JPH02178910A - 積層型セラミックチップコンデンサーの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は広範な電子機器に用いられる積層型セ２　・＼
−／ ラミックチソプコンデンザーの製造方法、とりわけその
外部電極層の形成方法に関するものである。

従来の技術 近年、電子機器の小型軽量化や高性能化に対する要求が
高まるにつれて電子回路の高密度化が必要不可欠となり
それに伴って積層型セラミックチップコンデンサーの需
要が著しく増加している。

従来の積層型セラミックチップコンデンサーは色色な方
法により作られているがその一つの方法として例えば特
公昭６２−３２６０４号公報に示すような方法が実施さ
れている。この方法は先ずチタン酸バリウムや酸化チタ
ン等のグリーンシート状のセラミック誘電体層とパラジ
ウムや白金等の高ゆう点前金属から成る内部電極層を交
互に積層したものを個片状に分割し、これを１３００〜
１４００℃の高温中で焼成することにより、相対する一
対の両端部に内部電極層が露出した個片状ノコンテンサ
ー素子を作り、このコンデンサー素子に外部電極層を形
成する方法として先ずこの素体を塩化第一スズと塩化パ
ラジウムの塩酸酸性溶３　ヘーノ 液にそれぞれ順次浸漬することによって活性化処理を行
い、素体全面に金属パラジウムの粒子から成る触媒を付
着させ、これを無電解めっき液に浸漬してニッケルや銅
等の導電金属層を全面に析出させ、次いで内部電極層が
露出したコンデンサー素体の相対する一対の両端部にの
みエツチングレジストを塗布し、しかる後にこれを塩化
第二鉄や硝酸溶液に浸漬することによって露出した導電
金属層を溶解除去する方法により外部電極層を形成した
ものである。

発明が解決しようとする課題 しかしながらこのような方法による積層型セラミックチ
ップコンデンサーでは、その外部電極層の形成において
、高温焼結した個片状のコンデンサー素体の全面に無電
解めっき法により導電金属層を形成する際に、素体の前
処理として塩化スズと塩化パラジウムの塩酸酸性溶液に
それぞれ浸漬して二液の活性化処理を行うものである。

このため、活性化処理工程が煩雑になることはもとより
、酸性度の極めて強い溶液で処理を行うため、焼結した
セラミック誘電体層が酸で浸食され易く、特に積層した
セラミック誘電体層の層間の絶縁劣化が起こり易いこと
や、このような方法で生成されるパラジウム粒子の触媒
は一般にその粒子径が極めて大きくコンデンサー素体へ
の密着性が乏しいためにその表面に無電解めっきして得
られる導電金属層の密着が乏しく、外部電極層の接着強
度が弱くなるという課題を有していた。本発明ではこの
ような課題を解決するものであり、活性化処理工程が簡
単で、絶縁特性等の劣化が起こらず外部電極端子層の密
着性に優れた積層型セラミックチソプコンデンザーの製
造方法を提供することを目的とするものである。

課題を解決するための手段 この課題を解決するために本発明は、無電解めっきを行
う個片状コンデンサー素体の前処理として貴金属超微粒
子ゾルから成る触媒を付着させるものである。

作用 無電解めっきの触媒として弱アルカリ土類金５　ベー７ 属超微粒子ゾルを用いるので、活性化処理工程によるコ
ンデンサー素体の浸食が防止され、しかもこのようにし
て付着させた触媒は微粒子であるのでコンデンサー素体
への付着力が強く、これにより絶縁劣化のない、密着性
に優れた外部電極層が得られることと々る。

実施例 以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。

第１図Ａ−Ｅは本発明の第一の実施例による積層型セラ
ミックチノプコンデンザーの製造方法説明するための一
連の製造工程断面図であり、第１図において１はセラミ
ック誘電体層、２は内部電極層、３は貴金属超微粒子ゾ
ルからなる触媒、４は導電金属層（無電解めっき金属層
）、５は耐エツチングレジスト層である。

以北の構成から成る積層型セラミックチップコンデンサ
ーについて以下その製造方法の詳細を説明する。第１の
実施例ではグリーンシート状のチタン酸バリウムや酸化
チタン等のセラミック誘電６　／＼ 体層１表面にパラジウムや白金等の高融点貴金属から成
る内部電極層２を印刷し、このシートを交互に積層して
所定の容量が得られるように多層化し、この多層化した
セラミックシー１−を個片状に切断した後で１３００〜
１４００°Ｃの高温中で焼成することによって第１図人
に示すように個片状のコンデンサー素体を作り、次いて
このコンデンサー素体を平均粒径が３０〜５０へのパラ
ジウムコロイドのヒドロシル溶液に浸漬して第１図Ｂに
示す個片状コンデンサー素子の全表面にパラジウム超微
粉子の触媒３を付着させた。この場合、超微粒子の触媒
３としてはパラジウム以外に銀や白金等の貴金属コロイ
ドが使用できる。

前記第１の実施例におけるパラジウム超微粒子ゾルから
成る触媒３は、塩化パラジウムを塩化ナトリウムと共に
水に溶解し、これに界面活性剤として陰イオン系のドデ
シルベンゼンヌルフォン酸ナトリウムを加え、さらに還
元剤として水素化ホウ素ナトリウムを加えて得た平均粒
径が３０人のパラジウムゾルから成るＰＨが８〜９の弱
アルカリ性の７１＼　７ ヒドロゾルを使用した。

また、他の実施例ではパラジウムの超微粒子を水以外の
例えはトルエンや酢酸ブチル等の有機溶剤中に分散した
オルガノゾルを使用した。

尚、この場合これらの活性化処理を行う前にコンデンサ
ー素子の表面を化学的または物理的処理法等により粗面
化しておくと触媒の吸着がより強固になることはいうま
でもない。

そして、これらパラジウムのヒドロシルまたはオルガノ
ゾルを用いて触媒処理を行った個片状コンデンサー素子
を例えは次亜リン酸ナトリウムを還元剤とした無電解ニ
ッケルめっき液に浸漬して第１図Ｃに示すように個片状
のコンデンサー素子の全表面に金属ニッケルから成る導
電金属層４を析出させた。

尚、本実施例では無電解ニッケルめっき法により導電金
属層４を形成したが、他の実施例ではニッケルに代わり
銅錯塩のアルカリ溶液とホルマリンから成る無電解銅め
っき液に浸漬して金属銅から成る導電金属層４を析出さ
せた。さらに必要により導電金属層４の表面に電気めっ
きを行い銅やニッケル等の金属を厚すけした。

それから第１図りに示すように全表面に導電金属層４を
析出した個片状のコンデンサー素子の内部電極層２が露
出した相対する一対の両端部に附エツチング性レジスト
５を部分的に塗布した後でこのコンデンサー素子を塩化
第一鉄や硝酸等のエツチング液に浸漬してコンデンサー
素子の中央部に露出した不要部分の導電金属層４を溶解
除去し、さらにアルカリ溶液や有機溶剤により耐エツチ
ング性レジスト５を除去することにより第１図Ｅに示す
ような導電金属層４からなる外部電極層を形成した。

尚、この外部電極層の形成にあたっては銅やニッケル等
の導電金属層４の表面に酸化防止金属としてスズやはん
だ等の耐腐食性の金属層をバレルめっぎ法により被覆し
た。

この方法により得られた積層型セラミックチップコンデ
ンサーはセラミック誘電体層１間の絶縁劣化がなく、密
着強度に優れた外部電極層が形成９　／、 できる特徴がある。

また、第２図Ａ〜Ｂは本発明の第２の実施例による積層
型セラミックチップコンデンサーの製造方法を説明する
製造工程断面図であり、各部の名称は第１図と同様であ
る。

この積層型セラミックチップコンデンサーは平均粒径が
約６０人のパラジウムオルガノゾルコロイドを用い、第
２図Ａに示すように焼成したコンデンサー素子の内部電
極層２が露出した相対する一対の両端部にのみ選択的に
触媒を塗布し、これを銅やニッケル等の無電解めっき液
に浸漬して第２図Ｂに示すように導電金属層４を析出さ
せ、これにより第１図りのエツチングをなくして外部電
極層を形成したものである。

この場合、触媒３月の貴金属超微粒子ゾルをコンデンサ
ー素子の両端部に選択的に付与する方法としてはパラジ
ウムコロイドのヒドロシルまたはオルガノゾルを布やス
ポンジ等に食潰させ、これを焼結したコンデンサー素子
の相対する両端部に接触させることにより、パラジウム
の触媒３を選１０、、 択的に付着させた。

この方法により得られた積層型セラミノクチソプコンデ
ンザーはエツチング工程が不要で製造工程が簡単である
ことや、パラジウムの触媒３がセラミック誘電体層１の
表面全体に残留しないので表面の絶縁抵抗の劣化がない
ものとなる。

発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明による積層型セ
ラミックチップコンテンサーはセラミック誘電体層と内
部電極層を交互に積層して焼結した個片状のコンデンサ
ー素子に弱アルカリ土類金属超微粒子ゾルによる触媒を
付着させ、しかる後に無電解めっき法により外部電極層
を形成したものである。

従って、従来の塩化スズと塩化パラジウムのそれぞれ塩
酸酸性溶液から成る二液の活性化処理法に比べて処理工
程が簡略化されるとともに、触媒液が弱アルカリ性であ
るため活性化処理工程におけるセラミック誘電体層の浸
食による絶縁特性の劣化が防止できると共に、超微粒子
から成る触媒１１７、　、 をセラミック素体の表面に吸着させるため無電解めっき
により得られる外部電極層の密着強度が向上する等の効
果が得られる。

また、一方、焼結したコンデンサー素体の内部電極層が
露出した相対する一対の両端部にのみパラジウム等の貴
金属超微粒子ゾルから成る触媒を選択的に付与し、その
上に直接無電解めっき法によって外部電極層を形成した
ものは、製造工程がより一層簡略化され、セラミック焼
結体の不要部への触媒の残留が無くなるので、誘電体表
面層の絶縁劣化がない高信頼性の積層型チップコンデン
サーが得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ−Ｅは本発明の第１の実施例ζこおける積層型
セラミックチップコンデンサーの一連の製造工程を説明
する断面図、第２図Ａ、Ｂは本発明の第２の実施例にお
ける積層型セラミックチッフコンデンザーの製造工程を
説明する断面図である。 １・・・・・・セラミック誘電体層、２・・・・・内部
電極層、３・・・・・・触媒、４・・・・・・導電金属
層、５・・・・・・面１エツチングレジスト層。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）セラミック誘電体層と内部電極層を交互に積層し
   て焼結した個片状のコンデンサー素子の、前記内部電極
   層が露出した相対する一対の両端部に、弱アルカリ性を
   有する貴金属超微粒子ゾルから成る触媒を付着させ、無
   電解めっき法によりこの触媒部に導電金属層を析出させ
   ることにより外部電極層を形成する積層型セラミックチ
   ップコンデンサーの製造方法。
2. （２）貴金属超微粒子ゾルから成る触媒を個片状コンデ
   ンサー素体の内部電極層が露出した相対する一対の両端
   部にのみ選択的に付着させる請求項１に記載の積層型セ
   ラミックチップコンデンサーの製造方法。