JPS6032340B2 - 磁器コンデンサの製造方法 - Google Patents

磁器コンデンサの製造方法

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JPS6032340B2
JPS6032340B2 JP52082709A JP8270977A JPS6032340B2 JP S6032340 B2 JPS6032340 B2 JP S6032340B2 JP 52082709 A JP52082709 A JP 52082709A JP 8270977 A JP8270977 A JP 8270977A JP S6032340 B2 JPS6032340 B2 JP S6032340B2
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JP
Japan
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insulating layer
plating
layer
activation treatment
treatment
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Expired
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JP52082709A
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JPS5418061A (en
Inventor
幸作 半田
芳照 石川
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Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
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Publication date
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  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁器コンデンサの製造方法に関し、更に詳細に
は、磁器コンデンサの電極を能率的に形成する方法に関
する。
磁器コンデンサの電極を公知の銀焼付法で形成すれば、
電気的特性及び半田付性の優れた電極を得ることが出釆
る反面、量産的に製作し難いこと及び銀が高価であるこ
と等から、完成した磁器コンデンサがコスト高になるこ
とが免れない。
この欠点を解決するために、無電解〆ッキでコンデンサ
電極を形成する方法が提案されている。しかし、無電解
〆ッキによって電極を形成する場合であっても、分離さ
れた一方のコンデンサ電極と他方のコンデンサ電極とを
設けるために研摩工程が必要になる。上記の研摩による
電極分離は作業性が悪いので、電極分離領域に予め合成
樹脂等の絶縁塗料を塗布し、次に活性化処理を施し、し
かる後、メッキ処理を施すことが行われていた。しかし
、絶縁塗料であってもメッキ金属が析出されることが多
く、電極分離領域に設けたマスキング用絶縁層をそのま
ま残すと絶縁不良が生じた。このため、不良になった製
品についてはマスキング用絶縁層を除去する工程が必要
となり、作業性が必ずしも向上しなかった。そこで、本
発明の目的は、マスキング用絶縁層を除去しなくとも差
支えない磁器コンデンサの製造方法を提供することにあ
る。
上記目的を達成するための本発明は、磁器素体に対して
無電鱗ニッケルメッキのための活性化処理を施す工程と
、前記活性化処理を施した後に、前記磁器素体の電極を
形成しない領域に絶縁層を設ける工程に、前記絶縁層を
設けた後に、無電解ニッケルメッキ処理を施して前記磁
器素体の電極形成領域にニッケル層を形成する工程とを
含むことを特徴とする磁器コンデンサの製造方法に係わ
るものである。
上記本発明によれば、無電解〆ッキの活性化処理を行っ
た後に、マスキング用絶縁層を設け、しかる後無電解〆
ッキを行っているので、マスキング用絶縁層が活性剤等
にて処理されず、マスキング用絶縁層を設けた状態で磁
器秦体をメッキ液に浸潰しても、マスキング用絶縁層に
設けるメッキ金属の析出が無視出来る程度となり、マス
キング用絶縁層を除去せずに残して防湿用及び半田流れ
止め用絶縁層として使用することが可能になる。
またメッキの活性化処理がマスキング用絶縁層が設けら
れていない状態で行われるので、マスキング用絶縁層が
活性化処理に悪影響を及ぼすことがなくなる。以下、図
面を参照して本発明の1実施例に付いて述べる。
まず、第1図Aに示す例えばチタン酸バリウム系誘電体
で形成された円盤状磁器素体1を用意する。
次に、第1図Aに示す磁器素体1を中性洗剤、有機溶剤
、無機酸(硝酸、弗酸)等で洗浄し、素体の汚れを落す
上記の洗浄工程が終了したら、塩化第1スズ(SnC1
2)を含むセンシタィザ(増感剤)にて室温で3〜5分
間処理する。
次に、水にて洗浄し、しかる後、塩化パラジウム(Pd
C12)を1その水溶液中に0.07〜0.4グラムの
割合で含むアクチベータ(活性剤)にて40〜60℃、
3〜5分間の活性化処理を行う。
次に、水にて洗浄し、しかる後80〜600q0の温度
で5〜60分間熱処理を施す。これにより、磁器素体1
が乾燥すると共に磁器秦体1にパラジウム膜が密着する
。次に、第1図Bに示す如く磁器秦体1の非電極形成領
域となる外周面2に耐湿性が良好であると共に密着強度
の大きい例えばェポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂又は
光硬化性樹脂等の絶縁層3を設ける。
この絶縁層3は耐湿性、電気絶縁性及び耐薬品性があれ
ばどのような物質で形成してもよい。次に、次亜IJン
酸ソーダ(NaH2P02)と硫酸ニッケル(NiS0
4)とを含む無電解〆ッキ液に磁器秦体1を浸潰させ、
2山肌以上の膜厚のニッケル層4を第1図Cに示す如く
形成する。
この無電解〆ッキは次式のような化学変化でなされる。
Na比P02十日20→NaH2P03十日2NaH2
P03十NiS04→Ni十日2S04十NaP03 尚このとき活性化処理工程で被着されているパラジウム
は触媒として作用し、還元作用によりニッケルメッキを
生成する。
第1図Cに示すニッケル層4が形成されたならば、熱処
理を施すためにメッキされた磁器素体1を炉に入れて、
200〜400oCの温度で5〜60分間の熱処理を施
す。
この熱処理は大気中又は中性雰囲気(アルゴン又は炭酸
ガス)中で行う。次に、電気メッキ又は無電解〆ッキ法
にて第1図Dに示す如くニッケル層4上に半田メッキ層
5を形成し、第1のコンデンサ電極6及び第2のコンデ
ンサ電極7とする。
しかる後電極6,7に端子部材(図示せず)を半田等で
結合し、素子を完成させる。上記方法によって磁器コン
デンサを製作すれば、増感剤及び活性剤等によるメッキ
の活性化処理をした後に、マスキング用絶縁層3を設け
るので、マスキング用絶縁層3の表面が増感剤及び活性
剤にて活性化されることなく、マスキング用絶縁層3を
有して無電解ニッケルメッキ液に秦体1を浸潰してもマ
スキング用絶縁層3の表面にニッケルが殆んど付着せず
、マスキング用絶縁層3を防湿用及び半田流れ防止用等
としてそのまま使用することが可能になる。
また本実施例では、活性剤による処理をした後に、80
〜600℃の熱処理を施してパラジウムの磁器秦体1に
対する密着強度を上げているので、マスキング用絶縁層
3によってパラジウム膜が影響を受けないばかりでなく
、ニッケル層4の素体1への密着力が大きくなる。
以上本発明の1実施例に付いて述べたが、本発明は上述
の実施例に限定されるものではなく、更に変形可能なも
のである。
例えば、第2図に示す如く円筒状磁器素体1に対してメ
ッキの活性化処理を施し、非電極形成面2aに絶縁層3
を設け、しかる後無電解〆ッキによるニッケル層4及び
半田メッキ層5を形成し、内側の第1のコンデンサ電極
6と外側の第2のコンデンサ電極7とするものにも適用
可能である。また半田メッキ層5の代りに半田付性の良
い銀層等を設けてもよい。
また無電解〆ッキ法によるニッケル層4の上に電気メッ
キ法で更にニッケル層を設け、その上に半田又は銀等の
半田付性の良し、金属層を設けてもよい。またメッキ用
の活性化処理で形成されるパラジウム膜が絶縁層3と素
体1との間に残存することが好ましくない場合には、メ
ッキ用の活性化処理後に、素体1の外周面2又は非電極
形成面2aを少し研摩してから絶縁層3を設けるか、メ
ッキ用の活性化処理前に剥離容易な膜を外周面2又は非
電極形成面2aに設け、メッキ用の活性化処理後にこの
膜を剥離し、しかる後、最後まで残す耐湿性の絶縁層3
を設けてもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の1実施例に係わる磁器コンデンサを工
程順に示す断面図、第2図は変形例を示す断面図である
。 尚図面に用いられている符号に於いて、1は磁器素体、
2は外周面、3は絶縁層、4はニッケル層、5は半田メ
ッキ層、6は第1のコンデンサ電極、7は第2のコンデ
ンサ電極である。 第1図 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 磁器素体に対して無電解ニツケルメツキのための活
    性化処理を施す工程と、前記活性化処理を施した後に、
    前記磁器素体の電極を形成しない領域に絶縁層を設ける
    工程と、前記絶縁層を設けた後に、無電解ニツケルメツ
    キ処理を施して前記磁器素体の電極形成領域にニツケル
    層を形成する工程とを含むことを特徴とする磁器コンデ
    ンサの製造方法。 2 前記活性化処理を施す工程は、前記磁器素体を塩化
    第1スズ(SnCl_2)を含む増感剤に浸漬して引き
    上げ、水で洗浄し、塩化パラジウム(PdCl_2)を
    1lの水に0.07〜0.4グラムの割合で含む活性剤
    に浸漬して引き上げ、水で洗浄し、80〜600℃の温
    度による5〜60分間の熱処理を施すことを含むもので
    ある特許請求の範囲第1項記載の磁器コンデンサの製造
    方法。
JP52082709A 1977-07-11 1977-07-11 磁器コンデンサの製造方法 Expired JPS6032340B2 (ja)

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JPS5418061A JPS5418061A (en) 1979-02-09
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ID=13781923

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63317325A (ja) * 1987-06-19 1988-12-26 Sekisui Seikei Kogyo Kk 曇り防止シ−ト及び曇り防止方法
US9240405B2 (en) 2011-04-19 2016-01-19 Macronix International Co., Ltd. Memory with off-chip controller

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5548918A (en) * 1978-10-03 1980-04-08 Nichicon Capacitor Ltd Method of forming electrode of cylindrical porcelain condenser
JPS5713729A (en) * 1980-06-30 1982-01-23 Nichicon Capacitor Ltd Method of forming electrode for grain boundary insulated semiconductor capacitor
JPH0337141U (ja) * 1989-08-24 1991-04-10

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50157875A (ja) * 1974-06-11 1975-12-20

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