JP2662003B2 - 積層型セラミックチップコンデンサーの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は広範な電子機器に用いられる積層型セラミッ
クチップコンデンサーの製造方法、とりわけその外部電
極層の形成方法に関するものである。

従来の技術 近年、電子機器の小型軽量化や高性能化に対する要求
が高まるにつれて電子回路の高密度化が必要不可欠とな
りそれに伴って積層型セラミックチップコンデンサーの
需要が著しく増加している。従来の積層型セラミックチ
ップコンデンサーは色色な方法により作られているがそ
の一つの方法として例えば特公昭62−32604号公報に示
すような方法が実施されている。この方法は先ずチタン
酸バリウムや酸化チタン等のグリーンシート状のセラミ
ック誘電体層とパラジウムや白金等の高ゆう点貴金属か
ら成る内部電極層を交互に積層したものを個片状に分割
し、これを1300〜1400℃の高温中で焼成することによ
り、相対する一対の両端部に内部電極層が露出した個片
状のコンデンサー素子を作り、このコンデンサー素子に
外部電極層を形成する方法として先ずこの素体を塩化第
一スズと塩化パラジウムの塩酸酸性溶液にそれぞれ順次
浸漬することによって活性化処理を行い、素体全面に金
属パラジウムの粒子から成る触媒を付着させ、これを無
電解めっき液に浸漬してニッケルや銅等の導電金属層を
全面に析出させ、次いで内部電極層が露出したコンデン
サー素体の相対する一対の両端部にのみエッチングレジ
ストを塗布し、しかる後にこれを塩化第二鉄や硝酸溶液
に浸漬することによって露出した導電金属層を溶解除去
する方法により外部電極層を形成したものである。

発明が解決しようとする課題 しかしながらこのような方法による積層型セラミック
チップコンデンサーでは、その外部電極層の形成におい
て、高温焼結した個片状のコンデンサー素体の全面に無
電解めっき法により導電金属層を形成する際に、素体の
前処理として塩化スズと塩化パラジウムの塩酸酸性溶液
にそれぞれ浸漬して二液の活性化処理を行うものであ
る。このため、活性化処理工程が煩雑になることはもと
より、酸性度の極めて強い溶液で処理を行うため、焼結
したセラミック誘電体層が酸で浸食され易く、特に積層
したセラミック誘電体層の層間の絶縁劣化が起こり易い
ことや、このような方法で生成されるパラジウム粒子の
触媒は一般にその粒子径が極めて大きくコンデンサー素
体への密着性が乏しいためにその表面に無電解めっきし
て得られる導電金属層の密着が乏しく、外部電極層の接
着強度が弱くなるという課題を有していた。本発明では
このような課題を解決するものであり、活性化処理工程
が簡単で、絶縁特性等の劣化が起こらず外部電極端子層
の密着性に優れた積層型セラミックチップコンデンサー
の製造方法を提供することを目的とするものである。

課題を解決するための手段 この課題を解決するために本発明は、無電解めっきを
行う個片状コンデンサー素体の前処理として貴金属超微
粒子ゾルから成る触媒を付着させるものである。

作用 無電解めっきの触媒として弱アルカリ性の貴金属超微
粒子ゾルを用いるので、活性化処理工程によるコンデン
サー素体の浸食が防止され、しかもこのようにして付着
させた触媒は微粒子であるのでコンデンサー素体への付
着力が強く、これにより絶縁劣化のない、密着性に優れ
た外部電極層が得られることとなる。

実施例 以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。

第１図Ａ〜Ｅは本発明の第一の実施例による積層型セ
ラミックチップコンデンサーの製造方法説明するための
一連の製造工程断面図であり、第１図において１はセラ
ミック誘電体層、２は内部電極層、３は貴金属超微粒子
ゾルからなる触媒、４は導電金属層（無電解めっき金属
層）、５は耐エッチングレジスト層である。

以上の構成から成る積層型セラミックチップコンデン
サーについて以下その製造方法の詳細を説明する。第１
の実施例ではグリーンシート状のチタン酸バリウムや酸
化チタン等のセラミック誘電体層１表面にパラジウムや
白金等の高融点貴金属から成る内部電極層２を印刷し、
このシートを交互に積層して所定の容量が得られるよう
に多層化し、この多層化したセラミックシートを個片状
に切断した後で1300〜1400℃の高温中で焼成することに
よって第１図Ａに示すように個片状のコンデンサー素体
を作り、次いでこのコンデンサー素体を平均粒径が30〜
50Åのパラジウムコロイドのヒドロゾル溶液に浸漬して
第１図Ｂに示す個片状コンデンサー素子の全表面にパラ
ジウム超微粒子の触媒３を付着させた。この場合、超微
粒子の触媒３としてはパラジウム以外に銀や白金等の貴
金属コロイドが使用できる。

前記第１の実施例におけるパラジウム超微粒子ゾルか
ら成る触媒３は、塩化パラジウムを塩化ナトリウムと共
に水に溶解し、これに界面活性剤として陰イオン系のド
デシルベンゼンスルフォン酸ナトリウムを加え、さらに
還元剤として水素化ホウ素ナトリウムを加えて得た平均
粒径が30Åのパラジウムゾルから成るPHが８〜９の弱ア
ルカリ性のヒドロゾルを使用した。

また、他の実施例ではパラジウムの超微粒子を水以外
の例えばトルエンや酢酸ブチル等の有機溶剤中に分散し
たオルガノゾルを使用した。

尚、この場合これらの活性化処理を行う前にコンデン
サー素子の表面を化学的または物理的処理法等により粗
面化しておくと触媒の吸着がより強固になることはいう
までもない。

そして、これらパラジウムのヒドロゾルまたはオルガ
ノゾルを用いて触媒処理を行った個片状コンデンサー素
子を例えば次亜リン酸ナトリウムを還元剤とした無電解
ニッケルめっき液に浸漬して第１図Ｃに示すように個片
状のコンデンサー素子の全表面に金属ニッケルから成る
導電金属層４を析出させた。

尚、本実施例では無電解ニッケルめっき法により導電
金属層４を形成したが、他の実施例ではニッケルに代わ
り銅錯塩のアルカリ溶液とホルマリンから成る無電解銅
めっき液に浸漬して金属銅から成る導電金属層４を析出
させた。さらに必要により導電金属層４の表面に電気め
っきを行い銅やニッケル等の金属を厚ずけした。

それから第１図Ｄに示すように全表面に導電金属層４
を析出した個片状のコンデンサー素子の内部電極層２が
露出した相対する一対の両端部に耐エッチング性レジス
ト５を部分的に塗布した後でこのコンデンサー素子を塩
化第一鉄や硝酸等のエッチング液に浸漬してコンデンサ
ー素子の中央部に露出した不要部分の導電金属層４を溶
解除去し、さらにアルカリ溶液や有機溶剤により耐エッ
チング性レジスト５を除去することにより第１図Ｅに示
すような導電金属層４からなる外部電極層を形成した。

尚、この外部電極層の形成にあたっては銅やニッケル
等の導電金属層４の表面に酸化防止金属としてスズやは
んだ等の耐腐食性の金属層をバレルめっき法により被覆
した。

この方法により得られた積層型セラミックチップコン
デンサーはセラミック誘電体層１間の絶縁劣化がなく、
密着強度に優れた外部電極層が形成できる特徴がある。

また、第２図Ａ〜Ｂは本発明の第２の実施例による積
層型セラミックチップコンデンサーの製造方法を説明す
る製造工程断面図であり、各部の名称は第１図と同様で
ある。

この積層型セラミックチップコンデンサーは平均粒径
が約50Åのパラジウムオルガノゾルコロイドを用い、第
２図Ａに示すように焼成したコンデンサー素子の内部電
極層２が露出した相対する一対の両端部にのみ選択的に
触媒を塗布し、これを銅やニッケル等を無電解めっき液
に浸漬して第２図Ｂに示すように導電金属層４を析出さ
せ、これにより第１図Ｄのエッチングをなくして外部電
極層を形成したものである。

この場合、触媒３用の貴金属超微粒子ゾルをコンデン
サー素子の両端部に選択的に付与する方法としてはパラ
ジウムコロイドのヒドロゾルまたはオルガノゾルを布や
スポンジ等に含漬させ、これを焼結したコンデンサー素
子の相対する両端部に接触させることにより、パラジウ
ムの触媒３を選択的に付着させた。

この方法により得られた積層型セラミックチップコン
デンサーはエッチング工程が不要で製造工程が簡単であ
ることや、パラジウムの触媒３がセラミック誘電体層１
の表面全体に残留しないので表面の絶縁抵抗の劣化がな
いものとなる。

発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明による積層型
セラミックチップコンデンサーはセラミック誘電体層と
内部電極層を交互に積層して焼結した個片状のコンデン
サー素子に弱アルカリ性の貴金属超微粒子ゾルによる触
媒を付着させ、しかる後に無電解めっき法により外部電
極層を形成したものである。

従って、従来の塩化スズと塩化パラジウムのそれぞれ
塩酸酸性溶液から成る二液の活性化処理法に比べて処理
工程が簡略化されるとともに、触媒液が弱アルカリ性で
あるため活性化処理工程におけるセラミック誘電体層の
浸食による絶縁特性の劣化が防止できると共に、超微粒
子から成る触媒をセラミック素体の表面に吸着させるた
め無電解めっきにより得られる外部電極層の密着強度が
向上する等の効果が得られる。

また、一方、焼結したコンデンサー素体の内部電極層
が露出した相対する一対の両端部にのみパラジウム等の
貴金属超微粒子ゾルから成る触媒を選択的に付与し、そ
の上に直接無電解めっき法によって外部電極層を形成し
たものは、製造工程がより一層簡略化され、セラミック
焼結体の不要部への触媒の残留が無くなるので、誘電体
表面層の絶縁劣化がない高信頼性の積層型チップコンデ
ンサーが得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ〜Ｅは本発明の第１の実施例における積層型セ
ラミックチップコンデンサーの一連の製造工程を説明す
る断面図、第２図Ａ〜Ｂは本発明の第２の実施例におけ
る積層型セラミックチップコンデンサーの製造工程を説
明する断面図である。 １……セラミック誘電体層、２……内部電極層、３……
触媒、４……誘電金属層、５……耐エッチングレジスト
層。

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】セラミック誘電体層と内部電極層を交互に
   積層して焼結した個片状のコンデンサー素子の、前記内
   部電極層が露出した相対する一対の両端部に、弱アルカ
   リ性を有する貴金属超微粒子ゾルから成る触媒を付着さ
   せ、無電解めっき法によりこの触媒部に導電金属層を析
   出させることにより外部電極層を形成する積層型セラミ
   ックチップコンデンサーの製造方法。
2. 【請求項２】貴金属超微粒子ゾルから成る触媒を個片状
   コンデンサー素体の内部電極層が露出した相対する一対
   の両端部にのみ選択的に付着させる請求項１に記載の積
   層型セラミックチップコンデンサーの製造方法。