JPS5984413A - セラミツク電子部品 - Google Patents
セラミツク電子部品Info
- Publication number
- JPS5984413A JPS5984413A JP19336382A JP19336382A JPS5984413A JP S5984413 A JPS5984413 A JP S5984413A JP 19336382 A JP19336382 A JP 19336382A JP 19336382 A JP19336382 A JP 19336382A JP S5984413 A JPS5984413 A JP S5984413A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- ceramic body
- molten metal
- electrode
- inner layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、回路基板、コンデンサ、バリスタ等のセラミ
ックｍ子部品に関する。
ックｍ子部品に関する。
この種電子部品は、一般に、Ａｇ−Ｆｄ、Ａｕ。
Ｐａ、Ｐｔ等の貴金属を用いてセラミックスの焼成と同
時に電極を形成していたが、近年、これ等の合金ｎ１を
用いないで、電極用の空隙を設けたセラミック体の該空
隙にＳｎ等の廉価な熔融金属を注入して電極を形成する
方法が提案されている（特公昭５４−７００７号公報参
照）。
時に電極を形成していたが、近年、これ等の合金ｎ１を
用いないで、電極用の空隙を設けたセラミック体の該空
隙にＳｎ等の廉価な熔融金属を注入して電極を形成する
方法が提案されている（特公昭５４−７００７号公報参
照）。
このものは、空隙に熔融金属を注入して形成される内部
電極−と連なり、セラミック体の表面に形成される外部
電極を、前記溶融金属と濡れ性の良好な金属（例えば溶
融金属がＳｎ又はｐｂ−３ｎ−Ｂｉを主体とした合金な
どでは１外部電極はＡ ｇ−Ｐ ｄ、 Ａ ｕ−Ｐ ｄ
などの金属）で形成し、空隙内部において注入金属の凝
集によるこれと外部電極間の切断を防止していた。しか
し、１）セラミック体を溶融金属中に浸漬し、その空隙
に溶融金属を注入した後引き上げたとき、外部電極に付
着した溶融金属を介して隣り合ったセラミック体同士が
接着するため、複数個のセラミック体を相互に間隔を保
って溶融金属に浸漬しなければならず、量産性に欠ける
。
電極−と連なり、セラミック体の表面に形成される外部
電極を、前記溶融金属と濡れ性の良好な金属（例えば溶
融金属がＳｎ又はｐｂ−３ｎ−Ｂｉを主体とした合金な
どでは１外部電極はＡ ｇ−Ｐ ｄ、 Ａ ｕ−Ｐ ｄ
などの金属）で形成し、空隙内部において注入金属の凝
集によるこれと外部電極間の切断を防止していた。しか
し、１）セラミック体を溶融金属中に浸漬し、その空隙
に溶融金属を注入した後引き上げたとき、外部電極に付
着した溶融金属を介して隣り合ったセラミック体同士が
接着するため、複数個のセラミック体を相互に間隔を保
って溶融金属に浸漬しなければならず、量産性に欠ける
。
２）金属粉末をペースト状に練り、これを転写、スクリ
ーン印刷等でセラミック体に塗布し焼き付けて多孔質の
外部電極を形成するため１この電極の厚みはばらつき（
例えば３０μｍから１００μｍまで〕、溶融金属に浸漬
した際、薄い部分は侵蝕により消失し、厚い部分では溶
融金属の溜りができて盛り上り、外部接続端子として適
さない形状となる。
ーン印刷等でセラミック体に塗布し焼き付けて多孔質の
外部電極を形成するため１この電極の厚みはばらつき（
例えば３０μｍから１００μｍまで〕、溶融金属に浸漬
した際、薄い部分は侵蝕により消失し、厚い部分では溶
融金属の溜りができて盛り上り、外部接続端子として適
さない形状となる。
等の不都合が存した。
本発明はかかる不都合を無くすことをその目的としたも
ので、セラミック体に、その電極用空隙に金属が充填さ
れて形成された内部電極と１該内部電極に連なり該セラ
ミック体の表面に形成された外部電極とを具備するセラ
ミックｍ子部品において、該外部電極は多孔質金属層か
らなる内層と該内層を被覆する外層とから構成され、該
内層は、その前記セラミック体に接する側が前記内部電
極金属に対して關れ性が良好でかつ融点が高い金属、外
側が前部内部電極金属に対して濡れ性が劣りかつ融点が
高い金属又は金属酸化物を含む金属からなり、前記外層
はその内側がはんだによる侵蝕性の少ない金属、外側が
はんだ語れ性の良好な金属からなることを特徴とする。
ので、セラミック体に、その電極用空隙に金属が充填さ
れて形成された内部電極と１該内部電極に連なり該セラ
ミック体の表面に形成された外部電極とを具備するセラ
ミックｍ子部品において、該外部電極は多孔質金属層か
らなる内層と該内層を被覆する外層とから構成され、該
内層は、その前記セラミック体に接する側が前記内部電
極金属に対して關れ性が良好でかつ融点が高い金属、外
側が前部内部電極金属に対して濡れ性が劣りかつ融点が
高い金属又は金属酸化物を含む金属からなり、前記外層
はその内側がはんだによる侵蝕性の少ない金属、外側が
はんだ語れ性の良好な金属からなることを特徴とする。
このセラミック電子部品は次のように作成される。
第１図に示すセラミック電子部品のセラミック体（１）
は１先ず外部電極（２）の多孔質金属層からなる内層（
２ａ）が形成される。これには金属粉を少量のフリット
とビヒクル等と混練したペーストをセラミック体（１）
の空隙開口部を慣ってセラミック体（１）に塗布し、焼
結する方法が最も簡便である。即ち、前記内層（２ａ）
は、セラミック体（１）の空隙（３）に注入する溶融金
属よりも融点が高く（低くとも５０°Ｃ）、その溶融金
属との儒れ性の良好な金属（２’＋）（例えばＰｂ、
Ｓｎ、 Ｅｉ、あるいはこれ等の合金などの注入金属の
場合、Ａｇ＋Ａ ｇ −Ｐ ｄ 、 Ａ ｕ −Ｐ ｄ
など）のペーストをセラミック体（１）の端面に塗布し
、これを乾燥又は焼付けた後に、この上に前記溶融金属
よりも融点が高く （低くとも５０°Ｃ）該金属との焙
れ性の劣る金属（２ａ、バ例えばＰｂ、 Ｓｎ、 Ｂｉ
あるいはこれらの合金などの溶融金属の場合、Ａｌ、
Ｚｎ、 Ｎｉ、 Ｏｕ（表面酸化で儒れ性が劣化）など
。）、あるいは金Ｍ＃化物又はガラスフリットなどを導
電性を損わずＳ濡れ性が無くなる範囲で含んだ金践ペー
ストを塗布して焼付けることにより形成される。次いで
ｐｂ等の溶融金属の中にセラミック体ｔｘｔを浸漬する
。その前にセラミック体ｔｌ）の空隙（３）からの脱気
を行ない、浸漬後は溶融金属に圧力をかけてｎｉｌ記空
隙（３）へ溶融金１１を充填させる。
は１先ず外部電極（２）の多孔質金属層からなる内層（
２ａ）が形成される。これには金属粉を少量のフリット
とビヒクル等と混練したペーストをセラミック体（１）
の空隙開口部を慣ってセラミック体（１）に塗布し、焼
結する方法が最も簡便である。即ち、前記内層（２ａ）
は、セラミック体（１）の空隙（３）に注入する溶融金
属よりも融点が高く（低くとも５０°Ｃ）、その溶融金
属との儒れ性の良好な金属（２’＋）（例えばＰｂ、
Ｓｎ、 Ｅｉ、あるいはこれ等の合金などの注入金属の
場合、Ａｇ＋Ａ ｇ −Ｐ ｄ 、 Ａ ｕ −Ｐ ｄ
など）のペーストをセラミック体（１）の端面に塗布し
、これを乾燥又は焼付けた後に、この上に前記溶融金属
よりも融点が高く （低くとも５０°Ｃ）該金属との焙
れ性の劣る金属（２ａ、バ例えばＰｂ、 Ｓｎ、 Ｂｉ
あるいはこれらの合金などの溶融金属の場合、Ａｌ、
Ｚｎ、 Ｎｉ、 Ｏｕ（表面酸化で儒れ性が劣化）など
。）、あるいは金Ｍ＃化物又はガラスフリットなどを導
電性を損わずＳ濡れ性が無くなる範囲で含んだ金践ペー
ストを塗布して焼付けることにより形成される。次いで
ｐｂ等の溶融金属の中にセラミック体ｔｘｔを浸漬する
。その前にセラミック体ｔｌ）の空隙（３）からの脱気
を行ない、浸漬後は溶融金属に圧力をかけてｎｉｌ記空
隙（３）へ溶融金１１を充填させる。
前記内層（２ａ）は、溶融金属の空隙（３）への注入の
際に空隙（３）か゛ら脱気するための通気性と溶融金属
の浸透性を具備した多孔質の金属層であり、その内側及
び外側は前述のような金属又は金属酸化物、ガラス７リ
ツトなどを含む金属であるから、溶融金属注入の際に溶
融することなくその漏出を抑えると共に内部電極（４）
との接続を維持し、溶融金属中から引揚げたときその表
面に溶融金属の溜りを作らない０ 該内層（２ａ）の表面ははんだ濡れ性がない為、外部接
続端子としての働きを持たせるべく、少なくとも２種の
金属層から成る外層（２ｂ）を該表面を覆って形成させ
る。即ち、その内層側にはんだ浸蝕性の少ない金ｆｆ（
２に＋＋）（例えばＮｉ、 ＡＩなど）を、表面にはは
んだ濡れ性の良好な金属（２ｂｙ ） （例えばＡｇ、
５ｎ−Ｐｂなど）を蒸着やメッキ等の方法で被着させる
。尚、前記Ｎでメッキの下地にＯｕメッキを施して内層
側を２Ｎにし、計５層以上に形成してもよく、２種の金
属層に限らない。
際に空隙（３）か゛ら脱気するための通気性と溶融金属
の浸透性を具備した多孔質の金属層であり、その内側及
び外側は前述のような金属又は金属酸化物、ガラス７リ
ツトなどを含む金属であるから、溶融金属注入の際に溶
融することなくその漏出を抑えると共に内部電極（４）
との接続を維持し、溶融金属中から引揚げたときその表
面に溶融金属の溜りを作らない０ 該内層（２ａ）の表面ははんだ濡れ性がない為、外部接
続端子としての働きを持たせるべく、少なくとも２種の
金属層から成る外層（２ｂ）を該表面を覆って形成させ
る。即ち、その内層側にはんだ浸蝕性の少ない金ｆｆ（
２に＋＋）（例えばＮｉ、 ＡＩなど）を、表面にはは
んだ濡れ性の良好な金属（２ｂｙ ） （例えばＡｇ、
５ｎ−Ｐｂなど）を蒸着やメッキ等の方法で被着させる
。尚、前記Ｎでメッキの下地にＯｕメッキを施して内層
側を２Ｎにし、計５層以上に形成してもよく、２種の金
属層に限らない。
実施例
一極用空隙を有する１３ａＴｉＣ＋３系セラミック体の
電極用空隙開口側端縁部に、開口部を覆うようにＡｇ
７０％、Ｐｔ１５０％の粉末をガラスフリット、ビヒク
ル及び溶剤でペースト状に混練して塗布し、８５０℃で
焼付けを行ない、外部電極内層（２ａ）の第１層（２１
ＬＩ）を形成した。
電極用空隙開口側端縁部に、開口部を覆うようにＡｇ
７０％、Ｐｔ１５０％の粉末をガラスフリット、ビヒク
ル及び溶剤でペースト状に混練して塗布し、８５０℃で
焼付けを行ない、外部電極内層（２ａ）の第１層（２１
ＬＩ）を形成した。
次に、Ａｇ３７％、Ｐｄ１３％、ｚｎｓｏ％の粉末をガ
ラスフリット、ビヒクル及び溶剤でペースト状に混練し
て外部電極内層（２ａ）上に塗布し８５０’Ｃで焼付け
、内層（２ａ）の第２Ｍ（２ａｔ）を形成した。
ラスフリット、ビヒクル及び溶剤でペースト状に混練し
て外部電極内層（２ａ）上に塗布し８５０’Ｃで焼付け
、内層（２ａ）の第２Ｍ（２ａｔ）を形成した。
この外部電極内層（２ａ）を形成したセラミック体をス
テンレス網に積載し、加熱圧力容器の内でｐｂａ ｏ％
、５ｎ２０％からなる２９０°Ｃの溶融金属の上に１１
いてｓｏｍ＋ｎＨｇまで減圧し、セラミック体の電極用
空隙内の抜気を行うとともにセラミック体の加熱を行な
った後、溶融金属中に浸漬し、容器内にＮ！ガスを供給
して１７ゆ／ｃｒＰｌに昇圧して、空隙内に熔融金属を
圧入した。
テンレス網に積載し、加熱圧力容器の内でｐｂａ ｏ％
、５ｎ２０％からなる２９０°Ｃの溶融金属の上に１１
いてｓｏｍ＋ｎＨｇまで減圧し、セラミック体の電極用
空隙内の抜気を行うとともにセラミック体の加熱を行な
った後、溶融金属中に浸漬し、容器内にＮ！ガスを供給
して１７ゆ／ｃｒＰｌに昇圧して、空隙内に熔融金属を
圧入した。
次に浸漬してから４分間後溶融金属からセラミック体ｔ
ｌＪを引き揚げ、１７０°Ｃまで冷却し容器内の気体圧
力を除いて取出した。
ｌＪを引き揚げ、１７０°Ｃまで冷却し容器内の気体圧
力を除いて取出した。
他のセラミック体には前記と同様に外部電極（２）の内
層（２ａ）を形成し、溶融金属を！１００℃。
層（２ａ）を形成し、溶融金属を！１００℃。
６２５℃及び３４５°Ｃの各温度にして、同様の手順で
セラミック体の空隙内に該溶融金属を圧入した。
セラミック体の空隙内に該溶融金属を圧入した。
以上のＮ１極用空隙に金属を注入したセラミック体（１
）の外部電極（２）の内層（２ａ）上に化学メッキによ
りＯｕを析出させ更にＮ１の電気メッキを施して外ｆｆ
（２ｂ）の内側層を形成し、その上にｐｂ−８ｎ電気メ
ツキを施して外側層を形成しｐｂ−８ｎ注大型積層セラ
ミックコンデンサを作成した０ 比較例 Ａｇ ７０％、Ｐｄ！５０％のペーストをセラミック体
に塗布し８５０’Ｃで焼付け、これを２度繰り返して外
部電極を形成し、これをステンレス網に互に接触しない
ように並べて、前記溶融金属の注入と同じ方法で２９０
°（，５００°Ｃ１３２５℃及び６４５°Ｃの各温度で
Ｐｂ−８ｎの溶融金属を注入して各比較資料を作成した
。
）の外部電極（２）の内層（２ａ）上に化学メッキによ
りＯｕを析出させ更にＮ１の電気メッキを施して外ｆｆ
（２ｂ）の内側層を形成し、その上にｐｂ−８ｎ電気メ
ツキを施して外側層を形成しｐｂ−８ｎ注大型積層セラ
ミックコンデンサを作成した０ 比較例 Ａｇ ７０％、Ｐｄ！５０％のペーストをセラミック体
に塗布し８５０’Ｃで焼付け、これを２度繰り返して外
部電極を形成し、これをステンレス網に互に接触しない
ように並べて、前記溶融金属の注入と同じ方法で２９０
°（，５００°Ｃ１３２５℃及び６４５°Ｃの各温度で
Ｐｂ−８ｎの溶融金属を注入して各比較資料を作成した
。
表１は本発明の試料と比較試料について静電容置をＩ
ＫＨｚの正弦波交流で測定した結果を示ち表 １ 表１によれば、注入温度２９０℃〜３００”Ｃ。
ＫＨｚの正弦波交流で測定した結果を示ち表 １ 表１によれば、注入温度２９０℃〜３００”Ｃ。
注入時間４分間では溶融金属の注入が不完全であり、３
２５℃でほぼ密に充填された。本発明は３４５°Ｃで外
部電極の損傷が起きないが、比較例では外部電極が侵蝕
されて測定端子がなく測定できないものがあった。
２５℃でほぼ密に充填された。本発明は３４５°Ｃで外
部電極の損傷が起きないが、比較例では外部電極が侵蝕
されて測定端子がなく測定できないものがあった。
このことは表２における外部電極の剥離強度による潜圧
的な電極侵蝕の程度を見ても明らかで、本発明は、充分
に溶融金属を注入できる°３４５°Ｃにおいても２９０
℃のときと変らない剥離強度を維持するのに対し、比較
例は注入不完全な２９０℃から侵蝕が始まり、注入でき
る３２５°Ｃ以上ではほとんど剥離強度がない。表２は
、試料の両側端部に０．４ｍｍφのリード線をはんだ付
けして１方のリード線を固定し、他方のリード線を引張
って剥離強度を測定した結果を示す。
的な電極侵蝕の程度を見ても明らかで、本発明は、充分
に溶融金属を注入できる°３４５°Ｃにおいても２９０
℃のときと変らない剥離強度を維持するのに対し、比較
例は注入不完全な２９０℃から侵蝕が始まり、注入でき
る３２５°Ｃ以上ではほとんど剥離強度がない。表２は
、試料の両側端部に０．４ｍｍφのリード線をはんだ付
けして１方のリード線を固定し、他方のリード線を引張
って剥離強度を測定した結果を示す。
表 ２
前記外部電極の内Ｊ％？（２ａ）を有する本発明のセラ
ミック体（１）をステンレス網中に積載してｐｂ−８ｎ
の溶融金８中に浸漬してもセラミック体１１１同士が接
着せず分離していた。これに対し前記比較例ではセラミ
ック体同士互に接着するため、個々に間隔をもたせて前
記浸漬を行なった。第２図は３２５℃の溶融金属をセラ
ミック体の空隙に注入したときの本発明のセラミック体
、相関ではそのようなことがなく外形が平坦で外部接続
端子として初期の形状を保った。
ミック体（１）をステンレス網中に積載してｐｂ−８ｎ
の溶融金８中に浸漬してもセラミック体１１１同士が接
着せず分離していた。これに対し前記比較例ではセラミ
ック体同士互に接着するため、個々に間隔をもたせて前
記浸漬を行なった。第２図は３２５℃の溶融金属をセラ
ミック体の空隙に注入したときの本発明のセラミック体
、相関ではそのようなことがなく外形が平坦で外部接続
端子として初期の形状を保った。
このように本発明によるときは、毛ラミック体ｔｅｌ
Ｋ 設ケル外１５１１ ｔＫ 極ｆ２）（Ｄ内／Ｍ（２
ａ）は、その該セラミック体１ｊｌに接する側が内部電
極金属に対して濡れ性が良好でかつ融点が高い金ハロ、
外側が前記内部電極金属に対して瀝れ性が劣りかつ融点
が高い金属又は金属酸化物を含む金属がらなっているの
で、熔融金属中に多数の七ラミック体を浸漬し、その電
極用空隙に溶融金属を注入した後引き上げたときセラミ
ック体同士が相互接着することがなく、そのため従来の
ものに比べて量産性が向上するとともに、溶融金属中に
侵蝕した際外部電極が侵蝕されず、引き揚げたとき熔融
金属が付着して盛り上ることがなく外部接続端子として
不都合を生じない効果があり、更に外部電極の外層（３
ｂ）は、その内側がはんだによる侵蝕性の少ない金属、
外側がはんだ濡れ性の良好な金属からなるので、リード
線等との接続が容易である等の効果がある。
Ｋ 設ケル外１５１１ ｔＫ 極ｆ２）（Ｄ内／Ｍ（２
ａ）は、その該セラミック体１ｊｌに接する側が内部電
極金属に対して濡れ性が良好でかつ融点が高い金ハロ、
外側が前記内部電極金属に対して瀝れ性が劣りかつ融点
が高い金属又は金属酸化物を含む金属がらなっているの
で、熔融金属中に多数の七ラミック体を浸漬し、その電
極用空隙に溶融金属を注入した後引き上げたときセラミ
ック体同士が相互接着することがなく、そのため従来の
ものに比べて量産性が向上するとともに、溶融金属中に
侵蝕した際外部電極が侵蝕されず、引き揚げたとき熔融
金属が付着して盛り上ることがなく外部接続端子として
不都合を生じない効果があり、更に外部電極の外層（３
ｂ）は、その内側がはんだによる侵蝕性の少ない金属、
外側がはんだ濡れ性の良好な金属からなるので、リード
線等との接続が容易である等の効果がある。
第１図は本発明のセラミック電子部品の拡大断面図、第
２図は本発明セラミック体の平面図、第３図は従来例の
平面図を示す。 （１）・・・セラミック体（２）・・・外部電極（２ａ
）・・・内 層 （２ｂ）・・・外 層（３）・
・・空 隙 （４）・・・内部電極外２名
２図は本発明セラミック体の平面図、第３図は従来例の
平面図を示す。 （１）・・・セラミック体（２）・・・外部電極（２ａ
）・・・内 層 （２ｂ）・・・外 層（３）・
・・空 隙 （４）・・・内部電極外２名
Claims (1)
- セラミック体に、その電極用空隙に金属が充填されて形
成された内部電極と、該内部電極に連なり該セラミック
体の表面に形成された外部電極とを具備するセラミック
宙１子部品において、該外部電極は多孔質金属層からな
る内層と該内層を被覆する外層とから構成され、該内層
は、その前記セラミック体に接する側が前記内部電極金
属に対して濡れ性が良好でかつ融点が高い金属、外側が
前記内部電極金属に対して濡れ性が劣りかつ融点が高い
金属又は金属酸化物を含む金属からなり、前記外層はそ
の内側がはんだによる侵蝕性の少ない金属、外側がはん
だ個れ性の良好な金属からなることを特徴とするセラミ
ック電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19336382A JPS5984413A (ja) | 1982-11-05 | 1982-11-05 | セラミツク電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19336382A JPS5984413A (ja) | 1982-11-05 | 1982-11-05 | セラミツク電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984413A true JPS5984413A (ja) | 1984-05-16 |
| JPS638605B2 JPS638605B2 (ja) | 1988-02-23 |
Family
ID=16306660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19336382A Granted JPS5984413A (ja) | 1982-11-05 | 1982-11-05 | セラミツク電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984413A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62122104A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-03 | 松下電器産業株式会社 | 積層型チツプバリスタの電極処理方法 |
| JPS62137804A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-20 | 株式会社村田製作所 | 負特性積層チップ型サーミスタ |
| JPS62137805A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-20 | 株式会社村田製作所 | 負特性積層チップ型サーミスタ |
| JPS63119227U (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-02 |
-
1982
- 1982-11-05 JP JP19336382A patent/JPS5984413A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62122104A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-03 | 松下電器産業株式会社 | 積層型チツプバリスタの電極処理方法 |
| JPH0727803B2 (ja) * | 1985-11-20 | 1995-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 積層型チツプバリスタの電極処理方法 |
| JPS62137804A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-20 | 株式会社村田製作所 | 負特性積層チップ型サーミスタ |
| JPS62137805A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-20 | 株式会社村田製作所 | 負特性積層チップ型サーミスタ |
| JPH0554682B2 (ja) * | 1985-12-12 | 1993-08-13 | Murata Manufacturing Co | |
| JPH0554681B2 (ja) * | 1985-12-12 | 1993-08-13 | Murata Manufacturing Co | |
| JPS63119227U (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-02 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS638605B2 (ja) | 1988-02-23 |
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