JP2864730B2 - 電圧依存性非直線抵抗体上への電極形成方法 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体上への電極形成方法Info
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- JP2864730B2 JP2864730B2 JP2332438A JP33243890A JP2864730B2 JP 2864730 B2 JP2864730 B2 JP 2864730B2 JP 2332438 A JP2332438 A JP 2332438A JP 33243890 A JP33243890 A JP 33243890A JP 2864730 B2 JP2864730 B2 JP 2864730B2
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- ohmic electrode
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子機器や電気機器をサージまたはノイズ
から保護するのに用いられる電圧依存性非直線抵抗体
（以下単に非直線抵抗体という）上への電極形成方法に
関する。
から保護するのに用いられる電圧依存性非直線抵抗体
（以下単に非直線抵抗体という）上への電極形成方法に
関する。
従来の技術 第５図は従来の非直線抵抗体上への電極形成方法によ
って作製された非直線抵抗体の構造を示すものであり、
図において、１は非直線抵抗体、２はオーミック性電
極、３はカバー電極である。
って作製された非直線抵抗体の構造を示すものであり、
図において、１は非直線抵抗体、２はオーミック性電
極、３はカバー電極である。
従来、半導体磁器組成物からなる非直線抵抗体の電気
的性能を十分に引き出すため、非直線抵抗体と電極材料
の仕事関数の差による電極界面での抵抗を最小限にする
ためにオーミック性電極２が用いられているが、一般に
オーミック性電極２上に半田付けすることは困難なた
め、オーミック性電極２上に半田付けを目的とする銀な
どを主成分とするカバー電極３を重ねて形成する必要が
あった。また、半田付けをするために、オーミック性電
極２上にのみカバー電極３をめっきする方法があり、従
来めっきを形成しない部分に予め樹脂などからなるレジ
ストを塗着し、オーミック性電極２上を活性化した後レ
ジストを除去し、その後めっき処理をしてそのオーミッ
ク性電極２上に金属層を形成する方法が一般的に行われ
ていた。
的性能を十分に引き出すため、非直線抵抗体と電極材料
の仕事関数の差による電極界面での抵抗を最小限にする
ためにオーミック性電極２が用いられているが、一般に
オーミック性電極２上に半田付けすることは困難なた
め、オーミック性電極２上に半田付けを目的とする銀な
どを主成分とするカバー電極３を重ねて形成する必要が
あった。また、半田付けをするために、オーミック性電
極２上にのみカバー電極３をめっきする方法があり、従
来めっきを形成しない部分に予め樹脂などからなるレジ
ストを塗着し、オーミック性電極２上を活性化した後レ
ジストを除去し、その後めっき処理をしてそのオーミッ
ク性電極２上に金属層を形成する方法が一般的に行われ
ていた。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記従来の形成方法のようにオーミック
性電極２とカバー電極３の２層構造にした場合、同一位
置上に精度よく２層の電極を形成することは困難であ
り、その位置ずれのために電気的特性が劣化したり、外
観不良が多くなったりするという課題がある。また、オ
ーミック性電極２とカバー電極３の２層からなるために
熱サイクルによって電極が剥離したり、非直線抵抗体１
にクラックが発生し、特性劣化が著しくなったりすると
いう課題もある。さらに、従来のようにレジストを塗着
し局部的にめっき処理を行う方法ではレジスト塗着、除
去を行うため工程が長く複雑になったり微細パターンの
レジストを精度良く形成することは困難であるといった
課題を有していた。
性電極２とカバー電極３の２層構造にした場合、同一位
置上に精度よく２層の電極を形成することは困難であ
り、その位置ずれのために電気的特性が劣化したり、外
観不良が多くなったりするという課題がある。また、オ
ーミック性電極２とカバー電極３の２層からなるために
熱サイクルによって電極が剥離したり、非直線抵抗体１
にクラックが発生し、特性劣化が著しくなったりすると
いう課題もある。さらに、従来のようにレジストを塗着
し局部的にめっき処理を行う方法ではレジスト塗着、除
去を行うため工程が長く複雑になったり微細パターンの
レジストを精度良く形成することは困難であるといった
課題を有していた。
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、オーミ
ック性電極とカバー電極を２回塗着することなく、オー
ミック性電極上に容易に精度良く局部めっき処理を行
い、めっき電極を形成する方法を提供することを目的と
するものである。
ック性電極とカバー電極を２回塗着することなく、オー
ミック性電極上に容易に精度良く局部めっき処理を行
い、めっき電極を形成する方法を提供することを目的と
するものである。
課題を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するために、非直線抵抗体上
にZn,Agを主成分とするオーミック性電極を形成した
後、非直線抵抗体の表面を活性化することなくかつオー
ミック性電極を溶解しないように化学的に活性化処理を
行い、次にオーミック性電極上にのみめっき処理を行う
ものである。
にZn,Agを主成分とするオーミック性電極を形成した
後、非直線抵抗体の表面を活性化することなくかつオー
ミック性電極を溶解しないように化学的に活性化処理を
行い、次にオーミック性電極上にのみめっき処理を行う
ものである。
作用 したがって本発明によれば、レジストなどを使わずに
精度良く局部的にめっきをすることができる。すなわ
ち、オーミック性ペーストをスクリーン印刷などの方法
で非直線抵抗体上に塗着，焼付し、オーミック性電極を
形成する。非直線抵抗体はクエン酸などの弱酸に浸漬し
てもその表面はエッチングされないので不活性状態のま
まであり、表面抵抗が低下することはない。一方、オー
ミック性電極はその表面がエッチングされ、酸化層が除
去されることにより活性化するので表面抵抗が下がる。
したがってその上にめっき処理することにより表面抵抗
の低いオーミック性電極の部分にだけ金属イオンが選択
的に引き寄せられめっき電極を形成することができる。
その結果、オーミック性電極とめっき電極の間に位置ず
れを生じることなく電極の微細なパターンの形成が可能
となり、オーミック性電極とめっき電極のずれによる外
観不良もなく均一なものができる。
精度良く局部的にめっきをすることができる。すなわ
ち、オーミック性ペーストをスクリーン印刷などの方法
で非直線抵抗体上に塗着，焼付し、オーミック性電極を
形成する。非直線抵抗体はクエン酸などの弱酸に浸漬し
てもその表面はエッチングされないので不活性状態のま
まであり、表面抵抗が低下することはない。一方、オー
ミック性電極はその表面がエッチングされ、酸化層が除
去されることにより活性化するので表面抵抗が下がる。
したがってその上にめっき処理することにより表面抵抗
の低いオーミック性電極の部分にだけ金属イオンが選択
的に引き寄せられめっき電極を形成することができる。
その結果、オーミック性電極とめっき電極の間に位置ず
れを生じることなく電極の微細なパターンの形成が可能
となり、オーミック性電極とめっき電極のずれによる外
観不良もなく均一なものができる。
また、めっき電極の厚みはごく薄いものであるため従
来品に比べ、電極部分と非直線抵抗体の間に発生する熱
膨脹収縮による歪を小さくすることができ、熱膨脹収縮
によるマイクロクラックの発生も減少し、温度サイクル
試験による特性変化を小さくすることができる。
来品に比べ、電極部分と非直線抵抗体の間に発生する熱
膨脹収縮による歪を小さくすることができ、熱膨脹収縮
によるマイクロクラックの発生も減少し、温度サイクル
試験による特性変化を小さくすることができる。
特に半田めっき処理を行うことにより、半田付け時に
従来のカバー電極に比べ半田めっき層と半田が合金化し
やすいため半田濡れ性が特に良くなる。したがって低温
での半田付けが可能になり、非直線抵抗体に与える熱的
ストレスも小さくすることができ、信頼性試験などによ
る寿命を大幅に伸ばすことができる。
従来のカバー電極に比べ半田めっき層と半田が合金化し
やすいため半田濡れ性が特に良くなる。したがって低温
での半田付けが可能になり、非直線抵抗体に与える熱的
ストレスも小さくすることができ、信頼性試験などによ
る寿命を大幅に伸ばすことができる。
実 施 例 以下、本発明の一実施例を図面にもとづいて具体的に
説明する。
説明する。
第１図，第２図および第３図はそれぞれ第４図に示す
本発明の一実施例の形成方法によって作製された非直線
抵抗体の電極部の基本構成図である。
本発明の一実施例の形成方法によって作製された非直線
抵抗体の電極部の基本構成図である。
（実施例１）（第１図） 第４図に示す工程図にもとづき、粒径0.1〜１μｍの
合金化合物粉末を有機溶剤で分散させ、その金属ワニス
をビヒクルと混合したペーストを非直線抵抗体４上にス
クリーン印刷により塗着し、200℃で10分間乾燥させ、
大気中で600℃の温度で10分間の熱処理を行い、オーミ
ック性電極５を形成する。その後活性化処理を20分間行
い、無電界Cuめっき処理を30℃で40分間行い、オーミッ
ク性電極５上に３μｍのCuめっき電極６を形成する。
合金化合物粉末を有機溶剤で分散させ、その金属ワニス
をビヒクルと混合したペーストを非直線抵抗体４上にス
クリーン印刷により塗着し、200℃で10分間乾燥させ、
大気中で600℃の温度で10分間の熱処理を行い、オーミ
ック性電極５を形成する。その後活性化処理を20分間行
い、無電界Cuめっき処理を30℃で40分間行い、オーミッ
ク性電極５上に３μｍのCuめっき電極６を形成する。
なお、実施例１における使用材料は以下の通りであ
る。
る。
合金化合物 （主成分）Ag,Zn、 （副成分）Ni,Cu 有機溶剤 ブチルカルビトール， ターピネオール 非直線抵抗体 φ10.0mm,厚み1.0mm 電極形状 φ 8.0mm 活性剤 クエン酸25g/1 無電解Cuめっき液 硫酸銅5g/1, ロッセル塩25g/1 ホルマリン（40％W/V） 10ml/1 水酸化ナトリウム10g/1 （実施例２）（第２図） 実施例１で得られた非直線抵抗体をさらにNiめっき工
程を除く第４図の工程図にしたがい半田めっき液に浸漬
し、30℃で直流電流を0.01A/dm2、60分間印加し半田め
っき処理を行い、２μｍの半田めっき電極７を形成す
る。
程を除く第４図の工程図にしたがい半田めっき液に浸漬
し、30℃で直流電流を0.01A/dm2、60分間印加し半田め
っき処理を行い、２μｍの半田めっき電極７を形成す
る。
なお、実施例２の使用材料は以下の通りである。
半田めっき液 Sn2＋100g/1, Pd2＋10g/1 ほうふっ酸100g/1, ほう酸30g/1, ペプトン10g/1 （実施例３）（第３図） 実施例１で得られた（非直線抵抗体を同じく第４図に
示す工程図にしたがい無電解ニッケルめっき液中に60℃
で10分間浸漬してNiめっき電極８を形成した後その上に
実施例２で示した電解半田めっきを行い、半田めっき電
極７を形成する。
示す工程図にしたがい無電解ニッケルめっき液中に60℃
で10分間浸漬してNiめっき電極８を形成した後その上に
実施例２で示した電解半田めっきを行い、半田めっき電
極７を形成する。
上記実施例にもとづく電極形成方法により得られた非
直線抵抗体の半田付け性（電極全面に半田が広がるのに
要する時間）を従来例と比較して第１表に示す。同じく
半田耐熱性（めっき電極が半田によって浸食され、オー
ミック性電極2,5が表面に露出してしまうか否か：少し
でも露出してしまう場合をNG、まったく露出しない場合
をOKで表示）を第２表に、また−20〜＋85℃で温度サイ
クル試験を行い、試験前後のV10mA（非直線抵抗体に10m
Aの電流を流した時に発生する端子間電圧）の変化率を
第３に示す。さらにカバー電極３または各めっき電極6,
7または８の位置精度がどれ程向上したかを第４表に示
す。
直線抵抗体の半田付け性（電極全面に半田が広がるのに
要する時間）を従来例と比較して第１表に示す。同じく
半田耐熱性（めっき電極が半田によって浸食され、オー
ミック性電極2,5が表面に露出してしまうか否か：少し
でも露出してしまう場合をNG、まったく露出しない場合
をOKで表示）を第２表に、また−20〜＋85℃で温度サイ
クル試験を行い、試験前後のV10mA（非直線抵抗体に10m
Aの電流を流した時に発生する端子間電圧）の変化率を
第３に示す。さらにカバー電極３または各めっき電極6,
7または８の位置精度がどれ程向上したかを第４表に示
す。
第１表に示すように半田付け性は従来例に比べ本実施
例によるものは、半田が電極全面にかなり短時間で広が
り半田付け性に優れていることがわかる。また、第２表
に示すように半田耐熱性においても本実施例によるもの
は325℃、30秒加熱した場合でも下地のオーミック性電
極５は露出せず、また電気的特性変化は極めて小さい。
さらに第３表に示すように実施例によるものは従来例に
対して温度サイクル試験後の電気特性変化が小さく、安
定しており、素体にクラックが発生していないことを確
認した。そして第４表に示すように従来例においてはオ
ーミック性電極２に対しカバー電極３のずれが発生して
いたが、実施例によるものは全くずれを発生していな
い。また本実施例ではCu,Niは無電解めっき、半田は電
解めっきの場合についてのみ示したが、Cu,Ni,半田その
他の金属を電解または無電解でめっきしても同様の効果
のあることを確認した。また非直線抵抗体４の材料とし
ては主成分がZno,SrTi3,TiO2,SnO2などについても同様
の効果がえられることを確認した。
例によるものは、半田が電極全面にかなり短時間で広が
り半田付け性に優れていることがわかる。また、第２表
に示すように半田耐熱性においても本実施例によるもの
は325℃、30秒加熱した場合でも下地のオーミック性電
極５は露出せず、また電気的特性変化は極めて小さい。
さらに第３表に示すように実施例によるものは従来例に
対して温度サイクル試験後の電気特性変化が小さく、安
定しており、素体にクラックが発生していないことを確
認した。そして第４表に示すように従来例においてはオ
ーミック性電極２に対しカバー電極３のずれが発生して
いたが、実施例によるものは全くずれを発生していな
い。また本実施例ではCu,Niは無電解めっき、半田は電
解めっきの場合についてのみ示したが、Cu,Ni,半田その
他の金属を電解または無電解でめっきしても同様の効果
のあることを確認した。また非直線抵抗体４の材料とし
ては主成分がZno,SrTi3,TiO2,SnO2などについても同様
の効果がえられることを確認した。
このように上記実施例によれば、極めて精度よくめっ
き電極を形成できるとともに、半田付け性，半田耐熱性
および温度サイクル性において優れた効果を得ることが
できる。
き電極を形成できるとともに、半田付け性，半田耐熱性
および温度サイクル性において優れた効果を得ることが
できる。
発明の効果 本発明は上記実施例より明かなように、電解または無
電解めっきによりオーミック性電極上にのみめっき電極
を精度良く形成することができ半田付け性，半田耐熱性
に優れ、温度サイクルにも安定した製品を作ることがで
きるとともにめっき工法を用いることにより大量処理が
可能なためコストを低減することもできる。
電解めっきによりオーミック性電極上にのみめっき電極
を精度良く形成することができ半田付け性，半田耐熱性
に優れ、温度サイクルにも安定した製品を作ることがで
きるとともにめっき工法を用いることにより大量処理が
可能なためコストを低減することもできる。
第１図，第２図および第３図は本発明の実施例の非直線
抵抗体上への電極形成方法によって製造された非直線対
抗体の電極部の構成を説明するための図、第４図は同非
直線抵抗体上への電極形成方法の概略製造工程図、第５
図は従来の非直線抵抗体上への電極形成方法によって製
造された非直線抵抗体の電極部の拡大断面図である。 ４……非直線抵抗体、５……オーミック性電極、６……
Cuめっき電極、７……半田めっき電極、８……Niめっき
電極。
抵抗体上への電極形成方法によって製造された非直線対
抗体の電極部の構成を説明するための図、第４図は同非
直線抵抗体上への電極形成方法の概略製造工程図、第５
図は従来の非直線抵抗体上への電極形成方法によって製
造された非直線抵抗体の電極部の拡大断面図である。 ４……非直線抵抗体、５……オーミック性電極、６……
Cuめっき電極、７……半田めっき電極、８……Niめっき
電極。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−180112（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−207319（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−289219（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−289220（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01C 7/02 - 7/22
Claims (1)
- 【請求項１】電圧依存性非直線抵抗体の表面の一部分に
Zn,Agを主成分とするオーミック性電極を形成した後、
前記非直線抵抗体の表面を活性化することなくかつ前記
オーミック性電極を溶解しないように化学的活性化処理
を行い、次に前記オーミック性電極上のみにめっき処理
を行うことを特徴とする電圧依存性非直線抵抗体上への
電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2332438A JP2864730B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 電圧依存性非直線抵抗体上への電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2332438A JP2864730B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 電圧依存性非直線抵抗体上への電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196501A JPH04196501A (ja) | 1992-07-16 |
| JP2864730B2 true JP2864730B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=18254979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2332438A Expired - Fee Related JP2864730B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 電圧依存性非直線抵抗体上への電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2864730B2 (ja) |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP2332438A patent/JP2864730B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04196501A (ja) | 1992-07-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |