JPS59219924A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は固体屈解コンデンサの製造方法に関し、特に一
体或解コンデンサの陰極４電体層の製造方法に関するも
のである。

一般に固体電解コンデンサの素子（以後素子と称す）は
、弁作用全潰する金属粉末を加圧成形してなる基体にあ
らかじめ弁作用を有する金城線を陽極リードとして植立
し、基体の局面に陽極酸化の手法によシ酸化皮膜層を形
成し、この酸化皮膜層の局面に対向゛電極として生得体
層を形成する。

さらに、接触抵抗を減じるためにグラファイト層を介在
させて順次銀ペースト層、半田層を設けて隘極導亀体層
を形成している。

このように形成した素子は銀ペースト層上に直接半田層
を形成させる際、溶融半田の熱により、銀ペースト中の
有機バインダーの分解中による銀粒子の遊廂や、銀の半
田への拡散等いわゆる銀喰れ現象が生じ、半田層の剥離
や誘電体損失が増大するという欠点を有していた。従来
この問題を解決する対床として問題の銀ペースト層を介
在させないで、グラファイト層形成後の素子に直接メッ
キ層を形成し、その後半田；−を形成する方法が提案さ
れている。

例えば米国時、ｆＦＡ３５８１１５９によれば、グラフ
ァイト層形ＪＪＸ、後の素子に銅粉末を不活性ガス中で
プラズマジェット法によシ融着させ、銅のメッキ層を形
成している。この方法は銀ペーストに直接半田を付層さ
せる方法に較べ耐熱性がよく、牛用層形成時に半田の剥
離やｓｉｔ体損失の劣化が少ない。しかしプラズマジェ
ット法によるメッキ層の形成方法は下記に述べる惠犬な
欠点を有している。

（イ）　ノズルから飛来してくる銅分子を隘極部のみに
融着させるには、陽極リード線をマスクしなければなら
ず、そのため著しい作業能率の低下を招いていた。

（ロ）被メッキ体よシも、マスクやその周辺の治具にメ
ッキされる童が多く不経済である。

（ハ）不活性ガス中で銅粉末を溶融させているが、ノズ
ルから被メッキ体までは大気中を通過するので、この間
に銅が酸化され半田の未付着、誘電体損矢の増大等の不
具合を生じている。

に）プラズマ装置が冒価であシ、かつジェット流発生時
のに音が製造上大きな問題となっていた。

本発明の目的はかかる促米欠点を除去した固体電解コン
デンサを提供することにある。

本発明によれは、弁作用全１゛する上極粉末を成形した
基体に陽極リード線を尋出して順次、酸化皮膜ノー、千
尋体層、グラノアイト虐、等−ペースト層、メツキノｍ
、半田ノーを形成してなる固体電解コンデンサの製造方
法において、上記メッキ層を無電解メッキの手法により
形成することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方
法が狗られる。

以下、本発明の実施例を固体タンタル電解コンデンサに
ついて図面を参照して従来品と比較しながら説明する。

〔実施例１〕 第１図Ａは従来の非外装型固体電解コンデンサでろシ第
１図Ｂは本発明の一実施例である。従来方法による試料
として、タンタル粉床を加圧成形し高温で真空焼結した
基体にタンタルリード１を殖立させた後、リン戚水溶液
中で化成電圧１００■印加して陽極酸化し、タンタルの
酸化皮膜２を形成した。次に硝酸マンガンを付層させた
後、温度２５０℃〜３００℃の恒温槽中で熱分解して二
酸化マンカン層３を形成する。この浸漬および熱分解工
程は数回繰シ返し行なう。

次に二酸化マンガン層３上にグラファイト層４を形成し
、ざらにグラファイト層４上に銀ペーストを塗布したあ
と乾燥し銀ペースト層５を形成して素子を得た。

次に、この素子を半田浴中に浸漬し、半田層７を形成し
た波、タンタルリード１の付は根部から約１門の箇所に
外部端子となる半田付可能な板リード８をタンタルリー
ド１に溶接し、非外装型チップタンタルコンデンサを製
造した。

次に従来方法と同一材料を用い、同一方法で銀ペースト
層１５まで形成した素子を脱脂した麦、無電解メッキを
行った。メッキ液には室温でＰＨ＝７の中性無電解ニッ
ケルメッキ層を使用し、温度６５℃で数十分間メッキを
行い約８ミクロンのニッケルメッキ層１６ａを形成した
。メッキ終了佼の素子を十分に洗浄した佼恒温僧中に放
置し水分を蒸発させ、牛田楢に素子全反（−シ牛田層１
７を形成した。次に従来法と同様に半田付可能な板リー
ド１８をタンタルリード１１に浴接し非外装型チップタ
ンタルコンデンサを製造した。

以上述べた従来法と実施クリ１の２つの方法で製造した
非外装壓チップタンタルコンデンサの中から任惠に１５
０個づつ扱き取り牛田曲熱試験を行った。第２図（５）
、（Ｂ）に２３０℃、２５０℃、　２７０１：の各温度
で１０秒間はんだ槽内に浸漬した彼、周波数１２０Ｈｚ
で両足した訪亀体慎矢の正接（以下ＬａｎＪと称す）を
示す。従来法では、＠［２５０℃１０秒間で、すてにＬ
ａｎ６が増大しているシに対し本発明により製造したも
のは、２７０℃１０　ＳｅｃでもＬａｎＪの増大は誌め
られない。名らに素子牛田剥離机尿を観祭するに従来方
法で製造したコンデンサでは温度２３０℃、１０秒間の
浸面俊すでに累子稜線部から牛用剥離が発生した。また
、温度２５０℃１０秒間の浸漬羨では、牛用剥離に加え
鉋喰われ現象が発生し、二酸化マン〃ンの凹凸がわかる
くらい半田層が薄くなった。さらに温良２７０℃、１０
秒間の＆漬彼では、銀がほとんど喰われ、半田が素子の
表面に残存していなくなる。

一方、本発明方法で製造したコンデンサは、温度２７０
℃、１０秒間の浸漬後でも半田剥離や銀喰われ現象は全
く見られずｔａｎ　　もほとんど劣化していない。

〔実施例２〕 従来法と同一材料を用い、同一方法で銀ペースト層１５
まで形成した素子を中性無電解銅メツ中液中でメッキを
行い、約１０ミクロンの綱メッキ層１６′ｂを形成した
。メッキ終了後、十分に純水洗浄を行い、温度１２０℃
の恒温槽に３０分間放置し水分を蒸発した俊、温度２１
０℃の共晶半田槽に素子を１０秒間浸漬し半１：Ｂ／輪
１７を形成した。しかる俊、外部端子となる半田付は可
能な板リード１８をタンタルリード１に溶接し、非外装
型チップメンタルコンデンサを製造した。

製造した中からａ−意に１５０１向を抜きとり実施例１
と全く同体に半田耐熱試験を行った。第２図（Ｃ）に示
す如く、ｔａｎＪの値は１１とんど変化せずまた温度２
７０℃、１０秒間の浸漬後でも半田剥離や銀喰われ３Ａ
尿は全く見られず良好でめった。

以上述べた如く一ペースト層上にニッケル、銅等のメッ
キを行った素子は、（１）ニッケル、銅等の膚が銀ペー
ストのはんだ浴中への拡散を防ぐバリヤーノーとして働
くので、半田剥離、銀喰われ、ｔａｎＪの劣化などがな
くチップ部品に要求されている高温実装に適している。

（ｉｉ）また導電ペーストを塗布した部分にのみメッキ
が形成式れるので、プラズマジェット法で必要なマスキ
ングが不袂になシバッチ処理による太負生ノ禰が可能に
なる。なお、本英施例では−ｔ％電ペースト層として朔
ペーストを使用したが、銅ペースト、ニラグルペースト
、グラ７アイトペースト、及びこれらの混合ペーストを
用いてもよいことは勿論である。又、実施例として、州
外ｍＷ固体電解コンデンサとして記したが高温実装され
る固体１４コンデンサ全てに適用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（５）は従来方法による非外装型固体ｒｔＡ：ｐ
コｙデンサ、化１図（ハ）は本％Ｌｉ１４歇による固体
１４所コンデンサの〜ｒ面図。第２図１は従来品のｔａ
ｎＪの半田耐熱付性、（ｉ３）および（財）は本−Ａ１
品の半日耐熱％−性を示す。 ａ己号の説明　１，１１・・・・・・タンタルリード、
２゜１２・・・・・・ば化反膜、３．１３・・・・・・
二ｎＲ化マンガン）ｆｌｉ、４．１４・・・・・・グラ
ファイト鳩、５，１５・・・・・・嫁ヘースＨ１，１６
ａ・・・・・・ニッケル７ツキ／９）、１６ｂ・・・・
・・餉メッキ眉、７，１７・・・・・・半田層、ｂ、１
８・・・・・・半田メッキ可能な板リード。 第１図 （△）　　　　　　　　　　　　　（Ｂ）（△） ２３θＣ２ｗＣ２ｔｔｔｃ （Ｂ）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）・弁作用を有する金属粉末を成形した基体に陽極
   リード線を導出して順次、酸化皮膜層、グラファイト層
   、４電ペーストノー、メッキ１価、半田層を形成してな
   る固体電解コンデンサの製造方法において、前記メッキ
   層を無′亀解メッキ工程により形成することを特徴とす
   る固体電解コンデンサの製造方法。
2. （２）前記メツキノ−がニッケルまたは蛸からなること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の固体電解コン
   デンサの製造方法。
3. （３）前記無を解メッキ液のＰＨｔｌ−呈温で６〜８と
   したことを％徴とする％Ｉｖｉ：請求の範ｌＩ５第１狽
   記載の固体電解コンデンサの製造方法。