JPH0722288A - 固体電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents

固体電解コンデンサおよびその製造方法

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JPH0722288A
JPH0722288A JP5165638A JP16563893A JPH0722288A JP H0722288 A JPH0722288 A JP H0722288A JP 5165638 A JP5165638 A JP 5165638A JP 16563893 A JP16563893 A JP 16563893A JP H0722288 A JPH0722288 A JP H0722288A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】従来の固体電解コンデンサは高温、高湿、高圧
条件下での使用において陰極層に割れや剥離が生じ、電
気的導通性が劣化する。この陰極層の割れ、剥離を防止
する。 【構成】陽極リード２が植立された弁作用金属からなる
陽極体１上に誘電体酸化被膜層４と二酸化マンガン層
５、グラファイト粉末を含有する二酸化マンガン層６、
グラファイト層７ａ（またはパラジウム入りグラファイ
ト層７ｂ）銀ペースト層８ａ（またはニッケルめっき層
８ｂ）を順次形成して固体電解コンデンサを構成するこ
とにより、陰極層の割れ、剥離を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体電解コンデンサに関
する。特に固体電解コンデンサの陰極取り出しの構造お
よびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の固体電解コンデンサは図２（Ａ）
に示すように弁作用を有する金属の粉末が加圧成型され
てなる陽極体１に弁作用を有する金属線２が陽極リード
として予め植立されて真空中で焼結され、陽極酸化の手
法により陽極体１の外周面に誘電体酸化被膜層４が形成
され、この誘電体酸化被膜層の外周面に対向電極として
二酸化マンガン等の半導体酸化物層５が形成され、さら
に接触抵抗を減らすためのグラファイト層７ａを介して
銀ペースト層８ａが被着されて陰極層が形成されコンデ
ンサ素子が構成される。
【０００３】このようにして形成したコンデンサ素子は
陰極各層間の機械的な接続強度が小さく、高温，高湿，
高圧条件下での使用において陰極層に割れや剥離が生じ
電気的導通性が劣化し、誘電体損失やインピーダンスが
増大するという問題点があった。上述した電気的導通性
の劣化を抑制するために特開平２−１１００９号公報に
は図２（Ｂ）に示すように図２（Ａ）と同一の材料を用
い、同一の工程を経て半導体酸化物層５まで形成した素
子をパラジウム粉末を混合したグラファイトペースト中
に浸漬、乾燥しパラジウム入りグラファイト層７ｂを形
成し、該パラジウム入りグラファイト層上に無電解めっ
きを行ない、無電解ニッケルめっき層８ｂを形成してい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した方法によれば
高温、高湿、高圧条件下での使用時に陰極各層間、特に
半導体酸化物層とグラファイト層の界面の割れ、剥離が
生じ、電気的導通性が劣化し、誘電体損失やインピーダ
ンスが増大するという問題点があった。
【０００５】また、割れ、剥離が生じた箇所への金属粒
子、グラファイト粒子のマイグレーションにより、漏れ
電流が増大するという問題点もあった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の固体電解コンデ
ンサは陽極リードが植立された弁作用金属からなる陽極
体上に誘電体酸化被膜層と半導体酸化物層、グラファイ
ト層および金属層が順次形成された陰極層を有する固体
電解コンデンサにおいて、前記半導体酸化物層とグラフ
ァイト層の間にグラファイト粉末を含有する半導体酸化
物層を有することを特徴として構成される。
【０００７】本発明の固体電解コンデンサの製造方法は
陽極リードが植立された弁作用金属からなる陽極体上に
誘電体酸化被膜層と半導体酸化物層、グラファイト層お
よび金属層が順次形成された陰極層を有する固体電解コ
ンデンサにおいて、前記半導体酸化物層とグラファイト
層の間にグラファイト粉末を含有する半導体酸化物層を
有することを特徴として構成される。
【０００８】
【実施例】次に本発明の実施例を従来品と比較して説明
する。
【０００９】図１（Ａ）は本発明の第一の実施例による
固体電解コンデンサの素子構造を示す模式断面図であ
る。
【００１０】本発明の第一の実施例として、弁作用を有
する金属の一つであるタンタル粉末を加圧成型し真空焼
結された陽極体１にはタンタル材の陽極リード２を植立
する。陽極リード植立面には樹脂層３を形成した後、陽
極酸化の手法により誘電体酸化被膜層４及び半導体酸化
物層である二酸化マンガン層５を形成する。次いで本発
明の方法を用い二酸化マンガン層５の外側にはグラファ
イト粉末を含有する二酸化マンガン層６を形成する。そ
の後、従来の製造方法に従いグラファイト層７ａ，銀ペ
ースト層８ａを順次形成し本発明の固体電解コンデンサ
の素子を得た。
【００１１】本発明の第二の実施例では図１（Ｂ）の如
く、第一の実施例と同一の材料を用い同一の工程を経て
グラファイト粉末を含有する二酸化マンガン層６まで形
成した素子をパラジウム粉末を混合したグラファイトペ
ースト中に浸漬、乾燥しパラジウム入りグラファイト層
７ｂを形成し、このパラジウム入りグラファイト層７ｂ
上に無電解めっきを行ない、無電解ニッケルめっき層８
ｂを形成し、固体電解コンデンサの素子を得た。
【００１２】次に上記二つの実施例の素子製造工程につ
いて詳細に説明する。図３は本発明の固体電解コンデン
サの素子製造工程のフローチャートである。公知の手法
により二酸化マンガン層５まで形成された素子を硝酸マ
ンガン溶液にグラファイト粉末を懸濁した混合液に浸漬
した後、温度２００〜２５０℃の雰囲気中で熱分解し、
グラファイト粉末を含有する二酸化マンガン層６（被着
厚み１μｍ〜５μｍ）を形成する。上記混合液は、それ
ぞれ重量比で硝酸マンガン溶液７０％、グラファイト粉
末３０％を混合し、有機溶剤で希釈したものを使用し
た。また上記混合液に用いたグラファイト粉末の粒径は
約１μｍとした。
【００１３】次にグラファイト粉末を懸濁した水溶液中
に該グラファイト粉末を含有する二酸化マンガン層６の
形成された素子を浸漬し、１５０〜２００℃の雰囲気中
で乾燥してグラファイト層７ａを形成する。このグラフ
ァイト層７ａに用いたグラファイト粉末の粒径は、グラ
ファイト粉末を含有する二酸化マンガン層６に用いたグ
ラファイト粉末の粒径とほぼ同一とした。次に銀粉末、
エポキシ樹脂、硬化剤が混合され、酢酸ブチルで希釈さ
れた銀ペースト中に素子を浸漬し、１５０〜２００℃の
雰囲気中で乾燥硬化し銀ペースト層８ａを形成し、本発
明の第一の実施例の固体電解コンデンサの素子とした。
【００１４】本発明の第二の実施例では、上述の第一の
実施例と同一の材料を用い、同一の工程を経てグラファ
イト粉末を含有する二酸化マンガン層６まで形成された
素子をグラファイト粉末、パラジウム粉末を懸濁した溶
液中に浸漬し、１５０〜２００℃の雰囲気中で熱硬化し
てパラジウム入りグラファイト層７ｂを形成する。更に
パラジウム入りグラファイト層７ｂ上には、めっき液と
して例えばジメチルアミノボランを還元剤とする無電解
ニッケルめっき液を使用して、めっきを行ない、ニッケ
ルめっき層８ｂと形成し、本発明の実施例の固体電解コ
ンデンサの素子とした。
【００１５】次に本発明の固体電解コンデンサの性能に
ついて述べる。以上述べた本発明の二つの実施例と二つ
の従来例の固体電解コンデンサの中から任意に２０個ず
つ抜取り、プレッシャークッカー試験（１２０℃、２気
圧の雰囲気に１００ｈｒ無負荷で放置）に供した。図４
（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第一の実施例の固体
電解コンデンサ、および第一の実施例の固体電解コンデ
ンサ（いずれも銀ペースト品）のｔａｎδ（周波数１２
０Ｈｚにて測定）の推移を示す図である。第一の従来例
の固体電解コンデンサはｔａｎδが著るしく劣化し、５
０ｈｒ後には測定不能のものがあった。一方、本発明の
第一の実施例の固体電解コンデンサでは１００ｈｒ後で
もｔａｎδの増加は、ごくわずかで経時劣化が少ない。
【００１６】また図５（Ａ），（Ｂ）は、それぞれ本発
明の第二の実施例の固体電解コンデンサおよび第二の従
来例の固体電解コンデンサ（いずれもニッケルめっき
品）でプレッシャークッカー試験に供した時のｔａｎδ
（周波数１２０Ｈｚにて測定）の推移を示す図である。
本発明の第二の実施例の固体電解コンデンサは第二の従
来例の固体電解コンデンサに比してｔａｎδが著るしく
小さく、経時劣化も少ない。
【００１７】前記グラファイト粉末を含有する二酸化マ
ンガン層６は二酸化マンガン層５とグラファイト層７
ａ，７ｂの性質を併せ持つため界面抵抗が低減され、イ
ンピーダンスを低減する効果を有する。図６は本発明の
第一の実施例および第一の従来例の固体電解コンデンサ
（いずれも銀ペースト品）のインピーダンス〜周波数特
性を示す図である。図７は本発明の第二の実施例および
第二の従来例の固体電解コンデンサ（いずれもニッケル
めっき品）のインピーダンス〜周波数特性を示す図であ
る。上記グラファイト粉末を含有する二層化マンガン層
６を有する固体電解コンデンサは従来例の固体電解コン
デンサに比してインピーダンス（１０6 Ｈｚ付近でのボ
トム値）は半分以下である。
【００１８】なお、本実施例では陽極体にタンタルを用
いているが、弁作用を有するニオブ、チタン、アルミニ
ウム等の金属を用いてもよいことは勿論である。
【００１９】
【発明の効果】以上述べた如く、本発明の半導体酸化物
層とグラファイト層の間にグラファイト粉末を含有する
半導体酸化物層を有することを特徴とする固体電解コン
デンサは、 （１）グラファイト粉末を含有する半導体酸化物層とグ
ラファイト層の界面でグラファイト粉末同士が凹凸をつ
くり、アンカー効果により、半導体物層とグラファイト
層の界面の割れ、剥離が防止され、高温、高湿、高圧条
件下での使用でもｔａｎδの劣化を解消できる。
【００２０】（２）グラファイト粉末を含有する半導体
酸化物層は、半導体酸化物層とグラファイト層の双方の
性質を併せ持つため界面抵抗が低減され、インピーダン
スを従来品の半分以下にまで低減することが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は本発明の第一の実施例、（Ｂ）は第二
の実施例の固体電解コンデンサの素子構造を示す模式断
面図。
【図２】（Ａ）は第一の従来例、（Ｂ）は第二の従来例
の固体電解コンデンサ素子構造を示す模式断面図。
【図３】本発明の第一，第二の実施例の固体電解コンデ
ンサの製造工程を示すフローチャート。
【図４】（Ａ）は本発明の第一の実施例、（Ｂ）は第一
の従来例の固体電解コンデンサをプレッシャークッカー
試験に供した時のｔａｎｆの推移を示す特性図。
【図５】（Ａ）は本発明の第二の実施例、（Ｂ）は第二
の従来例の固体電解コンデンサをプレッシャークッカー
試験に供した時のｔａｎｆの推移を示す特性図。
【図６】（ａ）は本発明の第一の実施例、（ｂ）は第一
の実施例の固体電解コンデンサのインピーダンス〜周波
数特性を示す特性図。
【図７】（ａ）本発明の第二の実施例、（ｂ）は第二の
従来例の固体電解コンデンサのインピーダンス〜周波数
特性を示す特性図。
【符号の説明】
１ 陽極体 ２ 陽極リード ３ 樹脂層 ４ 誘電体酸化被膜層 ５ 二酸化マンガン層 ６ グラファイト粉末を含有する二酸化マンガン層 ７ａ グラファイト層 ７ｂ パラジウム入りグラファイト層 ８ａ 銀ペースト層 ８ｂ ニッケルめっき層
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｇ 9/24 Ａ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 陽極リードが植立された弁作用金属から
    なる陽極体上に誘電体酸化被膜層と半導体酸化物層、グ
    ラファイト層および金属層が順次形成された陰極層を有
    する固体電解コンデンサにおいて、前記半導体酸化物層
    とグラファイト層の間にグラファイト粉末を含有する半
    導体酸化物層を有することを特徴とする固体電解コンデ
    ンサ。
  2. 【請求項２】 前記グラファイト粉末を含有する半導体
    酸化物層のグラファイト粉末の粒径を０．１ミクロン〜
    １０ミクロンとしたことを特徴とする請求項１記載の固
    体電解コンデンサ。
  3. 【請求項３】 前記グラファイト粉末を含有する半導体
    酸化物層のグラファイト粉末の含有量が重量比で５〜５
    ０％であることを特徴とする請求項１記載の固体電解コ
    ンデンサ。
  4. 【請求項４】 前記グラファイト粉末を含有する半導体
    酸化物層のグラファイト粉末の粒径とグラファイト層の
    グラファイト粉末の粒径がほぼ同一であることを特徴と
    する請求項１記載の固体電解コンデンサ。
  5. 【請求項５】 陽極リードが植立された弁作用金属から
    なる陽極体を形成する工程と、該陽極体上に誘電体酸化
    被膜層を形成し、該誘電体酸化被膜層上に半導体酸化物
    層、グラファイト層、金属層を順次形成し陰極層とする
    工程とを有することを特徴とする固体電解コンデンサの
    製造方法において前記半導体酸化物層とグラファイト層
    の間にグラファイト粉末を含有する半導体酸化物層を形
    成する工程を有することを特徴とする固体電解コンデン
    サの製造方法。
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