JPS59211215A - 固体電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS59211215A JPS59211215A JP8615683A JP8615683A JPS59211215A JP S59211215 A JPS59211215 A JP S59211215A JP 8615683 A JP8615683 A JP 8615683A JP 8615683 A JP8615683 A JP 8615683A JP S59211215 A JPS59211215 A JP S59211215A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- solid electrolytic
- semiconductor layer
- electrolytic capacitor
- producing same
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- Pending
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- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体電解コンデンサおよびその製造方法に関し
７、とくに固体電解コンデンサの１案甑都の形成に関す
る。
７、とくに固体電解コンデンサの１案甑都の形成に関す
る。
従来、固体電解コンデンサは＠１図に示す様にタンタル
、アルミニウム等の弁作用を有する金属の陽極焼結体１
０表面に、陽極酸化皮膜２、二酸化鉛筆等の金属酸化物
からなる半導体Ｎ３、カーボンまたはグラファイト層４
を順次形成した後、銀ペーストなどの導電塗料層５ａを
浸漬により塗布・乾燥して形成し、溶融半田に浸漬して
半田層５ｂを形成し陰極層５としていた。
、アルミニウム等の弁作用を有する金属の陽極焼結体１
０表面に、陽極酸化皮膜２、二酸化鉛筆等の金属酸化物
からなる半導体Ｎ３、カーボンまたはグラファイト層４
を順次形成した後、銀ペーストなどの導電塗料層５ａを
浸漬により塗布・乾燥して形成し、溶融半田に浸漬して
半田層５ｂを形成し陰極層５としていた。
しかし、近年、電子部品を装置に実装する半田付は温度
を２６０℃以上の高温でする要求が高まっている。この
ため、固体電解コンデンサもこのような従来の陰極構造
では、半田層５ｂの形成する作業及び製品実装の作業工
程で、コンデンサ素子が高温の溶融半田に接触するだめ
、導電塗料層中における銀粒子の拡散が起り、陰極層５
の剥離またはｔａＱ、インピーダンスの増加等の電気的
特性の事故原因となる欠点があった。
を２６０℃以上の高温でする要求が高まっている。この
ため、固体電解コンデンサもこのような従来の陰極構造
では、半田層５ｂの形成する作業及び製品実装の作業工
程で、コンデンサ素子が高温の溶融半田に接触するだめ
、導電塗料層中における銀粒子の拡散が起り、陰極層５
の剥離またはｔａＱ、インピーダンスの増加等の電気的
特性の事故原因となる欠点があった。
本発明の目的はかかる従来欠点を改良した固体電解コン
デンサ及びその製造方法を提供するととにある。
デンサ及びその製造方法を提供するととにある。
本発明は固体電解コンデンサの弁作用金属陽極体の表面
に酸化皮膜半導体層を順次設けた後、上記半導体層の表
面にグラファイトペースト層と無電解ニッケルメッキ層
を順次設けたことを特徴とする。
に酸化皮膜半導体層を順次設けた後、上記半導体層の表
面にグラファイトペースト層と無電解ニッケルメッキ層
を順次設けたことを特徴とする。
以下、発明の固体電解コンデンサをタンタルコンデンサ
について図面を参照して説明する。
について図面を参照して説明する。
第２図においてタンタルコンデンサの陽極焼結体１を陽
極酸化して、焼結体の表面にタンタル酸化皮膜２を形成
し、硝酸マンガン水溶液に含浸された後、熱分解させて
二酸化マンガンの半導体層３を形成させる。このとき酸
化皮膜２の劣化した個所を修復させるため再化成を行な
い、所要の厚みの二酸化マンガンの半導体層３を得るま
で硝酸マンガンの含浸、熱分解、および再化成を繰シ返
して行なう。次にグラファイトペーストを塗布俸乾燥さ
せて表面にグラファイト層４を被着形成させる。次に無
電解ニッケルメッキ液中に浸漬し、所望の厚さのニッケ
ル層６を形成した後、半田層に浸漬し、ニッケル層６の
上に半田層５ｂを形成する。次に陽極焼結体１に一部を
埋め込んだタンタルの陽極リード線７に半田メッキニッ
ケル板を折り曲げ加工した陽極リードを接続する。
極酸化して、焼結体の表面にタンタル酸化皮膜２を形成
し、硝酸マンガン水溶液に含浸された後、熱分解させて
二酸化マンガンの半導体層３を形成させる。このとき酸
化皮膜２の劣化した個所を修復させるため再化成を行な
い、所要の厚みの二酸化マンガンの半導体層３を得るま
で硝酸マンガンの含浸、熱分解、および再化成を繰シ返
して行なう。次にグラファイトペーストを塗布俸乾燥さ
せて表面にグラファイト層４を被着形成させる。次に無
電解ニッケルメッキ液中に浸漬し、所望の厚さのニッケ
ル層６を形成した後、半田層に浸漬し、ニッケル層６の
上に半田層５ｂを形成する。次に陽極焼結体１に一部を
埋め込んだタンタルの陽極リード線７に半田メッキニッ
ケル板を折り曲げ加工した陽極リードを接続する。
上述の本実施例品１０個と、本実施例品と同一ロット素
子を用いて製造した従来品の１０個を温度２８０°Ｇ３
０秒の半田耐熱試験を行なった結果を第４図（ａ）〜（
ｂ）に示す。図中人は本発明の一実施例品、Ｂは従来例
品を示す。
子を用いて製造した従来品の１０個を温度２８０°Ｇ３
０秒の半田耐熱試験を行なった結果を第４図（ａ）〜（
ｂ）に示す。図中人は本発明の一実施例品、Ｂは従来例
品を示す。
（ａ）図のｔａｎδに関しては本実施例品Ａに比べ従来
例品Ｂは３％高めの値を示している◇また（ｂ）図の漏
れ電流については本実施例品Ａは全く変化しなかったが
、従来例品Ｂでは１０個中２個大きく変化を示した。
例品Ｂは３％高めの値を示している◇また（ｂ）図の漏
れ電流については本実施例品Ａは全く変化しなかったが
、従来例品Ｂでは１０個中２個大きく変化を示した。
これらは温度２８０℃という高温で銀粒子が拡散したた
めと考えられる。
めと考えられる。
以上、述べたように本発明によれば、半田耐熱性に優れ
、高価な銀の導電塗料を使用することなく、かつ信頼性
の高い固体電解コンデンサが安価に得られる効果は非常
に大きい。
、高価な銀の導電塗料を使用することなく、かつ信頼性
の高い固体電解コンデンサが安価に得られる効果は非常
に大きい。
第１図は従来の固体電解コンデンサの断面図。
第２図、第３図は本発明の実施例の断面図および斜視図
０第４図（ａ） 、 （ｂ）は半田耐熱試験における本
発明実施例と従来品との性能を比較するグラフ。 図中の符号 １・・・・・・陽極焼結体、２・・・・・・陽極酸化皮
膜、３・・・・・・半導体層、４・・・・・・グラファ
イト層、５８１．６０．陰極層、５ａ・・・・・・銀導
電塗料層、５ｂ・・・・・・半田層、６・・・・・・無
電解ニッケルメッキ層、７・旧・・陽極リード線、８・
・・・・・陽極リード。 第 １ 日 第２回 第３図 （ａ、） （ｂ） 番４ 図
０第４図（ａ） 、 （ｂ）は半田耐熱試験における本
発明実施例と従来品との性能を比較するグラフ。 図中の符号 １・・・・・・陽極焼結体、２・・・・・・陽極酸化皮
膜、３・・・・・・半導体層、４・・・・・・グラファ
イト層、５８１．６０．陰極層、５ａ・・・・・・銀導
電塗料層、５ｂ・・・・・・半田層、６・・・・・・無
電解ニッケルメッキ層、７・旧・・陽極リード線、８・
・・・・・陽極リード。 第 １ 日 第２回 第３図 （ａ、） （ｂ） 番４ 図
Claims (2)
- （１）弁作用金属陽極体の表面に酸化皮膜、半導体層を
順次設けさらに前記半導体層の表面にグラファイト層お
よびニッケル層を順次設けたことを特徴とする固体電解
コンデンサ。 - （２）弁作用金属陽極体の表面に酸化皮膜、半導体層を
順次設ける工程と、前記半導体層の表面にグラファイト
ペーストを塗布、焼付けする工程と、無電解ニッケルメ
ッキしてニッケル層を形成する工程とからなることを特
徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8615683A JPS59211215A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8615683A JPS59211215A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59211215A true JPS59211215A (ja) | 1984-11-30 |
Family
ID=13878874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8615683A Pending JPS59211215A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59211215A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52154070A (en) * | 1976-06-16 | 1977-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing solid state electrolytic capacitor |
-
1983
- 1983-05-17 JP JP8615683A patent/JPS59211215A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52154070A (en) * | 1976-06-16 | 1977-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing solid state electrolytic capacitor |
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