JP3104456B2 - チップ状固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

チップ状固体電解コンデンサの製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は各種電子機器に利用され
るチップ状固体電解コンデンサの製造方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の軽薄短小化と面実装技
術の進展からチップ部品が急増している。チップ状固体
電解コンデンサにおいても小形大容量化が進展する中で
チップ部品自身の一層の小形化が要求されている。
【0003】以下に従来のチップ状タンタル固体電解コ
ンデンサの製造方法について図6の流れ図を用いて説明
する。
【0004】まず、弁作用金属からなる陽極体により構
成されたコンデンサ素子から引き出された陽極導出線1
を金属リボン2に取り付ける。次工程からは金属リボン
2単位で取り扱われ、弁作用金属からなる陽極体の表面
に誘電体性酸化皮膜、電解質層、カーボン層と銀塗料層
からなる陰極層を順次積層して形成する。そして、前記
陰極層における陽極導出線1と反対側に位置する部分に
陰極導電体層を形成してコンデンサ素子を構成する。そ
の後、コンデンサ素子と陰極導電体層を、陽極導出線1
が片側に引き出されるように、フィラーとしてシリカ微
粒子3aを含有する外装樹脂3で被覆し、この外装樹脂
3の陰極側を陰極導電体層が露出するようにカットまた
は研削する。
【0005】次に陽極導出線1を含む陽極導出面1aと
陰極導出面4をブラスト照射(図中A)により物理的に
粗面化した後、フッ酸系のエッチング液で外装樹脂3の
表面に露出するシリカ微粒子3aを化学的に粗面化して
エッチング間隙を形成する。次に陽極導出線1を切断
し、そして陽極導出面1aから引き出された陽極導出線
1は陽極導出面1aに設けられた凹部5内に折り曲げて
収納する。次に、4規定の塩酸でコロイド的に安定化し
た塩化パラジウム・塩化錫のコロイド水溶液を表面に吸
着処理した後、4規定の硫酸で余分な錫成分を除去し
て、パラジウム・錫金属粒子6として活性化した無電解
メッキの触媒を構成し、そしてこのパラジウム・錫金属
粒子6を触媒核として無電解メッキで陽極導出面1aと
陰極導出面4上に陽極金属層7と陰極金属層8を形成
し、その後、陽極金属層7と陰極金属層8の上を半田金
属層9,10で被覆することにより、チップ状タンタル
固体電解コンデンサを製造していた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなチップ状タンタル固体電解コンデンサにおいては、
無電解メッキの前処理(触媒吸着)過程で4規定程度の
高濃度の塩酸・硫酸を使用しているため、外装樹脂3を
介して処理液が内部に浸入した場合、内部のコンデンサ
素子上の陰極層の銀成分と反応したり、樹脂成分を劣化
させることになり、これにより、完成段階または厳しい
環境下でこのチップ状タンタル固体電解コンデンサを使
用した場合、コンデンサの電気的特性であるtanδが
高くなるという問題点を有していた。この問題は、コン
デンサの小型・大容量化のために外装樹脂3の肉厚を薄
くしていった場合、強酸の内部への浸入が起こり易くな
るため、今後はこの問題の重要性が増してくると考えら
れる。
【0007】また、無電解メッキの触媒核となるパラジ
ウム・錫金属粒子6は、コロイド状態から還元して粒子
化されるため、0.05〜0.1μmの大きさの凝集体
を形成している。この大きさのパラジウム・錫金属粒子
6の凝集体は、図7に示すように外装樹脂3の表面に化
学エッチングで粗面化したサブミクロン幅のエッチング
間隙11の細部にまでは浸入しにくいため、触媒を核に
成長する無電解メッキもまたエッチング間隙11の細部
には成長しない。その結果、密着強度を左右するアンカ
ー効果が不十分で、外装樹脂3と陽極金属層7、陰極金
属層8間の密着強度が基板実装部品として十分でないと
いう問題点を有していた。
【0008】さらに、図8に示すようにパラジウム・錫
金属粒子6は中心部分6aがパラジウム、外周部分6b
が錫の二層構造になっているため、陽極導出線1および
陰極導出面4と陽極金属層7および陰極金属層8の電気
的接合において、若干抵抗が大きいという問題点も有し
ていた。
【0009】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、内部のコンデンサ素子の劣化を起こさず、かつ電気
的特性が劣化することもなく、しかも外装樹脂と陽極金
属層および陰極金属層との密着強度を強めて電気的接合
の抵抗を減少させることができるチップ状固体電解コン
デンサの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題解決するため
に本発明のチップ状固体電解コンデンサの製造方法は、
陽極導出線を具備した弁作用金属からなる陽極体の表面
に誘電体性酸化皮膜、電解質層、陰極層を順次積層して
コンデンサ素子を形成し、続いてこのコンデンサ素子を
記陽極導出線と陰極部が相対向する方向に露出するよ
うにして外装樹脂で被覆した後、この外装樹脂の記陽
極導出線を含む陽極導出面および陰極導出面に陽極金属
層ならびに陰極金属層を夫々形成するチップ状固体電解
コンデンサの製造方法において、上記外装樹脂をブラス
ト処理することにより表面を粗面化し、続いて化学エッ
チング処理し、これを有機金属錯体を主成分とする無電
解金属メッキ用の触媒処理液に浸漬して有機金属錯体を
吸着させ、これを還元作用を有する還元処理液に浸漬す
ることにより上記有機金属錯体を触媒金属粒子に還元し
た後、この触媒金属粒子上に無電解ニッケルメッキ層、
半田金属層を形成することにより陽極金属層ならびに陰
極金属層を夫々形成するようにした製造方法としたもの
である。
【0011】
【作用】上記したチップ状固体電解コンデンサは、無電
解金属メッキの前処理過程で使用する触媒処理液に有機
金属錯体を用いているため、従来のように強酸を使用し
なくとも有機金属錯体として安定的に存在することにな
り、また触媒金属粒子への還元の際にも強酸を使用しな
いため、外装樹脂を介して内部のコンデンサ素子に処理
液が浸入しても固体電解コンデンサとしての電気的特性
の劣化を起こすことはない。しかも、分子状態の有機金
属錯体が還元して得られる触媒金属粒子の粒径は0.0
05μm以下と非常に微細で、かつ均一に分布した状態
となるため、有機金属錯体としてパラジウムのみを使用
した場合には、アンカー効果の向上により外装樹脂と陽
極金属層および陰極金属層との密着強度が強くなって、
電気的接合の抵抗を減少させることができるものであ
る。
【0012】
【実施例】以下、本発明の一実施例について添付図面を
参照しながら説明する。
【0013】図1は本発明の一実施例におけるチップ状
タンタル固体電解コンデンサの断面図を示し、図2はチ
ップ状タンタル固体電解コンデンサの製造方法の流れ図
を示したものである。
【0014】図1,図2において、21aはコンデンサ
素子で、このコンデンサ素子21aは弁作用金属である
タンタル金属粉末を成形焼結した陽極体21からなり、
この陽極体21の表面に陽極酸化により誘電体性酸化皮
膜を形成し、さらにこの表面に二酸化マンガンなどの電
解質層を形成している。また陽極導出線22はタンタル
線からなり、前記コンデンサ素子21aから導出してい
るものである。そしてこのコンデンサ素子21aの表面
への一連の処理工程は、金属リボン23に陽極導出線2
2を接続した状態で行われる。24は陽極導出線22に
装着したテフロン板で、このテフロン板24は前記コン
デンサ素子21aへの電解質層の形成時に陽極導出線2
2へ硝酸マンガンが這い上がって二酸化マンガンが付着
するのを防止する絶縁板である。
【0015】また前記コンデンサ素子21aの電解質層
の上には浸漬法によりカーボン層および銀塗料層よりな
る陰極層25を順次積層形成しており、さらにコンデン
サ素子21aの陽極導出線22と反対側に位置する面に
は銀粉体を主成分とする塗料中に浸漬して陰極導電体層
26を順次積層形成している。
【0016】次に、成型金型を用いて陽極導出線22が
片側に引き出されるようにトランスファーモールド方式
によってエポキシ樹脂よりなる外装樹脂27でコンデン
サ素子21aを被覆する。その後、陰極導電体層26が
露出するように外装樹脂27を切断または研削する。そ
して、陽極導出線22を含む陽極導出面22aと陰極導
出面26aにブラスト照射(図中A)により物理的な粗
面化処理を施し、そして陽極導出線22は外装樹脂27
の陽極導出面22aに設けられた凹部27aに収納でき
るように折り曲げて、外装樹脂27よりはみ出ないよう
に切断する。
【0017】このように個片化されたものをバレルに投
入し、脱脂液(0.5規定NaOH+界面活性剤)で表
面に付着した油分を洗浄除去し、そして先のブラスト照
射により物理的な粗面化処理が施された表面をフッ酸系
のエッチング液で化学エッチングすることにより、図3
に示すように、外装樹脂27中のフィラーであるシリカ
微粒子28の界面に幅がサブミクロンオーダー、長さが
ミクロンオーダーのエッチング間隙29を形成する。こ
のフッ酸系のエッチング液は酸性フッ化アンモニウムを
主成分とするもので、その濃度が2%〜20%の範囲
で、シリカ微粒子28のエッチングを均一に行い、かつ
適当なエッチング間隙29を形成することができ、また
外装樹脂27の内部のコンデンサ素子21aの特性劣化
も生じないものである。
【0018】次に、上記処理物を有機パラジウム錯体を
主成分とする無電解金属メッキ用の触媒処理液に浸漬
し、有機パラジウム錯体を吸着させる。この処理物を還
元作用を有するジメチルアミノボランを主成分とする還
元処理液に浸漬することによって、吸着されていた有機
パラジウム錯体は金属パラジウム粒子30に還元され
る。この金属パラジウム粒子30は粒子径が0.001
〜0.005μmの非常に微細な粒子であるため、外装
樹脂27中のフィラーであるシリカ微粒子28の界面に
形成されたエッチング間隙29の内部にまで均一に分布
して処理されるものである。次にこのようにして金属パ
ラジウム粒子30により処理された処理物を、硫酸ニッ
ケルと還元剤であるジメチルアミノボランを主成分とす
る無電解ニッケルメッキ液に浸漬することにより、陽極
導出線22、陽極導出面22a、陰極導出面26aおよ
び外装樹脂27の成形体のそれぞれの表面に存在する金
属パラジウム粒子30上にニッケルが還元析出されて陽
極金属層31と陰極金属層32が形成される。この場合
の陽極金属層31および陰極金属層32の膜厚は0.5
〜5.0μmの範囲が下地との接合強度において優れて
いるため、無電解ニッケルメッキの処理は65℃で、5
分から60分程度行うのが最適である。またこの両極に
は、前記陽極金属層31および陰極金属層32を介して
半田金属層33,34が設けられる。このようにして製
造したチップ状タンタル固体電解コンデンサは検査後、
完成させる。
【0019】上記した本発明の一実施例では、金属結合
を形成しない陽極金属層31および陰極金属層32と外
装樹脂27との密着強度を基板実装用部品として十分な
ものとするために、外装樹脂27に対するブラスト照射
やフッ酸系の化学エッチングで粗面化処理を行っている
ため、陽極金属層31および陰極金属層32を形成する
ための無電解ニッケルメッキの各処理液が外装樹脂27
を介して、コンデンサ素子21a上に形成された銀塗料
層よりなる陰極層25部まで浸入する可能性が高い構造
においても、無電解ニッケルメッキの各処理液に銀の劣
化を起こすハロゲン成分を含有する強酸を使用していな
いため、処理液が浸入しても固体電解コンデンサとして
の電気的特性が劣化することはなくなるものである。こ
の特徴は、チップ状タンタル固体電解コンデンサの体積
効率を向上させるために、外装樹脂27の肉厚を薄くし
ていく傾向にあっては、ますます重要になるものであ
る。
【0020】図4は本発明の一実施例であるチップ状タ
ンタル固体電解コンデンサの完成段階と塩水噴霧試験2
00時間後の電気的特性(tanδ)の変化と、従来の
チップ状タンタル固体電解コンデンサの電気的特性(t
anδ)の変化を比較した結果を示したものである。こ
の場合の外装樹脂27の肉厚は100μmのものを比較
した。この図4からも明らかなように、本発明の一実施
例のチップ状タンタル固体電解コンデンサは従来のチッ
プ状タンタル固体電解コンデンサに比べ、電気的特性の
劣化は少ないものである。
【0021】図3は外装樹脂27にブラスト照射により
物理的な粗面化処理を施し、次にフッ酸系のエッチング
液で化学エッチングすることによって、外装樹脂27中
のフィラーであるシリカ微粒子28の界面に生じた幅が
サブミクロンオーダー、長さがミクロンオーダーのエッ
チング間隙29中に、有機パラジウム錯体を還元処理し
て得られた金属パラジウム粒子30(粒子径0.001
〜0.005μm)が均一に分布された状態と、その金
属パラジウム粒子30上に析出した陽極金属層31およ
び陰極金属層32の状態を模式化した図である。また図
5は、本発明の一実施例に従って作成した陽極および陰
極金属層31,32と外装樹脂27との密着強度と、従
来例に従って作成した場合の密着強度を比較した結果を
示したものである。密着強度データは一定面積(2mm角
=4mm2)の金属層面にワイヤーをはんだ付けし、引張
試験機で一定速度で引張り、破断する際の最大強度を測
定したものである。この図5からも明らかなように、本
発明の一実施例のチップ状タンタル固体電解コンデンサ
は従来のチップ状タンタル固体電解コンデンサに比べ
て、外装樹脂と陽極および陰極金属層との密着強度は強
く、基板実装後においても、曲げストレスの影響を受け
ないものである。
【0022】なお、上記本発明の一実施例においては、
無電解メッキの触媒として有機パラジウム錯体を使用し
て陽極金属層31および陰極金属層32を形成するもの
について説明したが、触媒として使用する有機金属錯体
としては有機パラジウム錯体以外に、白金、金、ロジウ
ムなどの貴金属類を有機物と錯体化したものを使用した
場合においても、本発明の一実施例と同様の作用効果を
奏するものである。
【0023】また、上記本発明の一実施例においては、
金属成分としてニッケル、還元剤としてジメチルアミノ
ボランを使用した無電解メッキ液により、ニッケル・ボ
ロン系の陽極金属層31および陰極金属層32を形成し
たものについて説明したが、金属成分としてニッケル、
還元剤として次亜リン酸塩を使用した無電解メッキ液に
より、ニッケル・リン系の陽極金属層31および陰極金
属層32を形成したもの、金属成分としてニッケル以外
にコバルト、銅、パラジウム、銀、金を単体または合金
として使用した無電解メッキ液により、陽極金属層31
および陰極金属層32を形成したものでも、上記本発明
の一実施例と同様にチップ状タンタル固体電解コンデン
サの外部端子を形成できるもので、その特徴としては安
価である、耐食性が高い、耐摺動摩耗性が高い等の作用
効果をそれぞれ有するものである。
【0024】
【発明の効果】以上のように本発明のチップ状固体電解
コンデンサの製造方法は、無電解金属メッキの前処理過
程で使用する触媒に有機金属錯体を用いているため、従
来のように強酸を使用しなくとも有機金属錯体として安
定的に存在することになり、また触媒金属粒子への還元
の際にも強酸を使用しないため。外装樹脂を介して内部
のコンデンサ素子に処理液が浸入しても固体電解コンデ
ンサとしての電気的特性の劣化を起こすことはない。し
かも、分子状態の有機金属錯体が還元して得られる触媒
金属粒子の粒径は0.005μm以下と非常に微細で、
かつ均一に分布した状態となるため、有機金属錯体とし
てパラジウムのみを使用した場合には、アンカー効果の
向上により外装樹脂と陽極金属層および陰極金属層との
密着強度が強くなって、電気的接合の抵抗を減少させる
ことができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示すチップ状タンタル固体
電解コンデンサの断面図
【図2】同チップ状タンタル固体電解コンデンサの製造
方法の流れ図
【図3】本発明の一実施例の方法での外装樹脂上への金
属パラジウムおよび無電解ニッケルの成長状態を模式化
した拡大図
【図4】本発明の一実施例であるチップ状タンタル固体
電解コンデンサと従来のチップ状タンタル固体電解コン
デンサの完成段階と塩水噴霧試験200時間後の電気的
特性(tanδ)の変化の比較を示す図
【図5】本発明の一実施例と従来の方法で作成した陽極
金属層および陰極金属層と外装樹脂との密着強度の比較
を示す図
【図6】従来のチップ状タンタル固体電解コンデンサの
製造方法の流れ図
【図7】従来の方法での外装樹脂上へのパラジウム・錫
金属粒子および無電解ニッケルの成長状態を模式化した
拡大図
【図8】従来の方法で使用していたパラジウム・錫金属
粒子の構造を示す断面図
【符号の説明】
21 陽極体 21a コンデンサ素子 22 陽極導出線 22a 陽極導出面 25 陰極層 26 陰極導電体層 26a 陰極導出面 27 外装樹脂 30 金属パラジウム粒子 31 陽極金属層 32 陰極金属層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上岡 浩二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平3−97212(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 18/00 - 18/54 H01G 9/05

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 陽極導出線を具備した弁作用金属からな
    る陽極体の表面に誘電体性酸化皮膜、電解質層、陰極層
    を順次積層してコンデンサ素子を形成し、続いてこのコ
    ンデンサ素子を記陽極導出線と陰極部が相対向する方
    向に露出するようにして外装樹脂で被覆した後、この外
    装樹脂の上記陽極導出線を含む陽極導出面および陰極導
    出面に陽極金属層ならびに陰極金属層を夫々形成するチ
    ップ状固体電解コンデンサの製造方法において、上記外
    装樹脂をブラスト処理することにより表面を粗面化し、
    続いて化学エッチング処理し、これを有機金属錯体を主
    成分とする無電解金属メッキ用の触媒処理液に浸漬して
    有機金属錯体を吸着させ、これを還元作用を有する還元
    処理液に浸漬することにより上記有機金属錯体を触媒金
    属粒子に還元した後、この触媒金属粒子上に無電解ニッ
    ケルメッキ層、半田金属層を形成することにより陽極金
    属層ならびに陰極金属層を夫々形成するようにしたチッ
    プ状固体電解コンデンサの製造方法
  2. 【請求項2】 陽極金属層ならびに陰極金属層を形成す
    る無電解金属メッキとして、ニッケルメッキまたは銅メ
    ッキを用いるようにした請求項1記載のチップ状固体
    電解コンデンサの製造方法
  3. 【請求項3】 陽極金属層ならびに陰極金属層を形成す
    る無電解金属メッキの触媒となる有機金属錯体として、
    有機パラジウム錯体を用いるようにした請求項1記載
    のチップ状固体電解コンデンサの製造方法
  4. 【請求項4】 陽極金属層ならびに陰極金属層、有機
    パラジウム錯体を還元して得られる金属パラジウム粒子
    を触媒として成長する無電解ニッケルメッキまたは無電
    解銅メッキで形成するようにした請求項1〜3のいずれ
    か一つに記載のチップ状固体電解コンデンサの製造方
  5. 【請求項5】 化学エッチング処理に用いるエッチング
    液として、酸性フッ化アンモニウムを主成分とするフッ
    酸系のエッチング液を用い、かつその濃度を2〜20%
    とした請求項1〜4のいずれか一つに記載のチップ状固
    体電解コンデンサの製造方法。
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