JPS59193016A - 積層コンデンサの製造方法 - Google Patents
積層コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS59193016A JPS59193016A JP6718583A JP6718583A JPS59193016A JP S59193016 A JPS59193016 A JP S59193016A JP 6718583 A JP6718583 A JP 6718583A JP 6718583 A JP6718583 A JP 6718583A JP S59193016 A JPS59193016 A JP S59193016A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- multilayer capacitor
- plating
- terminal electrode
- silicon layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イン発明の技術分野
本発明は、留層コンデンサの製造ツノ法に関する。
（ａ）従来技術と問題点
従来、積層コンデンサは、端子電極としてＡｇ／Ｐｄ金
属粒子と適当量のガラス質フリットを加えた電極ペース
トを塗布、焼付することにより製造されていた。しかし
、この方法ではｌ） ｄ金属の酸化による半田付は性不
良を生じ、又半田付けにより端子電極が半Ｉｌｌ中に移
行（くわれ）し、端子電極が欠損する欠点があった。
属粒子と適当量のガラス質フリットを加えた電極ペース
トを塗布、焼付することにより製造されていた。しかし
、この方法ではｌ） ｄ金属の酸化による半田付は性不
良を生じ、又半田付けにより端子電極が半Ｉｌｌ中に移
行（くわれ）し、端子電極が欠損する欠点があった。
そこで、かかる欠点を改善するため、端子電極上にニッ
ケル層及び半田層（又はＳｎ）をメッキ方法により設け
、半田付は性、半田くわれ性を改善する方法が提案され
ている。
ケル層及び半田層（又はＳｎ）をメッキ方法により設け
、半田付は性、半田くわれ性を改善する方法が提案され
ている。
しかし乍ら、この方法はメッキ時に前記端子電極部の極
く微少なボイド（空隙）がらメッキ液が浸入し、電気的
特性（特にＱイ１１１１）を劣化させる欠点があった。
く微少なボイド（空隙）がらメッキ液が浸入し、電気的
特性（特にＱイ１１１１）を劣化させる欠点があった。
（ハ）発明の目的
本発明はかかる不都合を解消するために創案されたもの
であり、積層コンデンサの半田イ；］り性。
であり、積層コンデンサの半田イ；］り性。
半８４ ＜われ性を改善するとともに高品質な債Ｊヒコ
ンデンサを製造することを目的とする。
ンデンサを製造することを目的とする。
仁）発明の構成
本発明は、この目的を達成するために、セラミック誘電
体内に内部電極を多数埋設し、側端部の内部電極がＷ６
出する面に端子電極を設ｉノた４・へ屓コンテンサの製
造ノコ法において、前記ケゼ；１子電極部にニッケル層
及び半田層を設けるに際し２、該端子電極部にシリコン
層を設ける構成とし７だ。
体内に内部電極を多数埋設し、側端部の内部電極がＷ６
出する面に端子電極を設ｉノた４・へ屓コンテンサの製
造ノコ法において、前記ケゼ；１子電極部にニッケル層
及び半田層を設けるに際し２、該端子電極部にシリコン
層を設ける構成とし７だ。
（ホ）発明の実施例
次に、本発明を図面に茫づいて説明する。
席法に従って、まず第１図のように、セラミック誘電体
２の内部に内部電極３を多１ｉづ埋設した積層セラミッ
ク素体］を作り、次に第２図のよ・うにこの積層セラミ
ック素体ｌの側端部の内Ｈ１；電極３が露出した端面１
ａ、ｌａに耐メツキ用の端子電極５を設けた積層コンデ
ンサ素体４を作る。
２の内部に内部電極３を多１ｉづ埋設した積層セラミッ
ク素体］を作り、次に第２図のよ・うにこの積層セラミ
ック素体ｌの側端部の内Ｈ１；電極３が露出した端面１
ａ、ｌａに耐メツキ用の端子電極５を設けた積層コンデ
ンサ素体４を作る。
次いで、このＧ’ｆｌ？ｉｉ：１ンデンサ素体４を例え
は１〜２０％シリコン溶液に畳清し、例えば２〜］０分
間真空含浸させる。その後、この積層コンデンサ素体４
を取り出し、遠心脱水機に例えは２０秒〜５分間かけて
余分なシリコンを取り除いた後、１５０〜２５０℃、１
時間で乾燥し、シリコンを硬化して第３図のように桔屓
コンテンサ素体４の端子電極部５にソリコン層７を設ｉ
Ｊる。
は１〜２０％シリコン溶液に畳清し、例えば２〜］０分
間真空含浸させる。その後、この積層コンデンサ素体４
を取り出し、遠心脱水機に例えは２０秒〜５分間かけて
余分なシリコンを取り除いた後、１５０〜２５０℃、１
時間で乾燥し、シリコンを硬化して第３図のように桔屓
コンテンサ素体４の端子電極部５にソリコン層７を設ｉ
Ｊる。
史に、第３図に示すＭＨコンデンサ素体６のシリコン層
７の端子電極５に相当する部（ｉ’ｆにメッキ方法によ
りニッケル層９を第４図のように形成した後、このニッ
ケル層９上に更に第５図のように半１（（（Ｐｄ Ｓｎ
） Ｍｌ Ｏを設＆Ｊて本発明の積層コンデンサＣとす
る。
７の端子電極５に相当する部（ｉ’ｆにメッキ方法によ
りニッケル層９を第４図のように形成した後、このニッ
ケル層９上に更に第５図のように半１（（（Ｐｄ Ｓｎ
） Ｍｌ Ｏを設＆Ｊて本発明の積層コンデンサＣとす
る。
ここて、ト記ニッケル屓９及び半田層１０を形成するメ
ッキ方法の一例を説明する。
ッキ方法の一例を説明する。
先ず、第３図に示す積層コンデンサ素体６をアルカリ脱
脂し、イオン交換水により洗滌を行ない、次に、表面活
性化の為の表面処理液に浸油し７、肉ひイオン交換水に
て洗滌する。次いで、ター−（通電媒体）と猜Ｈコンテ
ンサ素体６を混合し５、スルファミン酸ニッケルメッキ
液によりハレルメソキを行ない、第４図の禎屓コンデン
ザ素体８とする。次に、イオン交換水により洗滌を行な
い、半田メッキ浴により前記同様ハレルメノギ力法によ
り半田メッキを行なう。次いで、イオン交換水により洗
滌を行ない、再び乾燥及び熱処理を行なって第５図に示
す積層コンデンサＣとする。
脂し、イオン交換水により洗滌を行ない、次に、表面活
性化の為の表面処理液に浸油し７、肉ひイオン交換水に
て洗滌する。次いで、ター−（通電媒体）と猜Ｈコンテ
ンサ素体６を混合し５、スルファミン酸ニッケルメッキ
液によりハレルメソキを行ない、第４図の禎屓コンデン
ザ素体８とする。次に、イオン交換水により洗滌を行な
い、半田メッキ浴により前記同様ハレルメノギ力法によ
り半田メッキを行なう。次いで、イオン交換水により洗
滌を行ない、再び乾燥及び熱処理を行なって第５図に示
す積層コンデンサＣとする。
前記メッキ工程に於て、ｐＨ，／Ｉ！！度、液濃度。
時間、電圧、電流及び洗滌が管理ポイントであることは
云うまでもない。また、上記メッキ方法は一例であり、
これに限定されるものではない。
云うまでもない。また、上記メッキ方法は一例であり、
これに限定されるものではない。
次に、本発明による実験結果を表に示す。
中Ｎｏ、ｌは２１２５型Ｃに１００））Ｆ及びＮ ｏ
。
。
２は同型ＳＦ、４７０ Ｐ Ｆを使用し、Ｑ値不良判定
はＱイｉ＊２０００以上を良、２０００未満を不良とし
た。また、従来方法とはシリコン層を設けないで、ニッ
ケル層、半田層をメッキ処理にて形成したものを云う。
はＱイｉ＊２０００以上を良、２０００未満を不良とし
た。また、従来方法とはシリコン層を設けないで、ニッ
ケル層、半田層をメッキ処理にて形成したものを云う。
本発明においてシリコン層の形成は、端子電極部の微少
ボイドからのメッキ液浸人による電気特性（Ｑ （Ａ
）の劣化を防止するのが主たる目的であるが、シリコン
層の形成が浸清力／ｌ：によるためセラミック部を含む
全表面に形成される。しかし５、このシリコン層形成に
よりセラミ・ツク部へ障害を与えることはなく、端子電
極と同様の効果がセラミック部においても奏されている
ものと考えられる。
ボイドからのメッキ液浸人による電気特性（Ｑ （Ａ
）の劣化を防止するのが主たる目的であるが、シリコン
層の形成が浸清力／ｌ：によるためセラミック部を含む
全表面に形成される。しかし５、このシリコン層形成に
よりセラミ・ツク部へ障害を与えることはなく、端子電
極と同様の効果がセラミック部においても奏されている
ものと考えられる。
（ト）発明の効果
上述のように本発明によれば、端子電極を設けた積層コ
ンデンサ素体に直接ニッケル層及び半田層を設りずに、
一旦シリコン圏を設りるため、ニッケル層及び半田層を
設りるためのメッキ工程で、メッキ液が端子電極部の極
く微少なボイドに浸透することがなくなり、メッキ処理
が（ｉ（ｆ実に行なえ、積層コンデンサの半１３１（Ｎ
ｊけ性、半田くわれ（１１゛が改善され、電気的特性特
にＱ値の劣化を防止できる。
ンデンサ素体に直接ニッケル層及び半田層を設りずに、
一旦シリコン圏を設りるため、ニッケル層及び半田層を
設りるためのメッキ工程で、メッキ液が端子電極部の極
く微少なボイドに浸透することがなくなり、メッキ処理
が（ｉ（ｆ実に行なえ、積層コンデンサの半１３１（Ｎ
ｊけ性、半田くわれ（１１゛が改善され、電気的特性特
にＱ値の劣化を防止できる。
また、上記シリコン層がセラミック誘電体全面を被覆す
るため、セラミック誘電体の内部か確実に保護され、高
品質な積層コンデンサを得ることかできるなどの利点を
有する。
るため、セラミック誘電体の内部か確実に保護され、高
品質な積層コンデンサを得ることかできるなどの利点を
有する。
第１１図カキ第５図は本発明の実施例に於ける製造上程
を示す断面図、第６図は第５図に於ける入部拡大断面図
である。 ■・・・積層コンデンサ素子、２・・・セラミック誘電
体、３・・・内部電極、４．６．８・・・積層コンデン
サ素体、５・・・端子電極、７・・・シリコン屓、９・
・・ニッケルＩＬＩＯ・・・半田層、Ｃ・・・Ｍ層コン
テンサ。 第１図 第５図 ９ °／ 第２図 ］ １４図 第６図 ワ
を示す断面図、第６図は第５図に於ける入部拡大断面図
である。 ■・・・積層コンデンサ素子、２・・・セラミック誘電
体、３・・・内部電極、４．６．８・・・積層コンデン
サ素体、５・・・端子電極、７・・・シリコン屓、９・
・・ニッケルＩＬＩＯ・・・半田層、Ｃ・・・Ｍ層コン
テンサ。 第１図 第５図 ９ °／ 第２図 ］ １４図 第６図 ワ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１セラミック誘電体内に内部電極を多数埋設し、側
端部の内部電極が露出する面に端子電極を設けた積層コ
ンデンサの製造方法において、前記端子電極部にニッケ
ル層及び半田層を設けるに際し、該端子電極部にシリコ
ン層を設げることを特徴とする積層コンデンサの製造方
法。 （２） シリコン層がｔ＋ ？Ｎ方法により設けられ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の積層コ
ンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6718583A JPS59193016A (ja) | 1983-04-16 | 1983-04-16 | 積層コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6718583A JPS59193016A (ja) | 1983-04-16 | 1983-04-16 | 積層コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59193016A true JPS59193016A (ja) | 1984-11-01 |
Family
ID=13337580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6718583A Pending JPS59193016A (ja) | 1983-04-16 | 1983-04-16 | 積層コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59193016A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62122104A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-03 | 松下電器産業株式会社 | 積層型チツプバリスタの電極処理方法 |
| JP2014072516A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
-
1983
- 1983-04-16 JP JP6718583A patent/JPS59193016A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62122104A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-03 | 松下電器産業株式会社 | 積層型チツプバリスタの電極処理方法 |
| JPH0727803B2 (ja) * | 1985-11-20 | 1995-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 積層型チツプバリスタの電極処理方法 |
| JP2014072516A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5459487B2 (ja) | 積層型電子部品およびその製造方法 | |
| JP2010278373A (ja) | 積層型電子部品およびその製造方法 | |
| US4109292A (en) | Ceramic capacitor with nickel-solder electrodes | |
| JPS59193016A (ja) | 積層コンデンサの製造方法 | |
| JPS6014416A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPS6350010A (ja) | 充填層構成素子 | |
| JP2626028B2 (ja) | 半導体セラミック電子部品の製造方法 | |
| JPH0680198B2 (ja) | 銀めつき製品の後処理方法 | |
| JPS5952827A (ja) | 積層セラミツクコンデンサの電極形成方法 | |
| JPS6032340B2 (ja) | 磁器コンデンサの製造方法 | |
| JPH0878278A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPS5961116A (ja) | チツプ型固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH037131B2 (ja) | ||
| JP2871716B2 (ja) | 樹脂モールド型半導体装置の製造方法 | |
| JPS58200523A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0656824B2 (ja) | チップ状電子部品とその製造方法 | |
| JPS5858717A (ja) | 電子部品 | |
| JPH0217603A (ja) | チップ部品及びその製造方法 | |
| JPS6199319A (ja) | セラミツク電子部品 | |
| JP4646373B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JPH0314040Y2 (ja) | ||
| JPS59219924A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPS59220901A (ja) | セラミツク電子部品の電極形成方法 | |
| JPS5885502A (ja) | 厚膜バリスタの製造法 | |
| JPS5969908A (ja) | チツプ形電子部品の外部電極形成方法 |