DE2361197C3 - Elektrolytkondensator mit einem selbsttragenden, ungesinterten Anodenkörper - Google Patents
Elektrolytkondensator mit einem selbsttragenden, ungesinterten AnodenkörperInfo
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- DE2361197C3 DE2361197C3 DE19732361197 DE2361197A DE2361197C3 DE 2361197 C3 DE2361197 C3 DE 2361197C3 DE 19732361197 DE19732361197 DE 19732361197 DE 2361197 A DE2361197 A DE 2361197A DE 2361197 C3 DE2361197 C3 DE 2361197C3
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 36
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 36
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 29
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims description 24
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L Barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 150000004812 organic fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L Calcium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N Chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L Magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N Molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N Vinyl fluoride Chemical group FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N al2o3 Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 15
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N Manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000468 manganese oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L manganese(II,III) oxide Inorganic materials [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 235000020127 ayran Nutrition 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 230000001603 reducing Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- DSSYKIVIOFKYAU-UHFFFAOYSA-N Camphor Chemical compound C1CC2(C)C(=O)CC1C2(C)C DSSYKIVIOFKYAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000846 Camphor Drugs 0.000 description 2
- 241000723346 Cinnamomum camphora Species 0.000 description 2
- 229910015800 MoS Inorganic materials 0.000 description 2
- DPXAUKPQZOAHGF-UHFFFAOYSA-G Potassium heptafluorotantalate Chemical compound [K+].[K+].F[Ta-2](F)(F)(F)(F)(F)F DPXAUKPQZOAHGF-UHFFFAOYSA-G 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N Tetrafluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229930007890 camphor Natural products 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 2
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N Ammonium dihydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].OP(O)([O-])=O LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N Zirconium(IV) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHUIAYDQMNHELC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].O=[Si]=O Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].O=[Si]=O HHUIAYDQMNHELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminum-titanium Chemical compound 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000037237 body shape Effects 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative Effects 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000010902 straw Substances 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052846 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Description
Die Erfindung betrifft einen Elektrolytkondensator mit einem selbsttragenden, ungesinterten Anodenkörper·,
der aus einem Ventilmetallpulver hergestellt ist, das eine durch anodische Oxidation gebildete dielektrische
Schicht sowie Poren besitzt, die mit einem leitenden Kaihodcnmaterial, wie Mangandioxyd, gefüllt sind.
Nach einer herkömmlichen Verfahrensweise wird ein Festkörpcr-Elektrolytkondensator mit geringem Volumen
und hohem CV-Wert (Produkt aus Kapazität und Spannung) wie folgt hergestellt: Man verpreßt ein
Vcntilmciallpulvcr aus Tantal, Aluminium, Columbium,
Titan od. dgl. zu einem dichten, ab^r porösen Körper, in
den ein leitender Draht eingebettet ist, der aus hochiempcraturfestem Material besteht. Hierbei bezeichnet
der Ausdruck »Vcntilmctallpulvcr« ein Pulver aus einem Metall, auf dem sich durch anodischc
Oxidation ein isolierender dielektrischer Überzug ausbilden läßt. Der Preßling wird sodann gesintert, der
Sinterkörper stellt die Anode dar. Die wirksame Oberflächengröße der Anode setzt sich im wesentlichen
aus den offcnlicgcndcn Oberflächenteilen der gesinterten Ventilmctallpulverteilchen zusammen, zwischen
denen sich die Poren des Sinterkörpers befinden. Sodann wird die Anode anodisch oxidiert, um auf ihrer
Oberfläche einen isolierenden dielektrischen Film (Oxidfilm) auszubilden, und man füllt die Poren mit
einem leitenden Material, wie Manganoxid, das als fester Elektrolyt dient. Der so behandelte Körper wird
dann mit einem weiteren leitenden Material, wie ss Kolloidkohlenstoffarbe oder Silberfarbe, überzogen.
Die beiden leitenden Substanzen, d. h. das Manganoxid und die Kohle/Silberfarbe, werden leitend miteinander
verbunden; sie dienen als Gegenelektrode, in der die Kohle mit dem Manganoxid in elektrisch leitender r>o
Verbindung steht.
Diese herkömmliche Technik hat jedoch den Nachteil, daß beim Sintern der Preßling schrumpft,
wobei die Porosität und die wirksame Oberflächengröße und damit die Kapazität des resultierenden (>s
Kondensators abnehmen. Weiterhin sind für das Sintern ein Hochvakuum und hohe Temperaturen erforderlich
(das Vakuum kann durch ein inertes Gas ersetzt werden); die erforderliche Temperatur beträgt allgemein
etwa 2000°C. Der herkömmliche Elektrolytkondensator und das Verfahren zu seiner Herstellung sind
daher teuer bzw. aufwendig und außerdem schwierig durchzuführen. Da das Sintern weiterhin das Volumen
nicht in konstantem Ausmaß reduziert, sind die Produktionsraten bei dem beschriebenen herkömmlichen
Verfahren niedrig.
Darüber hinaus wird gelegentlich vorgeschlagen, eine
ungesinterte, poröse Elektrode für einen Elektrolytkondensator zu verwenden. Jedoch konnte die Herstellung
einer porösen Elektrode durch Verpressen des pulverförmigen Ausgangsrnaterials ohne Sintern nicht gewerblich
genutzt werden, weil die mechanische Festigkeit der ungesinterten Elektrode gegenüber der
gesinterten Elektrode geringer ist, da ein durch Verdampfen bzw. Auswaschen entfernbares Gleitmittel
verwendet wurde.
Ein Elektrolytkondensator der eingangs genannten Art ist aus der US-PS 36 27 520 bekanntgeworden. Dem
Ventilmetallpulver des Elektrolytkondensators wird vor dem Preßvorgang des Anodenkörpers ein Gleitmittel
zugesetzt, nämlich Polyäthylenglykol.
Der kompakte Anodenkörper wird jedoch bei einer Temperatur von 1700... 19000C gesintert (im Vakuum).
Hierbei verdampft das Polyälhylenglykol und verbleibt nicht im Anodenkörper. Im resultierenden Anodenkörper
zurückgeblieben, würde es wie im Fall eines organischen Füllmittels die elektrischen Eigenschaften
desselben beeinträchtigen. Setzt man demgegenüber Polyäthylenglykol im ungesinterten Anodenkörper als
Gleitmittel ein, verbleibt es in dem kompakten Anodenkörper und ist störend, da es infolge seiner
wachsartigen Eigenschaften eine vollständige Formierung des Körpers an der Oberfläche verhindert und die
elektrischen Verluste des resultierenden Kondensators erhöht.
Aus der deutschen Offenlegungsschrift 22 18 186 ist ein Elektrolytkondensator mit einer Anode aus einem
Körper aus Ventilmetallpulver bekanntgeworden, der mit einem dielektrischen Überzug versehen ist. Dabei
besteht der dielektrische Überzug der Pulverteilchen aus einem Material, das nicht durch Anodisation des
darunter befindlichen Metalls erhalten wurde. Das Pulver wird durch einen hohen Druck verdichtet. Der
Überzug ist teilweise unterbrochen, so daß ein direkter Metall-zu-Metall-Kontakt zwischen einer genügenden
Zahl von Teilchen vorhanden ist und diese ein poröses metallisches Gerüst bilden. Auch findet sich dort kein
Hinweis auf die Verwendung von Gleitmitteln.
Ferner ist ein Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators bekanntgeworden, bei dem ein
selbsttragender Anodenkörper aus einem Schwammventilmetallpulver durch mechanische Mittel (Pressen]
gebildet wird, jedoch wird dort nichts über die Verwendung eines Gleitmittels ausgesagt. (Deutsche
Patentanmeldung R 3579VII lc/21 g vom 17. September
1953.)
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht demgegenüber darin, einen Elektrolytkondensator
mit einem ungesinterten Anodenkörper zu schaffen dessen mechanische Fertigkeit verbessert ist. Erfindungsgemäß
wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß der ungesinterte Anodenkörper wasserunlösliche Gleitmittelteilchen
enthält, die aus der aus Aluminiumoxyd Siliciumdioxyd, Magnesiumfluorid, Kalziumfluorid, Molybdänsulfid,
Bariumsulfat, Glas, Quarz und einer organischen Fluorverbindung bestehenden Gruppe
jcwählt sind und in einer Menge von 0,1 bis 5 Gew.-1Vo
ler Ventilmetallpulvermenge vorliegen.
Der Unteranspruch stellt eine bevorzugte Ausfüh-■ungsform
der Erfindung heraus. Durch die Verweniung eines besonderen Gleitmittels wird erreicht, daß
las Sintern und das Entfernen ües Gleitmittels überflüssig wird. Durch die Erfindung wird ferner
erreicht, daß die sich ergebenden Elektrolytkondensatoren wesentlich höhere Kapazitätswerte haben, als jene
mit einem gesinterten Anodenkörper. Weiterhin haben die Elektrolyikondensatoren nach der Erfindung den
Vorteil, daß es einfacher ist, Kondensatoren mit vorbestimmter Kapazität herzustellen als nach der
herkömmlichen Technik (Sintern). Schließlich ist die mechanische Festigkeit des Anodenkörpers erhöht.
Anhand der Zeichnungen werden bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung näher beschrieben.
Fig. 1 ist eine vereinfachte Schnittansicht eines Elektrolytkondensators nach der vorliegc.iden Erfindung,
F i g. 2 ist eine vergrößerte Schnittansicht eines Teils der Ansicht nach Fig. 1,
F i g. 3A ist eine weitere Vergrößerung eines Teils der F i g. 2 (Teilchen des Ventilnietallpulvers),
Fig. 313 ist eine vergrößerte Ansicht eines Teilchens
des Ventilmetallpulvers, das aus mehreren Teilchenelementen besteht,
Fig. 4 ist eine vergrößerte Schnittansicht eines Preßlings aus zusammengeballtem Ventilmetallpulver,
Fig. 5 ist ein Diagramm, das die mechanische Festigkeit eines Kondensators in verschiedenen Stadien
des Herstellungsverfahrens zeigt,
Fig.6 zeigt die relative Kapazitätsverteilung von
verschiedenen Kondensatoren, die unter verschiedenen Bedingungen hergestellt wurden,
Fig. 7 und 8 zeigen die relative Verteilung des tan d
und des Leckstromes der Kondensatoren, an denen die Messungen für die F i g. 6 durchgeführt wurden.
In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszahlen gleiche Teile.
Die Fig. 1 zeigt eine stark vereinfachte Schnittansicht eines Elektrolytkondensators nach der vorliegenden
Erfindung. Die Bezugszeichen 1 und 2 bezeichnen einen dichten Körper bzw. einen leitenden Draht; der
leitende Draht 2 ist in den dichten Körper eingebettet.
Die Fig. 2 zeigt den Aufbau eines Teils des Kondensators nach Fig. 1 in der Umgebung des Endes
des eingebetteten Teils des Drahtes 2. Dabei bezeichnet das Bezugszeichen 3 ein Ventilmetallpulverteilchen; die
Teilchen 3 sind untereinander und mit dem leitenden Draht 2 elektrisch verbunden. Das Bezugszeichen 4
bezeichnet einen isolierenden dielektrischen Film auf der offcnliegenden Oberfläche des Ventilmetallpulvers
3 und des leitenden Drahtes 2. Das Bezugszeichen 5 bezeichnet das leitende Material, das die Hohlräume
zwischen den Pulverteilchen 3, dem isolierenden dielektrischen Film 4 und dem eingebetteten Teil des
leitenden Drahtes 2 ausfüllt. Obgleich es erscheinen mag, daß der dielektrische isolierende Film 3 aus
voneinander getrennten Teilen zusammengesetzt ist, handelt es sich tatsächlich um eine durchgehende
Schicht. Das gleiche gilt für das leitende Material 5, das mechanisch wie elektrisch kontinuierlich vorliegt. Das
leitende Material 5 ist mit einem (nicht gezeigten) weiteren leitenden Materia! elektrisch verbunden. Der
leitende Draht 2 und das Ventilmetallpulver 3 bilden die Anode, das leitende Material 5 und das weitere leitende
Material die Gegenelektrode. Der Kondensator wird also aus der isolierenden dielektrischen Schicht und der
Anode sowie der Gegenelektrode gebildet, zwischen denen sie angeordnet ist.
Die Fig. 3A zeigt einen noch kleineren Ausschnitt.
s Das Bezugszeichen 6 bezeichnet ein Teilchenelement
des Ventilmetallpulvers 3. Ein Teilchen des Ventilmetallpulvers 3 setzt sich aus einer Vielzahl von Teilcheneiementen
6 zusammen, wie es die F i g. 3B zeigt. Die mittlere Teilchengröße ddes Schwammventilmetallpulvers
beträgt etwa 5 bis etwa 500 μ. Wegen der in der Fig. 3B (bzw. 3A) gezeigten Struktur wird hier der
Ausdruck »Schwammetall« verwendet. In einem Teilchen
des Schwammetallpulvers liegt eine Vielzahl von Teilchenelementen 6 vor, die auf komplizierte Weise
is miteinander verbunden sind, so daß aus dem Teilchen
eine Vielzahl von Vorsprüngen vorsteht. Vermutlich infolge dieser Vielzahl von Vorsprüngen lassen sich die
Teilchen des Schwammventilmetallpulvers unter Druck leicht so miteinander verschränken, daß sich eine hohe
mechanische Festigkeit ergibt. Ein solcher Aufbau kennzeichnet sich durch eine gegenseitige Verriegelung
der Teilchen aus; diese sind nicht miteinander verschweißt. Diese Art der gegenseitigen Verbindung
der Teilchen läßt sich mit der herkömmlichen Technik nicht erreichen, da die aneinandergrenzenden Teilchen
während des Sintervorgangs zum Teil miteinander verschweißen. Die Größen der Teilchenelemente 6 sind
nicht über einen breiten Bereich verteilt — demgegenüber liegt die Größe d der Teilchen 3 innerhalb eines
.10 Bereiches von beispielsweise 5 bis 500 μ.
Ein wirtschaftlicher Vorteil der vorliegenden Erfindung ist, daß sich ein leitender Draht verwenden läßt,
dessen Schmelzpunkt unterhalb dem hochtemperaiurfester Materialien liegt, da keine Sinterung staltfindet.
Beispielsweise lassen sich Aluminium und Aluminiumlegierungen einsetzen, desgleichen Tantal. Ein Beispiel für
eine derartige Aluminiumlegierung besieht aus Aluminium als Hauptelement und Zusätzen von Tantal, Silizium,
Zirkon,Titan, Columbium oder Molybdän.
Für das Schwammventilmetallpulver läßt sich beispielsweise Schwammtantal, -titan, -zirkon und -aluminium
verwenden. Ein Beispiel für die Herstellung von Schwamnuantal ist die Reduktion von Kaliumtantalfluorid
mit Natrium. Ein solches Reduktionsprodukt
■is besteht gewöhnlich aus Schwammteilchen, die jeweils
die in Fig. 3B (Bezugszeichen 3) gezeigte Form und eine Teilchengröße d von 5 bis 500 μΐη aufweisen. Es
werden vorzugsweise Schwammteilchen mit verschiedenen Größen d eingesetzt, um beispielsweise beim
fertigen Kondensator eine höhere mechanische Festigkeit zu erreichen. Das nicht verdichtete und lockere
Schwammetallpulver hat gewöhnlich eine Dichte von 2 bis 3 g/cm'.
Der isolierende dielektrische Überzug wird durch die bekannte anodische Oxidation auf der offenliegenden
Oberfläche des Ventilmetallpulvers 3 und des leitenden Drahtes 2 hergestellt. Werden für das Ventilmetallpulver
Tantal, Titan und Aluminium eingesetzt, besteht der isolierende dielektrische Film aus TaiO?, T1O2 bzw
do AI2O1.
Als leitendes Material 5 läßt sich beispielsweise Manganoxid, Bleioxid und Chromoxid verwenden.
Zur Herstellung eines Elektrolytkondensator nach
der vorliegenden Erfindung sind folgende Schritte
(iS durchzuführen:
Man stellt ein Schwammventilmetallpulver her unc verpreßt dieses unter geeignetem Druck zu einen
dichten Körper. Der vorzugsweise angewandte Drucl·
liegt dabei gewöhnlich zwischen 500 und 5000 kg/cm2, weil ein Druck von weniger als 500 kg/cm2 die
Festigkeit des resultierenden Preßlings zu gering macht und ein Druck von mehr als 5000 kg/cm- zu einem
Körper führt, der die erforderliche Porosität nicht mehr aufweist und fast porenlos ist. Bevor man das Pulver
verpreßt, legt man in das Pulver den leitenden Draht 2 ein. Der resultierende dichte Preßkörper weist dann
eine ausreichende Porosität sowie einen eingebetteten leitenden Draht auf. Der auf diese Weise hergestellte
dichte Preßkörper wird dann der anodischen Oxidierung unterworfen, um auf den offenliegenden Oberflächen
der miteinander verschränkten Ventilmetallteilchen und des eingebetteten Teils des leitenden Drahtes
eine isolierende dielektrische Schicht auszubilden.
Für die anodische Oxidierung läßt sich jedes verfügbare und geeignete Verfahren verwenden. Beispielsweise
kann man den dichten Preßkörper in ein Bad aus einer wäßrigen Lösung von H3PO4 mit einer der
Lösung gegenüber tragen Kathode eintauchen und zwischen den leitenden Draht und die Kathode eine
Formicrgleichspannung legen. In diesem Fall beträgt die
Konzentration der H3PO4 in der wäßrigen Lösung vorzugsweise 0.2 bis 1,2 Ccw.-% und die Temperatur
des Oxidierbades vorzugsweise 80 bis 95"C. Die Dicke des dielektrischen isolierenden Überzugs (Oxidfilm) auf
der Anode hängt, wie bekannt, von der Höhe der Formicrgleichspannung ab. Um also die Dicke zu
ändern, ändert man die Höhe der angelegten Spannung.
Sodann werden die Poren (Zwischenräume) im Preßkörper mit leitendem Material ausgefüllt. Natürlich
ist es sehr schwierig oder auch unmöglich, sie vollständig, d.h. zu IOO°/o, auszufüllen; vorzugsweise
füllt man sie so weit aus, wie es möglich ist. Handelt es
sich bei dem Füllmaterial um Mangandioxid, läßt sich der Füllschritl durchführen, indem man den Preßkörper
in eine Mangannitratlösung taucht und dann pyrolysiert. Die Pyrolyse wird vorzugsweise in einem Ofen
durchgeführt, der auf einer Temperatur von 200 bis 320"C gehalten wird. Es hat sich herausgestellt, daß sich
eine höhere mechanische Festigkeit erreichen läßt, wenn man die Poren des Preßkörpers so weit wie
möglich mit dem leitenden Material ausfüllt. Mit zunehmender Füllung nimmt auch die Kapazität des
resultierenden Kondensators zu. Ein vorzugsweise angewandtes Verfahren zum Füllen mit leitendem
Material ist, den Preßkörper nachzuformicren, indem man an ihn nach der Pyrolyse in einer Essigsäurclösung
eine Gleichspannung anlegt und die Schritte des Füllens (Eintauchen und Pyrolyse) und des Nachformicrens
mehrere Male wiederholt. Wiederholt man nur das Eintauchen und die Pyrolyse, kann der dielektrische
isolierende Film durch die Pyrolyse beschädigt werden. Durch die Nachformierung läßt sich ein möglicherweise
aufgetretener Schaden am isolierenden Überzug ausgleichen.
Die F i g. 4 zeigt eine vergrößerte Schnittansicht durch einen Preßkörper aus zusammengeballtem
Vcntilmciallpulvcr 7. Diese Figur wird zum Vergleich mit einem Schwammventilmetallpulvcr gezeigt. Das
zusammengeballte Ventilmetallpulvcr wird üblicherweise bei der herkömmlichen Herstellung von Elcktrolytkondensatorcn
verwendet. Setzt man ein zusammengeballtes Ventilmetallpulvcr ein, läßt sich ein Anodenprcßkörpcr
mit ausreichend hoher mechanischer Festigkeit und ausreichend hoher Porosität ohne Sintern nicht
erreichen. Die Sinterung ist als unbedingt erforderlich, wenn man ein zusammengeballtes Venlilmetallpulver
verwendet. Dies liegt vermutlich daran, daß eir Ventilmetallpulver aus zusammengeballten Klümpchen
wie es die Fig. 4 zeigt, keine so komplizierte Oberflächenstruktur aufweist wie ein Schwammventil·
s metallpulver und ein bloßes Verpresscn des Pulvers die
aneinandergrenzenden Teilchen nicht fest miteinander verbindet. Ohne das Sintern wird beim zusammengeballten
Pulver auch der elektrische Kontakt zwischen den aneinandcrgrenzendcn Zusammcnballungen
schiecht und ergibt eine Anode mit hohem elektrischem Widersland. Der Leckstrom des resultierenden Kondensators
wird unerwünscht hoch. Folglich war für die herkömmliche Technik, von der die vorliegende
Erfindung ausgeht, grundsätzlich erforderlich, der s Preßkörper zu sintern.
Beim Vorpressen eines Ventürnetallpulvers zu eincir
Preßkörper wird im allgemeinen eine Preßfonr eingesctzt. Das Vorpressen führt jedoch zuweilen dazu
daß die Oberfläche der Preßform und die Oberfläche des Preßlings stellenweise miteinander verschweißen
Es muß also eine Vielzahl von Preßformen eingesetzi werden. Um diese Nachteile zu umgehen, wird iir
allgemeinen ein Gleitmittel eingesetzt, das man dcir Ventilmetallpulvcr vor dem Vorpressen zumischt
2s Gleichzeitig wirkt dieses Gleitmittel als Bindemittel, dai
die Ausbildung der Körperform des Preßkörper1 fördert. Bei dem herkömmlichen Verfahren untei
Verwendung eines .Sinterschrittes ist die Zahl dci
einsetzbaren Gleitmittel beschränkt. Sie müssen in dci
yo Lage sein, beim Sintern zu sublimieren (hohe Tempera
tür) und beispielsweise unter einem Hochvakuum aiii
dem Preßkörper zu entweichen. Es werden verschiedene thermisch unstabile organische Substanzen wk
Kampfer, Paraffin und höhere Fettsäuren verwendet, di
.VS ansonsten karbonisierte Substanzen der Gleitmittel in
resultierenden Kondensator zurückbleiben, was unerwünscht ist.
Nach der vorliegenden Erfindung lassen sich die Gleitmittel nach vollständig anderen Gesichtspunkter
auswählen als bei dem herkömmlichen Verfahren, da die
Anodenkörper nicht gesintert werden. Nach dci vorliegenden Erfindung lassen sich anorganische Sub
stanzen einsetzen, die elektrisch isolierend, in Wassei
unlöslich und bei einer Temperatur von beispielsweise
4s 300"C stabil sind und dem resultierenden Kondensatoi
nicht schaden, wenn sie in ihm verbleiben. Bcispiclswci se lassen sich AI2Oj, SiO2, MgF2, CaF2, MoS2, BaSO4
Glas und Quarz einsetzen. Nach der vorliegender Erfindung lassen sich auch organische Substanzer
so verwenden, die elektrisch isolierend, in Wasser unlöslich
und bei einer Temperatur von beispielsweise 300"C. stabil sind und dem resultierenden Kondensator nich
schaden, wenn sie in ihm verbleiben. Beispielsweise lassen sich organische Fluorverbindungen, wie Fluor
ss älhylcnpolymerisate (beispielsweise Tetrafluoräthylen
polymerisat und Trifluorchlorälhylenpolymcrisat) ein setzen. Derartige organische Gleitmittel wurden siel
bei der herkömmlichen Technik nicht einsetzen lassen da sie während des Sintcrns karbonisieren und in l'orn
<«> von Kohle im fertigen Kondensator zurückbleiben. Dk
organischen und anorganischen Gleitmittel nach dci Erfindung verbleiben in den inneren Zwischenräumer
der Preßkörper und richten dort keinerlei Schaden an Vorzugsweise setzt man dem Ventilmetallpulver 0,1 bids 5 Gcw.-% der anorganischen oder organischer
Gleitmittel zu. Die untere Grenze bestimmt sich nach der Möglichkeit, das oben beschriebene Verschweißen
zu vermeiden, tue· obere Grenze einmal aus der
Änderung der mechanischen Festigkeit des fertigen Kondensators durch die verschiedenen zugesetzten
Gleitmittelmengen und andererseits aus den Kosten.
Zum Vergleich mit herkömmlichen Gleitmitteln: Kampfer — als Beispiel für die nach der herkömmlichen .s
Technik verwendeten Gleitmittel — läßt sich nach dem Verfahren nach der Erfindung nicht einsetzen, da er im
Kondensator verbleibt und dessen Eigenschaften unstabil macht.
Die vorliegende Erfindung wird nun anhand Vorzugsweise angewandter Ausführungsformen wie folgt
beschrieben:
IS
Es wurde Schwammtantalpulvcr durch Reduktion von Kaliumtantalfluorid mit Natrium mit einer Teilchengröße
d im Bereich von 5 bis 500 μηι hergestellt. Aus dem so hergestellten Tantalpulver wurden fünfzehn
verschiedene Proben gezogen, von denen eine (Probe Nr. 1) nur aus dem Pulver selbst, d. h. ohne Gleitmittel,
bestand. Den anderen (Proben Nr. 2 bis 15) waren entsprechend den Angaben der Tabelle 1 Gleitmittel
zugegeben worden. 100 mg jedes Probenpulvers wurden mi' einem Tantaldraht unter einem Druck von :s
1000 kg/cm2 zu einem zylindrischen Preßling von 2.3 mm Durchmesser und 3,2 mm Länge verpreßt; der
Tantaldraht war dabei teilweise in der Mitte des Zylinders eingebettet. Drei der so hergestellten
Preßkörper (Proben Nr. 13 bis 15) wurden unter ^u laufendem Wasser ausgewaschen, um das eingeschlossene
Gleitmittel zu entfernen, und dann getrocknet. Sodann wurde die anodisehc Oxidation wie folgt
durchgeführt. Jeder der fünfzehn Preßkörper (Proben Nr. 1 bis 15) wurde in ein Formierbad aus einer is
wäßrigen Lösung mit 1,0 Gcw.-% H3PO4 mit einer der
Lösung gegenüber trägen Kathode untergetaucht und eine Formierglcichspannung zwischen den Tantaldraht
jeder Probe und die Kathode gelegt; die Badtempcraiur wurde auf 90'1C gehalten. Auf diese Weise entstand ein
dielektrischer Film, der die offenlicgenden Oberflächen
Probe (!leitmittel
Nr.
H)
Il
12
ohne
AbOi
SiO-
MgF.-
CaF.'
MoS.'
Glaspulver
Q iiar/.piilvcr
Tetrafluorethylen- 1 polymerisat J
Trifluorchloräihylenpolynicrisat
(ielial
(Gew.%)
2,0
2.0
2,0
2,0
2,0
2.0
1,0
0.2
0.5
2,0
2,0
der Tantalpulverteilehen und des eingebetteten Teils des T'antaldrahtes überzog. Die derart anodisch
oxidierten Proben wurden mit Wasser gewaschen und getrocknet. Dann wurden die Proben in eine Mangannitratlösung
getaucht und in einem Ofen bei 250"C pyrolysiert. Auf diese Weise entstand auf dem
dielektrischen Film und der Oberfläche jeder Probe eine leitende Schicht von Mangandioxid, jede der Proben
wurde nun mit einer lgcw.-%igcn Lssigsäurclösung getränkt und durch Anlegen einer Gleichspannung
nachformiert. Diese Schritte (Tränken, Nachformicrcn, Untertauchen in die Mangannitratlösung und Pyrolyse)
wurden achtmal wiederholt. Danach wurde auf die Mangandioxidschicht ein Graphitbelag (kolloidale Kohle)
und auf diesen Silberfarbe aufgebracht. Die Graphitschicht und die Silberfarbe jeder Probe wurden
aufgebrannt, um die Gegenelektrode darzustellen. Schließlich wurde auf jede Probe ein Kathodenanschluß
aufgelötet. Hiermit waren die Proben Nr. 1 bis 15 fertig. Es hat sich herausgestellt, daß die poröse Anode, die
durch Verpresscn von Schwammtantalpulver hergestellt wird, sich durch die Formierbehandlung (dielektrischer
Film) und weiterhin ebenfalls durch das Einfüllen des Manganoxids verfestigen läßt. Dies ergibt sich aus
der F i g. 5, einem Diagramm, das die mechanische Festigkeit (aufgebrachtes Gewicht bis zum Zerdrücken
der Anode) zeigt, die an verschiedenen Punkten des Verfahrensfortganges an den Anoden (Preßkörpern)
gemessen wurde. Weiterhin wurde auch der tan ό dci
Preßkörper durch die mehrfache Wiederholung des Füllens mit Manganoxid besser.
Die Tabelle 1 zeigt die verschiedenen gemessener Eigenschaften der Proben 1 bis 12. Wie die Tabelle 1
ergibt, hat eine nach dem Verfahren der vorliegender Erfindung hergestellte Anode eine hohe Porosität, unc
der erzeugte dielektrische Film zeigt einen sehr hoher CV-Wert. Zum Vergleich wurde eine Probe nach den
herkömmlichen Verfahren mit Sintern bei 1800°( hergestellt. Diese Probe halte eine Porosität von 38°/c
einen CV-Wert von 6000 μF-V/g und einen Leckstron
von 0,002 μΑ/μΕ-V.
l-jpcnscliaftcn der anodisierten Anode
Porosität
Porosität
65 54 52 58 57 48 4b 42 52 56 b4 b2
CV | l.eekslmm |
(μ I- V/g) | (μΑ/μΙ ■ V |
9 300 | 0,0002 |
8 900 | 0,00005 |
9 200 | 0,00007 |
9 000 | 0,00007 |
11 000 | 0,00007 |
9 100 | 0,00008 |
8 900 | 0,0003 |
9 000 | 0,0002 |
9 200 | 0,00008 |
9 100 | 0.00008 |
9 500 | 0,0001 |
9 300 | 0,0001 |
E-, wurden auf die oben beschriebene und die dem
herkömmlichen Verfahren entsprechende Weise weite- (.-re,
den Nr. 5 und 9 entsprechende Proben hergestellt. Die Fig. 6, 7 und 8 zeigen die relative Verteilung der
Kapazität, des tan <Ί und des Leckstromes der so liLM-gcstelllen Proben (Kondensatoren). Um ein
Vergleich der Eigenschaften zu ermöglichen, wurd jeweils gleiche Mengen Tantal eingesetzt. Wie sich ;
ilen F i g. b, 7 und 8 ergibt, sind die Kondensatoren n<
der vorliegenden Erfindung nach dem tan <Ί und el·
709 641/3
10
Leckstrom mit den nach herkömmlichen Verfahren hergestellten vergleichbar; mit der vorliegenden Erfindung
ergeben sich jedoch weit höhere Kapu/.itätswcrte als beim herkömmlichen Verfahren.
IJ e i s ρ i c I 2
ILs wurden drei verschiedene Arten von Proben (Nr. 16 bis 18) auf die im Beispiel I angegebene Weise
hergestellt mit der Ausnahme, daß im Beispiel 2 Aluminium, eine Aluminium-Si!::·.!'.«"? Legierung ι
eine Aluminium-Titan-Legierung für den leitern Draht und für die anodische Oxidation eine lgcw.-%
wäßrige Lösung von NH4H2PO4 eingesetzt wurden,
dem Gleitmittel handelte es sich hierum Tetrafluorat lenpolymcrisat. Die Tabelle 2 zeigt die an den Prober
bis 18 durchgeführten Messungen. Wie crsichtl lassen sich bei Verwendung wirtschaftlicher Material
für den leitenden Draht zufriedenstellende lirgebni erzielen.
Tabelle 2 | Zulcitiingsdruht | 1'jgcnsL'haftcn der anodisieren Anode Porosität CV (%) (μ[· · V/g) |
Lc-ckstrom (μΛ/μΡ · V) |
Probe Nr. | Al Al-Si Al-Ti |
'32 9200 52 9200 ")2 9200 |
0,0005 0,0001 0,0007 |
16 17 18 |
Hierzu 5 Blatt Zeichnungen | ||
ψί S*§
Claims (2)
1. Elektrolytkondensator mit einem selbsttragenden, ungesinterten Aiiodenkörper, der aus einem f>
Ventilmetallpulver hergestellt ist, das eine durch anodische Oxidation gebildete dielektrische Schicht
sowie Poren besitzt, die mit einem leitenden Kathodenmaterial, wie .Mangandioxyd, gefüllt sind,
dadurch gekennzeichnet, daß der ungesin- ι ο
terte Anodenkörper wasserunlösliche Gleitmittelteilchen enthält, die aus der aus Aluminiumoxyd,
Siliciumdioxyd, Magnesiumfluorid, Kalziumfluorid, Molybdänsulfid, Bariumsulfat, Glas, Quarz und einer
organischen Fluorverbindung bestehenden Gruppe is gewählt sind und in einer Menge von 0,1 bis 5
Gew.-% der Ventilmetallpulvermenge vorliegen.
2. Elektrolytkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die organische Fluorverbindung
ein Fluoräthylenpolymerisat, wie Tetrafluoriithylcn-Polymerisat
und Trifluorchloräthylen-Polymerisat, ist.
Applications Claiming Priority (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP47122764A JPS4978873A (de) | 1972-12-06 | 1972-12-06 | |
JP12276472 | 1972-12-06 | ||
JP342873 | 1972-12-28 | ||
JP48003428A JPS4989152A (de) | 1972-12-28 | 1972-12-28 | |
JP886173 | 1973-01-20 | ||
JP48008860A JPS5237829B2 (de) | 1973-01-20 | 1973-01-20 | |
JP886273 | 1973-01-20 | ||
JP48008861A JPS5250380B2 (de) | 1973-01-20 | 1973-01-20 | |
JP886373 | 1973-01-20 | ||
JP48008863A JPS5250381B2 (de) | 1973-01-20 | 1973-01-20 | |
JP48008862A JPS5237831B2 (de) | 1973-01-20 | 1973-01-20 | |
JP886073 | 1973-01-20 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2361197A1 DE2361197A1 (de) | 1974-06-20 |
DE2361197B2 DE2361197B2 (de) | 1977-02-24 |
DE2361197C3 true DE2361197C3 (de) | 1977-10-13 |
Family
ID=
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