JPH0727803B2 - 積層型チツプバリスタの電極処理方法 - Google Patents

積層型チツプバリスタの電極処理方法

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JPH0727803B2
JPH0727803B2 JP60262163A JP26216385A JPH0727803B2 JP H0727803 B2 JPH0727803 B2 JP H0727803B2 JP 60262163 A JP60262163 A JP 60262163A JP 26216385 A JP26216385 A JP 26216385A JP H0727803 B2 JPH0727803 B2 JP H0727803B2
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JP
Japan
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electrode
chip varistor
silver
laminated chip
treatment method
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香織 岡本
鉉 板倉
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は酸化亜鉛を主成分とする積層型チツプバリスタ
の電極処理方法に関するものである。
従来の技術 従来、この種の積層型チツプバリスタは銀電極に直接、
半田付けを行えば、銀が半田内部に拡散し、半田の接着
状態が劣化してしまう。そこで銀と20%前後のパラジウ
ムとの合金を積層型チツプバリスタの外部電極として使
用していた。
発明が解決しようとする問題点 銀−パラジウム電極は、パラジウムが非常に高価である
ため、素子のコストが高くなるという欠点がある。そこ
で、銀電極にニツケルメツキを施し、更に半田メツキを
施すことにより、半田付け性を良くして銀の半田への拡
散を防ぐことができるが、酸化亜鉛は、酸、アルカリに
非常に弱く、メツキ時にセラミツク素体が劣化および特
性の低下を引き起こすという問題があつた。
問題点を解決するための手段 この問題点を解決するために本発明は、銀外部電極形成
後、シリコン樹脂で、セラミツク部分をコーテイング
し、その後でメツキ処理を行つて電極を形成するもので
ある。
作用 シリコン樹脂は、耐酸性を有する。本発明はこの性質を
利用したものであり、電極部分のメツキ処理時におい
て、あらかじめ上記手順でコーテイングされたセラミツ
ク部分の酸化を阻止するものである。
実 施 例 以下に本発明の積層型チツプバリスタの電極処理方法
を、素子製造方法の概略をまじえて説明する。まず、酸
化亜鉛を主成分とするバリスタ粉末に対し、バインダ
ー、可塑剤、有機溶剤を加えてスラリー化し、ドクター
・ブレード法により任意の厚みのグリーンシートを作
る。これを所定の大きさに切断し、白金ペーストを内部
電極として、グリーンシートに印刷する。印刷後、積層
し、圧着したものを切断する。素子はバインダーアウト
後、1100〜1300℃で焼成する。素子の面取りを行つた
後、銀外部電極を塗布し、700〜800℃で焼付けを行う。
このようにして、内部及び外部電極を付設した素子に
は、図に示す通り、外部電極部分(1)を除くセラミツ
ク素体(2)の露出面に、粘度500〜1000cps(室温)の
シリコン樹脂(3)を塗布する。これは第1表に示すよ
うに厚み20〜60μにおいて機械的に塗り、30分間真空脱
泡を行う。その後150〜200℃で2〜3時間乾燥させ300
〜400℃で焼きつけを行う。
シリコン樹脂焼付後の素子における露出した銀電極
(1)に対しては、Niメツキの前処理として脱脂を行
い、乾燥及び洗浄後、アルカノールスルホン酸水溶液で
酸活性化を行う。素子は洗浄後、硫酸ニツケル、塩化ニ
ツケル及びホウ酸を含んだニツケル処理液につけ、所定
の電流を流してニツケルメツキを施す。再び、洗浄、酸
活性化及び洗浄をくりかえし半田メツキに移る。アルカ
ノールスルホン酸系の第一錫と鉛を含み、光沢剤を添加
した半田処理液に素子をつけ、所定の電流を流して半田
メツキを行う。
以上の工程に従つてメツキ処理を施した素子のサージ耐
量を測定した結果は第1表に示す通りである。第1表か
らもわかるように、コーテイングをしていないものは、
素子の劣化が著しく、コーテイングの薄いものも、サー
ジ耐量の低下がみられる。しかしコーテイングの厚みが
増すにつれ、素子の劣化及びサージ耐量の低下はみられ
なくなる。また、厚すぎると銀電極上までコーテイング
してしまうため、メツキのつきが悪化し、シリコン樹脂
が剥離してしまう。
但し、サージ耐量は8×20μsの標準電流波形を用い、
この波形の衝撃電流を5分間隔で2回印加し、バリスタ
電圧の劣化率が±10%である電流値のことを意味する。
発明の効果 本発明は積層型チツプバリスタ素体に外部電極形成後そ
のセラミツク部分に、シリコンコーテイングをする事に
より、前記セラミツク部分を酸化させることなくニツケ
ルメツキ、半田メツキを可能にし、銀外部電極の半田へ
の拡散を防ぐとともに、銀電極間のマイグレーシヨンを
防ぐ効果も生む。
以上の通り、本発明は産業上きわめて利用価値のあるも
のである。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の方法を実施した積層型チツプバリスタの
要部を示す断面図である。 (1)……外部銀電極 (2)……セラミツク素体 (3)……シリコン樹脂層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】積層型の酸化亜鉛系チップバリスタに、銀
    外部電極を形成後シリコン樹脂でコーティングし、しか
    る後、前記銀外部電極に金属メッキを施すことを特徴と
    する積層型チップバリスタの電極処理方法。
JP60262163A 1985-11-20 1985-11-20 積層型チツプバリスタの電極処理方法 Expired - Lifetime JPH0727803B2 (ja)

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