DE2509613C3 - Trocken-Elektrolytkondensator - Google Patents
Trocken-ElektrolytkondensatorInfo
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Description
In F i g. 1 ist schematisch eine beschichtete Tantal-Sinteranode dargestellt Diese besteht aus einer
Anodenzuleitung I und dem Sinterkörper 2. Auf dem Sinterkörper 2 aus Tantal befindet sich eine durch
anodische Oxydation erzeugte Tantalpentoxidschicht, die als Dielektrikum des Kondensators dient Auf dieser
Dielektrikumsschicht ist durch pyrolytische Zersetzung die als Kathode dienende Mangandioxidschicht abgeschieden.
Die F i g. 2 und 3 sind eine vergrößerte Darstellung des Randbereiches aus Fig. 1, wo die anodische
Drahtzuführung 1 in der. Sinterkörper 2 übergeht. In
den Figuren ist mit 3 die Tantalanode, mit 4 die dielektrische Tantalpentoxidschicht und mit 5 die
kathodische Mangandioxidschicht bezeichnet
Fig.2 stellt die Verhältnisse bei herkömmlichen
Trocken-Elektrolytkondensatoren dar, während F i g. 3 den Randbereich des erfindungsgemäßen Trocken-Elektroiytkondensators wiedergibt Wie der F i g. 2 zu
entnehmen ist erfolgt beim herkömmlichen Kondensator eine sehr starke Verzerrung der elektrischen
Feldlinien 6 im Randbereich, d. h. dort treten erhöhte Feldstärken auf. Die Folge davon sind erhöhte
Restströme, die eine begrenzte Einsatzfähigkeit der Kondensatoren zur Folge haben. Zwar kann bei den
Zwischenformierungen und der Endfcrmierung das Mangandioxid durch elektrothermische Reduzierung in
eine höherohmige Modifikation übergehen, wobei dieser Vorgang stromdichteabhängig ist und deshalb
bevorzugt an den Stellen erhöhter Stromdichte auftritt, jedoch ist dieser Vorgang nicht einfach zu beherrschen,
so daß trotz dieser Behandlung eine starke Streuung der Restströme auftreten kann.
F i g. 3 zeigt dagegen die Verhältnisse im Randbereich des erfindungsgemäßen Trocken-Elektrolytkondensators, der auf seiner kathodischen Mangandioxidschicht 5
eine Zusatzschicht 7 aus einem halbleitenden Metalloxid besitzt Dir Zusatzschicht 7 muß, damit sie in
gewünschter Weise wirksam werden kann, einen höheren spezifischen Widerstand als die kathodische
Mangandioxidschicht 5 aufweisen. Als besonders günstig haben sich Schichten aus Mangandioxid
(höherohmige Modifikation), Blei-Oxid, Zinkoxid, Kupferoxid, Eiunoxid, Wismutoxid, Mai.gan-Lithium-Oxid,
Mangan-Zink-Oxid und Zink-Lithium-Oxid erwiesen. Wie der F i g. 3 leicht zu entnehmen ist, bewirkt die
erfindungsgemäße Zusatzschicht 7, daß die elektrischen Feldlinien 6 im Randbeteich weniger verzerrt sind als
bei herkömmlichen Kondensatoren. Das bedeutet aber, daß die ftandfeldstärke verringert ist und somit
niedrigere Restströme zu verzeichnen sind. Weiterhin hat die Zusatzschicht neben der Verringerug der
Randfeldstärke gleichzeitig eine Verringerung der Randkonzentration freier Elektronen und somit auch
ihrer Injektionsrate zur Folge. Dies führt ebenfalls zu einer Verringerung des Reststroms, da die Injektionsrate neben der Feldstärke die Höhe des Reststroms
bestimmt
In Fig.4 ist die Kontaktierung der kathodischen
Mangandioxidschicht 5 durch eine Graphitschicht ausschnittsweise dargestellt. Die Graphitschicht besteht
aus einzelnen Graphitteilchen 8. Während der Reststrom durch die Rrmdfeldstärke und die Injektionsrate
bestimmt wird, sind die Scheinwiderstandswerte sowie der Verlustfaktor hauptsächlich von der Kontaktierung
der kathodischen Mangandioxidschicht 5 abhängig. Während diese Kontaktierung bei herkömmlichen
Trocken-Eiektrolytkondensatoren nur an den Auflagsstellen der einzelnen Graphitteilchen 8 auf der
Mangandioxidschicht 5 bzw. zwischen den einzelnen Graphitteilchen 8 erfolgte (in der Figur sind zwei
S solcher Kontakte mit der Berührungszone χ bezeichnet), werden diese Kontaktflächen beim erfindungsgemäßen Trocken-Elektrolytkondensator durch die Zusatzschicht 7 wesentlich vergrößert (in der Figur mit y
bezeichnet). Dadurch weist der erfindungsgemäße
ίο Trocken-Elektrolytkondensator wesentlich niedrigere
Scheinwiderstandswerte und Verlustfaktoren auf. Die Zusatzschicht 7 wird dadurch hergestellt daß die
Sinterkörper nach Aufbringen der Graphitschicht in ein Bad getaucht werden, welches ein pyrolysierbares Salz
iS des gewünschten Metalls enthält und daß die Schicht
anschließend durch Pyrolyse erzeugt wird. Die Schichtdicke der Zusatzschicht 7 muß dabei so bemessen sein,
daß ein einwandfreier Kontakt der später herzustellenden Silbersicht mit der Graphitschich» gewährleistet ist.
Es ist daher auch möglich, die ZusaUsohicht 7 erst nach
Aufbringen der Silber-Leitlackschicht zu erzeugen, da dabei gleichzeitig noch der Kontakt zwischen den
Teilchen der graphit- und der Silberschicht verbessert wird.
Tantal-Trocken-Elektrolytkondensatoren der Nenn daten 23μΡ/10ν wurden mit einer Zusatzschicht aus
Zinkoxyd versehen. Die Herstellung dieser Schicht
erfolgte durch Tauchen der graphitierten Sinterkörper
in eine 0,4 n-Zinknitratlösung und durch anschließendes pyrolytisches Zersetzen bei 2500C während vier
Minuten. Die weitere Verarbeitung der Kondensatoren erfolgte in üblicher Weise. Die Mittelwerte (Summen
häufigkeit 50%) des Verlustfaktors tano (120Hz) und
des Scheinwiderstandes Z(IO kHz) der Kondensatoren (gemessen bei 25°C) betrug 1,8% bzw. 1,1 Ohm. Die
Vergleichswerte der herkömmlichen Elektrolytkondensatoren ohne Zinkoxidzusatzschicht waren 2,6 bzw. 1,2
Ohm. Der Scheinwiderstandswert Z(IOO kHz) war von 0^2 Ohm auf 034 Ohm verbessert
Tantal-Elektrolytkondensatoren der gleichen Nenndaten wie im Ausführungsbeispiel 1 wurden in gleicher
Weise mit einer Zinkoxid-Zusatzschicht versehen, jedoch wurde die Mangandioxidoberfläche vor der
Graphitierung 15 Sekunden lang in einem Essigsäure-
Wasserstoffperoxid-Bad gemäß DT-OS 2257 063 be
handelt Am fertigen Kondensator war eine weiten Verbesserung sowohl des Verlustfaktors auf 1,7% als
auch der Scheinwiderstandswerte Z (10 kHz) auf 0,9 Ohm und Z(IOO kHz) auf 0,28 Ohm festzustellen.
In F i g. 5 ist die Summenhäufigkeit der Restströme Ir (gemessen bei 25° C zwei Minuten nach Anlegen der
Spannung 1,5 Un) der in den Ausfülhrungsbeispielen 1 und 2 beschriebenen Kondensatoren angegeben. Zum
Vergleich ist die Summenhäufigkeit des Reststroms von
herkömmlich hergestellten Kondensatoren mit angegeben (Kurve 9). Kurve 10 bezieht sich 'iuf die nach
Ausführungsbeispiel 1 und Kurve 11 auf die nach Ausführungsbeispiel 2 hergestellten Kondensatoren,
Wie der Figur zu eh-nehrwn ist ergibt sich durch die
6< erfindungsgemäße Zusatzschicht eine wesentliche Verbesserung der Reststromwerte, die durch eine Behandlung der Mangandioxidschicht vor der Graphitierung
weiter verbessert werden können.
Ausführungsbeispiel 3
Es wurden Tantal-Trocken-Elektrolytkondensatoren der Nenndaten 35μΡ/10ν mit einer Bleioxid-Zusatzs«:hicht
hergestellt, die durch Tauchen des graphitierten Sinterkörpers in eine 1 n-Bleinitratlösung und anschließende
Pyrolyse bei 2500C und vier Minuten lang erzeugt wurde.
Ausführungsbeispiel 4
Es wurden Tantal-Trocken-Elektrolytkondensatoren der gleichen Nenndaten wie im Ausführungsbeispiel 3
mit einer Zinkoxidzusatzschicht durch Tauchen in eine 1 n-Zinknitratlösung und anschließende Pyrolyse bei
2.5O°C und vier Minuten lang hergestellt.
In den Fig.6 und 7 sind die Summenhäufigkeiten Σ
des Verlustfaktors tan δ (120 Hz) und des Scheinwiderstandes
Z(IO Hz) der gemäß Ausführungsbeispiel 3 und 4 hergestellten Tantal-Trocken-Elektrolytkondensatoren
angegeben. Die Kurven 13 und 16 beziehen sich dabei auf die nach Ausführungsbeispiel 3 hergestellten
Kondensatoren, während die Kurven 14 und 17 den gemäß Ausführungsbeispiel 4 hergestellten Kondensatoren
entsprechen. Zum Vergleich sind die Werte herkömmlich hergestellter Kondensatoren ohne Zusatzschicht
in Fig.6 und 7 angeführt (Kurven 12 bzw. 15). Den Fig. 6 und 7 ist die wesentliche Verbesserung
der erfindungsgemäßen Kondensatoren leicht zu entnehmen.
Ausführungsbeispiel 5
Bei Tantal-Trocken-Elektrolytkondensatoren der Nennwerte 8 μΡ/35 V wurde eine Zinkoxid-Zusatzschicht
durch Tauchen der graphitierten Sinterkörper in eine 0,4 n-Zinknitratlösung und anschließende Pyrolyse
bei 2500C während vier Minuten hergestellt. Nach der Endformierung (125"C, 35 V, 60 h) war gegenüber den
bekannten Kondensatoren ohne Zusatzschicht sowohl der Verlustfaktor von 2,4% auf 1,5% als auch der
Scheinwiderstand von 2,9 Ohm auf 2,2 Ohm verbessert. Bei einer zweiten Charge waren Verbesserungen des
Verlustfaktors von 1,8% auf 1,0% und des Scheinwiderstandes von 2,6 Ohm auf 2,1 Ohm zu verzeichnen.
Ausführungsbeispiel 6
Gleichartige Kondensatorkörper wie im Ausführungsbeispiel 5 wurden nach der Graphitierung mit
einer Bleioxid-Zusatzschicht durch Tauchen in ein 0,2 n-Bieinitratbad iwd anschließende Pyrolyse unter
gleichen Bedingungen versehen. Nach der Endfonnierung waren Verbesserungen des Verlustfaktors gegenüber
den bekannten Kondensatoren von 2,4 auf 1,6% und des Sd.einwiderstandes von 23 auf 23 Ohm zu
verzeichnen. Bei einer Parallelcharge waren Verbesserungen
des Verlustfaktors von 13% auf 1,7% und des
Scheinwiderstandes von 2,6 Ohm auf 2,1 Ohm zu
verzeichnen.
Ausführungsbeispiel 7
Auf gleichartigen Kondensatorkörpem wie in den
vorhergehenden Ausführungsbeispielen 5 und 6 wurde eine Eisenoxid-Zusatzschicht durch Tauchen in eine
n-Eisennitratlösung und anschließende Pyrolyse erzeugt
Nach der Endformierung war der Verlustfaktor von 2,4 auf 1,5% und der Scheinwiderstand von 2,9 Ohm
auf 2,3 Ohm verbessert (verglichen mit bekannten Kondensatoren).
Ausführungsbeispiel 8
Kondensatorkörper der gleichen Nenndaten wie im Ausführungsbeispiel 5 wurden nach der Graphitierung
mil; einer Kupferoxid-Zusatzschicht versehen, die durch Tauchen der graphitierten Körper in ein 0,3 n-Kupferazf'tatbad
und anschließende Pyrolyse hergestellt wurde. Nach der Endformierung waren der Verlustfaktor
gegenüber den bekannten Kondensatoren von 2,4 auf 2,1% und der Scheinwiderstand von 2,9 Ohm auf 2,7
Ohm verbessert.
Ausführungsbeispiel 9
Kondensatorkörper der gleichen Nenndaten wie im Ausführungsbeispiel 5 wurden nach der Graphitierung
mit einer Manganoxid-Zusatzschicht versehen, die durch Tauchen der Körper in ein 1 n-Mangannitratbad
und anschließende Pyrolyse hergestellt wurde. Nach der Endformierung waren sowohl der Verlustfaktor verglichen
mit den bekannten Kondensatoren von 1,8% aul 1,1% als auch der Scheinwiderstand von 2,6 Ohm auf 2,1
Ohm verbessert.
Ausführungsbeispiel 10
Auf Kondensatorkörper der gleichen Nenndaten wie im Ausführungsbeispiel 5 wurde nach der Graphitierung
eini: Zusatzschicht aus einem Mangan-Lithium-Mischoxid
aufgebracht. Die Zusatzschicht wurde durch Tauchen der Körper in ein 0,5 n-Mangan-(0,2 n-Lithium-Nitratbad
und anschließende Pyrolyse hergestellt. Nach der Endformierung war eine Verbesserung des Verlustfaktors
von 1,8% auf 1,2% und des Scheinwiderstandes von 2,6 Ohm auf 2,1 Ohm im Vergleich zu den bekannter
Kondensatoren zu verzeichnen.
Ausführungsbeispiel 11
Kondensatoren der gleichen Nenndaten wie im Auüführungsbeispiel 5 wurden nach der Graphitierung
mit einer Zusatzschicht aus einem Mangan-Zink-Oxid versehen, die durch Tauchen der Körper in ein
03 ii-Mangan-/0,2 n-Zinknitrat-Bad und anschließende
Pyrolyse hergestellt wurde. Nach der Endformierung waren Verbesserungen des Verlustfaktors von 13% auf
1,2% und des Scheinwiderstandes von 2,6 Ohm auf 2,1 Ohrn im Vergleich zu den bekannten Kondensatoren
ihne Zusatzschicht zu verzeichnen.
Ausführungsbeispiel 12
Kondensatoren der gleichen Nenndaten wie im Ausführungsbeispiel 5 wurden mit einer Zusatzschichi
aus einem Zink-Lithium-Oxid versehen. Die Zusatzschicht wurde durch Tauchen der graphitierten Körper
in ein 0,2 n-7.mk-/0.2 n-LJthnjrn-Nitratbad und anschließende Pyrolyse hergestellt Nach der Endformierung
waren der Verlustfaktor von 13% auf 1,0% und der
Scheinwiderstand von 2fi Ohm auf 2,0 Ohm verbessert
(verglichen mit bekannten Kondensatoren).
Ausführungsbeispiel 13
Tantal-Trocken-Elektrolvtkondensatoren der Nenndaten
23μΡ/Ι0ν wurden nach der Graphitierung mit
einer Bleioxid-Zusatzschich! versehen, die durch Tau- ; chen H°r Kondensatorkörper in ein 0,2 n-Bleinitratbad
und ansrhließende Pyrolyse hergestellt wurde. Die zum
Vergleich hergestellten Kondensatoren ohne Bleioxid-Zusatzschicht wiesen wesentlich schlechtere elektrische
Werte auf: Verlustfaktor 2,6% gegenüber 1,8%, Scheinwiderstand bei 1OkHz
1,2 Ohm gegenüber 1,0 0hm,
Scheinwiderstand bei 100 kHz
Scheinwiderstand bei 100 kHz
0,52 Ohm gegenüber 0,31 Ohm,
Reststrom (gemessen nach zwei Minuten bei 15 V und 25"C) 1.0 μΑ gegenüber 0,4 μΑ.
Ausführungsbeispiel 14
Kondensatoren der gleichen Nenndaten wie im Ausführungsbeispiel 13 wurden in gleicher Weise mit
einer Bleioxid-Zusatzschicht versehen, jedoch wurde die Mangandioxidoberfläche vor Aufbringen der Graphitschicht
in einem Essigsäure-Wasserstoffperoxid-Bad gemäß DT-OS 22 57 063 behandelt. Gegenüber herkömmlichen
Kondensatoren (ohne Zusatzschicht und unbehandelte Mangandioxidoberfläche) ergaben sich
folgende Verbesserungen der elektrischen Werte: Verlrstfaktor von 2,6% auf 2,2%,
Scheinwiderstand bei 10 kHz
Scheinwiderstand bei 10 kHz
von 1,2 Ohm auf 1,0 Ohm,
Scheinwiderstand bei 100 kHz
Scheinwiderstand bei 100 kHz
von 0,52 Ohm auf 0,28 Ohm,
Reststrom (gemessen nach zwei Minuten an 15 V) von
1,ΟμΑβυίΟ,3 μΑ.
Ausführungsbeispiel 15
Tantal-Trocken-Elektrolytkondensatoren der Nenndaten 10μΡ/35 V wurden nach der Graphitierung mit
einer Wismutoxid-Zusatzschicht versehen, die durch Tauchen der Kondensatorkörper in ein n-Wismutnitratbad
(mit HNOj auf einen pH-Wert von ungefähr 1 eingestellt, damit kein Hydroxid ausfällt) und anschließende
Pyrolyse (250cC, 4 Minuten) hergestellt wurde. Gegenüber herkömmlichen Kondensatoren ohne Zusatzschicht
waren Verbesserungen des Verlustfaktors von 2% auf 1,2% und des Scheinwiderstandswertes Z
(10 kHz) von 1,9 Ohm auf 1,7 Ohm zu verzeichnen.
Der Einfluß der Herstellungsfolge der halbleitenden Zusatzschicht, nämlich
1. Herstellung der Zusatzschicht nach der Graiphitierung
und vor der Anbringung der Leitsilberschicht und
2. zuerst Graphitierung und Anbringen einer Leitsilberschicht
und darauf folgende Herstellung der halbierenden Zusatzschicht,
auf die elektrischen Werte wird in den folgenden Ausführungsbeispirlen '6 bis 19 angegeben.
Aiisfühningsbeispicle !bund 17
Eine halbleitende Zinkoxid-Zusatzschicht wurde durch Tauchen von Tantal-Troeken-Elektrolytkondensatoren
der Nenndaten 35μΡ/1Ολ/ in eine 1 n-Zinknitratlösung
und anschließende Pyrolyse während vier Minuten bei 2300C hergestellt. Bei Herstellung vor
Aufbringung der Silberleitlackschicht ergaben sich Werte vun 1.5% für den Verlustfaktor und 0,55 Ohm für
den Scheinwiderstand bei 1OkHz und bei Herstellung der Zinkoxid Zusatzschicht nach Aufbringung der
Silberleitlackschicht solche von 2,1% bzw. 0,64 Ohm.
Gegenüber normal hergestellten Kondensatoren, die einen Verlustfaktor von 3,0% bzw. einen Scheinwiderstand
von 0,78 Ohm aufwiesen, ist auf jeden Fall eine Verbesserung der elektrischen Werte zu verzeichnen.
Ausfünrungsbeispiele 18 und 19
Tantal-Troel.en-Elektrolytkondensatoren der Nenndaten
35μΓ7Ι0ν wurden durch Tauchen in eine
2 n-Bleinitratlösung und anschließende Pyrolyse während
vier Minuten bei 2500C mit einer Bleioxid-Zusatzschicht
versehen. Bei Herstellung der Bleioxid-Zusatzschicht vor der Aufbringung der Silberleitlackschicht
erhielt man einen Verlustfaktor von 1,8% und einen Scheinwiderstand von 0,57 Ohm und bei Herstellung der
Bleioxidschicht nach Aufbringung der Silberleitlackschicht Werte von 2,0% bzw. 0,65 Ohm. Verglichen mit
den Werten von normal hergestellten Tantal-Trocken-Elektrolytkatalysatoren (s. Ausführungsbeispiel 15 und
16), ist auch bei einer Bleioxid-Zusatzschicht eine Verbesserung dieser elektrischen Werte festzustellen,
ohne Rücksicht darauf, ob ihre Herstellung vor oder nach dem Aufbringen der Silberleitlackschicht erfolgt
ist.
Die Dicke der Zusatzschicht 7 ist beim einmaligen Tauchen im wesentlichen von der Konzentration des
Bades abhängig. Günstige Badkonzentrationen liegen ungefähr zwischen 0,2 η und 1,5 n. Dies gilt für den Fall,
daß die Zusatzschicht vor Aufbringen der Silberleitlackschicht hergestellt wird, da in diesem Fall eine zu große
Dicke der Zusatzschicht Schwierigkeiten bei der Kontaktierung an der Grenzfläche Graphit-Silber
erwarten läßt. Wird die Zusatzschicht 7 erst nach Aufbringen der Silberleitlackschicht erzeugt, so kann
allerdings auch mit höheren Badkonzentrationen als 1,5 η gearbeitet werden. Die Zusatzschicht 7 kann auch
aus anderen haibleitenden Metalloxiden als den genannten bestehen, wenn diese die Voraussetzung
erfüllen, daß ihr spezifischer Widerstand höher als derjenige der kathodischen Mangandioxidschicht ist.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (14)
1. Trocken-Elektrolytkondensator, der aus einer
mit einer dielektrisch wirksamen Oxidschicht versehenen gesinterten Anode aus Tantal besteht, der
eine Kathode aus Mangandioxid besitzt und der als Stromzuführung eine mit einer lötfähigen Silberschicht versehene Graphitschicht besitzt, dadurch gekennzeichnet, daß er eine Zusatz-
schicht (7) aus einem halbleitenden Metalloxid besitzt, die sich zwischen den Graphitteilchen (8) und
auf den nicht von den Graphitteilchen bedeckten Stellen der Kathode befindeL
2. Trocken-Elektrolytkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusatzschicht (7)
aus Mangandioxid besteht
3. Trocken-Elektrolytkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusatzschicht (7)
aus Bleioxid besteht.
4. Trocken-Elektrolytkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusatzschicht (7)
aus Zinkoxid besteht
5. Trocken-Elektrolytkondensator nach Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusatzschicht (7)
aus Eisenoxid besteht
6. Trocken-Elektrolytkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß die Zusatzschicht (7)
aus Kupferoxid besteht
7. Trocken-Elektrolytkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusatzschicht (7)
aus Wismutoxid besteht
8. Trocken-Elektroiytkoadp.nsator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dv Zusatzschicht (7)
aus einem halbleitenden Mischoxid aus Mangan- und Lithiumoxid besteht
9. Trocken-Elektrolytkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß die Zusatzschicht (7)
aus einem halbleitenden Mischoxid aus Mangan- und Zinkoxid besteht
10. Trocken-Elektrolytkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusatzschicht (7) aus einem halbleitenden Mischoxid aus
Zink- und Lithiumoxid besteht
11. Verfahren zur Herstellung eines Trocken-Elektrolytkondensators nach einem oder mehreren
der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der mit der Graphitschicht versehene Kondensatorkörper einmal oder mehrfach in ein Bad getaucht
wird, das das Metall, aus welchem die Zusatzschicht (7) hergestellt werden soll, in einer pyrolytisch
zersetzbaren Verbindung enthält und daß nach dem Eintauchen die Zusatzschicht (7) durch pyrolytische
Zersetzung hergestellt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch
gekennzeichnet, daß die Zusatzschicht (7) erst nach Herstellen der Silberleitlackschicht erzeugt wird.
13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch
gekennzeichnet, daß die Kathode (5) vor dem Aufbringen der Graphitschicht in an sich bekannter
Weise in einem Bad behandelt wird, das Essigsäure und Wasserstoffperoxid enthält.
14. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch
gekennzeichnet daß die Pyrolyse während einer Dauer von vier Minuten bei 2500C durchgeführt
wird.
Die Erfindung betrifft einen Trocken-Elektrolytkondensator, der aus einer mit einer dielektrisch wirksamen
Oxidschicht versehenen gesinterten Anode aus Tantal besteht der eine Kathode aus Mangandioxyd besitzt
und der als Stromzuführung eine mit einer lötfähigen Silberschicht versehene Graphitschicht besitzt, und ein
Verfahren zii seiner Herstellung.
Trocken-Elektrolytkondensatoren bestehen au* einer
gesinterten Ventilmetallanode (im allgemeinen Tantal), auf die durch einen Formierprozeß die als Dielektrikum
wirkende Oxidschicht aufgebracht wird. Als Kathode dient im allgemeinen eine Mangandioxidschicht die
durch Tauchen des formierten Sinterkörpers in eine Mangannitratlösung und anschließende Pyrolyse des
Mangannitrates erhalten wird. Zur Verbesserung der kathodischen Schicht kann das Tauchen in die
Mangannitratlösung und die daran anschließende Pyrolyse mehrfach erfolgen. Als kathodische Stromzuführung wird auf die Mangandioxidschicht eine
Graphitschicht aufgebracht; dies geschieht durch Eintauchen in eine kolloidale Graphitlösung und
anschließendes Trocknen. Es hat sich als zweckmäßig erwiesen, die Mangandioxidschicht vor der Graphitierung in einem Wasserstoffperoxid-Bad zu behandeln
(DT-OS 22 57 063). Abschließend wird auf die Graphitschicht ein lötfähigcF Metallbelag (im allgemeinen
Silber) aufgebracht
Trotz sorgfältigster Durchführung der einzelnen Verfahrensschritte läßt es sich nicht immer vermeiden,
daß die fertiggestellten Kondensatoren unzulässig hohe Restströme bzw. zu hohe Scheinwiderstandswerte oder
zu hohe Verlustfaktoren aufweisen.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, einen Trocken-Elektrolytkondensator anzugeben, der sich durch
niedrige Restströme, niedrige Scheinwiderstandswerte sowie niedrige Verlustfaktoren auszeichnet Ferner ist
es Aufgabe der Erfindung, die Herstellung eines derartigen Trocken-Elektrolytkonden? ators anzugeben.
Diese Aufgabe wird bei dem eingangs angegebenen Trocken-Elektrolytkondensator erfir.dungsgemäß dadurch gelöst daß er eine Zusatzschicht aus einem
halbleitenden Metalloxid besitzt die sich zwischen den Graphitteilchen und auf den nicht von den Graphitteilchen bedeckten Stellen der Kathode befindet
Die Zusatzschicht besteht vorzugsweise aus Mangan-, Blei-, Zink-, Eisen-, Kupfer-, Wismut-, Mangan-Lithium-,
Mangan-Zink- bzw. Zink-Lithium-Oxid.
Das Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Trocken-Elektrolytkondensators ist dadurch
gekennzeichnet, daß der mit der Graphitschicht versehene Kondensatorkörper einmal oder mehrfach in
ein Bad getaucht wird, das das Metall, aus welchem die Zusatzschicht hergestellt werden soll, in einer pyrolytisch zersetzbaren Verbindung enthält und daß nach
dem Eintauchen die Zusatzschicht durch pyrolytische Zersetzung hergestellt wird.
Die Vorteile des erfindungsgemäßen Trocken-Elektrolytkondensatcrs sowie des Verfahrens zu seiner
Herstellung werden an Hand von Ausführungsbeispielen Und der Zeichnung aufgezeigt.
Dabei zeigt
F i g. 1 eine beschichtete Tantal-Sinteranode,
F i g. 2 und 3 einen Ausschnitt aus Fig. 1,
F i g. 4 die Kontaktierung der halbleitenden Mangandioxidschicht
F i g. 5 die Summenhäufigkeit des Reststroms,
F i g. 6 die Summenhäufigkeit des Verlustfaktors und
Fig. 7 die Summenhäufigkeit des Scheinwiderstan-
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JP51023677A JPS51113155A (en) | 1975-03-05 | 1976-03-04 | Dry electrolytic capacitor and method of manufacture thereof |
FR7606147A FR2303362A1 (fr) | 1975-03-05 | 1976-03-04 | Condensateur a electrolyte sec et procede pour sa fabrication |
US05/664,264 US4097914A (en) | 1975-03-05 | 1976-03-05 | Solid electrolyte capacitor |
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Publication Number | Publication Date |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2743842A1 (de) * | 1976-10-01 | 1978-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Trockenelektrolytkondensator und verfahren zu dessen herstellung |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1551210A (en) * | 1977-02-15 | 1979-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid electrolyte capacitor using low resistivity metal oxide as cathode collector |
JP2586381B2 (ja) * | 1993-07-05 | 1997-02-26 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP2017103412A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | 株式会社トーキン | 固体電解コンデンサ |
US11004615B2 (en) * | 2017-12-05 | 2021-05-11 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for use at high temperatures |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3254390A (en) * | 1966-06-07 | Electrolyte solution of | ||
FR1207216A (fr) * | 1958-10-20 | 1960-02-15 | Plessey Co Ltd | Condensateur |
GB1057261A (en) * | 1965-01-08 | 1967-02-01 | Standard Telephones Cables Ltd | Electrolytic capacitors |
DE1256330B (de) * | 1965-08-06 | 1967-12-14 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kondensatoren |
GB1165510A (en) * | 1968-12-13 | 1969-10-01 | Standard Telephones Cables Ltd | Solid Electrolytic Capacitors |
US3581159A (en) * | 1969-11-12 | 1971-05-25 | Union Carbide Corp | Solid electrolyte capacitor having improved counterelectrode system |
SU320209A1 (ru) * | 1970-04-20 | 1976-08-05 | Способ изготовлени оксидно-полупроводниковых конденсаторов | |
DE2256739B2 (de) * | 1972-11-18 | 1975-08-14 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators |
CA993058A (en) * | 1973-07-26 | 1976-07-13 | George A. Shirn | Solid electrolytic capacitor with embedded counterelectrode |
US4017773A (en) * | 1975-05-27 | 1977-04-12 | Sprague Electric Company | Solid valve-metal capacitor with buried graphite in the particles in the electrolyte |
-
1975
- 1975-03-05 DE DE2509613A patent/DE2509613C3/de not_active Expired
-
1976
- 1976-02-10 GB GB5075/76A patent/GB1499272A/en not_active Expired
- 1976-03-04 FR FR7606147A patent/FR2303362A1/fr active Granted
- 1976-03-04 JP JP51023677A patent/JPS51113155A/ja active Granted
- 1976-03-05 US US05/664,264 patent/US4097914A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2743842A1 (de) * | 1976-10-01 | 1978-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Trockenelektrolytkondensator und verfahren zu dessen herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS51113155A (en) | 1976-10-06 |
DE2509613B2 (de) | 1977-09-08 |
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DE2509613A1 (de) | 1976-09-09 |
US4097914A (en) | 1978-06-27 |
FR2303362A1 (fr) | 1976-10-01 |
JPS6145852B2 (de) | 1986-10-09 |
GB1499272A (en) | 1978-01-25 |
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