JP2626028B2 - 半導体セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
半導体セラミック電子部品の製造方法Info
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- JP2626028B2 JP2626028B2 JP1041337A JP4133789A JP2626028B2 JP 2626028 B2 JP2626028 B2 JP 2626028B2 JP 1041337 A JP1041337 A JP 1041337A JP 4133789 A JP4133789 A JP 4133789A JP 2626028 B2 JP2626028 B2 JP 2626028B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、正特性サーミスタ，負特性サーミスタ等の
ような半導体セラミック電子部品の製造方法に関するも
のである。
ような半導体セラミック電子部品の製造方法に関するも
のである。
（従来技術） 従来の半導体セラミック電子部品には、第３図に示す
ようなものがある。この半導体セラミック電子部品１
は、例えば正特性サーミスタであり、半導体セラミック
電子部品１の半導体セラミック素体２の両端部には、そ
れぞれ２層構造となった外部電極3,4が形成されてい
る。この２層構造の外部電極3,4の第１外部電極層は、
無電解メッキによって形成されたニッケル，コバルト，
鉄のうちいずれか１種あるいは２種以上の材料からなる
オーミック性の無電解メッキ層5,6である。そして、こ
の無電解メッキ層5,6は、半導体セラミック電子部品の
電気的特性を安定化するために無電解メッキ後、250℃
〜400℃の酸化雰囲気中で10分〜60分熱処理を行う。ま
た、外部電極3,4の第２外部電極層は、銀を主成分とす
るペーストを塗布した後、焼き付けることによって形成
される銀厚膜層7,8である。
ようなものがある。この半導体セラミック電子部品１
は、例えば正特性サーミスタであり、半導体セラミック
電子部品１の半導体セラミック素体２の両端部には、そ
れぞれ２層構造となった外部電極3,4が形成されてい
る。この２層構造の外部電極3,4の第１外部電極層は、
無電解メッキによって形成されたニッケル，コバルト，
鉄のうちいずれか１種あるいは２種以上の材料からなる
オーミック性の無電解メッキ層5,6である。そして、こ
の無電解メッキ層5,6は、半導体セラミック電子部品の
電気的特性を安定化するために無電解メッキ後、250℃
〜400℃の酸化雰囲気中で10分〜60分熱処理を行う。ま
た、外部電極3,4の第２外部電極層は、銀を主成分とす
るペーストを塗布した後、焼き付けることによって形成
される銀厚膜層7,8である。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上述した半導体セラミック電子部品で
は、外部電極3,4の表面が銀厚膜層であるため、銀の半
田くわれやマイグレーションが起こることがあり、半田
漏れ性も悪かった。
は、外部電極3,4の表面が銀厚膜層であるため、銀の半
田くわれやマイグレーションが起こることがあり、半田
漏れ性も悪かった。
このような問題点を解決するために、チップコンデン
サ，チップ抵抗器で実用化されている電気メッキ法によ
り、銀厚膜層上にさらに電気メッキ層を形成することが
案出されている。
サ，チップ抵抗器で実用化されている電気メッキ法によ
り、銀厚膜層上にさらに電気メッキ層を形成することが
案出されている。
しかし、半導体セラミック電子部品に電気メッキを行
うと、第４図に示すように、部品全面に電気メッキ層９
が形成されてしまい、外部電極３および４を短絡させて
しまった。また、短絡した外部電極３および４を分離す
るために、エッチング等の方法で電気メッキ層９の不要
部を除去することを試みたが、外部電極の端部から無電
解メッキ層、銀厚膜層、電気メッキ層のうち少なくとも
１つの層が露出し、半田付性を劣化する等の不都合が生
じた。特に、銀厚膜層が露出すると、銀のマイグレーシ
ョンを起こさせる恐れがあった。
うと、第４図に示すように、部品全面に電気メッキ層９
が形成されてしまい、外部電極３および４を短絡させて
しまった。また、短絡した外部電極３および４を分離す
るために、エッチング等の方法で電気メッキ層９の不要
部を除去することを試みたが、外部電極の端部から無電
解メッキ層、銀厚膜層、電気メッキ層のうち少なくとも
１つの層が露出し、半田付性を劣化する等の不都合が生
じた。特に、銀厚膜層が露出すると、銀のマイグレーシ
ョンを起こさせる恐れがあった。
そこで本発明は、上述した問題点を解決しようとする
ものであり、銀の半田くわれやマイグレーションの発生
を起こしにくくできる半導体セラミック電子部品の製造
方法を提供することを目的とする。
ものであり、銀の半田くわれやマイグレーションの発生
を起こしにくくできる半導体セラミック電子部品の製造
方法を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段） 本発明の半導体セラミック電子部品の製造方法は、半
導体セラミック素体を準備する工程と、 この半導体セラミック素体の表面に無電解メッキによ
って第１外部電極層である無電解メッキ層を形成する工
程と、 この無電解メッキ層上に銀を主成分とする材料を塗布
した後、焼き付けることによって第２外部電極層である
銀厚膜層を形成する工程と、 半導体セラミック素体を触媒金属溶液中に浸漬して、
この銀厚膜層上及び半導体セラミック素体の露出面上に
触媒金属を付与する工程と、 銀厚膜層上に付与した触媒金属と半導体セラミック素
体の露出面上に付与した触媒金属との溶解力に差を有す
る洗浄液を用いて、半導体セラミック素体の露出面上の
触媒金属を洗浄除去する工程と、 この触媒金属を付与した銀厚膜層上に無電解メッキに
よって第３外部電極層である無電解メッキ層を形成する
工程からなる。
導体セラミック素体を準備する工程と、 この半導体セラミック素体の表面に無電解メッキによ
って第１外部電極層である無電解メッキ層を形成する工
程と、 この無電解メッキ層上に銀を主成分とする材料を塗布
した後、焼き付けることによって第２外部電極層である
銀厚膜層を形成する工程と、 半導体セラミック素体を触媒金属溶液中に浸漬して、
この銀厚膜層上及び半導体セラミック素体の露出面上に
触媒金属を付与する工程と、 銀厚膜層上に付与した触媒金属と半導体セラミック素
体の露出面上に付与した触媒金属との溶解力に差を有す
る洗浄液を用いて、半導体セラミック素体の露出面上の
触媒金属を洗浄除去する工程と、 この触媒金属を付与した銀厚膜層上に無電解メッキに
よって第３外部電極層である無電解メッキ層を形成する
工程からなる。
（作用） 本発明の半導体セラミック電子部品の製造方法によれ
ば、銀厚膜層上及び半導体セラミック素体の露出面上に
触媒金属を付与し、銀厚膜層上に付与した触媒金属と半
導体セラミック素体の露出面上に付与した触媒金属との
溶解力に差を有する洗浄液を用いて、半導体セラミック
素体の露出面上の触媒金属を洗浄除去することによっ
て、あらかじめ第２外部電極層である銀厚膜層上に触媒
となる触媒金属を付与しておくので、その後、銀厚膜上
層に無電解メッキによって第３外部電極層となる無電解
メッキ層を形成できるようになる。
ば、銀厚膜層上及び半導体セラミック素体の露出面上に
触媒金属を付与し、銀厚膜層上に付与した触媒金属と半
導体セラミック素体の露出面上に付与した触媒金属との
溶解力に差を有する洗浄液を用いて、半導体セラミック
素体の露出面上の触媒金属を洗浄除去することによっ
て、あらかじめ第２外部電極層である銀厚膜層上に触媒
となる触媒金属を付与しておくので、その後、銀厚膜上
層に無電解メッキによって第３外部電極層となる無電解
メッキ層を形成できるようになる。
（実施例） 以下に、本発明の半導体セラミック電子部品の製造方
法の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
法の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
本発明の半導体セラミック電子部品の製造方法の特徴
は、銀厚膜層上及び半導体セラミック素体の露出面上に
触媒金属を付与し、銀厚膜層上に付与した触媒金属と半
導体セラミック素体の露出面上に付与した触媒金属との
溶解力に差を有する洗浄液を用いて、半導体セラミック
素体の露出面上の触媒金属を洗浄除去することによっ
て、第２外部電極層である銀厚膜層上に、あらかじめ無
電解メッキの触媒となるパラジウムなどの触媒金属を付
与しておき、その後、無電解メッキによって第３外部電
極である無電解メッキ層を形成したところにある。
は、銀厚膜層上及び半導体セラミック素体の露出面上に
触媒金属を付与し、銀厚膜層上に付与した触媒金属と半
導体セラミック素体の露出面上に付与した触媒金属との
溶解力に差を有する洗浄液を用いて、半導体セラミック
素体の露出面上の触媒金属を洗浄除去することによっ
て、第２外部電極層である銀厚膜層上に、あらかじめ無
電解メッキの触媒となるパラジウムなどの触媒金属を付
与しておき、その後、無電解メッキによって第３外部電
極である無電解メッキ層を形成したところにある。
なお、本発明において、第１外部電極層である無電解
メッキ層および第２外部電極層である銀厚膜層の形成工
程は、従来例で示したものと同一であり、同一番号を付
してその説明を省略する。
メッキ層および第２外部電極層である銀厚膜層の形成工
程は、従来例で示したものと同一であり、同一番号を付
してその説明を省略する。
まず、第３図に示した無電解メッキ層5,6および銀厚
膜層7,8が形成された半導体セラミック素体２を界面活
性剤と苛性ソーダの混合溶液に浸漬した後、酸処理を行
う。この工程は、銀厚膜層7,8の表面を脱脂し、濡れ性
をよくするために行う。
膜層7,8が形成された半導体セラミック素体２を界面活
性剤と苛性ソーダの混合溶液に浸漬した後、酸処理を行
う。この工程は、銀厚膜層7,8の表面を脱脂し、濡れ性
をよくするために行う。
次に、パラジウム濃度が５〜100ppm程度の塩化パラジ
ウム−塩素系の水溶液中に、半導体セラミック素体２を
浸漬する。これによって、半導体セラミック素体２の銀
厚膜層7,8上にパラジウムが置換折出するとともに、半
導体セラミック素体２の露出面にパラジウムが吸着し、
後工程の無電解メッキの触媒となるパラジウムが付与さ
れた。
ウム−塩素系の水溶液中に、半導体セラミック素体２を
浸漬する。これによって、半導体セラミック素体２の銀
厚膜層7,8上にパラジウムが置換折出するとともに、半
導体セラミック素体２の露出面にパラジウムが吸着し、
後工程の無電解メッキの触媒となるパラジウムが付与さ
れた。
なお、この実施例では無電解メッキの触媒としてパラ
ジウムを用いたが、白金，ロジウム等の触媒金属を用い
てもよい。
ジウムを用いたが、白金，ロジウム等の触媒金属を用い
てもよい。
次に、半導体セラミック素体２の露出面に吸着したパ
ラジウムと半導体セラミック素体２の銀厚膜層7,8上に
置換折出したパラジウウとの溶解力の差を利用して、半
導体セラミック素体２の露出面に吸着したパラジウムを
洗浄液、たとえばNH3系の水溶液で半導体セラミック素
体２を洗浄して除去し、第１図に示すように、銀膜厚層
7,8上にだけパラジウム10が付与されているような状態
にする。この工程で半導体セラミック素体２の露出面に
吸着したパラジウムを除去するための洗浄液としてNH3
系の水溶液を用いたが、これに限定されるものではな
く、半導体セラミック素体２の銀厚膜層7,8上に置換折
出したパラジウムよりも半導体セラミック素体２の露出
面に吸着したパラジウムの方が溶解しやすい洗浄液であ
ればよい。
ラジウムと半導体セラミック素体２の銀厚膜層7,8上に
置換折出したパラジウウとの溶解力の差を利用して、半
導体セラミック素体２の露出面に吸着したパラジウムを
洗浄液、たとえばNH3系の水溶液で半導体セラミック素
体２を洗浄して除去し、第１図に示すように、銀膜厚層
7,8上にだけパラジウム10が付与されているような状態
にする。この工程で半導体セラミック素体２の露出面に
吸着したパラジウムを除去するための洗浄液としてNH3
系の水溶液を用いたが、これに限定されるものではな
く、半導体セラミック素体２の銀厚膜層7,8上に置換折
出したパラジウムよりも半導体セラミック素体２の露出
面に吸着したパラジウムの方が溶解しやすい洗浄液であ
ればよい。
次に、銀厚膜層7,8上のパラジウム10を触媒として無
電解メッキを行ない、第２図に示すように、銀厚膜層5,
6上にニッケルかるなる第３外部電極層の無電解メッキ
層11,12を形成した。これによって、３層構造の外部電
極13,14を備えた半導体セラミック電子部品15を得た。
なお、この実施例では第３外部電極層にニッケルを用い
たが、ニッケル合金，銅，銅合金を用いたものでもよ
い。
電解メッキを行ない、第２図に示すように、銀厚膜層5,
6上にニッケルかるなる第３外部電極層の無電解メッキ
層11,12を形成した。これによって、３層構造の外部電
極13,14を備えた半導体セラミック電子部品15を得た。
なお、この実施例では第３外部電極層にニッケルを用い
たが、ニッケル合金，銅，銅合金を用いたものでもよ
い。
さらに、得られた半導体セラミック電子部品15をフラ
ックスに浸漬し、130℃〜150℃で約１分間予熱を行った
のち、溶融半田に浸漬することによって無電解メッキ層
11,12上に半田層を形成してもよい（図示せず）。この
半田層が形成された半導体セラミック電子部品は、基板
に対して面実装する際の半田付の信頼性を向上すること
ができる。
ックスに浸漬し、130℃〜150℃で約１分間予熱を行った
のち、溶融半田に浸漬することによって無電解メッキ層
11,12上に半田層を形成してもよい（図示せず）。この
半田層が形成された半導体セラミック電子部品は、基板
に対して面実装する際の半田付の信頼性を向上すること
ができる。
なお、前記実施例において、半導体セラミック電子部
品を正特性サーミスタとしたが、これに限るものではな
く、他の半導体セラミック電子部品にも適用することが
できる。
品を正特性サーミスタとしたが、これに限るものではな
く、他の半導体セラミック電子部品にも適用することが
できる。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明の半導体セラミック電子
部品の製造方法は、銀厚膜層上及び半導体セラミック素
体の露出面上に触媒金属を付与し、銀厚膜層上に付与し
た触媒金属と半導体セラミック素体の露出面上に付与し
た触媒金属との溶解力に差を有する洗浄液を用いて、半
導体セラミック素体の露出面上の触媒金属を洗浄除去す
ることによって、あらかじめ第２外部電極層である銀厚
膜層上の触媒となる触媒金属を付与しておき、その後、
無電解メッキによって第３外部電極層となる無電解メッ
キ層を形成するので、銀厚膜層が無電解メッキ層によっ
て覆われることになる。したがって、銀厚膜層は露出せ
ず、銀の半田くわれやマイグレーションの発生を起きに
くくすることができる。
部品の製造方法は、銀厚膜層上及び半導体セラミック素
体の露出面上に触媒金属を付与し、銀厚膜層上に付与し
た触媒金属と半導体セラミック素体の露出面上に付与し
た触媒金属との溶解力に差を有する洗浄液を用いて、半
導体セラミック素体の露出面上の触媒金属を洗浄除去す
ることによって、あらかじめ第２外部電極層である銀厚
膜層上の触媒となる触媒金属を付与しておき、その後、
無電解メッキによって第３外部電極層となる無電解メッ
キ層を形成するので、銀厚膜層が無電解メッキ層によっ
て覆われることになる。したがって、銀厚膜層は露出せ
ず、銀の半田くわれやマイグレーションの発生を起きに
くくすることができる。
第１図は本発明の半導体セラミック電子部品の製造方法
の一工程を示す一部側断面図、第２図は本発明の半導体
セラミック電子部品の製造方法によって製造された半導
体セラミック電子部品を示す一部側断面図。第３図およ
び第４図は従来の半導体セラミック電子部品の製造方法
を示す一部側断面図である。 ２……半導体セラミック素体、 5,6……無電解メッキ層、7,8……銀厚膜層 10……パラジウム、11,12……無電解メッキ層 13,14……外部電極、 15……半導体セラミック電子部品。
の一工程を示す一部側断面図、第２図は本発明の半導体
セラミック電子部品の製造方法によって製造された半導
体セラミック電子部品を示す一部側断面図。第３図およ
び第４図は従来の半導体セラミック電子部品の製造方法
を示す一部側断面図である。 ２……半導体セラミック素体、 5,6……無電解メッキ層、7,8……銀厚膜層 10……パラジウム、11,12……無電解メッキ層 13,14……外部電極、 15……半導体セラミック電子部品。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体セラミック素体を準備する工程と、 この半導体セラミック素体の表面に無電解メッキによっ
て第１外部電極である無電解メッキ層を形成する工程
と、 この無電解メッキ層上に銀を主成分とする材料を塗布し
た後、焼き付けることによって第２外部電極層である銀
厚膜層を形成する工程と、 半導体セラミック素体を触媒金属溶液中に浸漬して、こ
の銀厚膜層上及び半導体セラミック素体の露出面上に触
媒金属を付与する工程と、 銀厚膜層上に付与した触媒金属と半導体セラミック素体
の露出面上に付与した触媒金属との溶解力に差を有する
洗浄液を用いて、半導体セラミック素体の露出面上の触
媒金属を洗浄除去する工程と、 この触媒金属を付与した銀厚膜層上に無電解メッキによ
って第３外部電極層である無電解メッキ層を形成する工
程と、 からなる半導体セラミック電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041337A JP2626028B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 半導体セラミック電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041337A JP2626028B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 半導体セラミック電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02220401A JPH02220401A (ja) | 1990-09-03 |
| JP2626028B2 true JP2626028B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=12605706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1041337A Expired - Fee Related JP2626028B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 半導体セラミック電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2626028B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143431A (en) * | 1998-05-04 | 2000-11-07 | Webster; Brian A. | Production of Palladium-103 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56146221A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing ceramic electronic part |
| JPS57148301A (en) * | 1981-03-10 | 1982-09-13 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of producing positive temperature coefficient thermistor element |
| JPS60202901A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-14 | 松下電器産業株式会社 | チタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法 |
-
1989
- 1989-02-21 JP JP1041337A patent/JP2626028B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02220401A (ja) | 1990-09-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |