JPS60160606A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPS60160606A JPS60160606A JP1641484A JP1641484A JPS60160606A JP S60160606 A JPS60160606 A JP S60160606A JP 1641484 A JP1641484 A JP 1641484A JP 1641484 A JP1641484 A JP 1641484A JP S60160606 A JPS60160606 A JP S60160606A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体電解コンデンサの製造方法に関し、特に固
体電解コンデンサのグラファイトの形成方法に関するも
のである。
体電解コンデンサのグラファイトの形成方法に関するも
のである。
一般に固体電解コンデンサの素子は、弁作用を有する金
属粉末を加圧成型してなる成形体にあらかじめ弁作用を
有する金属線を陽極リードとして植立し、真空焼結して
陽極体の局面に陽極酸化によシ酸化皮膜層を形成し、こ
の酸化皮膜層の周面に対向電極として二酸化マンガンな
どの半導体層を形成する。さらに接触抵抗を減じるため
にグラファイト層を介在させて順次、銀ペースト層、は
んだ層を設けて陰極導電体層を形成し℃いる。
属粉末を加圧成型してなる成形体にあらかじめ弁作用を
有する金属線を陽極リードとして植立し、真空焼結して
陽極体の局面に陽極酸化によシ酸化皮膜層を形成し、こ
の酸化皮膜層の周面に対向電極として二酸化マンガンな
どの半導体層を形成する。さらに接触抵抗を減じるため
にグラファイト層を介在させて順次、銀ペースト層、は
んだ層を設けて陰極導電体層を形成し℃いる。
このように形成した素子は陰極導電体層下地のペースト
層上に直接はんだ層を設ける溶融はんだ槽中浸漬の熱に
より、下地の銀ペースト中に含有する有機バイｙダーの
分解が起り、鋼粒子がはんだ浴中に拡散する。いわゆる
銀喰小現象が生じ。
層上に直接はんだ層を設ける溶融はんだ槽中浸漬の熱に
より、下地の銀ペースト中に含有する有機バイｙダーの
分解が起り、鋼粒子がはんだ浴中に拡散する。いわゆる
銀喰小現象が生じ。
はんだ層の剥離や誘電体損失が増大するという欠点を有
していた。
していた。
従来この問題を解決する対策として銀喰小現象を生じる
銀ペースト層を介在させないで、グラファイト層形成後
に塩化第１錫水溶液、塩化パラジウム水溶液に順次浸漬
してグラファイト層の表面にパラジウムを付着させ表面
を活性化した後、銅。
銀ペースト層を介在させないで、グラファイト層形成後
に塩化第１錫水溶液、塩化パラジウム水溶液に順次浸漬
してグラファイト層の表面にパラジウムを付着させ表面
を活性化した後、銅。
ニッケル等のメッキ層を無電解メッキによ層形成する方
法が提案されている。しかしながら前述のメッキ層を形
成する方法には次の欠点がある。
法が提案されている。しかしながら前述のメッキ層を形
成する方法には次の欠点がある。
すなわち、グラファイト層を活性化するために使用する
塩化第１錫水溶液、塩化パラジウム水溶液のｐＨは３．
６以下で１強い酸性を示す。
塩化第１錫水溶液、塩化パラジウム水溶液のｐＨは３．
６以下で１強い酸性を示す。
この酸性水溶液にグラファイト層形成後の素子を浸漬し
た場合、このグラファイイ層の隙間、あるいはグラファ
イイ層が形成されない陽極リードの周辺部は半導体層の
二酸化マンガンが露出しているため、この酸性水溶液に
よって二酸化マンガンが溶解して著るしい誘電体損失の
正接（ｔａｎδ）増大の原因となっていた。またこの従
来方法で形成されたメッキ層は１グラフアイトペースト
上に単に物理吸着したパラジウムを介在して接着してい
るので容易に剥離する欠点を有していた。この欠点のた
め未だ無電解メッキによりメッキ層を形成した固体電解
コンデンサが実現しなかった理由である。
た場合、このグラファイイ層の隙間、あるいはグラファ
イイ層が形成されない陽極リードの周辺部は半導体層の
二酸化マンガンが露出しているため、この酸性水溶液に
よって二酸化マンガンが溶解して著るしい誘電体損失の
正接（ｔａｎδ）増大の原因となっていた。またこの従
来方法で形成されたメッキ層は１グラフアイトペースト
上に単に物理吸着したパラジウムを介在して接着してい
るので容易に剥離する欠点を有していた。この欠点のた
め未だ無電解メッキによりメッキ層を形成した固体電解
コンデンサが実現しなかった理由である。
本発明の目的はかかる従来欠点を除去した固体電解コン
デンサの製造方法を提供することにある。
デンサの製造方法を提供することにある。
本発明によれば、導出する陽極リードを有する弁作用金
属からなる陽極体に順次、酸化皮膜層。
属からなる陽極体に順次、酸化皮膜層。
半導体層、グラファイト層、メッキ層、はんだ層を形成
してなる固体電解コンデンサの製造方法において、上記
グラファイト層を樹脂とグラファイト粉末、水または有
機溶剤とからなるグラファイトペーストにパラジウム粉
末を混合した混合物を被着乾燥して形成させることを特
徴とする固体電解コンデンサの製造方法が得られる。
してなる固体電解コンデンサの製造方法において、上記
グラファイト層を樹脂とグラファイト粉末、水または有
機溶剤とからなるグラファイトペーストにパラジウム粉
末を混合した混合物を被着乾燥して形成させることを特
徴とする固体電解コンデンサの製造方法が得られる。
以下１本発明の実施例を従来品と比較して固体タンタル
電解コンデンサについて図面を参照して説明する。
電解コンデンサについて図面を参照して説明する。
第１図（２）は第１の従来例の銀ペーストを使用した非
外装型固体電解コンデンサであシ、第１図（１１は第２
の従来例の）、生方法によるものでアシ。
外装型固体電解コンデンサであシ、第１図（１１は第２
の従来例の）、生方法によるものでアシ。
第２図は本発明の一実施例である。銀ペーストを使用し
た第１の従来例の試料として、タンタル粉末を加圧成型
し、高温で真空焼結した陽極体１にタンタルリード１ａ
を植立させた後、リン酸水溶液中で化成電圧１００Ｖを
印加して陽極酸化し。
た第１の従来例の試料として、タンタル粉末を加圧成型
し、高温で真空焼結した陽極体１にタンタルリード１ａ
を植立させた後、リン酸水溶液中で化成電圧１００Ｖを
印加して陽極酸化し。
タンタルの酸化皮膜（図示省略）２を形成した。
次に硝酸マンガン溶液中に浸漬して硝酸マンガンを付着
させた後、温度２５０℃〜３００℃の恒温槽中で熱分解
して二酸化マンガン層（図示省略）３を形成した。この
浸漬および熱分解工程は数回繰シ返し行なう。次に水溶
性高分子材の水溶液に黒鉛粉末を懸濁させたグラファイ
ト液中に二酸化マンガン層３を形成した陽極体を浸漬し
、温度−１５０°Ｃ〜２００℃の恒温槽中で乾燥しグラ
ファイト層４を形成した。さらにグラファイト層４上に
銀ペーストを塗布した後、乾燥させて銀ペースト層６を
形成して素子を得た。次にこの素子をはんだ浴中に浸漬
しはんだ層７を形成した後、タンタルリード１ａの付は
根部から約１朋の箇所に外部端子となるはんだ付は可能
な板状リード８をタンタルリード１ａに溶接し、非外装
型チップタンタルコンデンサを製造した。
させた後、温度２５０℃〜３００℃の恒温槽中で熱分解
して二酸化マンガン層（図示省略）３を形成した。この
浸漬および熱分解工程は数回繰シ返し行なう。次に水溶
性高分子材の水溶液に黒鉛粉末を懸濁させたグラファイ
ト液中に二酸化マンガン層３を形成した陽極体を浸漬し
、温度−１５０°Ｃ〜２００℃の恒温槽中で乾燥しグラ
ファイト層４を形成した。さらにグラファイト層４上に
銀ペーストを塗布した後、乾燥させて銀ペースト層６を
形成して素子を得た。次にこの素子をはんだ浴中に浸漬
しはんだ層７を形成した後、タンタルリード１ａの付は
根部から約１朋の箇所に外部端子となるはんだ付は可能
な板状リード８をタンタルリード１ａに溶接し、非外装
型チップタンタルコンデンサを製造した。
次に第２の従来例のメッキ方法による試料として、銀ペ
ーストを使用した第１の従来例品と同一材料を用い、同
一工程を経てグラファイト層４まで形成する。しかる後
２．５９／ｌの塩化第１錫水溶液に５分間浸漬する。引
き続いて０．１ ｇ／１１の塩化パラジウム水溶液に浸
漬する。浸漬後、素子を十分水洗して無電解メッキを行
った。
ーストを使用した第１の従来例品と同一材料を用い、同
一工程を経てグラファイト層４まで形成する。しかる後
２．５９／ｌの塩化第１錫水溶液に５分間浸漬する。引
き続いて０．１ ｇ／１１の塩化パラジウム水溶液に浸
漬する。浸漬後、素子を十分水洗して無電解メッキを行
った。
メッキ液には、ジノチルアミノボランを還元剤とする無
電解ニッケルメッキ液（室温でＰＨ＝６．７）を使用し
、温度６５℃で数十分間メッキを行い、約６ミクロンの
無電解ニッケルのメッキ層５を形成した。
電解ニッケルメッキ液（室温でＰＨ＝６．７）を使用し
、温度６５℃で数十分間メッキを行い、約６ミクロンの
無電解ニッケルのメッキ層５を形成した。
メッキ終了後の素子を十分、に水洗した後、温度１２０
℃の恒温槽中に放置し水分を蒸発させ、溶融はんだ槽（
図示省略）に素子を浸漬してはんだ層７を形成した。
℃の恒温槽中に放置し水分を蒸発させ、溶融はんだ槽（
図示省略）に素子を浸漬してはんだ層７を形成した。
次にはんだ付は可能な板状リード８をタンタルリード１
ｂに溶接し、非外装型チップタンタルコンデンサを製造
した。
ｂに溶接し、非外装型チップタンタルコンデンサを製造
した。
次に本発明の実施例として第２図の如く上記二つの従来
例と同一の材料を用い、同一の工程を経て二酸化マンガ
ン層３まで形成した素子を粒径１０ミクロン以下のパラ
ジウム粉末を混合したグラファイトペースト中に浸漬し
た後、温度１５０℃〜１８０℃の恒温槽にて乾燥しグラ
ファイト層１４を形成した。
例と同一の材料を用い、同一の工程を経て二酸化マンガ
ン層３まで形成した素子を粒径１０ミクロン以下のパラ
ジウム粉末を混合したグラファイトペースト中に浸漬し
た後、温度１５０℃〜１８０℃の恒温槽にて乾燥しグラ
ファイト層１４を形成した。
上記グラファイトペーストはそれぞれ重量比でパラジウ
ム粉末３チ、グラファイト粉末１５チ。
ム粉末３チ、グラファイト粉末１５チ。
エポキシ樹脂４０チ、無機添加剤４２チを混合し、有機
溶剤で希釈したものを使用した。しかる後該素子を５チ
アンモニア水溶液中に１分間浸漬し。
溶剤で希釈したものを使用した。しかる後該素子を５チ
アンモニア水溶液中に１分間浸漬し。
パラジウム表面に水素を吸蔵させ表面を活懺化した後、
十分に水洗し無電解メッキを行った。無電解メッキ液種
％ メッキ条件は従来メッキ方法と同一とし、数十分間
メッキを行い約６ミクロンの無電解ニッケルのメッキ層
１５を形成した。
十分に水洗し無電解メッキを行った。無電解メッキ液種
％ メッキ条件は従来メッキ方法と同一とし、数十分間
メッキを行い約６ミクロンの無電解ニッケルのメッキ層
１５を形成した。
メッキ終了後の素子を十分に水洗した後１２０℃の恒温
槽中に放置し、水分を蒸発させ溶融はんだ槽に素子を浸
漬しはんだ層１７を形成した。
槽中に放置し、水分を蒸発させ溶融はんだ槽に素子を浸
漬しはんだ層１７を形成した。
次に従来例と同様にはんだ付は可能な板状り−ド１８を
タンクルリード１ａに溶接し、非外装型チップタンタル
コンデンサを製造した。
タンクルリード１ａに溶接し、非外装型チップタンタル
コンデンサを製造した。
以上述べた二つの従来例と本発明実施例の非外装型チッ
プタンタルコンデンサの中から任意に１５０個づつ抜取
シはんだ耐熱試験を行った。
プタンタルコンデンサの中から任意に１５０個づつ抜取
シはんだ耐熱試験を行った。
第３図囚、（坊および第４図はそれぞれのコンデンサを
２３０℃、２５０℃、２７０℃の各温度で１０秒間、溶
融はんだ槽内に浸漬した後、周波数１２０Ｈｚで測定し
たｔａｎδを示す。
２３０℃、２５０℃、２７０℃の各温度で１０秒間、溶
融はんだ槽内に浸漬した後、周波数１２０Ｈｚで測定し
たｔａｎδを示す。
塩化第１錫、塩化パラジウム水溶液に浸漬して二、ケル
メッキを行った第２の従来例のコンデンサのｔａｎδは
著るしく大きく、測定不能であった（第３図（均）。一
方、銀ペーストを使用した第１の従来例のコンデンサは
、温度２３０℃１０秒間の浸漬後すでＶＣ１ａｒＩδが
増大（第３図（Ａ））しているのに対し１本発明実施例
のコンデンサは第４図に示す如く、温度２７０℃１０秒
間の浸漬後でも顕著なｔａｎδの増大は認められなかっ
た。また第１の従来例のコンデンサでは、温度２３０℃
、１０秒間の浸漬後、素子の稜線部からはんだ層の剥離
が発生し、温度２５０°Ｃ１１０秒間の浸漬後では。
メッキを行った第２の従来例のコンデンサのｔａｎδは
著るしく大きく、測定不能であった（第３図（均）。一
方、銀ペーストを使用した第１の従来例のコンデンサは
、温度２３０℃１０秒間の浸漬後すでＶＣ１ａｒＩδが
増大（第３図（Ａ））しているのに対し１本発明実施例
のコンデンサは第４図に示す如く、温度２７０℃１０秒
間の浸漬後でも顕著なｔａｎδの増大は認められなかっ
た。また第１の従来例のコンデンサでは、温度２３０℃
、１０秒間の浸漬後、素子の稜線部からはんだ層の剥離
が発生し、温度２５０°Ｃ１１０秒間の浸漬後では。
はんだ層の剥離に加えて銀喰われ現象が発生し。
二酸化マンガン層の凹凸が判るくらいはんだ層が薄くな
った。
った。
さらに温度２７０°Ｃ２１０秒間の浸漬後では。
銀層がほとんど喰われ、はんだ層が素子の表面に１１と
んど付着されなかった。
んど付着されなかった。
一方１本発明実施例のコンデンサは、温度２７０℃、１
０秒間の浸漬後でもはんだ層の剥離や銀喰われ現象は全
く見られなかった。
０秒間の浸漬後でもはんだ層の剥離や銀喰われ現象は全
く見られなかった。
以上述べた如く、本発明のパラジウム粉末を添加したグ
ラファイト層上に無電解メッキを行ｐた素子は。
ラファイト層上に無電解メッキを行ｐた素子は。
（４）塩化第１錫水溶液、塩化パラジウム水溶液等の強
酸性水溶液中に浸漬することなく、グラファイトペース
ト上にパラジウム粒子を付着できるので、強酸による二
酸化マンガンの溶解、残留塩素による誘電体皮膜の損傷
等の悪影響を除去でき、安定した電気特性を得ることが
できる。
酸性水溶液中に浸漬することなく、グラファイトペース
ト上にパラジウム粒子を付着できるので、強酸による二
酸化マンガンの溶解、残留塩素による誘電体皮膜の損傷
等の悪影響を除去でき、安定した電気特性を得ることが
できる。
（１） 塩化パラジウム水溶液に浸漬してグラフティト
ペースト上にパラジウムを物理吸着させる従来方法に較
べ、ペースト中の有機バインダーでパラジウムを固定で
きるので、無電解メッキ皮膜とグラファイトペーストと
の接着力がはるかに強くなる。
ペースト上にパラジウムを物理吸着させる従来方法に較
べ、ペースト中の有機バインダーでパラジウムを固定で
きるので、無電解メッキ皮膜とグラファイトペーストと
の接着力がはるかに強くなる。
（１） 銀ペースト層を介在させないで、はんだ層を形
成しているので、はんだ層の剥離、銀喰われ、はんだ浴
浸漬時のｔａｎδの劣化、湿気雰囲気中での銀のマイグ
レーションによる素子の破壊等が解消でき、耐熱、耐湿
性の優れた同体電解コンデンサを得ることができる。
成しているので、はんだ層の剥離、銀喰われ、はんだ浴
浸漬時のｔａｎδの劣化、湿気雰囲気中での銀のマイグ
レーションによる素子の破壊等が解消でき、耐熱、耐湿
性の優れた同体電解コンデンサを得ることができる。
なお陽極体はタンタルに限らずニオブ、アルミニウム等
の金属を用いてもよいことは勿論である。
の金属を用いてもよいことは勿論である。
第１図囚、 （Ｅｌは従来の非外装型チップタンタルコ
ンデンサの断面図。第２図は本発明例の非外装型チップ
タンタルコンデンサの断面図。第３園内。 （１３）は従来の非外装型チップタンタルコンデンサの
ｔａｎδのはんだ耐熱特性を示す図。第４図は本発明例
の非外装型チップタンタルコンデンサのはんだ耐熱特性
を示す図。 １・・・・・・−框体、Ｉａ・・・・・・タンタルリー
ド、２・・・・・・陽極酸化皮膜（図示省略）、３・・
・・・・二酸化マンガン層（図示省略）、４・・・・・
・グラファイトＩｎ、１４・・・・・・（パラジウム入
シ）グラファイト層、５．１５・・・・・・メッキ層、
６・・・・・・銀ベース）層、７． １７・・・・・・
はんだ層、８，１８・・・・・・板状リード。 ｔＢ） ％“Ｚ図 箔３図 仮 兜４図 １１１枦不叡
ンデンサの断面図。第２図は本発明例の非外装型チップ
タンタルコンデンサの断面図。第３園内。 （１３）は従来の非外装型チップタンタルコンデンサの
ｔａｎδのはんだ耐熱特性を示す図。第４図は本発明例
の非外装型チップタンタルコンデンサのはんだ耐熱特性
を示す図。 １・・・・・・−框体、Ｉａ・・・・・・タンタルリー
ド、２・・・・・・陽極酸化皮膜（図示省略）、３・・
・・・・二酸化マンガン層（図示省略）、４・・・・・
・グラファイトＩｎ、１４・・・・・・（パラジウム入
シ）グラファイト層、５．１５・・・・・・メッキ層、
６・・・・・・銀ベース）層、７． １７・・・・・・
はんだ層、８，１８・・・・・・板状リード。 ｔＢ） ％“Ｚ図 箔３図 仮 兜４図 １１１枦不叡
Claims (3)
- （１）導出する陽極リードを有する弁作用金属からなる
陽極体に順次、酸化皮膜層、半導体層、グラファイト層
、メッキ層、はんだ層を形成する工程からなる固体電解
コンデンサの製造方法において、前記グラファイト層を
樹脂とグラファイト粉末、水または有機溶剤とからなる
グラファイトペーストにパラジウム粉末を混合した混合
物を被差し、乾燥して形成させることを特徴とする固体
電解コンデンサの製造方法。 - （２）前記パラジウム粉末の粒径を１０ミクロン川下と
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の固体
電解コンデンサの製造方法。 - （３）前記パラジウム含有量が重量比で０．５％〜５チ
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の固
体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1641484A JPS60160606A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1641484A JPS60160606A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60160606A true JPS60160606A (ja) | 1985-08-22 |
| JPH0211009B2 JPH0211009B2 (ja) | 1990-03-12 |
Family
ID=11915575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1641484A Granted JPS60160606A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60160606A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6798311B2 (en) | 1999-11-30 | 2004-09-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit device with a solenoid-shaped inductor generating perpendicular flux |
-
1984
- 1984-01-31 JP JP1641484A patent/JPS60160606A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6798311B2 (en) | 1999-11-30 | 2004-09-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit device with a solenoid-shaped inductor generating perpendicular flux |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0211009B2 (ja) | 1990-03-12 |
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