JPS61121389A - セラミツク配線板 - Google Patents
セラミツク配線板Info
- Publication number
- JPS61121389A JPS61121389A JP24290484A JP24290484A JPS61121389A JP S61121389 A JPS61121389 A JP S61121389A JP 24290484 A JP24290484 A JP 24290484A JP 24290484 A JP24290484 A JP 24290484A JP S61121389 A JPS61121389 A JP S61121389A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- wiring board
- ceramic wiring
- glass
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子機器の回路部分の構成用に用いるセラミ
ック配線板に関する技術であジ、特にＩＣ，ＬＳＩ、抵
抗器、コンデンサなどの表面実装用に適し、コスト的に
安価であり、かつ信頼性を向上させ得るものに関する。
ック配線板に関する技術であジ、特にＩＣ，ＬＳＩ、抵
抗器、コンデンサなどの表面実装用に適し、コスト的に
安価であり、かつ信頼性を向上させ得るものに関する。
従来の技術
従来ＩＣ、ＬＳＩ 、抵抗器、コンデンサなどの表面装
着部品を実装するのにリフロ９ンルダリング技術を適用
してはんだ接続を行なっている。この実装にセラミック
配線板としてアルミナ磁器基板、ステアタイト磁器基板
、ポーセレン磁器基板。
着部品を実装するのにリフロ９ンルダリング技術を適用
してはんだ接続を行なっている。この実装にセラミック
配線板としてアルミナ磁器基板、ステアタイト磁器基板
、ポーセレン磁器基板。
フォルステライト基板などが用いられている。これらの
基板に対する導体の形成は、銀粉又は銀粉＋バラジクム
粉とガラス粉等から成るペーストの印刷と厚さ１０〜１
６μの焼成という乾式法を用いている。
基板に対する導体の形成は、銀粉又は銀粉＋バラジクム
粉とガラス粉等から成るペーストの印刷と厚さ１０〜１
６μの焼成という乾式法を用いている。
発明が解決しようとする問題点
従来技術によると、乾式法は工程中での基板に対するイ
オン汚染の少ないのが長所であるが、銀パラジワムとい
った貴金属粉を用いるのでコスト的に高いこと、また高
湿度中にて直流電圧を印加するとマイグレイジョンが発
生し、導体の抵抗値増加、或は導体間の電気的短絡を惹
き起す欠点があった。銅ペーストを用いる方法も提案さ
れているが、抵抗値が高目になり、また、不安定となジ
易く、はんだもつきにくく、コスト的にも雰囲気ガスを
用いた特殊な焼成炉を用いるので、大して安くはなって
いなかった。湿式法としてめっきによる銅導体の形成を
直接或は他の導体に重ねて行なう方法もあるがめつき洛
中に、セラミック基板が露呈されて、めっき洛中のイオ
ンが侵透し、基板の電気絶縁が低下し、かつ導体の裏面
からの腐食、それに接着力の不足等の問題があってめま
り広くは用いられていない。
オン汚染の少ないのが長所であるが、銀パラジワムとい
った貴金属粉を用いるのでコスト的に高いこと、また高
湿度中にて直流電圧を印加するとマイグレイジョンが発
生し、導体の抵抗値増加、或は導体間の電気的短絡を惹
き起す欠点があった。銅ペーストを用いる方法も提案さ
れているが、抵抗値が高目になり、また、不安定となジ
易く、はんだもつきにくく、コスト的にも雰囲気ガスを
用いた特殊な焼成炉を用いるので、大して安くはなって
いなかった。湿式法としてめっきによる銅導体の形成を
直接或は他の導体に重ねて行なう方法もあるがめつき洛
中に、セラミック基板が露呈されて、めっき洛中のイオ
ンが侵透し、基板の電気絶縁が低下し、かつ導体の裏面
からの腐食、それに接着力の不足等の問題があってめま
り広くは用いられていない。
本発明は従来のセラミック配線板に対する導体の経済的
な形成法を電気的な信頼性を損なう事なく実現しようと
するものである。
な形成法を電気的な信頼性を損なう事なく実現しようと
するものである。
問題点を解決するための手段
本発明においては、めっき浴接触によるイオン性成分の
浸透を阻止するために、セラミック基板の全面に、めっ
き以前にガラスフリットのコートと焼き付けを行なった
のち、低コスト化のために、湿式法により銅・ニッケル
などの卑金属めっきをおこなう。また焼成後のガラス層
と後続するめつき金属とを適切な温度で熱処理すること
により強固な接着強度をもったセラミック配線板を実現
し傘ものである。
浸透を阻止するために、セラミック基板の全面に、めっ
き以前にガラスフリットのコートと焼き付けを行なった
のち、低コスト化のために、湿式法により銅・ニッケル
などの卑金属めっきをおこなう。また焼成後のガラス層
と後続するめつき金属とを適切な温度で熱処理すること
により強固な接着強度をもったセラミック配線板を実現
し傘ものである。
作用
本発明によれば、めっき浴中の酸・アルカリなどのイオ
ン性成分の基板内浸透を防止するために、ガラスコート
をめっきによる導体層の形成前におこない、セラミック
板へのめつき導体間の電気絶縁抵抗の低下を防ぐ。また
、めっき導体とガラス層とを共に加熱処理することによ
り、接着強度を向上させ、微細パターンの安定な形成を
計ることができる。
ン性成分の基板内浸透を防止するために、ガラスコート
をめっきによる導体層の形成前におこない、セラミック
板へのめつき導体間の電気絶縁抵抗の低下を防ぐ。また
、めっき導体とガラス層とを共に加熱処理することによ
り、接着強度を向上させ、微細パターンの安定な形成を
計ることができる。
実施例
第１図は本発明の実施例セラミック配線板の断面図、第
２図ａ −ｅは製造プロセス類に同配線板を断面図で示
す。第１図で、１はセラミック板、２はガラス塗膜、３
は銅めつき層である。本発明の実施例構造を、第２図亀
〜ｅの工程順図にしたがって詳しくのべる。第２国電の
ように、セラミック基板１として、純度９・６％のアル
ミナ磁器基板の厚さ０．６５１１ｆｆ、寸法２０ Ｘ
３０ｆｆの平板を用い、これを、トリクレンにより脱脂
洗浄後、水洗する。次に前記基板１の片面又は両面（第
１図は片面に対して示す。）時には孔壁に対して、ガラ
スフリットインク（例えば、デュポン社の製品名９１３
７）を塗布又は印刷し、厚さ１８〜２０ミクロンのガラ
スペースト層２′とし、これを、５５０〜６８０°Ｃ，
１０〜１６分の最高保持温度・保持時間によって焼成し
、厚さ１３〜１５ミクロンのガラス塗膜２に形成する。
２図ａ −ｅは製造プロセス類に同配線板を断面図で示
す。第１図で、１はセラミック板、２はガラス塗膜、３
は銅めつき層である。本発明の実施例構造を、第２図亀
〜ｅの工程順図にしたがって詳しくのべる。第２国電の
ように、セラミック基板１として、純度９・６％のアル
ミナ磁器基板の厚さ０．６５１１ｆｆ、寸法２０ Ｘ
３０ｆｆの平板を用い、これを、トリクレンにより脱脂
洗浄後、水洗する。次に前記基板１の片面又は両面（第
１図は片面に対して示す。）時には孔壁に対して、ガラ
スフリットインク（例えば、デュポン社の製品名９１３
７）を塗布又は印刷し、厚さ１８〜２０ミクロンのガラ
スペースト層２′とし、これを、５５０〜６８０°Ｃ，
１０〜１６分の最高保持温度・保持時間によって焼成し
、厚さ１３〜１５ミクロンのガラス塗膜２に形成する。
次に、ガラス塗膜２を備えた絶縁基板１を１６％塩酸水
溶液に室温で一分間処理し、塩酸をガラス塗膜２に接触
後、水洗を５分行なう。次に導体を予定している部分以
外にめっきレジストを印刷する。このめっきレジストと
してビニール系のものを用いれば強アルカリ浴の条件に
耐え、めっき後に剥離して除去する。続いて化学めっき
による銅の厚付けを行なう。このとき、下記組成のめつ
き液に基板のガラス塗膜面を接触させる。
溶液に室温で一分間処理し、塩酸をガラス塗膜２に接触
後、水洗を５分行なう。次に導体を予定している部分以
外にめっきレジストを印刷する。このめっきレジストと
してビニール系のものを用いれば強アルカリ浴の条件に
耐え、めっき後に剥離して除去する。続いて化学めっき
による銅の厚付けを行なう。このとき、下記組成のめつ
き液に基板のガラス塗膜面を接触させる。
Ｃｕ ｓｏ４・５Ｈ２０−−−−１０９７１１エチレン
ジアミン四酢酸・−・・・・・・３ｏ、！７／１１フォ
ルマリン（３７％）・・・・・・・・・ ３ ｍ７１Ａ
Ｎａ ＯＨ・・・＝−室温でｐＨが１２，５〜１３．５
になる量 ・・・・・・・・１１ ｇ＃ ホリエチレングリコール・・・・・・・・２０ｇ＃ガラ
ス塗膜２の面のみがめつき浴に接触するようにして約８
時間で約２５μの厚さの化学銅めっき膜３を形成する。
ジアミン四酢酸・−・・・・・・３ｏ、！７／１１フォ
ルマリン（３７％）・・・・・・・・・ ３ ｍ７１Ａ
Ｎａ ＯＨ・・・＝−室温でｐＨが１２，５〜１３．５
になる量 ・・・・・・・・１１ ｇ＃ ホリエチレングリコール・・・・・・・・２０ｇ＃ガラ
ス塗膜２の面のみがめつき浴に接触するようにして約８
時間で約２５μの厚さの化学銅めっき膜３を形成する。
ここで、４はめつき液、５はめつき浴槽である。めっき
浴槽から取り量し、トリフレ／溶剤により、めっきレジ
ストを除去する。
浴槽から取り量し、トリフレ／溶剤により、めっきレジ
ストを除去する。
最後に３００〜３６０°Ｃに調整するための加熱素子６
を有し、不活性ガスを導入又は排出する管７をもつＰ８
にて同温度範囲で、３０分〜２時間の加熱処理を行なう
。なお、この加熱処理の湿度はガラス塗膜のガラス微粒
子の粒界溶解が３００°Ｃ前後から始まるので、銅のア
ニール温度３５０”Ｃを考慮すると、３００°Ｃ〜３５
０”Ｃが適当である。
を有し、不活性ガスを導入又は排出する管７をもつＰ８
にて同温度範囲で、３０分〜２時間の加熱処理を行なう
。なお、この加熱処理の湿度はガラス塗膜のガラス微粒
子の粒界溶解が３００°Ｃ前後から始まるので、銅のア
ニール温度３５０”Ｃを考慮すると、３００°Ｃ〜３５
０”Ｃが適当である。
以上の工程により、第１図示のセラミック配線板が完成
される。
される。
発明の効果
本発明によると、そのコスト低減は従来の銀−パラジウ
ムペイント焼成時にくらべて約３０〜４０％であった。
ムペイント焼成時にくらべて約３０〜４０％であった。
また、電気的性能の改良に関してみると、次表の通りで
ある。
ある。
（以 下 余 白）
この表に示される特性から明らかなように、ガラスコー
トなし、あジの差が吸湿処理後顕著でありめっき液の浸
透によジ基板の絶縁性導体裏面の電食性に大きな差があ
り、別に実施した残留イオンテスタにより確認できた。
トなし、あジの差が吸湿処理後顕著でありめっき液の浸
透によジ基板の絶縁性導体裏面の電食性に大きな差があ
り、別に実施した残留イオンテスタにより確認できた。
第１図は本発明実施例の断面図、第２図＆ ％ ｅは本
発明実施例を形成する製造工程を示す工程順断面図であ
る。 １・・・・セラミック板、２・・・・・ガラスペースト
焼付層（塗膜）、３・・・・・銅めっき層。
発明実施例を形成する製造工程を示す工程順断面図であ
る。 １・・・・セラミック板、２・・・・・ガラスペースト
焼付層（塗膜）、３・・・・・銅めっき層。
Claims (1)
- セラミック板の全面に、ガラスペーストを焼付けし、こ
のガラス層上に化学めつき導体パターンを形成するセラ
ミック配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24290484A JPS61121389A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | セラミツク配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24290484A JPS61121389A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | セラミツク配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121389A true JPS61121389A (ja) | 1986-06-09 |
Family
ID=17095943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24290484A Pending JPS61121389A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | セラミツク配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61121389A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63131170U (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-26 | ||
| US7392837B2 (en) | 1996-08-12 | 2008-07-01 | Calsonic Kansei Corporation | Integral-type heat exchanger |
-
1984
- 1984-11-16 JP JP24290484A patent/JPS61121389A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63131170U (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-26 | ||
| US7392837B2 (en) | 1996-08-12 | 2008-07-01 | Calsonic Kansei Corporation | Integral-type heat exchanger |
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