６は、その厚みが０．１〜５０ｍｍであることが好ましく、表面が平滑で、化学的に脱脂処理され、また、機械的に研磨処理されたものであることが好ましい。
また、上型５０および下型５５の各々における強磁性体層５２，５７を構成する材料としては、鉄、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属を用いることができる。この強磁性体層５２，５７は、その厚みが１０μｍ以上であることが好ましい。この厚みが１０μｍ未満である場合には、金型内に形成されるシート成形材料層に対して、十分な強度分布を有する磁場を作用させることが困難となり、この結果、当該シート成形材料層における導電部を形成すべき部分に導電性粒子を高密度に集合させることが困難となるため、良好な異方導電性を有するシートが得られないことがある。
また、上型５０および下型５５の各々における非磁性体層５３，５８を構成する材料としては、銅などの非磁性金属、耐熱性を有する高分子物質などを用いることができるが、フォトリソグラフィーの手法により容易に非磁性体層５３，５８を形成することができる点で、放射線によって硬化された高分子物質を用いることが好ましく、その材料としては、例えばアクリル系のドライフィルムレジスト、エポキシ系の液状レジスト、ポリイミド系の液状レジストなどのフォトレジストを用いることができる。
また、非磁性体層５３，５８の厚みは、強磁性体層５２，５７の厚み、目的とする異方導電性シート１０の導電部１１の突出高さに応じて設定される。
また、非磁性体層５３，５８の厚みは、強磁性体層５２，５７の厚み、目的とする異方導電性シート１０の導電部１１の突出高さに応じて設定される。
そして、上記の金型を用い、次のようにして異方導電性シート１０が製造される。
先ず、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質用材料中に、磁性を示す特定の導電性粒子Ｐが分散された導電性ペースト組成物よりなるシート成形材料を調製し、図４に示すように、このシート成形材料を金型のキャビティ内に注入してシート成形材料層１０Ａを形成する。
次いで、上型５０における基板５１の上面および下型５５における基板５６の下面に、例えば一対の電磁石を配置し、当該電磁石を作動させることにより、強度分布を有する平行磁場、すなわち上型５０の強磁性層５２とこれに対応する下型５５の強磁性体層５７との間において大きい強度を有する平行磁場をシート成形材料層１０Ａの厚み方向に作用させる。その結果、シート成形材料層１０Ａにおいては、図５に示すように、当該シート成形材料層１０Ａ中に分散されていた特定の導電性粒子Ｐが、上型５０の強磁性体層５２とこれに対応する下型５５の強磁性体層５７との間に位置する導電部形成部分１１Ａに集合すると共に、厚み方向に並ぶよう配向する。
先ず、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質用材料中に、磁性を示す特定の導電性粒子Ｐが分散された導電性ペースト組成物よりなるシート成形材料を調製し、図４に示すように、このシート成形材料を金型のキャビティ内に注入してシート成形材料層１０Ａを形成する。
次いで、上型５０における基板５１の上面および下型５５における基板５６の下面に、例えば一対の電磁石を配置し、当該電磁石を作動させることにより、強度分布を有する平行磁場、すなわち上型５０の強磁性層５２とこれに対応する下型５５の強磁性体層５７との間において大きい強度を有する平行磁場をシート成形材料層１０Ａの厚み方向に作用させる。その結果、シート成形材料層１０Ａにおいては、図５に示すように、当該シート成形材料層１０Ａ中に分散されていた特定の導電性粒子Ｐが、上型５０の強磁性体層５２とこれに対応する下型５５の強磁性体層５７との間に位置する導電部形成部分１１Ａに集合すると共に、厚み方向に並ぶよう配向する。
そして、この状態において、シート成形材料層１０Ａを硬化処理することにより上型５０の強磁性層５２とこれに対応する下型５５の強磁性体層５７との間に配置された、弾性高分子物質中に特定の導電性粒子Ｐが密に充填された導電部１１と、特定の導電性粒子が全くあるいは殆ど存在しない弾性高分子物質よりなる絶縁部１２とを有する異方導電性シート１０が製造される。
以上において、シート成形材料層１０Ａの硬化処理は、平行磁場を作用させたままの状態で行うこともできるが、平行磁場の作用を停止させた後に行うこともできる。
シート成形材料１０Ａに作用される平行磁場の強度は、平均で０．１〜２Ｔとなる大きさが好ましい。
また、シート成形材料層１０Ａに平行磁場を作用させる手段としては、電磁石の代わりに永久磁石を用いることもできる。永久磁石としては、上記の範囲の平行磁場の強度が得られる点で、アルニコ（Ｆｅ−Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金）、フェライトなどよりなるものが好ましい。
シート成形材料層１０Ａの硬化処理は、使用される材料によって適宜選定されるが、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、シート成形材料層１０Ａを構成する付加型液状シリコーンゴムなどの種類、導電性粒子の移動に要する時間などを考慮して適宜選定される。
シート成形材料１０Ａに作用される平行磁場の強度は、平均で０．１〜２Ｔとなる大きさが好ましい。
また、シート成形材料層１０Ａに平行磁場を作用させる手段としては、電磁石の代わりに永久磁石を用いることもできる。永久磁石としては、上記の範囲の平行磁場の強度が得られる点で、アルニコ（Ｆｅ−Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金）、フェライトなどよりなるものが好ましい。
シート成形材料層１０Ａの硬化処理は、使用される材料によって適宜選定されるが、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、シート成形材料層１０Ａを構成する付加型液状シリコーンゴムなどの種類、導電性粒子の移動に要する時間などを考慮して適宜選定される。
以上のような異方導電性シート１０は、特定の導電性粒子Ｐを含有してなる導電部１１を有するため、当該導電部１１において高い導電性が得られ、しかも、その導電性について高い再現性が得られる。
このような異方導電性シート１０は、電子計算機、電子式デジタル時計、電子カメラ、コンピューターキーボードなどの分野において、例えばプリント回路基板とリードレスチップキャリアー、液晶パネルなどとの相互間の電気的な接続を達成するためのコネクターとして好適なものであり、また、プリント回路基板、半導体集積回路装置、表面に多数の集積回路が形成されたウエハなどの回路装置の電気的検査において、検査対象である回路装置の一面に形成された被検査電極と、検査用回路基板の表面に形成された検査用電極との電気的な接続を達成するためコネクターとして好適なものである。
このような異方導電性シート１０は、電子計算機、電子式デジタル時計、電子カメラ、コンピューターキーボードなどの分野において、例えばプリント回路基板とリードレスチップキャリアー、液晶パネルなどとの相互間の電気的な接続を達成するためのコネクターとして好適なものであり、また、プリント回路基板、半導体集積回路装置、表面に多数の集積回路が形成されたウエハなどの回路装置の電気的検査において、検査対象である回路装置の一面に形成された被検査電極と、検査用回路基板の表面に形成された検査用電極との電気的な接続を達成するためコネクターとして好適なものである。
〔回路基板〕
本発明の回路基板は、上記の導電性金属粒子および／または上記の導電性複合金属粒子が含有されてなる導電体を有するものである。
図６は、本発明に係る回路基板の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。この回路基板は、多層プリント回路基板であって、第１絶縁層２０、第２絶縁層３０および第３絶縁層４０が上からこの順で積重されて構成されている。第１絶縁層２０の上面には上面配線層２１が形成され、第３絶縁層４０の下面には下面配線層４１が形成されており、第１絶縁層２０と第２絶縁層３０との間には、第１内部配線層２６が形成され、第２絶縁層３０と第３絶縁層４０との間には、第２内部配線層３６が形成されている。
本発明の回路基板は、上記の導電性金属粒子および／または上記の導電性複合金属粒子が含有されてなる導電体を有するものである。
図６は、本発明に係る回路基板の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。この回路基板は、多層プリント回路基板であって、第１絶縁層２０、第２絶縁層３０および第３絶縁層４０が上からこの順で積重されて構成されている。第１絶縁層２０の上面には上面配線層２１が形成され、第３絶縁層４０の下面には下面配線層４１が形成されており、第１絶縁層２０と第２絶縁層３０との間には、第１内部配線層２６が形成され、第２絶縁層３０と第３絶縁層４０との間には、第２内部配線層３６が形成されている。
第１絶縁層２０、第２絶縁層３０および第３絶縁層３０の各々には、その厚み方向に伸びるよう、第１層間短絡部２５、第２層間短絡部３５および第３層間短絡部４５が設けられており、第１層間短絡部２５によって上面配線層２１と第１内部配線層２６とが電気的に接続され、第２層間短絡部３５によって第１内部配線層２６と第２内部配線層３６とが電気的に接続され、第３層間短絡部４５によって第２内部配線層３６と下面配線層４１とが電気的に接続されている。
第１絶縁層２０、第２絶縁層３０および第３絶縁層３０の各々を構成する材料としては、耐熱性の高い絶縁性樹脂材料を用いることが好ましく、その具体例としては、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型フェノール樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂、ガラス繊維補強型アラミド樹脂などが挙げられる。
第１層間短絡部２５、第２層間短絡部３５および第３層間短絡部４５の各々は、有機高分子物質中に特定の導電性粒子Ｐが含有されてなる導電体によって構成され、この例においては、特定の導電性粒子Ｐは、各絶縁層の厚み方向に並ぶよう配向した状態で有機高分子物質に結着されている。
第１層間短絡部２５、第２層間短絡部３５および第３層間短絡部４５の各々を構成する有機高分子物質としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂などの熱硬化性樹脂、シリコーンゴム、ウレタンゴムなどの液状ゴムの硬化物を用いることができる。
第１層間短絡部２５、第２層間短絡部３５および第３層間短絡部４５の各々 においては、特定の導電性粒子Ｐが体積分率で３０〜６０％、好ましくは３５〜５０％となる割合で含有されていることが好ましい。この割合が３０％未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい層間短絡部が得られないことがある。一方、この割合が６０％を超える場合には、得られる層間短絡部は脆弱なものとなって、必要な強度および耐久性が得られないことがある。
上記の回路基板は、以下のようにして製造することができる。
図７に示すように、半硬化状態の熱硬化性樹脂材料よりなるシート状の第２絶縁層形成材（第２絶縁層３０を形成するための材料）３０Ａを用意し、図８に示すように、この第２絶縁層形成材３０Ａにおける第２層間短絡部を形成すべき個所に、当該第２絶縁層形成材３０Ａの厚み方向に貫通する貫通孔３５Ｈを形成する。
次いで、第２絶縁層形成材３０Ａに形成された貫通孔３５Ｈ内に、液状の熱硬化性樹脂材料中に磁性を示す特定の導電性粒子Ｐが含有された導電性ペースト組成物よりなる短絡部形成材料を充填した後、当該短絡部形成材料の加熱処理を行うことにより、図９に示すように、第２絶縁層形成材３０Ａの貫通孔３５Ｈ内に短絡部形成材料層３５Ａを形成する。この短絡部形成材料層３５Ａは、当該短絡部形成材料層３５Ａの形態が維持され、かつ、磁場を作用させることにより、当該短絡部形成材料層３５Ａ中において特定の導電性粒子Ｐを移動させることが可能な程度に硬化された半硬化状態である。
図７に示すように、半硬化状態の熱硬化性樹脂材料よりなるシート状の第２絶縁層形成材（第２絶縁層３０を形成するための材料）３０Ａを用意し、図８に示すように、この第２絶縁層形成材３０Ａにおける第２層間短絡部を形成すべき個所に、当該第２絶縁層形成材３０Ａの厚み方向に貫通する貫通孔３５Ｈを形成する。
次いで、第２絶縁層形成材３０Ａに形成された貫通孔３５Ｈ内に、液状の熱硬化性樹脂材料中に磁性を示す特定の導電性粒子Ｐが含有された導電性ペースト組成物よりなる短絡部形成材料を充填した後、当該短絡部形成材料の加熱処理を行うことにより、図９に示すように、第２絶縁層形成材３０Ａの貫通孔３５Ｈ内に短絡部形成材料層３５Ａを形成する。この短絡部形成材料層３５Ａは、当該短絡部形成材料層３５Ａの形態が維持され、かつ、磁場を作用させることにより、当該短絡部形成材料層３５Ａ中において特定の導電性粒子Ｐを移動させることが可能な程度に硬化された半硬化状態である。
以上において、第２絶縁層形成材３０Ａに貫通孔３５Ｈを形成する手段としては、レーザー加工による手段、ドリル加工による手段、プレス加工による手段などを利用することができる。
第２絶縁層形成材３０Ａの貫通孔３５Ｈ内に短絡部形成材料を充填する手段としては、スクリーン印刷などの印刷法、ロール圧入法などを利用することができる。
短絡部形成材料の加熱処理は、第２絶縁層形成材３０Ａの硬化が進行しない条件下で行われる。加熱処理の具体的な条件は、第２絶縁層形成材３０Ａおよび短絡部形成材料の種類に応じて適宜設定されるが、通常、加熱温度が８０〜１００℃、加熱時間が２０〜６０分間である。
第２絶縁層形成材３０Ａの貫通孔３５Ｈ内に短絡部形成材料を充填する手段としては、スクリーン印刷などの印刷法、ロール圧入法などを利用することができる。
短絡部形成材料の加熱処理は、第２絶縁層形成材３０Ａの硬化が進行しない条件下で行われる。加熱処理の具体的な条件は、第２絶縁層形成材３０Ａおよび短絡部形成材料の種類に応じて適宜設定されるが、通常、加熱温度が８０〜１００℃、加熱時間が２０〜６０分間である。
そして、図１０に示すように、第２絶縁層形成材料３０Ａの上面および下面の各々に例えば銅よりなる金属箔２６Ｂ，３６Ｂを配置した後、金属箔２６Ｂ、第２絶縁層形成材３０Ａおよび金属箔３６Ｂをその厚み方向に加圧することにより、第２絶縁層形成材３０Ａおよび短絡部形成材料層３５Ａが厚み方向に圧縮された状態で、短絡部形成材料層３５Ａに対してその厚み方向に平行磁場を作用させながら、第２絶縁層形成材料３０Ａおよび短絡部形成材料層３５Ａの加熱処理を行う。
具体的には、図１１に示すように、金属箔２６Ｂの上面および金属箔３６Ｂの下面に強磁性体よりなる磁極板６０，６５を配置し、更に磁極板６０の上面および磁極板６５の下面に一対の電磁石６１，６６を配置し、金属箔２６Ｂ、第２絶縁層形成材料３０Ａおよび金属箔３６Ｂをその厚み方向に加圧した状態で、電磁石６１，６６を作動させることにより、短絡部形成材料層３５Ａの厚み方向に平行磁場を作用させる共に、第２絶縁層形成材３０Ａおよび短絡部形成材料層３５Ａに対して加熱処理を行う。
具体的には、図１１に示すように、金属箔２６Ｂの上面および金属箔３６Ｂの下面に強磁性体よりなる磁極板６０，６５を配置し、更に磁極板６０の上面および磁極板６５の下面に一対の電磁石６１，６６を配置し、金属箔２６Ｂ、第２絶縁層形成材料３０Ａおよび金属箔３６Ｂをその厚み方向に加圧した状態で、電磁石６１，６６を作動させることにより、短絡部形成材料層３５Ａの厚み方向に平行磁場を作用させる共に、第２絶縁層形成材３０Ａおよび短絡部形成材料層３５Ａに対して加熱処理を行う。
以上において、磁極板６０，６５を構成する強磁性体としては、鉄、ニッケル、コバルトまたはこれらの合金などを用いることができる。
金属箔２６Ｂ、第２絶縁層形成材料３０Ａおよび金属箔３６Ｂの加圧条件は、通常、５〜５０ｋｇ／ｃｍ2 である。
短絡部形成材料層３５Ａに作用される平行磁場の強度は、平均で０．１〜２Ｔとなる大きさが好ましい。また、平行磁場を作用させる手段としては、電磁石の代わりに永久磁石を用いることもできる。このような永久磁石としては、上記の範囲の平行磁場の強度が得られる点で、アルニコ（Ｆｅ−Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金）、フェライトなどよりなるものが好ましい。
加熱処理の条件は、第２絶縁層形成材料３０Ａおよび短絡部形成材料の種類に応じて適宜選定されるが、通常、加熱温度が１５０〜１８０℃、加熱時間が１〜４時間である。
金属箔２６Ｂ、第２絶縁層形成材料３０Ａおよび金属箔３６Ｂの加圧条件は、通常、５〜５０ｋｇ／ｃｍ2 である。
短絡部形成材料層３５Ａに作用される平行磁場の強度は、平均で０．１〜２Ｔとなる大きさが好ましい。また、平行磁場を作用させる手段としては、電磁石の代わりに永久磁石を用いることもできる。このような永久磁石としては、上記の範囲の平行磁場の強度が得られる点で、アルニコ（Ｆｅ−Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金）、フェライトなどよりなるものが好ましい。
加熱処理の条件は、第２絶縁層形成材料３０Ａおよび短絡部形成材料の種類に応じて適宜選定されるが、通常、加熱温度が１５０〜１８０℃、加熱時間が１〜４時間である。
以上のように、短絡部形成材料層３５Ａの厚み方向に平行磁場を作用させることにより、短絡部形成材料層３５Ａ中に分散されていた特定の導電性粒子Ｐが当該短絡部形成材料層３５Ａの厚み方向に並ぶよう配向すると共に、加熱処理によって第２絶縁層形成材３０Ａおよび短絡部形成材料層３５Ａが硬化されることにより、図１２に示すように、第２絶縁層３０および第２層間短絡部３５が形成され、更に、金属箔２６Ｂ，３６Ｂが第２絶縁層３０の上面および下面に一体的に被着され、以て、金属薄層２６Ａ、第２絶縁層３０および金属薄層３６Ａが上からこの順で積層されてなる積層体が得られる。
そして、図１３に示すように、第２絶縁層３０の上面および下面の金属薄層２６Ａ，３６Ａ上に、第１内部配線層および第２内部配線層となる部分を覆うようレジスト層３３，３４を形成し、エッチング処理によって金属薄層２６Ａ，３６Ａにおける露出した部分を除去することにより、図１４に示すように、第２絶縁層２０とレジスト層３３，３４との間に第１内部配線層２６および第２内部配線層３６が形成され、以て、第２の絶縁層３０の両面に第１内部配線層２６および第２内部配線層３６を有してなる中間体基板７が得られる。その後、この中間体基板７における第１内部配線層２６および第２内部配線層３６の表面からレジスト層３３，３４を除去する。
一方、図１５に示すように、半硬化状態の熱硬化性樹脂材料よりなるシート状の第１絶縁層形成材（第１絶縁層を形成するための材料）２０Ａに形成された貫通孔２５Ｈ内に、短絡部形成材料層２５Ａが形成されてなる第１絶縁層用中間材８（図１５（イ）に示す）と、半硬化状態の熱硬化性樹脂材料よりなるシート状の第３絶縁層形成材（第３絶縁層を形成するための材料）４０Ａに形成された貫通孔４５Ｈ内に、短絡部形成材料層４５Ａが形成されてなる第３絶縁層用中間体９（図１５（ロ）に示す）とを製造する。第１絶縁層形成材２０Ａおよび第３絶縁層形成材４０Ａにおける短絡部形成材料層２５Ａ，４５Ａを形成する方法は、前述の第２絶縁層形成材３０Ａに短絡部形成材料層３５Ａを形成する方法に準じて行うことができる。
次いで、図１６に示すように、中間体基板７の上面に第１絶縁層用中間材８を配置し、更に、この第１絶縁層用中間材８の上面に金属箔２１Ｂを配置すると共に、中間体基板７の下面に第３絶縁層用中間材９を配置し、更に 第３絶縁層用中間材９の下面に金属箔４１Ｂを配置する。
そして、金属箔２１Ｂ、第１絶縁層用中間材８、中間体基板７、第３絶縁層用中間材９および金属箔４１Ｂをその厚み方向に加圧した状態で、短絡部形成材料層２５Ａおよび短絡部形成材料層４５Ａに対してその厚み方向に平行磁場を作用させながら、第１絶縁層形成材料２０Ａ、第３絶縁層形成材料４０Ａ、短絡部形成材料層２５Ａおよび短絡部形成材料層４５Ａの加熱処理を行う。これにより、図１７に示すように、第１絶縁層２０、第３絶縁層４０、第１層間短絡部２５および第３層間短絡部４５が形成され、更に、第２絶縁層３０の上面および下面に第１絶縁層２０および第３絶縁層４０が一体的に被着されると共に、金属箔２１Ｂ，４１Ｂが第１絶縁層２０の上面および第３絶縁層４０の下面に一体的に被着され、以て、金属薄層２１Ａ、第１絶縁層２０、第２絶縁層３０、第３絶縁層４０および金属薄層４１Ａが上からこの順で積層されてなる積層体が得られる。
そして、金属箔２１Ｂ、第１絶縁層用中間材８、中間体基板７、第３絶縁層用中間材９および金属箔４１Ｂをその厚み方向に加圧した状態で、短絡部形成材料層２５Ａおよび短絡部形成材料層４５Ａに対してその厚み方向に平行磁場を作用させながら、第１絶縁層形成材料２０Ａ、第３絶縁層形成材料４０Ａ、短絡部形成材料層２５Ａおよび短絡部形成材料層４５Ａの加熱処理を行う。これにより、図１７に示すように、第１絶縁層２０、第３絶縁層４０、第１層間短絡部２５および第３層間短絡部４５が形成され、更に、第２絶縁層３０の上面および下面に第１絶縁層２０および第３絶縁層４０が一体的に被着されると共に、金属箔２１Ｂ，４１Ｂが第１絶縁層２０の上面および第３絶縁層４０の下面に一体的に被着され、以て、金属薄層２１Ａ、第１絶縁層２０、第２絶縁層３０、第３絶縁層４０および金属薄層４１Ａが上からこの順で積層されてなる積層体が得られる。
そして、図１８に示すように、第１絶縁層２０の上面および第３絶縁層４０の下面の金属薄層２１Ａ，４１Ａ上に、上面配線層および下面配線層となる部分を覆うようレジスト層２２，４２を形成し、エッチング処理によって金属薄層２１Ａ，４１Ａにおける露出した部分を除去することにより、図１９に示すように、第１絶縁層２０とレジスト層２２との間に上面配線層２１が形成されると共に、第３絶縁層４０とレジスト層４２との間に下面配線層４１が形成される。その後、レジスト層２２，４２を除去することにより、図６に示す構成の回路基板が得られる。
このような回路基板によれば、第１層間短絡部２５、第２層間短絡部３５および第３層間短絡部４５の各々が、特定の導電性粒子Ｐを含有してなるものであるため、当該層間短絡部において高い導電性が得られると共に、その導電性について高い再現性が得られ、従って、高い接続信頼性が得られる。
また、特定の導電性粒子Ｐが各絶縁層の厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されているため、各層間短絡部中において当該特定の導電性粒子Ｐの連鎖による導電路が形成される結果、一層高い導電性が得られる。
また、第１層間短絡部２５、第２層間短絡部３５および第３層間短絡部４５の各々の形成においては、導電性ペースト組成物よりなる短絡部形成材料を使用するため、フォトリソグラフィーを行うことが不要であり、従って、簡単な工程により、第１層間短絡部２５、第２層間短絡部３５および第３層間短絡部４５を形成することができ、しかも、化学薬品を使用しないため、更に高い接続信頼性が得られる。
また、各層間短絡部を構成する特定の導電性粒子Ｐとして磁性を示すものを用いることにより、短絡部形成材料層２５Ａ，３５Ａ，４５Ａに磁場を作用させることによって、当該特定の導電性粒子Ｐを容易に絶縁層の厚み方向に並ぶよう配向させることができる。
また、加圧下において、各短絡部形成材料層に磁場を作用させながら、各絶縁層形成材および各短絡部形成材料層の加熱処理を行うことにより、特定の導電性粒子Ｐを確実に絶縁層の厚み方向に並ぶよう配向させることができる。
また、特定の導電性粒子Ｐが各絶縁層の厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されているため、各層間短絡部中において当該特定の導電性粒子Ｐの連鎖による導電路が形成される結果、一層高い導電性が得られる。
また、第１層間短絡部２５、第２層間短絡部３５および第３層間短絡部４５の各々の形成においては、導電性ペースト組成物よりなる短絡部形成材料を使用するため、フォトリソグラフィーを行うことが不要であり、従って、簡単な工程により、第１層間短絡部２５、第２層間短絡部３５および第３層間短絡部４５を形成することができ、しかも、化学薬品を使用しないため、更に高い接続信頼性が得られる。
また、各層間短絡部を構成する特定の導電性粒子Ｐとして磁性を示すものを用いることにより、短絡部形成材料層２５Ａ，３５Ａ，４５Ａに磁場を作用させることによって、当該特定の導電性粒子Ｐを容易に絶縁層の厚み方向に並ぶよう配向させることができる。
また、加圧下において、各短絡部形成材料層に磁場を作用させながら、各絶縁層形成材および各短絡部形成材料層の加熱処理を行うことにより、特定の導電性粒子Ｐを確実に絶縁層の厚み方向に並ぶよう配向させることができる。
本発明においては、層間短絡部を構成する有機高分子物質として、弾性率の低い熱硬化性樹脂やゴムを用いることにより、以下のような効果が得られる。すなわち、材質の異なる絶縁層が積層された多層プリント回路基板を構成する場合には、各絶縁層を構成する材料の熱膨張係数の差に起因して層間短絡部にストレスが生じても、当該ストレスを層間短絡部の弾性力によって緩和することができる。
このような回路基板は、チップキャリアやＭＣＭなどの電子部品を構成するための電子部品用回路基板、例えばマザーボードなどの電子部品搭載用回路基板、または回路装置の電気的検査に用いられるアダプターとして好適なものである。
〔導電接続構造体〕
図２０は、本発明に係る導電接続構造体の一例における構成を示す説明用断面図である。この導電接続構造体においては、上記の導電性ペースト組成物によって得られる接続部材７０により、電子部品７１が回路基板７３上に固定されていると共に、当該電子部品７１の電極７２が回路基板７３の電極７４に電気的に接続されている。
電子部品７１としては、特に限定されず種々のものを用いることができ、例えば、トランジスタ、ダイオード、リレー、スイッチ、ＩＣチップ若しくはＬＳＩチップまたはそれらのパッケージ或いはＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ）などの半導体装置からなる能動部品、抵抗、コンデンサ、水晶振動子、スピーカー、マイクロフォン、変成器（コイル）、インダクタンスなどの受動部品、ＴＦＴ型液晶表示パネル、ＳＴＮ型液晶表示パネル、プラズマディスプレイパネル、エレクトロルミネッセンスパネルなどの表示パネルなどが挙げられる。 回路基板７３としては、片面プリント回路基板、両面プリント回路基板、多層プリント回路基板など種々の構造のものを用いることができる。また、回路基板７３は、フレキシブル基板、リジッド基板、これらを組み合わせたフレックス・リジッド基板のいずれであってもよい。
図２０は、本発明に係る導電接続構造体の一例における構成を示す説明用断面図である。この導電接続構造体においては、上記の導電性ペースト組成物によって得られる接続部材７０により、電子部品７１が回路基板７３上に固定されていると共に、当該電子部品７１の電極７２が回路基板７３の電極７４に電気的に接続されている。
電子部品７１としては、特に限定されず種々のものを用いることができ、例えば、トランジスタ、ダイオード、リレー、スイッチ、ＩＣチップ若しくはＬＳＩチップまたはそれらのパッケージ或いはＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ）などの半導体装置からなる能動部品、抵抗、コンデンサ、水晶振動子、スピーカー、マイクロフォン、変成器（コイル）、インダクタンスなどの受動部品、ＴＦＴ型液晶表示パネル、ＳＴＮ型液晶表示パネル、プラズマディスプレイパネル、エレクトロルミネッセンスパネルなどの表示パネルなどが挙げられる。 回路基板７３としては、片面プリント回路基板、両面プリント回路基板、多層プリント回路基板など種々の構造のものを用いることができる。また、回路基板７３は、フレキシブル基板、リジッド基板、これらを組み合わせたフレックス・リジッド基板のいずれであってもよい。
フレキシブル基板を構成する材料としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリスルホン等を用いることができる。
リジッド基板を構成する材料としては、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型フェノール樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂等の複合樹脂材料、二酸化珪素、アルミナ等のセラミック材料を用いることができる。
リジッド基板を構成する材料としては、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型フェノール樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂等の複合樹脂材料、二酸化珪素、アルミナ等のセラミック材料を用いることができる。
電子部品７１の電極７２および回路基板７３の電極７４の材質としては、例えば金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、カーボン、アルミニウム、ＩＴＯ等が挙げられる。
また、電子部品７１の電極７２および回路基板７３の電極７４の厚みは、それぞれ０．１〜１００μｍであることが好ましい。
また、電子部品７１の電極７２および回路基板７３の電極７４の幅は、１〜５００μｍであることが好ましい。
また、電子部品７１の電極７２および回路基板７３の電極７４の厚みは、それぞれ０．１〜１００μｍであることが好ましい。
また、電子部品７１の電極７２および回路基板７３の電極７４の幅は、１〜５００μｍであることが好ましい。
このような導電接続構造体は、電子部品７１および回路基板７３のいずれか一方または両方の表面に、上記の導電性ペースト組成物を塗布し、次いで、回路基板７３の表面上に電子部品７１を位置合わせした状態で配置し、その後、当該導電性ペースト組成物に対して硬化処理または乾燥処理を行うことにより、或いは、導電性ペースト組成物をフィルム状に成形した後に半硬化状態とし、これを電子部品７１と回路基板７３との間に配置して硬化処理を行うことにより、製造することができる。
また、特定の導電性粒子として磁性を示すものを用いる場合には、導電性ペースト組成物の硬化処理または乾燥処理を行う前に或いは行いながら、その厚み方向に磁場を作用させることにより、当該特定の導電性粒子を厚み方向に並ぶよう配向させることができ、これにより、導電性が一層高い電気的接続を達成することができる。
また、特定の導電性粒子として磁性を示すものを用いる場合には、導電性ペースト組成物の硬化処理または乾燥処理を行う前に或いは行いながら、その厚み方向に磁場を作用させることにより、当該特定の導電性粒子を厚み方向に並ぶよう配向させることができ、これにより、導電性が一層高い電気的接続を達成することができる。
図２１は、本発明に係る導電接続構造体の他の例における構成を示す説明用断面図である。この導電接続構造体においては、電子部品７１が、例えば図２に示す構成の異方導電性シート１０を介して回路基板７３上に配置され、当該異方導電性シート１０が当該電子部品７１および当該回路基板７３に挟圧された状態で固定部材７５によって固定されており、異方導電性シート１０の導電部（図示せず）によって電子部品７１の電極７２が回路基板７３の電極７４に電気的に接続されている。
以上のような導電接続構造体によれば、上記の導電性ペースト組成物によって形成された接続部材７０を介して、或いは上記の異方導電性シート１０を介して接続されているため、電子部品７１と回路基板７３との間において、導電性が高く、かつ、その再現性が高い電気的接続を達成することができる。
〔回路装置の電気的検査装置〕
図２２は、本発明の導電性金属粒子および／または導電性複合金属粒子から得られる導電性シートを用いた回路装置の電気的検査装置の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。
この図において、８０は、プリント回路基板よりなるアダプターであってその表面（図において上面）には、被検査回路装置７６の被検査電極７７に対応するパターンに従って検査用電極８１が形成されている。このアダプター８０には、当該アダプター８０の表面に対して垂直に伸びる複数の位置決めピン８３が設けられている。
１５はシート状のコネクターであって、図２に示す構成の異方導電性シート１０と、この異方導電性シート１０の周辺部を支持する枠状の支持板１６とにより構成されている。この支持板１６には、位置決めピン８３に対応して位置決め孔１７が形成されている。このコネクター１５は、その支持板１６の位置決め孔１７に位置決めピン８３が挿通されて位置決めされた状態で、アダプター８０の表面上に配置されている。
８５は、被検査回路装置７６を保持する保持板であって、その中央部に被検査回路装置７６が配置される開口８６が形成され、その周辺部に位置決めピン８３に対応して位置決め孔８７が形成されている。この保持板８５は、その位置決め孔８７に位置決めピン８３が摺動可能に挿通されて位置決めされた状態で、シート状コネクター１５の上方に配置されている。
図２２は、本発明の導電性金属粒子および／または導電性複合金属粒子から得られる導電性シートを用いた回路装置の電気的検査装置の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。
この図において、８０は、プリント回路基板よりなるアダプターであってその表面（図において上面）には、被検査回路装置７６の被検査電極７７に対応するパターンに従って検査用電極８１が形成されている。このアダプター８０には、当該アダプター８０の表面に対して垂直に伸びる複数の位置決めピン８３が設けられている。
１５はシート状のコネクターであって、図２に示す構成の異方導電性シート１０と、この異方導電性シート１０の周辺部を支持する枠状の支持板１６とにより構成されている。この支持板１６には、位置決めピン８３に対応して位置決め孔１７が形成されている。このコネクター１５は、その支持板１６の位置決め孔１７に位置決めピン８３が挿通されて位置決めされた状態で、アダプター８０の表面上に配置されている。
８５は、被検査回路装置７６を保持する保持板であって、その中央部に被検査回路装置７６が配置される開口８６が形成され、その周辺部に位置決めピン８３に対応して位置決め孔８７が形成されている。この保持板８５は、その位置決め孔８７に位置決めピン８３が摺動可能に挿通されて位置決めされた状態で、シート状コネクター１５の上方に配置されている。
ここで、検査対象である被検査回路装置７６としては、ウエハ、半導体チップ、ＢＧＡ、ＣＳＰ等のパッケージ、ＭＣＭ等のモジュール、片面プリント回路基板、両面プリント回路基板、多層プリント回路基板等の回路基板などが挙げられる。
このような電気的検査装置においては、保持板８５の開口８６に被検査回路装置７６が固定され、次いで、被検査回路装置７６をコネクター１５に接近する方向（図において下方）に移動させることにより、コネクター１５における異方導電性シート１０が被検査回路装置７６とアダプター８０とにより加圧された状態となり、その結果、異方導電性シート１０の導電部１１によって被検査回路装置７６の被検査電極７７とアダプター８０の検査用電極８１との間の電気的接続が達成される。
そして、この状態で、或いは被検査回路装置７６における潜在的欠陥を発現させるため、環境温度を所定の温度例えば１５０℃に上昇させた状態で、当該被検査回路装置７６について所要の電気的検査が行われる。
そして、この状態で、或いは被検査回路装置７６における潜在的欠陥を発現させるため、環境温度を所定の温度例えば１５０℃に上昇させた状態で、当該被検査回路装置７６について所要の電気的検査が行われる。
以上のような回路装置の電気的検査装置によれば、上記の異方導電性シート１０を有するため、被検査回路装置７６に対して、導電性が高く、かつ、その再現性が高い電気的接続を達成することができ、従って、信頼性の高い電気的検査を行うことができる。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
〔導電性金属粒子［Ａ］の調製〕
市販のニッケル粒子（Ｗｅｓｔａｉｍ社製，「ＦＣ１０００」）を用い、以下のようにして本発明に係る導電性金属粒子［Ａ］を調製した。
日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイア ＴＣ−１５Ｎ」によって、ニッケル粒子２ｋｇを、比重が８．９、風量が２．５ｍ3 ／ｍｉｎ、ローター回転数が２２５０ｒｐｍ、分級点が１５μｍ、ニッケル粒子の供給速度が５０ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理し、ニッケル粒子１．１ｋｇを捕集し、更に、このニッケル粒子１．１ｋｇを、比重が８．９、風量が２．５ｍ3 ／ｍｉｎ、ローター回転数が３７５０ｒｐｍ、分級点が７μｍ、ニッケル粒子の供給速度が５０ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理し、ニッケル粒子０．８ｋｇを捕集した。
次いで、筒井理化学機器株式会社製の音波ふるい器「ＳＷ−２０ＡＴ形」によって、空気分級機によって分級されたニッケル粒子５００ｇを更に分級処理した。具体的には、それぞれ直径が２００ｍｍで、開口径が３２μｍ、２０μｍ、１２．５μｍおよび８μｍの４つのふるいを上からこの順で４段に重ね合わせ、ふるいの各々に直径が２ｍｍのセラミックボール１０ｇを投入し、最上段のふるい（開口径が３２μｍ）にニッケル粒子２０ｇを投入し、１１２Ｈｚで１５分間および２２４Ｈｚで１５分間の条件で分級処理し、最下段のふるい（開口径が８μｍ）に捕集されたニッケル粒子を回収した。この操作を合計で２５回行うことにより、本発明に係る導電性金属粒子［Ａ］１１０ｇを調製した。
得られた導電性金属粒子［Ａ］は、数平均粒子径が１０μｍ、粒子径の変動係数が１０％、ＢＥＴ比表面積が０．５×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．０５質量％、酸素元素濃度が０．０２質量％、炭素元素濃度が０．０３質量％、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ2 であった。
市販のニッケル粒子（Ｗｅｓｔａｉｍ社製，「ＦＣ１０００」）を用い、以下のようにして本発明に係る導電性金属粒子［Ａ］を調製した。
日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイア ＴＣ−１５Ｎ」によって、ニッケル粒子２ｋｇを、比重が８．９、風量が２．５ｍ3 ／ｍｉｎ、ローター回転数が２２５０ｒｐｍ、分級点が１５μｍ、ニッケル粒子の供給速度が５０ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理し、ニッケル粒子１．１ｋｇを捕集し、更に、このニッケル粒子１．１ｋｇを、比重が８．９、風量が２．５ｍ3 ／ｍｉｎ、ローター回転数が３７５０ｒｐｍ、分級点が７μｍ、ニッケル粒子の供給速度が５０ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理し、ニッケル粒子０．８ｋｇを捕集した。
次いで、筒井理化学機器株式会社製の音波ふるい器「ＳＷ−２０ＡＴ形」によって、空気分級機によって分級されたニッケル粒子５００ｇを更に分級処理した。具体的には、それぞれ直径が２００ｍｍで、開口径が３２μｍ、２０μｍ、１２．５μｍおよび８μｍの４つのふるいを上からこの順で４段に重ね合わせ、ふるいの各々に直径が２ｍｍのセラミックボール１０ｇを投入し、最上段のふるい（開口径が３２μｍ）にニッケル粒子２０ｇを投入し、１１２Ｈｚで１５分間および２２４Ｈｚで１５分間の条件で分級処理し、最下段のふるい（開口径が８μｍ）に捕集されたニッケル粒子を回収した。この操作を合計で２５回行うことにより、本発明に係る導電性金属粒子［Ａ］１１０ｇを調製した。
得られた導電性金属粒子［Ａ］は、数平均粒子径が１０μｍ、粒子径の変動係数が１０％、ＢＥＴ比表面積が０．５×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．０５質量％、酸素元素濃度が０．０２質量％、炭素元素濃度が０．０３質量％、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ2 であった。
〔導電性金属粒子［Ｂ］〜導電性金属粒子［Ｇ］の調製〕
空気分級機および音波ふるい器の条件を変更したこと以外は導電性金属粒子［Ａ］の調製と同様にして、下記の導電性金属粒子［Ｂ］〜導電性金属粒子［Ｇ］を調製した。
導電性金属粒子［Ｂ］（本発明）：
数平均粒子径が６５μｍ、粒子径の変動係数が４０％、ＢＥＴ比表面積が０．０３×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．０８質量％、酸素元素濃度が０．２質量％、炭素元素濃度が０．０５質量％、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ2 であるニッケルよりなる導電性金属粒子。
導電性金属粒子［Ｃ］（比較用）：
数平均粒子径が１２０μｍ、粒子径の変動係数が４８％、ＢＥＴ比表面積が０．０２×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．０７質量％、酸素元素濃度が０．２質量％、炭素元素濃度が０．０４質量％、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ2 であるニッケルよりなる導電性金属粒子。
導電性金属粒子［Ｄ］（比較用）：
数平均粒子径が４μｍ、粒子径の変動係数が７％、ＢＥＴ比表面積が０．７×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．０３質量％、酸素元素濃度が０．１質量％、炭素元素濃度が０．０３質量％、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ2 であるニッケルよりなる導電性金属粒子。
導電性金属粒子［Ｅ］（比較用）：
数平均粒子径が５μｍ、粒子径の変動係数が４７％、ＢＥＴ比表面積が０．９×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．０７質量％、酸素元素濃度が０．２質量％、炭素元素濃度が０．０４質量％、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ2 であるニッケルよりなる導電性金属粒子。
導電性金属粒子［Ｆ］（比較用）：
数平均粒子径が７３μｍ、粒子径の変動係数が５８％、ＢＥＴ比表面積が０．０５×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．１質量％、酸素元素濃度が０．６質量％、炭素元素濃度が０．１２質量％、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ2 であるニッケルよりなる導電性金属粒子。
導電性金属粒子［Ｇ］（比較用）：
数平均粒子径が４８μｍ、粒子径の変動係数が３２％、ＢＥＴ比表面積が０．０８×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．１４質量％、酸素元素濃度が０．８質量％、炭素元素濃度が０．１３質量％、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ2 であるニッケルよりなる導電性金属粒子。
空気分級機および音波ふるい器の条件を変更したこと以外は導電性金属粒子［Ａ］の調製と同様にして、下記の導電性金属粒子［Ｂ］〜導電性金属粒子［Ｇ］を調製した。
導電性金属粒子［Ｂ］（本発明）：
数平均粒子径が６５μｍ、粒子径の変動係数が４０％、ＢＥＴ比表面積が０．０３×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．０８質量％、酸素元素濃度が０．２質量％、炭素元素濃度が０．０５質量％、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ2 であるニッケルよりなる導電性金属粒子。
導電性金属粒子［Ｃ］（比較用）：
数平均粒子径が１２０μｍ、粒子径の変動係数が４８％、ＢＥＴ比表面積が０．０２×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．０７質量％、酸素元素濃度が０．２質量％、炭素元素濃度が０．０４質量％、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ2 であるニッケルよりなる導電性金属粒子。
導電性金属粒子［Ｄ］（比較用）：
数平均粒子径が４μｍ、粒子径の変動係数が７％、ＢＥＴ比表面積が０．７×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．０３質量％、酸素元素濃度が０．１質量％、炭素元素濃度が０．０３質量％、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ2 であるニッケルよりなる導電性金属粒子。
導電性金属粒子［Ｅ］（比較用）：
数平均粒子径が５μｍ、粒子径の変動係数が４７％、ＢＥＴ比表面積が０．９×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．０７質量％、酸素元素濃度が０．２質量％、炭素元素濃度が０．０４質量％、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ2 であるニッケルよりなる導電性金属粒子。
導電性金属粒子［Ｆ］（比較用）：
数平均粒子径が７３μｍ、粒子径の変動係数が５８％、ＢＥＴ比表面積が０．０５×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．１質量％、酸素元素濃度が０．６質量％、炭素元素濃度が０．１２質量％、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ2 であるニッケルよりなる導電性金属粒子。
導電性金属粒子［Ｇ］（比較用）：
数平均粒子径が４８μｍ、粒子径の変動係数が３２％、ＢＥＴ比表面積が０．０８×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．１４質量％、酸素元素濃度が０．８質量％、炭素元素濃度が０．１３質量％、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ2 であるニッケルよりなる導電性金属粒子。
〔導電性複合金属粒子［ａ１］の調製〕
粉末メッキ装置の処理槽内に、導電性金属粒子［Ａ］１００ｇを投入し、更に、０．３２Ｎの塩酸水溶液２Ｌを加えて攪拌し、導電性金属粒子［Ａ］を含有するスラリーを得た。このスラリーを常温で３０分間攪拌することにより、導電性金属粒子［Ａ］の酸処理を行い、その後、１分間静置して導電性金属粒子［Ａ］を沈殿させ、上澄み液を除去した。
次いで、酸処理が施された導電性金属粒子［Ａ］に純水２Ｌを加え、常温で２分間攪拌し、その後、１分間静置して導電性金属粒子［Ａ］を沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に２回繰り返すことにより、導電性金属粒子［Ａ］の洗浄処理を行った。
そして、酸処理および洗浄処理が施された導電性金属粒子［Ａ］に、金の含有割合が２０ｇ／Ｌの金メッキ液２Ｌを加え、処理層内の温度を９０℃に昇温して攪拌することにより、スラリーを調製した。この状態で、スラリーを攪拌しながら、導電性金属粒子［Ａ］に対して金の置換メッキを行った。その後、スラリーを放冷しながら静置して粒子を沈殿させ、上澄み液を除去することにより、本発明に係る導電性複合金属粒子［ａ１］を調製した。
このようにして得られた導電性複合金属粒子［ａ１］に純水２Ｌを加え、常温で２分間攪拌し、その後、１分間静置して導電性複合金属粒子［ａ１］を沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に２回繰り返し、その後、９０℃に加熱した純水２Ｌを加えて攪拌し、得られたスラリーを濾紙によって濾過して導電性複合金属粒子［ａ１］を回収した。そして、この導電性複合金属粒子［ａ１］を、９０℃に設定された乾燥機によって乾燥処理した。
得られた導電性複合金属粒子［ａ１］は、数平均粒子径が１５μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．２×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、被覆層の厚みｔが８９ｎｍ、表層部分における金の含有割合が８２質量％、電気抵抗値Ｒが０．０３Ωであった。
粉末メッキ装置の処理槽内に、導電性金属粒子［Ａ］１００ｇを投入し、更に、０．３２Ｎの塩酸水溶液２Ｌを加えて攪拌し、導電性金属粒子［Ａ］を含有するスラリーを得た。このスラリーを常温で３０分間攪拌することにより、導電性金属粒子［Ａ］の酸処理を行い、その後、１分間静置して導電性金属粒子［Ａ］を沈殿させ、上澄み液を除去した。
次いで、酸処理が施された導電性金属粒子［Ａ］に純水２Ｌを加え、常温で２分間攪拌し、その後、１分間静置して導電性金属粒子［Ａ］を沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に２回繰り返すことにより、導電性金属粒子［Ａ］の洗浄処理を行った。
そして、酸処理および洗浄処理が施された導電性金属粒子［Ａ］に、金の含有割合が２０ｇ／Ｌの金メッキ液２Ｌを加え、処理層内の温度を９０℃に昇温して攪拌することにより、スラリーを調製した。この状態で、スラリーを攪拌しながら、導電性金属粒子［Ａ］に対して金の置換メッキを行った。その後、スラリーを放冷しながら静置して粒子を沈殿させ、上澄み液を除去することにより、本発明に係る導電性複合金属粒子［ａ１］を調製した。
このようにして得られた導電性複合金属粒子［ａ１］に純水２Ｌを加え、常温で２分間攪拌し、その後、１分間静置して導電性複合金属粒子［ａ１］を沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に２回繰り返し、その後、９０℃に加熱した純水２Ｌを加えて攪拌し、得られたスラリーを濾紙によって濾過して導電性複合金属粒子［ａ１］を回収した。そして、この導電性複合金属粒子［ａ１］を、９０℃に設定された乾燥機によって乾燥処理した。
得られた導電性複合金属粒子［ａ１］は、数平均粒子径が１５μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．２×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、被覆層の厚みｔが８９ｎｍ、表層部分における金の含有割合が８２質量％、電気抵抗値Ｒが０．０３Ωであった。
〔導電性複合金属粒子［ａ２］の調製〕
金メッキ液中の金の含有割合を５ｇ／Ｌに変更したこと以外は導電性複合金属粒子［ａ１］の調製と同様にして、参考用の導電性複合金属粒子［ａ２］の調製した。
得られた導電性複合金属粒子［ａ２］は、数平均粒子径が１２μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．４×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、被覆層の厚みｔが８ｎｍ、表層部分における金の含有割合が３８質量％、電気抵抗値Ｒが５Ωであった。
金メッキ液中の金の含有割合を５ｇ／Ｌに変更したこと以外は導電性複合金属粒子［ａ１］の調製と同様にして、参考用の導電性複合金属粒子［ａ２］の調製した。
得られた導電性複合金属粒子［ａ２］は、数平均粒子径が１２μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．４×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、被覆層の厚みｔが８ｎｍ、表層部分における金の含有割合が３８質量％、電気抵抗値Ｒが５Ωであった。
〔導電性複合金属粒子［ｂ１］および［ｂ２］の調製〕
導電性金属粒子［Ａ］の代わりに導電性金属粒子［Ｂ］を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は導電性複合金属粒子［ａ１］の調製と同様にして、下記の導電性複合金属粒子［ｂ１］および導電性複合金属粒子［ｂ２］を調製した。
導電性複合金属粒子［ｂ１］（本発明）：
数平均粒子径が７２μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．０２×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、被覆層の厚みｔが６５ｎｍ、表層部分における金の含有割合が６６質量％、電気抵抗値Ｒが０．１Ωである導電性複合金属粒子。
導電性複合金属粒子［ｂ２］（参考用）：
数平均粒子径が１３０μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．００９×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、被覆層の厚みｔが５７ｎｍ、表層部分における金の含有割合が６３質量％、電気抵抗値Ｒが１．１Ωである導電性複合金属粒子。
導電性金属粒子［Ａ］の代わりに導電性金属粒子［Ｂ］を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は導電性複合金属粒子［ａ１］の調製と同様にして、下記の導電性複合金属粒子［ｂ１］および導電性複合金属粒子［ｂ２］を調製した。
導電性複合金属粒子［ｂ１］（本発明）：
数平均粒子径が７２μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．０２×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、被覆層の厚みｔが６５ｎｍ、表層部分における金の含有割合が６６質量％、電気抵抗値Ｒが０．１Ωである導電性複合金属粒子。
導電性複合金属粒子［ｂ２］（参考用）：
数平均粒子径が１３０μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．００９×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、被覆層の厚みｔが５７ｎｍ、表層部分における金の含有割合が６３質量％、電気抵抗値Ｒが１．１Ωである導電性複合金属粒子。
〔導電性複合金属粒子［ｃ１］の調製〕
導電性金属粒子［Ａ］の代わりに導電性金属粒子［Ｃ］を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は導電性複合金属粒子［ａ１］の調製と同様にして、下記の導電性複合金属粒子［ｃ１］を調製した。
導電性複合金属粒子［ｃ１］（比較用）：
数平均粒子径が１２７μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．０１×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、被覆層の厚みｔが５２ｎｍ、表層部分における金の含有割合が５７質量％、電気抵抗値Ｒが０．３Ωである導電性複合金属粒子。
導電性金属粒子［Ａ］の代わりに導電性金属粒子［Ｃ］を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は導電性複合金属粒子［ａ１］の調製と同様にして、下記の導電性複合金属粒子［ｃ１］を調製した。
導電性複合金属粒子［ｃ１］（比較用）：
数平均粒子径が１２７μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．０１×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、被覆層の厚みｔが５２ｎｍ、表層部分における金の含有割合が５７質量％、電気抵抗値Ｒが０．３Ωである導電性複合金属粒子。
〔導電性複合金属粒子［ｄ１］の調製〕
導電性金属粒子［Ａ］の代わりに導電性金属粒子［Ｄ］を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は導電性複合金属粒子［ａ１］の調製と同様にして、下記の導電性複合金属粒子［ｄ１］を調製した。
導電性複合金属粒子［ｄ１］（比較用）：
数平均粒子径が６μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．６×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、被覆層の厚みｔが３７ｎｍ、表層部分における金の含有割合が３３質量％、電気抵抗値Ｒが２Ωである導電性複合金属粒子。
導電性金属粒子［Ａ］の代わりに導電性金属粒子［Ｄ］を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は導電性複合金属粒子［ａ１］の調製と同様にして、下記の導電性複合金属粒子［ｄ１］を調製した。
導電性複合金属粒子［ｄ１］（比較用）：
数平均粒子径が６μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．６×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、被覆層の厚みｔが３７ｎｍ、表層部分における金の含有割合が３３質量％、電気抵抗値Ｒが２Ωである導電性複合金属粒子。
〔導電性複合金属粒子［ｅ１］の調製〕
導電性金属粒子［Ａ］の代わりに導電性金属粒子［Ｅ］を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は導電性複合金属粒子［ａ１］の調製と同様にして、下記の導電性複合金属粒子［ｅ１］を調製した。
導電性複合金属粒子［ｅ１］（比較用）：
数平均粒子径が６μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．８×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、被覆層の厚みｔが７７ｎｍ、表層部分における金の含有割合が６９質量％、電気抵抗値Ｒが０．５Ωである導電性複合金属粒子。
導電性金属粒子［Ａ］の代わりに導電性金属粒子［Ｅ］を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は導電性複合金属粒子［ａ１］の調製と同様にして、下記の導電性複合金属粒子［ｅ１］を調製した。
導電性複合金属粒子［ｅ１］（比較用）：
数平均粒子径が６μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．８×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、被覆層の厚みｔが７７ｎｍ、表層部分における金の含有割合が６９質量％、電気抵抗値Ｒが０．５Ωである導電性複合金属粒子。
〔導電性複合金属粒子［ｆ１］の調製〕
導電性金属粒子［Ａ］の代わりに導電性金属粒子［Ｆ］を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は導電性複合金属粒子［ａ１］の調製と同様にして、下記の導電性複合金属粒子［ｆ１］を調製した。
導電性複合金属粒子［ｆ１］（比較用）：
数平均粒子径が７９μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．０６×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、被覆層の厚みｔが７４ｎｍ、表層部分における金の含有割合が６７質量％、電気抵抗値Ｒが０．８Ωである導電性複合金属粒子。
導電性金属粒子［Ａ］の代わりに導電性金属粒子［Ｆ］を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は導電性複合金属粒子［ａ１］の調製と同様にして、下記の導電性複合金属粒子［ｆ１］を調製した。
導電性複合金属粒子［ｆ１］（比較用）：
数平均粒子径が７９μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．０６×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、被覆層の厚みｔが７４ｎｍ、表層部分における金の含有割合が６７質量％、電気抵抗値Ｒが０．８Ωである導電性複合金属粒子。
〔導電性複合金属粒子［ｇ１］の調製〕
導電性金属粒子［Ａ］の代わりに導電性金属粒子［Ｇ］を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は導電性複合金属粒子［ａ１］の調製と同様にして、下記の導電性複合金属粒子［ｇ１］を調製した。
導電性複合金属粒子［ｇ１］（比較用）：
数平均粒子径が５３μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．０５×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、被覆層の厚みｔが７５ｎｍ、表層部分における金の含有割合が８２質量％、電気抵抗値Ｒが０．４Ωである導電性複合金属粒子。
導電性金属粒子［Ａ］の代わりに導電性金属粒子［Ｇ］を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は導電性複合金属粒子［ａ１］の調製と同様にして、下記の導電性複合金属粒子［ｇ１］を調製した。
導電性複合金属粒子［ｇ１］（比較用）：
数平均粒子径が５３μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．０５×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、被覆層の厚みｔが７５ｎｍ、表層部分における金の含有割合が８２質量％、電気抵抗値Ｒが０．４Ωである導電性複合金属粒子。
調製した導電性複合金属粒子の特性および当該導電性複合金属粒子に使用した導電性金属粒子の特性を、下記表１にまとめて示す。
〔導電性ペースト組成物の調製〕
〈調製例１〉
信越化学工業株式会社製の付加型液状シリコーンゴム「ＫＥ１９５０−４０」のＡ液およびＢ液を等量（質量換算）となる割合で混合し、次いで、この混合物１００部に導電性複合金属粒子［ａ１］１００部を添加して混合した後、減圧による脱泡処理を行うことにより、本発明の導電性ペースト組成物（１）を調製した。
以上において、付加型液状シリコーンゴム「ＫＥ１９５０−４０」は、そのＡ液およびＢ液の２３℃における粘度（Ｂ型粘度計によるもの）がいずれも４８００Ｐで、硬化物の１５０℃における圧縮永久歪み（ＪＩＳ Ｋ ６２４９）が２０％、２３℃におけるデュロメータＡ硬度（ＪＩＳ Ｋ ６２４９）が４２、引裂強度（ＪＩＳ Ｋ ６２４９ クレセント型）が３５．６ｋｇｆ／ｃｍのものである。
〈調製例１〉
信越化学工業株式会社製の付加型液状シリコーンゴム「ＫＥ１９５０−４０」のＡ液およびＢ液を等量（質量換算）となる割合で混合し、次いで、この混合物１００部に導電性複合金属粒子［ａ１］１００部を添加して混合した後、減圧による脱泡処理を行うことにより、本発明の導電性ペースト組成物（１）を調製した。
以上において、付加型液状シリコーンゴム「ＫＥ１９５０−４０」は、そのＡ液およびＢ液の２３℃における粘度（Ｂ型粘度計によるもの）がいずれも４８００Ｐで、硬化物の１５０℃における圧縮永久歪み（ＪＩＳ Ｋ ６２４９）が２０％、２３℃におけるデュロメータＡ硬度（ＪＩＳ Ｋ ６２４９）が４２、引裂強度（ＪＩＳ Ｋ ６２４９ クレセント型）が３５．６ｋｇｆ／ｃｍのものである。
〈調製例２〉
導電性複合金属粒子［ａ１］の代わりに導電性複合金属粒子［ｂ１］を用いたこと以外は、調製例１と同様にして本発明の導電性ペースト組成物（２）を調製した。
〈比較調製例１〉
導電性複合金属粒子［ａ１］の代わりに導電性複合金属粒子［ｃ１］を用いたこと以外は、調製例１と同様にして比較用の導電性ペースト組成物（３）を調製した。
〈比較調製例２〉
導電性複合金属粒子［ａ１］の代わりに導電性複合金属粒子［ｄ１］を用いたこと以外は、調製例１と同様にして比較用の導電性ペースト組成物（４）を調製した。
〈比較調製例３〉
導電性複合金属粒子［ａ１］の代わりに導電性複合金属粒子［ｅ１］を用いたこと以外は、調製例１と同様にして比較用の導電性ペースト組成物（５）を調製した。
〈比較調製例４〉
導電性複合金属粒子［ａ１］の代わりに導電性複合金属粒子［ｆ１］を用いたこと以外は、調製例１と同様にして比較用の導電性ペースト組成物（６）を調製した。
〈比較調製例５〉
導電性複合金属粒子［ａ１］の代わりに導電性複合金属粒子［ｇ１］を用いたこと以外は、調製例１と同様にして比較用の導電性ペースト組成物（７）を調製した。
〈参考調製例１〉
導電性複合金属粒子［ａ１］の代わりに導電性複合金属粒子［ａ２］を用いたこと以外は、調製例１と同様にして参考用の導電性ペースト組成物（８）を調製した。
〈参考調製例２〉
導電性複合金属粒子［ａ１］の代わりに導電性複合金属粒子［ｂ２］を用いたこと以外は、調製例１と同様にして参考用の導電性ペースト組成物（９）を調製した。
導電性複合金属粒子［ａ１］の代わりに導電性複合金属粒子［ｂ１］を用いたこと以外は、調製例１と同様にして本発明の導電性ペースト組成物（２）を調製した。
〈比較調製例１〉
導電性複合金属粒子［ａ１］の代わりに導電性複合金属粒子［ｃ１］を用いたこと以外は、調製例１と同様にして比較用の導電性ペースト組成物（３）を調製した。
〈比較調製例２〉
導電性複合金属粒子［ａ１］の代わりに導電性複合金属粒子［ｄ１］を用いたこと以外は、調製例１と同様にして比較用の導電性ペースト組成物（４）を調製した。
〈比較調製例３〉
導電性複合金属粒子［ａ１］の代わりに導電性複合金属粒子［ｅ１］を用いたこと以外は、調製例１と同様にして比較用の導電性ペースト組成物（５）を調製した。
〈比較調製例４〉
導電性複合金属粒子［ａ１］の代わりに導電性複合金属粒子［ｆ１］を用いたこと以外は、調製例１と同様にして比較用の導電性ペースト組成物（６）を調製した。
〈比較調製例５〉
導電性複合金属粒子［ａ１］の代わりに導電性複合金属粒子［ｇ１］を用いたこと以外は、調製例１と同様にして比較用の導電性ペースト組成物（７）を調製した。
〈参考調製例１〉
導電性複合金属粒子［ａ１］の代わりに導電性複合金属粒子［ａ２］を用いたこと以外は、調製例１と同様にして参考用の導電性ペースト組成物（８）を調製した。
〈参考調製例２〉
導電性複合金属粒子［ａ１］の代わりに導電性複合金属粒子［ｂ２］を用いたこと以外は、調製例１と同様にして参考用の導電性ペースト組成物（９）を調製した。
〔導電性ペースト組成物の評価〕
調製例１〜２、比較調製例１〜５および参考調製例１〜２に係る導電性ペースト組成物（１）〜導電性ペースト組成物（９）について、以下のようにしてその評価を行った。
各々の幅が０．１５ｍｍの銅よりなる２４０本の線状のリード電極が、０．２５ｍｍのピッチ（離間距離が０．１ｍｍ）で平行に並ぶよう配列されたリード電極領域を有する回路基板を用意し、この回路基板のリード電極領域上に、導電性ペースト組成物をスクリーン印刷によって塗布することにより、幅が１．０ｍｍ、厚みが約０．３ｍｍで、リード電極が伸びる方向と直交する方向に伸びる帯状の塗布層を形成した。この塗布層に対して、その厚み方向に平行磁場を作用させながら、１５０℃、１時間の条件で硬化処理を行うことにより、回路基板のリード電極領域上に一体的に設けられた異方導電性の接続部材を形成した。
この接続部材上に、表面全面に金メッキ層よりなる共通電極が形成された平面基板を配置し、この平面基板を、ロードセルに接続された押圧板によって下方に押圧した。そして、この状態で、回路基板のリード電極と平面基板の共通電極との間の電気抵抗を測定し、その最大値、最小値および平均値を求めた。
更に、温度２５℃、相対湿度３０％の環境下において、平面基板を１Ｈｚの周期で繰り返し下方に押圧し、１万回押圧後における回路基板のリード電極と平面基板の共通電極との間の電気抵抗を測定し、その平均値を求めた。
以上、結果を表２に示す。
調製例１〜２、比較調製例１〜５および参考調製例１〜２に係る導電性ペースト組成物（１）〜導電性ペースト組成物（９）について、以下のようにしてその評価を行った。
各々の幅が０．１５ｍｍの銅よりなる２４０本の線状のリード電極が、０．２５ｍｍのピッチ（離間距離が０．１ｍｍ）で平行に並ぶよう配列されたリード電極領域を有する回路基板を用意し、この回路基板のリード電極領域上に、導電性ペースト組成物をスクリーン印刷によって塗布することにより、幅が１．０ｍｍ、厚みが約０．３ｍｍで、リード電極が伸びる方向と直交する方向に伸びる帯状の塗布層を形成した。この塗布層に対して、その厚み方向に平行磁場を作用させながら、１５０℃、１時間の条件で硬化処理を行うことにより、回路基板のリード電極領域上に一体的に設けられた異方導電性の接続部材を形成した。
この接続部材上に、表面全面に金メッキ層よりなる共通電極が形成された平面基板を配置し、この平面基板を、ロードセルに接続された押圧板によって下方に押圧した。そして、この状態で、回路基板のリード電極と平面基板の共通電極との間の電気抵抗を測定し、その最大値、最小値および平均値を求めた。
更に、温度２５℃、相対湿度３０％の環境下において、平面基板を１Ｈｚの周期で繰り返し下方に押圧し、１万回押圧後における回路基板のリード電極と平面基板の共通電極との間の電気抵抗を測定し、その平均値を求めた。
以上、結果を表２に示す。
〔異方導電性シートの製造〕
キャビティ内に支持体配置用空間領域を有すること以外は基本的に図３に示す構成に従って、下記の条件により、異方導電性シート製造用金型を作製した。
基板：材質；鉄，厚み；８ｍｍ，
強磁性体層：材質；ニッケル，厚み；０．１ｍｍ，径；０．２５ｍｍ，ピッチ（中心間距離）；０．５ｍｍ，
非磁性体層材質；感放射線性樹脂材料，厚み；０．１５ｍｍ，
スペーサの厚み；０．３ｍｍ
キャビティ内に支持体配置用空間領域を有すること以外は基本的に図３に示す構成に従って、下記の条件により、異方導電性シート製造用金型を作製した。
基板：材質；鉄，厚み；８ｍｍ，
強磁性体層：材質；ニッケル，厚み；０．１ｍｍ，径；０．２５ｍｍ，ピッチ（中心間距離）；０．５ｍｍ，
非磁性体層材質；感放射線性樹脂材料，厚み；０．１５ｍｍ，
スペーサの厚み；０．３ｍｍ
〈製造例１〉
上記の金型のキャビティ内における支持体配置用空間領域に、厚みが０．２ｍｍのステンレスよりなる枠板状の異方導電性シート用支持体を配置した。次いで、この金型のキャビティ内に、導電性ペースト組成物（１）を注入し、減圧による脱泡処理を行うことにより、当該金型内に導電性組成物層を形成した。
そして、導電性組成物層に対して、電磁石によって厚み方向に６０００ガウスの平行磁場を作用させながら、１２０℃、１時間の条件で当該導電性組成物層の硬化処理を行い、更に、金型から離型した後に、２００℃、４時間の条件でポストキュアを行うことにより、それそれ厚み方向に伸びる複数の導電部と、これらの導電部を相互に絶縁する絶縁部とを有する支持体付の異方導電性シート（１）を製造した。
得られた異方導電性シート（１）は、外径が０．２５ｍｍの導電部が、０．５ｍｍのピッチで、１６行１６列で配列されてなるものであって、絶縁部の厚みは０．３ｍｍ、導電部の厚みは０．４ｍｍであり、当該導電部が絶縁部の両面の各々から突出した状態（それぞれの突出高さが０．０５ｍｍ）に形成されてなるものである。
上記の金型のキャビティ内における支持体配置用空間領域に、厚みが０．２ｍｍのステンレスよりなる枠板状の異方導電性シート用支持体を配置した。次いで、この金型のキャビティ内に、導電性ペースト組成物（１）を注入し、減圧による脱泡処理を行うことにより、当該金型内に導電性組成物層を形成した。
そして、導電性組成物層に対して、電磁石によって厚み方向に６０００ガウスの平行磁場を作用させながら、１２０℃、１時間の条件で当該導電性組成物層の硬化処理を行い、更に、金型から離型した後に、２００℃、４時間の条件でポストキュアを行うことにより、それそれ厚み方向に伸びる複数の導電部と、これらの導電部を相互に絶縁する絶縁部とを有する支持体付の異方導電性シート（１）を製造した。
得られた異方導電性シート（１）は、外径が０．２５ｍｍの導電部が、０．５ｍｍのピッチで、１６行１６列で配列されてなるものであって、絶縁部の厚みは０．３ｍｍ、導電部の厚みは０．４ｍｍであり、当該導電部が絶縁部の両面の各々から突出した状態（それぞれの突出高さが０．０５ｍｍ）に形成されてなるものである。
〈製造例２〉
導電性ペースト組成物（１）の代わりに導電性ペースト組成物（２）を用いたこと以外は、製造例１と同様にして支持体付の異方導電性シート（２）を製造した。
〈比較製造例１〉
導電性ペースト組成物（１）の代わりに導電性ペースト（３）を用いたこと以外は、製造例１と同様にして比較用の支持体付の異方導電性シート（３）を製造した。
〈比較製造例２〉
導電性ペースト組成物（１）の代わりに導電性ペースト（４）を用いたこと以外は、製造例１と同様にして比較用の支持体付の異方導電性シート（４）を製造した。
〈比較製造例３〉
導電性ペースト組成物（１）の代わりに導電性ペースト（５）を用いたこと以外は、製造例１と同様にして比較用の支持体付の異方導電性シート（５）を製造した。
〈比較製造例４〉
導電性ペースト組成物（１）の代わりに導電性ペースト（６）を用いたこと以外は、製造例１と同様にして比較用の支持体付の異方導電性シート（６）を製造した。
〈比較製造例５〉
導電性ペースト組成物（１）の代わりに導電性ペースト（７）を用いたこと以外は、製造例１と同様にして比較用の支持体付の異方導電性シート（７）を製造した。
〈参考製造例１〉
導電性ペースト組成物（１）の代わりに導電性ペースト（８）を用いたこと以外は、製造例１と同様にして比較用の支持体付の異方導電性シート（８）を製造した。
〈参考製造例２〉
導電性ペースト組成物（１）の代わりに導電性ペースト（９）を用いたこと以外は、製造例１と同様にして比較用の支持体付の異方導電性シート（９）を製造した。
導電性ペースト組成物（１）の代わりに導電性ペースト組成物（２）を用いたこと以外は、製造例１と同様にして支持体付の異方導電性シート（２）を製造した。
〈比較製造例１〉
導電性ペースト組成物（１）の代わりに導電性ペースト（３）を用いたこと以外は、製造例１と同様にして比較用の支持体付の異方導電性シート（３）を製造した。
〈比較製造例２〉
導電性ペースト組成物（１）の代わりに導電性ペースト（４）を用いたこと以外は、製造例１と同様にして比較用の支持体付の異方導電性シート（４）を製造した。
〈比較製造例３〉
導電性ペースト組成物（１）の代わりに導電性ペースト（５）を用いたこと以外は、製造例１と同様にして比較用の支持体付の異方導電性シート（５）を製造した。
〈比較製造例４〉
導電性ペースト組成物（１）の代わりに導電性ペースト（６）を用いたこと以外は、製造例１と同様にして比較用の支持体付の異方導電性シート（６）を製造した。
〈比較製造例５〉
導電性ペースト組成物（１）の代わりに導電性ペースト（７）を用いたこと以外は、製造例１と同様にして比較用の支持体付の異方導電性シート（７）を製造した。
〈参考製造例１〉
導電性ペースト組成物（１）の代わりに導電性ペースト（８）を用いたこと以外は、製造例１と同様にして比較用の支持体付の異方導電性シート（８）を製造した。
〈参考製造例２〉
導電性ペースト組成物（１）の代わりに導電性ペースト（９）を用いたこと以外は、製造例１と同様にして比較用の支持体付の異方導電性シート（９）を製造した。
〔異方導電性シートの評価〕
製造例１〜２、比較製造例１〜５および参考製造例１〜２で得られた異方導電性シート（１）〜異方導電性シート（９）について、下記（ｉ）および下記（ii）のようにしてその評価を行った。
（ｉ）異方導電性シートにおける導電部に対応してピッチが０．５ｍｍの格子点位置に従って１６行１６列で配列された、径が０．２５ｍｍの電極を有するプリント配線基板上に、異方導電性シートをその導電部がこれに対応する電極上に位置するよう配置して固定し、この異方導電性シート上に、表面全面に金メッキ層よりなる共通電極が形成された平面基板を配置した。この平面基板を、ロードセルに接続された押圧板によって３．５ｋｇｆの力で下方に押圧した。そして、この状態で、プリント配線基板の電極と平面基板の共通電極との間の電気抵抗（異方導電性シートにおける導電部の電気抵抗）を測定し、その最大値、最小値および平均値を求めた。
更に、温度２５℃、相対湿度３０％の環境下において、平面基板を１Ｈｚの周期で繰り返し下方に押圧し、１万回押圧後におけるプリント配線基板の電極と平面基板の共通電極との間の電気抵抗を測定し、その平均値を求めた。
以上、結果を表３に示す。
製造例１〜２、比較製造例１〜５および参考製造例１〜２で得られた異方導電性シート（１）〜異方導電性シート（９）について、下記（ｉ）および下記（ii）のようにしてその評価を行った。
（ｉ）異方導電性シートにおける導電部に対応してピッチが０．５ｍｍの格子点位置に従って１６行１６列で配列された、径が０．２５ｍｍの電極を有するプリント配線基板上に、異方導電性シートをその導電部がこれに対応する電極上に位置するよう配置して固定し、この異方導電性シート上に、表面全面に金メッキ層よりなる共通電極が形成された平面基板を配置した。この平面基板を、ロードセルに接続された押圧板によって３．５ｋｇｆの力で下方に押圧した。そして、この状態で、プリント配線基板の電極と平面基板の共通電極との間の電気抵抗（異方導電性シートにおける導電部の電気抵抗）を測定し、その最大値、最小値および平均値を求めた。
更に、温度２５℃、相対湿度３０％の環境下において、平面基板を１Ｈｚの周期で繰り返し下方に押圧し、１万回押圧後におけるプリント配線基板の電極と平面基板の共通電極との間の電気抵抗を測定し、その平均値を求めた。
以上、結果を表３に示す。
（ii）異方導電性シートにおける導電部に対応してピッチが０．５ｍｍの格子点位置に従って１６行１６列で配列された、径が０．２５ｍｍの電極を有するプリント配線基板上に、異方導電性シートをその導電部がこれに対応する電極上に位置するよう配置して固定し、この異方導電性シート上に、表面全面に金メッキ層よりなる共通電極が形成された平面基板を配置した。この平面基板を、ロードセルに接続された押圧板によって下方に押圧することにより、異方導電性シートにおける導電部を、その厚み方向の圧縮率が５％、１０％、１５％および２０％となるよう圧縮変形させた。そして、それぞれの状態で、プリント配線基板の電極と平面基板の共通電極との間の電気抵抗（異方導電性シートにおける導電部の電気抵抗）を測定し、その平均値を求めた。
以上、結果を表４に示す。
以上、結果を表４に示す。
１ セル ２ 側壁材
３ 蓋材 ３Ｈ 貫通孔
４ 磁石 ５ 電極部
６ 電気抵抗測定機 ７ 中間体基板
８ 第１絶縁層用中間材 ９ 第３絶縁層用中間材
１０ 異方導電性シート １０Ａ シート成形材料層
１１ 導電部 １１Ａ 導電部形成部分
１２ 絶縁部 １５ コネクター
１６ 支持板 １７ 位置決め孔
２０ 第１絶縁層 ２０Ａ 第１絶縁層形成材
２１ 上面配線層 ２１Ａ 金属薄層
２１Ｂ 金属箔 ２２ レジスト層
２５ 第１層間短絡部 ２５Ａ 短絡部形成材料層
２５Ｈ 貫通孔 ２６ 第１内部配線層
２６Ａ 金属薄層 ２６Ｂ 金属箔
３０ 第２絶縁層 ３０Ａ 第２絶縁層形成材
３３，３４ レジスト層 ３５ 第２層間短絡部
３５Ａ 短絡部形成材料層 ３５Ｈ 貫通孔
３６ 第２内部配線層 ３６Ａ 金属薄層
３６Ｂ 金属箔 ４０ 第３絶縁層
４０Ａ 第３絶縁層形成材 ４１ 下面配線層
４１Ａ 金属薄層 ４１Ｂ 金属箔
４２ レジスト層 ４５ 第３層間短絡部
４５Ａ 短絡部形成材料層 ４５Ｈ 貫通孔
５０ 上型 ５１ 基板
５２ 強磁性体層 ５３ 非磁性体層
５４ スペーサー ５５ 下型
５６ 基板 ５７ 強磁性体層
５８ 非磁性体層 ６０，６５ 磁極板
６１，６６ 電磁石 ７０ 接続部材
７１ 電子部品 ７２ 電極
７３ 回路基板 ７４ 電極
７５ 固定部材 ７６ 被検査回路装置
７７ 被検査電極 ８０ アダプター
８１ 検査用電極 ８３ 位置決めピン
８５ 保持板 ８６ 開口
８７ 位置決め孔
３ 蓋材 ３Ｈ 貫通孔
４ 磁石 ５ 電極部
６ 電気抵抗測定機 ７ 中間体基板
８ 第１絶縁層用中間材 ９ 第３絶縁層用中間材
１０ 異方導電性シート １０Ａ シート成形材料層
１１ 導電部 １１Ａ 導電部形成部分
１２ 絶縁部 １５ コネクター
１６ 支持板 １７ 位置決め孔
２０ 第１絶縁層 ２０Ａ 第１絶縁層形成材
２１ 上面配線層 ２１Ａ 金属薄層
２１Ｂ 金属箔 ２２ レジスト層
２５ 第１層間短絡部 ２５Ａ 短絡部形成材料層
２５Ｈ 貫通孔 ２６ 第１内部配線層
２６Ａ 金属薄層 ２６Ｂ 金属箔
３０ 第２絶縁層 ３０Ａ 第２絶縁層形成材
３３，３４ レジスト層 ３５ 第２層間短絡部
３５Ａ 短絡部形成材料層 ３５Ｈ 貫通孔
３６ 第２内部配線層 ３６Ａ 金属薄層
３６Ｂ 金属箔 ４０ 第３絶縁層
４０Ａ 第３絶縁層形成材 ４１ 下面配線層
４１Ａ 金属薄層 ４１Ｂ 金属箔
４２ レジスト層 ４５ 第３層間短絡部
４５Ａ 短絡部形成材料層 ４５Ｈ 貫通孔
５０ 上型 ５１ 基板
５２ 強磁性体層 ５３ 非磁性体層
５４ スペーサー ５５ 下型
５６ 基板 ５７ 強磁性体層
５８ 非磁性体層 ６０，６５ 磁極板
６１，６６ 電磁石 ７０ 接続部材
７１ 電子部品 ７２ 電極
７３ 回路基板 ７４ 電極
７５ 固定部材 ７６ 被検査回路装置
７７ 被検査電極 ８０ アダプター
８１ 検査用電極 ８３ 位置決めピン
８５ 保持板 ８６ 開口
８７ 位置決め孔
Claims (13)
- 数平均粒子径が５〜１００μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．０１×１０3 〜０．７×１０3 ｍ2 ／ｋｇ、硫黄元素濃度が０．１質量％以下、酸素元素濃度が０．５質量％以下、炭素元素濃度が０．１質量％以下であることを特徴とする導電性金属粒子。
- 粒子径の変動係数が５０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の導電性金属粒子。
- 飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ2 以上であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の導電性金属粒子。
- 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の導電性金属粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなることを特徴とする導電性複合金属粒子。
- 下記の数式によって算出される、高導電性金属の被覆層の厚みｔが１０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項４に記載の導電性複合金属粒子。
ｔ＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕
〔但し、ｔは高導電性金属の被覆層の厚み（ｍ）、Ｓｗは導電性金属粒子のＢＥＴ比表面積（ｍ2 ／ｋｇ）、ρは高導電性金属の比重（ｋｇ／ｍ3 ）、Ｎは、高導電性金属の被覆層の重量／導電性複合金属粒子の重量を示す。〕 - 高導電性金属が金であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の導電性複合金属粒子。
- 表層部分における高導電性金属の含有割合が５０質量％以上であることを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれかに記載の導電性複合金属粒子。
- ＢＥＴ比表面積が０．０１×１０3 〜０．７×１０3 ｍ2 ／ｋｇであることを特徴とする請求項４乃至請求項７のいずれかに記載の導電性複合金属粒子。
- 請求項３に記載の導電性金属粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなる導電性複合金属粒子であって、
下記に示す電気抵抗値Ｒが１Ω以下であることを特徴とする請求項４乃至請求項８のいずれかに記載の導電性複合金属粒子。
電気抵抗値Ｒ：導電性複合金属粒子０．６ｇと液状ゴム０．８ｇとを混練することによってペースト組成物を調製し、このペースト組成物を、０．５ｍｍの離間距離で互いに対向するよう配置された、それぞれ径が１ｍｍの一対の電極間に配置し、この一対の電極間に０．３Ｔの磁場を作用させ、この状態で当該一対の電極間の電気抵抗値が安定するまで放置したときの当該電気抵抗値。 - 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の導電性金属粒子および／または請求項４乃至請求項９のいずれかに記載の導電性複合金属粒子が含有されてなることを特徴とする導電性ペースト組成物。
- 有機高分子物質中に、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の導電性金属粒子および／または請求項４乃至請求項９のいずれかに記載の導電性複合金属粒子が含有されてなる導電体を有することを特徴とする回路基板。
- 請求項１０に記載の導電性ペースト組成物によって得られる接続部材により接続されてなることを特徴とする導電接続構造体。
- 有機高分子物質中に、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の導電性金属粒子および／または請求項４乃至請求項９のいずれかに記載の導電性複合金属粒子が含有されてなる導電性シートを介して接続されてなることを特徴とする導電接続構造体。
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| JP2005063933A JP2005251752A (ja) | 2000-09-29 | 2005-03-08 | 導電性金属粒子および導電性複合金属粒子並びにそれらを用いた応用製品 |
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|---|---|---|---|---|
| JPWO2019181463A1 (ja) * | 2018-03-23 | 2021-03-11 | 味の素株式会社 | スルーホール充填用ペースト |
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| JPH04170491A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 厚膜導体形成用ペースト |
| JPH0543921A (ja) * | 1991-08-12 | 1993-02-23 | Murata Mfg Co Ltd | ニツケル微粉末の製造方法 |
| JPH08246001A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-24 | Kawasaki Steel Corp | 積層セラミックコンデンサー用ニッケル超微粉 |
| JPH0931419A (ja) * | 1995-07-19 | 1997-02-04 | Sony Chem Corp | 異方性導電接着フィルム |
| JP2000100254A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Jsr Corp | 異方導電性シートおよびその製造方法 |
| JP2000243486A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Jsr Corp | 異方導電性シート |
-
2005
- 2005-03-08 JP JP2005063933A patent/JP2005251752A/ja active Pending
Patent Citations (6)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2019181463A1 (ja) * | 2018-03-23 | 2021-03-11 | 味の素株式会社 | スルーホール充填用ペースト |
| JP7304337B2 (ja) | 2018-03-23 | 2023-07-06 | 味の素株式会社 | スルーホール充填用ペースト |
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