JPS62122104A - 積層型チツプバリスタの電極処理方法 - Google Patents
積層型チツプバリスタの電極処理方法Info
- Publication number
- JPS62122104A JPS62122104A JP60262163A JP26216385A JPS62122104A JP S62122104 A JPS62122104 A JP S62122104A JP 60262163 A JP60262163 A JP 60262163A JP 26216385 A JP26216385 A JP 26216385A JP S62122104 A JPS62122104 A JP S62122104A
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- silver
- plating
- laminated chip
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は酸化亜鉛を主成分とする積層型チップバリスタ
の電極処理方法て関するものである。
の電極処理方法て関するものである。
従来の技術
従来、この種の積層型チップバリスタは銀電極に直接、
半田付けを行えば、銀が半田内部に拡散し、半田の接着
状態が劣化してしまう。そこで銀と２０％前後のパラジ
ウムとの合金を積層型チップバリスタの外部電極として
使用していた。
半田付けを行えば、銀が半田内部に拡散し、半田の接着
状態が劣化してしまう。そこで銀と２０％前後のパラジ
ウムとの合金を積層型チップバリスタの外部電極として
使用していた。
発明が解決しようとする問題点
銀−パラジウム電極は、パラジウムが非常に高価である
ため、素子のコストが高くなるという欠点がある。そこ
で、銀電極にニッケルメッキを施し、更に半田メツキラ
施すことにより。
ため、素子のコストが高くなるという欠点がある。そこ
で、銀電極にニッケルメッキを施し、更に半田メツキラ
施すことにより。
半田付は性を良くして銀の半田への拡散を防ぐことがで
きるが、酸化亜鉛は、酸、アルカリに非常に弱く、メッ
キ時にセラミック素体が劣化および特性の低下を引き起
こすという問題があつだ。
きるが、酸化亜鉛は、酸、アルカリに非常に弱く、メッ
キ時にセラミック素体が劣化および特性の低下を引き起
こすという問題があつだ。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決するために本発明は、領外部電険形成
後、シリコン樹脂で、セラミック部分全コーティングし
、その後でメッキ処理を行って電極を形成するものであ
る。
後、シリコン樹脂で、セラミック部分全コーティングし
、その後でメッキ処理を行って電極を形成するものであ
る。
作 用 ・
シリコン樹脂は、耐酸性を有する。本発明はこの性質を
利用したものであシ、電欄部分のメッキ処理時において
、あらかじめ上記手順でコーティングされたセラミック
部分の酸化を阻止するものである。
利用したものであシ、電欄部分のメッキ処理時において
、あらかじめ上記手順でコーティングされたセラミック
部分の酸化を阻止するものである。
実 施 例
以下に本発明の積層型チップバリスタの電極処理方法を
、素子製造方法の概略をまじえて説明する。まず、酸化
亜鉛を主成分とするバリスタ粉末に対し、バインダー、
可塑剤、有機溶剤を加えてスラリー化し、ドクター・ブ
レード法によシ任意の厚みのグリーンシートを作る。こ
れを所定の大きさに切断し、白金ペーストを内部電極と
して、グリーンシートに印刷する。印刷後、積層し、圧
着したもの全切断する。素子はバインダーアウト後、１
１００〜１３００°Ｃで焼成する。素子の面取シを行っ
た後、領外部電極を塗布し、７００〜８００℃で焼付け
を行う。
、素子製造方法の概略をまじえて説明する。まず、酸化
亜鉛を主成分とするバリスタ粉末に対し、バインダー、
可塑剤、有機溶剤を加えてスラリー化し、ドクター・ブ
レード法によシ任意の厚みのグリーンシートを作る。こ
れを所定の大きさに切断し、白金ペーストを内部電極と
して、グリーンシートに印刷する。印刷後、積層し、圧
着したもの全切断する。素子はバインダーアウト後、１
１００〜１３００°Ｃで焼成する。素子の面取シを行っ
た後、領外部電極を塗布し、７００〜８００℃で焼付け
を行う。
このようにして、内部及び外部電極を付設した素子には
１図に示す通シ、外部電砥部分（１）を除くセラミック
素体（２）の露出面に、粘度５００〜１０００ ｃｐｓ
（室温）のシリコン樹脂（３）を塗布する。これは第
１表に示すよう、に厚み２０〜６０μにおいて機械的に
塗り、３０分間真空脱泡を行う。その後１５０〜２００
°Ｃで２〜３時間乾燥させ３００〜４００”Ｃで焼きっ
けを行う。
１図に示す通シ、外部電砥部分（１）を除くセラミック
素体（２）の露出面に、粘度５００〜１０００ ｃｐｓ
（室温）のシリコン樹脂（３）を塗布する。これは第
１表に示すよう、に厚み２０〜６０μにおいて機械的に
塗り、３０分間真空脱泡を行う。その後１５０〜２００
°Ｃで２〜３時間乾燥させ３００〜４００”Ｃで焼きっ
けを行う。
シリコン樹脂焼付後の素子における露出した銀型［（１
）に対しては、Ｎｉ メッキの前処理として脱脂全行
い、乾燥及び洗浄後、アルカノールスルホン酸水溶液で
酸活性化を行う。素子は洗浄後、硫酸ニッケル、塩化ニ
ッケル及びホウ酸を含んだニッケル処理液につけ、所定
の電流全流してニッケルメッキを施す。再び、洗浄、酸
活性化及び洗浄をくりかえし半田メッキに移る。
）に対しては、Ｎｉ メッキの前処理として脱脂全行
い、乾燥及び洗浄後、アルカノールスルホン酸水溶液で
酸活性化を行う。素子は洗浄後、硫酸ニッケル、塩化ニ
ッケル及びホウ酸を含んだニッケル処理液につけ、所定
の電流全流してニッケルメッキを施す。再び、洗浄、酸
活性化及び洗浄をくりかえし半田メッキに移る。
アルカノールスルホン酸系の第一錫とｍ ｋ、 含ミ。
光沢剤を添加した半田処理液に素子をつけ、所定の電流
を流して半田メッキを行う。
を流して半田メッキを行う。
以上の工程に従ってメッキ処理を施した素子のサージ耐
量を測定した結果は第１表に示す通９である。第１表か
らもわかるように、コーティングをしていないものは、
素子の劣化が著しく、コーティングの薄いものも、サー
ジ耐量の低下がみられる。しかしコーティングの厚みが
増すにつれ、素子の劣化及びサージ耐量の低下はみられ
なくなる。また、厚すぎると銀電極上までコーティング
してしまうため、メッキのつきが悪化し、シリコン樹脂
が剥離してしまう。
量を測定した結果は第１表に示す通９である。第１表か
らもわかるように、コーティングをしていないものは、
素子の劣化が著しく、コーティングの薄いものも、サー
ジ耐量の低下がみられる。しかしコーティングの厚みが
増すにつれ、素子の劣化及びサージ耐量の低下はみられ
なくなる。また、厚すぎると銀電極上までコーティング
してしまうため、メッキのつきが悪化し、シリコン樹脂
が剥離してしまう。
第 １ 表
但し、サージ耐量ば８Ｘ２０／ｚｓの標準電流波形を用
い、この波形の衝撃電流を５分間隔で２回印加し、バリ
スタ電圧の劣化率かで１０％である電流値のことを意味
する。
い、この波形の衝撃電流を５分間隔で２回印加し、バリ
スタ電圧の劣化率かで１０％である電流値のことを意味
する。
発明の効果
本発明は積層型チップバリスタ素体に外部電極形成後そ
のセラミック部分に、シリコンコーティングをする事に
より、前記セラミック部分を酸化させることなくニッケ
ルメッキ、半田メッキを可能にし、領外部電唖の半田へ
の拡散を防ぐとともに、銀型憧間のマイグレーションを
防ぐ効果も生む。
のセラミック部分に、シリコンコーティングをする事に
より、前記セラミック部分を酸化させることなくニッケ
ルメッキ、半田メッキを可能にし、領外部電唖の半田へ
の拡散を防ぐとともに、銀型憧間のマイグレーションを
防ぐ効果も生む。
以上の通シ、本発明は産業上きわめて利用細道のあるも
のである。
のである。
リスクの要部を示す断面図である。
（１） −−−−一外部銀型序
Claims (1)
- 積層型の酸化鉛系チップバリスタに、銀外部電極を形
成後シリコン樹脂でコーティングし、しかる後、前記銀
外部電極に金属メッキを施すことを特徴とする積層型チ
ツプバリスタの電極処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60262163A JPH0727803B2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 積層型チツプバリスタの電極処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60262163A JPH0727803B2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 積層型チツプバリスタの電極処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62122104A true JPS62122104A (ja) | 1987-06-03 |
| JPH0727803B2 JPH0727803B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=17371935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60262163A Expired - Lifetime JPH0727803B2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 積層型チツプバリスタの電極処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727803B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01293503A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Murata Mfg Co Ltd | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
| JP2003197406A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Maruwa Co Ltd | チップ型バリスタの製造方法 |
| JP2014072516A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
| JP2016031988A (ja) * | 2014-07-28 | 2016-03-07 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5866321A (ja) * | 1981-10-15 | 1983-04-20 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
| JPS5984413A (ja) * | 1982-11-05 | 1984-05-16 | 太陽誘電株式会社 | セラミツク電子部品 |
| JPS59193016A (ja) * | 1983-04-16 | 1984-11-01 | ケ−シ−ケ−株式会社 | 積層コンデンサの製造方法 |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP60262163A patent/JPH0727803B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5866321A (ja) * | 1981-10-15 | 1983-04-20 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
| JPS5984413A (ja) * | 1982-11-05 | 1984-05-16 | 太陽誘電株式会社 | セラミツク電子部品 |
| JPS59193016A (ja) * | 1983-04-16 | 1984-11-01 | ケ−シ−ケ−株式会社 | 積層コンデンサの製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01293503A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Murata Mfg Co Ltd | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
| JP2003197406A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Maruwa Co Ltd | チップ型バリスタの製造方法 |
| JP2014072516A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
| JP2016031988A (ja) * | 2014-07-28 | 2016-03-07 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0727803B2 (ja) | 1995-03-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |