JPS59112681A - セラミツク回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、湿式セラミック基板に係り、特にタングステ
ン導体と、金属厚膜導体の接続安定性を改良するのに好
適なセラミック回路基板の構成に関するものである。

〔従来技術〕

従来のセラミック回路基板では、タングステン導体と、
Ａｆ／Ｐｄのような、ガラス質含有金属ペースト導体と
の接続方法は、ニッケルめっき後に金めつきを施してい
だが、コスト的に高価なばかりではなく、金が銀、パラ
ジウムペースト焼成時に、早い時期にペースト中に拡散
してしまい　接続抵抗が高くなることがあり、シンタリ
ングをめっき後に行なわなくては十分な信頼性が得られ
ないという欠点があった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、セラミック上のタングステン導体と、
ガラス質を含む金属ペーストを信頼度が高く接続できる
ニッケルとパラジウムめっきをタングステン導体上に施
した後にガラス質を含む金属ペーストを焼成したことよ
シバターンを形成したセラミック回路基板を提供するこ
とにある。

〔発明の概要〕

タングステン導体とガラス質を含む金属ペーストを信頼
度高く接続するためには、金属ペーストと接するめっき
膜の材質により大きな影響を受ける。すなわち金属ペー
ストの焼成時にめつき膜とほどよい拡散を起す状態が理
想であり、たとえばタングステン上にＮＬめつき後、Ａ
Ｖめっきを施した場合、ＡＷの両側の拡散温度や速度が
異々るために一方の接続材料にのみ拡散が起り他方には
拡散ができなくなる。この為に、接線抵抗が高くなり極
だんな例でｌｄ：　）はく離が発生する。本発明では、
ニッケル上にパラジウノ、めっきを施すことによシ拡散
速度を均一にするため、銀、パラジウムのガラス含有ペ
ーストが最も好適な例である。銀めっきを施す例もある
が、マイグレーションや、ホイスカーを発生しやすく、
パラジウムがのぞましい。また、ガラス質含有の金属ペ
ーストで、一般的に存在する”／ＰえやＣ１Ｌペースト
等についても本発明の効果が得られる。また、焼成温度
は５００〜９００６Ｃでよいが、めっきしたパラジウム
の還元性が発生する９００Ｃ付近の焼成温度が最適であ
り、この理由からガラス質含有の金属ペーストについて
も、９００’（Ｅ付近で焼成できる性質のペーストが望
捷しい。

また、本発明に供するめつき被膜は、電解めつき瞳、無
電解めっき膜のいずれによる方法でも可だが、タングス
テン上に接するニッケルめっきは、無電解ニッケルめっ
き膜を必要とする。

〔発明の実施例〕

〈実施例〉 グリーンシート上にタングステン導体２を１６０ＤＣに
て焼結した、セラミック基板１上に無電解ニッケル膜５
と、電解パラジウムめっき膜４を施し、その上に、ガラ
ス質を含有する銀、パラジウム膜５を印刷し、９００°
Ｃの酸化雰囲気で焼成したところ、接続抵抗の小さい、
密着が良好なセラミック回路基板が得られた。

〔発明の効果〕

本発明によれば、従来性なわれていためつき後のシンタ
リング工程を省くことができ、かつ、接続部の信頼度が
、向上し、従来比約２倍の寿命を得ることが可能となる
。また、工程省略ができるためコスト低減も可能となる
。

【図面の簡単な説明】

図は、本発明によるセラミック回路基板の断面図である
。 １・・・・・セラミック基板、 ２・・・・・・タングステン導体、 ６・・・・・・無電解ニッケル膜、 ４・・・・・電解ノくラジウムめっき膜、５　　銀・ノ
くラジウム膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １　タングステン焼結導体を有するセラミック回路基板
   に於いて、タングステン上にニッケルめっきを施し、し
   かる後にパラジウムめっきを施して後、ガラス質を含む
   金属厚膜ペーストを印刷し、５００’Ｃ〜９００’Ｃ’
   の酸化雰囲気にてペーストを焼成したことによりタング
   ステン導体と釧、パラジウム厚膜導体を接続したことを
   特徴とするセラミック回路基板。