DE2947359A1 - Anode fuer einen trockenelektrolytkondensator und verfahren zu dessen herstellung - Google Patents

Anode fuer einen trockenelektrolytkondensator und verfahren zu dessen herstellung

Info

Publication number
DE2947359A1
DE2947359A1 DE19792947359 DE2947359A DE2947359A1 DE 2947359 A1 DE2947359 A1 DE 2947359A1 DE 19792947359 DE19792947359 DE 19792947359 DE 2947359 A DE2947359 A DE 2947359A DE 2947359 A1 DE2947359 A1 DE 2947359A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
anode
vanadium
metal
tantalum
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19792947359
Other languages
English (en)
Inventor
Hyogo Hirohata
Koreaki Nakata
Masahiro Oita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP53145483A external-priority patent/JPS6026287B2/ja
Priority claimed from JP54044068A external-priority patent/JPS6026288B2/ja
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of DE2947359A1 publication Critical patent/DE2947359A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052—Sintered electrodes
    • H01G9/0525—Powder therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/17—Metallic particles coated with metal
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
    • Y10T428/12153—Interconnected void structure [e.g., permeable, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12181—Composite powder [e.g., coated, etc.]

Description

Anode für einen Trockene IeUtrο 1 ytknndensator und Verfahren
zu dessen Herstellung
Es wird eine Anode aus einem porösen Sinterkörper geschaffen, der aus Tantal pulver hergestellt ist, wobei jedes Teil eine Schicht wenigstens eines der Elemente Vanadium, Molybdän und Palladium enthält.Diese Anode verursacht bei einem Trockenelektrolytkondensator einen geringen Rückstrom und einen gerin gen Kriech- bzw. Reststrom.Die Erfindung schafft ebenfalls ein wirksames Verfahren zum Herstellen einer solchen Anode.
Die Erfindung betrifft eine Anode für einen Elektrolytkondensator und ein Verfahren zum Herstellen derselben.
Ein Tantalkondensator mit trockenem Elektrolyten besteht, wie dies bekannt ist, im wesentlichen aus einer Tantalanode, einem darauf durch anodische Oxidation ausgebildeten dielektrischen Oxidfilm, einer halbleitenden Oxidschicht wie beispielsweise Manganoxyd als eine Gegenelektrode, beschichtet auf dem Oxidfilm, einer Graphitschicht auf der halbleitenden Oxidschicht
030023/0796
und einer metallischen leitenden Schicht auf der Graphitschicht .
Elektrolytkondensetoren unterscheiden sich von anderen Arten Kondensatoren wie beispielsweise einem keramischen Kondensator und einem Filmkondensator beispielsweise im Hinblick auf die Polarität der Elektrodenklemme. Wenn eine positive Spannung an die Anode eines Elektrolytkondensators angelegt wird, wird ein Rest- bzw. Kriechstrom (Vorwürts-Reststrom) gemessen, der sehr viel geringer als bei umgekehrter Anlegung ist. Der sehr große Rückstrom muß zu einem Durchbruch bzw. Versagen eines dielektrischen Filmes des Kondensators führen. Die Verwendung eines Elektrolytkondensators ist demzufolge auf elektronische Schaltkreise begrenzt, in welchen eine Gegen- bzw. Rückspannung auftritt oder eintreten kann.
Um die Eigenschaften von Kondensatoren mit einer Tantelanode zu verbessern, bestimmt durch den anodischen Oxidfilm an der Kathode, wurde das Zugeben zweckmässiger zusätzlicher Metalle zu der Tantalanode untersucht und ausgeführt. In der US-PS 3 32o 5oo ist ein dünner Filmkondensator erläutert, der in seiner Rückepannungs-Durchschlagskraft verbessert ist und aus einem legierten Tantalfilm hergestellt ist, welcher durch Zerstäuben ausgebildet ist, wobei ein Zerstäubungaziel die Kombination von Tantal und einem anderen Metall ist.
030023/0796
In der US-PS 3 984 2oB ist ein Trockenelektrolytkondensator erläutert, der hinsichtlich seiner Kapazität-Temperatureigenschaften verbessert ist und im wesentlichen aus einer Anode besteht, die aus einem Gemisch von Tantal und einem anderen Metall hergestellt ist.
Ein Zerstäuben kann eine homogene Tanta 1leqierung mit mehreren Metallen schaffen, ist jedoch kein zweckmässiges Verfahren zum Herstellen eines Pulvers für eine gesinterte Kondensatoranode zu geringen Kosten. Das l/erfahren zum Herstellen eines porösen Sinterkörpers durch Sintern eines Gemisches von Tantal und einem anderen Metall kann keine homogene Legierung bilden.
Ein Gegenstand der Erfindung ist eine Sinteranode für einen Trockenelektrolytkondensator, die sich durch einen niedrigeren Rückstrom und einen niedrigeren oder wenigstens nicht höheren Worwärts-Reststrom als der nines reinen Tantalkondensators auszeichnet .
Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen einer Anode für einen Trockenelektrolytkondensator, der sich durch einen niedrigeren Gegen- bzw. Rückstrom und einen niedrigeren oder wenigstens nirht höheren Vorwärts- bzw. Durchlaßreststrom als der eines reinen Tantalkondensators auszeichnet.
030023/0796
Weitere Vorteile und Merkmale ergeben sich aus der nachfolgenden Erläuterung der Erfindung an einem Ausführungsbeispiel anhand der beigefügten Zeichnung.
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 den umgekehrten bzw. Rückwärts-Reststrom eines Trockenelektrolytkondensators, hergestellt aus einer Anode gemäO Erfindung als Funktion der zusätzlichen Vanadiummenge,
Fig. 2 einen Vorwäpts-Reststrom eines Trockenelektrolytkondensators mit einer erfindungsgemässen Anode im Verhältnis zur Vanadiummenge.
GemäO der Erfindung ist eine Anode für einen Elektrolytkondensator vorgesehen, die sich durch einen niedrigeren rückwärtigen Reststrom und einen niedrigeren oder wenigstens nicht höheren Vorwärts-Reststrom als die entsprechenden eines reinen Tantalkondensators auszeichnet und mit einer Schicht einer Tantalanode mit wenigstens einem Metall versehen ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die Vanadium, Molybdän und Palladium umfaßt.
GemäO der Erfindung umfaßt ein bevorzugter Mengenbereich des zusätzlichen aus der Gruppe V1 Mo und Pd ausgewählten Metalles
030023/0798
o,oo3 bis 3 Atomprozent der Anode. Eine zu geringe Menge der Zusätze verursacht keine besseren Eigenschaften in Bezug auf den Rückwärts-Restst rom. Eine zu große Menge verursacht ein Herabsetzen des l/orwär t s-Restst romes . Eine bevorzugte Größe des Tantalpulvers ist geringer als o,149 mm (loo Mesh).
Zum Beschichten eines Tantalpulvers mit einer zusätzlichen Metallschicht wird ein Zerstäubunqsverfahren bevorzugt. Um eine homogene zusatzliche Metallschicht zu erhalten, ist ein Rühren oder Behandeln des Tantalpulvers zwecks Zerstäubens erwünscht. Ein Tantaldraht, ein Tantaldraht, der mit der zusätzlichen Metallschicht beschichtet ist oder ein Draht einer Legierung aus Tantal-Zusatzme tall kann als Anodendraht verwendet werden, der in einen Preßkörper einzubetten ist. Ein poröser Sinterkörper wird durch Sintern eines Preßkörpers aus mit Additiv beschichtetem Tantalpulver einer zweckmässigen Form in einem Vakuum oder einer inerten Atmosphäre bei einer erhöhten Temperatur ausgebildet.
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend beschrieben.
3o Gramm eines Tantalpulvers wurde in einen Behälter ähnlich einer flachen Scheibe gesprüht, die unterhalb eines V/anadium-Zerstäubunqszieles angeordnet war mit einem Durchmesser von Io cm,
030023/0790
Ein Zerstäuben wurde bei einer HF-Eingangsleistung von 15oW in o,o5 mmHg Argon durchgeführt. Das Tantalpulver wurde mit einem rotierenden Rührer ähnlich einem Rechen oder einer Heugabel umgerührt. Die auf das Tantalpulver geschichtete Vanadiummenge ist proportional der Zerstäubungszeit.
Durch Variieren der Zerstäubungszeit wurden verschiedene mit Vanadium beschichtete Tantalpulver, je 16o mg erhalten. Jedes Pulver wurde zu einem zylindrischen Preßkörper mit -einem darin eingebetteten Tantaldraht gepreßt. Jeder gepreßte Körper wurde in einem Vakuum geringer als 2 χ 10" mmHg bei einer erhöhten Temperatur von 18oo°C während 2o Minuten gesintert. (Die Sinteretmosp+iäre kenn eine inerte sein). Der erhaltene poröse gesinterte Körper wurde in einen Trockene 1ektrolytkondeneator in einer bekannten Weise mittels eines Trockenelektrolytzubereitungsverfahrens bekannter Art geformt, wie dies nachfolgend erläutert wird.
Ein gesinterter Körper wurde anodisch in einer l%igen Phosphorsäurelösung von 85 C bei 50 Volt einer Formationsspannung während 2 Stunden oxidiert. Eine Mangandioxidschicht wurde auf der anodiechen Oxidschicht durch Abscheiden einer Mangannitratlösung ausgebildet. Die Mangandioxidschicht wurde mit einer kolloiden Graphitschicht beschichtet und dann eine Silberfarbenechicht auf der Graphitschicht ausgebildet.
In Fig. 1 und 2 ist ein rückwärtiger Reststrom bei einer
030023/079Θ
Rückspannung von 4 Volt (welche einer Vorwärtsspannung von -4 Volt entspricht) nach o,5 Minuten nach Spannungsanlegung und ein Vorwärtsspannung von Io Volt nach 3 Minuten nach Spannungaanlegung als eine Funktion der zusätzlichen V a η a - diummenge gezeigt. Der rückwärtige oder Vorwärts-Reststrom in den Figuren ist durch einen Wert (uA/juF oder nA/juF) ausgedrückt, definiert durch Restspannung pro Kapazität des Kondensators.
Fig. 1 und 2 zeigen eine Verbesserung in Bezug auf den Rückwärt s-Rest st rom im Vanadiumzusatzbereich von o,oo3 bis 3 Atomprozent ohne Verschlechterung des Vorwärts-Reststromes in dem Bereich im Vergleich mit dem Vorwärtsstrom eines reinen Tantal kondensat ors.
Zwecks Vergleiches wurde ein Trockenelektrolytkondensator, der im wesentlichen aus einer Vanadiumadditiv-Sinteranode bestand, hergestellt durch ein Gemisch aus Tantalpulver und einem Vanadiumpulver, ebenfalls hergestellt und wie nachfolgend beschrieben gemessen. Fs wurde ein Gemisch aus Tantalpulver mit einer Größe geringer als o,149 mm (loo Mesh) und o,3 Atomprozent Vanadiumpulver mit einer Größe geringer als o,o4 4 mm (325 Mesh) verwendet, um eine Sinteranode unter den gleichen Preß- und Sinterbedingungen herzustellen, wie sie in dem obigen Ausführungsbeispiel verwendet wurde. Sie wurde abschließend in einen Trockenelektrolytkondensator geformt,
030023/0796
-lo-
und zwar unter den gleichen Bedingungen wie die oben verwendeten.
Der Rückwärts-Reatetrom des so hergestellten Kondensators betrug bei einer Rückwärtsspannung von 4 WoIt ungefähr das 7-fache wie der des Kondensators, welcher einen Vanadiumgehalt von o,3 Atomprozent gemäss dem obigen Ausführungsbeispiel aufweist. Weiterhin war der Vorwärts-Reststrom des Kondensators, der aus dem Gemisch von Tantal und Vanadiumpulver hergestellt war, bei einer Vorwärtsspannung von Io Volt ungefähr 3 Mal so hoch wie der des Kondensators, welcher einen Vanadiumgehalt von o,3 Atomprozent gemäss dem obigen Ausführungsbeispiel enthielt. Demzufolge tritt ein Erhöhen des Vorwärts-Reststromes beträchtlich durch Zusetzen von Vanadium in dem Fall des Pulvermischverfahrens ein.
Anstelle der Verwendung von Vanadium in dem obigen Ausführungsbeispiel wurde Molybdän und Palladium je verwendet und in der gleichen Weise gemessen,wie dies oben bei dem Ausführungsbeispiel erläutert ist. Weiterhin wurden verschiedene Gemische von Vanadiummolybdän und Palladium anstatt der einzigen Zugabe von Vanadium in dem obigen Ausführungsbeispiel verwendet. Sie wurden den gleichen Messungen wie die oben durchgeführten unterworfen. Dabei wurde festgestellt, daß auf der Basis der Anode o,oo3 bis 3 Atomprozent insgesamt wenigstens eines Elementes Vanadium,Molybdän und Palladium die
030023/0790
gewünschten Ergebnisse verursacht, wenn sie auf ein Tantalpulver beschichtet waren. >
030023/0796

Claims (7)

1 BERLIN 33 8MUNCHEN80 p,t.-A,.w. Dr. ma. Ruichk. Ur. KUbUHKb &. HAK I NbKPll .»„, Dl,,i .,„, o"i,iÜf "Γηβ· PATENTANWÄLTE Hl"lsE RusJ'k°0m34 r...,»,,:«,·*»* BERLIN - MÜNCHEN """"""ESS Telegiemm- Adresse: Quadratur Berlin «'"TT* «"",ι. TELEX: 183786 München, den 23. NOV. 1979 Quadratur München TELEX: 5 22 767 unsere Akte: M 4173/Rn/He MATSUSHITA FLFCTIUC INDUSTRIAL Cd., LTD., Kadoma, O;;;ikn, b 11 J η ρ a n Pat ent a ns ρ r Γι ehe
1. Anode für einen 1 rockene 1 ok t ro 1 y t k ontlrriüa I ο r , dii
(je kenn ζ e i chne t , daß er im wesentlichen auf; einem porösen Sinterkörper besteht, der aus Tantal pulver hergestellt ist, welches eine Schicht wenigstens eines Metalle:; aufweist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die Vanadium, Molybdän und Palladium u m f a Q t .
2. Anode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Menge der Schicht o,oo3 bis i Atomprozent, auf der Grundlage der Anode betragt.
030023/0796
3. Anode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daO das Metall Vanadium ist.
4. Verfahren zum Herstellen einer Anode für einen Trockenelektrolytkondensator, dadurch gekennzeichnet, daO die Oberfläche eines Tantalpulvers mit wenigstens einem Metall beschichtet wird, das aus derGruppe ausgewählt wird, die aus Vanadium, Molybdän und Palladium besteht, daG das so beschichtete Tantalpulver in einen PreOkörper mit darin eingebettetem Leitungsdraht gepreßt wird und daO dieser PreOkürper in einem Vakuum oder in einer inerten Atmosphäre gesintert wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Beschichten mittels eines Zerstäubungsverfahrens ausgeführt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Menge der Metallschicht o,oo3 bis 3 Atomprozent auf der Grundlage der Anode beträgt.
7. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall Vanadium ist.
030023/0796
DE19792947359 1978-11-25 1979-11-23 Anode fuer einen trockenelektrolytkondensator und verfahren zu dessen herstellung Withdrawn DE2947359A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53145483A JPS6026287B2 (ja) 1978-11-25 1978-11-25 電解コンデンサ用多孔質電極の製造方法
JP54044068A JPS6026288B2 (ja) 1979-04-10 1979-04-10 固体電解コンデンサ用焼結電極

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2947359A1 true DE2947359A1 (de) 1980-06-04

Family

ID=26383914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19792947359 Withdrawn DE2947359A1 (de) 1978-11-25 1979-11-23 Anode fuer einen trockenelektrolytkondensator und verfahren zu dessen herstellung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4277543A (de)
DE (1) DE2947359A1 (de)
FR (1) FR2442499A1 (de)
GB (1) GB2038556B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009036905A1 (de) * 2007-09-19 2009-03-26 Bayer Technology Services Gmbh Wasserstoffpermeable membranen aus metallischem verbundwerkstoff

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL132291A0 (en) * 1999-10-08 2001-03-19 Advanced Alloys Technologies L A method for production of tantalum powder with highly developed surface
CN103560012B (zh) * 2013-10-18 2016-03-09 中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司 一种提高阳极块孔隙率的钽电容器制造方法
US20210184200A1 (en) * 2019-12-11 2021-06-17 GM Global Technology Operations LLC Homogenous film coating of a particle

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3004332A (en) * 1958-09-02 1961-10-17 Bell Telephone Labor Inc Powder metallurgy process
FR1354642A (fr) * 1962-04-25 1964-03-06 Thomson Houston Comp Francaise Condensateur électrique et matériau d'électrode pour celui-ci
DE1219104B (de) * 1962-04-28 1966-06-16 Siemens Ag Poroeses Sintergeruest fuer Elektroden galvanischer Elemente
US3320500A (en) * 1965-12-27 1967-05-16 Bell Telephone Labor Inc Tantalum alloy capacitor
FR2218633B1 (de) * 1973-02-19 1977-07-22 Lignes Telegraph Telephon
US3867129A (en) * 1974-02-05 1975-02-18 Metallurgie Hoboken Anodically oxidizable metal powder
IT1058755B (it) * 1975-03-24 1982-05-10 Lignes Telegraph Telephon Procedimento per la fabbricazione di anodi sinterizzati per condensatori elettrolitici
US3988651A (en) * 1975-05-23 1976-10-26 Erie Technological Products, Inc. Monolithic ceramic capacitor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009036905A1 (de) * 2007-09-19 2009-03-26 Bayer Technology Services Gmbh Wasserstoffpermeable membranen aus metallischem verbundwerkstoff

Also Published As

Publication number Publication date
FR2442499A1 (fr) 1980-06-20
GB2038556A (en) 1980-07-23
FR2442499B1 (de) 1983-05-20
US4277543A (en) 1981-07-07
GB2038556B (en) 1983-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2558240A1 (de) Elektrolytkondensator und verfahren zu seiner herstellung
EP0302274A1 (de) Elektrisches Vielschichtbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE1214786B (de) Elektrischer Kondenstator und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3023545A1 (de) Tantalelektrolytkondensator
DE10044450C1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Elektrode für Kondensatoren und zur Herstellung eines Kondensators
DE2624068A1 (de) Feststoffelektrolytkondensator und verfahren zur herstellung desselben
DE2947359A1 (de) Anode fuer einen trockenelektrolytkondensator und verfahren zu dessen herstellung
DE1665225A1 (de) Elektrisches Schaltelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3900741A1 (de) Verfahren zum abschliessen eines bleigefuellten kondensators und danach hergestellter kondensator
DE1275434B (de) Keramischer Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2611474A1 (de) Verfahren zum herstellen eines elektrolytkondensators mit einer tantalanode
DE10044451C1 (de) Elektrode und Kondensator mit der Elektrode
DE2509613C3 (de) Trocken-Elektrolytkondensator
EP0260427A1 (de) Füllschichtbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2745985C3 (de) Tantalelektrolytkondensator
DE2162052A1 (de) Elektroden für keramische Körper
DE2832735A1 (de) Stabilisierter varistor
DE2534997A1 (de) Elektrodenanordnung, insbesondere fuer kondensatoren, sowie verfahren zu deren herstellung
WO2003031671A2 (de) Verfahren zum galvanischen aufbringen von kontaktschichten auf keramische bauelemente
DE2361197C3 (de) Elektrolytkondensator mit einem selbsttragenden, ungesinterten Anodenkörper
AT249194B (de) Verfahren zur Herstellung sehr dünner elektrisch hochisolierender Schichten auf Lackunterlagen, insbesondere für Kondensatoren hoher Raumkapazität
DE1101619B (de) Verfahren zum Herstellen einer Elektrode mit grosser Oberflaeche fuer einen Elektrolytkondensator
DE1133469B (de) Elektrischer Kondensator mit Metalloxyd-Dielektrikum und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3229952C2 (de) Elektrischer Kondensator
DE1127480B (de) Verfahren zur Herstellung eines Tantalkondensators mit einer formierten dielektrischen Schicht und Halbleiterschichten

Legal Events

Date Code Title Description
OAR Request for search filed
OC Search report available
8141 Disposal/no request for examination