JPH04170491A - 厚膜導体形成用ペースト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は厚膜導体形成用ペースト１こ開する。

（従来の技術） 従来より、厚膜ハイブリッドエＣ（工ｎｔｅ９ｒａｔｅ
ｄ　　Ｃ１ｒｃｕｉｔ）の配線形成においでは、通常金
厚膜導体が用いられている。厚ざ１０ｕｍの金厚膜導体
のシート抵抗は４．５ｍΩ／口程度であり、金厚膜導体
の導電性は厚膜導体のなかで最も良い。

金庫膜導体の形成に用いるペーストは、主として純金粒
子、バインダー及び粘度調節用ビークルを混合してペー
スト化したものである。バインダーは焼成後に下地と高
い密着性が得られる材料から成り、バインダーとして一
般にガラスフリットか用いられている。金厚膜ペースト
の焼成温度は通常８５０〜９００°Ｃ程度であるがバイ
ンダーの成分、種類を変更することによりその焼成温度
１５００″Ｃ程度まで下げることかできる。

（発明か解決しようとする課題） 上述のように金厚膜導体の導電性は非常に良いが、導電
性粒子に貴金属である純金の粒子を用いるので、コスト
高になるという問題点があった。

この発明の目的は、上述した従来の問題点を解決するた
め、導電性粒子の全部ではなく一部たけを金から形成す
るようにした厚膜導体形成用ペーストを提供することに
ある。

（課題を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明の厚膜導体形成用
ペーストは、導電性粒子及びバインダーを含んで成る厚
膜導体形成用ペーストにおいて、導電性粒子の表層部分
を金から形成したことを特徴とする。

この発明の実施に当っては、導電性粒子を、銅粒子と、
銅粒子の表面上に順次に設けたニッケル膜及び金膜とか
ら構成するのがよい。或は導電性粒子を、ニッケル粒子
と、ニッケル粒子の表面に設けた金膜とから構成するの
がよい。

（作用） このような厚膜導体形成用ペーストによれば、導電性粒
子の表層部分は金膜であつ残りの部分は金膜てはないの
で、導電性粒子の形成に用いる金のｊｌソ低減すること
かできる。

また厚膜導体の主たる電流路は通常導電性粒子の表層部
分となり、従って主たる電流路を形成する導電性粒子の
表層部分上金膜とした、この厚膜導体形成用ペーストか
ら厚膜導体を形成することにより、導電性の高い厚膜導
体を得ることができる。

（実施例） 以下、図面ヲ参照し、この発明の実施例につき説明する
。尚、図面はこの発明が理解できる程度に概略的に示し
であるにすぎない。

第１図はこの発明の詳細な説明に供する図であり、実施
例の厚膜導体形成用ペーストか含む導電性粒子の構成を
示す断面図である。

この実施例の厚膜導体形成用ペーストは導電性粒子及び
バインダーを含んで成り、第１図にも示すように、この
実施例の厚膜導体形成用ペーストか含む導電性粒子］○
の表層部分を金から形成する。この実施例では、導電性
粒子１０Ｗ銅粉子］２と、銅粒子１２の表面上に順次に
設けたニッケル膜１４及び金膜１６とから構成する。

次にこの実施例の厚膜導体形成用ペーストの製造工程に
つき具体的な例を挙げて説明する。

ます、粒径１〜２ｕｍ程度の銅粒子］２を用意し、無電
解めっき法によつ銅粒子１２の表面を覆うニッケル膜を
形成する。

このニッケル膜の形成に当っては、木］ｐに対し塩化パ
ラジウム粉末０．１９及び３５％塩酸０．１ｃ＋％混合
して作成した塩化パラジウム溶液中に、銅粒子］２を１
〜２分の間浸漬し、銅粒子１２の表面にパラジウムを析
出させた。そして塩化パラジウム溶液ヲｌ！過して銅粒
子１２を塩化パラジウム溶液から分離し、分離した銅粒
子］２を洗浄した。

次いて２００ｍβ／ρのニムデンＨＤＸ−３Ｍ（上材工
業社製）と６．０ｍβ／ρのニムデンＨＤＸ−Ａ　（上
材工業社製）とを混合して作成した無電解ニッケルめつ
き浴中に銅粒子］２を浸漬し、めっき浴を攪拌しながら
銅粒子］２の表面にニッケル膜をめっきした。この際、
めっき浴の浴温を８０°Ｃ及びｐｈを４．６とし、銅粒
子］２を約５分の間浸漬してめっきした。以下、ニッケ
ル膜を被若ざすた銅粒子１２を第一粒子という。

次いて無電解めっき浴を濾過し第一粒子を無電解ニッケ
ルめっき浴から分離し、分離した第一粒子を洗浄した。

この洗浄は２〜３回繰返して行なった。

第一粒子の洗浄を終了したら、次に言換反応による無電
見金めっき法により第一粒子の表面を被１！する金膜（
以下、この金膜■という）を形成する。

この金膜１の形成に当っては、レフトロレス・ブレツブ
（日本エレクトロブレイティングエンジニャース社製）
ヲ曹換金めつき浴とし、このめっき浴中に第一粒子を浸
漬し、めっき浴を攪拌しなから第一粒子の表面に金膜■
を形成した。この際、めっき浴の浴温そ９０°Ｃ及びｐ
Ｈを３．０〜３．５とし、第一粒子を約１０分のＭ浸漬
した。以下、この金めつきによつ金膜工を形成した第一
粒子を第二粒子という。

次に金めつき浴を濾過して第二粒子をめっき浴から分離
し、分離した第二粒子を洗浄する。

この第二粒子を導電性粒子１０としで用いてもよいか、
置換反応による無電見金めっき法により形成した金膜工
の膜厚は０．１ｕｍ程度であり非常に薄い。従ってこの
場合の導電性粒子１０の導電性は必ずしも充分ではない
ので、導電性を高めるために、金膜■上にざらに厚付は
用の金膜（以下、金膜■という）を形成して、金ＩＩＩ
、■から成る膜厚の厚い金膜を形成する。

そこで第二粒子の洗浄を終えたら、次に酸化還元反応に
よる無電解めっき法により第二粒子の表面を被覆する金
膜ｎ＋影形成る。

この金膜■の形成に当っては、レフトロレス３Ｇ（日本
エレクトロブレイティングエンジニャース社製）を金め
つき浴とし、このめつき浴中に第二粒子を浸漬し、めっ
き浴を攪拌しなから第二粒子の表面に金膜ｎｅｔ形成し
た。この際、めっき浴の浴温を７０″′Ｃ及びｐＨを１
３〜１４とし、第二粒子を約３０〜６０分の間浸漬した
。この金膜ｎｅｔ形成した第二粒子を導電性粒子１０と
しで得る。この場合の導電性粒子］○のニッケル膜１４
の膜厚は０．５ｕｍ程度及び金膜１６（この場合金膜１
６は金膜■及び■から成る膜である）の膜厚は］、○Ｌ
Ｉｍ程度となるか、これらの膜厚は上述しためっき工程
てのめっき条件を任意好適に変更することにより容易に
変化させることができる。

次に金めつき浴を濾過してこの導電性粒子］０をめっき
浴から分離し、分離した導電性粒子］０を洗浄する。

次に導電性粒子］○、バインダー及び粘度調節用ど一ク
ルを混合してペースト化し、導電性粒子１０を含む厚膜
導体形成用ペーストを得る。

このペースト化に当っては、バインダーを例えばガラス
フリ・ントとし、１０９の導電′ａ粉粒子０に対しガラ
スフリット（奥野製薬工業社製井○Ｃ−５３０低融点ガ
ラス）を３９、及びヒ゛−クル（Ｅｌｅｃｔｒｏ　　５
ｃｉｅｎｃｅ　　Ｌａｂｏｒａｔ　ｒｉｅｓ社製　井４
０５）７ａ１０９の割合て混合した。

第２図はこの笑施例の厚膜導体形成用ペーストから形成
した厚膜導体の構成の説明に供する図であり、厚膜導体
を下地上に形成した状態を断面図で示す。第２図中、厚
膜導体を構成する導電セ粒子１０を白丸で示し及びバイ
ンダーを点を付して示した。

第２図において１８は厚膜導体を示し、この厚膜導体］
８は多数の導電性粒子１０及びバインダー２０から成る
。厚膜導体１８の形成では、上述のように作成したこの
案施例の厚膜導体形成用ペーストを所定のパターン形状
で下地２２上に印刷し、印刷したペーストを所定の焼成
温度で焼成することにより得られる。バインダー２０に
より多数の導電性粒子１ｏを互いに結合させると共に下
地２０に被着させる。

この実施例の厚膜導体形成用ペーストによれば、例えば
厚膜ハイブリッドＩＣの配線に適した厚膜導体１８を低
コストに形成できる。

第３図は導電性粒子の変形例の構成を概略的に示す断面
図である。

この変形例では、第３図にも示すように、導電性粒子１
０をニッケル粒子］８と、この粒子１８の表面に設けた
金膜１６とから構成する。金膜１６の形成は上述の実施
例の場合と同様に、置換反応及び酸化還元反応による無
電界めっき法を用いて行なう。

この発明は上述した笑施例にのみ限定されるものではな
く、従って各構成成分の形成方法、形成条件、形成材料
、形状、数値条件及びそのほかの条件を任意好適に変更
することかできる。

ニッケル膜及び金膜の形成に当っては、無電解めっき法
、置換めっき法、バレルめっき法及びそのほかの任意好
適なめっき法を用いることかできる。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明の厚膜導
体形成用ペーストによれば、導電性粒子の表層部分は金
膜てあり残りの部分は金膜ではないので、導電性粒子の
形成に用いる金の量を低減することかできる。従って作
成コストを低減てきる。

しかも厚膜導体の主たる電流路は通常導電性粒子の表層
部分となり、従って主たる電流路を形成する導電性粒子
の表層部分を金膜とした、この厚膜導体形成用ペースト
から厚膜導体を形成することにより、導電性の高い厚膜
導体を得ることかでき、そして導電性粒子全体を金とし
た導電性粒子を用いた厚膜導体と同等の導電性を得るこ
とも可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の詳細な説明に供する図、第２図はこ
の実施例の厚膜導体形成用ペーストから形成した厚膜導
体の構成の説明に供する図、第３図は導電性粒子の変形
例の構成を概略的に示す断面図である。 １０・・・導電性粒子、　　１２・・・銅粒子１４−・
・ニッケル膜、　　］６・・・金膜１８−・・ニッケル
粒子。 特許出願人　　　沖電気工業株式会社 代理人　弁理士　　　大　　垣　　　孝第１図 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）導電性粒子及びバインダーを含んで成る厚膜導体
   形成用ペーストにおいて、 前記導電性粒子の表層部分を金から形成したことを特徴
   とする厚膜導体形成用ペースト。（２）前記導電性粒子
   を、銅粒子と、該銅粒子の表面上に順次に設けたニッケ
   ル膜及び金膜とから構成することを特徴とする請求項１
   に記載の厚膜導体形成用ペースト。 （３）前記導電牲粒子を、ニッケル粒子と、該ニッケル
   粒子の表面に設けた金膜とから構成することを特徴とす
   る請求項１に記載の厚膜導体形成用ペースト。