JPH0129049B2 - - Google Patents
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- JPH0129049B2 JPH0129049B2 JP57173742A JP17374282A JPH0129049B2 JP H0129049 B2 JPH0129049 B2 JP H0129049B2 JP 57173742 A JP57173742 A JP 57173742A JP 17374282 A JP17374282 A JP 17374282A JP H0129049 B2 JPH0129049 B2 JP H0129049B2
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、固体電解コンデンサの製造方法に関
する。
する。
従来からの固体タンタル電解コンデンサでは、
弁金属であるタンタル粉末を成型焼結して成る陽
極体表面に陽極化成により誘電体となる酸化皮膜
を形成し、その酸化皮膜上に半導体層である二酸
化マンガン層を形成し、この半導体層の上にカー
ボン層を形成し、さらにその上に銀の微粉末を含
む導電性塗料を塗布、硬化し、それに陰極端子を
半田付けして引出している。
弁金属であるタンタル粉末を成型焼結して成る陽
極体表面に陽極化成により誘電体となる酸化皮膜
を形成し、その酸化皮膜上に半導体層である二酸
化マンガン層を形成し、この半導体層の上にカー
ボン層を形成し、さらにその上に銀の微粉末を含
む導電性塗料を塗布、硬化し、それに陰極端子を
半田付けして引出している。
このような先行技術では、端子形成のための半
田付け時に導電性塗料層中の銀が半田の中に溶け
込み、陰極層の導電性が低下し、その結果コンデ
ンサの電気的特性即ちインピーダンス、等価直列
抵抗、tanδが劣化することになつた。
田付け時に導電性塗料層中の銀が半田の中に溶け
込み、陰極層の導電性が低下し、その結果コンデ
ンサの電気的特性即ちインピーダンス、等価直列
抵抗、tanδが劣化することになつた。
本発明の目的は、電気的特性を劣化させること
なく、また高価な銀塗料を用いることなく、電解
コンデンサを製造する方法を提供することであ
る。
なく、また高価な銀塗料を用いることなく、電解
コンデンサを製造する方法を提供することであ
る。
本発明は、弁金属から成り、陽極酸化により誘
電体酸化皮膜を形成した陽極体の酸化皮膜上に半
導体層を形成し、その半導体層の上に、それと低
抵抗で接触する第1カーボン層を形成し、第1カ
ーボン層の上にメツキ液の浸透を防止する第2カ
ーボン層を形成し、前記第2カーボン層5bはグ
ラフアイトと耐熱性樹脂成分とを有機溶媒に分散
させたものを第1カーボン層5a上に塗布して熱
硬化させて形成し、その上に陰極層となる金属メ
ツキ層を形成することを特徴とする固体電解コン
デンサの製造方法である。
電体酸化皮膜を形成した陽極体の酸化皮膜上に半
導体層を形成し、その半導体層の上に、それと低
抵抗で接触する第1カーボン層を形成し、第1カ
ーボン層の上にメツキ液の浸透を防止する第2カ
ーボン層を形成し、前記第2カーボン層5bはグ
ラフアイトと耐熱性樹脂成分とを有機溶媒に分散
させたものを第1カーボン層5a上に塗布して熱
硬化させて形成し、その上に陰極層となる金属メ
ツキ層を形成することを特徴とする固体電解コン
デンサの製造方法である。
好ましい実施態様では、誘電体酸化皮膜を形成
した陽極体のリード線の引出されている面に耐熱
性かつ電気絶縁性の合成樹脂層を形成し、その後
に形成される半導体層、第1カーボン層、第2カ
ーボン層および金属メツキ層の各層の周縁が前記
合成樹脂層に接触していることを特徴とする。
した陽極体のリード線の引出されている面に耐熱
性かつ電気絶縁性の合成樹脂層を形成し、その後
に形成される半導体層、第1カーボン層、第2カ
ーボン層および金属メツキ層の各層の周縁が前記
合成樹脂層に接触していることを特徴とする。
本発明実施例を図面を参照して説明する。
第1図は、本発明の一実施例の固体電解コンデ
ンサ素子の断面図である。陽極体1は、タンタル
粉末を加圧、成型後、焼結したものである。この
陽極体1からは、リード線2が引出されている。
リード線2はたとえばタンタル線である。この陽
極体1の表面に、化成処理によつて誘電体となる
酸化皮膜3を形成する。
ンサ素子の断面図である。陽極体1は、タンタル
粉末を加圧、成型後、焼結したものである。この
陽極体1からは、リード線2が引出されている。
リード線2はたとえばタンタル線である。この陽
極体1の表面に、化成処理によつて誘電体となる
酸化皮膜3を形成する。
次いで、その表面に公知技術により半導体層で
ある二酸化マンガン層4を形成する。この半導体
層4の上に第1カーボン層5aを形成する。この
第1カーボン層5aは、多孔質の半導体層4内に
充分しみ込み、このため半導体層4と第1カーボ
ン層5aとは低抵抗で接触し、両者の導電性は良
好に保たれる。
ある二酸化マンガン層4を形成する。この半導体
層4の上に第1カーボン層5aを形成する。この
第1カーボン層5aは、多孔質の半導体層4内に
充分しみ込み、このため半導体層4と第1カーボ
ン層5aとは低抵抗で接触し、両者の導電性は良
好に保たれる。
この第1カーボン層5aの上には、さらに第2
カーボン層5bが形成される。第2カーボン層5
bは、後の工程で金属メツキ層形成のため陽極体
をメツキ液に浸漬したときに、メツキ液がしみ込
まない組成を有する。もしもメツキ液のしみ込み
を阻止しえない第1カーボン層5aのみを有する
コンデンサ素子を、メツキ液内に浸漬したとすれ
ば、メツキ液が第1カーボン層5aを通つて半導
体層4にしみ込んで、電解コンデンサの特性が低
下することになる。そしてメツキ液が浸透した場
合には通常メツキ液を洗い流すべく洗浄したが、
半導体層および多孔質陽極体内部に浸透したもの
の洗浄は困難であり、長時間を要し、尚かつ不完
全であつた。本発明では、第1カーボン層5aの
上に第2カーボン層5bを形成したので、メツキ
液が第1カーボン層5aから半導体層4内にしみ
込むことが防がれている。
カーボン層5bが形成される。第2カーボン層5
bは、後の工程で金属メツキ層形成のため陽極体
をメツキ液に浸漬したときに、メツキ液がしみ込
まない組成を有する。もしもメツキ液のしみ込み
を阻止しえない第1カーボン層5aのみを有する
コンデンサ素子を、メツキ液内に浸漬したとすれ
ば、メツキ液が第1カーボン層5aを通つて半導
体層4にしみ込んで、電解コンデンサの特性が低
下することになる。そしてメツキ液が浸透した場
合には通常メツキ液を洗い流すべく洗浄したが、
半導体層および多孔質陽極体内部に浸透したもの
の洗浄は困難であり、長時間を要し、尚かつ不完
全であつた。本発明では、第1カーボン層5aの
上に第2カーボン層5bを形成したので、メツキ
液が第1カーボン層5aから半導体層4内にしみ
込むことが防がれている。
第1カーボン層5aは、グラフアイトと少量の
バインダーとしての樹脂成分とを水に分散させた
ものを塗布、乾燥させたものであり、第2カーボ
ン層5bはグラフアイトと耐熱性樹脂成分とを有
機溶媒に分散させたものを塗布し、熱硬化させた
ものである。なお、本件明細書および図面では第
1および第2カーボン層5a,5bを総括的に参
照符5で表わすことにする。
バインダーとしての樹脂成分とを水に分散させた
ものを塗布、乾燥させたものであり、第2カーボ
ン層5bはグラフアイトと耐熱性樹脂成分とを有
機溶媒に分散させたものを塗布し、熱硬化させた
ものである。なお、本件明細書および図面では第
1および第2カーボン層5a,5bを総括的に参
照符5で表わすことにする。
このカーボン層5が形成されたコンデンサ素子
は、無電解ニツケルメツキ液内に浸漬され、ニツ
ケルメツキ層6が形成される。
は、無電解ニツケルメツキ液内に浸漬され、ニツ
ケルメツキ層6が形成される。
尚、図示しなかつたが、このメツキ層6に陰極
端子を半田付けして引出す。また陽極端子はリー
ド線2に溶接して引出す。そして必要に応じて金
属ケース2に封入し、或いは合成樹脂外装を施し
てコンデンサを完成する。
端子を半田付けして引出す。また陽極端子はリー
ド線2に溶接して引出す。そして必要に応じて金
属ケース2に封入し、或いは合成樹脂外装を施し
てコンデンサを完成する。
従来技術では、カーボン層5a上に銀の微粒子
を含む導電性塗料を塗付し、その層に陰極端子を
半田付けしている。このような先行技術では、導
電性塗料層中の銀微粒子が半田内にいわば食われ
ることになり、そのため導電性塗料層の導電性が
低下して、コンデンサの特性が劣化することにな
つた。これを防ぐために従来では高価な銀入りは
んだを用いたが、それでも上記現象を完全に防ぐ
ことはできなかつた。また陰極端子の半田付けの
際、従来の銀塗料層では熱しすぎると、より多く
の銀が半田内に溶け込むので、半田付けの温度、
時間にきびしい制限を必要とした。
を含む導電性塗料を塗付し、その層に陰極端子を
半田付けしている。このような先行技術では、導
電性塗料層中の銀微粒子が半田内にいわば食われ
ることになり、そのため導電性塗料層の導電性が
低下して、コンデンサの特性が劣化することにな
つた。これを防ぐために従来では高価な銀入りは
んだを用いたが、それでも上記現象を完全に防ぐ
ことはできなかつた。また陰極端子の半田付けの
際、従来の銀塗料層では熱しすぎると、より多く
の銀が半田内に溶け込むので、半田付けの温度、
時間にきびしい制限を必要とした。
しかるに本発明では陰極を金属メツキ層6とし
たので、この温度や時間の制限は、銀塗料層の場
合に比べてきびしくなくても良く、したがつて作
業が容易になつた。本実施例では、ニツケルメツ
キ層6を形成したが、その他の金属たとえば銅な
どのメツキが施されてもよい。
たので、この温度や時間の制限は、銀塗料層の場
合に比べてきびしくなくても良く、したがつて作
業が容易になつた。本実施例では、ニツケルメツ
キ層6を形成したが、その他の金属たとえば銅な
どのメツキが施されてもよい。
本件発明者の実験結果を述べる。カーボン層5
a上にメツキを行う代わりに、銀などの導電性塗
料を塗布した構成では、tanδは1%前後であつて
良好であつた。この導電性塗料の代わりに前述の
メツキをカーボン層5a上に施すと、メツキ液が
たとえば塩酸系であることによつて短絡を生じて
しまつた。カーボン層5aを設けずに、カーボン
層5bのみを形成してその上にメツキを施すと、
tanδは5%となつて性能が劣化した。これに対し
て本発明では、第1および第2カーボン層5a,
5bをこの順序で形成し、その上にメツキを施す
ことによつて、tanδは1%であつて良好であり、
その他の電気的特性も優れていた。
a上にメツキを行う代わりに、銀などの導電性塗
料を塗布した構成では、tanδは1%前後であつて
良好であつた。この導電性塗料の代わりに前述の
メツキをカーボン層5a上に施すと、メツキ液が
たとえば塩酸系であることによつて短絡を生じて
しまつた。カーボン層5aを設けずに、カーボン
層5bのみを形成してその上にメツキを施すと、
tanδは5%となつて性能が劣化した。これに対し
て本発明では、第1および第2カーボン層5a,
5bをこの順序で形成し、その上にメツキを施す
ことによつて、tanδは1%であつて良好であり、
その他の電気的特性も優れていた。
本発明の第2の実施例を第2図に示す。陽極酸
化皮膜3の形成された陽極体1のリード線2の引
出されている面に、耐熱性かつ電気絶縁性の合成
樹脂層7を塗布形成する。その後、第1実施例と
同様に、半導体層4、第1カーボン層5a、第2
カーボン層5bを順次形成し、その後、金属メツ
キ層6を形成する。本実施例では、上記半導体層
4、カーボン層5及び金属メツキ層6の各層の周
縁は合成樹脂層7に接して形成されている。即
ち、これらの層4,5,6は陽極体1上の全表面
上にわたつて均一厚みで形成されるので、メツキ
液の半導体層4への浸透がより確実に阻止され
る。即ちメツキ層6形成のためメツキ液に浸漬す
る際、メツキ層6が第2カーボン層5bを超えて
直接第1カーボン層5aや半導体層4に触れるこ
とのないよう、その液面を厳密に管理する必要は
なく、メツキ液面が合成樹脂層を超えてリード線
2へ触れないようにさえすればよいので、液面の
調整が容易である。
化皮膜3の形成された陽極体1のリード線2の引
出されている面に、耐熱性かつ電気絶縁性の合成
樹脂層7を塗布形成する。その後、第1実施例と
同様に、半導体層4、第1カーボン層5a、第2
カーボン層5bを順次形成し、その後、金属メツ
キ層6を形成する。本実施例では、上記半導体層
4、カーボン層5及び金属メツキ層6の各層の周
縁は合成樹脂層7に接して形成されている。即
ち、これらの層4,5,6は陽極体1上の全表面
上にわたつて均一厚みで形成されるので、メツキ
液の半導体層4への浸透がより確実に阻止され
る。即ちメツキ層6形成のためメツキ液に浸漬す
る際、メツキ層6が第2カーボン層5bを超えて
直接第1カーボン層5aや半導体層4に触れるこ
とのないよう、その液面を厳密に管理する必要は
なく、メツキ液面が合成樹脂層を超えてリード線
2へ触れないようにさえすればよいので、液面の
調整が容易である。
尚半導体層4の形成は、陽極酸化皮膜3の形成
された陽極体1を硝酸マンガン水溶液に浸漬し、
熱分解により二酸化マンガン層に変換する操作を
数回くり返してなされる。第2図示の合成樹脂層
7は、この操作が2〜3回くり返された後に塗布
してもよい。
された陽極体1を硝酸マンガン水溶液に浸漬し、
熱分解により二酸化マンガン層に変換する操作を
数回くり返してなされる。第2図示の合成樹脂層
7は、この操作が2〜3回くり返された後に塗布
してもよい。
以上のように本発明によれば、銀塗料あるいは
銀入りはんだを用いないので、安価となり、半田
付けの際の銀くわれ現象により電気的特性を劣化
させる恐れはない。また、金属メツキ層としたの
で、半田付けの温度、時間のコントロールに、在
来の銀塗料層の形成時のようなきびしいコントロ
ールを本発明では必要としない。そのため、コン
デンサの製造が容易となつた。さらに半導体層の
上に低抵抗で接触する第1カーボン層を形成し、
その上にメツキ液の浸透を防止する第2カーボン
層を設け、その上に金属メツキ層を形成するの
で、メツキ後の長時間の洗浄が不要となり、かつ
メツキ液の半導体層等の中への浸入による電解コ
ンデンサの電気的特性の低下が防がれている。そ
して本方法により製されたコンデンサは、銀塗料
を用いた場合に比べて、より高温度で使用でき
る。
銀入りはんだを用いないので、安価となり、半田
付けの際の銀くわれ現象により電気的特性を劣化
させる恐れはない。また、金属メツキ層としたの
で、半田付けの温度、時間のコントロールに、在
来の銀塗料層の形成時のようなきびしいコントロ
ールを本発明では必要としない。そのため、コン
デンサの製造が容易となつた。さらに半導体層の
上に低抵抗で接触する第1カーボン層を形成し、
その上にメツキ液の浸透を防止する第2カーボン
層を設け、その上に金属メツキ層を形成するの
で、メツキ後の長時間の洗浄が不要となり、かつ
メツキ液の半導体層等の中への浸入による電解コ
ンデンサの電気的特性の低下が防がれている。そ
して本方法により製されたコンデンサは、銀塗料
を用いた場合に比べて、より高温度で使用でき
る。
第1図は本発明の一実施例を示すコンデンサ素
子の断面図、第2図は他の実施例によるコンデン
サ素子の断面図である。 1……陽極体、3……酸化皮膜、4……半導体
層、5a……第1カーボン層、5b……第2カー
ボン層、6……ニツケルメツキ層、7……合成樹
脂層。
子の断面図、第2図は他の実施例によるコンデン
サ素子の断面図である。 1……陽極体、3……酸化皮膜、4……半導体
層、5a……第1カーボン層、5b……第2カー
ボン層、6……ニツケルメツキ層、7……合成樹
脂層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 弁金属から成り、陽極酸化により誘電体酸化
皮膜を形成した陽極体の酸化皮膜上に半導体層を
形成し、その半導体層の上に、それと低抵抗で接
触する第1カーボン層を形成し、第1カーボン層
の上にメツキ液の浸透を防止する第2カーボン層
を形成し、前記第2カーボン層5bはグラフアイ
トと耐熱性樹脂成分とを有機溶媒に分散させたも
のを第1カーボン層5a上に塗布して熱硬化させ
て形成し、その上に陰極層となる金属メツキ層を
形成することを特徴とする固体電解コンデンサの
製造方法。 2 特許請求の範囲第1項記載の固体電解コンデ
ンサの製造方法において、誘電体酸化皮膜を形成
した陽極体のリード線の引出されている面に耐熱
性かつ電気絶縁性の合成樹脂層を形成し、その後
に形成される半導体層、第1カーボン層、第2カ
ーボン層および金属メツキ層の各層の周縁が前記
合成樹脂層に接触していることを特徴とする方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17374282A JPS5963716A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17374282A JPS5963716A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5963716A JPS5963716A (ja) | 1984-04-11 |
JPH0129049B2 true JPH0129049B2 (ja) | 1989-06-07 |
Family
ID=15966282
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17374282A Granted JPS5963716A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5963716A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52154070A (en) * | 1976-06-16 | 1977-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing solid state electrolytic capacitor |
JPS58200523A (ja) * | 1982-05-18 | 1983-11-22 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
-
1982
- 1982-10-01 JP JP17374282A patent/JPS5963716A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52154070A (en) * | 1976-06-16 | 1977-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing solid state electrolytic capacitor |
JPS58200523A (ja) * | 1982-05-18 | 1983-11-22 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5963716A (ja) | 1984-04-11 |
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